JP3254467B2 - ウエハ保持機構 - Google Patents
ウエハ保持機構Info
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- electrostatic chuck
- holding mechanism
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- electrostatic
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
- G03F7/70708—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details being electrostatic; Electrostatically deformable vacuum chucks
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、ウエハを変形するこ
となく保持し、かつ移動ステージに適用できるウエハ保
持機構に関するものである。
となく保持し、かつ移動ステージに適用できるウエハ保
持機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の半導体製造プロセスの大部分は、
真空または低圧下で行われている。真空または低圧下で
は真空チャックを用いることができないので、ウエハの
保持には主に静電チャックが使用されている。
真空または低圧下で行われている。真空または低圧下で
は真空チャックを用いることができないので、ウエハの
保持には主に静電チャックが使用されている。
【０００３】静電チャックでは、吸着力によりウエハが
静電チャック表面に押しつけられることによって鉛直方
向に対して拘束され、また、ウエハが静電チャック表面
に押しつけられることによって発生する摩擦力によって
ウエハがウエハと同一面内において拘束される。したが
って図３（ａ）に断面図に示すようにウエハ１が自由状
態で反っているときは図３（ｂ）に示すように静電チャ
ック２に吸着されることによってウエハ１の反りが矯正
される方向に変形保持される。なお、２ａは静電チャッ
ク２を構成する絶縁膜、２ｂは静電チャック２を構成す
る静電チャック用電極、３は高圧用直流電源である。
静電チャック表面に押しつけられることによって鉛直方
向に対して拘束され、また、ウエハが静電チャック表面
に押しつけられることによって発生する摩擦力によって
ウエハがウエハと同一面内において拘束される。したが
って図３（ａ）に断面図に示すようにウエハ１が自由状
態で反っているときは図３（ｂ）に示すように静電チャ
ック２に吸着されることによってウエハ１の反りが矯正
される方向に変形保持される。なお、２ａは静電チャッ
ク２を構成する絶縁膜、２ｂは静電チャック２を構成す
る静電チャック用電極、３は高圧用直流電源である。
【０００４】一般の半導体製造プロセスにおいては、静
電チャックのように自由状態で反りがあるウエハが矯正
されるように変形保持されること（以下、平坦化保持と
いう）が望ましいが、Ｘ線露光用マスク作製などの一部
のプロセスにおいては、ウエハを変形させないで自由状
態のままで保持すること（以下、無変形保持という）が
重ね合わせ誤差や膜内応力を低減するために必要であ
る。
電チャックのように自由状態で反りがあるウエハが矯正
されるように変形保持されること（以下、平坦化保持と
いう）が望ましいが、Ｘ線露光用マスク作製などの一部
のプロセスにおいては、ウエハを変形させないで自由状
態のままで保持すること（以下、無変形保持という）が
重ね合わせ誤差や膜内応力を低減するために必要であ
る。
【０００５】従来では、図４（ａ）に上から見た平面
図，図４（ｂ）にその正面から見た正面図にそれぞれ示
すようにステージ４に設置した支持突起５上にウエハ１
を静置したり、また、図５（ａ）に上から見た平面図，
図５（ｂ）にそのＡ−Ａ′線の断面図にそれぞれ示すよ
うにステージ４に凹部４ａを設けるとともにこのステー
ジ４の凹部４ａ上に機械的にウエハ１をクランプ６によ
り保持することにより対応していた。
図，図４（ｂ）にその正面から見た正面図にそれぞれ示
