JP3246621B2 - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JP3246621B2 JP3246621B2 JP07947393A JP7947393A JP3246621B2 JP 3246621 B2 JP3246621 B2 JP 3246621B2 JP 07947393 A JP07947393 A JP 07947393A JP 7947393 A JP7947393 A JP 7947393A JP 3246621 B2 JP3246621 B2 JP 3246621B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- air
- clean room
- organic film
- filter
- photosensitive organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装置
に係り、特にアルカリ性ガス物質による汚染に敏感なパ
ターン形成を行うリソグラフィー工程で製造される半導
体装置の製造装置に関する。
に係り、特にアルカリ性ガス物質による汚染に敏感なパ
ターン形成を行うリソグラフィー工程で製造される半導
体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程のうち、パターン
形成を行うリソグラフィー工程は、ウエハ表面に感光性
樹脂膜の前躯体を形成した後、ウエハを縮小光学系の露
光装置にセットし、前記感光性樹脂膜に回路パターン等
のフォトマスクを重ねて紫外線領域の波長光を照射して
露光し、前記感光性樹脂膜上に前記回路パターン等を焼
付ける。次いで現像液を吹き付けて露光部もしくは未露
光部を溶解し、最後にベーキング処理する。そして、こ
の工程は、環境からの汚染に極めて敏感な為、通常、高
精度に塵埃を除去したクリーンルーム内で行われる。
形成を行うリソグラフィー工程は、ウエハ表面に感光性
樹脂膜の前躯体を形成した後、ウエハを縮小光学系の露
光装置にセットし、前記感光性樹脂膜に回路パターン等
のフォトマスクを重ねて紫外線領域の波長光を照射して
露光し、前記感光性樹脂膜上に前記回路パターン等を焼
付ける。次いで現像液を吹き付けて露光部もしくは未露
光部を溶解し、最後にベーキング処理する。そして、こ
の工程は、環境からの汚染に極めて敏感な為、通常、高
精度に塵埃を除去したクリーンルーム内で行われる。
【０００３】図７に、パターン形成を行う従来の製造装
置を示すように、製造装置は、主として清浄室１Ａ及び
空気循環系空間１Ｂから形成されるクリーンルーム１
と、クリーンルーム１に温湿度を調整した清浄空気を供
給する空調器２と、前記清浄室１Ａ内に工程順に配設さ
れた感光性樹脂膜の前躯体を形成する膜形成装置３、露
光装置４、現像・ベーク装置５と、から構成されてい
る。そして、パターン形成中、空調器２で温湿度が調整
され、除塵された空気及び空気循環系空間１Ｂの天井裏
空間１Ｃに循環された空気は、清浄室１Ａの天井裏に設
置された複数のファンフィルタユニット（以下ＦＦＵと
いう）６、６…から取り込まれ、ＨＥＰＡフィルタ７、
７…で更に高精度に除塵されて清浄室１Ａ内に供給され
る。このように、パターン形成中、清浄室１Ａ内を一定
の温度、湿度、清浄度に保つことにより、ウエハの品質
を維持するようになっている。
置を示すように、製造装置は、主として清浄室１Ａ及び
空気循環系空間１Ｂから形成されるクリーンルーム１
と、クリーンルーム１に温湿度を調整した清浄空気を供
給する空調器２と、前記清浄室１Ａ内に工程順に配設さ
れた感光性樹脂膜の前躯体を形成する膜形成装置３、露
光装置４、現像・ベーク装置５と、から構成されてい
る。そして、パターン形成中、空調器２で温湿度が調整
され、除塵された空気及び空気循環系空間１Ｂの天井裏
空間１Ｃに循環された空気は、清浄室１Ａの天井裏に設
置された複数のファンフィルタユニット（以下ＦＦＵと
いう）６、６…から取り込まれ、ＨＥＰＡフィルタ７、
７…で更に高精度に除塵されて清浄室１Ａ内に供給され
る。このように、パターン形成中、清浄室１Ａ内を一定
の温度、湿度、清浄度に保つことにより、ウエハの品質
を維持するようになっている。
【０００４】ところで、最近、半導体集積回路の微細化
に伴って、パターン形成を行うリソグラフィー工程は、
更に高解像、高感度が要求され、この要求に対しては感
光性樹脂の前躯体として化学増幅形の感光性樹脂を用い
ることが有効とされている。化学増幅形の感光性樹脂の
一例としては、次の様なものが上げられる。例えば、ノ
ボラック樹脂、フェノール樹脂等のベース樹脂にオニウ
ム塩系あるいはハロゲン系の酸発生剤及びメラミンやシ
ラノール化合物の架橋剤を加えた三成分からなってい
る。そして、この化学増幅形の感光性樹脂を露光する
為、感光性樹脂に紫外線を照射すると、露光により与え
られたエネルギーは感光性樹脂の成分である酸発生剤に
作用してプロトンを発生させる。このプロトンは露光後
のベーク工程においてベース樹脂と架橋剤の反応触媒と
して作用し、架橋反応を促進させる。この結果、僅かな
エネルギーにより大きな架橋反応を起こさせることがで
きるので、より高解像、高感度を得ることができる。こ
のように、化学増幅形の感光性樹脂を用いたリソグラフ
ィー工程においては、プロトンの触媒作用による化学増
幅作用が重要な役割を行う。
に伴って、パターン形成を行うリソグラフィー工程は、
更に高解像、高感度が要求され、この要求に対しては感
光性樹脂の前躯体として化学増幅形の感光性樹脂を用い
ることが有効とされている。化学増幅形の感光性樹脂の
一例としては、次の様なものが上げられる。例えば、ノ
ボラック樹脂、フェノール樹脂等のベース樹脂にオニウ
ム塩系あるいはハロゲン系の酸発生剤及びメラミンやシ
ラノール化合物の架橋剤を加えた三成分からなってい
る。そして、この化学増幅形の感光性樹脂を露光する
為、感光性樹脂に紫外線を照射すると、露光により与え
られたエネルギーは感光性樹脂の成分である酸発生剤に
作用してプロトンを発生させる。このプロトンは露光後
のベーク工程においてベース樹脂と架橋剤の反応触媒と
して作用し、架橋反応を促進させる。この結果、僅かな
エネルギーにより大きな架橋反応を起こさせることがで
きるので、より高解像、高感度を得ることができる。こ
