JP3239610B2 - ピストン／ピストンリングアッセンブリ - Google Patents
ピストン／ピストンリングアッセンブリInfo
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- JP3239610B2 JP3239610B2 JP09457594A JP9457594A JP3239610B2 JP 3239610 B2 JP3239610 B2 JP 3239610B2 JP 09457594 A JP09457594 A JP 09457594A JP 9457594 A JP9457594 A JP 9457594A JP 3239610 B2 JP3239610 B2 JP 3239610B2
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- Japan
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- piston ring
- piston
- hardness
- lower surfaces
- wear
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Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F05—INDEXING SCHEMES RELATING TO ENGINES OR PUMPS IN VARIOUS SUBCLASSES OF CLASSES F01-F04
- F05C—INDEXING SCHEME RELATING TO MATERIALS, MATERIAL PROPERTIES OR MATERIAL CHARACTERISTICS FOR MACHINES, ENGINES OR PUMPS OTHER THAN NON-POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES OR ENGINES
- F05C2201/00—Metals
- F05C2201/02—Light metals
- F05C2201/021—Aluminium
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、内燃機関に用いられる
ピストン／ピストンリングアッセンブリに関する。
ピストン／ピストンリングアッセンブリに関する。
【０００２】
【従来の技術】エンジンの高出力化に伴い、ピストンリ
ングとその周辺部品の摩擦、摩耗特性の改善が必要であ
り、種々の提案がなされている。その中で、実開昭６３
−１１０６５３号公報は、ピストンリング表面に軟窒化
処理を施しその上にＴｉＮをコーティングして、ピスト
ンリングのシリンダボアとの摺動における耐焼付性、耐
摩耗性を向上させることを提案している。
ングとその周辺部品の摩擦、摩耗特性の改善が必要であ
り、種々の提案がなされている。その中で、実開昭６３
−１１０６５３号公報は、ピストンリング表面に軟窒化
処理を施しその上にＴｉＮをコーティングして、ピスト
ンリングのシリンダボアとの摺動における耐焼付性、耐
摩耗性を向上させることを提案している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ピストン
リングを、鋳鉄製シリンダブロックのシリンダボアに挿
入させた、アルミ合金ＭＭＣ（メタル・マトリクス・コ
ンポジット）ピストンリング溝をもつアルミ合金製ピス
トンに適用すると、ピストンリング外周面の耐摩耗性は
向上するが、逆にアルミ合金ＭＭＣピストンリング溝の
上下面の摩耗は進行するという問題があった。本発明の
目的は、ピストンリング外周面の耐摩耗性も、ピストン
のピストンリング溝上下面の耐摩耗性も、改善できるピ
ストン／ピストンリングアッセンブリを提供することに
ある。
リングを、鋳鉄製シリンダブロックのシリンダボアに挿
入させた、アルミ合金ＭＭＣ（メタル・マトリクス・コ
ンポジット）ピストンリング溝をもつアルミ合金製ピス
トンに適用すると、ピストンリング外周面の耐摩耗性は
向上するが、逆にアルミ合金ＭＭＣピストンリング溝の
上下面の摩耗は進行するという問題があった。本発明の
目的は、ピストンリング外周面の耐摩耗性も、ピストン
のピストンリング溝上下面の耐摩耗性も、改善できるピ
ストン／ピストンリングアッセンブリを提供することに
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の、本発明のピストン／ピストンリングアッセンブリ
