JP3925092B2 - 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法 - Google Patents

基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP3925092B2
JP3925092B2 JP2001059049A JP2001059049A JP3925092B2 JP 3925092 B2 JP3925092 B2 JP 3925092B2 JP 2001059049 A JP2001059049 A JP 2001059049A JP 2001059049 A JP2001059049 A JP 2001059049A JP 3925092 B2 JP3925092 B2 JP 3925092B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
laser
cleaving
liquid crystal
laser beam
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001059049A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002255581A5 (ja
JP2002255581A (ja
Inventor
健治 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2001059049A priority Critical patent/JP3925092B2/ja
Publication of JP2002255581A publication Critical patent/JP2002255581A/ja
Publication of JP2002255581A5 publication Critical patent/JP2002255581A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3925092B2 publication Critical patent/JP3925092B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/07Cutting armoured, multi-layered, coated or laminated, glass products
    • C03B33/076Laminated glass comprising interlayers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板割断方法および装置に係わり、特に、液晶表示パネルを構成する2枚の基板をレーザ光によって同時に割断する基板割断方法および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、液晶装置を構成する液晶パネルは、ガラス等から成る2枚の基板をシール材によって貼り合わせ、シール材の内側に液晶を封入することによって形成されている。比較的小型の液晶パネルは、液晶パネルに相当する部分を複数包含する大型の母基板をシール材によって貼り合わせて大判パネルを構成し、この大判パネルを分割することによって個々の液晶パネルを形成する多数個取りの製造工程によって製造される。大判パネルを分割する方法は、従来から様々な方法が知られているが、最近では、レーザ光を用いてガラス基板等を割断する方法も提案されている。
【0003】
図9は、レーザ光を用いた基板の割断によって液晶パネルを製造する工程の一部を概略的に示している。図9の(a)は、大型の母基板101,102をシール材103によって貼り合わせて成る大判パネル100を示している。各母基板101,102の表面には、公知のスクライブ・ブレイク法等によって、予めスクライブ溝105が形成されている。そして、このスクライブ溝105に沿って応力を加えることによって母基板101,102が破断される。
【0004】
具体的には、大判パネル(一般には、1次ブレーク工程によって割断された短冊状パネル)100の表裏の両側から別々のレーザ発振器により各母基板101,102の表面にレーザ光L1,L2を照射し、スクライブ溝105に沿ってレーザ光L1,L2を走査(紙面と直交する方向に走査)することによって母基板101,102を割断する。この場合、領域Aでは、表裏のレーザスポットが同一直線上に位置するように割断され、領域Bでは、表裏のレーザスポットがスクライブ溝105に対して直交する方向に所定距離ずれるように割断される。これによって、図9の(b)に示されるような複数のパネル120を得ることができる。
【0005】
以上のようにして形成されたパネル120は、母基板101から切り出された基板101’と母基板102から切り出された基板102’とがシール材103によって貼り合わされた形態を成している。なお、シール材3の内側には、別工程によって図示しない液晶が封入されている。
【0006】
