JP3233958B2 - 半導体積層構造の製造方法 - Google Patents
半導体積層構造の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体積層構造の製造
方法に関する。特には、光通信や光情報処理などに用い
られる光デバイスの製造方法に関する。
方法に関する。特には、光通信や光情報処理などに用い
られる光デバイスの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、化合物半導体を用いた電子・光デ
バイスを集積したＰｈｏｔｏｎｉｃｓＩｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＰＩＣ）が関心を集めている。
ＰＩＣを実現する要素技術の中で、結晶成長技術、特に
再成長技術は大きなウエイトを占めている。
バイスを集積したＰｈｏｔｏｎｉｃｓＩｎｔｅｇｒａｔ
ｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＰＩＣ）が関心を集めている。
ＰＩＣを実現する要素技術の中で、結晶成長技術、特に
再成長技術は大きなウエイトを占めている。
【０００３】再成長を行う上で最も障害になっているの
は、再成長界面の結晶品質の劣化である。通常の結晶成
長とは異なり、再成長前の結晶表面は、成長に適した表
面状態にすることが困難である。特に、結晶表面がＡｌ
ＧａＡｓの場合、酸化や汚染の影響を受けやすく、良好
な再成長界面及び再成長結晶品質を得ることは容易では
ない。
は、再成長界面の結晶品質の劣化である。通常の結晶成
長とは異なり、再成長前の結晶表面は、成長に適した表
面状態にすることが困難である。特に、結晶表面がＡｌ
ＧａＡｓの場合、酸化や汚染の影響を受けやすく、良好
な再成長界面及び再成長結晶品質を得ることは容易では
ない。
【０００４】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）による再成
長を用いて半導体レーザ（以下、ＬＤとも略記）を製作
した例として、’Ｓｉｎｇｌｅ Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎ
ａｌ−Ｍｏｄｅ Ｓｅｌｆａｌｉｇｎｅｄ （ＡｌＧ
ａ）Ａｓ Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ Ｌａｓｅｒｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙ Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ’（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｌｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ誌、第２４巻、第２号、１９８５年、Ｌ
８９頁〜Ｌ９０頁に記載）がある。図４は、そのレーザ
製作工程を説明する模式図である。以下、これについて
簡単に説明する。
長を用いて半導体レーザ（以下、ＬＤとも略記）を製作
した例として、’Ｓｉｎｇｌｅ Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎ
ａｌ−Ｍｏｄｅ Ｓｅｌｆａｌｉｇｎｅｄ （ＡｌＧ
ａ）Ａｓ Ｄｏｕｂｌｅ−Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕ
ｒｅ Ｌａｓｅｒｓ Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄｂｙ Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ’（Ｊａｐ
ａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｌｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ誌、第２４巻、第２号、１９８５年、Ｌ
８９頁〜Ｌ９０頁に記載）がある。図４は、そのレーザ
製作工程を説明する模式図である。以下、これについて
簡単に説明する。
【０００５】（１００）ＧａＡｓ基板４００上に、ｎ−
Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層４０１（厚さ１．３μ
ｍ）、アンドープＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層４０２
（厚さ０．１μｍ）、ｐ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ第１クラ
ッド層４０３（厚さ０．２５μｍ）、ｎ−ＧａＡｓキャ
リアブロック層４０４（厚さ０．５μｍ）、ｎ−ＡｌＧ
ａＡｓサーマルエッチングストップ層４０５（厚さ０．
１μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ層（厚さ０．２μｍ）をＭＢＥ
により積層する（図４（ａ））。次に、表面に幅３μｍ
の溝をウエットエッチングで形成する。エッチング深さ
は、硫酸系のエッチング液を用いることで、ｐ−Ａｌ
0.6Ｇａ0.4Ａｓ第１クラッド層（厚さ０．２５μｍ）４