は、次の通りである。 （１）アルミ合金ＭＭＣピストンリング溝を有するアル
ミ合金製ピストンと、前記ピストンリング溝に配置され
るピストンリングとから成るピストン／ピストンリング
アッセンブリにおいて、前記ピストンリングのシリンダ
ボアとの摺動面に窒化物層または硬質コーティング膜を
形成し、前記ピストンリングの上下面の硬さをＨｖ４０
０〜６００としたピストン／ピストンリングアッセンブ
リ。 （２）前記ピストンリングの上下面の硬さが、浸炭焼入
れ、焼きもどしによってＨｖ４００〜６００とされてい
る（１）記載のピストン／ピストンリングアッセンブ
リ。
の、本発明のピストン／ピストンリングアッセンブリ
は、次の通りである。 （１）アルミ合金ＭＭＣピストンリング溝を有するアル
ミ合金製ピストンと、前記ピストンリング溝に配置され
るピストンリングとから成るピストン／ピストンリング
アッセンブリにおいて、前記ピストンリングのシリンダ
ボアとの摺動面に窒化物層または硬質コーティング膜を
形成し、前記ピストンリングの上下面の硬さをＨｖ４０
０〜６００としたピストン／ピストンリングアッセンブ
リ。 （２）前記ピストンリングの上下面の硬さが、浸炭焼入
れ、焼きもどしによってＨｖ４００〜６００とされてい
る（１）記載のピストン／ピストンリングアッセンブ
リ。
【０００５】
【作用】上記（１）のピストン／ピストンリングアッセ
ンブリでは、外周面に窒化物層または硬質コーティング
膜が形成されるので外周面の硬さはＨｖ１１００〜２５
００となり、耐摩耗性が改善される。また、ピストンリ
ング上下面は硬さがＨｖ４００〜６００とされるので、
ＡｌベースＭＭＣのピストンリング溝への攻撃性が減少
してピストンリング溝上下面の摩耗量は低減し、ピスト
ンリング上下面そのものの摩耗も少なく、バランスのと
れた摩耗特性が得られる。上記（２）のピストン／ピス
トンリングアッセンブリでは、ピストンリングは浸炭焼
入れされ、その後窒化物層または硬質膜の形成時の高温
（４００℃〜６００℃）を受けて焼もどしされるので、
上下面は容易に硬さがＨｖ４００〜６００とされる。
ンブリでは、外周面に窒化物層または硬質コーティング
膜が形成されるので外周面の硬さはＨｖ１１００〜２５
００となり、耐摩耗性が改善される。また、ピストンリ
ング上下面は硬さがＨｖ４００〜６００とされるので、
ＡｌベースＭＭＣのピストンリング溝への攻撃性が減少
してピストンリング溝上下面の摩耗量は低減し、ピスト
ンリング上下面そのものの摩耗も少なく、バランスのと
れた摩耗特性が得られる。上記（２）のピストン／ピス
トンリングアッセンブリでは、ピストンリングは浸炭焼
入れされ、その後窒化物層または硬質膜の形成時の高温
（４００℃〜６００℃）を受けて焼もどしされるので、
上下面は容易に硬さがＨｖ４００〜６００とされる。
【０００６】
【実施例】以下に、本発明の望ましい実施例を、図面を
参照して説明する。図１において、ピストン／ピストン
リングアッセンブリは、ピストンリング溝２を郭定する
アルミ合金ＭＭＣ部材３を鋳ぐるんだアルミ合金製ピス
トン１と、ピストンリング溝２に配置されるピストンリ
ング４とから成る。ピストン／ピストンリングアッセン
ブリは鋳鉄製シリンダボア５に摺動自在に挿入される。
ピストンリング４は、周方向に１ヶ所切れ目を有する、
断面矩形状の環状体から成る。図２はピストンリング４
の断面を示している。図２に示すように、ピストンリン
グ４の断面はリング母材６と、全面に形成された表面硬
さ調整層７と、リング外周面のみに、表面硬さ調整層の
上に形成された窒化物層あるいは硬質コーティング膜８
と、から成る。リング母材６は、浸炭用低合金鋼または
ステンレス鋼から成り、たとえばＪＩＳ：ＳＣｒ、ＪＩ
Ｓ：ＳＣＭ（肌焼鋼）、日本自動車工業会規格ＡＳＣＢ
等の中炭素低合金、およびステンレス鋼のグループから
選択された何れか一種の鋼から成る。表面硬さ調整層７
は、その硬さがビッカース硬さでＨｖ４００〜６００に
調整された層から成り、たとえば、浸炭焼入れ、高温焼
もどしによって容易に得られる。窒化物層あるいは硬質
コーティング膜８は、リング外周面、すなわちシリンダ
ボア５との摺動面にのみ形成される。硬質膜コーティン
グ、たとえばＣｒＮ、ＴｉＮｉ等は、イオンプレーティ
ングにて４００℃〜６００℃で形成され、窒化物層は５
００℃〜６００℃にて形成される。これらの硬質層形成
時の４００℃〜６００℃の高温を利用して、浸炭後の高
温焼もどしが自然に行われる。
参照して説明する。図１において、ピストン／ピストン
リングアッセンブリは、ピストンリング溝２を郭定する