基板102’は、基板101’の端面から外側に張り出す基板張出部102aを有している。この基板張出部102aは、表裏のレーザスポットをずらして割断した領域Bによって形成されたものである。基板101’,102’の内面上には、図示しない電極が形成され、これらの電極には図示しない配線が電気的に接続されている。また、前記配線は、基板張出部102aの表面上に引き出されるように形成されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、前述したように、大判パネル100の表裏の両側から別々のレーザ発振器により各母基板101,102の表面にレーザ光L1,L2を照射して母基板101,102を割断する製造方法においては、表裏のレーザスポットが同一直線上に位置するように割断する領域Aで1つの問題が生じる。すなわち、表裏のレーザスポットを同一直線上に位置させて割断する場合、表裏両方のレーザ光L1,L2が各母基板101,102の表面に対して垂直に入射すると(あるいは、レーザ光L1,L2が互いに同一直線上に位置すると)、各レーザ光L1,L2が発振源と異なる他方側のレーザ発振器に到達してしまい(表裏両方のレーザ光が干渉して、反対側の光学系に入射した光や反対側の光学系によって反射された光がレーザ発振器に到達してしまい)、それによって、レーザ発振器が故障してしまう虞がある。
【0008】
本発明は前記事情に着目してなされたものであり、その目的とするところは、基板の表裏両方に照射されるレーザ光の干渉を防止して、レーザ発振器の故障を未然に防止することができる基板割断方法および装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の基板割断方法は、貼り合わされた2枚の基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断方法において、各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面に入射させることを特徴とする。また、本発明は、貼り合わされた2枚の基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断装置において、各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面に入射させる光学系を備えていることを特徴とする。また、本発明は、互いに貼り合わされる2枚の基板間に液晶を封入して液晶パネルを製造する方法において、2つの母基板をシール材によって貼り合わて大判パネルを形成する工程と、前記大判パネルを割断して、短冊状のパネルを形成する1次ブレーク工程と、前記シール材に設けられた液晶注入口を通じて、前記短冊状パネルのセル内に液晶を注入した後、前記液晶注入口を封止する工程と、液晶が注入された前記短冊状パネルを割断して、所望の大きさのパネルを形成する2次ブレーク工程とを具備し、前記1次ブレーク工程および2次ブレーク工程の少なくとも一方の工程では、パネルを形成する2枚の貼り合わせ基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断するとともに、各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面に入射させることを特徴とする。
【0010】
これらの発明によれば、各基板に照射されるレーザ光同士が干渉しないため、レーザ光が発振源と異なる他方側のレーザ発振器に到達して(表裏両方のレーザ光が干渉して、反対側の光学系に入射した光や反対側の光学系によって反射された光がレーザ発振器に到達して)しまうことがない。 そのため、レーザ発振器の故障を未然に防止することができる。
【0011】
なお、これらの構成においては、一方の基板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第1の集光レンズと、他方の基板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第2の集光レンズとを備え、レーザ光の前記スポット位置を通る法線からこの法線と直交するように延び且つ第1の集光レンズを通る線をLとし、また、前記法線と直交するように延び且つ第2の集光レンズを通る線をL'とすると、LとL'とが成す角度Φが0°〜90°の範囲内に設定されていることが望ましい。また、前記角度Φが0°であり、一方の基板に照射されるレーザ光の入射角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に等しい場合、基板と集光レンズとの間の距離をS、基板面上におけるレーザスポットの最大径をD、レーザ光が集光レンズに入射する時のレーザスポット径をd、集光レンズの直径をL、一方の基板面上のスポット位置と他方の基板面上のスポット位置との間の水平距離の最大値をyとすると、基板に照射されるレーザ光の入射角θ(°)は、θ>ビーム広がり角+集光レンズの角度+Y移動分の角度=180(D−d)/2Sπ+90L/Sπ+90y/Sπであることが望ましい。これにより、上記作用効果の達成を確実ならしめることができる。
【0012】
また、本発明は、一方の基板に照射されるレーザ光の入射角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に等しいことを特徴とする。
【0013】
