JP3243275U - タンデム型cvdダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。 - Google Patents
タンデム型cvdダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】ヘリカル型核融合装置「LHD」からの放射性廃棄物を金属製容器に封入し、電離放射線をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた永年変換発電の電力の活用、および電離放射線を遮蔽する安全性の金属製容器装置を提供する。【解決手段】放射性廃棄物をドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層3を用いたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4に絶縁性の前記薄膜層3を設け、電離放射線を遮蔽する鉛またはタリウム2、もしくは鉛ガラス2を設けた安全性の前記金属製容器1の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器1に設けた前記変換層4の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。【選択図】図1
Description
ヘリカル型核融合装置「LHD」を使った水素のプラズマ(電離気体)にホウ素の粉末を添加した後、軽水素をホウ素に高速照射することによって生じた高エネルギーを発電に用い、反応後にはヘリウムが生じ、非荷電粒子線の中性子が発生しない低レベル放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・X線)をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた変換発電、および電離放射線の遮蔽を設けた安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、脱炭素の再生可能エネルギーとなる放射性廃棄物を活用した、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置に関する。
核融合は複数の方式があり、燃料である水素のプラズマ(電離気体)を磁場で閉じ込める「磁場方式」と、レーザーなどの作用で閉じ込める「慣性方式」に大別される。核融合装置の方式には、トカマク型、ヘリカル型、ミラー型、逆磁場ピンチ方式、完成閉じ込め型の方式がある。「地上の太陽」と呼ばれる核融合の燃料は、重水素とトリチウム(三重水素)を使い、2つをバラバラにしてヘリウムに変わる過程で発生するエネルギーを発電などに利用する。国際熱核融合実験炉「ITER」または原型炉「CFETR」の運転終了または廃炉として出る放射性廃棄物の中にある放射性物質には、炭素14、コバルト60、ニッケル63、ニオブ94またはヘリウムなどがある。ITERまたはCFETRの放射性廃棄物は、低レベル放射性廃棄物で、時間の経過とともにその量は減少し、放射性廃棄物としての管理が必要無いもの(クリアランスレベル以下)が増えるが、中には長寿命の放射性廃棄物も含まれ、適切な処理処分が必要とされる。
核融合科学研究所は米核融合スタートアップのTAEテクノロジーズと共同で、軽水素とホウ素という新たな燃料の組み合わせによる核融合実験に成功した。研究チームは、核融合科学研究所の実験装置・大型ヘリカル装置「LHD」を使い、強力な磁場でドーナツ状に閉じ込めた水素のプラズマ(電離気体)にホウ素の粉末を上方から添加した後、側面から軽水素を時速1500万キロメートルを超える速度の照射をホウ素にぶつけた核融合によって生じた高エネルギーを発電などに利用する。LHDの放射性廃棄物は、中性子が発生しない低レベル放射性廃棄物であるが、ITERまたはCFETRの放射性廃棄物の処理処分に準じる。
放射性廃棄物の処分シナリオでは、現在の技術で取扱い可能で、その方針は、原子力委員会「RI・研究所等廃棄物処理処分の考え方」等に基くと考えられる、とされる。
核融合科学研究所は米核融合スタートアップのTAEテクノロジーズと共同で、軽水素とホウ素という新たな燃料の組み合わせによる核融合実験に成功した。研究チームは、核融合科学研究所の実験装置・大型ヘリカル装置「LHD」を使い、強力な磁場でドーナツ状に閉じ込めた水素のプラズマ(電離気体)にホウ素の粉末を上方から添加した後、側面から軽水素を時速1500万キロメートルを超える速度の照射をホウ素にぶつけた核融合によって生じた高エネルギーを発電などに利用する。LHDの放射性廃棄物は、中性子が発生しない低レベル放射性廃棄物であるが、ITERまたはCFETRの放射性廃棄物の処理処分に準じる。
放射性廃棄物の処分シナリオでは、現在の技術で取扱い可能で、その方針は、原子力委員会「RI・研究所等廃棄物処理処分の考え方」等に基くと考えられる、とされる。
実願2023-001128号
登録第3239423号
登録第3238830号
登録第3238365号
登録第3238270号
登録第3233214号
登録第3225438号
編集「原子力のすべて」編集委員会、原子力のすべて 10.「地上の太陽」を人類の手に ▲1▼現在開発中の主な核融合装置の方式 p410、▲4▼核融合炉から出る放射性廃棄物とその処分 放射性廃棄物の処分シナリオ p414、平成15年版、独立行政法人 国立印刷局。
監修 藤森直治,鹿田真一、ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》 第4章 ナノ結晶ダイヤモンド薄膜 p36~44、第6章 半導体特性 p63~71、第7章 p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性 p75~84、第8章 n型ドーピングと半導体特性 p86~98、2014年版、株式会社 シーエムシー出版。
