JP3230608U - 非破壊検査装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微弱な磁束密度の変化を検査できる非破壊検査装置を提供する。【解決手段】非破壊検査装置10は、アモルファス磁芯12とコイル14からなる磁気センサ16、コイルに励磁電流を供給する電源回路18、及び、ダイオードDと平滑回路20により直流化したコイルの電圧変化を微分する微分回路22を備える。磁気センサは、アモルファス磁芯の長さ方向が被検査物の長さ方向に対して垂直または垂直から45度までの任意の角度になっている。電源回路は交流電源36、直流電源38、および増幅器40を備える。また、コイルの出力電圧を受ける第一抵抗R1、第二抵抗R2、第三抵抗R3、第四抵抗R4、コンデンサCおよびオペアンプOPを備え、微分回路はコンデンサCおよび第四抵抗で構成される。【選択図】図1
Description
本考案は、被検査物の傷および厚み変化などの異常箇所を検査できる非破壊検査装置に関するものである。
従来、種々の非破壊検査装置が開発および開示されている。たとえば下記特許文献1の非破壊検査装置は、磁石と磁気センサを備える。磁石で被検査物を磁化し、被検査物の表面に沿って磁気センサを移動させて表面の磁束密度を測定する。被検査物に傷や減肉などの異常箇所があれば表面の磁束密度が変化する。磁気センサでその磁束密度の変化を検出することで、異常箇所を検出できる。
しかし、鉄は強磁性体であるため、異常箇所から漏れる磁束が小さく、磁束密度の変化を検出しにくい。被検査物の裏面や内部に異常箇所があれば、それらの漏れ磁束も小さいが変化が現れる。その微弱な磁束密度の変化を検出できることが求められている。
本考案の目的は、微弱な磁束密度の変化を検査できる非破壊検査装置を提供することにある。
本考案の非破壊検査装置は、線状体、棒状体またはそれら両方からなる被検査物に対する非破壊検査装置であって、前記被検査物を磁化させる磁石と、アモルファス磁芯および該アモルファス磁芯に巻回されたコイルからなり、該アモルファス磁芯の長さ方向が前記被検査物の長さ方向に対して垂直または垂直から45度の角度に配置された磁気センサと、直流電流と交流電流を重畳した励磁電流を前記コイルに供給する電源回路と、前記コイルの出力電圧を微分する微分回路とを備える。
本考案によると、磁気センサが被検査物に対して垂直または垂直から45度の角度になっていることで、磁気センサの感度が良く、異常箇所が検出しやすい。微分回路にコンデンサを設けていることで、異常箇所によって生じる電圧の変化速度の大きなもののみを出力することができ、異常箇所を検出しやすくなっている。
本考案の非破壊検査装置について図面を使用して説明する。
図1に示す本考案の非破壊検査装置10は、アモルファス磁芯12とコイル14からなる磁気センサ16、コイル14に励磁電流を供給する電源回路18、コイル14の電圧の振幅変化を整流および平滑して直流電圧変化として出力するダイオードDおよび平滑回路20、その直流電圧変化を微分する微分回路22を備える。
被検査物の材料は磁石によって磁化される材料であればよく、たとえば鉄、コバルト、ニッケル、それらを含む合金などの強磁性体を含む。図2に示す被検査物24は線状体または棒状体で構成される。線状体または棒状体の断面は円形または角形など限定されない。線状体または棒状体は1本に限定されず、複数であってもよい。線状体または棒状体が複数である場合、それらをねじりながら1本のロープ状の被検査物24を形成していてもよい。また、線状体または棒状体が複数である場合、各線状体または棒状体の断面が異なっていてもよい。さらに、線状体と棒状体が組み合わせれてもよい。
非破壊検査装置10は被検査物24の亀裂や厚さ変化などの異常箇所26を検出する。被検査物24が複数の線状体または棒状体から成る場合、それらの1本または複数本が切断されている箇所も異常箇所26となる。非破壊検査装置10は、被検査物24の表面にある異常箇所26のみではなく、被検査物24の裏面および内部の異常箇所26も検出する。被検査物24が複数の線状体または棒状体から成る場合、それらの1本または複数本が内部で切断されている場合も検出する。
