JP3236829B2 - バイアホール部の接続構造及び配線基板 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、各種の電子部品を
その表面に搭載して電気的に接続することにより電子回
路を形成することができる配線基板の層間接続などを行
うバイアホール部の接続構造並びにこれらの接続構造を
有する配線基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の小型高密度化に伴い、
産業用にとどまらず広く民生用機器の分野においても多
層配線回路基板が安価に供給されることが強く要望され
てきている。このような多層配線回路基板では微細な配
線ピッチで形成された複数層の配線パターン間を高い接
続信頼性で電気的に接続できることが重要である。

【０００３】このような高精度化、多機能化された電子
機器の要求に対し、ドリル加工と銅貼積層板のエッチン
グやめっき加工による従来のプリント配線基板ではもは
やこれらの要求を満足させることは極めて困難となり、
このような問題を解決するために新しい構造を備えたプ
リント配線基板や高密度配線を目的とする製造方法が開
発されつつある。

【０００４】例えば、穴に充填した導電性ペーストを有
する基板のプリプレグに銅箔を積層していくスタック配
線基板がある（岡野裕幸“全層IVH構造を有する樹脂多
層基板”’９５マイクロエレクトロニクスシンポジウ
ム、ｐ１６３（１９９５））（一般的にはビルドアップ
多層配線基板として分類されることが多い）。基板材料
としてプリプレグの代わりに接着剤付きのフィルムを使
ったものも研究されている（竹ノ内啓一他“ポリイミド
多層基板の開発”第１０回回路実装学術講演大会、講演
論文集、ｐ８１−８２（１９９６）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような導
電性ペーストを用いたバイアホールの接続は、工程中で
のペーストの充填不足、基材圧縮量の不足等の理由によ
り、導電性ペーストの圧縮が不十分となり、アニール処
理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレス下にお
いてバイアホールの接続抵抗値が増大するという問題を
有している。

【０００６】本発明は、バイアホールの接続抵抗値が増
大するといった問題がなく、バイアホールの接続抵抗値
が安定し、信頼性の高いバイアホールの接続を行うこと
が出来る配線基板のバイアホールの接続構造並びにこの
接続構造を有する配線基板を提供することを目的とす
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のバイアホールの接続構造並びにこの接続構造
を有する配線基板の発明は次のものである。

【０００８】（１）導電体が充填されたバイアホールを
有する配線基板において、その両面に配置される配線パ
ターンのランド部のうち、少なくともどちらか一方のラ
ンド部の内側面に導電性材料からなる突起状のバンプを
形成し、前記バンプを介してバイアホール内部に充填さ
れた前記導電体と配線パターンとの接続をおこない、前
記バンプと前記導電体との界面において拡散層が形成さ
れていることを特徴とするバイアホール部の接続構造。

【０００９】（２）導電体が導電性ペーストであり、前
記導電性ペースト中の金属粉体とバンプとの界面におい
て拡散層が形成されていることを特徴とする前記（１）
項に記載のバイアホール部の接続構造。

【００１０】（３）バイアホールに充填された導電体
が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれた単独材料あるいはこ
れらの混合材料、もしくはこれらの合金材料からなる金
属粉体を含有する導電性ペーストである前記（２）項に
記載のバイアホール部の接続構造。

【００１１】（４）バンプが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選
ばれた単独材料あるいはこれらの混合材料、もしくはこ
れらの合金材料からなる金属粉体を含有する導電性ペー
ストを硬化した材料で形成されている前記（１）〜
（３）項のいずれかに記載のバイアホール部の接続構
造。

【００１２】（５）バンプが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｓｎ、Ｐｂから選ばれた単独材料あるいはこれらの
混合材料、もしくはこれらの合金材料をもちいた導電材
料のめっき膜または蒸着膜で形成されている前記（１）
〜（３）項のいずれかに記載のバイアホール部の接続構
造。