０３の途中で止まるように、エッチングを制御する（図
４（ｂ））。次に、ＭＢＥチャンバにウエハを装填し、
Ａｓ4（ヒ素分子線）を当てながら基板温度を７４０℃
に上昇させることで、ＧａＡｓ層が蒸発（サーマルエッ
チング）する。この工程が従来例の最も特徴的な部分で
ある。この工程では、ＧａＡｓのみが蒸発し、ＡｌＧａ
Ａｓは蒸発しないため、溝外はサーマルエッチングスト
ップ層４０５で、そして溝内ではｐ−ＡｌＧａＡｓ第１
クラッド層４０３でサーマルエッチングは停止する（図
４（ｃ））。この工程の後、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラ
ッド層４０７（厚さ１．３μｍ）およびｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層４０８（厚さ０．３μｍ）を積層する（図４
（ｄ））。その後のデバイス化工程は通常のものと同じ
である。
Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓクラッド層４０１（厚さ１．３μ
ｍ）、アンドープＡｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層４０２
（厚さ０．１μｍ）、ｐ−Ａｌ0.6Ｇａ0.4Ａｓ第１クラ
ッド層４０３（厚さ０．２５μｍ）、ｎ−ＧａＡｓキャ
リアブロック層４０４（厚さ０．５μｍ）、ｎ−ＡｌＧ
ａＡｓサーマルエッチングストップ層４０５（厚さ０．
１μｍ）、ｎ−ＧａＡｓ層（厚さ０．２μｍ）をＭＢＥ
により積層する（図４（ａ））。次に、表面に幅３μｍ
の溝をウエットエッチングで形成する。エッチング深さ
は、硫酸系のエッチング液を用いることで、ｐ−Ａｌ
0.6Ｇａ0.4Ａｓ第１クラッド層（厚さ０．２５μｍ）４
０３の途中で止まるように、エッチングを制御する（図
４（ｂ））。次に、ＭＢＥチャンバにウエハを装填し、
Ａｓ4（ヒ素分子線）を当てながら基板温度を７４０℃
に上昇させることで、ＧａＡｓ層が蒸発（サーマルエッ
チング）する。この工程が従来例の最も特徴的な部分で
ある。この工程では、ＧａＡｓのみが蒸発し、ＡｌＧａ
Ａｓは蒸発しないため、溝外はサーマルエッチングスト
ップ層４０５で、そして溝内ではｐ−ＡｌＧａＡｓ第１
クラッド層４０３でサーマルエッチングは停止する（図
４（ｃ））。この工程の後、ｐ−ＡｌＧａＡｓ第２クラ
ッド層４０７（厚さ１．３μｍ）およびｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層４０８（厚さ０．３μｍ）を積層する（図４
（ｄ））。その後のデバイス化工程は通常のものと同じ
である。
【０００６】
【発明が解決しようとしている課題】上記従来例の最も
大きな問題点は、この製造方法は特定の構造の半導体レ
ーザにのみ適用可能であるということである。従来例の
ＬＤ構造はいわゆる、自己整合型半導体ＬＤと呼ばれる
もので、電流きょう窄と光のモード制御を同時に行うこ
とができるが、ＧａＡｓの再蒸発を使う以上、光のモー
ド制御は損失ガイド型にならざるを得ない。このこと
は、光のロスが常に伴うことを意味し、ＬＤの高出力化
や低しきい値化には不利であるという問題点を惹起す
る。
大きな問題点は、この製造方法は特定の構造の半導体レ
ーザにのみ適用可能であるということである。従来例の
ＬＤ構造はいわゆる、自己整合型半導体ＬＤと呼ばれる
もので、電流きょう窄と光のモード制御を同時に行うこ
とができるが、ＧａＡｓの再蒸発を使う以上、光のモー
ド制御は損失ガイド型にならざるを得ない。このこと
は、光のロスが常に伴うことを意味し、ＬＤの高出力化
や低しきい値化には不利であるという問題点を惹起す
る。
【０００７】従って、本発明の目的は、再成長界面の結
晶品質の飛躍的向上により、任意構造の半導体レーザな
どに適用可能な再成長技術を提供することにある。
晶品質の飛躍的向上により、任意構造の半導体レーザな
どに適用可能な再成長技術を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体積層構造の製造方法は、半導体を積層して半
導体積層構造を製造する方法であって、少なくとも２回
の結晶成長の工程を有し、再成長工程は、ＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１)／ＧａＡｓの超格子を成長す
る工程をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１)を最初に
成長するようにして成長する工程であることを特徴とす
る。より具体的には、前記再成長を行う工程は、表面材
料がＡｌＧａＡｓである層上に再成長する工程であるこ
とを特徴としたり、前記半導体積層構造は光デバイスで
あることを特徴としたりする。
明の半導体積層構造の製造方法は、半導体を積層して半
導体積層構造を製造する方法であって、少なくとも２回
の結晶成長の工程を有し、再成長工程は、ＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１)／ＧａＡｓの超格子を成長す
る工程をＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１)を最初に
成長するようにして成長する工程であることを特徴とす