この発明によれば、レーザスポットの形状が両方の基板で一致するため、基板に作用する熱応力を同一にして効率的に割断することが可能になるとともに、両方の基板にレーザ光を照射する2つの光学系を共用できる利点がある。
【0014】
また、本発明は、レーザ光を基板の面に導く光学系を移動させることによって、基板の面に対するレーザ光のスポット位置を変化させることを特徴とする。また、本発明は、基板の面に形成されてレーザ光によって走査されるスクライブ溝の長手方向及びこの長手方向に対して直交する方向で前記光学系を移動することによって、レーザ光のスポット位置を変化させることを特徴とする。
【0015】
この発明によれば、両方の基板のスクライブ溝に対して各レーザ光のレーザスポットを正確に一致させるスポット調整を行なうことができるとともに、スクライブ溝の位置が両基板で一致する領域からスクライブ溝の位置が両基板でズレている領域への割断作業の移行時においてもスポット調整を容易且つ迅速に行なうことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態について説明する。
【0017】
図4および図5は、本発明の一実施形態に係る方法によって基板を分割する様子を示している。図5の(a)は、ガラスから成る母基板10と母基板12とがシール材13(図4参照)によって貼り合わされて成る1枚の大判パネル15を示している。母基板10,12の内面には、図示しない電極や配線を所定のパターン形状にて形成した導電パターンが形成されている。この大判パネル15は、1次ブレーク工程として割断され、短冊状のパネル15Aに形成される(図5の(b)参照)。このような割断は、各母基板10,12の表面の切断箇所にスクライブ溝5をそれぞれ形成し、レーザ光をスクライブ溝5に照射することによって実現される。その後、短冊状パネル15Aのセル内に液晶を注入して封止した後、2次ブレーク工程として短冊状パネル15Aを更に割断して、1パネル分(製品)の大きさに相当するパネル15Bを形成する(図5の(c)参照)。この2次ブレーク工程での割断方法が図4に詳しく示されている。
【0018】
図4に示されるように、短冊状パネル15Aを構成する母基板10,12上においては、それぞれ基板1となる部分と基板2となる部分とが交互に配列されており、当該部分毎に前記導電体パターンが形成されている。母基板10と母基板12とは、一方の母基板10における基板1となる部分と、他方の母基板12における基板2となる部分とが相互に対向するように貼り合わされている。
【0019】
また、短冊状パネル15Aにおいて、母基板10にはスクライブ溝5a,5bが形成され、母基板12にはスクライブ溝5A,5Bが形成される。これらのスクライブ溝5a,5b,5A,5Bは図示しない公知のスクライブ装置によって形成される。そして、レーザ光L1,L2をスクライブ溝5a,5b,5A,5Bに照射することによって、短冊状パネル15Aが割断され、1パネル分(製品)の大きさに相当するパネル15Bが形成される。この場合、レーザ光L1,L2は、図中に一点鎖線で示されるように、基板10,12の表面と直交する垂線7に対して所定の角度θを成すように斜め方向から入射される。また、スクライブ溝5a,5b,5A,5Bの形成配置に伴って、領域Aでは、表裏のレーザスポットが同一直線上に位置するように割断され、領域Bでは、表裏のレーザスポットがスクライブ溝に対して直交する方向に所定距離ずれるように割断される。
【0020】
以上のようにして形成されたパネル15Bの詳細な平面図が図6に示されている。図示のように、パネル15Bは、母基板12から切り出された基板2と母基板10から切り出された基板1とが貼り合わされて形成された液晶表示部17を有している。この液晶表示部17は、基板1,2とシール材13とによって囲まれた空間内に液晶が液晶注入口21を介して注入されることによって形成され、液晶注入口21は封止材22によって封止されている。また、基板2は、基板1の端面1aから外側に張り出す基板張出部(実装部)19を有している。この基板張出部19は、表裏のレーザスポットをずらして割断した領域Bによって形成されたものである。また、この基板張出部19の表面上には、液晶表示部10を駆動するために基板1,2の内面上に形成された導電パターンが引き出されているとともに、IC16が実装されている。
【0021】
図4に示されるように基板10,12の表面に対してレーザ光を斜めに照射する(基板10,12の表面と直交する垂線7に対して所定の角度θを成すように照射する)ことができるレーザ割断装置30が図1に示されている。このレーザ割断装置30は、図5の(a)〜(b)で示した一次ブレーク工程および(b)〜(c)で示した2次ブレーク工程で使用することができる。
【0022】
図1に示されるように、レーザ割断装置30は、一対のレーザ発振器31,32と、このレーザ発振器31,32から放出されるレーザ光42,43を加工対象(本実施形態では、例えば大判パネル15や短冊状パネル15A)に導いて集光するための照明光学系33,34と、加工対象15A(15)を保持するための保持板35と、保持板35を支持する支持体36と、支持体36を駆動して加工対象15A(15)の位置および姿勢を調整するための駆動機構37と、レーザ発振器31,32、照明光学系33,34、駆動機構37を制御するための制御部38とを備えている。
【0023】