のように、化学増幅形の感光性樹脂を用いたリソグラフ
ィー工程においては、プロトンの触媒作用による化学増
幅作用が重要な役割を行う。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記プ
ロトンは環境中に極微量のアルカリ性ガス物質（例え
ば、アンモニア、アミン類）が存在すると、失活してし
まいパターン形成に不都合な影響を及ぼすという問題が
ある。そして、アルカリ性ガス物質の除去には活性炭が
有効であるとの報告もあるが、従来の製造装置に活性炭
フィルタを設けてもクリーンルーム内のアルカリ性ガス
物質濃度を化学増幅作用に影響のない低濃度で長期間維
持することはできない。即ち、活性炭は飽和吸着量が小
さいので、アルカリ性ガス物質の吸着が直ぐに飽和状態
になってしまう。この為、前記製造装置に単に活性炭フ
ィルタを設けるだけでは、アルカリ性ガス物質を除去で
きる効率や寿命の点で不充分であり、工業的に利用でき
ない。
ロトンは環境中に極微量のアルカリ性ガス物質（例え
ば、アンモニア、アミン類）が存在すると、失活してし
まいパターン形成に不都合な影響を及ぼすという問題が
ある。そして、アルカリ性ガス物質の除去には活性炭が
有効であるとの報告もあるが、従来の製造装置に活性炭
フィルタを設けてもクリーンルーム内のアルカリ性ガス
物質濃度を化学増幅作用に影響のない低濃度で長期間維
持することはできない。即ち、活性炭は飽和吸着量が小
さいので、アルカリ性ガス物質の吸着が直ぐに飽和状態
になってしまう。この為、前記製造装置に単に活性炭フ
ィルタを設けるだけでは、アルカリ性ガス物質を除去で
きる効率や寿命の点で不充分であり、工業的に利用でき
ない。
【０００６】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、化学増幅作用に影響のない濃度までアルカリ性
ガス物質を低減した清浄空気を、パターン形成を行う清
浄室に長期間に渡って供給することのできる半導体装置
の製造装置を提供することを目的とする。
もので、化学増幅作用に影響のない濃度までアルカリ性
ガス物質を低減した清浄空気を、パターン形成を行う清
浄室に長期間に渡って供給することのできる半導体装置
の製造装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
する為に、清浄室と、清浄室内に設けられ、ウエハ表面
に感光性有機膜の前躯体を形成する膜形成装置、前記膜
形成装置で形成された前記感光性有機膜に紫外線領域の
波長光を照射する露光装置、前記露光装置で露光された
前記感光性有機膜を現像する現像装置、前記現像装置で
現像された前記感光性有機膜をベーキングするベーク装
置から構成されるパターン形成手段と、前記清浄室に空
気を取り込む空気取込経路に設けられ、前記清浄室に取
り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィルタと、前記空
気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給する空
調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於いて、前
記空気取込経路及び／又は前記空調手段に、酸性硫酸塩
を活性炭に添着させたアルカリ性ガス物質除去フィルタ
を設けたことを特徴とする
する為に、清浄室と、清浄室内に設けられ、ウエハ表面
に感光性有機膜の前躯体を形成する膜形成装置、前記膜
形成装置で形成された前記感光性有機膜に紫外線領域の
波長光を照射する露光装置、前記露光装置で露光された
前記感光性有機膜を現像する現像装置、前記現像装置で
現像された前記感光性有機膜をベーキングするベーク装
置から構成されるパターン形成手段と、前記清浄室に空
気を取り込む空気取込経路に設けられ、前記清浄室に取
り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィルタと、前記空
気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給する空
調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於いて、前
記空気取込経路及び／又は前記空調手段に、酸性硫酸塩
を活性炭に添着させたアルカリ性ガス物質除去フィルタ
を設けたことを特徴とする
【０００８】
【作用】本発明によれば、清浄室に空気を取り込む空気
取込経路及び／又は前記空気取込経路を介して清浄室に
空調空気を供給する空調手段に、酸性硫酸塩を活性炭に
添着させたアルカリ性ガス物質除去フィルタを設けた。
そして、前記空気取込経路に設けられたＨＥＰＡフィル
タでの空気浄化に加え、このアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタを通してクリーンルーム内に空気を供給するよう
にしたので、清浄室内に取り込まれる空気中のアルカリ
性ガス物質濃度を低減させることができる。
取込経路及び／又は前記空気取込経路を介して清浄室に
空調空気を供給する空調手段に、酸性硫酸塩を活性炭に
添着させたアルカリ性ガス物質除去フィルタを設けた。
そして、前記空気取込経路に設けられたＨＥＰＡフィル
タでの空気浄化に加え、このアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタを通してクリーンルーム内に空気を供給するよう
にしたので、清浄室内に取り込まれる空気中のアルカリ
性ガス物質濃度を低減させることができる。
【０００９】また、活性炭に、アルカリ性ガス物質を吸
収する化学物質、例えば酸性硫酸塩を添着させたことに
より、アルカリ性ガス物質を除去する除去性能を向上さ
せることができると共に、除去性能が低下するまでの寿
命を延ばすことができる。これにより、清浄室内のアル
カリ性ガス物質濃度を長期間にわたって安定的に低減さ
せることができるので、化学増幅作用を伴うパターン形
成の安定性及び信頼性を向上させることができる。
収する化学物質、例えば酸性硫酸塩を添着させたことに
より、アルカリ性ガス物質を除去する除去性能を向上さ
せることができると共に、除去性能が低下するまでの寿
命を延ばすことができる。これにより、清浄室内のアル
カリ性ガス物質濃度を長期間にわたって安定的に低減さ
せることができるので、化学増幅作用を伴うパターン形
