JP3232711U - 非破壊検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】水素の吸蔵を検知し、金属の脆化および損傷などを検査できる非破壊検査装置を提供する。【解決手段】本考案の非破壊検査装置１０は、一次コイル１２に印加するパルス電流を生成するパルス電流発生回路１４、二次コイル１６の電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路１８、所定時点における二次コイルの電圧を出力するサンプリング回路２０、比較回路の出力とサンプリング回路の出力を選択するスイッチ２２、スイッチで選択された出力と正常値との差動出力をおこなうアナログゼロセット回路２４、アナログゼロセット回路の出力を増幅する増幅回路２６、および制御装置２７を備える。比較回路で用いる設定電圧およびサンプリング回路で用いる所定時間が変更可能になっていることで、適切なタイミングで被検査物を検査することができる。【選択図】図１

Description

本考案は、水素の吸蔵による異常個所を検査できる非破壊検査装置に関するものである。

金属が腐食する際に、金属の中に水素が吸蔵される。この吸蔵された部分は脆化して強度が低下する。この水素の吸蔵した部分を早期に検出できれば、早急に修理等をおこない、大事故を未然に防ぐことも可能である。

従来、金属に水素が吸蔵された部分を非破壊で検出することはできていなかった。下記特許文献１は非破壊で亀裂等を検査できるが、水素の吸蔵は検出できなかった。

特開２００９−０７９９８４号公報

本考案の目的は、水素の吸蔵を検知し、金属の脆化および損傷などを検査できる非破壊検査装置を提供することにある。

本考案の非破壊検査装置は、被検査物に対する非破壊検査装置である。本考案の非破壊検査装置は、パルス電流を生成するパルス電流生成回路と、電磁石にそのパルス電流が流され、電磁石に生じるパルス磁気によって被検査物に渦電流を生じさせる一次コイルと、前記一次コイルの内側に配置され、前記渦電流によって生じた磁束によって電圧が変化する二次コイルと、前記二次コイルの電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路と、設定時間における前記二次コイルの電圧を出力するサンプリング回路と、前記比較回路の出力とサンプリング回路の出力を選択するスイッチと、前記比較回路、サンプリング回路、またはその両方の出力から被検査物の水素の吸蔵を求める制御装置とを備える。本考案の非破壊検査装置は前記設定電圧および所定時間が変更できる。本考案の非破壊検査装置は、比較回路とサンプリング回路のいずれか１つを備えていてもよい。

考案明によると、比較回路で用いる設定電圧およびサンプリング回路で用いる所定時間が変更可能になっていることで、適切なタイミングで被検査物を検査することが可能になっている。被検査物に応じて最適な検査を行うことができる。従来検出できなかった水素の吸蔵による脆化および損傷などを検査できる。

本考案の非破壊検査装置の構成を示す図である。 センサの構成を示す図である。 一次コイルのパルス電流と二次コイルの電圧の関係を示すグラフである。 比較回路とサンプリング回路の構成を示す図である。 （ａ）は比較回路における正常箇所と異常個所の時間差を示すグラフであり、（ｂ）は比較回路の出力を示すグラフである。 （ａ）はサンプリング回路における正常箇所と異常個所の電圧差を示すグラフであり、（ｂ）はサンプリング回路の出力を示すグラフである。 ゼロセット回路の構成を示す図である。 非破壊検査装置のセンサーコイルを走査した時の欠陥により生じた出力を示すオシロスコープのグラフである。 センサの構成を示す図である。

本考案の非破壊検査装置について図面を使用して説明する。

図１に示す本考案の非破壊検査装置１０は、一次コイル１２に印加するパルス電流を生成するパルス電流発生回路１４、二次コイル１６の電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路１８、設定時間における二次コイル１６の電圧を出力するサンプリング回路２０、比較回路１８の出力とサンプリング回路２０の出力を選択するスイッチ２２、スイッチ２２で選択された出力と正常値との差動出力をおこなうアナログゼロセット回路２４、アナログゼロセット回路２４の出力を増幅する増幅回路２６、および制御装置２７を備える。