編集兼発行者 下中邦彦、「世界大百科事典17」鉛ガラス p48、「世界大百科事典20」放射性元素 第2表 人工放射性元素 p346~361、硼素化学(水素化ホウ素とその誘導体)p412、ボランBorane p626、1967年版、株式会社 平凡社。
著作 稲垣道夫、カーボン「古くて新しい材料」フレキ
シンブルグラファイトシートの著しい異方性 p71~72、2009年版、株式会社 工業調査会。
シンブルグラファイトシートの著しい異方性 p71~72、2009年版、株式会社 工業調査会。
日本経済新聞、核融合発電で日本連合(1面)、核融合発電 少ない燃料で膨大な熱量(総合2)、各国実用化へ競争激化 核融合発電目標「30年代」も(ビジネス2)、2023年 5月17日発行 12版、日本経済新聞社。
日本経済新聞、水素・ホウ素核融合成功 核融合科研と米新興、2023年 3月21日発行 12版(ビジネス・テック)、日本経済新聞社。
日本経済新聞、発電実証も中国先行へ 核融合・国際実験超える能力 日本・問われる本気度、2023年 2月23日発行 12版(総合1)、日本経済新聞社。
日本経済新聞、「地上の太陽」実用化へ一歩 米・核融合でエネルギー純増 脱炭素発電に期待、2022年12月15日発行 12版(総合2)、日本経済新聞社。
ヘリカル型核融合装置「LHD」や、核融合炉「ITER」または原型炉「CFETR」等の運転終了または事故や廃炉等で生じる低レベル放射性廃棄物の処理処分が課題だ。
原型炉「CFETR」を中国は2030年代の運転開始を目指している。ヘリカル型核融合装置「LHD」もスタートアップの中には2030年代の実用化を目標に掲げている。核融合装置の方式は、トカマク型、ヘリカル型、ミラー型、逆磁場ピンチ方式、慣性閉じ込め型の装置からの低レベル放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線α線・β線、電磁波のγ線・X線)の処理および処分が2030年以降に、大きな課題となる。核融合の放射性廃棄物の処分シナリオでは、ITERまたはCFETR等の放射性廃棄物の処分は、現在の技術で取扱い可能で、その方針は、原子力委員会「IR・研究所等廃棄物処理処分の考え方」等に基くと考えられる。
核分裂反応装置である原子力発電所の「PWR」や「BWR」等の事故や廃炉で生じる高レベル放射性廃棄物または低レベル放射性廃棄物の処理および処分が課題である。青森県六ヶ所村の再処理工場または再処理施設の運営も未完成であり、使用済み核燃料の再処理時に出る高レベル放射性廃棄物の廃液をガラスで固化する技術にも課題が残る。高速増殖原型炉「もんじゅ」は廃炉が決まっているが、処理および処分が課題で、未定である。
本考案は、核融合装置または核分裂反応装置、次世代原発炉、浮体式原発炉による放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・X線)は再生可能エネルギーであり、np型またはpn型、または、nip型またはpin型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層をタンデム型に設けたCVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に設けた永年変換発電の電力を活用(実願2023-001128号)する。現在の放射性廃棄物の処理および処分は、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器にセメントを用いた放射性廃棄物の封入、または固化して埋設または地層処分をしている。
原型炉「CFETR」を中国は2030年代の運転開始を目指している。ヘリカル型核融合装置「LHD」もスタートアップの中には2030年代の実用化を目標に掲げている。核融合装置の方式は、トカマク型、ヘリカル型、ミラー型、逆磁場ピンチ方式、慣性閉じ込め型の装置からの低レベル放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線α線・β線、電磁波のγ線・X線)の処理および処分が2030年以降に、大きな課題となる。核融合の放射性廃棄物の処分シナリオでは、ITERまたはCFETR等の放射性廃棄物の処分は、現在の技術で取扱い可能で、その方針は、原子力委員会「IR・研究所等廃棄物処理処分の考え方」等に基くと考えられる。
核分裂反応装置である原子力発電所の「PWR」や「BWR」等の事故や廃炉で生じる高レベル放射性廃棄物または低レベル放射性廃棄物の処理および処分が課題である。青森県六ヶ所村の再処理工場または再処理施設の運営も未完成であり、使用済み核燃料の再処理時に出る高レベル放射性廃棄物の廃液をガラスで固化する技術にも課題が残る。高速増殖原型炉「もんじゅ」は廃炉が決まっているが、処理および処分が課題で、未定である。
本考案は、核融合装置または核分裂反応装置、次世代原発炉、浮体式原発炉による放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・X線)は再生可能エネルギーであり、np型またはpn型、または、nip型またはpin型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層をタンデム型に設けたCVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器に設けた永年変換発電の電力を活用(実願2023-001128号)する。現在の放射性廃棄物の処理および処分は、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器にセメントを用いた放射性廃棄物の封入、または固化して埋設または地層処分をしている。