成の安定性及び信頼性を向上させることができる。
【００１０】
【実施例】以下添付図面に従って本発明に係る半導体装
置の製造装置の好ましい実施例について詳説する。図１
は本発明の半導体装置の製造装置の第１実施例を示す構
成図である。製造装置は、主としてクリーンルーム１０
と、クリーンルーム１０に温湿度を調整した清浄空気を
供給する空調器１２と、前記クリーンルーム１０の清浄
室１０Ａ内に工程順に配設された感光性樹脂膜の前躯体
を形成する膜形成装置１４、露光装置１６、現像・ベー
ク装置１８と、から構成されている。また、クリーンル
ーム１０は、二重構造で形成され、前記各装置１４、１
６、１８を収納する前記清浄室１０Ａと、清浄室１０Ａ
周囲に一定空間を有する空気循環系空間１０Ｂから構成
されている。更に、空気循環系空間１０Ｂは天井裏空間
１０Ｃ、床下空間１０Ｄ、天井裏空間１０Ｃと床下空間
１０Ｄを連通するリターンエリア１０Ｅとから成ってい
る。また、前記清浄室１０Ａの天井部全体に、高性能な
塵埃除去機能を有するＨＥＰＡフィルタ２０、２０…が
複数敷きつめられている。また、清浄室１０Ａの天井裏
には、前記各ＨＥＰＡフィルタ２０に夫々連通するファ
ン２２Ａ付きフィルタユニット（以下ＦＦＵという）２
２、２２…が設けられている。そして、夫々のＦＦＵ２
２、２２…の空気取込口にはアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタ２４、２４…が設けられている。また、前記清浄
室１０Ａの床面は格子状になり、清浄室１０Ａ内の空気
を床下空間１０Ｄに排出する排気口１０Ｆを形成してい
る。
置の製造装置の好ましい実施例について詳説する。図１
は本発明の半導体装置の製造装置の第１実施例を示す構
成図である。製造装置は、主としてクリーンルーム１０
と、クリーンルーム１０に温湿度を調整した清浄空気を
供給する空調器１２と、前記クリーンルーム１０の清浄
室１０Ａ内に工程順に配設された感光性樹脂膜の前躯体
を形成する膜形成装置１４、露光装置１６、現像・ベー
ク装置１８と、から構成されている。また、クリーンル
ーム１０は、二重構造で形成され、前記各装置１４、１
６、１８を収納する前記清浄室１０Ａと、清浄室１０Ａ
周囲に一定空間を有する空気循環系空間１０Ｂから構成
されている。更に、空気循環系空間１０Ｂは天井裏空間
１０Ｃ、床下空間１０Ｄ、天井裏空間１０Ｃと床下空間
１０Ｄを連通するリターンエリア１０Ｅとから成ってい
る。また、前記清浄室１０Ａの天井部全体に、高性能な
塵埃除去機能を有するＨＥＰＡフィルタ２０、２０…が
複数敷きつめられている。また、清浄室１０Ａの天井裏
には、前記各ＨＥＰＡフィルタ２０に夫々連通するファ
ン２２Ａ付きフィルタユニット（以下ＦＦＵという）２
２、２２…が設けられている。そして、夫々のＦＦＵ２
２、２２…の空気取込口にはアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタ２４、２４…が設けられている。また、前記清浄
室１０Ａの床面は格子状になり、清浄室１０Ａ内の空気
を床下空間１０Ｄに排出する排気口１０Ｆを形成してい
る。
【００１１】また、空調器１２は、その給気側が給気ダ
クト２６を介してＦＦＵ２２に夫々繋がり、その還気側
が還気ダクト３０を介して床下空間１０Ｄに繋がってい
る。また、空調器１２は前記還気側から湿度調整部１２
Ａ、給気ファン１２Ｂ、温度調整部１２Ｃ、除塵フィル
タ１２Ｄから成っている。本発明の半導体装置の製造装
置は、図１に示すように、ＦＦＵ２２の空気取込口にア
ルカリ性ガス物質除去フィルタ２４が設けられている点
で図７に示した従来の製造装置と相違している。そし
て、アルカリ性ガス物質除去フィルタ２４の構造は図２
に示すようになっている。即ち、主材は、ハニカム状に
形成された多数の直方体状の活性炭ブロック３２Ａ、３
２Ａ…に化学物質として、酸性硫酸塩を添着させたもの
を平面的に敷きつめて一枚の活性炭基板３２を形成し、
この活性炭基板３２の両面を保護シート３４、３４で挟
み、更に保護シート３４の両面から微細メッシュの金網
３６Ａを有するケーシング３６、３６で挟み込んでサン
ドイッチ構造に組み立てられている。尚、必要に応じて
保護シート３４とケーシング３６との間に防塵シート３
８を挟み込むようにしてもよい。
クト２６を介してＦＦＵ２２に夫々繋がり、その還気側
が還気ダクト３０を介して床下空間１０Ｄに繋がってい
る。また、空調器１２は前記還気側から湿度調整部１２
Ａ、給気ファン１２Ｂ、温度調整部１２Ｃ、除塵フィル
タ１２Ｄから成っている。本発明の半導体装置の製造装
置は、図１に示すように、ＦＦＵ２２の空気取込口にア
ルカリ性ガス物質除去フィルタ２４が設けられている点
で図７に示した従来の製造装置と相違している。そし
て、アルカリ性ガス物質除去フィルタ２４の構造は図２
に示すようになっている。即ち、主材は、ハニカム状に
形成された多数の直方体状の活性炭ブロック３２Ａ、３
２Ａ…に化学物質として、酸性硫酸塩を添着させたもの
を平面的に敷きつめて一枚の活性炭基板３２を形成し、
この活性炭基板３２の両面を保護シート３４、３４で挟
み、更に保護シート３４の両面から微細メッシュの金網
３６Ａを有するケーシング３６、３６で挟み込んでサン
ドイッチ構造に組み立てられている。尚、必要に応じて
保護シート３４とケーシング３６との間に防塵シート３
８を挟み込むようにしてもよい。
【００１２】次に、上記の如く構成された半導体装置の
製造装置の作用について説明する。クリーンルーム１０
の清浄室１０Ａでは、膜形成装置１４によりウエハ表面
に感光性樹脂膜の前躯体を形成し、露光装置１６により
前記感光性樹脂膜を露光して回路パターンを焼付け、次
いで現像・ベーク装置１８により露光された感光性樹脂
膜に現像液を吹き付けて露光部もしくは未露光部を溶解
し、最後にベーキングする各処理が行われる。そして、
前記処理の行われる清浄室１０Ａには、次のように清浄
空気４０が供給される。即ち、空調器１２の湿度調整部
１２Ａ、温度調整部１２Ｃで温湿度が調整され、除塵フ
ィルタ１２Ｄで除塵された空気は、給気ファン１２Ｂに
より、給気ダクト２６を介して各ＦＦＵ２２、２２…に
給気され、ＦＦＵ２２の空気取込口から取り込まれる。
また、リターンエリア１０Ｅを通り天井裏空間１０Ｃに
循環された空気４２もＦＦＵ２２の空気取込口から取り
込まれる。そして、ＦＦＵ２２に取り込まれた空気は、