照明光学系33は、第1の反射ミラー33Cと、第2の反射ミラー33Aと、集光レンズ33Bとを有している。また、照明光学系34は、反射ミラー34Aと集光レンズ34Bとを備えている。これらの照明光学系33,34は、その導光経路および照射スポット径(集光特性)が制御部38によって制御できるようになっている。本実施形態において、反射ミラー33A,34Aは、加工対象15A(15)の表面と直交する垂線7に対してレーザ光L2が所定の角度θ(例えば約6°)を成して入射するように(ただし、レーザ光L1,L2が垂線7に対して同じ側でθの角度を成すように)、その位置と傾きとが設定されている。
【0024】
レーザ発振器31,32としては、COレーザ等の気体レーザ、YAGレーザ等の固体レーザ、あるいは、半導体レーザその他の各種レーザ発振器を使用することができるが、加工対象の光吸収特性を考慮して、加工対象が有効に吸収し得る帯域の発振波長を備えたものを選定する必要がある。例えば、液晶パネルの基板材料として一般に用いられるソーダガラス、ホウ珪酸ガラス、石英ガラス等のガラス材料を加工対象とする場合には、COレーザを用いることができる。このレーザ発振器31,32は、制御部38によって、その発振出力(光パワー)を制御できるようになっている。
【0025】
保持板35は、加工対象15A(15)を載置または固定可能に構成されている。また、保持板35は、加工対象15A(15)が載置または固定される面とは反対側から(図示の下方から)光を照射できるように、例えばスクライブ溝5(5a,5b,5A,5B)に沿ってスリット状に形成された光学窓35aを有している。この光学窓35aは、開口部であっても、あるいは、レーザ光を透過可能な素材で構成されていても良い。また、保持板35aは、加工対象の大きさ、スクライブ溝の位置や方向によって取り付け姿勢を変えることができるように構成されている。なお、支持体36は、保持板35に接続されているとともに、駆動機構37によって水平X−Y方向に移動可能に構成されている。
【0026】
レーザ割断装置30の機械的な構成が図2および図3に示されている。図示のように、レーザ割断装置30は、加工対象15A(15)に対して下側からレーザ光を照射する一方の照明光学系34とレーザ発信器32とを装置本体40の下側(例えば内部)に備え、加工対象15A(15)に対して上側からレーザ光を照射する他方の照明光学系33とレーザ発信器31とを装置本体40の上側(例えば外部)に備えている。
【0027】
装置本体40の上側には、レーザ発信器31が設置されるベースプレート42が取り付け固定されている。ベースプレート42には、レーザ光の走査方向(スクライブ溝の長手方向)であるX方向に沿って延びる第1のレール44が設けられている。また、この第1のレール44には、レーザ発信器31からのレーザ光を受けて反射する第1の反射ミラー33Cが固定されたXテーブル46が移動可能に取り付けられている。すなわち、Xテーブル46は、レーザ光の走査方向(スクライブ溝の長手方向)であるX方向に沿って移動することができる。なお、第1の反射ミラー33Cは支持台49によって支持されている。
【0028】
また、ベースプレート42上には、Xテーブル46を初期位置からX方向の任意の位置へ移動させる1軸アクチュエータ74が設けられている。なお、1軸アクチュエータ74は制御部38によってその駆動が制御される。
【0029】
また、Xテーブル46には、スクライブ溝の長手方向に対して直交する方向(B領域でのスクライブ溝のズレ方向)であるY方向に沿って延びる第2のレール48が設けられている。また、この第2のレール48には、第1の反射ミラー33Cからの反射光を受けて集光レンズ33Bに反射する第2の反射ミラー33Aが固定されたYテーブル50が移動可能に取り付けられている。すなわち、Yテーブル50は、スクライブ溝の長手方向に対して直交する方向(B領域でのスクライブ溝のズレ方向)であるY方向に沿って移動することができる。なお、第2の反射ミラー33Aは、加工対象15A(15)への入射角θを変えるために、支持51を中心に回動することができる。支軸51は、制御部38によって制御される図示しない駆動機構を介して回転駆動される。また、Xテーブル46には1軸アクチュエータ72があり、Yテーブル50をY方向の任意の位置へ移動させることができる。なお、1軸アクチュエータ72は制御部38によってその駆動が制御される。
【0030】
次に、上記構成のレーザ割断装置30を使用して短冊状パネル15Aを割断する方法について説明する。なお、ここでは、領域Aの割断作業を行なった後に領域Bの割断作業を行なう場合について説明する。
【0031】
まず、図4の(a)に示されるようにスクライブ溝5a,5b,5A,5B…が形成された短冊状パネル15Aを保持板35にセットする。次に、駆動機構37により支持体36を動作させて、下側のレーザ発信器32および照明光学系34からのレーザ光L2のレーザスポットが下側のスクライブ溝5Bに当たるように、短冊状パネル15Aを位置決めする。この時、上側のレーザ発信器31および照明光学系33からのレーザ光L1のレーザスポットに対して上側のスクライブ溝5bがズレている場合には、Yテーブル50をY方向に移動させて(必要な場合には、Xテーブル46も移動させて)、レーザ光L1のレーザスポットを上側のスクライブ溝5bに一致させる。
【0032】