図2に示すように、非破壊検査装置10は磁石28を備える。被検査物24を磁化することができれば、被検査物24に対する磁石28の位置は限定されない。たとえば、複数の磁石28の同極または異極で被検査物24の外周を囲み、磁石28を被検査物24の長さ方向に移動させて磁化させる。また、磁気センサ16で被検査物24を走査する前に被検査物24を磁化できるのであれば、磁気センサ16と磁石28は一体になっていてもよいし、分離されていてもよい。磁石28は永久磁石と電磁石のいずれであってもよい。被検査物24を磁化できれば、磁石28の磁束密度は限定されず、たとえば約1000G以下であってもよい。磁石28によって被検査物24が磁化され、異常箇所26から漏れ磁束が生じる。この漏れ磁束は、異常箇所26が被検査物24の内部および裏面にあっても、被検査物24の表面に微弱ではあるが現れる。
磁気センサ16は棒状のアモルファス磁芯12およびこのアモルファス磁芯12にまきまわされたコイル14を備える。アモルファス磁芯12は複数のアモルファス素線を束ねたものである。たとえば、1本のアモルファス素線は直径約0.05〜0.1mm、長さ約15〜20mmのアモルファス素線を約5〜10本束ねてアモルファス磁芯12とする。アモルファス磁芯12の直径が1mm以下になれば局所的な漏れ磁束の検知も可能になる。コイル14は銅線をアモルファス磁芯12に複数回巻きまわすことで形成される。たとえばアモルファス磁芯12に約0.07mmの銅線が150〜200回巻きまわされている。コイル14の一端が電源回路18から抵抗Raを通して接続され、他端がグランドに接続されている。磁気センサ16は被検査物24の表面に近接されながら移動する。
磁気センサ16は、アモルファス磁芯12の長さ方向が被検査物24の長さ方向に対して垂直方向を向いている(図2)。この垂直方向は垂直方向から数度の傾斜も含まれる。また、垂直方向から45度の範囲で任意の角度であってもよい。アモルファス磁芯12の長さ方向が被検査物24の長さ方向に対して垂直方向を向いていれば、アモルファス磁芯12の被検査物24に近い方から漏れ磁束の影響を受け、磁気センサ16の感度が良くなる。この磁気センサ16を被検査物24の表面に沿って、ある一定の速さ(約10〜20cm/sec)で前後、左右に走査する。この時異常箇所26の上で漏れ磁束を検出する。遅すぎると被検査物24の残留磁気の不均一によるノイズとの区別がつけにくくなり、早すぎると電気的ノイズを軽減するための回路で信号が弱くなる。これらを考慮して走査速度や回路設計をする。時定数τ=C×Rより速いステップ状の入力に対する応答を表す。磁気センサ16は被検査物24の形状およびサイズに応じて複数個使用してもよい。
電源回路18は交流電源36、直流電源38、および増幅器40を備える。交流電源36は周波数可変および電流量可変の交流電流を発生する電源である。直流電源38は一定電圧を可変的に分圧して直流電流を発生する電源である。増幅器40は、上記交流電流と直流電流が同時に入力され、電流量を増幅して励磁電流を出力する。以上から、電源回路18は直流電流と交流電流を重畳した励磁電流を生成する。
電源回路18とコイル14の間に抵抗Raを備える。励磁電流は抵抗Raを通してコイル14に流される。抵抗Raによってコイル14の電圧の振幅変化が現れる。コイル14の電圧の振幅変化は増幅器42で増幅され、ダイオードDと平滑回路20で整流および平滑されて直流電圧変化となる。平滑回路20は抵抗RbとコンデンサCaから構成される。
コイル14の電圧を増幅して、コイル14を被検査面に沿って移動するときの、その電圧の振幅に比例して直流化した電圧の変化から異常箇所26の有無を判定できる。コイル14の電圧の振幅変化をそのまま利用しても、被検査物24の異常箇所26を判別できるが、異常箇所26が亀裂の場合には電圧変化が急峻であるため、更に電圧の変化速度に比例した電圧を出力する微分回路22を追加することにより、鮮明な信号として判別できる。
コイル14の出力電圧を受けるために、第一抵抗R1、第二抵抗R2、第三抵抗R3、第四抵抗R4、コンデンサCおよびオペアンプOPを備える。第一抵抗R1と第二抵抗R2は直列接続されており、第一抵抗R1は反転入力に、第三抵抗R3およびコンデンサCが並列接続されて非反転入力に接続されている。オペアンプOPの反転入力端子が第一抵抗R1と第二抵抗R2の間に接続され、オペアンプOPの非反転入力端子は第三抵抗R3に接続されている。オペアンプOPの非反転入力端子とグランドの間に第四抵抗R4が接続されている。オペアンプOPの出力は第二抵抗R2に接続されている。これらの抵抗R1、R2、R3、R4による回路では入力側の電圧変化に対して、出力側の電圧は変化しない。この中の第三抵抗R3に並列にコンデンサCを接続することによってそのコンデンサCと第四抵抗R4が微分回路22になっており、微分時定数τ(=CR4)より短い周期の変化または短時間の変化の電圧を入力したとき、その変化速度に応じた出力電圧を生じる。つまり、ゆっくりした変化は殆ど打ち消して出力しないで、前記亀裂による速い電圧変化のみを出力する。