【００１３】（６）バンプの最表面が、非酸化性金属導
電材料のめっき膜または蒸着膜でコーティングされてい
る前記（１）〜（５）項のいずれかに記載のバイアホー
ル部の接続構造。

【００１４】（７）バンプの硬度が、バイアホールに充
填されている導電体の硬度より大きい状態において、バ
ンプとバイアホールに充填されている導電体とが接続さ
れてなる前記（１）〜（６）項のいずれかに記載のバイ
アホール部の接続構造。

【００１５】（８）前記（１）〜（７）項のいずれかに
記載のバイアホール部の接続構造を有する配線基板。

【００１６】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１ないし請求項２
に記載の発明は、絶縁性基材に設けられた貫通穴に導電
性ペーストが充填されたバイアホールにおいて、前記バ
イアホールの両面に配置される配線パターンのランド部
のうち、少なくともどちらか一方のランド部の内側面に
導電性材料からなる突起状のバンプを形成し、前記バン
プを介して前記バイアホール中の導電性ペーストと配線
パターンとの接続をおこなうバイアホール部の接続構造
であり、前記バンプの突起によって前記バイアホール中
の導電性ペーストに充分な圧縮がかかり、その結果、導
電体の導体成分が緻密化されるとともに、導電体が充填
されたバイアホールと突起状のバンプとの接続界面に金
属拡散層が形成されているので、初期抵抗値が低く、高
信頼性を有するバイアホール接続が可能になるものであ
る。

【００１７】また、本発明の請求項３に記載の好ましい
態様においては、バイアホールに充填されている前記導
電性ペーストがＡｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれか1種あるい
はこれらの混合材料、あるいはこれらの合金材料からな
る金属粉体を含有する導電性ペーストであり、これらの
金属粉体は導電性が良好であり、より信頼性の高いバイ
アホール接続が可能になり好ましい。また、前記バンプ
を形成している金属の種類が選定されることによって、
バンプとの界面において、例えばＡｇ−Ｃｕ拡散あるい
はＡｕ−Ｃｕ拡散のような拡散層が形成されているの
で、更に高信頼性を有するバイアホール接続が可能にな
る。

【００１８】本発明の請求項４に記載の好ましい態様に
おいては、前記バンプがＡｕ、Ａｇ、Ｃｕの1種あるい
はこれらの混合材料、あるいはこれらの合金材料からな
る金属粉体を含有する導電性ペーストを硬化して形成さ
れたバンプであり、これらの金属粉体は導電性が良好で
あり、より信頼性の高いバイアホール接続が可能になり
好ましい。更に前記バイアホールに充填されている前記
導電性ペーストが未硬化の状態で、硬化したバンプの突
起がバイアホールにプレスされて接続される場合には、
バイアホールに充填されている導電性ペーストが圧縮さ
れて接続されるので、より信頼性の高い接続が可能とな
り好ましい。また、前記バイアホールに充填されている
前記導電性ペーストに含有されている金属の種類が選定
されることによって、バンプとの界面において、例えば
Ａｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡｕ−Ｃｕ拡散のような拡散層
が形成されているので、更に高信頼性を有するバイアホ
ール接続が可能になる。

【００１９】本発明の請求項５に記載の好ましい態様に
おいては、前記バンプをＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓ
ｎ、Ｐｂから選ばれた単独材料あるいはこれらの混合材
料、もしくはこれらの合金材料からなる導電材料をめっ
き法あるいは蒸着法で形成することにより、より小径の
バンプの形成も可能となり、バイアホールの孔の径がよ
り小さい場合でも適合できるバンプが形成可能となり、
より集積度の高い微細配線基板も信頼性良く製造し得
る。特にバンプの導電材料がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれ
かを含み、更にバイアホールの導電体が、Ａｕ、Ａｇ、
Ｃｕのいずれかを含む組み合わせの場合で両者の金属の
種類の組み合わせが選定されることによって、バンプと
の界面において、例えばＡｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡｕ−
Ｃｕ拡散のような拡散層が形成されているので、更に高
信頼性を有するバイアホール接続が可能になる。

