JP2002255581A - 基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法 - Google Patents

基板割断方法、基板割断装置および液晶パネルの製造方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の表裏両方に照射されるレーザ光の干渉
を防止して、レーザ発振器の故障を未然に防止すること
ができる基板割断方法および装置の提供を目的としてい
る。 【解決手段】 本発明は、2枚の基板が貼り合わされて
成るパネル15Aの両方の面にレーザ光L1,L2を同
時に照射して基板を割断する基板割断方法および装置に
おいて、各基板に照射されるレーザ光L1,L2の少な
くとも一方を、基板の面と直交する垂線7に対して所定
の角度θを成すように、基板の面に入射させることを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板割断方法およ
び装置に係わり、特に、液晶表示パネルを構成する2枚
の基板をレーザ光によって同時に割断する基板割断方法
および装置に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶装置を構成する液晶パネル
は、ガラス等から成る2枚の基板をシール材によって貼
り合わせ、シール材の内側に液晶を封入することによっ
て形成されている。比較的小型の液晶パネルは、液晶パ
ネルに相当する部分を複数包含する大型の母基板をシー
ル材によって貼り合わせて大判パネルを構成し、この大
判パネルを分割することによって個々の液晶パネルを形
成する多数個取りの製造工程によって製造される。大判
パネルを分割する方法は、従来から様々な方法が知られ
ているが、最近では、レーザ光を用いてガラス基板等を
割断する方法も提案されている。
【0003】図9は、レーザ光を用いた基板の割断によ
って液晶パネルを製造する工程の一部を概略的に示して
いる。図9の(a)は、大型の母基板101,102を
シール材103によって貼り合わせて成る大判パネル1
00を示している。各母基板101,102の表面に
は、公知のスクライブ・ブレイク法等によって、予めス
クライブ溝105が形成されている。そして、このスク
ライブ溝105に沿って応力を加えることによって母基
板101,102が破断される。
【0004】具体的には、大判パネル(一般には、1次
ブレーク工程によって割断された短冊状パネル)100
の表裏の両側から別々のレーザ発振器により各母基板1
01,102の表面にレーザ光L1,L2を照射し、ス
クライブ溝105に沿ってレーザ光L1,L2を走査
(紙面と直交する方向に走査)することによって母基板
101,102を割断する。この場合、領域Aでは、表
裏のレーザスポットが同一直線上に位置するように割断
され、領域Bでは、表裏のレーザスポットがスクライブ
溝105に対して直交する方向に所定距離ずれるように
割断される。これによって、図9の(b)に示されるよ
うな複数のパネル120を得ることができる。
【0005】以上のようにして形成されたパネル120
は、母基板101から切り出された基板101’と母基
板102から切り出された基板102’とがシール材1
03によって貼り合わされた形態を成している。なお、
シール材3の内側には、別工程によって図示しない液晶
が封入されている。
【0006】基板102’は、基板101’の端面から
外側に張り出す基板張出部102aを有している。この
基板張出部102aは、表裏のレーザスポットをずらし
て割断した領域Bによって形成されたものである。基板
101’,102’の内面上には、図示しない電極が形
成され、これらの電極には図示しない配線が電気的に接
続されている。また、前記配線は、基板張出部102a
の表面上に引き出されるように形成されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前述したよ
うに、大判パネル100の表裏の両側から別々のレーザ
発振器により各母基板101,102の表面にレーザ光
L1,L2を照射して母基板101,102を割断する
製造方法においては、表裏のレーザスポットが同一直線
上に位置するように割断する領域Aで1つの問題が生じ
る。すなわち、表裏のレーザスポットを同一直線上に位
置させて割断する場合、表裏両方のレーザ光L1,L2
が各母基板101,102の表面に対して垂直に入射す
ると(あるいは、レーザ光L1,L2が互いに同一直線
上に位置すると)、各レーザ光L1,L2が発振源と異
なる他方側のレーザ発振器に到達してしまい(表裏両方
のレーザ光が干渉して、反対側の光学系に入射した光や
反対側の光学系によって反射された光がレーザ発振器に
到達してしまい)、それによって、レーザ発振器が故障
してしまう虞がある。
【0008】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、基板の表裏両方に照
射されるレーザ光の干渉を防止して、レーザ発振器の故
障を未然に防止することができる基板割断方法および装