ＦＦＵ２２の空気取込口に設けられたアルカリ性ガス物
質除去フィルタ２４により、アルカリ性ガス物質が除去
される。アルカリ性ガス物質が除去された空気は、次
に、ＨＥＰＡフィルタを通り塵埃等が高精度に除塵され
て清浄室１０Ａ内に供給される。清浄室１２Ａ内に供給
された空気は、清浄室１０Ａ内を浄化した後、清浄室１
０Ａの床面に形成された排出口１０から床下空間１０Ｄ
に排出される。床下空間１０Ｄに排出された大部分の空
気は、空調器１２に戻り、外気３１と混合されてから温
度、湿度、除塵処理が施され再びＦＦＵ２２に至る循環
を行う。一方、床下空間１０Ｄの一部の空気は、リター
ンエリア１０Ｅを通って天井裏空間１０Ｃに至る循環を
行う。
製造装置の作用について説明する。クリーンルーム１０
の清浄室１０Ａでは、膜形成装置１４によりウエハ表面
に感光性樹脂膜の前躯体を形成し、露光装置１６により
前記感光性樹脂膜を露光して回路パターンを焼付け、次
いで現像・ベーク装置１８により露光された感光性樹脂
膜に現像液を吹き付けて露光部もしくは未露光部を溶解
し、最後にベーキングする各処理が行われる。そして、
前記処理の行われる清浄室１０Ａには、次のように清浄
空気４０が供給される。即ち、空調器１２の湿度調整部
１２Ａ、温度調整部１２Ｃで温湿度が調整され、除塵フ
ィルタ１２Ｄで除塵された空気は、給気ファン１２Ｂに
より、給気ダクト２６を介して各ＦＦＵ２２、２２…に
給気され、ＦＦＵ２２の空気取込口から取り込まれる。
また、リターンエリア１０Ｅを通り天井裏空間１０Ｃに
循環された空気４２もＦＦＵ２２の空気取込口から取り
込まれる。そして、ＦＦＵ２２に取り込まれた空気は、
ＦＦＵ２２の空気取込口に設けられたアルカリ性ガス物
質除去フィルタ２４により、アルカリ性ガス物質が除去
される。アルカリ性ガス物質が除去された空気は、次
に、ＨＥＰＡフィルタを通り塵埃等が高精度に除塵され
て清浄室１０Ａ内に供給される。清浄室１２Ａ内に供給
された空気は、清浄室１０Ａ内を浄化した後、清浄室１
０Ａの床面に形成された排出口１０から床下空間１０Ｄ
に排出される。床下空間１０Ｄに排出された大部分の空
気は、空調器１２に戻り、外気３１と混合されてから温
度、湿度、除塵処理が施され再びＦＦＵ２２に至る循環
を行う。一方、床下空間１０Ｄの一部の空気は、リター
ンエリア１０Ｅを通って天井裏空間１０Ｃに至る循環を
行う。
【００１３】このように、本発明の半導体装置の製造装
置は、活性炭に酸性硫酸塩を添着させたアルカリ性ガス
物質除去フィルタ２４をＦＦＵ２２の空気取込口に設
け、天井部に設けたＨＥＰＡフィルタ２０での空気浄化
に加えて、アルカリ性ガス物質除去フィルタ２４でアル
カリ性ガス物質を除去した清浄空気を清浄室１０Ａに供
給するようにした。
置は、活性炭に酸性硫酸塩を添着させたアルカリ性ガス
物質除去フィルタ２４をＦＦＵ２２の空気取込口に設
け、天井部に設けたＨＥＰＡフィルタ２０での空気浄化
に加えて、アルカリ性ガス物質除去フィルタ２４でアル
カリ性ガス物質を除去した清浄空気を清浄室１０Ａに供
給するようにした。
【００１４】また、活性炭に、アルカリ性ガス物質を効
率的吸収する酸性硫酸塩を添着させたことにより、アル
カリ性ガス物質を除去する除去性能を向上させることが
できると共に、除去性能が低下するまでの寿命を延ばす
ことができるようにした。これにより、クリーンルーム
１０の清浄室１０Ａに供給される空気中のアルカリ性ガ
ス物質濃度を効率よく長期間に渡って低減させることが
できる。例えば、空気中のアルカリ性ガス物質濃度を平
均１０ｐｐｂとすると、化学増幅形の感光性樹脂を形成
して高解像、高感度のパターン形成を安定して行う為に
は、除去率９０％以上に相当する１ｐｐｂ以下の基準の
空気を清浄室１０Ａに供給する必要がある。そして、活
性炭に酸性硫酸塩を添着させた場合は、２年以上たって
も前記基準をクリアしたのに対し、無添着の活性炭は、
約３カ月で前記基準をオーバーした。また、空気中のア
ルカリ性ガス物質は数ｐｐｂ〜数十ｐｐｂの範囲で変化
するが、活性炭に酸性硫酸塩を添着させた場合は、前記
変化にも係わらず２年以上にわたって１ｐｐｂ以下を維
持することができた。
率的吸収する酸性硫酸塩を添着させたことにより、アル
カリ性ガス物質を除去する除去性能を向上させることが
できると共に、除去性能が低下するまでの寿命を延ばす
ことができるようにした。これにより、クリーンルーム
１０の清浄室１０Ａに供給される空気中のアルカリ性ガ
ス物質濃度を効率よく長期間に渡って低減させることが
できる。例えば、空気中のアルカリ性ガス物質濃度を平
均１０ｐｐｂとすると、化学増幅形の感光性樹脂を形成
して高解像、高感度のパターン形成を安定して行う為に
は、除去率９０％以上に相当する１ｐｐｂ以下の基準の
空気を清浄室１０Ａに供給する必要がある。そして、活
性炭に酸性硫酸塩を添着させた場合は、２年以上たって
も前記基準をクリアしたのに対し、無添着の活性炭は、
約３カ月で前記基準をオーバーした。また、空気中のア
ルカリ性ガス物質は数ｐｐｂ〜数十ｐｐｂの範囲で変化
するが、活性炭に酸性硫酸塩を添着させた場合は、前記
変化にも係わらず２年以上にわたって１ｐｐｂ以下を維
持することができた。
【００１５】これにより、本発明の製造装置を用い、本
発明の製造方法で製造すれば、清浄室１０Ａ内のアルカ
リ性ガス物質濃度を長期間にわたって安定的に低減させ
ることができるので、化学増幅作用を伴うパターン形成
の安定性及び信頼性を向上させることができる。従っ
て、化学増幅形の感光性樹脂を用いた高解像、高感度の
パターン形成を安定的に精度よく行うことができるの
で、半導体集積回路の微細化が可能となり高い集積度の
半導体装置を製造することができる。
発明の製造方法で製造すれば、清浄室１０Ａ内のアルカ
リ性ガス物質濃度を長期間にわたって安定的に低減させ
ることができるので、化学増幅作用を伴うパターン形成
の安定性及び信頼性を向上させることができる。従っ
て、化学増幅形の感光性樹脂を用いた高解像、高感度の
パターン形成を安定的に精度よく行うことができるの
で、半導体集積回路の微細化が可能となり高い集積度の
半導体装置を製造することができる。
【００１６】また、アルカリ性ガス物質除去フィルタ２
４は、ハニカム状の活性炭に酸性硫酸塩を添着させて形
成し、通気抵抗が極めて小さくなるようにしたので、Ｆ
ＦＵ２２のファン２２Ａへの負担を増加させることがな
