JP3247408B2 - レーザ成膜方法及びその装置、半導体装置の製造方法 - Google Patents
レーザ成膜方法及びその装置、半導体装置の製造方法Info
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- JP3247408B2 JP3247408B2 JP28154391A JP28154391A JP3247408B2 JP 3247408 B2 JP3247408 B2 JP 3247408B2 JP 28154391 A JP28154391 A JP 28154391A JP 28154391 A JP28154391 A JP 28154391A JP 3247408 B2 JP3247408 B2 JP 3247408B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はたとえば半導体ウエハ
や液晶アレイ基板に形成された配線のオープン欠陥をレ
ーザＣＶＤ法を用いて修正するレーザ成膜方法およびそ
の装置、半導体の製造方法に関する。
や液晶アレイ基板に形成された配線のオープン欠陥をレ
ーザＣＶＤ法を用いて修正するレーザ成膜方法およびそ
の装置、半導体の製造方法に関する。
【０００２】たとえば、半導体の製造工程においては、
半導体ウエハや液晶アレイ基板の表面の絶縁膜（ＳｉＯ
2 ）に形成された配線のオープン欠陥を修正するという
ことが行われている。このような補修を行うために金属
膜を局所的に形成する成膜技術としてドライプロセスで
空間分解能が高いレーザＣＶＤ法が多く採用されてい
る。
半導体ウエハや液晶アレイ基板の表面の絶縁膜（ＳｉＯ
2 ）に形成された配線のオープン欠陥を修正するという
ことが行われている。このような補修を行うために金属
膜を局所的に形成する成膜技術としてドライプロセスで
空間分解能が高いレーザＣＶＤ法が多く採用されてい
る。
【０００３】金属膜のレ−ザＣＶＤ法にはＵＶレ−ザを
用いる方法と可視レ−ザを用いる方法とがあり、現状で
は可視レ−ザ（アルゴンイオンレ−ザ、Ｎｄ：ＹＡＧレ
−ザの第２高調波など）による方法の方が高い膜質が得
られ、かつウインドの汚れもないため主流になってきて
いる。可視レ−ザによる局所的な熱分解を利用するＣＶ
Ｄ法は、表面材質のレ−ザ光の吸収率や熱伝導度の違い
により成膜できる条件が異なる。とくに、レ−ザ光の吸
収率が低く、熱伝導度が高いアルミニウム上での安定な
成膜は難しく、これまで様々な工夫がなされてきた。た
とえば、ＱスイッチＹＡＧレ−ザの第２高調波などのパ
ルス出力を用いる方法や、熱やＵＶ（紫外線）によって
予備的にＣＶＤを行ってから配線を形成する方法であ
る。
用いる方法と可視レ−ザを用いる方法とがあり、現状で
は可視レ−ザ（アルゴンイオンレ−ザ、Ｎｄ：ＹＡＧレ
−ザの第２高調波など）による方法の方が高い膜質が得
られ、かつウインドの汚れもないため主流になってきて
いる。可視レ−ザによる局所的な熱分解を利用するＣＶ
Ｄ法は、表面材質のレ−ザ光の吸収率や熱伝導度の違い
により成膜できる条件が異なる。とくに、レ−ザ光の吸
収率が低く、熱伝導度が高いアルミニウム上での安定な
成膜は難しく、これまで様々な工夫がなされてきた。た
とえば、ＱスイッチＹＡＧレ−ザの第２高調波などのパ
ルス出力を用いる方法や、熱やＵＶ（紫外線）によって
予備的にＣＶＤを行ってから配線を形成する方法であ
る。
【０００４】しかしながら、パルス出力によるＣＶＤ法
では連続出力を用いる方法と比較して膜質が劣るという
欠点があり、予備的にＣＶＤを行う方法は、サンプル表
面の状態を変化させ、後工程で他の膜（保護膜や絶縁膜
など）を形成するときや評価のときの支障となる。この
ため、連続出力によるＣＶＤを前処理なしで用いる方法
が最も実用性の高い方法であり、よく用いられている。
では連続出力を用いる方法と比較して膜質が劣るという
欠点があり、予備的にＣＶＤを行う方法は、サンプル表
面の状態を変化させ、後工程で他の膜（保護膜や絶縁膜
など）を形成するときや評価のときの支障となる。この
ため、連続出力によるＣＶＤを前処理なしで用いる方法
が最も実用性の高い方法であり、よく用いられている。
【０００５】レ−ザＣＶＤ法で配線パタ−ンのオ−プン
欠陥を修正する場合、これまでは図７に示すように半導
体ウエハ１の絶縁膜（ＳｉＯ2 ）２上に形成された一対
の配線３ａ、３ｂの一方から成膜を開始する方法が用い
られてきた。つまり、一方の配線３ａ上にレ−ザ光Ｌを
照射し、この配線３ａ上から成膜を開始し、絶縁膜２を
経て他方の配線３ｂへレ−ザ光Ｌを走査させることで、
この経路に金属膜４を成膜するということが行われてい
た。上記配線３ａ、３ｂは通常、アルミニウムからな
り、絶縁膜２と比べてレ−ザ光Ｌの吸収率が低く、熱拡
散が速い。そのため、アルミニウムからなる配線３ａ上
での成膜は、レ−ザ光Ｌによってその表面を効率よく加
熱することが難しいため、成膜するためにはレ−ザ出力
を高くし、走査速度を低くしなければならなかった。
欠陥を修正する場合、これまでは図７に示すように半導
体ウエハ１の絶縁膜（ＳｉＯ2 ）２上に形成された一対
の配線３ａ、３ｂの一方から成膜を開始する方法が用い
られてきた。つまり、一方の配線３ａ上にレ−ザ光Ｌを
照射し、この配線３ａ上から成膜を開始し、絶縁膜２を
経て他方の配線３ｂへレ−ザ光Ｌを走査させることで、
この経路に金属膜４を成膜するということが行われてい
た。上記配線３ａ、３ｂは通常、アルミニウムからな
り、絶縁膜２と比べてレ−ザ光Ｌの吸収率が低く、熱拡
散が速い。そのため、アルミニウムからなる配線３ａ上
での成膜は、レ−ザ光Ｌによってその表面を効率よく加
熱することが難しいため、成膜するためにはレ−ザ出力
を高くし、走査速度を低くしなければならなかった。
【０００６】このような従来の方法によると、レーザ光
Ｌがアルミニウム配線３ａ、３ｂには吸収されづらいた
め、配線３ａ、３ｂ上で走査速度を高くできないという
ことがあった。また、走査速度が高すぎると、有機金属
ガスの分解反応速度には限界があるため、レーザ光Ｌを
吸収できる膜厚にまで膜は形成されなくなり、成膜は停
止する。また、レーザ出力を高めても、膜形成される速
度には有機金属ガスの反応速度で決まる限界があるた
め、高速化を計ることはできない。しかも、レーザ出力
が適正条件よりも高すぎると、走査速度をどんなに速く
しても、良好に膜を形成できる条件は存在しなくなり、
過剰な入熱によって膜が損傷を受ける。
Ｌがアルミニウム配線３ａ、３ｂには吸収されづらいた