一次コイル１２と二次コイル１６がフェライトコア２８に巻きまわされ、それらでセンサ３０を構成している（図２）。一次コイル１２の内側に二次コイル１６が巻かれている。センサ３０が被検査物３２に近接させられ、さらに被検査物３２の表面から一定距離（０ｍｍを含む）を保って走査(移動)させられる。センサ３０が近接および走査させられることで、被検査物３２の傷および厚み変化などの異常箇所３４ａ、３４ｂの有無が検査される。異常箇所３４ａ、３４ｂは被検査物３２に水素が吸蔵されて損傷等した部分である。被検査物３２は非磁性の金属または合金からなる物であり、その形状は限定されない。異常箇所３４ａは被検査物３２の表面（センサ３０が近接された面）にある損傷であり、異常個所３４ｂは被検査物３２の裏面の損傷である。本願は被検査物３２の裏面や内部にあって、目視できない異常箇所３４ｂも検査できる。また、実際に亀裂などの損傷を生じていなくても、金属に水素が吸蔵された部分（異常箇所）３４ｃは電気抵抗率が変化するため、後述するように被検査物３２に渦電流を流すことで水素が吸蔵された異常箇所３４ｃも検出できる。

パルス電流発生回路１４は、図３に示すように、矩形のパルス電流Ｉ_１を生成する回路である。パルス電流Ｉ_１のパルス幅の一例は約２５μｓ、周期は約２５０μｓである。パルス電流発生回路１４で生成したパルス電流Ｉ_１は一次コイル１２に流される。一次コイル１２にパルス電流Ｉ_１が流れることでパルス磁気を生じて被検査物３２に渦電流が発生する(図２)。被検査物３２の正常箇所３６と異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃとで渦電流が異なる。

被検査物３２に流れた渦電流によって磁束が生じ、その磁束の変化によって二次コイル１６に誘導電圧Ｖ_２が生じる（図３）。誘導電圧Ｖ_２は被検査物３２の材質、厚さなどのサイズによって微妙に変わる。具体的には、被検査物３２の材質が異なれば抵抗や透磁率が異なるため、渦電流が異なり、誘導電圧Ｖ_２が異なる。被検査物３２の厚みが変わると、渦電流の減衰特性が変わるので、誘導電圧Ｖ_２が変わる。被検査物３２に水素の吸蔵による損傷があると渦電流が流れにくくなり、誘導電圧Ｖ_２が変わる。損傷を生じていなくても水素が吸蔵されて電気抵抗が変化した部分は、その部分の誘導電圧Ｖ_２が変わる。

パルス電流Ｉ_１がオンになるときとオフになるときの両方で二次コイル１６に誘導電圧Ｖ_２が生じるが、本願はパルス電流Ｉ_１がオフになるときの誘導電圧Ｖ_２を利用する。二次コイル１６に生じる誘導電圧Ｖ_２は、反比例的に減少する。パルス電流Ｉ_１はオンの時間よりもオフの時間の方が長くなっているため、パルス電流Ｉ_１がオフになるときの誘導電圧Ｖ_２はパルス電流Ｉ_１がオンになるときの誘導電圧に比べて時間が長く、安定している。

二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２は比較回路１８およびサンプリング回路２０に入力される。二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２を増幅する増幅回路３８が備えられてもよい。必要に応じて二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２が増幅回路３８によって増幅される。

図４に示すように、比較回路１８はオペアンプＯＰ１を使用した回路である。二次コイル１６の電圧（増幅回路３８の出力）がオペアンプＯＰ１の非反転入力端子に入力され、設定電圧がオペアンプＯＰ１の反転入力端子に入力される。抵抗Ｒ１の抵抗値は可変で調整可能であり、設定電圧は安定化電源電圧Ｖ_ＣＣを抵抗Ｒ１で調整することで得る。すなわち、抵抗Ｒ１は設定電圧の調整手段として機能する。二次コイル１６の出力Ｖ_２が入力されてから設定電圧になるまでの時間が矩形波の電圧として出力される。