すようにステージ４に設置した支持突起５上にウエハ１
を静置したり、また、図５（ａ）に上から見た平面図，
図５（ｂ）にそのＡ−Ａ′線の断面図にそれぞれ示すよ
うにステージ４に凹部４ａを設けるとともにこのステー
ジ４の凹部４ａ上に機械的にウエハ１をクランプ６によ
り保持することにより対応していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述したウエハ保持機
構において、ウエハ１を３本の支持突起５上に静置する
三点支持構造は、ウエハ１の自重による変形が最小にな
るように支持突起５の位置を最適化すれば無変形保持構
造としては最適である。しかしながら、ウエハ１を、ウ
エハ１と同一面内において拘束する力は、３本の支持突
起５がウエハ１の裏面に接触する時の摩擦力およびヘル
ツの応力のみで極めて小さい。このため、ウエハ保持機
構がＸＹステージなどの移動ステージに搭載されてウエ
ハに加速度が作用すると、ウエハと保持機構、すなわち
ウエハ１と支持突起５との間に滑りが生じ、位置決めに
支障を来すという問題があった。また、機械的にウエハ
をクランプする構造は、ウエハ１を同一面内において拘
束する力は強く、滑りは生じ難いが、クランプする方
法，位置，力などによりウエハ１が大きく変形してしま
うという問題があり、実際にこの構造で無変形保持を実
現するのは困難である。
構において、ウエハ１を３本の支持突起５上に静置する
三点支持構造は、ウエハ１の自重による変形が最小にな
るように支持突起５の位置を最適化すれば無変形保持構
造としては最適である。しかしながら、ウエハ１を、ウ
エハ１と同一面内において拘束する力は、３本の支持突
起５がウエハ１の裏面に接触する時の摩擦力およびヘル
ツの応力のみで極めて小さい。このため、ウエハ保持機
構がＸＹステージなどの移動ステージに搭載されてウエ
ハに加速度が作用すると、ウエハと保持機構、すなわち
ウエハ１と支持突起５との間に滑りが生じ、位置決めに
支障を来すという問題があった。また、機械的にウエハ
をクランプする構造は、ウエハ１を同一面内において拘
束する力は強く、滑りは生じ難いが、クランプする方
法，位置，力などによりウエハ１が大きく変形してしま
うという問題があり、実際にこの構造で無変形保持を実
現するのは困難である。
【０００７】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、ウ
エハを無変形保持し、かつウエハと保持機構との間に滑
りが生じないウエハ保持機構を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、ウ
エハを無変形保持し、かつウエハと保持機構との間に滑
りが生じないウエハ保持機構を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、ステージ上に配置されウエハの裏面
を支える支持突起と、絶縁膜と薄膜状の電極とを接着し
て構成した静電チャックとを有し、特に、静電チャック
は弾性変形可能であり、静電チャックの一端は絶縁体か
らなるスペーサを介してステージ上に固定され、静電チ
ャックの他端は自由にされ、静電チャックは絶縁膜を上
にして支持突起の頂点よりステージに近く配置され、電
極は直流電源に接続されていることを特徴とする。具体
的には、ウエハを３本の支持突起上に静置する三点支持
構造は無変形支持構造としては最良であるが、この構造
ではウエハをウエハと同一面内で拘束する力が小さいた
め、滑りが生じる。したがってこの保持機構にウエハを
ウエハと同一面内のみ拘束し、ウエハを面に垂直な鉛直
方向に拘束しない機構を付加するものである。
るために本発明は、ステージ上に配置されウエハの裏面
を支える支持突起と、絶縁膜と薄膜状の電極とを接着し
て構成した静電チャックとを有し、特に、静電チャック
は弾性変形可能であり、静電チャックの一端は絶縁体か
らなるスペーサを介してステージ上に固定され、静電チ
ャックの他端は自由にされ、静電チャックは絶縁膜を上
にして支持突起の頂点よりステージに近く配置され、電
極は直流電源に接続されていることを特徴とする。具体
的には、ウエハを３本の支持突起上に静置する三点支持
構造は無変形支持構造としては最良であるが、この構造
ではウエハをウエハと同一面内で拘束する力が小さいた