置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の基板割断方法は、貼り合わされた2枚の基
板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割断す
る基板割断方法において、各基板に照射されるレーザ光
の少なくとも一方を、基板の面と直交する垂線に対して
所定の角度を成すように、基板の面に入射させることを
特徴とする。また、請求項7に記載された発明は、貼り
合わされた2枚の基板の両方の面にレーザ光を同時に照
射して基板を割断する基板割断装置において、各基板に
照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直
交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面
に入射させる光学系を備えていることを特徴とする。ま
た、請求項13に記載された発明は、互いに貼り合わさ
れる2枚の基板間に液晶を封入して液晶パネルを製造す
る方法において、2つの母基板をシール材によって貼り
合わて大判パネルを形成する工程と、前記大判パネルを
割断して、短冊状のパネルを形成する1次ブレーク工程
と、前記シール材に設けられた液晶注入口を通じて、前
記短冊状パネルのセル内に液晶を注入した後、前記液晶
注入口を封止する工程と、液晶が注入された前記短冊状
パネルを割断して、所望の大きさのパネルを形成する2
次ブレーク工程とを具備し、前記1次ブレーク工程およ
び2次ブレーク工程の少なくとも一方の工程では、パネ
ルを形成する2枚の貼り合わせ基板の両方の面にレーザ
光を同時に照射して基板を割断するとともに、各基板に
照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板の面と直
交する垂線に対して所定の角度を成すように、基板の面
に入射させることを特徴とする。
【0010】これらの請求項1,7,13に記載された
発明によれば、各基板に照射されるレーザ光同士が干渉
しないため、レーザ光が発振源と異なる他方側のレーザ
発振器に到達して(表裏両方のレーザ光が干渉して、反
対側の光学系に入射した光や反対側の光学系によって反
射された光がレーザ発振器に到達して)しまうことがな
い。 そのため、レーザ発振器の故障を未然に防止する
ことができる。
【0011】なお、これらの請求項1,7,13に記載
された構成においては、請求項5および請求項11に記
載されるように、一方の基板の面上の所定のスポット位
置にレーザ光を集光する第1の集光レンズと、他方の基
板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第
2の集光レンズとを備え、レーザ光の前記スポット位置
を通る法線からこの法線と直交するように延び且つ第1
の集光レンズを通る線をLとし、また、前記法線と直交
するように延び且つ第2の集光レンズを通る線をL’と
すると、LとL’とが成す角度Φが0°〜90°の範囲
内に設定されていることが望ましい。また、請求項6お
よび請求項12に記載されるように、前記角度Φが0°
であり、一方の基板に照射されるレーザ光の入射角と他
方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に等しい
場合、基板と集光レンズとの間の距離をS、基板面上に
おけるレーザスポットの最大径をD、レーザ光が集光レ
ンズに入射する時のレーザスポット径をd、集光レンズ
の直径をL、一方の基板面上のスポット位置と他方の基
板面上のスポット位置との間の水平距離の最大値をyと
すると、基板に照射されるレーザ光の入射角θ(°)
は、θ>ビーム広がり角+集光レンズの角度+Y移動分
の角度=180(D−d)/2Sπ+90L/Sπ+9
0y/Sπであることが望ましい。これにより、請求項
1,7,13の作用効果の達成を確実ならしめることが
できる。
【0012】また、請求項2,8,14に記載された発
明は、一方の基板に照射されるレーザ光の入射角と他方
の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に等しいこ
とを特徴とする。
【0013】これらの請求項2,8,14に記載された
発明によれば、レーザスポットの形状が両方の基板で一
致するため、基板に作用する熱応力を同一にして効率的
に割断することが可能になるとともに、両方の基板にレ
ーザ光を照射する2つの光学系を共用できる利点があ
る。
【0014】また、請求項3,9,15,17に記載さ
れた発明は、レーザ光を基板の面に導く光学系を移動さ
せることによって、基板の面に対するレーザ光のスポッ
ト位置を変化させることを特徴とする。また、請求項
4,10,16,18に記載された発明は、基板の面に
形成されてレーザ光によって走査されるスクライブ溝の
長手方向及びこの長手方向に対して直交する方向で前記
光学系を移動することによって、レーザ光のスポット位
置を変化させることを特徴とする。
【0015】これらの請求項3,4,9,10,15,
16,17,18に記載された発明によれば、両方の基
板のスクライブ溝に対して各レーザ光のレーザスポット