非破壊検査装置１０を使用するに際して設定電圧を調整する。たとえば、図５（ａ）に示すように、被検査物３２の正常箇所３６における二次コイル１６の出力をＶ_２、異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃにおける二次コイル１６の出力をＶ_２Ｘとする。設定電圧がＶ_Ｒ１のときは、Ｖ_２とＶ_２Ｘの時間差はΔτ_１である。設定電圧がＶ_Ｒ２のときは、Ｖ_２とＶ_２Ｘの時間差はΔτ_２である。図５（ａ）に示すように、Δτ_１＜Δτ_２である。設定電圧によって正常箇所３６と異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃの時間差が異なる。さらに二次コイル１６の電圧Ｖ_２は被検査物３２の材質および形状などによっても異なる。被検査物３２に応じて設定電圧を調整することで、正常箇所３６と異常個所３４ａ、３４ｂの時間差の大きい電圧を選択し、異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃを検出しやすくする。

比較回路１８に入力された二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２は図５（ｂ）に示すように、矩形のパルス電圧Ｖ_Ａとなって出力される。パルス電圧Ｖ_Ａは比較回路１８に誘導電圧Ｖ_２が入力されてから設定電圧よりも高い間はオペアンプＯＰ１から正電圧として出力され、設定電圧を下回ると負電圧として出力される。電圧Ｖ_２とＶ_２Ｘが異なるため、被検査物３２の異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃにおける比較回路１８の出力は、電圧Ｖ_Ａと異なるパルス幅になったパルス電圧Ｖ_ＡＸとなる。この異なったパルス電圧Ｖ_Ａ、Ｖ_ＡＸは後述する平滑回路４４で比較回路１８の出力が平滑され、異なった電圧となる。

サンプリング回路２０はオペアンプＯＰ２、ＯＰ３を利用し、サンプリングパルスが入力されている間、図６のようにパルス電圧Ｖ_Ｂを出力する回路である。サンプリングパルスは一定周期のパルス電圧であり、設定時間の間サンプリング回路２０に入力される。

図４に示すように、サンプリング回路２０は、２つのオペアンプＯＰ２、ＯＰ３、オペアンプＯＰ２、ＯＰ３間のアナログスイッチ４０とコンデンサＣ１を備える。オペアンプＯＰ２は非反転入力端子に第２コイル１６の出力Ｖ_２が入力される。オペアンプＯＰ２の出力がオペアンプＯＰ３の非反転入力端子とオペアンプＯＰ２の反転入力端子に入力されている。オペアンプＯＰ３の出力が反転入力端子に接続されている。アナログスイッチ４０にパルスが入力されることで、アナログスイッチ４０がオンになる。アナログスイッチ４０に入力されるサンプリングパルスの数を変更することで、サンプリング回路２０から出力される電圧が異なる。

時間設定回路４２がアナログスイッチ４０にサンプリングパルスを入力する。時間設定回路４２で生成されるサンプリングパルスは一定周期のクロックパルスであり、設定された時点で、サンプリングパルスを出力する。設定時間は、パルス電流Ｉ_１がオフになってから電圧差を求める時間である。時間設定回路４２は設定時間の調整手段として機能する。サンプリングパルスはディジタル的に設定してもよく、アナログ的に可変にしたパルスであってもよい。

非破壊検査装置１０を使用するに際して二次コイル１６の変化している電圧からサンプリングされたパルス電圧が出力されるサンプリング時点の設定を調整する。たとえば、図６（ａ）に示すように、時間τ_Ｒ３での誘導電圧Ｖ_２とＶ_２Ｘの電圧差をΔＶａとし、時間τ_Ｒ４でのＶ_２とＶ_２Ｘの電圧差をΔＶｂとする。図６（ａ）に示すように、ΔＶａ＞ΔＶｂである。設定時間によって正常箇所３６と異常個所３４ａの電圧が異なる。さらに二次コイル１６の出力Ｖ_２は被検査物３２の材質および形状などによっても異なる。そのため、サンプリングパルスの数による時点を調整することで設定時間を変更できるようにする。被検査物３２に応じて設定時間を調整することで、正常箇所３６と異常個所３４ａの電圧差が大きくなる時間を選択することができ、電圧差を大きくすることで異常個所３４ａが検出されやすくする。

