JP3241485B2 - 溶接用フラックス入りワイヤの製造方法 - Google Patents
溶接用フラックス入りワイヤの製造方法Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は炭素鋼、ステンレス鋼
管などにフラックスを充填した溶接用フラックス入りワ
イヤの製造方法に関する。
管などにフラックスを充填した溶接用フラックス入りワ
イヤの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】溶接用フラックス入りシームレスワイヤ
では、帯鋼を所要の幅でスリッティングし、スリット後
の帯鋼を成形ロールによりＵ字形からＯ字形に漸次成形
する。この成形途中でＵ字形帯鋼の長手方向に沿った開
口からフィーダによりフラックスを帯鋼谷部に供給す
る。ついで、Ｏ字形に成形すると同時に、開口の相対す
るエッジ面を溶接により接合し、引き続いて縮径する。
さらに必要に応じて焼鈍したのちフラックスが充填され
た管を所望の径に伸線、巻き取って製品とする。
では、帯鋼を所要の幅でスリッティングし、スリット後
の帯鋼を成形ロールによりＵ字形からＯ字形に漸次成形
する。この成形途中でＵ字形帯鋼の長手方向に沿った開
口からフィーダによりフラックスを帯鋼谷部に供給す
る。ついで、Ｏ字形に成形すると同時に、開口の相対す
るエッジ面を溶接により接合し、引き続いて縮径する。
さらに必要に応じて焼鈍したのちフラックスが充填され
た管を所望の径に伸線、巻き取って製品とする。
【０００３】上記溶接用フラックス入りワイヤの製造に
おける溶接法として、高周波誘導溶接法、高周波抵抗溶
接法等の高周波溶接が広く用いられている。これらの溶
接法は、いずれもほぼＯ字形に成形したところで、高周
波電流により開口のエッジ面を溶融温度まで加熱し、相
対するエッジ面を一対のスクイズロールにより圧接す
る。
おける溶接法として、高周波誘導溶接法、高周波抵抗溶
接法等の高周波溶接が広く用いられている。これらの溶
接法は、いずれもほぼＯ字形に成形したところで、高周
波電流により開口のエッジ面を溶融温度まで加熱し、相
対するエッジ面を一対のスクイズロールにより圧接す
る。
【０００４】ところで、フラックスを充填し、溶接した
管を圧延、伸線等により縮径する際に、管外皮に割れが
発生することがある。そして、この割れの原因として、
次のように考えられている。溶接時に管状体の開口エッ
ジ面に酸化物やケイ酸物等のフラックスの一部が付着す
る。すなわち溶接位置では溶接電流によって発生した磁
場により管状体の開口エッジ部は磁極となる。したがっ
てフラックスのうちの強磁性成分は、磁力により開口エ
ッジ部に吸着される。このとき非磁性成分も強磁性成分
に伴われて開口エッジ部に付着する。これら開口エッジ
部に付着したフラックスは、接合溶接部に溶け込み、介
在物となり、溶接欠陥となる。そして、この溶接欠陥に
より縮径時に割れが発生する。縮径時の割れはそのまま
製品すなわち溶接用フラックス入りワイヤに持ち込ま
れ、溶接作業性を劣化させる。
管を圧延、伸線等により縮径する際に、管外皮に割れが
発生することがある。そして、この割れの原因として、
次のように考えられている。溶接時に管状体の開口エッ
ジ面に酸化物やケイ酸物等のフラックスの一部が付着す
る。すなわち溶接位置では溶接電流によって発生した磁
場により管状体の開口エッジ部は磁極となる。したがっ
てフラックスのうちの強磁性成分は、磁力により開口エ
ッジ部に吸着される。このとき非磁性成分も強磁性成分
に伴われて開口エッジ部に付着する。これら開口エッジ
部に付着したフラックスは、接合溶接部に溶け込み、介
在物となり、溶接欠陥となる。そして、この溶接欠陥に
より縮径時に割れが発生する。縮径時の割れはそのまま
製品すなわち溶接用フラックス入りワイヤに持ち込ま
れ、溶接作業性を劣化させる。
【０００５】このような問題を解決する技術の一つに特
開昭６０−２３４７９２号公報の「フィラーワイヤの製
造方法」があり、上層に非磁性材料を下層に磁性材料ま
たはフェライト系材料を層状に散布し、上層の非磁性材
料層により強磁性材料またはフェライト系材料が開口エ
ッジ部に吸引されるのを抑制する。さらに他に、特開昭
６０−２３４７９４号公報で開示された「溶接用複合ワ
イヤ」があり、非透磁率が１．１０以下の粉末原料の実
質的に非磁性の粉体を充填し、粉体が磁力により開口エ
ッジ部に吸着するのを防止する。さらに他に特開昭６３
−５８９７号公報で開示された「複合管の製造方法」が
あり、粉体の供給時に４８メッシュより細かい微粉末を
除去し、微粉末が開口エッジ部に付着するのを防止す
る。
開昭６０−２３４７９２号公報の「フィラーワイヤの製
造方法」があり、上層に非磁性材料を下層に磁性材料ま
たはフェライト系材料を層状に散布し、上層の非磁性材
料層により強磁性材料またはフェライト系材料が開口エ
ッジ部に吸引されるのを抑制する。さらに他に、特開昭
６０−２３４７９４号公報で開示された「溶接用複合ワ
イヤ」があり、非透磁率が１．１０以下の粉末原料の実
質的に非磁性の粉体を充填し、粉体が磁力により開口エ
ッジ部に吸着するのを防止する。さらに他に特開昭６３
−５８９７号公報で開示された「複合管の製造方法」が
あり、粉体の供給時に４８メッシュより細かい微粉末を
除去し、微粉末が開口エッジ部に付着するのを防止す
る。
【０００６】特開平３−２０７５９８号公報で開示され
た「粉体入りワイヤの製造方法」では実質的に非磁性の
原料粉末を造粒し、強磁性成分に伴って開口エッジ部へ
舞い上がることを防止する。また他の技術として、特開
昭５４−１０９０４０号公報で開示された「粉末が充填
された管を製造する方法」がある。この技術は、管状体
いっぱいに充満されないようにして粉体を供給し、接合
溶接部と供給された粉体層表面との間に空隙すなわち距
離を設け、粉体が舞い上って開口エッジ部に至らないよ
うにしている。
た「粉体入りワイヤの製造方法」では実質的に非磁性の
原料粉末を造粒し、強磁性成分に伴って開口エッジ部へ
舞い上がることを防止する。また他の技術として、特開
昭５４−１０９０４０号公報で開示された「粉末が充填
