JP3238830U - 電離放射線を電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けた安全性の金属製容器装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本考案は、原子力発電所から発生する放射性廃棄物を安全性の金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて電力に変換し、電離放射線を重複遮蔽する安全性の金属製容器装置を提供する。【解決手段】 電離放射線入射面にCVDダイヤモンド薄膜層5を設け、グラファイトシート電極6・12を表裏対称に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2を設けた金属製容器1に設けて、電離放射線を重複遮蔽するドラム缶またはキャニスタと呼ばれる金属製容器1に再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、電離放射線を安定した電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜層を設けた安全性の金属製容器装置。【選択図】図1
Description
本考案は、原子力発電所から発生する放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線の入射面に、CVDダイヤモンド薄膜層を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、放射線遮断ガラスおよび鉛またはタリウムを設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器装置に関する。
原子力発電所から発生する放射性廃棄物は、高レベル放射性廃棄物、低レベル放射性廃棄物、クリアランスレベル以下の放射性廃棄物に分類される。原子力発電所の放射性廃棄物は、ドラム缶またはキャニスターの金属製容器に入れ、セメントを充填して固化し、固化したドラム缶またはキャニスターを積み重ね固化体の隙間にモルタルを充填し、青森県六ケ所村大石平地区の低レベル放射性廃棄物埋設センターに、1992年から埋設されている。返還廃棄物貯蔵容量ガラス固化体は、青森県六ヶ所村弥栄平地区の高レベル放射性廃棄物貯蔵センターに、1995年から貯蔵されている。2011年 3月11日に発生した東日本大震災は、福島県にある東京電力福島第一原子力発電所の事故による放射性廃棄物の処理および処分が問題となっているが、日本政府は再生エネルギーの放射性廃棄物をどう最終処理するのかについては態度を明確にしていない。
実用新案登録第3233214号
実願2022-000756号
実願2022-000905号
編集兼発行者 下中邦彦、 「世界大百科事典」5 ガラス(Glass) p75~81、 1970年版、 株式会社 平凡社。
編集「原子力のすべて」編集委員会編、 原子力のすべて 資料編 2.放射線の人間との関わり ▲2▼放射線とはどのようなものか p306、 (6)放射性廃棄物 ▲1▼放射性廃棄物とはどのようなものか p341、 ▲3▼高レベル放射性廃棄物、低レベル放射性廃棄物の発生量・管理量・処分量 p343、 (7)その他 ▲1▼青森県六ヶ所村の核燃料サイクル施設の概要 p347、 原子力関係用語集 アルファ線(α線)p424、ガンマ線(γ線)p427、ベータ線(β線)p437、放射性廃棄物、放射線p437、放射能p438、 平成15年版、 独立行政法人 国立印刷局。
監修者 藤森直治,鹿田真一、 ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》 第4章 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜 p36~44、 第6章 半導体特性 p63~71、 第7章 p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性 p75~84、 第8章 n型ドーピングと半導体特性 p86~98、 2014年版、 株式会社 シーエムシー出版。
著者 稲垣道夫、 「カーボン」古くて新しい材料 第1章身近なカーボン 4・キーボードの中のグラファイトフィルム(グラファイトのトピックス)●フレキシンブルグラファイトシートの著しい異方性 p71~72、 2009年版、 株式会社 工業調査会。
2011年 3月11日に発生した東日本大震災は、東北地方を中心に甚大な被害をもたらした。福島県にある東京電力福島第一原子力発電所の事故による放射性廃棄物の処理及び処分が課題となっている。放射性廃棄物を再生エネルギーとして、放射性物質から出る電離放射線の荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」を電力に変換するpn型またはpin型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて、100年以上電力に変換して活用する貯蔵または埋設や地層処分方法はなかった。
したがって、鉛またはタリウムおよびCVDダイヤモンド薄膜層を設けたドラム缶またはキャニスターなどの金属製容器に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を遮蔽する金属製容器(特願2020-112115号)に至り、電離放射線を遮蔽する金属製容器に、CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のpn型またはpin型電離放射線変換層を設けて電力に変換する装置(特願2020-136026号)に至った。金属製容器の内側に、鉛またはタリウムおよびCVDダイヤモンド薄膜層を設け、pn型またはpin型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて電力に変換し、電離放射線を遮蔽する安全性の半導体薄膜発電装置(実用新案登録第3233214号)に至った。しかし、電離放射線を電力に変換するCVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の変換効率向上および耐久性に課題があった。放射線に強いドープを設けた耐久性を設けたnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層をタンデム型に設けて、高効率のCVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層(実願2022-000756号)に至り、タンデム型CVDダイヤモンド薄膜電離放射線変換層の電力を、水電解法によるグリーン水素製造に用いたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電池装置(実願2022-000905号)に至った。しかし、CVDダイヤモンド薄膜層の使用量を減らし、CVDダイヤモンド薄膜層に変わる安価な絶縁性および遮蔽材料が課題となった。
本考案では、金属製容器の内側に、鉛またはタリウムおよび放射線遮断ガラスを設けて重複遮蔽する金属製容器に、タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて再生エネルギーの放射性廃棄物を封入する安全性の金属製容器装置を考案した。