め、配線３ａ、３ｂ上で走査速度を高くできないという
ことがあった。また、走査速度が高すぎると、有機金属
ガスの分解反応速度には限界があるため、レーザ光Ｌを
吸収できる膜厚にまで膜は形成されなくなり、成膜は停
止する。また、レーザ出力を高めても、膜形成される速
度には有機金属ガスの反応速度で決まる限界があるた
め、高速化を計ることはできない。しかも、レーザ出力
が適正条件よりも高すぎると、走査速度をどんなに速く
しても、良好に膜を形成できる条件は存在しなくなり、
過剰な入熱によって膜が損傷を受ける。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来は配
線上においてレ−ザ光の走査速度を速くすることができ
ないため、成膜を高速化できないということがあった。
線上においてレ−ザ光の走査速度を速くすることができ
ないため、成膜を高速化できないということがあった。
【０００８】この発明は上記事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、配線上における成膜を
高速に、しかも安定した状態で行うことができるように
したレーザ成膜方法およびその装置、半導体装置の製造
方法を提供することにある。
ので、その目的とするところは、配線上における成膜を
高速に、しかも安定した状態で行うことができるように
したレーザ成膜方法およびその装置、半導体装置の製造
方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
にこの発明は、絶縁物上に間隔をおいて形成された一対
の配線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜す
るレーザ成膜方法において、光源からレーザ光を出射さ
せる工程と、このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレ
ーザ光とに分割する工程と、前記第１及び第２のレーザ
光を前記配線間の絶縁物上の同じ箇所に照射させて、前
記絶縁物上にスタートポイントとなる金属膜を成膜させ
る工程と、前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前
記配線に向かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線
を接続させる工程とを備えることを特徴とするレーザ成
膜方法にある。
にこの発明は、絶縁物上に間隔をおいて形成された一対
の配線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜す
るレーザ成膜方法において、光源からレーザ光を出射さ
せる工程と、このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレ
ーザ光とに分割する工程と、前記第１及び第２のレーザ
光を前記配線間の絶縁物上の同じ箇所に照射させて、前
記絶縁物上にスタートポイントとなる金属膜を成膜させ
る工程と、前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前
記配線に向かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線
を接続させる工程とを備えることを特徴とするレーザ成
膜方法にある。
【００１０】また、この発明は、絶縁物上に間隔をおい
て形成された一対の配線を接続するために、この配線間
に金属膜を成膜するレーザ成膜方法において、光源から
レーザ光を出射させる工程と、このレーザ光を第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光とに分割する工程と、この第１
及び第２のレーザ光をほぼ同一の方向に進行させる工程
と、前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁物
上の同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタートポ
イントとなる金属膜を成膜させる工程と、前記第１及び
第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向かってそれぞ
れ走査させて、一対の前記配線を接続させる工程とを備
えることを特徴とするレーザ成膜方法にある。また、こ
の発明は、絶縁物上に間隔をおいて形成された一対の配
線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜するレ
ーザ成膜方法において、光源からレーザ光を出射させる
工程と、このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ
光とに分割して異なる方向に進行させる工程と、前記第
１のレーザ光は透過させ、前記第２のレーザ光は反射さ
せる手段を用いることにより、前記第１及び第２のレー
ザ光をほぼ同一方向に進行させる工程と、同一のレンズ
を透過させることにより、前記第１及び第２のレーザ光
を前記配線間の絶縁物上の同じ箇所に照射させて、前記
絶縁物上にスタートポイントとなる金属膜を成膜させる
工程と、前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前記
配線に向かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線を
接続させる工程とを備えることを特徴とするレーザ成膜
方法にある。また、この発明は、半導体ウエハの絶縁膜
上に配線を形成する工程と、オープン欠陥により間隔を
おいて形成された一対の配線間にレーザＣＶＤを用いて
金属膜を成膜し、このオープン欠陥を修正する成膜工程
とを備える半導体装置の製造方法において、前記成膜工
程は、光源からレーザ光を出射させる工程と、このレー
ザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ光とに分割する工
程と、前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁
物上の同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタート
ポイントとなる金属膜を成膜させる工程と、前記第１及
び第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向かってそれ