された管を製造する方法」がある。この技術は、管状体
いっぱいに充満されないようにして粉体を供給し、接合
溶接部と供給された粉体層表面との間に空隙すなわち距
離を設け、粉体が舞い上って開口エッジ部に至らないよ
うにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によって接合溶接部の改善を図っても、管縮径時に依然
として前述のような割れが発生し、製品歩留りの低下を
招いていた。割れは一度発生すると、最初は微小な割れ
でも、管の縮径サイズが小さくなるに従って管長手方向
に延び、製品サイズではもはや無視できない程度の長さ
となる。
によって接合溶接部の改善を図っても、管縮径時に依然
として前述のような割れが発生し、製品歩留りの低下を
招いていた。割れは一度発生すると、最初は微小な割れ
でも、管の縮径サイズが小さくなるに従って管長手方向
に延び、製品サイズではもはや無視できない程度の長さ
となる。
【０００８】そこで、この発明は、健全な接合溶接部を
得ることにより管外皮に割れのない溶接用フラックス入
りワイヤを提供することを目的とする。
得ることにより管外皮に割れのない溶接用フラックス入
りワイヤを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】発明者らは、管縮径時の
割れは溶接時にオープン管の開口エッジ部に粉体が磁力
により吸着することに基づく溶接欠陥であることを再確
認するとともに、これを防止するには単に粉体を造粒し
て大粒化したりあるいは実質的に非磁性の原料粉末のみ
を供給するといった漠然とした処置では効果が乏しく、
さらに一歩ふみ込んで造粒されたフラックスそのものの
磁気特性に着目し、これを弱磁性域でしかも入熱によっ
て定まるある一定水準以下の磁化率にするなら、粒体の
エッジ部への吸着は防止され割れは生じないことを見出
した。この発明は、これらの知見に基づいてなされたも
のである。
割れは溶接時にオープン管の開口エッジ部に粉体が磁力
により吸着することに基づく溶接欠陥であることを再確
認するとともに、これを防止するには単に粉体を造粒し
て大粒化したりあるいは実質的に非磁性の原料粉末のみ
を供給するといった漠然とした処置では効果が乏しく、
さらに一歩ふみ込んで造粒されたフラックスそのものの
磁気特性に着目し、これを弱磁性域でしかも入熱によっ
て定まるある一定水準以下の磁化率にするなら、粒体の
エッジ部への吸着は防止され割れは生じないことを見出
した。この発明は、これらの知見に基づいてなされたも
のである。
【００１０】この発明の溶接用フラックス入りワイヤの
製造方法は、帯鋼を管状体に成形する途中で管状体にあ
らかじめ造粒されたフラックスを供給し、管状体の両エ
ッジ面を高周波溶接により接合し、フラックスが充填さ
れた溶接管を縮径する溶接用フラックス入りワイヤの製
造方法において、磁化率χg が χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4〔emu/ｇ〕 Ｐ：溶接入熱〔kVA 〕 であるフラックスを少なくとも前記管状体内のフラック
スの上層部になるように供給することを特徴としてい
る。
製造方法は、帯鋼を管状体に成形する途中で管状体にあ
らかじめ造粒されたフラックスを供給し、管状体の両エ
ッジ面を高周波溶接により接合し、フラックスが充填さ
れた溶接管を縮径する溶接用フラックス入りワイヤの製
造方法において、磁化率χg が χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4〔emu/ｇ〕 Ｐ：溶接入熱〔kVA 〕 であるフラックスを少なくとも前記管状体内のフラック
スの上層部になるように供給することを特徴としてい
る。
【００１１】また、前記磁化率のフラックスの粒度ｄが
ｄ≧０．０２Ｐ0.6 〔mm〕であることを特徴としてい
る。
ｄ≧０．０２Ｐ0.6 〔mm〕であることを特徴としてい
る。
【００１２】すなわち、この発明では管内に供給するフ
ラックスの磁化率χg を高周波溶接の入熱Ｐ（すなわち
ＥP ＩP 〔kVA 〕）に対応して上記のように低レベルに
抑え、しかもフラックスを造粒したフラックスにしたか
ら入熱Ｐにより発生する磁場の影響を実質的に無視でき
る。
ラックスの磁化率χg を高周波溶接の入熱Ｐ（すなわち
ＥP ＩP 〔kVA 〕）に対応して上記のように低レベルに
抑え、しかもフラックスを造粒したフラックスにしたか
ら入熱Ｐにより発生する磁場の影響を実質的に無視でき
る。
【００１３】この発明で磁化率χg とはフラックスの単
位質量当りの磁化率であり、フラックスの質量をａ
〔ｇ〕、磁気モーメントをμ〔Ｇ・cm3 〕、外部磁場を
Ｈ〔Oe（＝Ｇ）〕とすると、磁化率χg は χg ＝μ／ａＨ〔cm3 ・ｇ-1〕（〔cm3 ・ｇ-1〕＝〔emu/ｇ〕） で表わされる。ここでは、慣例に従って〔cm3 ・ｇ-1〕
を〔emu/ｇ〕と表記する。
位質量当りの磁化率であり、フラックスの質量をａ
〔ｇ〕、磁気モーメントをμ〔Ｇ・cm3 〕、外部磁場を
Ｈ〔Oe（＝Ｇ）〕とすると、磁化率χg は χg ＝μ／ａＨ〔cm3 ・ｇ-1〕（〔cm3 ・ｇ-1〕＝〔emu/ｇ〕） で表わされる。ここでは、慣例に従って〔cm3 ・ｇ-1〕
を〔emu/ｇ〕と表記する。
【００１４】本発明において入熱量Ｐとは溶接機の出力
としての入熱量ＥP ＩP (kVA）であり、そして適正入熱
量は溶接速度Ｖ、板厚ｔ等によって変る。図３は溶接速
度Ｖ（ｍ／min)を変数として適正入熱量の範囲を示して
いる。図３において、曲線ＰL の下側の領域Ｉは冷接割
れが発生する領域を示している。曲線ＰL は近似的にＰ
L ＝４．７０Ｖ0.6 ｔ1.6 として表わされる。線ＰU の
上側の領域III は最終仕上管の内径以上の直径のスパッ
タが発生する領域を示している。溶接速度Ｖが限界溶接
速度Ｖ0 （曲線ＰL および直線ＰM が交わる点Ｏでの溶
接速度）以下の範囲では、線ＰU は近似的にＰU ＝４．
７０Ｖ0.6 ｔ1.6 （＝ＰL ）＋２．９７Ｖ0.6 ｔ0.6 と
表わされる。また、溶接速度Ｖが限界溶接速度Ｖ0 を超