を正確に一致させるスポット調整を行なうことができる
とともに、スクライブ溝の位置が両基板で一致する領域
からスクライブ溝の位置が両基板でズレている領域への
割断作業の移行時においてもスポット調整を容易且つ迅
速に行なうことができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の一実施形態について説明する。
【0017】図4および図5は、本発明の一実施形態に
係る方法によって基板を分割する様子を示している。図
5の(a)は、ガラスから成る母基板10と母基板12
とがシール材13(図4参照)によって貼り合わされて
成る1枚の大判パネル15を示している。母基板10,
12の内面には、図示しない電極や配線を所定のパター
ン形状にて形成した導電パターンが形成されている。こ
の大判パネル15は、1次ブレーク工程として割断さ
れ、短冊状のパネル15Aに形成される(図5の(b)
参照)。このような割断は、各母基板10,12の表面
の切断箇所にスクライブ溝5をそれぞれ形成し、レーザ
光をスクライブ溝5に照射することによって実現され
る。その後、短冊状パネル15Aのセル内に液晶を注入
して封止した後、2次ブレーク工程として短冊状パネル
15Aを更に割断して、1パネル分(製品)の大きさに
相当するパネル15Bを形成する(図5の(c)参
照)。この2次ブレーク工程での割断方法が図4に詳し
く示されている。
【0018】図4に示されるように、短冊状パネル15
Aを構成する母基板10,12上においては、それぞれ
基板1となる部分と基板2となる部分とが交互に配列さ
れており、当該部分毎に前記導電体パターンが形成され
ている。母基板10と母基板12とは、一方の母基板1
0における基板1となる部分と、他方の母基板12にお
ける基板2となる部分とが相互に対向するように貼り合
わされている。
【0019】また、短冊状パネル15Aにおいて、母基
板10にはスクライブ溝5a,5bが形成され、母基板
12にはスクライブ溝5A,5Bが形成される。これら
のスクライブ溝5a,5b,5A,5Bは図示しない公
知のスクライブ装置によって形成される。そして、レー
ザ光L1,L2をスクライブ溝5a,5b,5A,5B
に照射することによって、短冊状パネル15Aが割断さ
れ、1パネル分(製品)の大きさに相当するパネル15
Bが形成される。この場合、レーザ光L1,L2は、図
中に一点鎖線で示されるように、基板10,12の表面
と直交する垂線7に対して所定の角度θを成すように斜
め方向から入射される。また、スクライブ溝5a,5
b,5A,5Bの形成配置に伴って、領域Aでは、表裏
のレーザスポットが同一直線上に位置するように割断さ
れ、領域Bでは、表裏のレーザスポットがスクライブ溝
に対して直交する方向に所定距離ずれるように割断され
る。
【0020】以上のようにして形成されたパネル15B
の詳細な平面図が図6に示されている。図示のように、
パネル15Bは、母基板12から切り出された基板2と
母基板10から切り出された基板1とが貼り合わされて
形成された液晶表示部17を有している。この液晶表示
部17は、基板1,2とシール材13とによって囲まれ
た空間内に液晶が液晶注入口21を介して注入されるこ
とによって形成され、液晶注入口21は封止材22によ
って封止されている。また、基板2は、基板1の端面1
aから外側に張り出す基板張出部(実装部)19を有し
ている。この基板張出部19は、表裏のレーザスポット
をずらして割断した領域Bによって形成されたものであ
る。また、この基板張出部19の表面上には、液晶表示
部10を駆動するために基板1,2の内面上に形成され
た導電パターンが引き出されているとともに、IC16
が実装されている。
【0021】図4に示されるように基板10,12の表
面に対してレーザ光を斜めに照射する(基板10,12
の表面と直交する垂線7に対して所定の角度θを成すよ
うに照射する)ことができるレーザ割断装置30が図1
に示されている。このレーザ割断装置30は、図5の
(a)〜(b)で示した一次ブレーク工程および(b)
〜(c)で示した2次ブレーク工程で使用することがで
きる。
【0022】図1に示されるように、レーザ割断装置3
0は、一対のレーザ発振器31,32と、このレーザ発
振器31,32から放出されるレーザ光42,43を加
工対象(本実施形態では、例えば大判パネル15や短冊
状パネル15A)に導いて集光するための照明光学系3
3,34と、加工対象15A(15)を保持するための
保持板35と、保持板35を支持する支持体36と、支
持体36を駆動して加工対象15A(15)の位置およ
び姿勢を調整するための駆動機構37と、レーザ発振器
31,32、照明光学系33,34、駆動機構37を制
御するための制御部38とを備えている。
【0023】照明光学系33は、第1の反射ミラー33
Cと、第2の反射ミラー33Aと、集光レンズ33Bと
を有している。また、照明光学系34は、反射ミラー3
4Aと集光レンズ34Bとを備えている。これらの照明
光学系33,34は、その導光経路および照射スポット
径(集光特性)が制御部38によって制御できるように