【００２０】本発明の請求項６に記載の好ましい態様に
おいては、前記バンプの最表面が例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ等の貴金属導電材料のように非酸化性金属の導
電材料になるようにめっき法や蒸着法で表面をコーティ
ングすることにより、前記バンプ表面の酸化を防止する
作用があるため高信頼性を有するバイアホール接続が可
能になる。また、前記バンプを形成している金属並びに
バイアホールに充填されている導電性ペーストの金属の
種類が選定されることにより、バンプとの界面におい
て、例えばＡｇ−Ｃｕ拡散あるいはＡｕ−Ｃｕ拡散のよ
うな拡散層が形成されているので、更に高信頼性を有す
るバイアホール接続が可能になる。に高信頼性を有する
バイアホール接続構造を実現することが出来る。

【００２１】本発明の請求項７に記載の好ましい態様に
おいては、バンプの硬度が、バイアホールに充填されて
いる導電体の硬度より大きい状態において、バンプとバ
イアホールに充填されている導電体とが接続されるの
で、前記バンプの突起形状が崩れることなく前記バイア
ホール中の導電性ペーストに充分な圧縮をかけることが
でき、その結果、導電体の導体成分が緻密化され、初期
抵抗値が低く、高信頼性を有するバイアホール接続を可
能とすることが出来る。尚、ここで、「バンプの硬度
が、バイアホールに充填されている導電体の硬度より大
きい状態において」の両者の硬度は、両者の接続作業時
における硬度で比較するものであり、その際のバンプの
硬度がバイアホールに充填されている導電体の硬度より
大きければよく、例えば、バンプが導電性ペーストを硬
化した材料で形成されている場合とか前述した金属のめ
つきまたは蒸着等によって形成されている場合に、バイ
アホール中の導電性ペーストが未硬化かないしは半硬化
状態で、その硬度がバンプの硬度よりも小さい状態で両
者を接続すれば、その後仮にバイアホール中の導電性ペ
ーストが硬化処理されてバンプの硬度と同等かそれより
大きくなっていても差し支えない。すなわち両者の接続
処理時にバンプの硬度が、バイアホールに充填されてい
る導電体の硬度より大きいければよいことを意味してい
る。

【００２２】また、請求項８に記載の本発明の配線基板
は、前述した請求項１〜７のいずれかに記載のバイアホ
ール部の接続構造を有するので、バイアホールの接続抵
抗値が安定し、信頼性の高いバイアホールの接続構造を
有する配線基板が提供される。

【００２３】以上説明した本発明に係るバイアホールの
接続構造並びに当該接続構造を有する配線基板に関して
は、特に限定するものではないが、配線パターンを形成
する配線部素材としては銅がコストと導電性、信頼性の
バランスが取れている点から好ましく用いられるが、必
要に応じてその他この種の配線基板の製造の際に用いら
れている金属、例えばＡｕ、Ａｇなどを用いてもよい。

【００２４】バイアホールに充填される導電性ペースト
は、特に限定するものではないが通常、前述した導電性
金属の粉体と、エポキシ樹脂やフェノール樹脂その他の
熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂などの樹脂成分とそ
の溶剤で構成されているものなど適宜用いることが出来
る。通常かかる導電性ペーストは市販されているものも
種々あるので、そのうち本発明に適用可能なものも勿論
用いることができる。好ましくは前記導電性ペーストの
樹脂成分は熱硬化性樹脂が好ましく、一般にエポキシ樹
脂が耐熱性もよく好ましく用いられる。

【００２５】導電性ペーストを構成する導電性金属の粉
体の粒径についても、目的に応じて適宜のものを選定す
れば良く特に限定するものではないが、通常、２〜２０
μｍ程度のものが用いられる。金属粉体の含有率も金属
粉体の種類によって異なるので特に限定するものではな
いが、導電性ペーストの重量で８８〜９８重量％のもの
が好ましく用いられている。