ぞれ走査させて、一対の前記配線を接続させる工程とを
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
また、この発明は、配線パターンのオープン欠陥を成膜
により修正するレーザ成膜装置において、光源と、この
光源から出射されたレーザ光を分割するビームスプリッ
タと、このビームスプリッタにより分割されたレーザ光
のうち、第１のレーザ光は透過させ、第２のレーザ光は
反射させて両レーザ光をほぼ同一方向に進行させる第１
の手段と、前記第１及び第２のレーザ光をともに集束さ
せる第２の手段と、前記第１及び第２のレーザ光をそれ
ぞれ走査させる走査ユニットとを備えることを特徴とす
るレーザ成膜装置にある。また、この発明は、前記第１
の手段は、偏向ビームスプリッタであり、前記第１のレ
ーザ光の光路及び前記第２のレーザ光の光路には、前記
第１及び第２のレーザ光の偏向面を調節する光学手段を
備えていることを特徴とする請求項５項記載のレーザ成
膜装置にある。
て形成された一対の配線を接続するために、この配線間
に金属膜を成膜するレーザ成膜方法において、光源から
レーザ光を出射させる工程と、このレーザ光を第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光とに分割する工程と、この第１
及び第２のレーザ光をほぼ同一の方向に進行させる工程
と、前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁物
上の同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタートポ
イントとなる金属膜を成膜させる工程と、前記第１及び
第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向かってそれぞ
れ走査させて、一対の前記配線を接続させる工程とを備
えることを特徴とするレーザ成膜方法にある。また、こ
の発明は、絶縁物上に間隔をおいて形成された一対の配
線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜するレ
ーザ成膜方法において、光源からレーザ光を出射させる
工程と、このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ
光とに分割して異なる方向に進行させる工程と、前記第
１のレーザ光は透過させ、前記第２のレーザ光は反射さ
せる手段を用いることにより、前記第１及び第２のレー
ザ光をほぼ同一方向に進行させる工程と、同一のレンズ
を透過させることにより、前記第１及び第２のレーザ光
を前記配線間の絶縁物上の同じ箇所に照射させて、前記
絶縁物上にスタートポイントとなる金属膜を成膜させる
工程と、前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前記
配線に向かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線を
接続させる工程とを備えることを特徴とするレーザ成膜
方法にある。また、この発明は、半導体ウエハの絶縁膜
上に配線を形成する工程と、オープン欠陥により間隔を
おいて形成された一対の配線間にレーザＣＶＤを用いて
金属膜を成膜し、このオープン欠陥を修正する成膜工程
とを備える半導体装置の製造方法において、前記成膜工
程は、光源からレーザ光を出射させる工程と、このレー
ザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ光とに分割する工
程と、前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁
物上の同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタート
ポイントとなる金属膜を成膜させる工程と、前記第１及
び第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向かってそれ
ぞれ走査させて、一対の前記配線を接続させる工程とを
備えることを特徴とする半導体装置の製造方法にある。
また、この発明は、配線パターンのオープン欠陥を成膜
により修正するレーザ成膜装置において、光源と、この
光源から出射されたレーザ光を分割するビームスプリッ
タと、このビームスプリッタにより分割されたレーザ光
のうち、第１のレーザ光は透過させ、第２のレーザ光は
反射させて両レーザ光をほぼ同一方向に進行させる第１
の手段と、前記第１及び第２のレーザ光をともに集束さ
せる第２の手段と、前記第１及び第２のレーザ光をそれ
ぞれ走査させる走査ユニットとを備えることを特徴とす
るレーザ成膜装置にある。また、この発明は、前記第１
の手段は、偏向ビームスプリッタであり、前記第１のレ
ーザ光の光路及び前記第２のレーザ光の光路には、前記
第１及び第２のレーザ光の偏向面を調節する光学手段を
備えていることを特徴とする請求項５項記載のレーザ成
膜装置にある。
【００１１】
【作用】上記成膜方法および装置によれば、成膜を高速
かつ確実に行うことができる。
かつ確実に行うことができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
【００１３】図１はこの発明の第１の実施例を示し、図
中１１はアルゴンレ−ザやＮｄ：ＹＡＧレ−ザの第２高
調波などの可視光を出力するレ−ザ発振器である。この
レ−ザ発振器１１から出力されたレ−ザ光Ｌはビ−ムス
プリッタ１２によって第１のレ−ザ光Ｌ1 と第２のレ−
ザ光Ｌ2 とに分割される。第１のレ−ザ光Ｌ1 は第１の
１／２波長板１３によって偏光面が調節されて第１の走
査ユニット１４に入射する。この第１の走査ユニット１
４は第１のレ−ザ光Ｌ1 を矢印で示すＸ方向とＹ方向と
の二次元方向に走査させることができるようになってい
る。
中１１はアルゴンレ−ザやＮｄ：ＹＡＧレ−ザの第２高
調波などの可視光を出力するレ−ザ発振器である。この
レ−ザ発振器１１から出力されたレ−ザ光Ｌはビ−ムス
プリッタ１２によって第１のレ−ザ光Ｌ1 と第２のレ−
ザ光Ｌ2 とに分割される。第１のレ−ザ光Ｌ1 は第１の
１／２波長板１３によって偏光面が調節されて第１の走
査ユニット１４に入射する。この第１の走査ユニット１
４は第１のレ−ザ光Ｌ1 を矢印で示すＸ方向とＹ方向と
の二次元方向に走査させることができるようになってい