したがって、鉛またはタリウムおよびCVDダイヤモンド薄膜層を設けたドラム缶またはキャニスターなどの金属製容器に、放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線を遮蔽する金属製容器(特願2020-112115号)に至り、電離放射線を遮蔽する金属製容器に、CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のpn型またはpin型電離放射線変換層を設けて電力に変換する装置(特願2020-136026号)に至った。金属製容器の内側に、鉛またはタリウムおよびCVDダイヤモンド薄膜層を設け、pn型またはpin型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて電力に変換し、電離放射線を遮蔽する安全性の半導体薄膜発電装置(実用新案登録第3233214号)に至った。しかし、電離放射線を電力に変換するCVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の変換効率向上および耐久性に課題があった。放射線に強いドープを設けた耐久性を設けたnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層をタンデム型に設けて、高効率のCVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層(実願2022-000756号)に至り、タンデム型CVDダイヤモンド薄膜電離放射線変換層の電力を、水電解法によるグリーン水素製造に用いたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電池装置(実願2022-000905号)に至った。しかし、CVDダイヤモンド薄膜層の使用量を減らし、CVDダイヤモンド薄膜層に変わる安価な絶縁性および遮蔽材料が課題となった。
本考案では、金属製容器の内側に、鉛またはタリウムおよび放射線遮断ガラスを設けて重複遮蔽する金属製容器に、タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて再生エネルギーの放射性廃棄物を封入する安全性の金属製容器装置を考案した。
原子力発電所から発生する放射性廃棄物を金属製容器1に封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線の入射面に、CVDダイヤモンド薄膜層5を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2を設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器装置において、
ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層7およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層8接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層7・8接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層9を伴うヘテロ接合の、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層10およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層11接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層10・11を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2を設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器1に、再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、電離放射線を電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けた安全性の金属製容器装置。
ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層7およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層8接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層7・8接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層9を伴うヘテロ接合の、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層10およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層11接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層10・11を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2を設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器1に、再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、電離放射線を電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けた安全性の金属製容器装置。
鉛またはタリウム2を設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に、絶縁性の放射線遮断ガラス3を設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器1に、再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、電離放射線を電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けた安全性の金属製容器装置。
再生エネルギーの放射性廃棄物を金属製容器に封入し、電離放射線を電力に変換するタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、重複遮蔽する安全性の金属製容器に設けて電離放射線を100年以上安定した電力に変換し、活用する金属製容器装置である。
荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線は、鉛またはタリウムを設けて遮蔽することができる。天然の放射性核種の崩壊系列は、「トリウム系列」、「ウラン系列」、「アクチニウム系列」であり、鉛を設けて電離放射線を遮蔽することができる。人工放射性元素の崩壊系列の「ネプツニウム系列」は、タリウムを設けて遮蔽することができる。すでに、鉛またはタリウムおよびCVDダイヤモンド薄膜層を設け、CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた金属製容器に放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線を電力に変換する金属製容器は、実用新案登録第3233214号に記載されている。また、変換効率を高効率にしたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けて電力に変換するタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電池装置は、実願2022-000756号に記載され、変換された電力を、水電解法によるグリーン水素製造に用いたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電池装置は、実願2022-000905号に記載されている。
ガラスには、乳白ガラス、紫外線透過ガラス、紫外線遮断ガラス、X線遮断ガラス、放射線遮断ガラス、電導性ガラスなどがあり、用途により選択することができる。ガラスの性質としては、石英ガラス、バイコールガラス、ソーダ石灰ガラス、鉛アルカリガラス、アルミナホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラスなどがある。
本考案では、電離放射線を重複遮蔽する鉛またはタリウム2および放射線遮断ガラス3を設けた金属製容器1の電離放射線入射面に、CVDダイヤモンド薄膜層5設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けて安定した電力に変換する再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、重複遮蔽する安全性の金属製容器装置。
本考案では、電離放射線を重複遮蔽する鉛またはタリウム2および放射線遮断ガラス3を設けた金属製容器1の電離放射線入射面に、CVDダイヤモンド薄膜層5設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けて安定した電力に変換する再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、重複遮蔽する安全性の金属製容器装置。
CVDダイヤモンド半導体は、シリコン(Si)と同じ14族元素に属している。n型CVDダイヤモンド半導体薄膜層へのドープは、第15族元素の窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)をドープすることができる。p型CVDダイヤモンド半導体薄膜層へのドープは、13族元素のホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)をドープすることができる。
CVDダイヤモンドのバンドギャップは、5.48eVの半導体としての特性を有している。CVDダイヤモンド半導体薄膜層は、高出力型マイクロ波プラズマCVD法、またはマイクロ波プラズマCVD法、表面波プラズマCVD法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜が用いられる。CVDダイヤモンドは、耐放射線性、耐熱性、絶縁性、絶縁破壊、耐化学薬品性など物質中で最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層にドープする、放射線に強いとされるヒ素ガリウム(AsGa)のバンドギャップは1.43eVであり、リンインジウム(PIn)のバンドギャップは1.35eVとされる。
CVDダイヤモンドのバンドギャップは、5.48eVの半導体としての特性を有している。CVDダイヤモンド半導体薄膜層は、高出力型マイクロ波プラズマCVD法、またはマイクロ波プラズマCVD法、表面波プラズマCVD法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜が用いられる。CVDダイヤモンドは、耐放射線性、耐熱性、絶縁性、絶縁破壊、耐化学薬品性など物質中で最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層にドープする、放射線に強いとされるヒ素ガリウム(AsGa)のバンドギャップは1.43eVであり、リンインジウム(PIn)のバンドギャップは1.35eVとされる。
図1の参考側面及び断面図に示す。ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1の内側に、鉛またはタリウム2および放射線遮断ガラス3を設け、タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の電離放射線入射面にCVDダイヤモンド薄膜層5を設けた構成である。電離放射線を重複遮蔽する安全性の金属製容器1に、再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線を、タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けて電力に変換する。鉛またはタリウム2および放射線遮断ガラス3を設けた金属製容器1は、電離放射線を重複遮蔽するドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に再生エネルギーとなる放射性廃棄物を封入し、電離放射線をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けて安定した電力に変換する安全性の金属製容器装置。
図2の参考断面図に示す。原子力発電所から発生する放射性廃棄物をドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線の入射面に、CVDダイヤモンド薄膜層5を設け、グラファイトシート電極6・12を表裏対称に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2を設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器装置において、
ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層7およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層8接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層9を伴うヘテロ接合に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜10およびインジウム(In)ドープpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層11接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4にグラファイトシート電極6・12を表裏対称に設け、電離放射線の入射面にCVDダイヤモンド薄膜層5設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器1に、再生エネルギーとなる放射性廃棄物を封入し、電離放射線をタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けて安定した電力に変換する安全性の金属製容器装置。
ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層7およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層8接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層9を伴うヘテロ接合に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜10およびインジウム(In)ドープpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層11接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4にグラファイトシート電極6・12を表裏対称に設け、電離放射線の入射面にCVDダイヤモンド薄膜層5設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を、放射線遮断ガラス3および鉛またはタリウム2設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器1に、再生エネルギーとなる放射性廃棄物を封入し、電離放射線をタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けて安定した電力に変換する安全性の金属製容器装置。
ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に放射性廃棄物を封入する放射性物質から出る電離放射線の種類は、粒子線の荷電粒子線「α線、β線など」および非荷電粒子線「中性子線など」電磁波「γ線、X線」に分類され、様々な放射線を出し崩壊する。荷電粒子線の「α線」は紙を設けて遮蔽することができ、「β線」はアルミニウムなどの薄い金属板を設けて遮蔽することができる。電磁波の「γ線、X線」は鉛を設けて遮蔽することができる。人工放射性元素の崩壊系列はタリウムを設けて遮蔽することができる。「中性子線」は水を設けて遮蔽することができるが、中性子照射などによりトリチウムが生成される。天然の炭素には炭素-12、炭素-13、炭素-14の3種類がある。β線を出す炭素-14やニッケル63の半減期は、炭素-14は5730年、ニッケル63は約100年とされる。np型ダイヤモンド半導体を設けた変換効率は、素子レベルで約28%とされるが出力がマイクロワットレベルと小さいのが課題とされる。したがって、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に放射性廃棄物を封入することにより大きな出力となる。放射性廃棄物を金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線の荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線を、鉛またはタリウム2を設けて遮蔽することができ、鉛またはタリウム2に絶縁性の放射線遮断ガラス3を設けて重複遮蔽することにより安全性の金属製容器1となる。例えば、β線を出す炭素-14は半減期が5730年とされ、5730年以上安定した電力に変換するタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けた重複遮蔽する安全性の金属製容器装置である。再生エネルギーの放射性廃棄物を金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けて、100年以上安定した電力に変換する安全性の金属製容器装置。
1 金属製容器
2 鉛またはタリウム
3 放射線遮断ガラス
4 タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
5 CVDダイヤモンド薄膜層
6 グラファイトシート電極
7 ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
8 ガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
9 i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層
10 リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
11 インジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
12 グラファイトシート電極
2 鉛またはタリウム
3 放射線遮断ガラス
4 タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
5 CVDダイヤモンド薄膜層
6 グラファイトシート電極
7 ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
8 ガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
9 i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層
10 リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
11 インジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
12 グラファイトシート電極
Claims (2)
- 原子力発電所から発生する放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る荷電粒子線「α線、β線」電磁波「γ線、X線」などによる電離放射線の入射面に、CVDダイヤモンド薄膜層を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、放射線遮断ガラスおよび鉛またはタリウムを設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器装置において、
ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層接合部に、i型真性CVDダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合の、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、放射線遮断ガラスおよび鉛またはタリウムを設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器に、再生エネルギーの放射性廃棄物を封入し、電離放射線を電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けた安全性の金属製容器装置。 - 鉛またはタリウムを設けたドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に、絶縁性の放射線遮断ガラスを設けて重複遮蔽する安全性の金属製容器に、再生エネルギーの放射性廃棄物を封入する請求項1に記載の、電離放射線を電力に変換するタンデム型ダイヤモンド半導体薄膜変換層を設けた安全性の金属製容器装置。
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