【００２６】バンプの突起の高さも、目的に応じて適宜
の高さとすれば良く、特に制限するものではないが、通
常、５〜１０μｍ程度である。また、バンプ形成材料と
して導電性ペーストを用いる場合の金属粉体の粒径、含
有率、樹脂成分なども、バイアホール充填用の導電性ペ
ーストの場合とほぼ同様である。

【００２７】配線基板の基材についても特に限定するも
のではないが、アラミド繊維あるいはガラス繊維等の繊
維の不織布などの布帛類にエポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレグのような被圧縮性基材（半硬化状態で完全に硬
化されておらず、プレスした場合に圧縮可能な材料であ
り、配線形成や、バンプとバイアホールの導電体との接
続後に硬化させるもの）や、例えばフィルムの両面に接
着剤を塗布したフィルム基材で、具体的には、フィルム
としては例えばポリイミドフィルム、アラミドフィルム
などの耐熱性のよいものなど、また、接着剤としては配
線用の銅箔などの金属箔を接着するための接着剤で、具
体的には例えばポリイミド系の接着剤やエポキシ系の接
着剤など耐熱性のよいものが当該接着剤が完全硬化され
る前の状態で形成されているものを用いる。接着剤部分
が完全硬化されていないので、バンプとバイアホールの
導電体との接続の際のプレスにより、接着剤部分が圧縮
され、その後接着剤を硬化処理させるようにして用いら
れる。

【００２８】

【実施例】以下、本発明の実施の形態について、配線基
板の具体例を参照しながら図面を用いて説明する。

【００２９】実施例１ 図１は本発明の第１の実施例におけるバイアホール部接
続構造の断面図である。基材１にバイアホール２が設け
てあり、前記バイアホール２の内部には導電体３が充填
されているバイアホール部において、前記基材１の両面
に配置される銅箔からなる配線パターン４のうち前記バ
イアホール内部に充填された導電体３と電気的に接続さ
れるランド部５の内側面に、導電性材料からなる突起状
のバンプ６を形成し、前記バンプ６を介して前記バイア
ホール２の内部に充填された前記導電体３と前記配線パ
ターン４との電気的接続を行う構造となっている。この
とき前記バンプ６は、導電体３が充填されたバイアホー
ル２の上下両面を覆っているランド部５の少なくともど
ちらか一方のランド部５の内側面に設けられていればよ
い。片方のランド部５の内側面にバンプ６が設けられて
いる形態は図２に示した。

【００３０】基材１は、アラミド繊維を用いた不織布に
エポキシ樹脂を含浸させたプリプレグである被圧縮性基
材や、あるいはポリイミドフィルムの両面にポリイミド
系接着剤を塗布したフィルム基材を用いた。このような
基材１にレーザー加工法を用いて貫通穴加工を施し、所
定の位置にバイアホール２を形成する。このときレーザ
ーは炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレー
ザー等を用い、加工する基材やバイアホールの直径の大
きさによって最適なレーザー加工法を選択する。次に、
先ほど形成したバイアホール２の内部に導電体３を充填
する。導電体３は、本実施例１ではＣｕペーストを用い
た場合と、もう一つの例としてＡｇとＣｕの傾斜合金ペ
ースト（いずれもペーストの樹脂成分はエポキシ樹脂、
溶剤はブチルカルビトールアセテート）を用いた場合と
２通り作製した。導電性ペーストの充填方法は、スクリ
ーン印刷のようにスキージでペーストをバイアホール内
に押し込む方法を用いた。