い。次に、図３に従って、本発明の半導体製造装置の第
２実施例について説明する。尚、第１実施例と同じ部材
については同符号を付して説明する。
４は、ハニカム状の活性炭に酸性硫酸塩を添着させて形
成し、通気抵抗が極めて小さくなるようにしたので、Ｆ
ＦＵ２２のファン２２Ａへの負担を増加させることがな
い。次に、図３に従って、本発明の半導体製造装置の第
２実施例について説明する。尚、第１実施例と同じ部材
については同符号を付して説明する。
【００１７】図３に示すように、第１実施例との違い
は、第１実施例ではアルカリ性ガス物質除去フィルタ２
４をＦＦＵ２２の空気取込口に設けたのに対し、第２実
施例では、清浄室１０Ａの天井部でＦＦＵ２２とＨＥＰ
Ａフィルタ２０との間に設けたことである。第２実施例
の場合も、第１実施例と同様のアルカリ性ガス物質除去
性能を得ることができる。また、第２実施例では天井部
に設けたので、第１実施例のＦＦＵ２２の空気取込口に
設ける場合に比べ、一般的に設置面積を大きく確保する
ことができる。これにより、一定の通気量に対して圧損
を小さくできる長所がある。
は、第１実施例ではアルカリ性ガス物質除去フィルタ２
４をＦＦＵ２２の空気取込口に設けたのに対し、第２実
施例では、清浄室１０Ａの天井部でＦＦＵ２２とＨＥＰ
Ａフィルタ２０との間に設けたことである。第２実施例
の場合も、第１実施例と同様のアルカリ性ガス物質除去
性能を得ることができる。また、第２実施例では天井部
に設けたので、第１実施例のＦＦＵ２２の空気取込口に
設ける場合に比べ、一般的に設置面積を大きく確保する
ことができる。これにより、一定の通気量に対して圧損
を小さくできる長所がある。
【００１８】次に、図４及び図５に従って、本発明の第
３実施例を説明する。図４に示すように、第３実施例
は、感光性樹脂膜の前躯体を形成する膜形成装置１４、
露光装置１６、現像・ベーク装置１８を、夫々の精密空
調クリーンチャンバ４４、４４、４４に収納し、各精密
空調クリーンチャンバ４４に空気浄化装置を設けたこと
である。即ち、図５に示すように、露光装置１６を精密
空調クリーンチャンバ４４に収納した例で説明すると、
精密空調クリーンチャンバ４４は、前記クリーンルーム
１０と略同様に清浄室４４Ａ、天井空間４４Ｂ、床下空
間４４Ｃ、リターンエリア４４Ｄから構成されている。
そして、清浄室４４Ａの天井部にＨＥＰＡフィルタ２０
及びアルカリ性ガス物質除去フィルタ２４を設けると共
に、リターンエリア４４Ｄに精密空調機４６が設けた。
そして、送風機４８により所定風量の空気を天井空間４
４Ｂに供給して天井空間４４Ｂを圧力室とし、清浄室４
４Ａ内にアルカリ性ガス物質を低減させた清浄空気を吹
き出すようにしている。
３実施例を説明する。図４に示すように、第３実施例
は、感光性樹脂膜の前躯体を形成する膜形成装置１４、
露光装置１６、現像・ベーク装置１８を、夫々の精密空
調クリーンチャンバ４４、４４、４４に収納し、各精密
空調クリーンチャンバ４４に空気浄化装置を設けたこと
である。即ち、図５に示すように、露光装置１６を精密
空調クリーンチャンバ４４に収納した例で説明すると、
精密空調クリーンチャンバ４４は、前記クリーンルーム
１０と略同様に清浄室４４Ａ、天井空間４４Ｂ、床下空
間４４Ｃ、リターンエリア４４Ｄから構成されている。
そして、清浄室４４Ａの天井部にＨＥＰＡフィルタ２０
及びアルカリ性ガス物質除去フィルタ２４を設けると共
に、リターンエリア４４Ｄに精密空調機４６が設けた。
そして、送風機４８により所定風量の空気を天井空間４
４Ｂに供給して天井空間４４Ｂを圧力室とし、清浄室４
４Ａ内にアルカリ性ガス物質を低減させた清浄空気を吹
き出すようにしている。
【００１９】第３実施例の場合は、第１実施例に比べて
浄化すべき空間が限定され、局所浄化を行うことができ
るので、動力費用が少ないという長所を有することがで
きる。また、膜形成装置１４、露光装置１６、現像・ベ
ーク装置１８ごとのアルカリ性ガス物質除去基準及び塵
埃の清浄度基準に対応させることができる。次に、図６
に従って、本発明の第４実施例を説明する。尚、第１実
施例と同じ部材については同符号を付して説明する。
浄化すべき空間が限定され、局所浄化を行うことができ
るので、動力費用が少ないという長所を有することがで
きる。また、膜形成装置１４、露光装置１６、現像・ベ
ーク装置１８ごとのアルカリ性ガス物質除去基準及び塵
埃の清浄度基準に対応させることができる。次に、図６
に従って、本発明の第４実施例を説明する。尚、第１実
施例と同じ部材については同符号を付して説明する。
【００２０】第１実施例との違いは、空調器１２にアル
カリ性ガス物質除去フィルタ２４を配設し、且つ、空調
器１２とクリーンルーム１０とを循環させる空気の湿度
を調整したことである。即ち、清浄室１０Ａの床下空間
１０Ｆから還気ダクト３０を介して空調器１２に戻った
空気は、外気３１と混合された後、第１の湿度調整部１
２Ａで湿度を４０〜６０％に調整され、アルカリ性ガス
物質除去フィルタ２４でアルカリ性ガス物質が低減され
る。更に、給気ファン１２Ｂを介して第２の湿度調整部
１２Ｅに送気され湿度を２０〜４０％に調整された後、
温度調整部１２Ｃ、除塵フィルタ１２Ｄを通り、給気ダ
クト２６を介してＦＦＵ２２の空気取込口に給気され
る。
カリ性ガス物質除去フィルタ２４を配設し、且つ、空調
器１２とクリーンルーム１０とを循環させる空気の湿度
を調整したことである。即ち、清浄室１０Ａの床下空間
１０Ｆから還気ダクト３０を介して空調器１２に戻った
空気は、外気３１と混合された後、第１の湿度調整部１
２Ａで湿度を４０〜６０％に調整され、アルカリ性ガス
物質除去フィルタ２４でアルカリ性ガス物質が低減され
る。更に、給気ファン１２Ｂを介して第２の湿度調整部
１２Ｅに送気され湿度を２０〜４０％に調整された後、
温度調整部１２Ｃ、除塵フィルタ１２Ｄを通り、給気ダ
クト２６を介してＦＦＵ２２の空気取込口に給気され
る。
【００２１】第４実施例のように、空調器１２にアルカ
リ性ガス物質除去フィルタ２４を設け、空調器１２とク
リーンルーム１０とを循環させる空気の湿度を調整する
ことにより、ＦＦＵ２２の空気取込口にアルカリ性ガス
物質除去フィルタを設けた第１実施例の除去性能に比
べ、更に良好な性能を得ることができる。尚、第１実施
例のようにＦＦＵ２２の空気取込口にアルカリ性ガス物
質除去フィルタ２４を設けた場合、あるいは第２実施例