える範囲では、線ＰU は近似的にＰU ＝０．９７Ｖｔ2
（＝ＰM ）＋０．６１Ｖｔで表わされる直線となる。曲
線ＰL と線ＰU とで挟まれた領域IIは、冷接割れおよび
最終仕上管の内径以上の直径のスパッタ、いわゆる伸線
時に断線を頻発させる大粒のスパッタが発生しない領域
である。また直線ＰM はスパッタリングが観測される最
小入熱量を表わしており、近似的にＰM ＝０．９７Ｖｔ
2 である。曲線ＰLと直線ＰM で挟まれた領域IIａは、
冷接割れおよびスパッタリングが観測されない領域であ
る。限界溶接速度Ｖ0 はこの領域IIａが消滅する限界の
速度である。溶接速度は速いほど生産性は上がるが、管
状体へのフラックスの供給速度からの制限、造管設備や
後続する圧延設備の能力その他によって制限される。一
方、入熱量は少ない方がエネルギの節約となるが、電源
電圧その他の造管条件の変動のために上記適正領域内で
余裕をもって選ぶのが望ましい。
としての入熱量ＥP ＩP (kVA）であり、そして適正入熱
量は溶接速度Ｖ、板厚ｔ等によって変る。図３は溶接速
度Ｖ（ｍ／min)を変数として適正入熱量の範囲を示して
いる。図３において、曲線ＰL の下側の領域Ｉは冷接割
れが発生する領域を示している。曲線ＰL は近似的にＰ
L ＝４．７０Ｖ0.6 ｔ1.6 として表わされる。線ＰU の
上側の領域III は最終仕上管の内径以上の直径のスパッ
タが発生する領域を示している。溶接速度Ｖが限界溶接
速度Ｖ0 （曲線ＰL および直線ＰM が交わる点Ｏでの溶
接速度）以下の範囲では、線ＰU は近似的にＰU ＝４．
７０Ｖ0.6 ｔ1.6 （＝ＰL ）＋２．９７Ｖ0.6 ｔ0.6 と
表わされる。また、溶接速度Ｖが限界溶接速度Ｖ0 を超
える範囲では、線ＰU は近似的にＰU ＝０．９７Ｖｔ2
（＝ＰM ）＋０．６１Ｖｔで表わされる直線となる。曲
線ＰL と線ＰU とで挟まれた領域IIは、冷接割れおよび
最終仕上管の内径以上の直径のスパッタ、いわゆる伸線
時に断線を頻発させる大粒のスパッタが発生しない領域
である。また直線ＰM はスパッタリングが観測される最
小入熱量を表わしており、近似的にＰM ＝０．９７Ｖｔ
2 である。曲線ＰLと直線ＰM で挟まれた領域IIａは、
冷接割れおよびスパッタリングが観測されない領域であ
る。限界溶接速度Ｖ0 はこの領域IIａが消滅する限界の
速度である。溶接速度は速いほど生産性は上がるが、管
状体へのフラックスの供給速度からの制限、造管設備や
後続する圧延設備の能力その他によって制限される。一
方、入熱量は少ない方がエネルギの節約となるが、電源
電圧その他の造管条件の変動のために上記適正領域内で
余裕をもって選ぶのが望ましい。
【００１５】一方オープン管の開口部に供給されるフラ
ックスは、溶接用フラックス入りワイヤの使用目的に合
せて各種の原料粉末が選択され、そのままの状態である
いは造粒して使用される。溶接用フラックス入りワイヤ
ではスラグ生成剤としてルチールサンド、マグネシアク
リンカー等、アーク安定剤としてケイ酸ソーダ、チタン
酸カリ等、脱酸剤・合金剤として低Ｃ−Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｍｇ等の弱磁性成分が用いら
れ、また鉄粉、酸化鉄等の強磁性成分が溶着速度の向
上、フラックス充填率の調整、溶接作業性の改善のため
に配合されることもある。すでに述べたようにオープン
管の溶接位置では溶接電流によって発生した磁場により
オープン管の開口エッジ部は磁極となるから上記強磁性
成分は磁力により開口エッジ部に吸着されるおそれがあ
る。そこで従来、鉄粉や酸化鉄等の強磁性成分を除い
て、実質的に非磁性の原材料のみを選択しそのままの状
態であるいは造粒してオープン管に供給することを試み
た（特開昭６０−２３４７９４，特開平３−２０７５９
８）。しかしながらこれらの処置はある程度の割れの防
止には有効であるけれども完全解決には至らず依然とし
て満足する結果は得られなかった。その理由は上記高周
波溶接の入熱Ｐ（ＰL ＜Ｐ＜ＰU ）により発生する磁場
は予想以上に強磁場でありいわゆる非磁性つまり比透磁
率１．１０以下のフラックスに対しても影響を及ぼし、
開口エッジ部へと導く危険性を有するからである。
ックスは、溶接用フラックス入りワイヤの使用目的に合
せて各種の原料粉末が選択され、そのままの状態である
いは造粒して使用される。溶接用フラックス入りワイヤ
ではスラグ生成剤としてルチールサンド、マグネシアク
リンカー等、アーク安定剤としてケイ酸ソーダ、チタン
酸カリ等、脱酸剤・合金剤として低Ｃ−Ｆｅ−Ｓｉ，Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ｍｎ，Ａｌ−Ｍｇ等の弱磁性成分が用いら
れ、また鉄粉、酸化鉄等の強磁性成分が溶着速度の向
上、フラックス充填率の調整、溶接作業性の改善のため
に配合されることもある。すでに述べたようにオープン
管の溶接位置では溶接電流によって発生した磁場により
オープン管の開口エッジ部は磁極となるから上記強磁性
成分は磁力により開口エッジ部に吸着されるおそれがあ
る。そこで従来、鉄粉や酸化鉄等の強磁性成分を除い
て、実質的に非磁性の原材料のみを選択しそのままの状
態であるいは造粒してオープン管に供給することを試み
た（特開昭６０−２３４７９４，特開平３−２０７５９
８）。しかしながらこれらの処置はある程度の割れの防
止には有効であるけれども完全解決には至らず依然とし
て満足する結果は得られなかった。その理由は上記高周
波溶接の入熱Ｐ（ＰL ＜Ｐ＜ＰU ）により発生する磁場
は予想以上に強磁場でありいわゆる非磁性つまり比透磁
率１．１０以下のフラックスに対しても影響を及ぼし、
開口エッジ部へと導く危険性を有するからである。
【００１６】本発明者らはフラックスの磁化率χg を高
周波溶接の入熱Ｐ〔kVA 〕と対応させて χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4〔emu/ｇ〕 と規制するならば、上記入熱量Ｐ（ＰL ＜Ｐ＜ＰU ）に
よって発生する磁場の影響力を実質的に無視できること