第一抵抗R1と第二抵抗R2の抵抗値は等しく、第三抵抗R3と第四抵抗R4の抵抗値は等しい。このように抵抗値を設定することで電圧変化出力はゼロになるが、第三抵抗R3に並列に付けられたコンデンサCによって、コンデンサCと抵抗R4とからなる微分回路22は入力された電圧を微分した変化速度に比例した電圧を出力する。時定数τ=CR4より短時間の速い変化の電圧を出力する。(図3(a))、そのため、微分回路22はコイル14の検出電圧の変化が速いときのみ、図3(b)のような急峻な山となって出力される。コイル14の検出電圧の変化が小さい又は遅い場合および直流成分について、微分回路22の出力は0になる。
非破壊検査装置10は微分回路22の出力を表示するモニターを備えてもよい。モニターに図3(b)のような表示をすることで、異常箇所26が分かるようにする。
以上のように、本願は磁気センサ16を被検査物24に対して垂直または垂直に近い任意の角度にしておくことで磁気センサ16の感度が良くなり、異常箇所26を検出しやすくなっている。本願は複数の線状体または棒状体から成る被検査物24の表面および内部の断線を検出することもできる。微分回路20にコンデンサCを設けていることで、全体的に磁化している乱れを除き、異常箇所26によって生じる電圧変化の速いもののみを出力することができ、異常箇所26を検出しやすくなっている。
以上、本願の一実施形態を上述したが、本願は上述した実施形態に限定されるものではない。たとえば、磁気センサ16が取り付けられる筒状体44を備えてもよい(図4)。被検査物24は筒状体44の内部空間46を通される。筒状体44と磁石28の位置関係は任意であり、磁石28の磁気が直接影響しないように離す。被検査物24に対して磁石28が接触してもよいし、非接触であってもよい。磁石28は被検査物24を磁化できれる任意の位置に配置され、磁気センサ16が走査されるまでに被検査物24を磁化できればよい。磁石28の位置を任意に決められ、設計の自由度が高い。
筒状体44は図4に示す複数の分割線48で示す部分で複数に分割されてもよい。分割線48は筒状体44の長さ方向を向いている。分割された筒状体44を準備し、被検査物24の任意の部分で筒状体44を被検査物24の外周に配置することができる。また、被検査物24の任意の部分で筒状体44を分割することで、被検査物24から筒状体44を取り外すことができる。また、磁石28を任意の筒状体に配置する場合も、筒状体44のように分割できるようにしても良い。なお、2本の分割線48の内の1本にヒンジなどを取り付け、筒状体44が片開きするようにしてもよい。筒状体44の断面は円形、角形など任意の形状であってもよい。
磁気センサ16は被検査物24の表面に対して接触してもよいし、非接触であってもよい。磁気センサ16は被検査物24から漏れる磁束を検出できる位置であれば適宜調整してもよい。磁気センサ16の位置を任意に決められ、設計の自由度が高い。
磁気センサ16を複数にして、図1に示す非破壊検査装置10を複数にしても良い。1つの被検査物24に対して複数の非破壊検査装置10で検査する。その場合、各非破壊検査装置10の出力を図5に示す回路に入力するようにしても良い。図5は3つの出力を利用するが、非破壊検査装置10の数に応じて比較器48の数は変更される。非破壊検査装置10の出力は比較器48に入力され、比較器48で所定電圧Vcと比較される。所定電圧Vcは比較器48の中で電圧調整されてもよい。比較器48に入力された非破壊検査装置10の出力が所定電圧Vc(または比較器48で調整された電圧)よりも高くなれば、LED50に信号を出力し、LED50を点灯させる。いずれかのLED50が点灯されれば、警報装置52にも信号が入力され、警報音が発出される。なお、図5の回路は、非破壊検査装置10が1つであっても、比較器48とLED50を1つにして利用可能である。