め、滑りが生じる。したがってこの保持機構にウエハを
ウエハと同一面内のみ拘束し、ウエハを面に垂直な鉛直
方向に拘束しない機構を付加するものである。
【０００９】
【作用】本発明におけるウエハ保持機構の作用について
図２を用いて説明する。図２（ａ）はウエハ保持機構を
上から見た平面図，図２（ｂ）は正面から見た正面図，
図２（ｃ）は静電チャックの詳細な構造を示す断面図で
ある。同図において、２′は薄型の静電チャックであ
り、この薄型静電チャック２′は薄膜状の絶縁膜２ａ′
と薄膜状の静電チャック用電極２ｂ′とから構成され、
図２（ｃ）に示すように矢印Ｂ−Ｂ′方向には動き易
く、矢印Ｃ−Ｃ′方向には動き難い構造となっている。
また、３Ａは静電チャック２′の電極２ｂ′と導体から
なるステージ４Ａとの間に接続された高圧直流電源、５
Ａは導体からなる支持突起、７は薄型静電チャック２′
の電極２ｂ′と導体からなるステージ４Ａとを電気的に
絶縁する絶縁体からなるスペーサである。なお、図２
（ｂ）において静電チャック２′は実線が吸着時を示
し、破線が非吸着時をそれぞれ示している。このような
構成において、ウエハ１の裏面に弾性変形可能な薄型静
電チャック２′を吸着させたとき、ウエハ１の裏面に作
用するＺ方向の力は、重力と支持突起５Ａによる反力と
を除けば、静電チャック２′をクリアランスｄ（ウエハ
１と静電チャック２′との間の間隔）だけ変形させるの
に必要な弾性力が−Ｚ方向に作用するのみである。この
弾性力はクリアランスｄを十分に小さくすれば無視でき
るので、静電チャック２′がウエハ１に吸着することに
よりウエハ１の鉛直方向の拘束は三点支持構造に比べて
ほとんど変化しない。一方、ウエハ１がウエハ１と同一
面内、すなわちＸＹ面内で作用しようとすると、静電チ
ャック２′を引っ張る，圧縮するまたは捩ることになる
ので、大きな反力を発生し、ウエハ１が動かないように
拘束する。したがって三点支持機構に弾性変形可能な薄
型静電チャック２′を付加し、クリアランスｄを十分小
さくすることによって三点支持構造と同等の無変形保持
特性のまま、ウエハ１をウエハ１と同一面内で拘束する
力を大きくすることができる。すなわちウエハ１を無変
形でかつ滑りなしに保持することが可能となる。
図２を用いて説明する。図２（ａ）はウエハ保持機構を
上から見た平面図，図２（ｂ）は正面から見た正面図，
図２（ｃ）は静電チャックの詳細な構造を示す断面図で
ある。同図において、２′は薄型の静電チャックであ
り、この薄型静電チャック２′は薄膜状の絶縁膜２ａ′
と薄膜状の静電チャック用電極２ｂ′とから構成され、
図２（ｃ）に示すように矢印Ｂ−Ｂ′方向には動き易
く、矢印Ｃ−Ｃ′方向には動き難い構造となっている。
また、３Ａは静電チャック２′の電極２ｂ′と導体から
なるステージ４Ａとの間に接続された高圧直流電源、５
Ａは導体からなる支持突起、７は薄型静電チャック２′
の電極２ｂ′と導体からなるステージ４Ａとを電気的に
絶縁する絶縁体からなるスペーサである。なお、図２
（ｂ）において静電チャック２′は実線が吸着時を示
し、破線が非吸着時をそれぞれ示している。このような
構成において、ウエハ１の裏面に弾性変形可能な薄型静
電チャック２′を吸着させたとき、ウエハ１の裏面に作
用するＺ方向の力は、重力と支持突起５Ａによる反力と
を除けば、静電チャック２′をクリアランスｄ（ウエハ
１と静電チャック２′との間の間隔）だけ変形させるの
に必要な弾性力が−Ｚ方向に作用するのみである。この
弾性力はクリアランスｄを十分に小さくすれば無視でき
るので、静電チャック２′がウエハ１に吸着することに
よりウエハ１の鉛直方向の拘束は三点支持構造に比べて
ほとんど変化しない。一方、ウエハ１がウエハ１と同一
面内、すなわちＸＹ面内で作用しようとすると、静電チ
ャック２′を引っ張る，圧縮するまたは捩ることになる
ので、大きな反力を発生し、ウエハ１が動かないように
拘束する。したがって三点支持機構に弾性変形可能な薄
型静電チャック２′を付加し、クリアランスｄを十分小
さくすることによって三点支持構造と同等の無変形保持
特性のまま、ウエハ１をウエハ１と同一面内で拘束する
力を大きくすることができる。すなわちウエハ１を無変
形でかつ滑りなしに保持することが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に