アルミ合金ＭＭＣ部材３を鋳ぐるんだアルミ合金製ピス
トン１と、ピストンリング溝２に配置されるピストンリ
ング４とから成る。ピストン／ピストンリングアッセン
ブリは鋳鉄製シリンダボア５に摺動自在に挿入される。
ピストンリング４は、周方向に１ヶ所切れ目を有する、
断面矩形状の環状体から成る。図２はピストンリング４
の断面を示している。図２に示すように、ピストンリン
グ４の断面はリング母材６と、全面に形成された表面硬
さ調整層７と、リング外周面のみに、表面硬さ調整層の
上に形成された窒化物層あるいは硬質コーティング膜８
と、から成る。リング母材６は、浸炭用低合金鋼または
ステンレス鋼から成り、たとえばＪＩＳ：ＳＣｒ、ＪＩ
Ｓ：ＳＣＭ（肌焼鋼）、日本自動車工業会規格ＡＳＣＢ
等の中炭素低合金、およびステンレス鋼のグループから
選択された何れか一種の鋼から成る。表面硬さ調整層７
は、その硬さがビッカース硬さでＨｖ４００〜６００に
調整された層から成り、たとえば、浸炭焼入れ、高温焼
もどしによって容易に得られる。窒化物層あるいは硬質
コーティング膜８は、リング外周面、すなわちシリンダ
ボア５との摺動面にのみ形成される。硬質膜コーティン
グ、たとえばＣｒＮ、ＴｉＮｉ等は、イオンプレーティ
ングにて４００℃〜６００℃で形成され、窒化物層は５
００℃〜６００℃にて形成される。これらの硬質層形成
時の４００℃〜６００℃の高温を利用して、浸炭後の高
温焼もどしが自然に行われる。
【０００７】つぎに、上記ピストン／ピストンリングア
ッセンブリのうち、ピストンリングの製造方法を、図３
を参照して、説明する。まず、工程１１にて、素材とし
てＳＣｒ、ＳＣＭ、ＡＳＣＢ、ステンレス鋼の何れかを
用いたピストンリング素材を用意し、必要に応じて機械
加工する。ＳＣｒ、ＳＣＭは炭素量は０．３％以下で低
炭素鋼であり、ＡＳＣＢは炭素量が０．３〜０．５％の
中炭素鋼である。ついで、工程１２にて、浸炭ガス雰囲
気下でピストンリング素材に浸炭焼入れを施す。浸炭焼
入れ条件は、たとえばカーボンポテンシャルＣ．Ｐ．
（浸炭ガス雰囲気のカーボン量）が１．０にて９３０℃
×２ｈｒ浸炭し、ついでＣ．Ｐ．を０．８にて８５０℃
×３０ｍｉｎ浸炭し、ついで１３０℃、油冷の焼入を行
う。この浸炭焼入れによって、ピストンリング素材の表
面部分の炭素量は０．５％以上となり、浸炭焼入れ層の
硬さは焼もどし前でＨｖ８００程度である。ついで、工
程１３にて、摺動面を研磨仕上げする。前工程において
表面がＨｖ８００程度に硬化されているので、研磨仕上
りは容易に良好面となる。ついで、工程１４にて、外周
面（シリンダボアとの摺動面）のみに窒化物層または硬
質コーティング膜８を形成する表面処理を行う。硬質膜
コーティング（ＣｒＮ、ＴｉＮ等）はイオンプレーティ
ングにて４００℃〜６００℃で行う。あるいは窒化にお
いても５００℃〜６００℃にて行う。ＴｉＮイオンプレ
ーティング（アーク式）では、たとえば、アーク電流が
８０Ａ、バイアス電圧が１５０Ｖ、Ｎ2 ガス圧が２０ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜時間が６０ｍｉｎ、処理温度が５００℃
とされる。ガス窒化層の場合は外周面硬さはＨｖ１１０
０程度であり、ＴｉＮ膜の場合は外周面硬さはＨｖ２０
００程度である。処理温度４００℃〜６００℃により、
ピストンリング上下面の浸炭焼入れ層は自然に高温焼も
どしを受け、硬質膜コーティングあるいは窒化処理後に
あらためて焼もどしを行う必要はない。この焼もどし作
用によって、硬さがＨｖ８００程度であった浸炭焼入れ
層は、硬さがＨｖ４００〜６００程度になる。
ッセンブリのうち、ピストンリングの製造方法を、図３
を参照して、説明する。まず、工程１１にて、素材とし
てＳＣｒ、ＳＣＭ、ＡＳＣＢ、ステンレス鋼の何れかを
用いたピストンリング素材を用意し、必要に応じて機械
加工する。ＳＣｒ、ＳＣＭは炭素量は０．３％以下で低
炭素鋼であり、ＡＳＣＢは炭素量が０．３〜０．５％の
中炭素鋼である。ついで、工程１２にて、浸炭ガス雰囲
気下でピストンリング素材に浸炭焼入れを施す。浸炭焼
入れ条件は、たとえばカーボンポテンシャルＣ．Ｐ．
（浸炭ガス雰囲気のカーボン量）が１．０にて９３０℃
×２ｈｒ浸炭し、ついでＣ．Ｐ．を０．８にて８５０℃
×３０ｍｉｎ浸炭し、ついで１３０℃、油冷の焼入を行
う。この浸炭焼入れによって、ピストンリング素材の表
面部分の炭素量は０．５％以上となり、浸炭焼入れ層の
硬さは焼もどし前でＨｖ８００程度である。ついで、工
程１３にて、摺動面を研磨仕上げする。前工程において