る。
【００１４】上記第２のレ−ザ光Ｌ2 は第２の１／２波
長板１５によって偏光面が調節されて第２の走査ユニッ
ト１６に入射する。この第２の走査ユニット１６は上記
第２のレ−ザ光Ｌ2 を矢印で示すＹ方向とＺ方向との二
次元方向に走査させることができるようになっている。
上記各走査ユニット１４、１６は詳細は図示しないが、
内部に２枚のミラ−がそれぞれ所定方向に沿って位置決
め調節できるように設けられてなる。
長板１５によって偏光面が調節されて第２の走査ユニッ
ト１６に入射する。この第２の走査ユニット１６は上記
第２のレ−ザ光Ｌ2 を矢印で示すＹ方向とＺ方向との二
次元方向に走査させることができるようになっている。
上記各走査ユニット１４、１６は詳細は図示しないが、
内部に２枚のミラ−がそれぞれ所定方向に沿って位置決
め調節できるように設けられてなる。
【００１５】上記第１の走査ユニット１４から出射した
第１のレーザ光Ｌ1 は偏光ビームスプリッタ１７の第１
の入射面１７ａに入射し、上記第２の走査ユニット１６
から出射した第２のレーザ光Ｌ2 は第２の入射面１７ｂ
から入射する。上記第１の入射面１７ａから入射した第
１のレーザ光Ｌ1 は上記偏光ビームスプリッタ１７の斜
面をなすコーテイング層１７ｃを通過するよう、上記第
１の１／２波長板１３によって偏光面が調節されてい
る。また、第２の入射面１７ｂから入射した第２のレー
ザ光Ｌ2 は上記偏光ビームスプリッタ１７のコーテイン
グ層１７ｃを反射されるよう、上記第２の１／２波長板
１５によって偏光面が調節されている。したがって、上
記第１、第２のレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 は上記偏光ビームス
プリッタ１７の同一の出射面１７ｄから同一方向に出射
するとともに、これらレーザ光Ｌ1、Ｌ2 は上記第１、
第２の操作ユニット１４、１６によって出射位置を制御
できる。つまり、第１、第２のレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 を二
次元方向に走査させることができるようになっている。
第１のレーザ光Ｌ1 は偏光ビームスプリッタ１７の第１
の入射面１７ａに入射し、上記第２の走査ユニット１６
から出射した第２のレーザ光Ｌ2 は第２の入射面１７ｂ
から入射する。上記第１の入射面１７ａから入射した第
１のレーザ光Ｌ1 は上記偏光ビームスプリッタ１７の斜
面をなすコーテイング層１７ｃを通過するよう、上記第
１の１／２波長板１３によって偏光面が調節されてい
る。また、第２の入射面１７ｂから入射した第２のレー
ザ光Ｌ2 は上記偏光ビームスプリッタ１７のコーテイン
グ層１７ｃを反射されるよう、上記第２の１／２波長板
１５によって偏光面が調節されている。したがって、上
記第１、第２のレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 は上記偏光ビームス
プリッタ１７の同一の出射面１７ｄから同一方向に出射
するとともに、これらレーザ光Ｌ1、Ｌ2 は上記第１、
第２の操作ユニット１４、１６によって出射位置を制御
できる。つまり、第１、第２のレーザ光Ｌ1 、Ｌ2 を二
次元方向に走査させることができるようになっている。
【００１６】上記偏光ビ−ムスプリッタ１７の出射面１
７ｄから出射する第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 の出
射方向には反応容器１８が配置されている。この反応容
器１８は上部壁にウインド１９が形成され、内部には成
膜対象物である半導体ウエハＵが設置されている。そし
て、上記第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 はレンズ２０
によって集束されて上記ウインド１９から反応容器１８
の内部へ入射するようになっている。
７ｄから出射する第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 の出
射方向には反応容器１８が配置されている。この反応容
器１８は上部壁にウインド１９が形成され、内部には成
膜対象物である半導体ウエハＵが設置されている。そし
て、上記第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 はレンズ２０
によって集束されて上記ウインド１９から反応容器１８
の内部へ入射するようになっている。
【００１７】上記反応容器１８には、この内部を減圧す
る真空排気装置２１が接続され、さらに有機金属２２を
加熱することで有機金属ガスを発生するガス発生部２３
が接続されている。つまり、真空排気装置２１で高真空
に減圧された反応容器１８内へ上記ガス発生部２３で発
生した有機金属ガスを引き込むことができるようになっ
ている。
る真空排気装置２１が接続され、さらに有機金属２２を
加熱することで有機金属ガスを発生するガス発生部２３
が接続されている。つまり、真空排気装置２１で高真空
に減圧された反応容器１８内へ上記ガス発生部２３で発
生した有機金属ガスを引き込むことができるようになっ
ている。
【００１８】つぎに、上記構成の成膜装置を用いて半導
体ウエハＵに成膜する手順を図２（ａ）〜（ｃ）を参照
して説明する。まず、真空排気装置２１を作動させ、反
応容器１８の内部を減圧するとともにガス発生部２３で
発生した有機金属ガスを上記反応容器１８内に導入す
る。その状態でレ−ザ発振器１１を作動させ、レ−ザ光
Ｌを発振させると、このレ−ザ光Ｌはビ−ムスプリッタ
１２によって第１のレ−ザ光Ｌ1 と第２のレ−ザ光Ｌ2
とに分割される。分割された各レ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 はそ
れぞれ第１、第２の１／２波長板１３、１５によって偏
光面が調節されて第１、第２の走査ユニット１４、１６
に入射する。これら走査ユニット１４、１６から出射し
た第１のレ−ザ光Ｌ1 は偏光ビ−ムスプリッタ１７のコ
−テイング層１７ｃを透過して反応容器１８に入射し、
第２のレ−ザ光Ｌ2 は上記コ−テイング層１７ｃを反射
して反応容器１８に入射する。
体ウエハＵに成膜する手順を図２（ａ）〜（ｃ）を参照
して説明する。まず、真空排気装置２１を作動させ、反
応容器１８の内部を減圧するとともにガス発生部２３で
発生した有機金属ガスを上記反応容器１８内に導入す
る。その状態でレ−ザ発振器１１を作動させ、レ−ザ光
Ｌを発振させると、このレ−ザ光Ｌはビ−ムスプリッタ