説明する。図１は、本発明によるウエハ保持機構の一実
施例による構成を示す図であり、図１（ａ）は上から見
た平面図，図１（ｂ）は正面から見た正面図である。な
お、この実施例では、薄型静電チャックを２本使用して
双極型として構成した場合の例を示している。同図にお
いて、１はウエハ、２Ａ，２Ｂは薄型静電チャックであ
り、この薄型静電チャック２Ａ，２Ｂは図２に示すよう
に薄膜状の絶縁膜２ａ′と薄膜状の静電チャック用電極
２ｂ′とが接着されて形成されている。また、３は薄型
静電チャック２Ａ，２Ｂのそれぞれの静電チャック用電
極２ｂ′に所定の直流電圧を供給する高圧直流電源、４
は導体または絶縁体からなるステージ、５はステージ４
上に設置された導体または絶縁体からなる支持突起、７
はステージ４上に設置された絶縁体からなるスペーサ、
８はゴムパッドであり、このゴムパッド８は非吸着時に
静電チャック２Ａ，２Ｂが自重で下がってウエハ１との
間の距離が開きすぎ、電圧を印加しても吸着しなくなる
ことを防止している。
説明する。図１は、本発明によるウエハ保持機構の一実
施例による構成を示す図であり、図１（ａ）は上から見
た平面図，図１（ｂ）は正面から見た正面図である。な
お、この実施例では、薄型静電チャックを２本使用して
双極型として構成した場合の例を示している。同図にお
いて、１はウエハ、２Ａ，２Ｂは薄型静電チャックであ
り、この薄型静電チャック２Ａ，２Ｂは図２に示すよう
に薄膜状の絶縁膜２ａ′と薄膜状の静電チャック用電極
２ｂ′とが接着されて形成されている。また、３は薄型
静電チャック２Ａ，２Ｂのそれぞれの静電チャック用電
極２ｂ′に所定の直流電圧を供給する高圧直流電源、４
は導体または絶縁体からなるステージ、５はステージ４
上に設置された導体または絶縁体からなる支持突起、７
はステージ４上に設置された絶縁体からなるスペーサ、
８はゴムパッドであり、このゴムパッド８は非吸着時に
静電チャック２Ａ，２Ｂが自重で下がってウエハ１との
間の距離が開きすぎ、電圧を印加しても吸着しなくなる
ことを防止している。
【００１１】このように構成されたウエハ保持機構にお
いて、まず、ウエハ１を３本の支持突起５上に静置す
る。これによりウエハ１は三点支持される。ただし、支
持突起５の位置はウエハ１の自重による変形が最小にな
るように予め最適化する。静電チャック２Ａ，２Ｂにそ
れぞれ高圧直流電源３から電圧＋Ｅ，−Ｅを印加する
と、ウエハ１に対して静電チャック２Ａ，２Ｂが双極型
静電チャックを構成するので、静電チャック２Ａ，２Ｂ
は弾性変形してウエハ１の裏面に吸着する。これにより
ウエハ１はこのウエハ１と同一面内で拘束されるが、ウ
エハ１と薄型静電チャック２Ａ，２Ｂとの間のクリアラ
ンスｄは十分に小さいので、鉛直方向の拘束は三点支持
のみの時と同じである。
いて、まず、ウエハ１を３本の支持突起５上に静置す
る。これによりウエハ１は三点支持される。ただし、支
持突起５の位置はウエハ１の自重による変形が最小にな
るように予め最適化する。静電チャック２Ａ，２Ｂにそ
れぞれ高圧直流電源３から電圧＋Ｅ，−Ｅを印加する
と、ウエハ１に対して静電チャック２Ａ，２Ｂが双極型
静電チャックを構成するので、静電チャック２Ａ，２Ｂ
は弾性変形してウエハ１の裏面に吸着する。これにより
ウエハ１はこのウエハ１と同一面内で拘束されるが、ウ
エハ１と薄型静電チャック２Ａ，２Ｂとの間のクリアラ
ンスｄは十分に小さいので、鉛直方向の拘束は三点支持
のみの時と同じである。
【００１２】なお、この実施例では、静電チャック２
Ａ，２Ｂを厚さ２０μｍの薄膜状の金属と厚さ５０μｍ
の有機絶縁体とを接着して構成した。しかしながら、本
発明はこれに限定されるものではなく、薄膜状の金属に
絶縁物質を溶着したり、逆に薄膜状の絶縁体に金属を蒸
着またはメッキすることにより静電チャック２Ａ，２Ｂ
を構成しても良いことは勿論可能である。
Ａ，２Ｂを厚さ２０μｍの薄膜状の金属と厚さ５０μｍ
の有機絶縁体とを接着して構成した。しかしながら、本
発明はこれに限定されるものではなく、薄膜状の金属に
絶縁物質を溶着したり、逆に薄膜状の絶縁体に金属を蒸
着またはメッキすることにより静電チャック２Ａ，２Ｂ
を構成しても良いことは勿論可能である。