サンプリング回路２０に入力された二次コイル１６の誘導電圧Ｖ_２は図６（ｂ）に示すように、パルス電圧Ｖ_Ｂとなって出力される。被検査物３２の異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃにおけるサンプリング回路２０の出力は、パルス電圧Ｖ_Ｂと異なる電圧になったパルス電圧Ｖ_ＢＸが出力される。サンプリング回路２０の出力電圧によって欠陥の有無が判別できる。後述するようにサンプリング回路２０の出力は平滑されて電圧の違いで欠陥が検出できる。

比較回路１８とサンプリング回路２０の出力は平滑回路４４によって直流化（平滑）する。比較回路１８の出力はパルス幅に応じた直流電圧に平滑回路４４で変換され、サンプリング回路２０の出力は電圧値に応じた直流電圧に平滑回路４４で変換される。図４に示すように、平滑回路４４はダイオードＤ１と抵抗Ｒ２が直列接続され、コンデンサＣ２、Ｃ３がアースに接続された回路である。各平滑回路４４において、抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２、Ｃ３の特性を変更してもよい。なお、回路構成によっては比較回路１８と平滑回路４４の間にパルス幅を電圧に変換する回路を挿入しておいてもよい。また、回路構成によってはサンプリング回路２０と平滑回路４４の間に電圧に応じてパルス幅に変化する回路を挿入しておいてもよい。

スイッチ２２は比較回路１８とサンプリング回路２０を選択する回路である。アナログゼロセット回路２４に入力される出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧をスイッチ２２で選択する。

アナログゼロセット回路２４は、被検査物３２の正常箇所３６における比較回路の出力Ｖ_Ａまたはサンプリング回路の出力Ｖ_Ｂを平滑した電圧を記憶しておき、検査時の被検査物３２における比較回路１８の出力Ｖ_Ａまたはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ｂを平滑した電圧と差動出力する回路である。

図７に示すように、アナログゼロセット回路２４は、アナログスイッチ４６、アナログスイッチ４６が押されたときの比較回路１８またはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧を一時保持するコンデンサＣ４、コンデンサＣ４の電極電圧を保持するホールド回路４８、ホールド回路４８の出力と比較回路１８またはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧を差動出力するオペアンプＯＰ４を備える。アナログスイッチ４６は押しボタンスイッチなどの操作者の操作でオンとオフを切り替えられるスイッチとスイッチのオン・オフで切り替わるフォトカプラまたはＦＥＴを備える。スイッチを押すと、フォトカプラまたはＦＥＴがオン状態になり、アナログスイッチ４６がオンになる。ホールド回路４８はＣＭＯＳ入力のオペアンプが利用できる。

被検査物３２を検査する前に目視や打音等で正常箇所３６を見つけ、その正常箇所３６にセンサ３０を当てまたは一定距離にする。その状態でアナログスイッチ４６を押すと、ホールド回路４８に比較回路１８またはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ａ、Ｖ_Ｂを平滑した電圧が保持される。また、被検査物３２の代わりに被検査物３２の正常サンプルを準備して同様の工程を経てもよい。被検査物３２とセンサ３０との距離を保った状態でアナログスイッチ４６を離し、走査させることで、センサ３０が走査されている位置における比較回路１８の出力Ｖ_Ａまたはサンプリング回路２０の出力Ｖ_Ｂを平滑した電圧とホールド回路４８に保持されている電圧とがオペアンプＯＰ４から差動出力される。差動出力が０であれば、その時にセンサ３０が近接されている位置は正常箇所３６である。なお、出力Ｖ_ＡとＶ_Ｂは被検査物３２の異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃではＶ_ＡＸ、Ｖ_ＢＸになり、その他の説明でも同じである。