ヘリカル型核融合装置「LHD」を使った水素のプラズマ(電離気体)にホウ素の粉末を添加した後、軽水素をホウ素に高速照射することによって生じた高エネルギーを発電に用い、反応後にはヘリウムが生じ、非荷電粒子線の中性子が発生しない低レベル放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・X線)をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた変換発電、および電離放射線の遮蔽を設けた安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、脱炭素の再生可能エネルギーとなる放射性廃棄物を活用した、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置において、
金属製容器に封入した低レベル放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層およびグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層に、i型真性CVDダイヤモンド薄膜層を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層にグラファイトシート電極および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層を設け、鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラスを設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
金属製容器に封入した低レベル放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層およびグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層に、i型真性CVDダイヤモンド薄膜層を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層にグラファイトシート電極および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層を設け、鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラスを設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
電離放射線の入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層およびグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層にグラファイトシート電極および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層を設け、鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラスを設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
ヘリカル型核融合装置「LHD」、または核融合装置の低レベル放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた金属製容器の処理処分後も、100年以上安定した永年変換発電の電力を活用する。脱炭素の再生可能エネルギーとなる放射性廃棄物を活用した、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置である。
核融合科学研究所(岐阜県土岐市)は米核融合スタートアップのTAEテクノロジーズと共同で、軽水素とホウ素の新たな燃料の組み合わせによる核融合実験装置・大型ヘリカル装置「LHD」を使って成功した。核融合炉「ITER」または原型炉「CFETR」は、燃料に重水素とトリチウムを使う場合、反応で生じる非荷電粒子線の中性子が核融合炉の外壁を傷めるということがある。水素・ホウ素の核融合装置「LHD」では、反応後にはヘリウムが生じ、非荷電粒子線の中性子は発生しないため、クリーンな核融合発電が可能である。しかし、核融合炉「ITER」や原型炉「CFETR」またはヘリカル核融合装置「LHD」の低レベル放射性廃棄物の処理および処分方法が、2030年以降に大きな課題とされる。放射性廃棄物のシナリオには、ITERの放射性廃棄物の処分は、現在の技術で取扱い可能で、その方針は、原子力委員会「IR・研究所等廃棄物処理処分の考え方」等に基くと考えられる、とされる。
CVDダイヤモンドのバンドギャップは、5.48eVの半導体としての特性を有している。CVDダイヤモンド半導体薄膜は、高出力型マイクロ波プラズマCVD法、またはマイクロ波プラズマCVD法、表面波プラズマCVD法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜などが用いられる。CVDダイヤモンドは、熱伝導率、弾性定数、透光性、耐熱性、耐化学薬品性、耐放射線性、絶縁性、絶縁破壊など物質中で最高もしくは準最高値を有する材料とされる。本考案のタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層のトップセル層には、バンドギャップ1.43eVのヒ素・ガリウム(AsGa)をドーピングしたnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合を設け、ボトムセル層には、バンドギャップ1.35eVのリン・インジウム(PIn)をドーピングしたnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合をタンデム型に設けた構成である。また、nip型またはpin型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合をタンデム型に設けた構成も同様である。