なっている。本実施形態において、反射ミラー33A,
34Aは、加工対象15A(15)の表面と直交する垂
線7に対してレーザ光L2が所定の角度θ(例えば約6
°)を成して入射するように(ただし、レーザ光L1,
L2が垂線7に対して同じ側でθの角度を成すよう
に)、その位置と傾きとが設定されている。
【0024】レーザ発振器31,32としては、CO
レーザ等の気体レーザ、YAGレーザ等の固体レーザ、
あるいは、半導体レーザその他の各種レーザ発振器を使
用することができるが、加工対象の光吸収特性を考慮し
て、加工対象が有効に吸収し得る帯域の発振波長を備え
たものを選定する必要がある。例えば、液晶パネルの基
板材料として一般に用いられるソーダガラス、ホウ珪酸
ガラス、石英ガラス等のガラス材料を加工対象とする場
合には、COレーザを用いることができる。このレー
ザ発振器31,32は、制御部38によって、その発振
出力(光パワー)を制御できるようになっている。
【0025】保持板35は、加工対象15A(15)を
載置または固定可能に構成されている。また、保持板3
5は、加工対象15A(15)が載置または固定される
面とは反対側から(図示の下方から)光を照射できるよ
うに、例えばスクライブ溝5(5a,5b,5A,5
B)に沿ってスリット状に形成された光学窓35aを有
している。この光学窓35aは、開口部であっても、あ
るいは、レーザ光を透過可能な素材で構成されていても
良い。また、保持板35aは、加工対象の大きさ、スク
ライブ溝の位置や方向によって取り付け姿勢を変えるこ
とができるように構成されている。なお、支持体36
は、保持板35に接続されているとともに、駆動機構3
7によって水平X−Y方向に移動可能に構成されてい
る。
【0026】レーザ割断装置30の機械的な構成が図2
および図3に示されている。図示のように、レーザ割断
装置30は、加工対象15A(15)に対して下側から
レーザ光を照射する一方の照明光学系34とレーザ発信
器32とを装置本体40の下側(例えば内部)に備え、
加工対象15A(15)に対して上側からレーザ光を照
射する他方の照明光学系33とレーザ発信器31とを装
置本体40の上側(例えば外部)に備えている。
【0027】装置本体40の上側には、レーザ発信器3
1が設置されるベースプレート42が取り付け固定され
ている。ベースプレート42には、レーザ光の走査方向
(スクライブ溝の長手方向)であるX方向に沿って延び
る第1のレール44が設けられている。また、この第1
のレール44には、レーザ発信器31からのレーザ光を
受けて反射する第1の反射ミラー33Cが固定されたX
テーブル46が移動可能に取り付けられている。すなわ
ち、Xテーブル46は、レーザ光の走査方向(スクライ
ブ溝の長手方向)であるX方向に沿って移動することが
できる。なお、第1の反射ミラー33Cは支持台49に
よって支持されている。
【0028】また、ベースプレート42上には、Xテー
ブル46を初期位置からX方向の任意の位置へ移動させ
る1軸アクチュエータ74が設けられている。なお、1
軸アクチュエータ74は制御部38によってその駆動が
制御される。
【0029】また、Xテーブル46には、スクライブ溝
の長手方向に対して直交する方向(B領域でのスクライ
ブ溝のズレ方向)であるY方向に沿って延びる第2のレ
ール48が設けられている。また、この第2のレール4
8には、第1の反射ミラー33Cからの反射光を受けて
集光レンズ33Bに反射する第2の反射ミラー33Aが
固定されたYテーブル50が移動可能に取り付けられて
いる。すなわち、Yテーブル50は、スクライブ溝の長
手方向に対して直交する方向(B領域でのスクライブ溝
のズレ方向)であるY方向に沿って移動することができ
る。なお、第2の反射ミラー33Aは、加工対象15A
(15)への入射角θを変えるために、支持51を中心
に回動することができる。支軸51は、制御部38によ
って制御される図示しない駆動機構を介して回転駆動さ
れる。また、Xテーブル46には1軸アクチュエータ7
2があり、Yテーブル50をY方向の任意の位置へ移動
させることができる。なお、1軸アクチュエータ72は
制御部38によってその駆動が制御される。
【0030】次に、上記構成のレーザ割断装置30を使
用して短冊状パネル15Aを割断する方法について説明
する。なお、ここでは、領域Aの割断作業を行なった後
に領域Bの割断作業を行なう場合について説明する。
【0031】まず、図4の(a)に示されるようにスク
ライブ溝5a,5b,5A,5B…が形成された短冊状
パネル15Aを保持板35にセットする。次に、駆動機
構37により支持体36を動作させて、下側のレーザ発
信器32および照明光学系34からのレーザ光L2のレ
ーザスポットが下側のスクライブ溝5Bに当たるよう
に、短冊状パネル15Aを位置決めする。この時、上側
のレーザ発信器31および照明光学系33からのレーザ
光L1のレーザスポットに対して上側のスクライブ溝5
bがズレている場合には、Yテーブル50をY方向に移
動させて(必要な場合には、Xテーブル46も移動させ
て)、レーザ光L1のレーザスポットを上側のスクライ
ブ溝5bに一致させる。