る。より具体的には、前記再成長を行う工程は、表面材
料がＡｌＧａＡｓである層上に再成長する工程であるこ
とを特徴としたり、前記半導体積層構造は光デバイスで
あることを特徴としたりする。
【０００９】
【作用】再成長前の表面層がＡｌＧａＡｓの場合、Ａｌ
が酸化されやすく、その結合エネルギーが大きいため
に、酸化の影響を除去することはきわめて困難である。
しかし、この酸化されやすい性質を能動的に用いると酸
化物を還元する機能（ゲッタリング機能）を有すること
になる。本発明の骨子は、酸化されたＡｌＧａＡｓなど
を高純度のＡｌＧａＡｓやＡｌＡｓに接触させることに
より、再成長界面近傍の酸素濃度を飛躍的に減少させる
ものである。
が酸化されやすく、その結合エネルギーが大きいため
に、酸化の影響を除去することはきわめて困難である。
しかし、この酸化されやすい性質を能動的に用いると酸
化物を還元する機能（ゲッタリング機能）を有すること
になる。本発明の骨子は、酸化されたＡｌＧａＡｓなど
を高純度のＡｌＧａＡｓやＡｌＡｓに接触させることに
より、再成長界面近傍の酸素濃度を飛躍的に減少させる
ものである。
【００１０】Ａｌによるゲッタリング効果は、Ａｌ比が
高いほど、その材料が高純度であるほど、その材料が厚
いほど、また拡散時間（成長時間）が長いほど、大きい
と考えられる。しかし、Ａｌ比や厚さをむやみに大きく
することはできない。デバイス特性を劣化させることが
あるからである。たとえば、光の閉じ込めに関しては、
Ａｌ比により屈折率が変化するために光のモード制御が
困難になることがある。この場合、量子井戸（ＱＷ）構
造を採用することで、ゲッタリング効果とモード制御を
独立に制御することができる。すなわち、Ａｌを含む層
を多層に分け、近接させることで、ゲッタリング効果を
維持でき、かつ、ウエル幅やバリア層のＡｌ混晶比と幅
を制御することで所望の屈折率に設定することができ
る。ただし、再成長の最初のエピ層はＡｌＧａＡｓであ
る必要がある。
高いほど、その材料が高純度であるほど、その材料が厚
いほど、また拡散時間（成長時間）が長いほど、大きい
と考えられる。しかし、Ａｌ比や厚さをむやみに大きく
することはできない。デバイス特性を劣化させることが
あるからである。たとえば、光の閉じ込めに関しては、
Ａｌ比により屈折率が変化するために光のモード制御が
困難になることがある。この場合、量子井戸（ＱＷ）構
造を採用することで、ゲッタリング効果とモード制御を
独立に制御することができる。すなわち、Ａｌを含む層
を多層に分け、近接させることで、ゲッタリング効果を
維持でき、かつ、ウエル幅やバリア層のＡｌ混晶比と幅
を制御することで所望の屈折率に設定することができ
る。ただし、再成長の最初のエピ層はＡｌＧａＡｓであ
る必要がある。
【００１１】
【実施例】参考例 図３（ａ）〜（ｄ）は参考例の製作方法を説明する模式
図である。以下、図面を用いて説明する。ここでは、分
布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ＬＤの製作を例に説明する
が、他の任意のデバイスにも適用可能である。
図である。以下、図面を用いて説明する。ここでは、分
布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ＬＤの製作を例に説明する
が、他の任意のデバイスにも適用可能である。
【００１２】まず、図３（ａ）に示すように、分子線エ
ピタキシャル成長法あるいは有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板３００上に、ｎ
−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０１（厚さ１．５μｍ）、
ＧａＡｓ活性層３０２（厚さ０．０７μｍ）、ｐ−Ａｌ
0.13Ｇａ0.87Ａｓ光ガイド層３０３（厚さ０．２５μ
ｍ）をエピタキシャル成長する。
ピタキシャル成長法あるいは有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ法）を用いて、ｎ−ＧａＡｓ基板３００上に、ｎ
−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０１（厚さ１．５μｍ）、
ＧａＡｓ活性層３０２（厚さ０．０７μｍ）、ｐ−Ａｌ
0.13Ｇａ0.87Ａｓ光ガイド層３０３（厚さ０．２５μ
ｍ）をエピタキシャル成長する。
【００１３】これらの層の成長後、フォトリソ工程及び
エッチング工程を経て、図３（ｂ）のように、表面の一
部にグレーティング３１０を形成した。この工程を行っ
たために、表面の酸素および炭素濃度は１０20ｃｍ-3レ
ベルの吸着が生じている。十分なプラズマクリーニング
を施すことで、炭素濃度は実用上問題ないレベルまで除
去することは可能であるが、酸素に関してはほとんど効
果はない。先に述べたように、大気中の酸素でＡｌが容
易に酸化してしまうためである。
エッチング工程を経て、図３（ｂ）のように、表面の一
部にグレーティング３１０を形成した。この工程を行っ
たために、表面の酸素および炭素濃度は１０20ｃｍ-3レ
ベルの吸着が生じている。十分なプラズマクリーニング
を施すことで、炭素濃度は実用上問題ないレベルまで除
去することは可能であるが、酸素に関してはほとんど効
果はない。先に述べたように、大気中の酸素でＡｌが容