のように、清浄室の天井部にアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタ２４を設けた場合は、空調器１２から供給する空
気湿度を３０〜４０％になるように調整すると、第４実
施例の場合と同様に空気湿度を調整することによるアル
カリ性ガス物質除去性能の向上を図ることができる。ま
た、第３実施例のように、膜形成装置１４、露光装置１
６、現像・ベーク装置１８を夫々精密空調クリーンチャ
ンバ４４、４４、４４に収納した場合も、精密空調装置
から給気する空気の湿度を３０〜４０％になるように調
整することにより同様の効果を得ることができる。
リ性ガス物質除去フィルタ２４を設け、空調器１２とク
リーンルーム１０とを循環させる空気の湿度を調整する
ことにより、ＦＦＵ２２の空気取込口にアルカリ性ガス
物質除去フィルタを設けた第１実施例の除去性能に比
べ、更に良好な性能を得ることができる。尚、第１実施
例のようにＦＦＵ２２の空気取込口にアルカリ性ガス物
質除去フィルタ２４を設けた場合、あるいは第２実施例
のように、清浄室の天井部にアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタ２４を設けた場合は、空調器１２から供給する空
気湿度を３０〜４０％になるように調整すると、第４実
施例の場合と同様に空気湿度を調整することによるアル
カリ性ガス物質除去性能の向上を図ることができる。ま
た、第３実施例のように、膜形成装置１４、露光装置１
６、現像・ベーク装置１８を夫々精密空調クリーンチャ
ンバ４４、４４、４４に収納した場合も、精密空調装置
から給気する空気の湿度を３０〜４０％になるように調
整することにより同様の効果を得ることができる。
【００２２】尚、上記第１実施例、第２実施例、第３実
施例、第４実施例において、活性炭に添着させる化学物
質として、酸性硫酸塩を使用したが、リン酸を添着させ
てもよい。この場合は、リンの二次汚染が問題にならな
い工程であれば、アルカリ性ガス物質の除去効率及び寿
命において酸性硫酸塩と比べ同等以上の性能を得ること
ができる。
施例、第４実施例において、活性炭に添着させる化学物
質として、酸性硫酸塩を使用したが、リン酸を添着させ
てもよい。この場合は、リンの二次汚染が問題にならな
い工程であれば、アルカリ性ガス物質の除去効率及び寿
命において酸性硫酸塩と比べ同等以上の性能を得ること
ができる。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体装置の製造装置によれば、活性炭に化学物質、例えば
酸性硫酸塩を添着させて成るアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタを通してクリーンルームの清浄室に空気を供給す
るようにしたので、クリーンルームの清浄室に供給する
空気中のアルカリ性ガス物質濃度を効率よく長期間に渡
って低減させることができる。
体装置の製造装置によれば、活性炭に化学物質、例えば
酸性硫酸塩を添着させて成るアルカリ性ガス物質除去フ
ィルタを通してクリーンルームの清浄室に空気を供給す
るようにしたので、クリーンルームの清浄室に供給する
空気中のアルカリ性ガス物質濃度を効率よく長期間に渡
って低減させることができる。
【００２６】これにより、清浄室内のアルカリ性ガス物
質濃度を長期間にわたって安定的に低減させることがで
きるので、化学増幅作用を伴うパターン形成の安定性及
び信頼性を向上させることができる。従って、本発明の
製造装置を用いれば、化学増幅形の感光性樹脂を用いた
高解像、高感度のパターン形成を行うことができるの
で、半導体集積回路の微細化が可能となり高い集積度の
半導体装置を製造することができる。
質濃度を長期間にわたって安定的に低減させることがで
きるので、化学増幅作用を伴うパターン形成の安定性及
び信頼性を向上させることができる。従って、本発明の
製造装置を用いれば、化学増幅形の感光性樹脂を用いた
高解像、高感度のパターン形成を行うことができるの
で、半導体集積回路の微細化が可能となり高い集積度の
半導体装置を製造することができる。
【図１】本発明に係る半導体装置の製造装置の第１実施
例を示す構成図
例を示す構成図
【図２】本発明のアルカリ性ガス物質除去フィルタの構
造を示す斜視図
造を示す斜視図
【図３】本発明に係る半導体装置の製造装置の第２実施
例を示す構成図
例を示す構成図
【図４】本発明に係る半導体装置の製造装置の第３実施
例を示す要部説明図
例を示す要部説明図
【図５】本発明に係る半導体装置の製造装置の第３実施
例を示す構成図
例を示す構成図
【図６】本発明に係る半導体装置の製造装置の第４実施
例を示す構成図
例を示す構成図
【図７】従来の半導体装置の製造装置示す構成図
１０…クリーンルーム １０Ａ…清浄室 １２…空調器 １４…膜形成装置 １６…露出装置 １８…現像・ベーク装置 ２０…ＨＥＰＡフィルタ ２２…ファンフィルタユニット ２４…アルカリ性ガス物質除去フィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｆ (72)発明者 小 塩 良 次 東京都千代田区内神田１丁目１番14号 日立プラント建設株式会社内 (72)発明者 佐 々 木 典 令 東京都千代田区内神田１丁目１番14号 日立プラント建設株式会社内 (72)発明者 佐 藤 等 東京都千代田区内神田１丁目１番14号 日立プラント建設株式会社内 (72)発明者 岡 崎 信 次 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 西 田 高 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所 中央研究所内 (72)発明者 前 島 央 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株式会社日立製作所 武蔵工場内 (56)参考文献 特開 平６−208947（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−20906（ＪＰ，Ａ) ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．1466、Ａｄｖａｎ ｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈ ｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒ (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】清浄室と、 清浄室内に設けられ、ウエハ表面に感光性有機膜の前躯