このようにして各スクライブ溝5b,5Bに対して各レーザ光L1,L2のレーザスポットを一致させたら、各レーザ発振器31,32からレーザ光を出射させる。この場合、下側のレーザ光L2は、反射ミラー34Aによって反射されるとともに、集光レンズ34Bを介して短冊状パネル15Aの裏面(母基板12の表面)のスクライブ溝5Bに入射角θで照射される。一方、上側のレーザ光L1は、反射ミラー33C,33Aによって反射されるとともに、集光レンズ33Bを介して短冊状パネル15Aの表面(母基板10の表面)のスクライブ溝5bに入射角θで照射される。この時、表裏両方のレーザ光L1,L2は、垂線7に対して角度θを成すとともに互いに同一直線上にないため、発振源と異なる他方側のレーザ発振器に到達して(表裏両方のレーザ光が干渉して、反対側の光学系に入射した光や反対側の光学系によって反射された光がレーザ発振器に到達して)しまうことがない。すなわち、表裏両方のレーザ光L1,L2は互いに干渉しない。この照射状態で、支持体36を介して短冊状パネル15AをX方向に移動させて、レーザ光L1,L2を基板10,12上で走査させれば、スクライブ溝5B,5bに沿って基板10,12が同時に割断される。
【0033】
なお、このようにスクライブ溝が形成されている場合には、レーザ光を照射することによって基板の照射領域が加熱され、膨張することによって一時的に圧縮応力が生じるが、その後、照射領域の温度が低下するとともに基板素材が収縮し、スクライブ溝の両側へ基板素材を引き離そうとする引張応力が生じることにより、スクライブ溝に沿って基板が割断される。したがって、レーザ光をスクライブ溝に沿って走査していくことにより、レーザ光の照射スポットが通過した後の部位に引張応力が生じるので、レーザ光照射にやや遅れてスクライブ溝に沿った破断が進行していく。このように、本実施形態では、スクライブ溝5Bとスクライブ溝5bとに同時にレーザ光を照射し、スクライブ溝5B,5bに沿ってレーザ光の照射スポットを走査していくことにより、スクライブ溝5B,5bに沿って母基板10,12を破断していく。このようなレーザ割断による基板の分割は、基板素材の局所的な膨張および収縮に起因して生じる内部応力によってもたらされるものであり、当該分割部位の直下に配置されたシール材13に外部応力を及ぼす必要がないので、シール材13の変形やシール材13と基板10,12との密着性の悪化をもたらすことが殆どない。
【0034】
以上のようにしてA領域での割断作業が終了したら、今度は、B領域での割断作業を行なうために、支持体36を介して短冊状パネル15AをY方向に移動させて、下側のレーザ光L2のレーザスポットが下側のスクライブ溝5Aに当たるようにする。また、この領域Bでは、上側のスクライブ溝5aが下側のスクライブ溝5Aに対してY方向にズレているため、Yテーブル50をY方向に移動させて(必要な場合には、Xテーブル46も移動させて)、上側のレーザ光L1のレーザスポットを上側のスクライブ溝5aに一致させる。このようにして各スクライブ溝5a,5Aに対して各レーザ光L1,L2のレーザスポットを一致させたら、各レーザ発振器31,32からレーザ光を出射させて、前述したと同様にレーザ光の走査を行ない、割断作業を進行させる。
【0035】
以上説明したように、本実施形態では、加工対象の表面と直交する垂線7に対して角度θを成し且つ互いに同一直線上とならないように、レーザ光L1,L2を加工対象の表面および裏面に照射しているため、レーザ光L1,L2同士が干渉せず、したがって、レーザ光L1,L2が発振源と異なる他方側のレーザ発振器に到達して(表裏両方のレーザ光が干渉して、反対側の光学系に入射した光や反対側の光学系によって反射された光がレーザ発振器に到達して)しまうことがない。 そのため、レーザ発振器31,32の故障を未然に防止することができる。
【0036】
また、本実施形態では、上側のレーザ光L1を角度θで入射させる反射ミラー33AをX,Y方向に移動させる調整機構(XY機構)が設けられているため、上下の各スクライブ溝に対して上下の各レーザ光L1,L2のレーザスポットを正確に一致させるスポット調整を行なうことができるとともに、スクライブ溝が上下で一致するA領域からスクライブ溝が上下でズレているB領域への割断作業の移行時においてもスポット調整を容易且つ迅速に行なうことができる。
【0037】
なお、本実施形態においては、レーザ光の上側の入射角度と下側の入射角度とが等しく設定されているが、上下のレーザ光同士が干渉しなければ、上側の入射角度と下側の入射角度とが互いに異なっていても良い。例えば、上下の一方のレーザ光が垂線7に対して角度θを成すとともに、他方のレーザ光が垂線7と平行(加工対象の表面に対して垂直に入射する)であっても良い。ただし、上下のレーザ光の入射角を一致させると、レーザスポットの形状が上下で一致するため、基板に作用する熱応力を同一にして効率的に割断することが可能になるとともに、上下の光学系33,34を共用できる利点がある。また、スクライブ溝が上下でズレているB領域では、上下のレーザ光を共に加工対象の表面に対して垂直に入射させても干渉することはないため、角度θを成して入射させる必要はない。
【0038】