【0032】このようにして各スクライブ溝5b,5B
に対して各レーザ光L1,L2のレーザスポットを一致
させたら、各レーザ発振器31,32からレーザ光を出
射させる。この場合、下側のレーザ光L2は、反射ミラ
ー34Aによって反射されるとともに、集光レンズ34
Bを介して短冊状パネル15Aの裏面(母基板12の表
面)のスクライブ溝5Bに入射角θで照射される。一
方、上側のレーザ光L1は、反射ミラー33C,33A
によって反射されるとともに、集光レンズ33Bを介し
て短冊状パネル15Aの表面(母基板10の表面)のス
クライブ溝5bに入射角θで照射される。この時、表裏
両方のレーザ光L1,L2は、垂線7に対して角度θを
成すとともに互いに同一直線上にないため、発振源と異
なる他方側のレーザ発振器に到達して(表裏両方のレー
ザ光が干渉して、反対側の光学系に入射した光や反対側
の光学系によって反射された光がレーザ発振器に到達し
て)しまうことがない。すなわち、表裏両方のレーザ光
L1,L2は互いに干渉しない。この照射状態で、支持
体36を介して短冊状パネル15AをX方向に移動させ
て、レーザ光L1,L2を基板10,12上で走査させ
れば、スクライブ溝5B,5bに沿って基板10,12
が同時に割断される。
【0033】なお、このようにスクライブ溝が形成され
ている場合には、レーザ光を照射することによって基板
の照射領域が加熱され、膨張することによって一時的に
圧縮応力が生じるが、その後、照射領域の温度が低下す
るとともに基板素材が収縮し、スクライブ溝の両側へ基
板素材を引き離そうとする引張応力が生じることによ
り、スクライブ溝に沿って基板が割断される。したがっ
て、レーザ光をスクライブ溝に沿って走査していくこと
により、レーザ光の照射スポットが通過した後の部位に
引張応力が生じるので、レーザ光照射にやや遅れてスク
ライブ溝に沿った破断が進行していく。このように、本
実施形態では、スクライブ溝5Bとスクライブ溝5bと
に同時にレーザ光を照射し、スクライブ溝5B,5bに
沿ってレーザ光の照射スポットを走査していくことによ
り、スクライブ溝5B,5bに沿って母基板10,12
を破断していく。このようなレーザ割断による基板の分
割は、基板素材の局所的な膨張および収縮に起因して生
じる内部応力によってもたらされるものであり、当該分
割部位の直下に配置されたシール材13に外部応力を及
ぼす必要がないので、シール材13の変形やシール材1
3と基板10,12との密着性の悪化をもたらすことが
殆どない。
【0034】以上のようにしてA領域での割断作業が終
了したら、今度は、B領域での割断作業を行なうため
に、支持体36を介して短冊状パネル15AをY方向に
移動させて、下側のレーザ光L2のレーザスポットが下
側のスクライブ溝5Aに当たるようにする。また、この
領域Bでは、上側のスクライブ溝5aが下側のスクライ
ブ溝5Aに対してY方向にズレているため、Yテーブル
50をY方向に移動させて(必要な場合には、Xテーブ
ル46も移動させて)、上側のレーザ光L1のレーザス
ポットを上側のスクライブ溝5aに一致させる。このよ
うにして各スクライブ溝5a,5Aに対して各レーザ光
L1,L2のレーザスポットを一致させたら、各レーザ
発振器31,32からレーザ光を出射させて、前述した
と同様にレーザ光の走査を行ない、割断作業を進行させ
る。
【0035】以上説明したように、本実施形態では、加
工対象の表面と直交する垂線7に対して角度θを成し且
つ互いに同一直線上とならないように、レーザ光L1,
L2を加工対象の表面および裏面に照射しているため、
レーザ光L1,L2同士が干渉せず、したがって、レー
ザ光L1,L2が発振源と異なる他方側のレーザ発振器
に到達して(表裏両方のレーザ光が干渉して、反対側の
光学系に入射した光や反対側の光学系によって反射され
た光がレーザ発振器に到達して)しまうことがない。
そのため、レーザ発振器31,32の故障を未然に防止
することができる。
【0036】また、本実施形態では、上側のレーザ光L
1を角度θで入射させる反射ミラー33AをX,Y方向
に移動させる調整機構(XY機構)が設けられているた
め、上下の各スクライブ溝に対して上下の各レーザ光L
1,L2のレーザスポットを正確に一致させるスポット
調整を行なうことができるとともに、スクライブ溝が上
下で一致するA領域からスクライブ溝が上下でズレてい
るB領域への割断作業の移行時においてもスポット調整
を容易且つ迅速に行なうことができる。
【0037】なお、本実施形態においては、レーザ光の
上側の入射角度と下側の入射角度とが等しく設定されて
いるが、上下のレーザ光同士が干渉しなければ、上側の
入射角度と下側の入射角度とが互いに異なっていても良
い。例えば、上下の一方のレーザ光が垂線7に対して角
度θを成すとともに、他方のレーザ光が垂線7と平行
(加工対象の表面に対して垂直に入射する)であっても
良い。ただし、上下のレーザ光の入射角を一致させる
と、レーザスポットの形状が上下で一致するため、基板
に作用する熱応力を同一にして効率的に割断することが
可能になるとともに、上下の光学系33,34を共用で
きる利点がある。また、スクライブ溝が上下でズレてい