１２によって第１のレ−ザ光Ｌ1 と第２のレ−ザ光Ｌ2
とに分割される。分割された各レ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 はそ
れぞれ第１、第２の１／２波長板１３、１５によって偏
光面が調節されて第１、第２の走査ユニット１４、１６
に入射する。これら走査ユニット１４、１６から出射し
た第１のレ−ザ光Ｌ1 は偏光ビ−ムスプリッタ１７のコ
−テイング層１７ｃを透過して反応容器１８に入射し、
第２のレ−ザ光Ｌ2 は上記コ−テイング層１７ｃを反射
して反応容器１８に入射する。
【００１９】上記反応容器１８に入射する第１のレ−ザ
光Ｌ1 と第２のレ−ザ光Ｌ2 とは、上記第１の走査ユニ
ット１４と第２の走査ユニット１６とによって反応容器
１８内に配置された半導体ウエハＵの絶縁膜２５（Ｓｉ
Ｏ2 ）の同じ箇所を照射するよう、二次元方向の位置決
めされる。つまり、第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2は
図２（ａ）に示すように、オ−プン欠陥の状態にある一
方の配線２６ａと他方の配線２６ｂとの中間の部分を照
射するよう位置決めされる。
光Ｌ1 と第２のレ−ザ光Ｌ2 とは、上記第１の走査ユニ
ット１４と第２の走査ユニット１６とによって反応容器
１８内に配置された半導体ウエハＵの絶縁膜２５（Ｓｉ
Ｏ2 ）の同じ箇所を照射するよう、二次元方向の位置決
めされる。つまり、第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2は
図２（ａ）に示すように、オ−プン欠陥の状態にある一
方の配線２６ａと他方の配線２６ｂとの中間の部分を照
射するよう位置決めされる。
【００２０】上記絶縁膜２５はアルミニウムの配線２６
ａ、２６ｂに比べて熱伝導率が低く、レ−ザ光の熱が拡
散しにくい。そのため、絶縁膜２５上でのスタ−トポイ
ントとなる金属膜２７を迅速に成膜することができる。
ａ、２６ｂに比べて熱伝導率が低く、レ−ザ光の熱が拡
散しにくい。そのため、絶縁膜２５上でのスタ−トポイ
ントとなる金属膜２７を迅速に成膜することができる。
【００２１】上記絶縁膜２５に金属膜２７が形成された
なら、第１の走査ユニット１４と第２の走査ユニット１
６とを作動させて第１、第２のレ−ザ光Ｌ1、Ｌ2 を一
対の配線２６ａ、２６ｂの中央部分から各配線２６ａ、
２６ｂに向う方向へ走査させる。それによって、第１の
レ−ザ光Ｌ1 による成膜と、第２のレ−ザ光Ｌ2 による
成膜とが同時に行われる。この状態を図２（ｂ）に示
す。そして、図２（ｃ）に示すように第１、第２のレ−
ザ光Ｌ1 、Ｌ2 をそれぞれ配線２６ａ、２６ｂまで走査
させ、これら配線２６ａ、２６ｂ上で所定時間静止させ
て接続部分における所定の膜厚を確保することで、一対
の配線２６ａ、２６ｂ間のオ−プン欠陥を補修すること
できる。
なら、第１の走査ユニット１４と第２の走査ユニット１
６とを作動させて第１、第２のレ−ザ光Ｌ1、Ｌ2 を一
対の配線２６ａ、２６ｂの中央部分から各配線２６ａ、
２６ｂに向う方向へ走査させる。それによって、第１の
レ−ザ光Ｌ1 による成膜と、第２のレ−ザ光Ｌ2 による
成膜とが同時に行われる。この状態を図２（ｂ）に示
す。そして、図２（ｃ）に示すように第１、第２のレ−
ザ光Ｌ1 、Ｌ2 をそれぞれ配線２６ａ、２６ｂまで走査
させ、これら配線２６ａ、２６ｂ上で所定時間静止させ
て接続部分における所定の膜厚を確保することで、一対
の配線２６ａ、２６ｂ間のオ−プン欠陥を補修すること
できる。
【００２２】上記絶縁膜２５上にはスタートポイント
（開始点）となる金属膜２７を成膜する際、この絶縁膜
２５上での熱分解によって形成された核が周囲に十分に
飛散する。そのため、絶縁膜２５のスタートポイント以
外の箇所や配線２６ａ、２６ｂ上での成膜を容易かつ迅
速に行うことができる。また、配線２６ａ、２６ｂ上で
の成膜が容易に行えることで、従来のように配線２６
ａ、２６ｂ上での成膜時にレーザ光Ｌの出力を高くせず
にすむ。そのため、配線２６ａ、２６ｂがレーザ光Ｌの
急激な吸収率の変化により、熱損傷を受けることがなく
なるから、配線上での成膜に対する再現性や安定性を向
上させることができる。
（開始点）となる金属膜２７を成膜する際、この絶縁膜
２５上での熱分解によって形成された核が周囲に十分に
飛散する。そのため、絶縁膜２５のスタートポイント以
外の箇所や配線２６ａ、２６ｂ上での成膜を容易かつ迅
速に行うことができる。また、配線２６ａ、２６ｂ上で
の成膜が容易に行えることで、従来のように配線２６
ａ、２６ｂ上での成膜時にレーザ光Ｌの出力を高くせず
にすむ。そのため、配線２６ａ、２６ｂがレーザ光Ｌの
急激な吸収率の変化により、熱損傷を受けることがなく
なるから、配線上での成膜に対する再現性や安定性を向
上させることができる。
【００２３】たとえば、ＳｉＯ2 上にパターニングされ
ている膜厚１μｍ、線幅５０μｍのアルミニウム配線に
生じた長さ１００μｍのオープン欠陥を接続抵抗が５オ
ーム以下となるよう、従来の成膜方法とこの発明の成膜
方法によって補修する場合について比較して考える。従
来はレーザ光の出力および走査速度が配線上では３００
ｍＷ、０．５μｍ／ｓであり、ＳｉＯ2 上では１００〜
２００ｍＷ、１０μｍ／ｓが最適な条件であり、５オー
ム以下の接続抵抗とするためには、配線上で３０μｍ以
上の厚さで成膜する必要がある。したがって、このオー
プン欠陥を補修するために必要な時間は１５０〜１８０
秒となる。なお、アルミ配線上でのスタートポイントを
形成するために２０〜５０秒を要する。
ている膜厚１μｍ、線幅５０μｍのアルミニウム配線に
生じた長さ１００μｍのオープン欠陥を接続抵抗が５オ
ーム以下となるよう、従来の成膜方法とこの発明の成膜
方法によって補修する場合について比較して考える。従
来はレーザ光の出力および走査速度が配線上では３００
ｍＷ、０．５μｍ／ｓであり、ＳｉＯ2 上では１００〜
２００ｍＷ、１０μｍ／ｓが最適な条件であり、５オー
ム以下の接続抵抗とするためには、配線上で３０μｍ以
上の厚さで成膜する必要がある。したがって、このオー
プン欠陥を補修するために必要な時間は１５０〜１８０
秒となる。なお、アルミ配線上でのスタートポイントを
形成するために２０〜５０秒を要する。
【００２４】これに対してこの発明の方法によれば、適
正な成膜条件はアルミ配線上およびＳｉＯ2 上において
それぞれレ−ザ出力２００ｍＷ、走査速度１０μｍ／ｓ
