JP3245277U - 放射性廃棄物を用いたｃｖｄダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。 - Google Patents
放射性廃棄物を用いたｃｖｄダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】核分裂反応装置、次世代原発炉、浮体式原発炉、核融合装置の放射性廃棄物を金属製容器に封入し、ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の変換発電を活用し、電離放射線を遮蔽する安全な金属製容器装置を提供する。【解決手段】金属製容器装置は、電離放射線入射面に、耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層５を備えたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６と、冷却層４を設けた冷却金属容器３に、鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１を含み、放射性廃棄物を封入し、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６を冷却層で放熱し、安定した永年変換発電の電力を活用する。【選択図】図１
Description
本考案は、放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた安全性の金属製容器装置に関する。
従来の原子力発電所は、加圧水型軽水炉または沸騰水型軽水炉等からなる核分裂反応装置であり、事故や廃炉に伴う放射性廃棄物は、高レベル放射性廃棄物、低レベル放射性廃棄物、クリアランスレベル以下に区分されている。現在の放射性廃棄物は、青森県六ヶ所村弥栄平地区に高レベル放射性廃棄物貯蔵管理センターに貯蔵され、六ヶ所村大石平地区に低レベル放射性廃棄物埋設センターに埋設されている核燃料サイクル施設が知られている。２０２４年以降から２０３０年代には、次世代原発炉、浮体式原発炉、核融合装置の新設炉の実用化または商用化が計画されている。
実願２０２３－００２１９９号
登録第３２４２２９７号
登録第３２３９４２３号
登録第３２３８８３０号
登録第３２３８３６５号
登録第３２３８２７０号
登録第３２３３２１４号
登録第３２２５４３８号
編集 「原子力のすべて」編集委員会、 原子力のすべて （６）放射性廃棄物 ▲１▼放射性廃棄物とはどのようなものか ｐ３４１、 ▲４▼原子力発電所の廃棄物処理方法 ▲５▼放射性廃棄物の処理・処分の基本的考え方 ｐ３４４、 ▲７▼高レベル放射性廃棄物に含まれる放射性核種の分離変換技術 ｐ３４６、 （７）その他 ▲１▼青森県六ヶ所村の核燃料サイクル施設の概要 ３４７、 平成１５年版、 独立行政法人 国立印刷局。
監修 藤森直治，鹿田真一、 ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》 第４章 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜 ｐ３６～４４、 第６章 半導体特性 ｐ６３～７１、 第７章 ｐ型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性 ｐ７５～８４、 第８章 ｎ型ドーピングと半導体特性 ｐ８６～９８、 ２０１４年版、 株式会社 シーエムシー出版。
著作 稲垣道夫、 カーボン「古くて新しい材料」 フレキシンブルグラファイトシートの著しい異方性 ｐ７１～７２、 ２００９年版、 株式会社 工業調査会。
編集兼発行者 下中邦彦、 「世界大百科事典２０」 放射性元素 第２表 人工放射性元素 ｐ３４６～３６１、 １９６７年版 株式会社 平凡社。
従来の核分裂反応装置（加圧水型軽水炉、沸騰水型軽水炉、重水炉、ガス冷却炉）の放射性廃棄物を処理し、保管や貯蔵または埋設や地層処分が課題とされている。現在、青森県六ヶ所村に高レベル放射性廃棄物の貯蔵や、低レベル放射性廃棄物の埋設されているが課題が残る。２０２４年以降２０３０年代の次世代原発炉、浮体式原発炉、核融合装置の新設原子炉の稼働や商用化が計画されている。従来の原子炉または新設原子炉の放射性廃棄物の処理、または貯蔵や保管、埋設や地層処分地が確定されないのが最大の課題であり、放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の永年変換発電の電力の活用、または電離放射線の放熱または遮蔽に課題が残る。
核分裂反応装置、次世代原発炉、浮体式原発炉、核融合装置の放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線（荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・Ｘ線）を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、循環水を用いた冷却層の放熱、または中性子線を止め、鉛またはタリウムを設けて電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器に、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置において、
金属製容器に封入した放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性・絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層およびフレキシンブルグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層に、フレキシンブルグラファイトシート電極および耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、循環水を用いた冷却層の放熱、または中性子線を止め、鉛またはタリウムを設けて電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
金属製容器に封入した放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性・絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層およびフレキシンブルグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層に、フレキシンブルグラファイトシート電極および耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、循環水を用いた冷却層の放熱、または中性子線を止め、鉛またはタリウムを設けて電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
放射性廃棄物を封入した金属製容器に設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層は、放射性物質から出る電離放射線を電力に変換し、貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱により、１００年以上の永年変換発電の電力を活用し、電離放射線を遮蔽する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置である。
ＣＶＤダイヤモンドのバンドギャップは５．４８ｅＶの半導体としての特性を有している。ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜は、高出力型マイクロ波プラズマＣＶＤ法、マイクロ波プラズマＣＶＤ法、表面波プラズマＣＶＤ法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜などが用いられる。ＣＶＤダイヤモンドは、熱伝導率、弾性定数、透光性、耐熱性、耐化学薬品性、耐放射線性、絶縁性、絶縁破壊など物質中で最高もしくは準最高値を有する材料とされる。本考案のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層のトップセル層には、放射線に強いバンドギャップ１．４３ｅＶのヒ素・ガリウム（ＡｓＧａ）をドープしたｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合を設け、ボトムセル層には、放射線に強いバンドギャップ１．３５ｅＶのリン・インジウム（ＰＩｎ）をドープしたｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合を設けた構成である。また、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を用いたｎｉｐ型またはｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層接合をタンデム型に設けた構成も同様である。また、ＣＶＤダイヤモンドの熱伝導率２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）であり、銅４．０（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）の５．５倍の放熱性や半導体としての特性を有している。 ［引用非特許文献２］に記載のナノ結晶ダイヤモンド薄膜、（独）産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター。 半導体特性、（独）産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター。 ｐ型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性、（独）物質・材料研究機構 センサ材料センター。 ｎ型ドーピングと半導体特性、（独）産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門、（独）物質・材料機構 センサ材料センター。の記載されている文献。