なお、入射角θは、上下のレーザ光同士が干渉しない範囲に設定されていれば良い。例えば、上下の入射角が等しく、上下の集光レンズ33B,34Bがスポット位置の基板垂線7と同一平面上にある場合(上下のレーザ光の光軸が互いに同一平面(垂線7を含む平面)上で延びている場合)、加工対象と集光レンズ33B,34Bとの間の距離をS、加工対象面での最大スポット径(直径)をD、集光レンズ入射時(レーザ光が集光レンズに入射する時)のレーザ光のスポット径(直径)をd、集光レンズの直径をL、上側のスポットのY方向最大移動量(加工対象の下面のスポット位置と上面のスポット位置との間の水平距離の最大値)をyとすると、θ(°)は、
θ>ビーム広がり角+集光レンズの角度+Y移動分の角度
=180(D−d)/2Sπ+90L/Sπ+90y/Sπ
であれば良い。
【0039】
また、上下のレーザ光の入射方向は必ずしも同じである必要はない。すなわち、前述したように、上下のレーザ光の入射方向が同じであっても良い(上下の集光レンズ33B,34Bがスポット位置の基板垂線7と同一平面上にあっても良い)が、上下のレーザ光同士が干渉しない範囲で上下のレーザ光の入射方向が異なっていても良い(上下の集光レンズ33B,34Bがスポット位置の基板垂線7と同一平面上になくても良い)。
【0040】
図7は、本発明における上下のレーザ光の入射方向の関係を示したものである。図示のように、加工対象15A(15)に対する上下のレーザ光の入射角がそれぞれθ,θ’(θ=θ’であっても良い)である場合、上下の集光レンズ33B,34Bは、概ね、垂線7と角度θ,θ’を成す線の集合である円錐面G,G’の母線の延長線上に位置する。なお、図中A,B,C,Dは、互いに周方向に90°離れた上側の集光レンズ33Bの特定の位置を示しており、また、図中A’,B’,C’,D’は、互いに周方向に90°離れた下側の集光レンズ34Bの特定の位置であって、加工対象15A(15)に対してA,B,C,Dとそれぞれ対称な位置を示している。
【0041】
このような入射関係において、上下のレーザ光同士が干渉しないようにするためには、上側の集光レンズ33Bが例えば図中のAの位置に配置されている場合、下側の集光レンズ34Bを位置A’(上側の集光レンズ33Bと同一平面上の位置)もしくはA’〜B’,A’〜D’の範囲に配置すれば良い。同様に、上側の集光レンズ33BがBの位置に配置されている場合には、下側の集光レンズ34Bを位置B’もしくはB’〜A’,B’〜C’の範囲に配置し、上側の集光レンズ33BがCの位置に配置されている場合には、下側の集光レンズ34Bを位置C’もしくはC’〜B’,C’〜D’の範囲に配置し、上側の集光レンズ33BがDの位置に配置されている場合には、下側の集光レンズ34Bを位置D’もしくはD’〜A’,D’〜C’の範囲に配置すれば良い。
【0042】
すなわち、加工対象15A(15)の表面上の照射スポットPを通る垂線(法線)7からこの垂線7と直交するように延び且つ上側の集光レンズ33Bを通る線をLとし、また、垂線7と直交するように延び且つ下側の集光レンズ34Bを通る線をL’とすると、LとL’とが成す角度Φが、0°≦Φ≦90°または−90°≦Φ≦0°(時計周りを正)であれば、上下のレーザ光同士の干渉を確実に防止できる。
【0043】
また、本実施形態では、装置本体40の下側(例えば内部)の光学系34ではなく、装置本体40の上側(例えば外部)の光学系33にXY調整機構が設けられているため、作業者による調整が容易であるという利点がある。無論、光学系34にも光学系33と同様のXY調整機構を設けても良い。
【0044】
また、本実施形態では、支軸51を回転駆動させることによって反射ミラー33Aの傾き(入射角θ)を変化させることができるが、反射ミラー33Aの傾きを変化させることによって、レーザスポットの位置を変化させる前記XY機構と同様なスポット調整を行なうことも可能である。
【0045】
また、本実施形態では、ベースプレート42をXY方向に移動させるようにしてもレーザスポットの位置を調整することができる。そのような構成の一例が図8に示されている。この構成では、装置本体40に設けられたレール62に沿ってX方向に移動できるXテーブル61上で、ベースプレート42がレール60に沿ってY方向に移動できる。また、このようなベースプレート42のXY機構を下側の光学系34にも設ければ、加工対象を支持体36によって移動しなくても、レーザ光をスクライブ溝上で走査することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板割断装置の概念図である。
【図2】図1の基板割断装置の機械的な構成を示す概略図である。
【図3】図2のA方向矢視図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る方法によって基板を分割する様子を示す断面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る方法によって基板を分割する様子を示す斜視図である。
【図6】液晶パネルの平面図である。
【図7】上下のレーザ光の入射方向の関係を示す斜視図である。
【図8】図2の構成の変形例を示す概略図である。
【図9】従来の方法によって基板を分割する様子を示す断面図である。
【符号の説明】
1,2…基板
7…垂線
10,12…母基板
15A,15B…パネル
33,34…光学系
46…Xテーブル
50…Yテーブル
L1,L2…レーザ光