であり、スタ−トポイントを形成するためには要する時
間は５〜１０秒、アルミ配線上での静止加熱時間は１０
〜２０秒である。そのため、ト−タルでの補修時間は３
０〜４０秒程度であり、従来の方法に比べてて４分の１
〜５分の１程度と大幅に短縮することができる。
正な成膜条件はアルミ配線上およびＳｉＯ2 上において
それぞれレ−ザ出力２００ｍＷ、走査速度１０μｍ／ｓ
であり、スタ−トポイントを形成するためには要する時
間は５〜１０秒、アルミ配線上での静止加熱時間は１０
〜２０秒である。そのため、ト−タルでの補修時間は３
０〜４０秒程度であり、従来の方法に比べてて４分の１
〜５分の１程度と大幅に短縮することができる。
【００２５】図３（ａ）〜（ｄ）は図１に示す装置によ
ってＬ字状の配線２６ａ、２６ｂのオ−プン欠陥を補修
する場合で、この場合は、まず（ａ）に示すように絶縁
膜２５の一対の配線２６ａ、２６ｂを延長したときに交
差する部分に第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 を照射し
てスタ−トポイントとなる金属膜２７を成膜する。
ってＬ字状の配線２６ａ、２６ｂのオ−プン欠陥を補修
する場合で、この場合は、まず（ａ）に示すように絶縁
膜２５の一対の配線２６ａ、２６ｂを延長したときに交
差する部分に第１、第２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 を照射し
てスタ−トポイントとなる金属膜２７を成膜する。
【００２６】ついで、（ｂ）に示すように、第１のレ−
ザ光Ｌ1 はＹ方向に走査させることで一方の配線２６ａ
に近付け、第２のレ−ザ光Ｌ2 はＺ方向に走査させるこ
とで偏向ビ−ムスプリッタ１７のコ−テイング層１７ｃ
への入射位置を変え、上記Ｙ方向と交差するＸ方向に走
査させ、他方の配線２６ｂに近付けることができる。各
レ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 がそれぞれの配線２６ａ、２６ｂに
達したならば、（ｃ）に示すように各配線上で所定時
間、静止させることで、（ｄ）に示すように一対の配線
２６ａ、２６ｂを接続する金属膜２７をＬ字状に成膜す
ることができる。
ザ光Ｌ1 はＹ方向に走査させることで一方の配線２６ａ
に近付け、第２のレ−ザ光Ｌ2 はＺ方向に走査させるこ
とで偏向ビ−ムスプリッタ１７のコ−テイング層１７ｃ
への入射位置を変え、上記Ｙ方向と交差するＸ方向に走
査させ、他方の配線２６ｂに近付けることができる。各
レ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 がそれぞれの配線２６ａ、２６ｂに
達したならば、（ｃ）に示すように各配線上で所定時
間、静止させることで、（ｄ）に示すように一対の配線
２６ａ、２６ｂを接続する金属膜２７をＬ字状に成膜す
ることができる。
【００２７】図４はこの発明の第２の実施例を示す。こ
の実施例はビ−ムスプリッタ１２で分割された第１、第
２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 を走査させる走査ユニットの構
成が異なる。つまり、第１の１／２波長板１３を通過し
た第１のレ−ザ光Ｌ1 は全反射ミラ−３１に入射する。
この全反射ミラ−３１の裏面には走査ユニットを構成す
る第１のピエゾ素子３２が取付けられ、この第１のピエ
ゾ素子３２が通電制御されて伸縮することで、上記全反
射ミラ−３１は矢印で示す方向に駆動される。
の実施例はビ−ムスプリッタ１２で分割された第１、第
２のレ−ザ光Ｌ1 、Ｌ2 を走査させる走査ユニットの構
成が異なる。つまり、第１の１／２波長板１３を通過し
た第１のレ−ザ光Ｌ1 は全反射ミラ−３１に入射する。
この全反射ミラ−３１の裏面には走査ユニットを構成す
る第１のピエゾ素子３２が取付けられ、この第１のピエ
ゾ素子３２が通電制御されて伸縮することで、上記全反
射ミラ−３１は矢印で示す方向に駆動される。
【００２８】上記ビ−ムスプリッタ１２で分解されたの
ち、反射ミラ−３３で反射し、第２の１／２波長板１５
を通過した第２のレ−ザ光Ｌ2 が入射する偏向ビ−ムス
プリッタ１７の第２の入射面１７ｂには第２のピエゾ素
子３４が取着されている。この第２のピエゾ素子３４が
通電制御されて伸縮することで、上記偏向ビ−ムスプリ
ッタ１７が矢印で示す方向に駆動される。
ち、反射ミラ−３３で反射し、第２の１／２波長板１５
を通過した第２のレ−ザ光Ｌ2 が入射する偏向ビ−ムス
プリッタ１７の第２の入射面１７ｂには第２のピエゾ素
子３４が取着されている。この第２のピエゾ素子３４が
通電制御されて伸縮することで、上記偏向ビ−ムスプリ
ッタ１７が矢印で示す方向に駆動される。
【００２９】したがって、上記第１、第２のピエゾ素子
３２、３４によって全反射ミラ３１と偏向ビ−ムスプリ
ッタ１７とを駆動すれば、分割された一対のレ−ザ光Ｌ
1 、Ｌ2 を直線上を接離する方向の走査させることがで
きる。
３２、３４によって全反射ミラ３１と偏向ビ−ムスプリ
ッタ１７とを駆動すれば、分割された一対のレ−ザ光Ｌ
1 、Ｌ2 を直線上を接離する方向の走査させることがで
きる。
【００３０】なお、この第２の実施例において、偏向ビ
−ムスプリッタ１７の第１の入射面１７ａあるいは出射
面１７ｄのいずれか一方にもピエゾ素子を設け、この偏
向ビ−ムスプリッタ１７を二方向に駆動できるようにす
れば、上記第１の実施例と同様、成膜を直線だけでな
く、Ｌ字状にも行うことができる。
−ムスプリッタ１７の第１の入射面１７ａあるいは出射
面１７ｄのいずれか一方にもピエゾ素子を設け、この偏
向ビ−ムスプリッタ１７を二方向に駆動できるようにす
れば、上記第１の実施例と同様、成膜を直線だけでな
く、Ｌ字状にも行うことができる。
【００３１】また、この発明の成膜装置は図５に示す構
成であってもよい。すなわち、レ−ザ発振器１１から出
力されたレ−ザ光Ｌは２つに分割されることなく二次元
走査ユニット４１に入射する。この走査ユニット４１か
ら出射したレ−ザ光Ｌはレンズ２０によって集光されて
反応容器１８に入射する。
成であってもよい。すなわち、レ−ザ発振器１１から出
力されたレ−ザ光Ｌは２つに分割されることなく二次元
走査ユニット４１に入射する。この走査ユニット４１か
ら出射したレ−ザ光Ｌはレンズ２０によって集光されて
反応容器１８に入射する。
【００３２】この装置を用いて半導体ウエハＵに成膜す
る方法は、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように行う。ま