【００１３】このように構成されたウエハ保持機構にお
いて、ウエハ１として直径３インチのウエハ（重さ２１
ｇ）を保持したとき、静電チャック２Ａ，２Ｂを使用せ
ずに支持突起５のみで三点支持した場合、Ｘ軸方向，Ｙ
軸方向ともに約１０ｇの拘束力であったのに対し、クリ
アランスｄ＝０．５ｍｍで静電チャック２Ａ，２ＢにＥ
＝±５００Ｖの電圧を印加した場合は、Ｘ軸方向に約６
０ｇ，Ｙ軸方向に約３０ｇの拘束力であった。半導体製
造プロセスに使用される移動ステージの最大加速度は
０．５〜１Ｇであり、重さ２０ｇのウエハの滑りが生じ
ないためには１０〜２０ｇ以上の拘束力が必要である。
したがってウエハ１を支持突起５のみで三点支持した場
合は滑りを生じるが、静電チャック２Ａ，２Ｂを併用し
たときは滑りを生じない。このとき、静電チャック２
Ａ，２Ｂを吸着させる前後でのウエハ１の変形量の差は
０．３２μｍ以下であり、静電チャック２Ａ，２Ｂの吸
着による影響は観察されなかった。
いて、ウエハ１として直径３インチのウエハ（重さ２１
ｇ）を保持したとき、静電チャック２Ａ，２Ｂを使用せ
ずに支持突起５のみで三点支持した場合、Ｘ軸方向，Ｙ
軸方向ともに約１０ｇの拘束力であったのに対し、クリ
アランスｄ＝０．５ｍｍで静電チャック２Ａ，２ＢにＥ
＝±５００Ｖの電圧を印加した場合は、Ｘ軸方向に約６
０ｇ，Ｙ軸方向に約３０ｇの拘束力であった。半導体製
造プロセスに使用される移動ステージの最大加速度は
０．５〜１Ｇであり、重さ２０ｇのウエハの滑りが生じ
ないためには１０〜２０ｇ以上の拘束力が必要である。
したがってウエハ１を支持突起５のみで三点支持した場
合は滑りを生じるが、静電チャック２Ａ，２Ｂを併用し
たときは滑りを生じない。このとき、静電チャック２
Ａ，２Ｂを吸着させる前後でのウエハ１の変形量の差は
０．３２μｍ以下であり、静電チャック２Ａ，２Ｂの吸
着による影響は観察されなかった。
【００１４】なお、静電チャック２Ａ，２Ｂの使用時に
Ｘ軸方向とＹ軸方向とで拘束力が異なるのは、Ｘ軸，Ｙ
軸それぞれから見た静電チャックの位置が違うためであ
る。したがって各軸から見た位置が同じになるように２
組以上の静電チャックを配置するかまたは各軸から見た
静電チャックの形状が同じになるようにすればＸ軸方向
とＹ軸方向との拘束力は等しくなる。このような構成に
より、滑りを生じさせないウエハを無変形保持すること
ができる。
Ｘ軸方向とＹ軸方向とで拘束力が異なるのは、Ｘ軸，Ｙ
軸それぞれから見た静電チャックの位置が違うためであ
る。したがって各軸から見た位置が同じになるように２
組以上の静電チャックを配置するかまたは各軸から見た
静電チャックの形状が同じになるようにすればＸ軸方向
とＹ軸方向との拘束力は等しくなる。このような構成に
より、滑りを生じさせないウエハを無変形保持すること
ができる。
【００１５】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
ウエハを変形することなく、かつ移動ステージに使用で
きるウエハ保持機構を実現することができる。したがっ
て半導体製造プロセスにおいて重ね合わせ誤差や膜内応
力の低減に寄与することができるなどの極めて優れた効
果が得られる。
ウエハを変形することなく、かつ移動ステージに使用で
きるウエハ保持機構を実現することができる。したがっ
て半導体製造プロセスにおいて重ね合わせ誤差や膜内応
力の低減に寄与することができるなどの極めて優れた効
果が得られる。
【図１】本発明によるウエハ保持機構の一実施例による
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図２】本発明によるウエハ保持機構の動作原理を説明
する図である。
する図である。
【図３】静電チャックによるウエハの保持を説明する図
である。
である。
【図４】従来のウエハ保持機構の一例による構成を示す
図である。
図である。
【図５】従来のウエハ保持機構の他の例による構成を示
す図である。
す図である。
１ ウエハ ２Ａ 静電チャック ２Ｂ 静電チャック ３ 高圧直流電源 ４ ステージ ５ 支持突起 ７ 絶縁体からなるスペーサ ８ ゴムパッド