[引用非特許文献2]に記載のナノ結晶ダイヤモンド薄膜は、(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター。半導体特性、(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター。p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性、(独)物質・材料研究機構 センサ材料センター。n型ドーピングと半導体特性、(独)産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門・(独)物質・材料機構 センサ材料センター。の記載された文献を参考にした。
[引用非特許文献2]に記載のナノ結晶ダイヤモンド薄膜は、(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター。半導体特性、(独)産業技術総合研究所 ダイヤモンド研究センター。p型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性、(独)物質・材料研究機構 センサ材料センター。n型ドーピングと半導体特性、(独)産業技術総合研究所 ナノテクノロジー研究部門・(独)物質・材料機構 センサ材料センター。の記載された文献を参考にした。
CVDダイヤモンド半導体薄膜は、炭素(C)と同じ第14族元素に属している。n型CVDダイヤモンド半導体薄膜層へのドーピングは、第15族元素の窒素(N)、リン(P)、ヒ素(As)、アンチモン(Sb)などをドーピングすることができる。p型CVDダイヤモンド半導体薄膜層へのドーピングは、ホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)などをドーピングすることができる。
グラファイトシート面に平行方向は、垂直方向に比べて100倍以上も電気を通しやすく、熱伝導率も平行方向で40倍である。シート面に平行方向に電気および熱が圧倒的に流れやすく、熱伝導率は銅あるいはアルミニウムなどの金属にほぼ匹敵する。特に、グラファイトが3,000℃以上の温度に耐える。本考案のタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層に用いる電極には、グラファイトシート電極を設けた構成。
鉛ガラスは、電磁波のγ線・X線の吸収が大きく、遮蔽に用いられる。したがって、本考案は電離放射線の遮蔽に鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラスを金属製容器に設けた構成。
水素とホウ素との化合物はボランともいわれ、特異な化合結合を有し、分解や燃焼の際に高エネルギーを発生することなどのためロケット燃料として注目された。1942年ころからアメリカでは軍事目的から盛んに研究され、工業的生産が増したが1959年 9月、アメリカ政府は突然その特命を解除している。しかしこのため、この種の化合物の研究が大いに進歩した。
ボラン(Borane) ホウ素化水素ともいわれる。BnHn+4かBnHn+6であらわされるもので、ジボランB2H6、テトラボランB4H10、ペンタボラン(9水素)B5H9、ペンタボラン(11水素)B5H11、ヘキサボランB6H10、デカボランB10H14などがある。ロケットの高エネルギー燃料として、舶来燃料(Exotic fuel)、ハイカル燃料(Hycal fuel)、ジップ燃料(Zip fuil)、という商品名で取り扱われたものはペンタボラン(沸点48℃)やデカボラン(融点99.7℃)などを主成分とされる。
ボラン(Borane) ホウ素化水素ともいわれる。BnHn+4かBnHn+6であらわされるもので、ジボランB2H6、テトラボランB4H10、ペンタボラン(9水素)B5H9、ペンタボラン(11水素)B5H11、ヘキサボランB6H10、デカボランB10H14などがある。ロケットの高エネルギー燃料として、舶来燃料(Exotic fuel)、ハイカル燃料(Hycal fuel)、ジップ燃料(Zip fuil)、という商品名で取り扱われたものはペンタボラン(沸点48℃)やデカボラン(融点99.7℃)などを主成分とされる。
本考案の図1の参考側面及び断面図に示す。ヘリカル核融合装置「LHD」の低レベル放射性廃棄物をドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線のα・β線、電磁波のγ線・X線)の入射面に、耐放射線性CVDダイヤモンド薄膜層3設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4に、絶縁性CVDダイヤモンド薄膜層3を設け、電離放射線を遮蔽する鉛またはタリウム2、もしくは鉛ガラス2を設けた安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の安定した100年以上の永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、脱炭素の再生可能エネルギー活用のタンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