図1および図5の回路は1つの筐体に収納されてもよい。1つの筐体に図1の回路が複数収納されてもよい。また、図1および図5の回路が複数ある場合、被検査物24に対して、S極、N極、または両方の極で磁化させ、その磁束を検出してもよい。各回路の磁気センサ16は被検査物24に対して位置を変更したり(図2の上下方向に変更したり)、コイル14に流す電流は正負のいずれであってもよい。なお、図1および図5の回路を複数備えない場合であっても、被検査物24に対する磁極、磁気センサ16の位置、コイル14に流す電流の正負は適宜設定してもよい。
その他、本考案は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
10:非破壊検査装置
12:アモルファス磁芯
14:コイル
16:磁気センサ
18:電源回路
20:平滑回路
22:微分回路
24:被検査物
26:異常箇所
28:磁石
36:交流電源
38:直流電源
40、42:増幅器
44:筒状体
46:筒状体の内部空間
48:比較器
50:LED
52:警報装置
抵抗:R1、R2、R3、R4、R1、R2
コンデンサ:C、Ca
ダイオード:D
オペアンプ:OP
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コンデンサ:C、Ca
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Claims (5)
- 線状体、棒状体またはそれら両方からなる被検査物に対する非破壊検査装置であって、
前記被検査物を磁化させる磁石と、
アモルファス磁芯および該アモルファス磁芯に巻回されたコイルからなり、該アモルファス磁芯の長さ方向が前記被検査物の長さ方向に対して垂直または垂直から45度までの任意の角度に配置された磁気センサと、
直流電流と交流電流を重畳した励磁電流を前記コイルに供給する電源回路と、
前記コイルの出力電圧を微分する微分回路と、
を備えた非破壊検査装置。 - 前記磁石と磁気センサが分離または一体になった請求項1の非破壊検査装置。
- 前記磁気センサが被検査物を通過させる筒状体に取り付けられた請求項1または2の非破壊検査装置。
- 前記筒状体において該筒状体の長さ方向に分割線を有し、該分割線の部分で筒状体が複数に分割できる請求項3の非破壊検査装置。
- 前記磁気センサが被検査物に対して非接触である請求項1から4のいずれかの非破壊検査装置。
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JP2020005051U JP3230608U (ja) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 非破壊検査装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2020005051U JP3230608U (ja) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 非破壊検査装置 |
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Publication Number | Publication Date |
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JP3230608U true JP3230608U (ja) | 2021-02-12 |
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ID=74529514
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2020005051U Active JP3230608U (ja) | 2020-11-24 | 2020-11-24 | 非破壊検査装置 |
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Country | Link |
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2020
- 2020-11-24 JP JP2020005051U patent/JP3230608U/ja active Active
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