を実験の結果究明した。フラックスの磁化率はＶＳＭ
（振動試料型磁力計）法により次のようにして求めた。
周波溶接の入熱Ｐ〔kVA 〕と対応させて χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4〔emu/ｇ〕 と規制するならば、上記入熱量Ｐ（ＰL ＜Ｐ＜ＰU ）に
よって発生する磁場の影響力を実質的に無視できること
を実験の結果究明した。フラックスの磁化率はＶＳＭ
（振動試料型磁力計）法により次のようにして求めた。
【００１７】・まず飽和磁気モーメントμs ＝１．１９
８〔Ｇ・cm3 〕のＮｉ箔小片を基準試料とし、これを±
１０kOe で測定してキャリブレートする。
８〔Ｇ・cm3 〕のＮｉ箔小片を基準試料とし、これを±
１０kOe で測定してキャリブレートする。
【００１８】・次に外部磁場Ｈ＝±１００〔Oe〕で試料
（質量ａ〔ｇ〕）の磁気モーメントを測定してその絶対
値を平均する。この磁気モーメントをμ〔Ｇ・cm3 〕と
する。
（質量ａ〔ｇ〕）の磁気モーメントを測定してその絶対
値を平均する。この磁気モーメントをμ〔Ｇ・cm3 〕と
する。
【００１９】・単位質量当りの磁化σはσ＝μ／ａ〔Ｇ
・cm3 ・ｇ-1〕となり、求める磁化率χg ＝σ／Ｈ〔cm
3 ・ｇ-1〕（＝〔emu/ｇ〕）が得られる。
・cm3 ・ｇ-1〕となり、求める磁化率χg ＝σ／Ｈ〔cm
3 ・ｇ-1〕（＝〔emu/ｇ〕）が得られる。
【００２０】図１に入熱Ｐを変数として許容磁化率の範
囲を示す。図１において、曲線χgmax （許容磁化率の
上限）の上側の領域は品質に悪影響を与える割れが発生
する危険領域を示し、又下側の領域は実質的に割れが発
生しない安全領域を示している。図から明らかなように
入熱Ｐが高いほど許容磁化率の上限χg max は低い。こ
れは入熱Ｐが高くなる程、開口エッジ部に流れる電流が
増加し、管内に発生する磁場が強力になる。その結果、
管内のフラックスが磁化され易くなるから、これに対抗
するためにフラックスの磁化率を下げる必要があるから
である。
囲を示す。図１において、曲線χgmax （許容磁化率の
上限）の上側の領域は品質に悪影響を与える割れが発生
する危険領域を示し、又下側の領域は実質的に割れが発
生しない安全領域を示している。図から明らかなように
入熱Ｐが高いほど許容磁化率の上限χg max は低い。こ
れは入熱Ｐが高くなる程、開口エッジ部に流れる電流が
増加し、管内に発生する磁場が強力になる。その結果、
管内のフラックスが磁化され易くなるから、これに対抗
するためにフラックスの磁化率を下げる必要があるから
である。
【００２１】磁化率χg の下限は低い程望ましいので特
に制限するものではない。ただし、使用する原料粉末は
その粉末個有の磁化率を有するので、｜χg ｜＞０とな
ることはいうまでもない。
に制限するものではない。ただし、使用する原料粉末は
その粉末個有の磁化率を有するので、｜χg ｜＞０とな
ることはいうまでもない。
【００２２】このようにフラックスの磁化率χg を入熱
Ｐに対応させて、制限することは、管の割れに対して非
常に有効な手段であるが、さらにフラックスの粒度を粗
くすることにより、重量効果を付与し外部からの影響力
に対抗できるようにすれば、磁化率の抑制と相まって割
れの発生に対して有効であることが確認された。すなわ
ち、一般にフラックスは原料粉末を単に混合したままの
状態であると０．１mm（約１４５mesh）以下の微粉を５
０％以上含むため劣悪な外部環境にさらされる管内粉体
層上部の微粉が舞い上り易い傾向にあることから粒度を
粗くして重量効果を付与することが望ましい。重量効果
の付与策として、フラックスを造粒する。この造粒によ
り個々の原料粉末の中に、それ自身単独では磁場の影響
を受ける鉄粉、鉄合金粉、鉄酸化物等の磁性成分があっ
てもこれを他の弱磁性成分とともに造粒すれば粒一つ一
つの重量が大になって磁気力の影響を受けにくくなる。
Ｐに対応させて、制限することは、管の割れに対して非
常に有効な手段であるが、さらにフラックスの粒度を粗
くすることにより、重量効果を付与し外部からの影響力
に対抗できるようにすれば、磁化率の抑制と相まって割
れの発生に対して有効であることが確認された。すなわ
ち、一般にフラックスは原料粉末を単に混合したままの
状態であると０．１mm（約１４５mesh）以下の微粉を５
０％以上含むため劣悪な外部環境にさらされる管内粉体
層上部の微粉が舞い上り易い傾向にあることから粒度を
粗くして重量効果を付与することが望ましい。重量効果
の付与策として、フラックスを造粒する。この造粒によ
り個々の原料粉末の中に、それ自身単独では磁場の影響
を受ける鉄粉、鉄合金粉、鉄酸化物等の磁性成分があっ
てもこれを他の弱磁性成分とともに造粒すれば粒一つ一
つの重量が大になって磁気力の影響を受けにくくなる。
【００２３】この造粒した造粒体の粒度範囲としは、粒
度ｄを入熱Ｐを変数として ｄ≧０．０２Ｐ0.6 〔mm〕
（＞９０wt％）で表わされる粗粒域に揃えることが望ま
しい。図２に下限粒度曲線ｄmin ＝０．０２Ｐ0.6 を示
す。この曲線ｄmin の上側の領域は割れ発生が認められ
ない零欠陥領域である。図２から明らかなように下限粒
度ｄmin は入熱Ｐが高いほど大きくなっている。これは
入熱Ｐの増加に伴ない磁場が強力化した分だけ粒度を大
きくしていくことが有効であることを示す。
度ｄを入熱Ｐを変数として ｄ≧０．０２Ｐ0.6 〔mm〕
（＞９０wt％）で表わされる粗粒域に揃えることが望ま
しい。図２に下限粒度曲線ｄmin ＝０．０２Ｐ0.6 を示
す。この曲線ｄmin の上側の領域は割れ発生が認められ
ない零欠陥領域である。図２から明らかなように下限粒
度ｄmin は入熱Ｐが高いほど大きくなっている。これは
入熱Ｐの増加に伴ない磁場が強力化した分だけ粒度を大
きくしていくことが有効であることを示す。
【００２４】原料粉末の造粒は、転動造粒法、押出し造
粒法、圧縮造粒法等の適宜公知の手段により実施すれば
よく、また分級もふるい分け法等の適宜公知の手段が採
用できる。例えば原料粉末を所定の配合比で計量混合し