るB領域では、上下のレーザ光を共に加工対象の表面に
対して垂直に入射させても干渉することはないため、角
度θを成して入射させる必要はない。
【0038】なお、入射角θは、上下のレーザ光同士が
干渉しない範囲に設定されていれば良い。例えば、上下
の入射角が等しく、上下の集光レンズ33B,34Bが
スポット位置の基板垂線7と同一平面上にある場合(上
下のレーザ光の光軸が互いに同一平面(垂線7を含む平
面)上で延びている場合)、加工対象と集光レンズ33
B,34Bとの間の距離をS、加工対象面での最大スポ
ット径(直径)をD、集光レンズ入射時(レーザ光が集
光レンズに入射する時)のレーザ光のスポット径(直
径)をd、集光レンズの直径をL、上側のスポットのY
方向最大移動量(加工対象の下面のスポット位置と上面
のスポット位置との間の水平距離の最大値)をyとする
と、θ(°)は、 θ>ビーム広がり角+集光レンズの角度+Y移動分の角
度=180(D−d)/2Sπ+90L/Sπ+90y
/Sπ であれば良い。
【0039】また、上下のレーザ光の入射方向は必ずし
も同じである必要はない。すなわち、前述したように、
上下のレーザ光の入射方向が同じであっても良い(上下
の集光レンズ33B,34Bがスポット位置の基板垂線
7と同一平面上にあっても良い)が、上下のレーザ光同
士が干渉しない範囲で上下のレーザ光の入射方向が異な
っていても良い(上下の集光レンズ33B,34Bがス
ポット位置の基板垂線7と同一平面上になくても良
い)。
【0040】図7は、本発明における上下のレーザ光の
入射方向の関係を示したものである。図示のように、加
工対象15A(15)に対する上下のレーザ光の入射角
がそれぞれθ,θ’(θ=θ’であっても良い)である
場合、上下の集光レンズ33B,34Bは、概ね、垂線
7と角度θ,θ’を成す線の集合である円錐面G,G’
の母線の延長線上に位置する。なお、図中A,B,C,
Dは、互いに周方向に90°離れた上側の集光レンズ3
3Bの特定の位置を示しており、また、図中A’,
B’,C’,D’は、互いに周方向に90°離れた下側
の集光レンズ34Bの特定の位置であって、加工対象1
5A(15)に対してA,B,C,Dとそれぞれ対称な
位置を示している。
【0041】このような入射関係において、上下のレー
ザ光同士が干渉しないようにするためには、上側の集光
レンズ33Bが例えば図中のAの位置に配置されている
場合、下側の集光レンズ34Bを位置A’(上側の集光
レンズ33Bと同一平面上の位置)もしくはA’〜
B’,A’〜D’の範囲に配置すれば良い。同様に、上
側の集光レンズ33BがBの位置に配置されている場合
には、下側の集光レンズ34Bを位置B’もしくはB’
〜A’,B’〜C’の範囲に配置し、上側の集光レンズ
33BがCの位置に配置されている場合には、下側の集
光レンズ34Bを位置C’もしくはC’〜B’,C’〜
D’の範囲に配置し、上側の集光レンズ33BがDの位
置に配置されている場合には、下側の集光レンズ34B
を位置D’もしくはD’〜A’,D’〜C’の範囲に配
置すれば良い。
【0042】すなわち、加工対象15A(15)の表面
上の照射スポットPを通る垂線(法線)7からこの垂線
7と直交するように延び且つ上側の集光レンズ33Bを
通る線をLとし、また、垂線7と直交するように延び且
つ下側の集光レンズ34Bを通る線をL’とすると、L
とL’とが成す角度Φが、0°≦Φ≦90°または−9
0°≦Φ≦0°(時計周りを正)であれば、上下のレー
ザ光同士の干渉を確実に防止できる。
【0043】また、本実施形態では、装置本体40の下
側(例えば内部)の光学系34ではなく、装置本体40
の上側(例えば外部)の光学系33にXY調整機構が設
けられているため、作業者による調整が容易であるとい
う利点がある。無論、光学系34にも光学系33と同様
のXY調整機構を設けても良い。
【0044】また、本実施形態では、支軸51を回転駆
動させることによって反射ミラー33Aの傾き(入射角
θ)を変化させることができるが、反射ミラー33Aの
傾きを変化させることによって、レーザスポットの位置
を変化させる前記XY機構と同様なスポット調整を行な
うことも可能である。
【0045】また、本実施形態では、ベースプレート4
2をXY方向に移動させるようにしてもレーザスポット
の位置を調整することができる。そのような構成の一例
が図8に示されている。この構成では、装置本体40に
設けられたレール62に沿ってX方向に移動できるXテ
ーブル61上で、ベースプレート42がレール60に沿
ってY方向に移動できる。また、このようなベースプレ
ート42のXY機構を下側の光学系34にも設ければ、
加工対象を支持体36によって移動しなくても、レーザ
光をスクライブ溝上で走査することができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る基板割断装置の概念
図である。
【図2】図1の基板割断装置の機械的な構成を示す概略
図である。
【図3】図2のA方向矢視図である。
【図4】本発明の一実施形態に係る方法によって基板を
分割する様子を示す断面図である。
【図5】本発明の一実施形態に係る方法によって基板を