本考案の図2の参考断面図に示す。ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に低レベル放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層3およびグラファイトシート電極5を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層6およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層7接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層6・7または7・6に、i型真性CVDダイヤモンド薄膜層8を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層9およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層10接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層9・10または10・9を接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層6・7・8・9・10または7・6・8・10・9に、グラファイトシート電極11および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層3を設け、鉛またはタリウム2、もしくは鉛ガラス2を設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
本考案の図3の参考断面図に示す。ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に低レベル放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層3およびグラファイトシート電極5を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層6およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層7接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層6・7または7・6を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層9およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層10接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層9・10または10・9接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層6・7・9・10または7・6・10・9に、グラファイトシート電極11および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層を設け、鉛またはタリウム2、もしくは鉛ガラス2を設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
水素のプラズマ(電離気体)にホウ素の粉末を添加した後、水素をホウ素に高速照射によって生じた高エネルギーを発電に用いたヘリカル型核融合装置「LHD」の反応後に、ヘリウムが生じて非荷電粒子線の中性子が発生しないとされる低レベル放射性廃棄物、または、トカマク型、ミラー型、逆磁場ピンチ方式、完成閉じ込め型、などの核融合炉から出る低レベル放射性廃棄物を、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けた変換発電、および電離放射線(荷電粒子線α線・β線、電磁波のγ線・X線)の遮蔽2、または非荷電粒子線の中性子線の吸収層(実願2023-001128号)を設けた安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の安定した100年以上の永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、脱炭素の再生可能エネルギーとなる放射性廃棄物を活用した、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
2030年代前半の核融合炉「ITER」または原型炉「CFETR」、ヘリカル型核融合装置「LHD」などの低レベル放射性廃棄物の処理処分が最重要であり、ドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に放射性廃棄物を封入し、放射性物質から出る電離放射線の荷電粒子線(α線・β線)および電磁波(γ線・X線)をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4を設けた変換発電、および電離放射線の遮蔽や中性子線の吸収層を設けた金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の安定した100年以上の永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、脱炭素の再生可能エネルギーとなる放射性廃棄物を活用した、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
原子力発電に伴う放射性廃棄物の最終処分に向けて、
スウェーデンでは、エスポ岩盤研究所と呼ばれる地下研究所と、銅を用いた金属製容器のキャニスター封入施設が建設され、処分実施主体・スウェーデン核燃料・廃棄物管理会社(SKB)が「オスカーシャムとエストハンマル」の二つの自治体と連携しながら、今後、処分事業を進めていく。
フィンランドでは、オルキルオトの岩盤の詳細調査を行うために、「オンカロ」と呼ばれる調査施設が2004年から建設され、将来的には処分施設の一部として利用される。そのオンカロの中心部、地下約450メートルまで潜り、岩盤に孔を掘り、模擬廃棄物を設置するデモンストレーションを行い、周囲の岩盤への影響をモニタリングする調査を行い、デモンストレーションを実施した後に、操業許可申請を政府に提出し、2020年代には操業を開始する予定をしている。銅を用いた金属製容器のキャニスタに放射性廃棄物を封入し、行われている。