ず、（ａ）に示すように絶縁膜２５上のオ−プン欠陥で
ある一対の配線２６ａ、２６ｂの中間部にレ−ザ光Ｌを
照射することで、スタ−トポイントとなる金属膜２７を
上記絶縁膜２５に成膜する。ついで、（ｂ）に示すよう
にレ−ザ光Ｌを一方の配線２６ａに向かって走査させ、
その配線２６ａに到達したならば所定時間静止させるこ
とで、配線２６ａとの接続を確実にする。
る方法は、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように行う。ま
ず、（ａ）に示すように絶縁膜２５上のオ−プン欠陥で
ある一対の配線２６ａ、２６ｂの中間部にレ−ザ光Ｌを
照射することで、スタ−トポイントとなる金属膜２７を
上記絶縁膜２５に成膜する。ついで、（ｂ）に示すよう
にレ−ザ光Ｌを一方の配線２６ａに向かって走査させ、
その配線２６ａに到達したならば所定時間静止させるこ
とで、配線２６ａとの接続を確実にする。
【００３３】一方の配線２６ａへの成膜が終了したなら
ば、（ｄ）に示すように上記レ−ザ光Ｌを上記スタ−ト
ポイントから他方の配線２６ｂへ向かって走査させる。
そして、他方の配線２６ｂに到達したならば、（ｅ）に
示すようにそこで所定時間静止して配線２６ｂとの接続
を確実にすることで、成膜が終了する。すなわち、この
ような成膜装置によれば、レ−ザ光Ｌを２つに分割せず
にすむから、装置の構成を簡略化することができる。
ば、（ｄ）に示すように上記レ−ザ光Ｌを上記スタ−ト
ポイントから他方の配線２６ｂへ向かって走査させる。
そして、他方の配線２６ｂに到達したならば、（ｅ）に
示すようにそこで所定時間静止して配線２６ｂとの接続
を確実にすることで、成膜が終了する。すなわち、この
ような成膜装置によれば、レ−ザ光Ｌを２つに分割せず
にすむから、装置の構成を簡略化することができる。
【００３４】なお、レ−ザ光は成膜対象物に対して相対
的に走査させることができればよいから、レ−ザ光に代
わり、成膜対象物が設置された反応容器を駆動するよう
にしてもよい。
的に走査させることができればよいから、レ−ザ光に代
わり、成膜対象物が設置された反応容器を駆動するよう
にしてもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明は、レ−ザＣ
ＶＤ法によって配線のオ−プン欠陥を補修する場合、一
対の配線間の絶縁膜の部分に成膜のスタ−トポイントと
なる金属膜を形成してから、各配線に向かって成膜する
ようにした。
ＶＤ法によって配線のオ−プン欠陥を補修する場合、一
対の配線間の絶縁膜の部分に成膜のスタ−トポイントと
なる金属膜を形成してから、各配線に向かって成膜する
ようにした。
【００３６】上記絶縁膜は配線に比べて熱伝導率が低
く、熱が拡散しにくいため、スタ−トポイントとなる金
属膜を迅速かつ確実に成膜することができ、またその際
に有機金属ガスの熱分解によって生じる核が配線へも飛
散するから、成膜速度の向上が計れるばかりか、比較的
低いレ−ザ出力での成膜が可能となる。
く、熱が拡散しにくいため、スタ−トポイントとなる金
属膜を迅速かつ確実に成膜することができ、またその際
に有機金属ガスの熱分解によって生じる核が配線へも飛
散するから、成膜速度の向上が計れるばかりか、比較的
低いレ−ザ出力での成膜が可能となる。
【００３７】また、レ−ザ発振器からのレ−ザ光を２つ
に分割し、分割された各レ−ザ光をスタ−トポイントか
ら一対の配線へ向かって別々に走査させることができる
ようにしたから、１つのレ−ザ光をオ−プン欠陥の全長
にわたって走査させる場合に比べて走査時間を約半分に
短縮し、生産性を向上させることができる。
に分割し、分割された各レ−ザ光をスタ−トポイントか
ら一対の配線へ向かって別々に走査させることができる
ようにしたから、１つのレ−ザ光をオ−プン欠陥の全長
にわたって走査させる場合に比べて走査時間を約半分に
短縮し、生産性を向上させることができる。
【図１】この発明の第１の実施例の全体構成図。
【図２】同じく直線状のオ−プン欠陥を補修する場合の
説明図。
説明図。
【図３】同じくＬ字状のオ−プン欠陥を補修する場合の
説明図。
説明図。
【図４】この第２の実施例の全体構成図。
【図５】この発明の第３の実施例の全体構成図。
【図６】同じく直線状のオ−プン欠陥を補修する場合の
説明図。
説明図。
【図７】従来のオ−プン欠陥を補修する場合の説明図。
１１…レ−ザ発振器、１２…ビ−ムスプリッタ（分割手
段）、１３…第１の１／２波長板（導光手段）、１４…
第１の走査ユニット、１５…第２の１／２波長板（導光
手段）、１６…第２の走査ユニット、１７…偏向ビ−ム
スプリッタ（導光手段）、１８…反応容器、２５…絶縁
膜、２６ａ、２６ｂ…配線、２７…金属膜、Ｕ…半導体
ウエハ。
段）、１３…第１の１／２波長板（導光手段）、１４…
第１の走査ユニット、１５…第２の１／２波長板（導光
手段）、１６…第２の走査ユニット、１７…偏向ビ−ム
スプリッタ（導光手段）、１８…反応容器、２５…絶縁
膜、２６ａ、２６ｂ…配線、２７…金属膜、Ｕ…半導体
ウエハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3205 H01L 21/321 H01L 21/3213 H01L 21/768 H01L 21/28 - 21/288 H01L 21/44 - 21/445 H01L 29/40 - 29/43 H01L 29/47 H01L 29/872 H01L 21/205
Claims (6)
- 【請求項１】 絶縁物上に間隔をおいて形成された一対
の配線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜す
るレーザ成膜方法において、 光源からレーザ光を出射させる工程と、 このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ光とに分
割する工程と、 前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁物上の
同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタートポイン
トとなる金属膜を成膜させる工程と、 前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向
かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線を接続させ