分割する様子を示す斜視図である。
【図6】液晶パネルの平面図である。
【図7】上下のレーザ光の入射方向の関係を示す斜視図
である。
【図8】図2の構成の変形例を示す概略図である。
【図9】従来の方法によって基板を分割する様子を示す
断面図である。
【符号の説明】
1,2…基板 7…垂線 10,12…母基板 15A,15B…パネル 33,34…光学系 46…Xテーブル 50…Yテーブル L1,L2…レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G02F 1/13 101 G02F 1/13 101 1/1333 500 1/1333 500 // B23K 101:36 B23K 101:36 Fターム(参考) 2H088 FA03 FA04 FA06 FA07 FA10 FA16 FA17 FA30 HA01 HA24 MA20 2H090 JB02 JC13 4E068 AA05 AE01 CA06 CA07 CA09 CE02 DA09 DB13 4G015 FA03 FA06 FB02 FC02 FC14

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 貼り合わされた2枚の基板の両方の面に
    レーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断方法
    において、 各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板
    の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、
    基板の面に入射させることを特徴とする基板割断方法。
  2. 【請求項2】 一方の基板に照射されるレーザ光の入射
    角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に
    等しいことを特徴とする請求項1に記載の基板割断方
    法。
  3. 【請求項3】 レーザ光を基板の面に導く光学系を移動
    させることによって、基板の面に対するレーザ光のスポ
    ット位置を変化させることを特徴とする請求項1または
    請求項2に記載の基板割断方法。
  4. 【請求項4】 基板の面に形成されてレーザ光によって
    走査されるスクライブ溝の長手方向及びこの長手方向に
    対して直交する方向で前記光学系を移動することによっ
    て、レーザ光のスポット位置を変化させることを特徴と
    する請求項3に記載の基板割断方法。
  5. 【請求項5】 一方の基板の面上の所定のスポット位置
    にレーザ光を集光する第1の集光レンズと、他方の基板
    の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第2
    の集光レンズとを備え、 レーザ光の前記スポット位置を通る法線からこの法線と
    直交するように延び且つ第1の集光レンズを通る線をL
    とし、また、前記法線と直交するように延び且つ第2の
    集光レンズを通る線をL’とすると、LとL’とが成す
    角度Φが0°〜90°の範囲内に設定されていることを
    特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記
    載の基板割断方法。
  6. 【請求項6】 前記角度Φが0°であり、一方の基板に
    照射されるレーザ光の入射角と他方の基板に照射される
    レーザ光の入射角とが共に等しい場合、基板と集光レン
    ズとの間の距離をS、基板面上におけるレーザスポット
    の最大径をD、レーザ光が集光レンズに入射する時のレ
    ーザスポット径をd、集光レンズの直径をL、一方の基
    板面上のスポット位置と他方の基板面上のスポット位置
    との間の水平距離の最大値をyとすると、基板に照射さ
    れるレーザ光の入射角θ(°)は、 θ>ビーム広がり角+集光レンズの角度+Y移動分の角
    度=180(D−d)/2Sπ+90L/Sπ+90y
    /Sπ であることを特徴とする請求項5に記載の基板割断方
    法。
  7. 【請求項7】 貼り合わされた2枚の基板の両方の面に
    レーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断装置
    において、 各基板に照射されるレーザ光の少なくとも一方を、基板
    の面と直交する垂線に対して所定の角度を成すように、
    基板の面に入射させる光学系を備えていることを特徴と
    する基板割断装置。
  8. 【請求項8】 一方の基板に照射されるレーザ光の入射
    角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共に
    等しいことを特徴とする請求項7に記載の基板割断装
    置。
  9. 【請求項9】 前記光学系を移動させることにより、基
    板の面に対するレーザ光のスポット位置を変化させる調