表面がＨｖ８００程度に硬化されているので、研磨仕上
りは容易に良好面となる。ついで、工程１４にて、外周
面（シリンダボアとの摺動面）のみに窒化物層または硬
質コーティング膜８を形成する表面処理を行う。硬質膜
コーティング（ＣｒＮ、ＴｉＮ等）はイオンプレーティ
ングにて４００℃〜６００℃で行う。あるいは窒化にお
いても５００℃〜６００℃にて行う。ＴｉＮイオンプレ
ーティング（アーク式）では、たとえば、アーク電流が
８０Ａ、バイアス電圧が１５０Ｖ、Ｎ2 ガス圧が２０ｍ
Ｔｏｒｒ、成膜時間が６０ｍｉｎ、処理温度が５００℃
とされる。ガス窒化層の場合は外周面硬さはＨｖ１１０
０程度であり、ＴｉＮ膜の場合は外周面硬さはＨｖ２０
００程度である。処理温度４００℃〜６００℃により、
ピストンリング上下面の浸炭焼入れ層は自然に高温焼も
どしを受け、硬質膜コーティングあるいは窒化処理後に
あらためて焼もどしを行う必要はない。この焼もどし作
用によって、硬さがＨｖ８００程度であった浸炭焼入れ
層は、硬さがＨｖ４００〜６００程度になる。
【０００８】つぎに、作用を説明する。ピストンリング
４は外周面に窒化物層または硬質コーティング膜８を形
成した場合は、外周面硬さがＨｖ１１００程度以上ある
ので、ピストンリング外周面の摩耗は抑制されるととも
に、シリンダボア５との焼付きも生じない。また、ピス
トンリング４の上下面はＨｖ４００〜６００の硬さに減
少されているので、ピストンリング溝への攻撃性が低減
し、またピストンリングそのものの摩耗も少なく、バラ
ンスのとれた硬さである。
４は外周面に窒化物層または硬質コーティング膜８を形
成した場合は、外周面硬さがＨｖ１１００程度以上ある
ので、ピストンリング外周面の摩耗は抑制されるととも
に、シリンダボア５との焼付きも生じない。また、ピス
トンリング４の上下面はＨｖ４００〜６００の硬さに減
少されているので、ピストンリング溝への攻撃性が低減
し、またピストンリングそのものの摩耗も少なく、バラ
ンスのとれた硬さである。
【０００９】上記特性を、種々の比較例を作製してテス
トにおいて本発明と比較してみた。比較例は次の通りで
ある。 比較例１ ステンレス鋼にガス窒化処理を施し、リング表面全体に
化合物層を形成した。化合物層厚さは９０μｍ、化合物
層硬さはＨｖ１１００であった。 比較例２ ステンレス鋼のリング素材の外周面にのみガス窒化を施
し、上下面は非硬化でＨｖ２００程度であった。 比較例３ 比較例１にさらにリング表面全域にイオンプレーティン
グにてＴｉＮ膜を成膜した。ＴｉＮ膜厚は３μｍであ
り、ＴｉＮ硬さはＨｖ２０００程度であった。 比較例４ 比較例１にさらに外周面にのみイオンプレーティングに
てＴｉＮ膜を成膜した。ＴｉＮ膜厚は３μｍ、ＴｉＮ硬
さはＨｖ２０００程度であった。 本発明実施例 素材にＳＣＭ４２０を用いて、９３０℃×３Ｈｒの浸炭
焼入れを実施し、その後５００℃のイオンプレーティン
グにより外周面にのみＴｉＮ膜を３μｍ形成した。イオ
ンプレーティング時の５００℃により、浸炭焼入れ層は
高温焼もどしされた。外周面のＴｉＮ膜の硬さはＨｖ２
０００程度であり、上下面の浸炭焼入れ高温焼もどし層
の硬さは、Ｈｖ５００程度であった。これらを表示する
と、次の通りである。
トにおいて本発明と比較してみた。比較例は次の通りで
ある。 比較例１ ステンレス鋼にガス窒化処理を施し、リング表面全体に
化合物層を形成した。化合物層厚さは９０μｍ、化合物
層硬さはＨｖ１１００であった。 比較例２ ステンレス鋼のリング素材の外周面にのみガス窒化を施
し、上下面は非硬化でＨｖ２００程度であった。 比較例３ 比較例１にさらにリング表面全域にイオンプレーティン
グにてＴｉＮ膜を成膜した。ＴｉＮ膜厚は３μｍであ
り、ＴｉＮ硬さはＨｖ２０００程度であった。 比較例４ 比較例１にさらに外周面にのみイオンプレーティングに
てＴｉＮ膜を成膜した。ＴｉＮ膜厚は３μｍ、ＴｉＮ硬
さはＨｖ２０００程度であった。 本発明実施例 素材にＳＣＭ４２０を用いて、９３０℃×３Ｈｒの浸炭
焼入れを実施し、その後５００℃のイオンプレーティン
グにより外周面にのみＴｉＮ膜を３μｍ形成した。イオ
ンプレーティング時の５００℃により、浸炭焼入れ層は
高温焼もどしされた。外周面のＴｉＮ膜の硬さはＨｖ２
０００程度であり、上下面の浸炭焼入れ高温焼もどし層
の硬さは、Ｈｖ５００程度であった。これらを表示する
と、次の通りである。
【００１０】
【表１】
【００１１】以上の５仕様のピストンリングを、ＡｌＭ
ＭＣ（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 ファイバ）のピストンリン