アナログゼロセット回路２４の出力を増幅する増幅回路２６を備える。アナログゼロセット回路２４の出力を増幅させて、差動出力の値を大きくする。差動出力の値が大きくなることで、小さな異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃが見つけやすくなる。

アナログゼロセット回路２４と増幅回路２６は多段接続されている。アナログゼロセット回路２４の出力が増幅回路２６で増幅され、増幅回路２６の出力がさらに後段のアナログゼロセット回路２４に入力される。回路に使用される素子、回路特性などによって１つのアナログゼロセット回路２４でゼロセットにすることは難しい。増幅回路２６の出力をアナログゼロセット回路２４でゼロセットすることで、この多段接続された回路の出力は０に限りなく近づけられる。図１ではアナログゼロセット回路２４と増幅回路２６が２段に接続しているが、さらに多段になるように接続してもよい。なお、１つのアナログゼロセット回路２４でゼロセットすることができれば、１段であってもよい。

制御装置２７には増幅回路２６の出力Ｖ_Ｏが入力される。制御装置２７は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）またはＰＬＣ（Programmable Logic Controller）などの演算回路を含む。出力Ｖ_Ｏをアナログ・ディジタル変換回路でディジタルデータにして入力してもよい。損傷している異常箇所３４ａ、３４ｂおよび水素が金属に吸蔵され、金属の脆化および損傷などを生じている異常箇所３４ｃの電圧Ｖ_ＯＸは高くなる（図８参照）。電圧Ｖ_ＯＸは異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃの異常度合いによって異なる。制御装置２７は電圧Ｖ_ＯＸを検出することで金属に水素が吸蔵され、金属の脆化または損傷などを生じている異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃを判断する。本願は、図８に示すような出力Ｖ_Ｏを表示できるモニタまたは小型のオシロスコープを備えてもよい。異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃが複数箇所あれば、電圧Ｖ_ＯＸは複数箇所で表示される。センサ３０を被検査物３２に近接させて一定距離を保ちながら走査することで、被検査物３２にある異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃを発見することができ、異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃを示した位置でセンサ３０を停止させれば、その位置に異常個所３４ａ、３４ｂ、３４ｃがあることがわかる。

以上のように、本願は設定電圧およびサンプリング時点を変更できるようにしたことで、水素が吸蔵された異常個所３４ｃを見つけやすいように適宜設定を変更できるようになっている。従来検出されなかった水素を吸蔵した異常３４ｃを検出でき、さらに異常箇所３４ｃを検出しやすいように調整することができる。水素が吸蔵された異常箇所３４ｃ以外の損傷の異常箇所３４ａ、３４ｂも検出することができる。損傷する前の異常箇所３４ｃを検出できることで、被検査物３２を早期に修理等できるようになる。

以上、本願について一実施形態を説明したが、本願は上記実施形態に限定されない。たとえば、設定電圧またはサンプリング時点のいずれかのみを変更できる回路であってもよい。比較回路１８とサンプリング回路２０のいずれか１つのみを使用した回路であってもよい。

図９のセンサ５０のように、円筒状のフェライトコア５２の中に棒状のフェライトコア５４を備えてもよい。フェライトコア５２には一次コイル１２が巻きまわされ、フェライトコア５４には二次コイル１６が巻きまわされている。

図５または図６におけるＶ_２とＶ_２Ｘの差が最も大きい電圧または時間を自動的に求められるようにしてもよい。たとえば、被検査物３２の表面をセンサ３０で走査し、Ｖ_２とＶ_２Ｘをアナログ・ディジタル変換してメモリに記憶し、マイクロコンピュータで記憶されたデータにおいて電圧または時間を変えながら差分を取り、最も差の大きい電圧または時間の変化を求める。求められた電圧になるように比較回路１８の抵抗Ｒ１を自動で変更したり、時間になるように時間設定回路４２のサンプリングパルスを発する時間を変更したりする。自動で変更できるようにする以外に、手動で変更できるようにしても良い。