る工程とを備えることを特徴とするレーザ成膜方法。 - 【請求項２】 絶縁物上に間隔をおいて形成された一対
の配線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜す
るレーザ成膜方法において、 光源からレーザ光を出射させる工程と、 このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ光とに分
割する工程と、 この第１及び第２のレーザ光をほぼ同一の方向に進行さ
せる工程と、 前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁物上の
同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタートポイン
トとなる金属膜を成膜させる工程と、 前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向
かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線を接続させ
る工程とを備えることを特徴とするレーザ成膜方法。 - 【請求項３】 絶縁物上に間隔をおいて形成された一対
の配線を接続するために、この配線間に金属膜を成膜す
るレーザ成膜方法において、 光源からレーザ光を出射させる工程と、 このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ光とに分
割して異なる方向に進行させる工程と、 前記第１のレーザ光は透過させ、前記第２のレーザ光は
反射させる手段を用いることにより、前記第１及び第２
のレーザ光をほぼ同一方向に進行させる工程と、 同一のレンズを透過させることにより、前記第１及び第
２のレーザ光を前記配線間の絶縁物上の同じ箇所に照射
させて、前記絶縁物上にスタートポイントとなる金属膜
を成膜させる工程と、 前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向
かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線を接続させ
る工程とを備えることを特徴とするレーザ成膜方法。 - 【請求項４】 半導体ウエハの絶縁膜上に配線を形成す
る工程と、 オープン欠陥により間隔をおいて形成された一対の配線
間にレーザＣＶＤを用いて金属膜を成膜し、このオープ
ン欠陥を修正する成膜工程とを備える半導体装置の製造
方法において、 前記成膜工程は、 光源からレーザ光を出射させる工程と、 このレーザ光を第１のレーザ光と第２のレーザ光とに分
割する工程と、 前記第１及び第２のレーザ光を前記配線間の絶縁物上の
同じ箇所に照射させて、前記絶縁物上にスタートポイン
トとなる金属膜を成膜させる工程と、 前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれの前記配線に向
かってそれぞれ走査させて、一対の前記配線を接続させ
る工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項５】 配線パターンのオープン欠陥を成膜によ
り修正するレーザ成膜装置において、 光源と、 この光源から出射されたレーザ光を分割するビームスプ
リッタと、 このビームスプリッタにより分割されたレーザ光のう
ち、第１のレーザ光は透過させ、第２のレーザ光は反射
させて両レーザ光をほぼ同一方向に進行させる第１の手
段と、 前記第１及び第２のレーザ光をともに集束させる第２の
手段と、 前記第１及び第２のレーザ光をそれぞれ走査させる走査
ユニットとを備えることを特徴とするレーザ成膜装置。 - 【請求項６】 前記第１の手段は、偏向ビームスプリッ
タであり、前記第１のレーザ光の光路及び前記第２のレ
ーザ光の光路には、前記第１及び第２のレーザ光の偏向
面を調節する光学手段を備えていることを特徴とする請
求項５項記載のレーザ成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28154391A JP3247408B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | レーザ成膜方法及びその装置、半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28154391A JP3247408B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | レーザ成膜方法及びその装置、半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121408A JPH05121408A (ja) | 1993-05-18 |
| JP3247408B2 true JP3247408B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=17640649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28154391A Expired - Fee Related JP3247408B2 (ja) | 1991-10-28 | 1991-10-28 | レーザ成膜方法及びその装置、半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3247408B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102226980B1 (ko) * | 2016-12-14 | 2021-03-11 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 발진기 및 레이저 가공 장치 |
-
1991
- 1991-10-28 JP JP28154391A patent/JP3247408B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05121408A (ja) | 1993-05-18 |
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|---|---|---|---|
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