ＣＶＤダイヤモンドは、炭素（Ｃ）と同じ第１４族元素に属している。ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層へのドーピングは第１５族元素の、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、などをドープすることができる。ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層へのドーピングは第１３族元素の、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（ＴＩ）、などをドープすることができる。
フレキシンブルグラファイトシート面に平行方向は、垂直方向に比べて１００倍以上も電気を通しやすい。熱伝導率も平行方向で約４０倍である。フレキシンブルグラファイトシート面に平行方向に電気および熱が圧倒的に流れやすく、熱伝導率は銅あるいはアルミニウムなどの金属にほぼ匹敵する。特に、フレキシンブルグラファイトシートが３，０００℃以上の温度に耐える。本考案のタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層に用いる電極には、フレキシンブルグラファイトシートを設けた構成とした。
非荷電粒子線の中性子線は、水またはコンクリートを用いて止めるとされ、軽水１Ｈや重水２Ｈ（Ｄ）または（Ｄ２Ｏ、ＤＨＯ）の中性子照射などにより三重水素３Ｈ（Ｔ）トリチウムが生成される。水素の放射性同位体であり、半減期は１２．３年である。
本考案の図１の参考側面及び断面図に示す。金属製容器１に放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線（荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・Ｘ線）の入射面に、耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層５、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６、耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層５に循環水の冷却層４を設けた冷却金属容器３に鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１装置。
冷却水流入孔４－１または循環水放出孔４－２を設けた冷却金属容器３に循環水を用いた冷却層４は、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６を放熱するものであり、金属製容器１の上部には耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層５および鉛またはタリウム２を設けた金属製容器蓋１－１を設け、循環水を用いた冷却層４の冷却金属容器３に、鉛またはタリウム２を設けて電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器１装置構成の、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
本考案の図２の参考断面図に示す。放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線（荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・Ｘ線）の入射面に、耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層７およびフレキシンブルグラファイトシート電極８を設け、トップセル層に、ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層９およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１０接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層９・１０または１０・９に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１１を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１２およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１３接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層１２・１３または１３・１２を接合したタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層９・１０・１１・１２・１３または１０・９・１１・１３・１２に、フレキシンブルグラファイトシート電極１４および耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１５を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６を放熱する循環水を用いた冷却層４の冷却金属容器３に、鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１装置構成の、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
本考案の図３の参考断面図に示す。放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線（荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・Ｘ線）の入射面に、耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層７およびフレキシンブルグラファイトシート電極８を設け、トップセル層に、ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層９およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１０接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層変換層９・１０または１０・９を設け、ボトムセル層に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１２およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１３接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層１２・１３または１３・１２を接合したタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層９・１０・１２・１３または１０・９・１３・１２に、フレキシンブルグラファイトシート電極１４および耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１５を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６を放熱する循環水を用いた冷却層４の冷却金属容器３に、鉛またはタリウム２を設けた金属製容器１装置構成の、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