たものに、固着剤としてケイ酸ソーダあるいはケイ酸カ
リの水溶液を単独もしくは混合したものを添加して湿式
混合した後、皿型造粒機により造粒して、乾燥しふるい
分け法により分級して所定の粒度範囲のものを得る。
粒法、圧縮造粒法等の適宜公知の手段により実施すれば
よく、また分級もふるい分け法等の適宜公知の手段が採
用できる。例えば原料粉末を所定の配合比で計量混合し
たものに、固着剤としてケイ酸ソーダあるいはケイ酸カ
リの水溶液を単独もしくは混合したものを添加して湿式
混合した後、皿型造粒機により造粒して、乾燥しふるい
分け法により分級して所定の粒度範囲のものを得る。
【００２５】粒度ｄの上限は特に制限はしないが、最終
仕上管の内径をＤ1 としてｄ≦１０Ｄ1 、望ましくはｄ
≦５Ｄ1 とするのがよい。その理由は粒が大きいことに
よって管縮径時に管長手方向で充填ムラが発生し、その
ため仕上伸線（縮径）段階において、管外皮に偏肉現象
が生じて断線を誘発するようになるからである。
仕上管の内径をＤ1 としてｄ≦１０Ｄ1 、望ましくはｄ
≦５Ｄ1 とするのがよい。その理由は粒が大きいことに
よって管縮径時に管長手方向で充填ムラが発生し、その
ため仕上伸線（縮径）段階において、管外皮に偏肉現象
が生じて断線を誘発するようになるからである。
【００２６】
【作用】ワークコイルに流れる高周波電流を増加させ
て、溶接機の出力としての入熱量Ｐを上げると、それに
ともない磁場が増大するので管内に供給されたフラック
スに対する影響力もより強力なものとなる。
て、溶接機の出力としての入熱量Ｐを上げると、それに
ともない磁場が増大するので管内に供給されたフラック
スに対する影響力もより強力なものとなる。
【００２７】この発明では入熱Ｐを変数としてフラック
スの磁化率χg の上限をいわゆる弱磁性域でさらに制限
し、かつフラックスを造粒して重量効果を付与すること
により、管内のフラックスが磁場の影響により舞い上が
らないようにした。従ってフラックスがオープン管のエ
ッジ面に磁着することに起因する管の割れは実質的にな
くなる。
スの磁化率χg の上限をいわゆる弱磁性域でさらに制限
し、かつフラックスを造粒して重量効果を付与すること
により、管内のフラックスが磁場の影響により舞い上が
らないようにした。従ってフラックスがオープン管のエ
ッジ面に磁着することに起因する管の割れは実質的にな
くなる。
【００２８】このようなフラックスに対する制限は必ず
しも管状体内に供給するフラックス全体に対するもので
なく、少なくともフラックスの上層部になるフラックス
がこの制限を満足すればよい。すなわち下層に位置する
フラックスは上層のフラックスが重しとなって遮蔽する
ので磁場の影響力に抗することができる。従って下層を
形成するフラックスとしては上層の遮蔽作用が有効には
たらく範囲内で、造粒、非造粒あるいは磁性、非磁性等
の適宜のフラックスを使用することが可能である。
しも管状体内に供給するフラックス全体に対するもので
なく、少なくともフラックスの上層部になるフラックス
がこの制限を満足すればよい。すなわち下層に位置する
フラックスは上層のフラックスが重しとなって遮蔽する
ので磁場の影響力に抗することができる。従って下層を
形成するフラックスとしては上層の遮蔽作用が有効には
たらく範囲内で、造粒、非造粒あるいは磁性、非磁性等
の適宜のフラックスを使用することが可能である。
【００２９】
【実施例】以下、溶接用フラックス入りワイヤの製造を
説明する。図４は溶接用フラックス入りワイヤ製造装置
の主要部の構成図である。
説明する。図４は溶接用フラックス入りワイヤ製造装置
の主要部の構成図である。
【００３０】図３に示すように、オープン管１の送り方
向に沿って成形ロール群２、サイドロール３およびフラ
ックス供給装置４が配置されている。成形ロール２の上
流側には、予成形ロール（図示しない）が設けられてい
る。サイドロール３とサイドロール３との間５より成形
途中のオープン管１にフラックス２０が供給される。フ
ラックス２０を供給されたオープン管１は、フィンパス
ロール６、シームガイドロール７を通過し、溶接ゾーン
に入る。高周波誘導溶接装置８はワークコイル９および
スクイズロール１０を備えている。ワークコイル９には
電源１２から、高周波溶接電流が供給される。溶接され
た管１１は切削バイト１３により外面側の余盛りビード
１４が切削され（内面ビード１６は管内に残留する）、
圧延ロール群１５で圧延され、さらに焼鈍を施しながら
圧延装置および伸線装置（いずれも図示しない）により
外径１．０〜２．０ mm の製品サイズまで縮径される。
向に沿って成形ロール群２、サイドロール３およびフラ
ックス供給装置４が配置されている。成形ロール２の上
流側には、予成形ロール（図示しない）が設けられてい
る。サイドロール３とサイドロール３との間５より成形
途中のオープン管１にフラックス２０が供給される。フ
ラックス２０を供給されたオープン管１は、フィンパス
ロール６、シームガイドロール７を通過し、溶接ゾーン
に入る。高周波誘導溶接装置８はワークコイル９および
スクイズロール１０を備えている。ワークコイル９には
電源１２から、高周波溶接電流が供給される。溶接され
た管１１は切削バイト１３により外面側の余盛りビード
１４が切削され（内面ビード１６は管内に残留する）、
圧延ロール群１５で圧延され、さらに焼鈍を施しながら
圧延装置および伸線装置（いずれも図示しない）により
外径１．０〜２．０ mm の製品サイズまで縮径される。
【００３１】このような高周波誘導溶接により幅ｗ＝３
０〜１５０mm、厚さｔ＝１〜５mm程度の帯鋼を外径Ｄ0
＝１０〜５０mm程度の管に造管する。このときの溶接条
件として 高周波電流の周波数 ｆ＝３００〜８００kH
z 入熱量（ＥP ＩP ) Ｐ＝５０〜５００ kVA ワークコイル〜溶接点間の距離 ｌ＝１０〜１００mm アペックス角（Ｖ収束角） θ＝３〜１５° 程度のものが採用され、溶接速度（造管速度）Ｖ＝１０
〜２００ｍ／min 程度の速度で造管が行われる。
０〜１５０mm、厚さｔ＝１〜５mm程度の帯鋼を外径Ｄ0
＝１０〜５０mm程度の管に造管する。このときの溶接条
件として 高周波電流の周波数 ｆ＝３００〜８００kH