グ溝２を有するピストン１にセットし、２００Ｈｒのエ
ンジン耐久試験を実施した。その結果を、図６に示す。
各比較例、実施例について、ピストンリング溝の摩耗深
さおよびリング上下面の摩耗深さを並記した。図６から
明らかなように、比較例１〜４は、いずれも硬さレベル
の低い側が一方的に摩耗し、トータルの摩耗量が大きい
のに対し、本発明実施例では、ピストンリング溝２とピ
ストンリング上下面との摩耗のバランスがとれることに
より、両者のトータル摩耗量を低く抑えることができ
た。
ＭＣ（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＳｉＯ2 ファイバ）のピストンリン
グ溝２を有するピストン１にセットし、２００Ｈｒのエ
ンジン耐久試験を実施した。その結果を、図６に示す。
各比較例、実施例について、ピストンリング溝の摩耗深
さおよびリング上下面の摩耗深さを並記した。図６から
明らかなように、比較例１〜４は、いずれも硬さレベル
の低い側が一方的に摩耗し、トータルの摩耗量が大きい
のに対し、本発明実施例では、ピストンリング溝２とピ
ストンリング上下面との摩耗のバランスがとれることに
より、両者のトータル摩耗量を低く抑えることができ
た。
【００１２】つぎに、各数値の意味について説明する。
図４は、リング上下面硬さをＨｖ４００〜６００に設定
した根拠を示している。リング上下面硬さがＨｖ４００
より小だと、リング上下面摩耗深さが急増する。一方、
リング上下面硬さがＨｖ６００より大だと、ピストンリ
ング溝の摩耗深さが急増する。ピストンリングの方も、
ピストンリング溝の方も、摩耗量が小さい範囲がＨｖ４
００〜６００である。したがって、ピストンリング上下
面硬さをＨｖ４００〜６００とした。つぎに、浸炭焼入
れ後、高温焼もどし（たとえば、４００℃〜６００℃に
て）する理由は、次の通りである。図５に示すように、
浸炭焼入れ層の硬さはＨｖ８００程度であるが、最終表
面処理温度（その温度で焼もどしされる）が４００℃〜
６００℃だと、浸炭焼入れ焼もどし層の硬さがＨｖ６０
０〜４００となる。逆に云えばＨｖ６００〜４００を得
るには、焼もどし温度を４００℃〜６００℃にすればよ
いということになる。
図４は、リング上下面硬さをＨｖ４００〜６００に設定
した根拠を示している。リング上下面硬さがＨｖ４００
より小だと、リング上下面摩耗深さが急増する。一方、
リング上下面硬さがＨｖ６００より大だと、ピストンリ
ング溝の摩耗深さが急増する。ピストンリングの方も、
ピストンリング溝の方も、摩耗量が小さい範囲がＨｖ４
００〜６００である。したがって、ピストンリング上下
面硬さをＨｖ４００〜６００とした。つぎに、浸炭焼入
れ後、高温焼もどし（たとえば、４００℃〜６００℃に
て）する理由は、次の通りである。図５に示すように、
浸炭焼入れ層の硬さはＨｖ８００程度であるが、最終表
面処理温度（その温度で焼もどしされる）が４００℃〜
６００℃だと、浸炭焼入れ焼もどし層の硬さがＨｖ６０
０〜４００となる。逆に云えばＨｖ６００〜４００を得
るには、焼もどし温度を４００℃〜６００℃にすればよ
いということになる。
【００１３】
【発明の効果】請求項１によれば、ピストンリングの外
周面に窒化物層または硬質コーティング膜を形成し、ピ
ストンリングの上下面の硬さをＨｖ４００〜６００とし
たので、ピストンリングの外周面の摩耗を抑制でき、か
つピストンリング上下面とピストンリング溝上下面の摩
耗量もバランスよく低減できる。請求項２によれば、浸
炭焼入れ後、焼もどしするので、ピストンリング上下面
の硬さＨｖ４００〜６００を容易に得ることができる。
周面に窒化物層または硬質コーティング膜を形成し、ピ
ストンリングの上下面の硬さをＨｖ４００〜６００とし
たので、ピストンリングの外周面の摩耗を抑制でき、か
つピストンリング上下面とピストンリング溝上下面の摩
耗量もバランスよく低減できる。請求項２によれば、浸
炭焼入れ後、焼もどしするので、ピストンリング上下面
の硬さＨｖ４００〜６００を容易に得ることができる。
【図１】本発明の一実施例に係るピストン／ピストンリ
ングアッセンブリの部分断面図である。
ングアッセンブリの部分断面図である。
【図２】図１のうちピストンリングの断面の拡大図であ
る。
る。
【図３】図１のピストンリングの製造工程を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図４】リング上下面摩耗深さ、ピストンリング溝摩耗
深さとリング上下面硬さとの関係図である。
深さとリング上下面硬さとの関係図である。