本考案は、核分裂反応装置（加圧水型軽水炉、沸騰水型軽水炉、重水炉、ガス冷却炉）、次世代原発炉（革新軽水炉、小型モジュール炉、高温ガス炉、高速炉）、浮体式原発炉（小型モジュール炉ＳＭＲの一種、溶融塩高速炉ＭＣＦＲ）、核融合装置（トカマク型、ヘリカル型、ミラー型、逆磁場ピンチ方式、慣性閉じ込め型）、の放射性廃棄物を金属製容器１に封入し、放射性物質から出る電離放射線（荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・Ｘ線）を、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層６の放熱を設けた金属製容器１の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、永年変換発電の電力を活用する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
原子力委員会は定例会合で、日本原子力研究開発機構の高速実験炉「常陽」を、２０２４年度末の再稼働をめざしている。経済産業省は、次世代型原発の「高温ガス炉」または「高速炉」について、三菱重工業を選定し、実証炉の基本設計や将来的な製造、建設を担うとされる。東芝は「革新軽水炉・ｉＢＲ」を、２０３０年代半ばの稼働を目指している。米国では、次世代小型原発「小型モジュール原子炉・ＳＭＲ」を２０２６年～２０２７年に稼働させる計画とされる。新設原子炉の稼働や計画がされているが、放射性廃棄物（高レベル放射性廃棄物または低レベル放射性廃棄物）の処理または地層処分の計画等は確定されていない。
本考案は、放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線を、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用し、電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、１００年以上の永年変換発電の電力を活用する安全性の金属容器装置の考案である。
本考案は、放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線を、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用し、電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、１００年以上の永年変換発電の電力を活用する安全性の金属容器装置の考案である。
１ 金属製容器
２ 鉛またはタリウム
３ 冷却金属容器
４ 冷却層
４－１ 冷却水流入孔
４－２ 循環水放出孔
５ 耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
６ タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
７ 耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
８ フレキシンブルグラファイトシート電極
９ ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１０ ガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１１ ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
１２ リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１３ インジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１４ フレキシンブルグラファイトシート電極
１５ 耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
２ 鉛またはタリウム
３ 冷却金属容器
４ 冷却層
４－１ 冷却水流入孔
４－２ 循環水放出孔
５ 耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
６ タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
７ 耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
８ フレキシンブルグラファイトシート電極
９ ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１０ ガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１１ ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
１２ リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１３ インジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
１４ フレキシンブルグラファイトシート電極
１５ 耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
Claims (1)
- 核分裂反応装置、次世代原発炉、浮体式原発炉、核融合装置の放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線（荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・Ｘ線）を電力に変換するタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、循環水を用いた冷却層の放熱、または中性子線を止め、鉛またはタリウムを設けて電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器に、タンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置において、
金属製容器に封入した放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性・絶縁性のＣＶＤダイヤモンド薄膜層およびフレキシンブルグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素（Ａｓ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム（Ｇａ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン（Ｐ）ドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム（Ｉｎ）ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型またはｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層に、フレキシンブルグラファイトシート電極および耐放射線性・絶縁性ＣＶＤダイヤモンド薄膜層を設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、循環水を用いた冷却層の放熱、または中性子線を止め、鉛またはタリウムを設けて電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の放熱を設けた永年変換発電の電力を活用する、放射性廃棄物を用いたＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2023003073U JP3245277U (ja) | 2023-08-08 | 2023-08-08 | 放射性廃棄物を用いたｃｖｄダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3245277U true JP3245277U (ja) | 2024-01-17 |
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ID=89537709
Family Applications (1)
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| JP2023003073U Active JP3245277U (ja) | 2023-08-08 | 2023-08-08 | 放射性廃棄物を用いたｃｖｄダイヤモンド半導体薄膜原子力電池の放熱を設けた安全性の金属製容器装置。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245277U (ja) |
-
2023
- 2023-08-08 JP JP2023003073U patent/JP3245277U/ja active Active
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