易に酸化してしまうためである。
【００１４】図１の破線１０１は、２回目の結晶成長直
前のエピ表面の酸素プロファイルを示したものである。
表面から２００Å以上の深さまで酸素が侵入しているこ
とがわかる。
前のエピ表面の酸素プロファイルを示したものである。
表面から２００Å以上の深さまで酸素が侵入しているこ
とがわかる。
【００１５】２回目の成長工程において、ＡｌＡｓ３０
４を以下の条件で成長する。基板温度７２０℃、Ａｓ／
Ａｌフラックス比（Ｖ族のＡｓの飛来分子数をＩＩＩ族
のＡｌの飛来分子数で割った値)４．０、成長速度０．
３μｍ／ｈ、厚さ２００Åである。この様子を図３
（ｃ）に示した。引続き、所望の構造のエピ層を所望の
成長条件で成長する。本参考例の場合、図３（ｄ）のよ
うにｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層３０５
(厚さ１．５μｍ)、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３０６(厚
さ０．５μｍ)を積層した。
４を以下の条件で成長する。基板温度７２０℃、Ａｓ／
Ａｌフラックス比（Ｖ族のＡｓの飛来分子数をＩＩＩ族
のＡｌの飛来分子数で割った値)４．０、成長速度０．
３μｍ／ｈ、厚さ２００Åである。この様子を図３
（ｃ）に示した。引続き、所望の構造のエピ層を所望の
成長条件で成長する。本参考例の場合、図３（ｄ）のよ
うにｐ型Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓクラッド層３０５
(厚さ１．５μｍ)、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３０６(厚
さ０．５μｍ)を積層した。
【００１６】図１の実線１０２は、２回目のＭＢＥ成長
後の再成長界面近傍の酸素濃度プロファイルを示してい
る。このように、ＡｌＡｓ３０４を形成することで、再
成長界面近傍で酸素濃度が急激に減少し、高濃度部分が
消滅したことがわかる。
後の再成長界面近傍の酸素濃度プロファイルを示してい
る。このように、ＡｌＡｓ３０４を形成することで、再
成長界面近傍で酸素濃度が急激に減少し、高濃度部分が
消滅したことがわかる。
【００１７】実施例 図２は本発明の実施例を説明する為の図1と同様な図で
ある。実施例では、２回目の成長工程において、図３
（ｃ）のＡｌＡｓ３０４の代わりにＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ（５０Å／３０Å）５周期の超格子構造とした。後
は参考例と同じである。
ある。実施例では、２回目の成長工程において、図３
（ｃ）のＡｌＡｓ３０４の代わりにＡｌＧａＡｓ／Ｇａ
Ａｓ（５０Å／３０Å）５周期の超格子構造とした。後
は参考例と同じである。
【００１８】再成長後の酸素プロファイル１０３は、参
考例に比べ、やや異なっているが、再成長界面の酸素濃
度は同程度に下がっている。かつ、超格子構造としたこ
とで、屈折率を制御できたため、光のモードプロファイ
ルを犠牲にすることなく、再成長界面の結晶晶質を高め
ることができた。
考例に比べ、やや異なっているが、再成長界面の酸素濃
度は同程度に下がっている。かつ、超格子構造としたこ
とで、屈折率を制御できたため、光のモードプロファイ
ルを犠牲にすることなく、再成長界面の結晶晶質を高め
ることができた。
【００１９】
【発明の効果】上記の如き構成を有する本発明の効果
は、１）ＡｌＧａＡｓ再成長界面近傍の酸素濃度を低く
抑えることができ、良好な再成長界面を得ることが可能
になったこと、および２）任意構造の半導体レーザなど
に再成長が可能になったこと、である。
は、１）ＡｌＧａＡｓ再成長界面近傍の酸素濃度を低く
抑えることができ、良好な再成長界面を得ることが可能
になったこと、および２）任意構造の半導体レーザなど
に再成長が可能になったこと、である。
【図１】参考例の効果を説明するグラフ図である。
【図２】本発明の実施例の効果を説明するグラフ図であ
る。
る。
【図３】参考例および実施例の製作方法の工程を説明す
る模式図である。
る模式図である。
【図４】従来例の工程を説明する模式図である。
１０１……再成長前の酸素濃度のプロファイル １０２，１０３……再成長後の酸素濃度のプロファイル ３００，４００……ＧａＡｓ基板 ３０１，４０１……ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層 ３０２，４０２……ＧａＡｓ活性層 ３０３……光ガイド層 ３０４……ＡｌＡｓ層またはＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ超
格子層 ３０５，４０３，４０７……ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層 ３０６，４０８……ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ４０４……ｎ−ＧａＡｓキャリアブロック層 ４０５……ｎ−ＡｌＧａＡｓサーマルエッチングストッ
プ層 ４０６……ｎ−ＧａＡｓ層
格子層 ３０５，４０３，４０７……ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド
層 ３０６，４０８……ｐ−ＧａＡｓキャップ層 ４０４……ｎ−ＧａＡｓキャリアブロック層 ４０５……ｎ−ＡｌＧａＡｓサーマルエッチングストッ
プ層 ４０６……ｎ−ＧａＡｓ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−88628（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−76692（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−136586（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−189989（ＪＰ，Ａ) Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌ ｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．59，Ｎｏ．５, ｐｐ．497−498 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50 H01L 33/00
Claims (3)
- 【請求項１】半導体を積層して半導体積層構造を製造す
る方法であって、少なくとも２回の結晶成長の工程を有
し、再成長工程は、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦
１)／ＧａＡｓの超格子を成長する工程をＡｌｘＧａ
１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１)を最初に成長するようにして
成長する工程であることを特徴とする半導体積層構造の
製造方法。 - 【請求項２】前記再成長を行う工程は、表面材料がＡｌ
ＧａＡｓである層上に再成長する工程である請求項１記
載の半導体積層構造の製造方法。 - 【請求項３】前記半導体積層構造は光デバイスである請
求項１または２に記載の半導体積層構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34968291A JP3233958B2 (ja) | 1991-12-07 | 1991-12-07 | 半導体積層構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34968291A JP3233958B2 (ja) | 1991-12-07 | 1991-12-07 | 半導体積層構造の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160523A JPH05160523A (ja) | 1993-06-25 |
| JP3233958B2 true JP3233958B2 (ja) | 2001-12-04 |
Family
ID=18405391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34968291A Expired - Fee Related JP3233958B2 (ja) | 1991-12-07 | 1991-12-07 | 半導体積層構造の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3233958B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07226564A (ja) * | 1994-02-14 | 1995-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置およびその評価方法 |
| US6765232B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-07-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7180100B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-02-20 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US7968362B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
| US20080026545A1 (en) * | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Paul Cooke | Integrated devices on a common compound semiconductor III-V wafer |
-
1991
- 1991-12-07 JP JP34968291A patent/JP3233958B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．５，ｐｐ．４９７−４９８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05160523A (ja) | 1993-06-25 |
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