体を形成する膜形成装置、前記膜形成装置で形成された
前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する露光
装置、前記露光装置で露光された前記感光性有機膜を現
像する現像装置、前記現像装置で現像された前記感光性
有機膜をベーキングするベーク装置から構成されるパタ
ーン形成手段と、 前記清浄室に空気を取り込む空気取込経路に設けられ、
前記清浄室に取り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィ
ルタと、 前記空気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給
する空調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於い
て、 前記空気取込経路及び／又は前記空調手段に、酸性硫酸
塩を活性炭に添着させたアルカリ性ガス物質除去フィル
タを設けたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】清浄室と、 清浄室内に設けられ、ウエハ表面に感光性有機膜の前躯
体を形成する膜形成装置、前記膜形成装置で形成された
前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する露光
装置、前記露光装置で露光された前記感光性有機膜を現
像する現像装置、前記現像装置で現像された前記感光性
有機膜をベーキングするベーク装置から構成されるパタ
ーン形成手段と、 前記清浄室に空気を取り込む空気取込経路に設けられ、
前記清浄室に取り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィ
ルタと、 前記空気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給
する空調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於い
て、 前記空気取込経路及び／又は前記空調手段に、ハニカム
状の活性炭ブロックに アルカリ性ガスを吸収する化学物
質を添着させたアルカリ性ガス物質除去フィルタを設け
た ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項３】清浄室と、 清浄室内に設けられ、ウエハ表面に感光性有機膜の前躯
体を形成する膜形成装置、前記膜形成装置で形成された
前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する露光
装置、前記露光装置で露光された前記感光性有機膜を現
像する現像装置、前記現像装置で現像された前記感光性
有機膜をベーキングするベーク装置から構成されるパタ
ーン形成手段と、 前記清浄室に空気を取り込む空気取込経路に設けられ、
前記清浄室に取り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィ
ルタと、 前記空気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給
する空調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於い
て、 前記空気取込経路であって、前記清浄室の天井に敷設し
た複数のファンフィルタユニットの空気取入口にアルカ
リ性ガス物質除去フィルタを設けた ことを特徴とする半
導体装置の製造装置。 - 【請求項４】清浄室と、 清浄室内に設けられ、ウエハ表面に感光性有機膜の前躯
体を形成する膜形成装置、前記膜形成装置で形成された
前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する露光
装置、前記露光装置で露光された前記感光性有機膜を現
像する現像装置、前記現像装置で現像された前記感光性
有機膜をベーキングするベーク装置から構成されるパタ
ーン形成手段と、 前記清浄室に空気を取り込む空気取込経路に設けられ、
前記清浄室に取り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィ
ルタと、 前記空気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給
する空調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於い
て、 前記空気取込経路及び／又は前記空調手段に、ハニカム
状の活性炭ブロックにアルカリ性ガスを吸収する酸性硫
酸塩を添着させたアルカリ性ガス物質除去フィ ルタを設
けた ことを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項５】清浄室と、 清浄室内に設けられ、ウエハ表面に感光性有機膜の前躯
体を形成する膜形成装置、前記膜形成装置で形成された
前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する露光
装置、前記露光装置で露光された前記感光性有機膜を現
像する現像装置、前記現像装置で現像された前記感光性
有機膜をベーキングするベーク装置から構成されるパタ
ーン形成手段と、 前記清浄室に空気を取り込む空気取込経路に設けられ、
前記清浄室に取り込まれる空気を浄化するＨＥＰＡフィ
ルタと、 前記空気取込経路を介して前記清浄室に空調空気を供給
する空調手段と、から成る半導体装置の製造装置に於い
て、 前記空気取込経路であって、前記清浄室の天井に敷設し
た複数のファンフィルタユニットの空気取入口にアルカ
リ性ガス物質除去フィルタを設けると共に、該アルカリ
性ガス物質除去フィルタはハニカム状の活性炭ブロック
に酸性硫酸塩を添着させたものである ことを特徴とする