【００３１】一方で、配線パターン４になるべき銅箔
の、バイアホールと接続されランド部５が形成される部
分に突起状のバンプ６を形成する。このバンプ６は本実
施例では、Ａｇペースト（ペーストの樹脂成分はエポキ
シ樹脂、溶剤はブチルカルビトールアセテート）を用い
た。バンプの形成は、スクリーン印刷法を用いて所定の
位置に印刷した。バンプの直径は、印刷時、プレス時、
パターニング時それぞれのアライメント精度を考慮し
て、ランド部５の直径よりも小さく設計する必要があ
る。印刷後、ペーストを１５０℃程度の温度で熱硬化
し、前記導電体３よりも硬くした。これは次工程のプレ
ス工程でバンプの形状が崩れることなく前記導電体３を
圧縮するためである。

【００３２】基材１に形成したバイアホール２とランド
部５の銅箔に形成したバンプ６が一対一で重なり合うよ
うにアライメントしプレスする。このとき、バンプ６は
バイアホール２の上下両面を覆っているランド部５の両
方に設けられていることは必ずしも必要ではなく、図２
のようにどちらか片方だけでもよい。プレス終了後、銅
箔をフォトリソグラフィ法でパターニングして、本発明
のバイアホール部接続構造を得ることができた。

【００３３】上記実施例より明らかなように本発明は、
配線パターンのランド部に導電性材料からなる突起状の
バンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール中の
導電性ペーストを圧縮するような接続をおこなうバイア
ホール部の接続構造が提供される。上記本発明の接続構
造を用いることにより、従来の構造よりも導電性ペース
トの導体成分を緻密化することができた。また、導電体
３とバンプ６の接続部にＡｇとＣｕを介在させることに
より、プレス時にＡｇとＣｕが拡散することによって、
アニール処理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のスト
レス下においてバイアホールの接続抵抗値を安定させる
ことができた。

【００３４】実施例２ 実施例１に記載のバンプ６をめっき法や蒸着法を用いて
形成しても、実施例１と同様なバイアホール部の接続構
造を得ることができる。本発明の実施例２では、フォト
リソグラフィ法を用いてバンプ６のパターニングを行
い、めっき法や蒸着法を用いてバンプ６の形成をするた
め、小径のバンプを形成することができる。従って実施
例１の方法よりも小径のバイアホールに対応した本発明
のバイアホール部の接続構造を得ることが可能である。
尚、フォトリソグラフィ法でランド部５の表面にバンプ
６を形成するには、例えば、フォトレジストなどでラン
ド部５（実際には配線用の銅箔全面）の表面を被覆し、
フォトレジストを露光した後、現像してバンプを形成す
る部分のみのフォトレジストを除去してランド部５の表
面を露出させ、露出した部分にめっき又は蒸着をした
後、残存しているフォトレジストを除去すればよい。

【００３５】本実施例２では上記の方法でＣｕめっきで
バンプ６を形成し、その表面をさらにＡｇめっきでコー
ティングした。本実施例では、バンプ６の形成方法が実
施例１と異なるのみで、他は実施例１と同様の方法並び
に素材を用いた。

【００３６】上記実施例より明らかなように本発明は、
配線パターンのランド部に導電性材料からなる突起状の
バンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール中の
導電性ペーストを圧縮するような接続をおこなうバイア
ホール部の接続構造が提供される。本発明方法の構造を
用いることにより、従来の構造よりも導電性ペーストの
導体成分が緻密化することができた。また、導電体３と
バンプ６の接続部にＡｇとＣｕを介在させることによ
り、プレス時にＡｇとＣｕが拡散することによって、ア
ニール処理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレ
ス下においてバイアホールの接続抵抗値を安定させるこ
とができた。

【００３７】また、前記バンプの最表面が貴金属導電材
料Ａｇのように非酸化性金属の導電材料になるようにめ
っき法や蒸着法で表面がコーティングされていることに
より、前記バンプ表面の酸化を防止する作用があるため
より高信頼性を有するバイアホール接続が可能になっ
た。