アナログゼロセット回路２４は可変抵抗で構成してもよい。被検査物３２の正常箇所３６にセンサ３０、５０を近接させて被検査物３２から一定距離にしたとき、可変抵抗の抵抗値を調整して、アナログゼロセット回路２４の出力が０Ｖになるようにする。

アナログゼロセット回路２４の出力が完全に０Ｖにならない場合、その出力を基準に異常箇所３４ａ、３４ｂ、３４ｃの有無を判断してもよい。

センサ３０、５０に小型カメラを取り付けてもよい。配管などの内部を見えないところにセンサ３０、５０を入れるときに、センサ３０、５０の位置を小型カメラで確認できるようにする。

センサ３０、５０は走査させず、所定位置に固定してもよい。検査する位置が特定されている場合、センサ３０、５０を所定位置に固定し、被検査物３２の変化を観測する。出力結果Ｖ_Ｏは有線または無線で自動収集できるようにしてもよい。

その他、本考案は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。

１０：非破壊検査装置
１２：一次コイル
１４：パルス電流発生回路
１６：二次コイル
１８：比較回路
２０：サンプリング回路
２２：スイッチ
２４：アナログゼロセット回路
２６：増幅回路
２７：制御装置
２８、５２、５４：フェライトコア
３０、５０：センサ
３２：被検査物
３４ａ、３４ｂ、３４ｃ：異常個所
３６：正常箇所
３８：増幅回路
４０：スイッチ
４２：時間設定回路
４４：平滑回路
４６：アナログスイッチ
４８：ホールド回路
ＯＰ１、ＯＰ２、ＯＰ３、ＯＰ４：オペアンプ
Ｒ１，Ｒ２：抵抗
Ｃ１，Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４：コンデンサ
Ｄ１：ダイオード

Claims (6)

1. 被検査物に対する非破壊検査装置であって、
   パルス電流を生成するパルス電流生成回路と、
   前記パルス電流が流され、被検査物に渦電流を生じさせる一次コイルと、
   前記一次コイルの内側に配置され、前記渦電流によって生じた磁束の変化による誘導電圧を検出する二次コイルと、
   前記二次コイルの電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路と、
   設定時間における前記二次コイルの電圧を出力するサンプリング回路と、
   前記比較回路の出力とサンプリング回路の出力を選択するスイッチと、
   前記比較回路、サンプリング回路、またはその両方の出力から被検査物の水素の吸蔵を求める制御装置と、
   を含む非破壊検査装置。
2. 被検査物に対する非破壊検査装置であって、
   パルス電流が流され、被検査物に渦電流を生じさせる一次コイルと、
   前記一次コイルの内側に配置され、前記渦電流によって生じた磁束の変化による誘導電圧を検出する二次コイルと、
   前記二次コイルの電圧が設定電圧になった時間を出力する比較回路と、
   前記比較回路の出力から被検査物の水素の吸蔵を求める制御装置と、
   を含む非破壊検査装置。
3. 被検査物に対する非破壊検査装置であって、
   パルス電流が流され、被検査物に渦電流を生じさせる一次コイルと、
   前記一次コイルの内側に配置され、前記渦電流によって生じた磁束の変化による誘導電圧を検出する二次コイルと、
   設定時間における前記二次コイルの電圧を出力するサンプリング回路と、
   前記サンプリング回路の出力から被検査物の水素の吸蔵を求める制御装置と、
   を含む非破壊検査装置。
4. 前記比較回路が抵抗を備え、該抵抗の抵抗値を調整することで設定電圧が変更される請求項１または２の非破壊検査装置。
5. 前記設定時間がサンプリング回路に入力されるサンプリングパルスの数によって変更される請求項１または３の非破壊検査装置。
6. 前記被検査物に欠陥が無い場合の前記比較回路またはサンプリング回路の出力を保持するホールド回路と、
   前記比較回路またはサンプリング回路の出力を前記ホールド回路に保持された値に対する差分として出力するオペアンプと、
   前記差動回路の出力を増幅する増幅回路と、
   を備え、
   前記ホールド回路、オペアンプおよび増幅回路が多段接続された請求項１から５のいずれかの非破壊検査装置。

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