フロントページの続き (72)発明者 宇根 篤暢 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−56843（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/68 B23Q 3/15 H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】 ステージ上に配置されウエハの裏面を支
える支持突起と、絶縁膜と薄膜状の電極とを接着して構成した 静電チャッ
クと、 を備えたウエハ保持機構であって、 前記静電チャックは、弾性変形可能であり、 前記静電チャックの一端は、絶縁体からなるスペーサを
介して前記ステージ上に固定され、 前記静電チャックの他端は、自由にされ、 前記静電チャックは、前記絶縁膜を上にして前記支持突
起の頂点より前記ステージに近く配置され、 前記電極は、直流電源に接続されている ことを特徴とす
るウエハ保持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30592292A JP3254467B2 (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | ウエハ保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30592292A JP3254467B2 (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | ウエハ保持機構 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06132388A JPH06132388A (ja) | 1994-05-13 |
| JP3254467B2 true JP3254467B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=17950917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30592292A Expired - Fee Related JP3254467B2 (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | ウエハ保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3254467B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4204964B2 (ja) * | 2002-12-23 | 2009-01-07 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | リソグラフィ装置 |
| JP2008085290A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-04-10 | Hitachi High-Technologies Corp | 静電吸着機構、及び荷電粒子線装置 |
| JP2008226887A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Nikon Corp | 保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
| NL2006536A (en) * | 2010-05-13 | 2011-11-15 | Asml Netherlands Bv | A substrate table, a lithographic apparatus, a method of flattening an edge of a substrate and a device manufacturing method. |
| JP2012054360A (ja) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
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1992
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