【００３８】実施例３ 本発明の第３の実施例について図３を用いて説明する。
図３の基材１、バイアホール２、導電体３は実施例１と
同様で、基材１は、本実施例ではアラミド繊維を用いた
不織布にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグからなる
被圧縮性基材を用いたが、前述したフィルムの両面に接
着剤を塗布したフィルム基材を用いてもよい。このよう
な基材１にレーザー加工法を用いて貫通穴加工を施し、
所定の位置にバイアホール２を形成する。このときレー
ザーは炭酸ガスレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレ
ーザー等を用い、加工する基材やバイアホールの直径の
大きさによって最適なレーザー加工法を選択する。次
に、先ほど形成したバイアホール２の内部に導電体３を
充填する。導電体３は導電性ペーストで、本実施例３で
もＣｕペーストを用いた場合と、もう一つの例としてＡ
ｇとＣｕの傾斜合金ペースト（いずれもペーストの樹脂
成分はエポキシ樹脂、溶剤はブチルカルビトールアセテ
ート）を用いた場合と２通り作製した。導電性ペースト
の充填方法は、スクリーン印刷のようにスキージでペー
ストをバイアホール内に押し込む方法を用いた。

【００３９】本発明の実施例３では、配線パターン７と
バンプ６をあらかじめＡｌ基板９上に形成しておく方法
を用いた。すなわち配線パターン７をまずＡｌ基板９上
に形成し（図３（ａ）参照）、次いで配線パターン７の
ランド部８に実施例１と同様のスクリーン印刷法を用い
て所定の位置に突起状のバンプ６を形成した（図３
（ｂ）参照）。次いでバイアホール２中に前記導電性ペ
ーストが充填されている基材１で基材１の樹脂成分がま
だ完全硬化していないプリプレグの状態の基材１の上下
面に、配線パターン７及びバンプ６が形成されている側
が基材１に接するように、且つＡｌ基板９をバンプ６の
部分がバイアホール２の位置に適合するように位置合わ
せして基材１と重ね合わせてプレスし、それとともに基
材１のプリプレグを硬化させ（図３（ｃ）参照）、次い
でＡｌ基板９をエッチング除去することで図３（ｄ）に
示したように、基材１に配線パターン７が埋設されるよ
うに形成された。

【００４０】このように本実施例では基材１に配線パタ
ーン７が埋設されるとともに更に埋設されたランド部８
に突起状のバンプ６が形成されているため、本発明の実
施例１の構造よりも導電性ペーストの導体成分をより緻
密化することができる。

【００４１】ここで、Ａｌ基板上に配線パターン７を形
成する方法について説明する。第１の方法は、Ａｌ基板
上に均一にＣｕめっきを施し、フォトレジストなどを用
いて、目的の配線パターン部分が残存し、それ以外の部
分のＣｕめっき部分が除去されるようにエッチング法で
配線パターン７を形成する方法である。第２の方法は、
Ａｌ基板上にフォトリソグラフィ法でフォトレジストを
パターニングし、配線パターンを施す部分のみのＡｌ基
板表面を露出させ、Ａｌ基板表面が露出した部分にアデ
ィティブめっき法を用いて、配線パターン７をＣｕのめ
っきで形成する方法である。バンプ６は実施例１と同様
にスクリーン印刷法で形成したが、実施例２のようにめ
っき法や蒸着法を用いて形成してもよい。

【００４２】上記実施例より明らかなように本発明は、
配線パターンのランド部に導電性材料からなる突起状の
バンプを形成し、前記バンプを介してバイアホール中の
導電性ペーストを圧縮するような接続をおこなうバイア
ホール部の接続構造が提供される。本発明方法の構造を
用いることにより、従来の構造よりも導電性ペーストの
導体成分が緻密化することができた。上述したように特
に本実施例では実施例１の場合よりも導電性ペーストの
導体成分を更に緻密化できた。また、導電体３とバンプ
６の接続部にＡｇとＣｕを介在させることにより、プレ
ス時にＡｇとＣｕが拡散することによって、アニール処
理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレス下にお
いてバイアホールの接続抵抗値を安定させることができ
た。