経済産業省は、原子力発電の蒸気発生器、給水加熱器、使用済み核燃料を貯蔵する容器の3つについて再利用を条件に例外的に輸出を認めるとされるが、米国やスウェーデンではこうした金属の除染や溶融などの処理をし、再利用するビジネスが確立されている。
スウェーデンでは、エスポ岩盤研究所と呼ばれる地下研究所と、銅を用いた金属製容器のキャニスター封入施設が建設され、処分実施主体・スウェーデン核燃料・廃棄物管理会社(SKB)が「オスカーシャムとエストハンマル」の二つの自治体と連携しながら、今後、処分事業を進めていく。
フィンランドでは、オルキルオトの岩盤の詳細調査を行うために、「オンカロ」と呼ばれる調査施設が2004年から建設され、将来的には処分施設の一部として利用される。そのオンカロの中心部、地下約450メートルまで潜り、岩盤に孔を掘り、模擬廃棄物を設置するデモンストレーションを行い、周囲の岩盤への影響をモニタリングする調査を行い、デモンストレーションを実施した後に、操業許可申請を政府に提出し、2020年代には操業を開始する予定をしている。銅を用いた金属製容器のキャニスタに放射性廃棄物を封入し、行われている。
経済産業省は、原子力発電の蒸気発生器、給水加熱器、使用済み核燃料を貯蔵する容器の3つについて再利用を条件に例外的に輸出を認めるとされるが、米国やスウェーデンではこうした金属の除染や溶融などの処理をし、再利用するビジネスが確立されている。
ヘリカル型核融合装置「LHD」の燃料は、軽水素(1H)とホウ素(B)とされる。核融合炉「ITER」または原型炉「CFETR」等の燃料は、重水素(D2O、DHO)とトリチウム三重水素3H(T)とされ、海水から採取できるとされる。重水は、水素原子が重水素原子(D)に置き換わったもので、D2O、DHOの2種類がある。トリチウム(T)は、軽水や重水の中性子照射などにより生成された3H(D)の三重水素トリチウムとされる。
2011年 3月11日に発生した東日本大震災による福島県にある東京電力福島第一原子力発電所の事故により、汚染水を浄化する多核種除去設備(ALPS)による放射性物質トリチウム三重水素3H(T)を含む処理水を海水で薄めた希釈設備を設けて海洋放出される。放射性物質を唯一取り除くのが難しいとされる処理水のトリチウム(T)を分離し、核融合炉ITERまたは原型炉CFETR等の核融合装置の燃料とするトリチウム三重水素3H(T)を大量に確保(特願2020-077761号・放射性物質トリチウムを低減する処理装置)可能と思われる。
超純水H2Oおよび重水D2Oは、信州大学審査学位論文(ナノ細孔性カーボンの水同位体吸着特性および吸脱着法を用いた水同位体分離)2018年 3月,小野勇次,著作権法第42条第2項第1号の規定による文献。 トリチウム水タスクフォース「トリチウム水タスクフォース報告書」,経済産業省資源エネルギー庁電力・ガス事業部原子力政策課原子力発電所事故収束対応室,2016年 6月の資料。
2011年 3月11日に発生した東日本大震災による福島県にある東京電力福島第一原子力発電所の事故により、汚染水を浄化する多核種除去設備(ALPS)による放射性物質トリチウム三重水素3H(T)を含む処理水を海水で薄めた希釈設備を設けて海洋放出される。放射性物質を唯一取り除くのが難しいとされる処理水のトリチウム(T)を分離し、核融合炉ITERまたは原型炉CFETR等の核融合装置の燃料とするトリチウム三重水素3H(T)を大量に確保(特願2020-077761号・放射性物質トリチウムを低減する処理装置)可能と思われる。
超純水H2Oおよび重水D2Oは、信州大学審査学位論文(ナノ細孔性カーボンの水同位体吸着特性および吸脱着法を用いた水同位体分離)2018年 3月,小野勇次,著作権法第42条第2項第1号の規定による文献。 トリチウム水タスクフォース「トリチウム水タスクフォース報告書」,経済産業省資源エネルギー庁電力・ガス事業部原子力政策課原子力発電所事故収束対応室,2016年 6月の資料。
核融合装置(トカマク型、ヘリカル型、ミラー型、逆磁場ピンチ方式、慣性閉じ込め型)、核分裂反応装置(加圧水型軽水炉、沸騰水型軽水炉、重水炉、ガス冷却炉)、次世代原発炉(革新軽水炉、小型モジュール炉、高温ガス炉、高速炉)、浮体式原発炉(小型モジュール炉SMRの一種、溶融塩高速炉MCFR)、等からの高レベル放射性廃棄物、または低レベル放射性廃棄物をドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線α線・β線、電磁波のγ線・X線)を、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の永年変換発電の電力を活用する。荷電粒子線(α線・β線)電磁波(γ線・X線)は、鉛またはタリウム2、もしくは鉛ガラス2を金属製容器1設けて遮蔽し、非荷電粒子線の中性子線は、ホウ素、カドミウム、カーボン等の混合層を金属製容器1に設けて吸収する(実願2023-001128号)。本考案のヘリカル型核融合装置「LHD」は中性子が発生しないとされ、中性子線を吸収する混合層は金属製容器1に設けない構成とした、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
核融合装置、次世代原発炉、浮体式原発炉は、2025年以降から2030年代前半の実用化または商用化が計画されている。放射性廃棄物をドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器1に封入し、放射性物質から出る電離放射線を、金属製容器1に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層4の永年変換発電の電力を活用する。電離放射線は鉛またはタリウム2もしくは鉛ガラス2を金属製容器1に設けて遮蔽する金属製容器装置であり、中性子線の吸収はホウ素、カドミウム、カーボン等の混合層を金属製容器1に設けて吸収する(実願2023-001128号)金属製容器装置。
1 金属製容器(ドラム缶またはキャニスター)
2 鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラス
3 CVDダイヤモンド薄膜層
4 タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
5 グラファイトシート電極
6 ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
7 ガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
8 i型真性CVDダイヤモンド薄膜層
9 リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
10 インジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
11 グラファイトシート電極
2 鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラス
3 CVDダイヤモンド薄膜層
4 タンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層
5 グラファイトシート電極
6 ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
7 ガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
8 i型真性CVDダイヤモンド薄膜層
9 リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
10 インジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層
11 グラファイトシート電極
Claims (2)
- ヘリカル型核融合装置「LHD」を使った水素のプラズマ(電離気体)にホウ素の粉末を添加した後、軽水素をホウ素に高速照射することによって生じた高エネルギーを発電に用い、反応後にはヘリウムが生じ、非荷電粒子線の中性子が発生しない低レベル放射性廃棄物を金属製容器に封入し、放射性物質から出る電離放射線(荷電粒子線のα線・β線、電磁波のγ線・X線)をタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層を設けた変換発電、および電離放射線の遮蔽を設けた安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、脱炭素の再生可能エネルギーとなる放射性廃棄物を活用した、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置において、
金属製容器に封入した低レベル放射性廃棄物の放射性物質から出る電離放射線の入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層およびグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層に、i型真性CVDダイヤモンド薄膜層を伴うヘテロ接合を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層にグラファイトシート電極および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層を設け、鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラスを設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、タンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。 - 電離放射線の入射面に、耐放射線性のCVDダイヤモンド薄膜層およびグラファイトシート電極を設け、トップセル層に、ヒ素(As)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびガリウム(Ga)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を設け、ボトムセル層に、リン(P)ドープn型CVDダイヤモンド半導体薄膜層およびインジウム(In)ドープp型CVDダイヤモンド半導体薄膜層接合のnp型またはpn型CVDダイヤモンド半導体薄膜変換層を接合したタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層にグラファイトシート電極および絶縁性のCVDダイヤモンド薄膜層を設け、鉛またはタリウム、もしくは鉛ガラスを設けて電離放射線を遮蔽する安全性のドラム缶またはキャニスターと呼ばれる金属製容器の貯蔵や保管、埋設や地層処分後も、金属製容器に設けたタンデム型CVDダイヤモンド半導体薄膜電離放射線変換層の安定した永年変換発電の電力を活用する、または蓄電池を設けて活用する、請求項1に記載のタンデム型CVDダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2023002199U JP3243275U (ja) | 2023-06-06 | 2023-06-06 | タンデム型cvdダイヤモンド半導体原子力電池を設けた安全性の金属製容器装置。 |
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- 2023-06-06 JP JP2023002199U patent/JP3243275U/ja active Active
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