【図５】浸炭層表面硬さ対最終表面処理温度（焼もどし
温度）との関係図である。
温度）との関係図である。
【図６】本発明実施例と各比較例の、ピストンリング溝
およびピストンリング上下面の摩耗深さの棒グラフであ
る。
およびピストンリング上下面の摩耗深さの棒グラフであ
る。
１ ピストン ２ ピストンリング溝 ４ ピストンリング ５ シリンダボア ７ 表面硬さ調整層 ８ 窒化物層あるいは硬質コーティング膜
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミ合金ＭＭＣピストンリング溝を有
するアルミ合金製ピストンと、前記ピストンリング溝に
配置されるピストンリングとから成るピストン／ピスト
ンリングアッセンブリにおいて、前記ピストンリングの
シリンダボアとの摺動面に窒化物層または硬質コーティ
ング膜を形成し、前記ピストンリングの上下面の硬さを
Ｈｖ４００〜６００としたことを特徴とするピストン／
ピストンリングアッセンブリ。 - 【請求項２】 前記ピストンリングの上下面の硬さが、
浸炭焼入れ、焼きもどしによってＨｖ４００〜６００と
されている請求項１記載のピストン／ピストンリングア
ッセンブリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09457594A JP3239610B2 (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | ピストン／ピストンリングアッセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09457594A JP3239610B2 (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | ピストン／ピストンリングアッセンブリ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07301149A JPH07301149A (ja) | 1995-11-14 |
| JP3239610B2 true JP3239610B2 (ja) | 2001-12-17 |
Family
ID=14114095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09457594A Expired - Fee Related JP3239610B2 (ja) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | ピストン／ピストンリングアッセンブリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3239610B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015082246A1 (en) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Mahle Metal Leve S/A | Piston ring and heat treatment process |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6109325B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2017-04-05 | 株式会社リケン | アルミニウム合金製の相手材とピストンリングとの組み合わせ |
| JP7264117B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2023-04-25 | Ｊｆｅスチール株式会社 | 鋼部品およびその製造方法 |
-
1994
- 1994-05-06 JP JP09457594A patent/JP3239610B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015082246A1 (en) | 2013-12-06 | 2015-06-11 | Mahle Metal Leve S/A | Piston ring and heat treatment process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07301149A (ja) | 1995-11-14 |
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