【００４３】

【発明の効果】本発明は、配線パターンのランド部に導
電性材料からなる突起状のバンプを形成し、前記バンプ
を介してバイアホール中の導電性ペーストを圧縮するよ
うな接続をおこなうバイアホール部の接続構造が提供さ
れる。従って本発明のバイアホール部の接続構造を用い
ることにより、従来の構造よりも導電性ペーストの導体
成分が緻密化することができる。また、本発明において
は、導電体とバンプの接続部に例えばＡｇとＣｕを介在
させることにより、プレス時にＡｇとＣｕが拡散するこ
とによって、拡散層が形成されているので、アニール処
理等の熱ストレス他、各種信頼性試験のストレス下にお
いてバイアホールの接続抵抗値を安定させることができ
る。

【００４４】また、本発明の配線基板の発明において
は、バイアホールの接続抵抗値が安定した信頼性の高い
バイアホール部の接続構造を有する配線基板を提供でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１におけるバイアホール部接続
構造を有する配線基板の断面図。

【図２】本発明の実施例１における別の態様の一方側の
みにバンプを具備したバイアホール部接続構造を有する
配線基板の断面図。

【図３】本発明の実施例３におけるバイアホール部接続
構造を有する配線基板の製造工程を示す断面図。

【符号の説明】

１ 基材 ２ バイアホール ３ 導電体 ４ 配線パターン ５ ランド部 ６ バンプ ７ 埋設された配線パターン ８ 埋設されたランド

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 修司 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (72)発明者 安藤 大蔵 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平11−8472（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H05K 3/46 H05K 1/11 H05K 3/40 H01L 23/12

Claims (8)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電体が充填されたバイアホールを有す
   る配線基板において、その両面に配置される配線パター
   ンのランド部のうち、少なくともどちらか一方のランド
   部の内側面に導電性材料からなる突起状のバンプを形成
   し、前記バンプを介してバイアホール内部に充填された
   前記導電体と配線パターンとの接続をおこない、前記バ
   ンプと前記導電体との界面において拡散層が形成されて
   いることを特徴とするバイアホール部の接続構造。
2. 【請求項２】 導電体が導電性ペーストであり、前記導
   電性ペースト中の金属粉体とバンプとの界面において拡
   散層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載
   のバイアホール部の接続構造。
3. 【請求項３】 バイアホールに充填された導電体が、Ａ
   ｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれた単独材料あるいはこれらの
   混合材料、もしくはこれらの合金材料からなる金属粉体
   を含有する導電性ペーストである請求項２に記載のバイ
   アホール部の接続構造。
4. 【請求項４】 バンプが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕから選ばれ
   た単独材料あるいはこれらの混合材料、もしくはこれら
   の合金材料からなる金属粉体を含有する導電性ペースト
   を硬化した材料で形成されている請求項１〜３のいずれ
   かに記載のバイアホール部の接続構造。
5. 【請求項５】 バンプが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓ
   ｎ、Ｐｂから選ばれた単独材料あるいはこれらの混合材
   料、もしくはこれらの合金材料をもちいた導電材料のめ
   っき膜または蒸着膜で形成されている請求項１〜３のい
   ずれかに記載のバイアホール部の接続構造。
6. 【請求項６】 バンプの最表面が、非酸化性金属導電材
   料のめっき膜または蒸着膜でコーティングされている請
   求項１〜５のいずれかに記載のバイアホール部の接続構
   造。
7. 【請求項７】 バンプの硬度が、バイアホールに充填さ
   れている導電体の硬度より大きい状態において、バンプ
   とバイアホールに充填されている導電体とが接続されて
   なる請求項１〜６のいずれかに記載のバイアホール部の
   接続構造。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれかに記載のバイア
   ホール部の接続構造を有する配線基板。