    整機構を備えていることを特徴とする請求項7または請
    求項8に記載の基板割断装置。
  10. 【請求項10】 前記調整機構は、基板の面に形成され
    てレーザ光によって走査されるスクライブ溝の長手方向
    及びこの長手方向に対して直交する方向で前記光学系を
    移動させることを特徴とする請求項9に記載の基板割断
    装置。
  11. 【請求項11】 一方の基板の面上の所定のスポット位
    置にレーザ光を集光する第1の集光レンズと、他方の基
    板の面上の所定のスポット位置にレーザ光を集光する第
    2の集光レンズとを備え、 レーザ光の前記スポット位置を通る法線からこの法線と
    直交するように延び且つ第1の集光レンズを通る線をL
    とし、また、前記法線と直交するように延び且つ第2の
    集光レンズを通る線をL’とすると、LとL’とが成す
    角度Φが0°〜90°の範囲内に設定されていることを
    特徴とする請求項7ないし請求項10のいずれか1項に
    記載の基板割断装置。
  12. 【請求項12】 前記角度Φが0°であり、一方の基板
    に照射されるレーザ光の入射角と他方の基板に照射され
    るレーザ光の入射角とが共に等しい場合、基板と集光レ
    ンズとの間の距離をS、基板面上におけるレーザスポッ
    トの最大径をD、レーザ光が集光レンズに入射する時の
    レーザスポット径をd、集光レンズの直径をL、一方の
    基板面上のスポット位置と他方の基板面上のスポット位
    置との間の水平距離の最大値をyとすると、基板に照射
    されるレーザ光の入射角θ(°)は、 θ>ビーム広がり角+集光レンズの角度+Y移動分の角
    度=180(D−d)/2Sπ+90L/Sπ+90y
    /Sπ であることを特徴とする請求項11に記載の基板割断装
    置。
  13. 【請求項13】 互いに貼り合わされる2枚の基板間に
    液晶を封入して液晶パネルを製造する方法において、 2つの母基板をシール材によって貼り合わせて大判パネ
    ルを形成する工程と、 前記大判パネルを割断して、短冊状のパネルを形成する
    1次ブレーク工程と、 前記シール材に設けられた液晶注入口を通じて、前記短
    冊状パネルのセル内に液晶を注入した後、前記液晶注入
    口を封止する工程と、 液晶が注入された前記短冊状パネルを割断して、所望の
    大きさのパネルを形成する2次ブレーク工程と、 を具備し、 前記1次ブレーク工程および2次ブレーク工程の少なく
    とも一方の工程では、パネルを形成する2枚の貼り合わ
    せ基板の両方の面にレーザ光を同時に照射して基板を割
    断するとともに、各基板に照射されるレーザ光の少なく
    とも一方を、基板の面と直交する垂線に対して所定の角
    度を成すように、基板の面に入射させることを特徴とす
    る液晶パネルの製造方法。
  14. 【請求項14】 一方の基板に照射されるレーザ光の入
    射角と他方の基板に照射されるレーザ光の入射角とが共
    に等しいことを特徴とする請求項13に記載の液晶パネ
    ルの製造方法。
  15. 【請求項15】 レーザ光を基板の面に導く光学系を移
    動させることによって、基板の面に対するレーザ光のス
    ポット位置を変化させることを特徴とする請求項13ま
    たは請求項14に記載の液晶パネルの製造方法。
  16. 【請求項16】 基板の面に形成されてレーザ光によっ
    て走査されるスクライブ溝の長手方向及びこの長手方向
    に対して直交する方向で前記光学系を移動することによ
    って、レーザ光のスポット位置を変化させることを特徴
    とする請求項15に記載の液晶パネルの製造方法。
  17. 【請求項17】 貼り合わされた2枚の基板の両方の面
    にレーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断方
    法において、 レーザ光を基板の面に導く光学系を移動させることによ
    って、基板の面に対するレーザ光のスポット位置を変化
    させることを特徴とする基板割断方法。
  18. 【請求項18】 貼り合わされた2枚の基板の両方の面
    にレーザ光を同時に照射して基板を割断する基板割断方
    法において、 レーザ光を基板の面に導く光学系を、基板の面に形成さ
    れてレーザ光によって走査されるスクライブ溝の長手方
    向及びこの長手方向に対して直交する方向で移動するこ
    とによって、基板の面に対するレーザ光のスポット位置
    を変化させることを特徴とする基板割断方法。
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JP2014514164A (ja) * 2011-05-02 2014-06-19 アイピージー フォトニクス コーポレーション レーザベースのマーキングの方法及び装置

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