z 入熱量（ＥP ＩP ) Ｐ＝５０〜５００ kVA ワークコイル〜溶接点間の距離 ｌ＝１０〜１００mm アペックス角（Ｖ収束角） θ＝３〜１５° 程度のものが採用され、溶接速度（造管速度）Ｖ＝１０
〜２００ｍ／min 程度の速度で造管が行われる。
【００３２】つぎに、上記装置により製造した溶接用フ
ラックス入りワイヤの割れ発生結果について説明する。
ラックス入りワイヤの割れ発生結果について説明する。
【００３３】板厚２．２mm、幅６５．５mmの帯鋼（ＳＰ
ＨＣ，Ｃ＝０．０５％）を、外径２２．４mm、内径１
８．０mmの管に成形した。成形途中でフラックスを充填
率１０〜１５％で充填し、オープン管を連続的に突合せ
接合した。このときワークコイルに供給した高周波電流
の周波数は５４０kHz 、溶接速度Ｖは３０ｍ／min 、ワ
ークコイル〜溶接点距離は２５mm、アペックス角は７°
であった。溶接した外径２２．４mmの管を圧延ロール群
により途中１回の焼鈍を施して外径３．２mmまで縮径
し、焼鈍、めっきを施してコイルに巻き取った。つい
で、仕上伸線し、管外径１．２mm、内径０．６mmの製品
サイズまで縮径して製品ワイヤの割れ発生状況を調べ
た。
ＨＣ，Ｃ＝０．０５％）を、外径２２．４mm、内径１
８．０mmの管に成形した。成形途中でフラックスを充填
率１０〜１５％で充填し、オープン管を連続的に突合せ
接合した。このときワークコイルに供給した高周波電流
の周波数は５４０kHz 、溶接速度Ｖは３０ｍ／min 、ワ
ークコイル〜溶接点距離は２５mm、アペックス角は７°
であった。溶接した外径２２．４mmの管を圧延ロール群
により途中１回の焼鈍を施して外径３．２mmまで縮径
し、焼鈍、めっきを施してコイルに巻き取った。つい
で、仕上伸線し、管外径１．２mm、内径０．６mmの製品
サイズまで縮径して製品ワイヤの割れ発生状況を調べ
た。
【００３４】この場合の適正入熱の範囲を求めるとＶ＝
３０ｍ／min 、ｔ＝２．２mmとして 限界溶接速度Ｖ0 ＝５１．８ｔ-1 ＝２３．５ｍ／min(＜Ｖ＝３０ｍ／min) であるから適正入熱の 下限 ＰL ＝４．７０Ｖ0.6 ｔ1.6 ＝１２８kVA …（図１，３のａ点） 上限 ＰU ＝０．９７Ｖｔ2 ＋０．６１Ｖｔ ＝１８１kVA …（図１，３のｃ点） すなわち適正入熱は、 Ｐ＝１２８〜１８１kVA(図１，３のβ域） となる。またＰM ＝０．９７Ｖｔ2 ＝１４１kVA(図１，
３のｂ点）であるから、この場合 ＰL 〜ＰM ＝１２８〜１４１kVA の入熱範囲では冷接割れおよびスパッタリングが観測さ
れず、ＰM 〜ＰU ＝１４１〜１８１kVA(図１，３のα
域）の入熱範囲では、スパッタリングが観測されるが最
終の仕上伸線工程において断線を誘発する程度の大粒の
スパッタが発生しない。
３０ｍ／min 、ｔ＝２．２mmとして 限界溶接速度Ｖ0 ＝５１．８ｔ-1 ＝２３．５ｍ／min(＜Ｖ＝３０ｍ／min) であるから適正入熱の 下限 ＰL ＝４．７０Ｖ0.6 ｔ1.6 ＝１２８kVA …（図１，３のａ点） 上限 ＰU ＝０．９７Ｖｔ2 ＋０．６１Ｖｔ ＝１８１kVA …（図１，３のｃ点） すなわち適正入熱は、 Ｐ＝１２８〜１８１kVA(図１，３のβ域） となる。またＰM ＝０．９７Ｖｔ2 ＝１４１kVA(図１，
３のｂ点）であるから、この場合 ＰL 〜ＰM ＝１２８〜１４１kVA の入熱範囲では冷接割れおよびスパッタリングが観測さ
れず、ＰM 〜ＰU ＝１４１〜１８１kVA(図１，３のα
域）の入熱範囲では、スパッタリングが観測されるが最
終の仕上伸線工程において断線を誘発する程度の大粒の
スパッタが発生しない。
【００３５】この適正入熱範囲の入熱により高周波誘導
溶接を実施すれば、突合される管状体のエッジ面がクリ
ーンである限り良好な溶接を実施できる。しかし前記し
たようにこの溶接では強力な磁場が発生し、また管内の
空気の乱れ等により管状体に供給されたフラックス中の
磁性粉、微粉等が舞い上りやすくなること、溶接位置に
供給される管状体のエッジ面は原料帯鋼の段階からある
いは成形中に汚れる場合があり必ずしもクリーンな状態
でないこと等からワークコイルにより加熱され溶融状態
にあるエッジ面をスクイズロールで圧接する際にこの汚
れを管内外面に排出（スクイズアウト）する必要があ
る。この場合エッジ面の加熱温度が高い程、エッジ面に
付着した汚れは排出され易くなる傾向にあることから上
記入熱ＰはＰM 以上すなわち Ｐ＝ＰM 〜ＰU ＝１４１〜１８１kVA の範囲（図１，３のα域）が望ましい。
溶接を実施すれば、突合される管状体のエッジ面がクリ
ーンである限り良好な溶接を実施できる。しかし前記し
たようにこの溶接では強力な磁場が発生し、また管内の
空気の乱れ等により管状体に供給されたフラックス中の
磁性粉、微粉等が舞い上りやすくなること、溶接位置に
供給される管状体のエッジ面は原料帯鋼の段階からある
いは成形中に汚れる場合があり必ずしもクリーンな状態
でないこと等からワークコイルにより加熱され溶融状態
にあるエッジ面をスクイズロールで圧接する際にこの汚
れを管内外面に排出（スクイズアウト）する必要があ
る。この場合エッジ面の加熱温度が高い程、エッジ面に
付着した汚れは排出され易くなる傾向にあることから上
記入熱ＰはＰM 以上すなわち Ｐ＝ＰM 〜ＰU ＝１４１〜１８１kVA の範囲（図１，３のα域）が望ましい。
【００３６】この実施例では入熱Ｐ＝１６０kVA で突合
せ溶接を行った。使用したフラックス原料粉末の磁化率
χg を表１に示す。表１の原料粉末を混合して造粒体と
し、または混合したままの非造粒状態とした表２に示す
各種フラックスＦ1 〜Ｆ10を準備した。造粒は固着剤と
して３モルケイ酸ソーダと３モルケイ酸カリの原液を水
で希釈混合したものを使用し、これを混合原料粉末１０
０に対して３の割合で添加して湿式混合の後に皿型造粒
機で造粒し、続いて乾燥したものをふるい分け法により
分級して所定の粒度のものを得た。
せ溶接を行った。使用したフラックス原料粉末の磁化率
χg を表１に示す。表１の原料粉末を混合して造粒体と
し、または混合したままの非造粒状態とした表２に示す
各種フラックスＦ1 〜Ｆ10を準備した。造粒は固着剤と
して３モルケイ酸ソーダと３モルケイ酸カリの原液を水
で希釈混合したものを使用し、これを混合原料粉末１０
０に対して３の割合で添加して湿式混合の後に皿型造粒
機で造粒し、続いて乾燥したものをふるい分け法により
分級して所定の粒度のものを得た。
【００３７】ここで溶接入熱Ｐ＝１６０kVA のときのフ
ラックスの許容磁化率χg は χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4＝４．６
９×１０-4〔emu/ｇ〕である。造粒フラックスの磁化率
χg の調整は、χg ＞４．６９×１０-4cm［emu/g ］の
フェロマンガン（ｆ7 ）と鉄粉（ｆ10）の含有割合を増
減して、あるいは含有なしにより行った。また非造粒フ
ラックスの磁化率χg は各原料粉末の磁化率のうちで最
大のものをそのフラックスの磁化率とした。
ラックスの許容磁化率χg は χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4＝４．６
９×１０-4〔emu/ｇ〕である。造粒フラックスの磁化率
χg の調整は、χg ＞４．６９×１０-4cm［emu/g ］の
フェロマンガン（ｆ7 ）と鉄粉（ｆ10）の含有割合を増
減して、あるいは含有なしにより行った。また非造粒フ
ラックスの磁化率χg は各原料粉末の磁化率のうちで最
大のものをそのフラックスの磁化率とした。
【００３８】またこの場合、粒度ｄの望ましい範囲は ｄ≧０．０２Ｐ0.6 ＝０．４２〔mm〕 である。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】割れの評価は伸線後の外径１．２mmφの製
品ワイヤ１００km（ワイヤ２０kg巻スプール×３７）の
全長にわたってワイヤ外皮の渦流探傷試験（ＥＣＴ）を
実施して割れの有無と位置を確認し、割れ信号が出たと
き該当部分を拡大鏡で観察してワイヤ長手方向の割れの
存在を確認することにより実施した。割れの存在が全く
確認できないとき、これを良好とした。また、割れがあ
るとその割れの開口から表面処理中あるいは伸線中に処
理液がワイヤ中に浸入して製品の品質を劣化させる傾向
にあることから、割れの発生を１箇所でも確認した場合
にはこれを不良とした。
品ワイヤ１００km（ワイヤ２０kg巻スプール×３７）の
全長にわたってワイヤ外皮の渦流探傷試験（ＥＣＴ）を
実施して割れの有無と位置を確認し、割れ信号が出たと
き該当部分を拡大鏡で観察してワイヤ長手方向の割れの
存在を確認することにより実施した。割れの存在が全く
確認できないとき、これを良好とした。また、割れがあ
るとその割れの開口から表面処理中あるいは伸線中に処
理液がワイヤ中に浸入して製品の品質を劣化させる傾向
にあることから、割れの発生を１箇所でも確認した場合
にはこれを不良とした。
【００４２】表２において、実験 No.１〜６および１１
〜１３は本発明の実験例である。 No.１〜６では管内に
供給する全フラックスの磁化率χg が４．６９×１０-4
emu/ｇ以下の条件を満足している。また No.１１〜１３
では上層（５０wt％）のフララックスの磁化率χg が
４．６９×１０-4emu/ｇ以下の条件を満足している。こ
れらの実験例では割れの発生はなく、製品ワイヤとして
の品質は良好で、この溶接用フラックス入りワイヤを用
いて溶接を行ったところ、良好な溶接作業性が実現でき
た。
〜１３は本発明の実験例である。 No.１〜６では管内に
供給する全フラックスの磁化率χg が４．６９×１０-4
emu/ｇ以下の条件を満足している。また No.１１〜１３
では上層（５０wt％）のフララックスの磁化率χg が
４．６９×１０-4emu/ｇ以下の条件を満足している。こ
れらの実験例では割れの発生はなく、製品ワイヤとして
の品質は良好で、この溶接用フラックス入りワイヤを用
いて溶接を行ったところ、良好な溶接作業性が実現でき
た。
【００４３】これに対して、実験 No.７〜１０は比較例
であって、実験 No.７，８は磁化率χg が許容範囲外で
高い。また、 No.９，１０は非造粒フラックスで、粒度
ｄが小さくかつ微粉が多い。このうち No.１０はｆ
10（鉄粉）により磁化率が高くなっている。そのためこ
れらの比較例ではフラックスが磁場により舞い上り管状
体のエッジ部に吸着した結果、割れが発生し、製品歩留
りを下げた。
であって、実験 No.７，８は磁化率χg が許容範囲外で
高い。また、 No.９，１０は非造粒フラックスで、粒度
ｄが小さくかつ微粉が多い。このうち No.１０はｆ
10（鉄粉）により磁化率が高くなっている。そのためこ
れらの比較例ではフラックスが磁場により舞い上り管状
体のエッジ部に吸着した結果、割れが発生し、製品歩留
りを下げた。
【００４４】
【発明の効果】この発明によれば、上記のように少なく
とも前記管状体内のフラックスのうち上層部を形成する
フラックスを造粒体としてその磁化率を溶接入熱Ｐによ
り定まる所定値以下に制限するので、高周波溶接によっ
て生ずる磁場の影響を実質的に受けずにフラックスを管
内に供給することができる。従ってフラックスがオープ
ン管のエッジ面に磁着することに起因する管の割れは実
質的になくなる。この結果、製品歩留りの向上を図るこ
とができ、しかも品質良好な溶接用フラックス入りワイ
ヤを得ることができる。
とも前記管状体内のフラックスのうち上層部を形成する
フラックスを造粒体としてその磁化率を溶接入熱Ｐによ
り定まる所定値以下に制限するので、高周波溶接によっ
て生ずる磁場の影響を実質的に受けずにフラックスを管
内に供給することができる。従ってフラックスがオープ
ン管のエッジ面に磁着することに起因する管の割れは実
質的になくなる。この結果、製品歩留りの向上を図るこ
とができ、しかも品質良好な溶接用フラックス入りワイ
ヤを得ることができる。
【図１】フラックスの磁化率の許容範囲を溶接入熱を変
数として示す線図である。
数として示す線図である。
【図２】フラックスの望ましい粒度範囲を溶接入熱を変
数として示す線図である。
数として示す線図である。
【図３】適正入熱量の範囲を溶接速度を変数として示す
線図である。
線図である。
【図４】この発明の溶接用フラックス入りワイヤを製造
するための装置例を示すもので、溶接用フラックス入り
ワイヤの製造装置の主要部の構成図である。
するための装置例を示すもので、溶接用フラックス入り
ワイヤの製造装置の主要部の構成図である。
１ オープン管 ２ 成形ロール群 ３ サイドロール ４ フラックス供給装置 ６ フィンパスロール ７ シームガイドロール ８ 高周波溶接装置 ９ ワークコイル １０ スクイズロール １１ 溶接された管 １２ 電源 １５ 圧延ロール群 ２０ フラックス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 巖 東京都中央区築地三丁目５番４号 日鐵 溶接工業株式会社内 (72)発明者 橋本 晴次 東京都中央区築地三丁目５番４号 日鐵 溶接工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−55088（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−234792（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/40
Claims (2)
- 【請求項１】 帯鋼を管状体に成形する途中で管状体に
あらかじめ造粒されたフラックスを供給し、管状体の両
エッジ面を高周波溶接により接合し、フラックスが充填
された溶接管を縮径する溶接用フラックス入りワイヤの
製造方法において、磁化率χg が χg ≦（２．００＋２４６Ｐ-0.89 ）・１０-4〔emu/ｇ〕 Ｐ：溶接入熱〔kVA 〕 であるフラックスを少なくとも前記管状体内のフラック
スの上層部になるように供給することを特徴とする溶接
用フラックス入りワイヤの製造方法。 - 【請求項２】 前記フラックスの粒度ｄが ｄ≧０．０
２Ｐ0.6 〔mm〕である請求項１記載の溶接用フラックス
入りワイヤの製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10690193A JP3241485B2 (ja) | 1992-05-11 | 1993-05-07 | 溶接用フラックス入りワイヤの製造方法 |
| US08/125,400 US5474736A (en) | 1992-09-25 | 1993-09-23 | Methods for manufacturing tubes filled with powdery and granular substances |
| DE69318241T DE69318241T2 (de) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Herstellungsverfahren von mit Pulver oder Granulat gefüllten Rohren |
| DE69333320T DE69333320D1 (de) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Herstellungsverfahren von mit Pulver oder Granulat gefüllten Rohren |
| EP97115181A EP0812648B1 (en) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Method for manufacturing tubes filled with powdery and granular substances |
| EP93115433A EP0589470B1 (en) | 1992-09-25 | 1993-09-24 | Methods for manufacturing tubes filled with powdery and granular substances |
| KR1019930019757A KR0173799B1 (ko) | 1992-09-25 | 1993-09-25 | 분립체 충전관의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-117676 | 1992-05-11 | ||
| JP11767692 | 1992-05-11 | ||
| JP10690193A JP3241485B2 (ja) | 1992-05-11 | 1993-05-07 | 溶接用フラックス入りワイヤの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0623587A JPH0623587A (ja) | 1994-02-01 |
| JP3241485B2 true JP3241485B2 (ja) | 2001-12-25 |
Family
ID=26447001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10690193A Expired - Fee Related JP3241485B2 (ja) | 1992-05-11 | 1993-05-07 | 溶接用フラックス入りワイヤの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3241485B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7188270B2 (ja) * | 2018-05-16 | 2022-12-13 | 日本製鉄株式会社 | 金属管の製造方法、金属管の製造装置及びプログラム |
-
1993
- 1993-05-07 JP JP10690193A patent/JP3241485B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0623587A (ja) | 1994-02-01 |
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