半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07947393A JP3246621B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07947393A JP3246621B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06318538A JPH06318538A (ja) | 1994-11-15 |
| JP3246621B2 true JP3246621B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=13690866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07947393A Expired - Fee Related JP3246621B2 (ja) | 1993-04-06 | 1993-04-06 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3246621B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3375294B2 (ja) * | 1998-12-17 | 2003-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置、処理システムおよび該装置における清浄エアの供給方法 |
| JP4737809B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2011-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置及び半導体製造方法 |
| US10576730B2 (en) * | 2017-07-19 | 2020-03-03 | Eastman Kodak Company | Method for preparing lithographic printing plates |
-
1993
- 1993-04-06 JP JP07947393A patent/JP3246621B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．１４６６、Ａｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｒｅｓｉｓｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ａｎｄ Ｐｒ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06318538A (ja) | 1994-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7186285B2 (en) | Chemical filter arrangement for a semiconductor manufacturing apparatus | |
| KR100433349B1 (ko) | 노광 장치에 사용되는 기체 정화 장치 및 기체 정화 방법과 노광장치 | |
| US5434644A (en) | Filter device | |
| JPH11204411A (ja) | 塗布現像露光装置 | |
| JP3246621B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| KR100529442B1 (ko) | 처리 공기 공급 장치 및 방법 | |
| JP3152779B2 (ja) | レジスト処理方法及びレジスト処理装置 | |
| JPH11111593A (ja) | 環境制御装置 | |
| JP4789352B2 (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| JP4166909B2 (ja) | 高度清浄装置，局所清浄システム及びオゾン分解フィルタとその製造方法 | |
| JP3633086B2 (ja) | 空調装置及びそれを備えた露光装置 | |
| JPWO2002053267A1 (ja) | ファンフィルタユニット及びその製造方法、露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JP3061980B2 (ja) | 半導体露光装置 | |
| US20070243487A1 (en) | Forming method of resist pattern and writing method of charged particle beam | |
| JP3094055B2 (ja) | フィルタ装置及びレジスト処理システム | |
| JP4434518B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP3048318B2 (ja) | レジスト処理装置 | |
| JP3550627B2 (ja) | 露光装置 | |
| US5984541A (en) | Resist processing system | |
| JPH10149970A (ja) | 処理装置及びデバイス生産方法 | |
| JP2001141257A (ja) | 環境制御装置および半導体製造装置 | |
| JPH08327092A (ja) | 空気調和方法および空気調和装置 | |
| JPH0449774Y2 (ja) | ||
| JP3663551B2 (ja) | レジスト・パターンの形成方法 | |
| JP2002153719A (ja) | フィルタ装置及び環境制御装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081102 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081102 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091102 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101102 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |