JP2001141257A - 環境制御装置および半導体製造装置 - Google Patents
環境制御装置および半導体製造装置Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 環境チャンバ内に収納される装置の性能劣化
を防止する。 【解決手段】 具体的には、本発明の環境制御装置は、
収納される器機周囲の空気清浄度および温度を含む環境
条件を一定に保つための環境チャンバ内で、環境条件を
調節するための空調機室の一部をなす冷却部での結露水
を排水する排水口から外気が侵入することを防止するた
めに、結露水と外気とを遮断可能な排水手段を有するこ
とを特徴とする。また、本発明の半導体製造装置は、露
光装置やレジストの塗布・現像装置等の装置本体がその
周囲の空気清浄度および温度を含む環境条件を一定に保
つための環境チャンバ内に収納され、環境条件を調節す
るための空調機室の一部をなす冷却部での結露水を排水
する排水口から外気が侵入することを防止するために、
結露水と外気とを遮断可能な排水手段を有することを特
徴とする。
を防止する。 【解決手段】 具体的には、本発明の環境制御装置は、
収納される器機周囲の空気清浄度および温度を含む環境
条件を一定に保つための環境チャンバ内で、環境条件を
調節するための空調機室の一部をなす冷却部での結露水
を排水する排水口から外気が侵入することを防止するた
めに、結露水と外気とを遮断可能な排水手段を有するこ
とを特徴とする。また、本発明の半導体製造装置は、露
光装置やレジストの塗布・現像装置等の装置本体がその
周囲の空気清浄度および温度を含む環境条件を一定に保
つための環境チャンバ内に収納され、環境条件を調節す
るための空調機室の一部をなす冷却部での結露水を排水
する排水口から外気が侵入することを防止するために、
結露水と外気とを遮断可能な排水手段を有することを特
徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置、特
にレジスト塗布・現像装置や露光装置の環境（温度・湿
度・塵埃・不純物等）を制御する為の環境チャンバに関
するものである。
にレジスト塗布・現像装置や露光装置の環境（温度・湿
度・塵埃・不純物等）を制御する為の環境チャンバに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路線幅の微細化に伴い、露
光装置に用いられる光源はさらに短波長化が進み、波長
248nm のＫｒＦエキシマレーザや波長193nm のＡｒＦエ
キシマレーザがこれからの露光光源の主流になりつつあ
る。
光装置に用いられる光源はさらに短波長化が進み、波長
248nm のＫｒＦエキシマレーザや波長193nm のＡｒＦエ
キシマレーザがこれからの露光光源の主流になりつつあ
る。
【０００３】一方、この露光光の短波長化に伴い、使用
されるレジスト（感光性樹脂）は化学増幅型が主流とな
ってきた。この化学増幅型レジストは、被露光部分から
発生する酸の触媒作用によりアルカリ不溶性ベースの保
護基を切り、その部分をアルカリ可溶型に変えることで
そのパターン形成が行なわれる。このパターン形成のメ
カニズム故に、このレジストは環境雰囲気中のアミン・
アミドなどの塩基性ガスに対して非常に敏感である。す
なわち露光により発生した酸がレジスト表面において雰
囲気中の塩基性ガスにより失活し、表面難溶化（Ｔ−ｔ
ｏｐ）現象が発生する問題がある。また酸の触媒作用は
露光後のべーク（ＰＥＢ）により促進・終焉するため、
雰囲気中の塩基性ガスによるパターン表面の難溶化はウ
エハへのレジスト塗布から露光を経てべーク（ＰＥＢ）
に至るまでが問題となる。
されるレジスト（感光性樹脂）は化学増幅型が主流とな
ってきた。この化学増幅型レジストは、被露光部分から
発生する酸の触媒作用によりアルカリ不溶性ベースの保
護基を切り、その部分をアルカリ可溶型に変えることで
そのパターン形成が行なわれる。このパターン形成のメ
カニズム故に、このレジストは環境雰囲気中のアミン・
アミドなどの塩基性ガスに対して非常に敏感である。す
なわち露光により発生した酸がレジスト表面において雰
囲気中の塩基性ガスにより失活し、表面難溶化（Ｔ−ｔ
ｏｐ）現象が発生する問題がある。また酸の触媒作用は
露光後のべーク（ＰＥＢ）により促進・終焉するため、
雰囲気中の塩基性ガスによるパターン表面の難溶化はウ
エハへのレジスト塗布から露光を経てべーク（ＰＥＢ）
に至るまでが問題となる。
【０００４】また一方で露光装置には光源から出射した
光をレチクル面に照射する照明光学系を初めとして、レ
ンズやミラー等種々の光学部材が使用されているが、露
光波長の短波長化に伴い、この露光光が透過・照射する
光学部材に曇りが発生し、ウエハ面に到達する露光量が
減少するという問題がある。この曇り物質は有機化合物
や硫安（ＮＨ4）2ＳＯ4であり、その原因は、空気中に
存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン
（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは有機ガス
が、露光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着
することにあると考えられる。
光をレチクル面に照射する照明光学系を初めとして、レ
ンズやミラー等種々の光学部材が使用されているが、露
光波長の短波長化に伴い、この露光光が透過・照射する
光学部材に曇りが発生し、ウエハ面に到達する露光量が
減少するという問題がある。この曇り物質は有機化合物
や硫安（ＮＨ4）2ＳＯ4であり、その原因は、空気中に
存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン
（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは有機ガス
が、露光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着
することにあると考えられる。
【０００５】これら化学増幅型レジストの表面難溶化現
象や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体
を取り巻く周囲環境の温度や湿度あるいは塵埃を制御す
る環境チャンバに、不純物除去フィルタを搭載し、この
雰囲気中に存在する塩基性ガス・硫酸ガス・有機化合ガ
ス等の問題物質を除去することが従来から行なわれてき
た。
象や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体
を取り巻く周囲環境の温度や湿度あるいは塵埃を制御す
る環境チャンバに、不純物除去フィルタを搭載し、この
雰囲気中に存在する塩基性ガス・硫酸ガス・有機化合ガ
ス等の問題物質を除去することが従来から行なわれてき
た。
【０００６】図２はこの従来より行なわれている、不純
物除去フィルタを搭載した環境チャンバを投影露光装置
に適用した代表的な例である。同図において、１は露光
装置本体が収納された環境チャンバ、２は環境チャンバ
１の内部空間５の温度を一定に維持する為の温度調節装
置、３は環境チャンバ１内の空気を循環させる為の送風
機、４は環境チャンバ内空間５への塵埃の侵入を防ぐ除
塵フィルタ、６は送風機３により環境チャンバ内空間５
へ循環した空気が空調室へ戻るリターン口、７は環境チ
ャンバ１内に外気を導入する外気導入口、１０は環境チ
ャンバ１の外部の半導体製造工場環境、１１は環境チャ
ンバ内空間５の雰囲気温度を調節する為の冷却部、１２
は冷却部１１からの結露水１３を受けるドレンパン、１
４は結露水１３を排水する為の排水口、２１は排水口１
４から侵入し得る外気、１５は排水口１４に通じる排水
管、Ｆ１およびＦ２は各々外気用および循環空気用の不
純物除去フィルタを示す。
物除去フィルタを搭載した環境チャンバを投影露光装置
に適用した代表的な例である。同図において、１は露光
装置本体が収納された環境チャンバ、２は環境チャンバ
１の内部空間５の温度を一定に維持する為の温度調節装
置、３は環境チャンバ１内の空気を循環させる為の送風
機、４は環境チャンバ内空間５への塵埃の侵入を防ぐ除
塵フィルタ、６は送風機３により環境チャンバ内空間５
へ循環した空気が空調室へ戻るリターン口、７は環境チ
ャンバ１内に外気を導入する外気導入口、１０は環境チ
ャンバ１の外部の半導体製造工場環境、１１は環境チャ
ンバ内空間５の雰囲気温度を調節する為の冷却部、１２
は冷却部１１からの結露水１３を受けるドレンパン、１
４は結露水１３を排水する為の排水口、２１は排水口１
４から侵入し得る外気、１５は排水口１４に通じる排水
管、Ｆ１およびＦ２は各々外気用および循環空気用の不
純物除去フィルタを示す。
【０００７】図２に示すように、半導体製造工場環境１
０において露光装置本体は環境チャンバ１の中に設置さ
れており、露光装置を取り巻く周囲環境は一定に保たれ
ている。露光装置本体上では、不図示の露光光源から出
射された露光光Ｂが照明光学系Ｉで所要の光束に形成さ
れた後、レチクルＲを照射する。照射されたレチクルＲ
上の回路パターンは投影レンズＬによりウエハステージ
Ｓ上に載置されたウエハＷ上に結像され、ウエハＷ表面
に塗布されたレジストを感光させる。一方、環境チャン
バ１内において、冷却器や加熱器で構成された温度調節
装置２により一定温度に保たれた空気は、送風機３で吸
い上げられ、徐塵フィルタ４により塵埃が除去された後
に露光装置が置かれた環境チャンバ内空間５に供給され
る。この環境チャンバ内空間５に供給された空気は再度
リターン口６より取り込まれ、環境チャンバ１内を循環
する。通常この環境チャンバ１は、環境チャンバ内空間
５を環境チャンバ１が置かれている半導体製造環境１０
の気圧より僅かながら加圧状態に保つため、循環空気量
の約１割の空気を外気導入口７よりさらに取り込んでい
る。不純物除去フィルタは、外気用不純物除去フィルタ
Ｆ１と循環空気用不純物除去フィルタＦ２の２種類が環
境チャンバ１内に設けられている。外気導入口７より取
り込まれた空気は、まず外気用不純物除去フィルタＦ１
により不純物が取り除かれる。この不純物が取り除かれ
た外気は、リターン口６より取り込まれた循環空気と一
緒に温度調節装置２を経て、循環空気用不純物除去フィ
ルタＦ２によりさらに不純物が取り除かれる。このよう
な外気導入口７より取り込まれる空気だけでなく、空気
の循環経路中にも不純物除去フィルタＦ２を設けること
により、露光装置が置かれる環境チャンバ内空間５はた
えず問題物質を十分に除去した空気で満たしている。
０において露光装置本体は環境チャンバ１の中に設置さ
れており、露光装置を取り巻く周囲環境は一定に保たれ
ている。露光装置本体上では、不図示の露光光源から出
射された露光光Ｂが照明光学系Ｉで所要の光束に形成さ
れた後、レチクルＲを照射する。照射されたレチクルＲ
上の回路パターンは投影レンズＬによりウエハステージ
Ｓ上に載置されたウエハＷ上に結像され、ウエハＷ表面
に塗布されたレジストを感光させる。一方、環境チャン
バ１内において、冷却器や加熱器で構成された温度調節
装置２により一定温度に保たれた空気は、送風機３で吸
い上げられ、徐塵フィルタ４により塵埃が除去された後
に露光装置が置かれた環境チャンバ内空間５に供給され
る。この環境チャンバ内空間５に供給された空気は再度
リターン口６より取り込まれ、環境チャンバ１内を循環
する。通常この環境チャンバ１は、環境チャンバ内空間
５を環境チャンバ１が置かれている半導体製造環境１０
の気圧より僅かながら加圧状態に保つため、循環空気量
の約１割の空気を外気導入口７よりさらに取り込んでい
る。不純物除去フィルタは、外気用不純物除去フィルタ
Ｆ１と循環空気用不純物除去フィルタＦ２の２種類が環
境チャンバ１内に設けられている。外気導入口７より取
り込まれた空気は、まず外気用不純物除去フィルタＦ１
により不純物が取り除かれる。この不純物が取り除かれ
た外気は、リターン口６より取り込まれた循環空気と一
緒に温度調節装置２を経て、循環空気用不純物除去フィ
ルタＦ２によりさらに不純物が取り除かれる。このよう
な外気導入口７より取り込まれる空気だけでなく、空気
の循環経路中にも不純物除去フィルタＦ２を設けること
により、露光装置が置かれる環境チャンバ内空間５はた
えず問題物質を十分に除去した空気で満たしている。
【０００８】ちなみに不純物除去フィルタＦ１およびＦ
２にはイオン交換繊維を使用したケミカルフィルタや、
活性炭粒子や活性炭素繊維を使用した活性炭フィルタ、
さらにはこれら活性炭フィルタに酸性物質やアルカリ物
質を添着したケミカルフィルタなどがある。除去するガ
スの種類やフィルタの特性を考慮して、最適なフィルタ
を選択する。また複数種のガスを除去する場合には、各
々のガスに最適なフィルタを重ね合わせて使用する場合
もある。
２にはイオン交換繊維を使用したケミカルフィルタや、
活性炭粒子や活性炭素繊維を使用した活性炭フィルタ、
さらにはこれら活性炭フィルタに酸性物質やアルカリ物
質を添着したケミカルフィルタなどがある。除去するガ
スの種類やフィルタの特性を考慮して、最適なフィルタ
を選択する。また複数種のガスを除去する場合には、各
々のガスに最適なフィルタを重ね合わせて使用する場合
もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示した構成の環境チャンバにおいては、環境チャンバ１
の空気を循環させるための送風機３により、結露水１３
を排出する排水口１４近傍の圧力が減圧され、排水口１
４を通じて配水管１５内の外気２１が環境チャンバ内に
侵入し以下の問題を生じる可能性がある。 １．外気中のアミン・アミドなどの塩基性ガスが環境チ
ャンバ内に侵入し、環境チャンバ内の塩基濃度を増加さ
せ、処理しているウエハ表面のレジストに対し前述した
ような悪影響を与える。 ２．外気中に存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や
硫酸イオン（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは
有機ガスが環境チャンバ内に侵入し、前述したような露
光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着する。
示した構成の環境チャンバにおいては、環境チャンバ１
の空気を循環させるための送風機３により、結露水１３
を排出する排水口１４近傍の圧力が減圧され、排水口１
４を通じて配水管１５内の外気２１が環境チャンバ内に
侵入し以下の問題を生じる可能性がある。 １．外気中のアミン・アミドなどの塩基性ガスが環境チ
ャンバ内に侵入し、環境チャンバ内の塩基濃度を増加さ
せ、処理しているウエハ表面のレジストに対し前述した
ような悪影響を与える。 ２．外気中に存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や
硫酸イオン（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは
有機ガスが環境チャンバ内に侵入し、前述したような露
光光の照射により光化学反応的に光学部材に付着する。
【００１０】また、外気２１の侵入を防止する為に、図
３のような排水口１４にＵ字管３９を設ける方法もある
が、Ｕ字管３９に溜るドレン４０が蒸発すると配水管１
５内の外気２１が環境チャンバ内に侵入してしまう問題
がある。
３のような排水口１４にＵ字管３９を設ける方法もある
が、Ｕ字管３９に溜るドレン４０が蒸発すると配水管１
５内の外気２１が環境チャンバ内に侵入してしまう問題
がある。
【００１１】本発明の目的は上述の課題を確実に解決
し、収納される装置の性能劣化を防止する環境制御装置
を提供し、ひいては半導体製品の加工歩留を改善、向上
し得る半導体製造装置を提供することにある。
し、収納される装置の性能劣化を防止する環境制御装置
を提供し、ひいては半導体製品の加工歩留を改善、向上
し得る半導体製造装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では冷却部での結露水を排水する排水口から
外気が侵入することを防止する装置を設けることによ
り、環境チャンバ内への汚染ガスの侵入を阻止するもの
である。
め、本発明では冷却部での結露水を排水する排水口から
外気が侵入することを防止する装置を設けることによ
り、環境チャンバ内への汚染ガスの侵入を阻止するもの
である。
【００１３】具体的には、本発明は、収納される機器周
辺の空気清浄度および温度を含む環境条件を一定に保つ
ための環境チャンバ内で、環境条件を調節するための空
調機室の一部をなす冷却部での結露水を排水する排水口
から外気が侵入することを防止するために、結露水と外
気を遮断可能な排水手段を有することを特徴とする。
辺の空気清浄度および温度を含む環境条件を一定に保つ
ための環境チャンバ内で、環境条件を調節するための空
調機室の一部をなす冷却部での結露水を排水する排水口
から外気が侵入することを防止するために、結露水と外
気を遮断可能な排水手段を有することを特徴とする。
【００１４】
【作用】冷却部での結露水を排水する排水溝から外気が
侵入することを防止する装置を設ける事により、 １．外気中のアミン・アミドなどの塩基性ガスが環境チ
ャンバ内に侵入し、環境チャンバ内の塩基濃度を増加さ
せる事を防止できる。 ２．外気中に存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や
硫酸イオン（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは
有機ガスの環境チャンバ内へ侵入する事を防止できる。
侵入することを防止する装置を設ける事により、 １．外気中のアミン・アミドなどの塩基性ガスが環境チ
ャンバ内に侵入し、環境チャンバ内の塩基濃度を増加さ
せる事を防止できる。 ２．外気中に存在するアンモニウムイオン（ＮＨ4 +）や
硫酸イオン（ＳＯ4 2-）またはそれらの化合物あるいは
有機ガスの環境チャンバ内へ侵入する事を防止できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施形態におい
て、排水手段は、結露水を排水口に排水する前に、環境
チャンバ内に溜めるための遮断弁と、遮断弁を断続的に
開閉することにより結露水を排水する手段とを具備す
る。
て、排水手段は、結露水を排水口に排水する前に、環境
チャンバ内に溜めるための遮断弁と、遮断弁を断続的に
開閉することにより結露水を排水する手段とを具備す
る。
【００１６】ここで、排水手段が、環境チャンバ内に溜
められる結露水溜りの水位を検出する水位センサを具備
し、検出した水位が所定の値に達した時に、所定の水位
になるまで結露水を排水するように、遮断弁を自動開閉
するように構成することにより、排水時以外はチャンバ
内の結露水が外気に曝されることがない。また、半導体
製造装置や環境制御装置の運転停止時にも、通常遮断弁
は閉じられているので、環境チャンバ内の結露水は外気
に曝されない。
められる結露水溜りの水位を検出する水位センサを具備
し、検出した水位が所定の値に達した時に、所定の水位
になるまで結露水を排水するように、遮断弁を自動開閉
するように構成することにより、排水時以外はチャンバ
内の結露水が外気に曝されることがない。また、半導体
製造装置や環境制御装置の運転停止時にも、通常遮断弁
は閉じられているので、環境チャンバ内の結露水は外気
に曝されない。
【００１７】また、排水手段の他の実施形態としては、
排水口に排水する前に結露水を一旦環境チャンバ内に溜
め、その結露水溜りから、気体の逆流が起きない構造の
排水ポンプにより結露水を排水する構成とすることもで
きる。
排水口に排水する前に結露水を一旦環境チャンバ内に溜
め、その結露水溜りから、気体の逆流が起きない構造の
排水ポンプにより結露水を排水する構成とすることもで
きる。
【００１８】ここで、排水手段が、結露水溜りの水位を
検出する水位センサを具備し、検出した水位が所定の値
に達した時に、所定の水位になるまで結露水を排水する
ように排水ポンプを運転および停止することにより、必
要な時のみポンプを運転することができる。
検出する水位センサを具備し、検出した水位が所定の値
に達した時に、所定の水位になるまで結露水を排水する
ように排水ポンプを運転および停止することにより、必
要な時のみポンプを運転することができる。
【００１９】
【実施例】図１は本発明による一実施例を示すものであ
り、環境チャンバ空調機室の冷却部の詳細を示す図であ
る。同図中、１２は冷却部１１で発生した結露水１３を
受けるドレンパンである。３１は水位センサでありドレ
ンパン１２の結露水溜り３４に溜った結露水の量を検出
する。３２は水位センサ３１の出力によって遮断弁３３
の開閉を行なうための制御装置である。３３は遮断弁で
あり制御装置３２の指令を受け開閉を行なう。この遮断
弁３３は環境チャンバの運転停止で制御装置からの指令
が切れた場合は自動的に閉じる機構となっている。ま
た、図１において図２と同じ符号を付したものは同じも
のを示す。
り、環境チャンバ空調機室の冷却部の詳細を示す図であ
る。同図中、１２は冷却部１１で発生した結露水１３を
受けるドレンパンである。３１は水位センサでありドレ
ンパン１２の結露水溜り３４に溜った結露水の量を検出
する。３２は水位センサ３１の出力によって遮断弁３３
の開閉を行なうための制御装置である。３３は遮断弁で
あり制御装置３２の指令を受け開閉を行なう。この遮断
弁３３は環境チャンバの運転停止で制御装置からの指令
が切れた場合は自動的に閉じる機構となっている。ま
た、図１において図２と同じ符号を付したものは同じも
のを示す。
【００２０】上記構成を有する本例の環境チャンバを運
転する事により、冷却部１１より生じる結露水１３は、
重力によりドレンパン１２に落下し結露水溜り３４とな
る。その後、一定水位になると水位センサ３１が働き、
制御装置３２の指令で遮断弁３３を開き溜まった結露水
３４を排水口１４より排出する。結露水の排出完了で水
位センサ３１が切れると制御装置３２の指令で遮断弁３
３を閉じ排水口１４への経路を遮断する。制御装置３２
は常に水位センサ３１の信号により結露水溜り３４の量
を検知し、遮断弁３３の開閉制御を行なう。
転する事により、冷却部１１より生じる結露水１３は、
重力によりドレンパン１２に落下し結露水溜り３４とな
る。その後、一定水位になると水位センサ３１が働き、
制御装置３２の指令で遮断弁３３を開き溜まった結露水
３４を排水口１４より排出する。結露水の排出完了で水
位センサ３１が切れると制御装置３２の指令で遮断弁３
３を閉じ排水口１４への経路を遮断する。制御装置３２
は常に水位センサ３１の信号により結露水溜り３４の量
を検知し、遮断弁３３の開閉制御を行なう。
【００２１】また、環境チャンバの運転を停止した場合
は制御装置３２からの遮断弁３３への指令が切れ、遮断
弁３３は自動的に閉じ排水口１４を通じて排水管１５内
の外気２１が環境チャンバ内に侵入する事を防ぐ。
は制御装置３２からの遮断弁３３への指令が切れ、遮断
弁３３は自動的に閉じ排水口１４を通じて排水管１５内
の外気２１が環境チャンバ内に侵入する事を防ぐ。
【００２２】＜他の実施例＞図４は本発明のポンプを使
用した実施例を示す環境チャンバ空調機室の冷却部詳細
図である。同図において、１２は冷却部１１で発生した
結露水１３を受けるドレンパンである。３１は水位セン
サでありドレンパン１２の結露水溜り３４に溜まった結
露水の量を検出する。３２は制御装置であり水位センサ
３１の出力によってポンプ３５の運転・停止の指令を出
す。３５はポンプでありポンプの種類としては、結露水
の排出が終わり、ポンプ３５の運転が停止し排水ポンプ
吸込口３６が空調機室内部３８にさらされ、ポンプ吸込
口３６の気圧が減圧されてもポンプ吐出口３７からの気
体の逆流が起きない構造の、ダイヤフラム式又はべロー
ズ式ポンプを使用する。
用した実施例を示す環境チャンバ空調機室の冷却部詳細
図である。同図において、１２は冷却部１１で発生した
結露水１３を受けるドレンパンである。３１は水位セン
サでありドレンパン１２の結露水溜り３４に溜まった結
露水の量を検出する。３２は制御装置であり水位センサ
３１の出力によってポンプ３５の運転・停止の指令を出
す。３５はポンプでありポンプの種類としては、結露水
の排出が終わり、ポンプ３５の運転が停止し排水ポンプ
吸込口３６が空調機室内部３８にさらされ、ポンプ吸込
口３６の気圧が減圧されてもポンプ吐出口３７からの気
体の逆流が起きない構造の、ダイヤフラム式又はべロー
ズ式ポンプを使用する。
【００２３】上記構成を有する本実施例の環境チャンバ
を運転する事により、冷却部１１より生じる結露水１３
は、重力によりドレンパン１２に落下し結露水溜り３４
となる。その後、一定水位になると水位センサ３１が働
き、制御装置３２の指令でポンプ３５を運転し結露水３
４を排水口１４より排出する。
を運転する事により、冷却部１１より生じる結露水１３
は、重力によりドレンパン１２に落下し結露水溜り３４
となる。その後、一定水位になると水位センサ３１が働
き、制御装置３２の指令でポンプ３５を運転し結露水３
４を排水口１４より排出する。
【００２４】結露水の排出完了で水位センサ３１が切れ
ると制御装置３２の指令でポンプ３５の運転を停止す
る。制御装置３２は常に水位センサ３１の信号により、
結露水溜り３４の結露水量を検知してポンプ３５の運転
制御を行なう。
ると制御装置３２の指令でポンプ３５の運転を停止す
る。制御装置３２は常に水位センサ３１の信号により、
結露水溜り３４の結露水量を検知してポンプ３５の運転
制御を行なう。
【００２５】ポンプは構造上空調機室内部３８の圧力が
減圧されても、ポンプ吐出口３７から気体の逆流が起き
ない構造なので、ポンプの運転を停止しても、排水口１
４を通じて排水管１５内の外気２１が環境チャンバ内へ
侵入する事を防ぐ。
減圧されても、ポンプ吐出口３７から気体の逆流が起き
ない構造なので、ポンプの運転を停止しても、排水口１
４を通じて排水管１５内の外気２１が環境チャンバ内へ
侵入する事を防ぐ。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように冷却部での結露水を
排水する排水口から外気が侵入する事を防止する装置を
もうける事により以下の問題を阻止し、装置性能の劣化
を防止すると共に加工歩留りを改善、向上することが可
能となる。 １．クリーンルーム中のアミン・アミドなどの塩基性ガ
スが環境チャンバ内に侵入し、環境チャンバ内の塩基濃
度を増加させ処理しているウエハ表面のレジストに対し
前述した様な悪影響を与える。 ２．クリーンルーム空気中に存在するアンモニウムイオ
ン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン（ＳＯ4 2-）またはそれらの
化合物あるいは有機ガスが環境チャンバ内に侵入し前述
した様な露光光の照射により光化学反応的に光学部材に
付着する。
排水する排水口から外気が侵入する事を防止する装置を
もうける事により以下の問題を阻止し、装置性能の劣化
を防止すると共に加工歩留りを改善、向上することが可
能となる。 １．クリーンルーム中のアミン・アミドなどの塩基性ガ
スが環境チャンバ内に侵入し、環境チャンバ内の塩基濃
度を増加させ処理しているウエハ表面のレジストに対し
前述した様な悪影響を与える。 ２．クリーンルーム空気中に存在するアンモニウムイオ
ン（ＮＨ4 +）や硫酸イオン（ＳＯ4 2-）またはそれらの
化合物あるいは有機ガスが環境チャンバ内に侵入し前述
した様な露光光の照射により光化学反応的に光学部材に
付着する。
【図１】 本発明の１実施例を示す遮断弁を有する、環
境チャンバ空調機室の冷却部詳細図である。
境チャンバ空調機室の冷却部詳細図である。
【図２】 従来方式の排水構造を持った環境チャンバ
を、投影露光装置に適用した代表的例を示す図である。
を、投影露光装置に適用した代表的例を示す図である。
【図３】 従来方式のＵ字管の排水構造を持った環境チ
ャンバを、投影露光装置に適用した他の代表例を示す図
である。
ャンバを、投影露光装置に適用した他の代表例を示す図
である。
【図４】 本発明の他の実施例を示す排水用のポンプを
有する、環境チャンバ空調機室の冷却部詳細図である。
有する、環境チャンバ空調機室の冷却部詳細図である。
１：環境チャンバ、２：温度調節装置、３：送風機、
４：除塵フィルタ、５：環境チャンバ内空間、６：リタ
ーン口、７：外気導入口、１０：半導体製造工場環境、
１１：冷却部、１２：ドレンパン、１３：結露水、１
４：排水口、１５：排水管、２１：外気、３１：水位セ
ンサ、３２：制御装置、３３：遮断弁、３４：結露水溜
り、３５：ポンプ、３６：ポンプ吸込口、３７：ポンプ
吐出口、３８：空調機室内部、３９：Ｕ字管、４０：ド
レン、Ｆ１，Ｆ２：不純物除去フィルタ、Ｉ：照明光学
系、Ｌ：投影レンズ、Ｒ：レチクル、Ｓ：ウエハステー
ジ、Ｗ：ウエハ、Ｂ：露光光。
４：除塵フィルタ、５：環境チャンバ内空間、６：リタ
ーン口、７：外気導入口、１０：半導体製造工場環境、
１１：冷却部、１２：ドレンパン、１３：結露水、１
４：排水口、１５：排水管、２１：外気、３１：水位セ
ンサ、３２：制御装置、３３：遮断弁、３４：結露水溜
り、３５：ポンプ、３６：ポンプ吸込口、３７：ポンプ
吐出口、３８：空調機室内部、３９：Ｕ字管、４０：ド
レン、Ｆ１，Ｆ２：不純物除去フィルタ、Ｉ：照明光学
系、Ｌ：投影レンズ、Ｒ：レチクル、Ｓ：ウエハステー
ジ、Ｗ：ウエハ、Ｂ：露光光。
Claims (8)
- 【請求項１】 収納される機器周囲の空気清浄度および
温度を含む環境条件を一定に保つための環境チャンバ内
で、前記環境条件を調節するための空調機室の一部をな
す冷却部での結露水を排水する排水口から外気が侵入す
ることを防止するために、前記結露水と前記外気とを遮
断可能な排水手段を有することを特徴とする環境制御装
置。 - 【請求項２】 前記排水手段は、前記結露水を前記排水
口に排水する前に、前記環境チャンバ内に溜めるための
遮断弁と、前記遮断弁を断続的に開閉することにより前
記結露水を排水する手段とを具備することを特徴とする
請求項１記載の環境制御装置。 - 【請求項３】 前記排水手段は、前記環境チャンバ内に
溜められる結露水溜りの水位を検出する水位センサを具
備し、検出した前記水位が所定の値に達した時に、所定
の水位になるまで前記結露水を排水するように、前記遮
断弁を自動開閉するものであることを特徴とする請求項
２記載の環境制御装置。 - 【請求項４】 前記環境制御装置の運転停止時には、前
記遮断弁を閉じることを特徴とする請求項２または３記
載の環境制御装置。 - 【請求項５】 前記排水手段は、前記排水口に排水する
前に前記結露水を一旦前記環境チャンバ内に溜めて、そ
の結露水溜りから、気体の逆流が起きない構造の排水ポ
ンプにより前記結露水を排水するものであることを特徴
とする請求項１記載の環境制御装置。 - 【請求項６】 前記排水手段は、前記結露水溜りの水位
を検出する水位センサを具備し、検出した前記水位が所
定の値に達した時に、所定の水位になるまで前記結露水
を排水するように前記排水ポンプを運転および停止する
ものであることを特徴とする請求項５記載の環境制御装
置。 - 【請求項７】 前記排水ポンプの構造が、ダイヤフラム
式またはベローズ式であることを特徴とする請求項５ま
たは６に記載の環境制御装置。 - 【請求項８】 半導体製造装置本体がその周囲の空気清
浄度および温度を含む環境条件を一定に保つための環境
チャンバ内に収納された半導体製造装置において、前記
環境条件を調節するための空調機室の一部をなす冷却部
での結露水を排水する排水口から外気が侵入することを
防止するために、前記結露水と前記外気とを遮断可能な
排水手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32578499A JP2001141257A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | 環境制御装置および半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32578499A JP2001141257A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | 環境制御装置および半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001141257A true JP2001141257A (ja) | 2001-05-25 |
Family
ID=18180579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32578499A Pending JP2001141257A (ja) | 1999-11-16 | 1999-11-16 | 環境制御装置および半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001141257A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015114095A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-22 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | 液体排出のための方法、システム及び装置 |
| JP6215496B1 (ja) * | 2017-02-23 | 2017-10-18 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| JP6306260B1 (ja) * | 2017-10-16 | 2018-04-04 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| US20220163236A1 (en) * | 2019-02-21 | 2022-05-26 | Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP | Condensate drain system for a furnace |
-
1999
- 1999-11-16 JP JP32578499A patent/JP2001141257A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015114095A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-22 | ザ・ボーイング・カンパニーＴｈｅＢｏｅｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ | 液体排出のための方法、システム及び装置 |
| JP6215496B1 (ja) * | 2017-02-23 | 2017-10-18 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| JP2018136106A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| WO2018154909A1 (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| KR20190120188A (ko) * | 2017-02-23 | 2019-10-23 | 신와 콘트롤즈 가부시키가이샤 | 공기 조화 장치 |
| KR102261898B1 (ko) | 2017-02-23 | 2021-06-04 | 신와 콘트롤즈 가부시키가이샤 | 공기 조화 장치 |
| TWI730210B (zh) * | 2017-02-23 | 2021-06-11 | 日商伸和控制工業股份有限公司 | 空氣調和裝置 |
| US11333375B2 (en) | 2017-02-23 | 2022-05-17 | Shinwa Controls Co., Ltd | Air conditioner |
| JP6306260B1 (ja) * | 2017-10-16 | 2018-04-04 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| JP2018136114A (ja) * | 2017-10-16 | 2018-08-30 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和装置 |
| US20220163236A1 (en) * | 2019-02-21 | 2022-05-26 | Johnson Controls Tyco IP Holdings LLP | Condensate drain system for a furnace |
| US12025347B2 (en) * | 2019-02-21 | 2024-07-02 | Tyco Fire & Security Gmbh | Condensate drain system for a furnace |
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