Claims (11)

  1. 貼り合わされた2枚の基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断方法において、
    各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面に入射させることを特徴とする基板割断方法。
  2. 一方の基板に照射されるレーザ光の入射角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に等しいことを特徴とする請求項1に記載の基板割断方法。
  3. レーザ光を基板の面に導く光学系を移動させることによって、基板の面に対するレーザ光のスポット位置を変化させることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の基板割断方法。
  4. 基板の面に形成されてレーザ光によって走査されるスクライブ溝の長手方向及びこの長手方向に対して直交する方向で前記光学系を移動することによって、レーザ光のスポット位置を変化させることを特徴とする請求項3に記載の基板割断方法。
  5. 一方の基板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第1の集光レンズと、他方の基板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第2の集光レンズとを備え、
    レーザ光の前記スポット位置を通る法線からこの法線と直交するように延び且つ第1の集光レンズを通る線をLとし、また、前記法線と直交するように延び且つ第2の集光レンズを通る線をL'とすると、LとL'とが成す角度Φが0°〜90°の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の基板割断方法。
  6. 貼り合わされた2枚の基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断装置において、
    各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面に入射させる光学系を備えていることを特徴とする基板割断装置。
  7. 一方の基板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第1の集光レンズと、他方の基板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第2の集光レンズとを備え、
    レーザ光の前記スポット位置を通る法線からこの法線と直交するように延び且つ第1の集光レンズを通る線をLとし、また、前記法線と直交するように延び且つ第2の集光レンズを通る線をL'とすると、LとL'とが成す角度Φが0°〜90°の範囲内に設定されていることを特徴とする請求項6に記載の基板割断装置。
  8. 互いに貼り合わされる2枚の基板間に液晶を封入して液晶パネルを製造する方法において、
    2つの母基板をシール材によって貼り合わせて大判パネルを形成する工程と、
    前記大判パネルを割断して、短冊状のパネルを形成する1次ブレーク工程と、
    前記シール材に設けられた液晶注入口を通じて、前記短冊状パネルのセル内に液晶を注入した後、前記液晶注入口を封止する工程と、
    液晶が注入された前記短冊状パネルを割断して、所望の大きさのパネルを形成する2次ブレーク工程と、
    を具備し、
    前記1次ブレーク工程および2次ブレーク工程の少なくとも一方の工程では、パネルを形成する2枚の貼り合わせ基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断するとともに、各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面に入射させることを特徴とする液晶パネルの製造方法。
  9. 一方の基板に照射されるレーザ光の入射角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に等しいことを特徴とする請求項8に記載の液晶パネルの製造方法。
  10. レーザ光を基板の面に導く光学系を移動させることによって、基板の面に対するレーザ光のスポット位置を変化させることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の液晶パネルの製造方法。
  11. 基板の面に形成されてレーザ光によって走査されるスクライブ溝の長手方向及びこの長手方向に対して直交する方向で前記光学系を移動することによって、レーザ光のスポット位置を変化させることを特徴とする請求項10に記載の液晶パネルの製造方法。
JP2001059049A 2001-03-02 2001-03-02 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法 Expired - Fee Related JP3925092B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001059049A JP3925092B2 (ja) 2001-03-02 2001-03-02 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001059049A JP3925092B2 (ja) 2001-03-02 2001-03-02 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002255581A JP2002255581A (ja) 2002-09-11
JP2002255581A5 JP2002255581A5 (ja) 2005-02-24
JP3925092B2 true JP3925092B2 (ja) 2007-06-06

Family

ID=18918675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001059049A Expired - Fee Related JP3925092B2 (ja) 2001-03-02 2001-03-02 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3925092B2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4912933B2 (ja) * 2007-03-27 2012-04-11 シチズンホールディングス株式会社 液晶パネルの製造方法
EP2704872B1 (en) * 2011-05-02 2020-07-15 IPG Photonics Corporation Laser-based marking method and apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002255581A (ja) 2002-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7772522B2 (en) Method for scribing substrate of brittle material and scriber
US6563082B2 (en) Laser cutting method, laser cutting apparatus, and method and apparatus for manufacturing liquid crystal device
JP4175636B2 (ja) ガラスの切断方法
US8816245B2 (en) Method of cutting object to be processed
KR101211021B1 (ko) 취성 재료 기판, 및, 취성 재료 기판의 레이저 스크라이브 방법, 레이저 스크라이브 장치
JP2003154517A (ja) 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
US8950217B2 (en) Method of cutting object to be processed, method of cutting strengthened glass sheet and method of manufacturing strengthened glass member
JP6764552B2 (ja) ワーク分離装置及びワーク分離方法
JP2008503355A (ja) 基板材料の切断、分断または分割装置、システムおよび方法
KR100551526B1 (ko) 취성재료 기판의 스크라이브 장치 및 스크라이브 방법
JP2003002677A (ja) レーザ割断用支持テーブル、レーザ割断装置、レーザ割断方法、及び、液晶パネルの製造方法
KR100647454B1 (ko) 취성재료 기판의 스크라이브 장치 및 스크라이브 방법
KR101107859B1 (ko) 할단용 스크라이브선의 형성 방법 및 장치
JP2003002676A (ja) 基板の分割方法及び液晶装置の製造方法
KR20130048007A (ko) 레이저 드릴링 장치 및 레이저 드릴링 방법
US6770842B2 (en) Method and apparatus for cutting a substrate into multiple pieces with a single irradiation of a laser beam
JP2007021557A (ja) レーザ照射装置、レーザスクライブ方法
JP3221724B2 (ja) 光アニール方法及び装置
JPWO2003013816A1 (ja) 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置
JP3925092B2 (ja) 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法
KR100514099B1 (ko) 레이저를 이용한 절단 장치 및 절단 방법
JP2002182179A (ja) 液晶装置及びその製造方法
JP2001212683A (ja) 脆性材料の割断装置、脆性材料の割断方法および液晶表示装置の製造方法
KR20000050913A (ko) 엘씨디 단위 셀 절단 방법 및 모서리 가공 방법
JP2002255581A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040318

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040318

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060818

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061024

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061221

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070219

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100309

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110309

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120309

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130309

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140309

Year of fee payment: 7

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees