JP3227263B2 - 光学活性オレフィンの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学活性なオレフィン
の製造方法に関する。本発明により得られる光学活性な
オレフィンはそれ自体生理活性を有しており、医薬とし
て、あるいは生理活性物質、殊にステロイド類の合成中
間体として有用である。

【０００２】

【従来の技術・発明が解決しようとする課題】従来、ス
テロイドの合成において側鎖の立体を制御しようとする
試みがなされてきており、例えば、２２位に二重結合を
有しかつその２０位が光学活性なステロイドとして種々
の化合物が知られている。かかるステロイドとしては、
例えば、副作用の少ない骨粗鬆症治療薬として開発され
つつある２４−エピ−１，２５−ジヒドロキシビタミン
Ｄ↓２、２２，２３−デヒドロ−１，２４−ジヒドロキ
シビタミンＤ↓３など；また、乾癬、免疫異常症、悪性
腫瘍などの治療薬として期待されている、２０位の立体
配置が天然型とは逆である２０−エピ−２２，２３−デ
ヒドロ−２４，２６，２７−トリホモビタミンＤ↓３な
どを挙げることができる。これらのステロイドは、エル
ゴステロールより誘導された１α，３β−ジアセトキシ
プレグナ−５，７−ジエン−２０Ｓ−カルブアルデヒド
と４−フェニル−１，２，４−トリアゾリン−３，５−
ジオンとのディールス・アルダー付加物、エルゴカルシ
フェロールより誘導された５，６−トランス−１α，３
β−ビス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−９，１
０−セコプレグナ−５，７，１０（１９）−トリエン−
２０Ｒ−カルブアルデヒドなどのアルデヒド誘導体を、
３−（テトラヒドロピラン−２−イル）オキシ−２，３
−ジメチルブチルフェニルスルホンなどのスルホン誘導
体と、塩基の存在下に反応させて、対応する２２−ヒド
ロキシ−２３−スルホン誘導体としたのち、該２２−ヒ
ドロキシ−２３−スルホン誘導体をナトリウム−水銀ア
マルガムを用いて脱スルホン化することにより合成でき
ることが報告されている［ブレチン・オブ・ケミカル・
ソサイエティ・オブ・ジャパン(Bulletin of Chemical
Society of Japan) 、第６２巻、３１３２頁（１９８９
年）など参照］。

【０００３】しかしながら、上記の合成方法は、毒性の
高い水銀を試薬に用いることから、工業的製法としては
望ましくない。また、２０位の立体配置が天然型と逆で
あるステロイドは、上記の２０位の立体配置がＲである
アルデヒド誘導体から得ることができる。かかるアルデ
ヒド誘導体は、天然のステロイドから得られる２０Ｓ−
アルデヒド誘導体をエピメリ化させて２０Ｓ−アルデヒ
ド誘導体および２０Ｒ−アルデヒド誘導体の混合物とし
たのち、両異性体を液体クロマトグラフィーを用いて分
離することによって得られることが報告されているが
［国際特許出願公表公報ＷＯ９１／００２７１号および
テトラヘドロン(Tetrahedron) 、第４３巻、４６０９頁
（１９８７年）参照］、かかる方法は、操作が煩雑であ
り、上記の２０Ｒ−アルデヒド誘導体を工業的に製造し
取得する場合には採用しがたい。

【０００４】一方、パラジウム塩とトリアルキルホスフ
ィンまたはトリアリールホスフィンからなる触媒を用い
て、直鎖状または分岐鎖状のアリル化合物からギ酸還元
により位置選択的にオレフィンが得られることは知られ
ており、特にパラジウム塩とトリブチルホスフィンの組
み合わせにより高い位置選択性を示すことが明らかにな
っている［有機合成化学、49巻、６号（1991年）；テト
ラヘドロン・レターズ（Tetrahedron Letters）、７
巻、613頁（1979年）；シンセシス（Synthesis）、623
頁（1986年）およびケミストリー・レターズ（Chemistr
y Letters）、1017頁（1984年）参照］。しかしなが
ら、これらの文献では、比較的低分子量の非環式または
単環式のエステルしか報告されておらず、光学活性に関
する記載はない。また、該文献に記載のようなオレフィ
ンの場合には上記反応では立体特異性を示さない。

【０００５】しかして、本発明の目的は、光学活性な側
鎖を有するステロイドまたはその合成中間体となる光学
活性なオレフィンを高収率かつ高選択的に、しかも工業
的に有利に製造する方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の
目的は一般式（ＩＩ−ａ）

【０００７】

【化５】

【０００８】（式中、Ｒ↑1 は有機基（ただし、パラジ
ウムによって触媒されるギ酸との反応の基質となる官能
基を除く）を表し、Ｒ↑2 は水素原子、アルコキシ基、
アルケニルオキシ基または置換されていてもよいアラル
キルオキシ基を表し、Ｒ↑10は低級アルキル基を表し、
Ｒ↑11は水素原子または低級アルキル基を表し、Ｒ↑3
1、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑6
1、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91
およびＲ↑92はそれぞれ水素原子、保護されていてもよ
い水酸基または有機基を表し、Ｒ↑11、Ｒ↑31、Ｒ↑3
2、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑6
2、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91およびＲ
↑92はそれぞれそれらが結合している炭素原子に隣接す
る炭素原子上の置換基と一緒になって炭素−炭素結合を
形成してもよく、同一炭素原子上の置換基の対：Ｒ↑31
およびＲ↑32、Ｒ↑41およびＲ↑42、Ｒ↑51およびＲ↑
52、Ｒ↑61およびＲ↑62、Ｒ↑71およびＲ↑72、Ｒ↑81
およびＲ↑82、ならびにＲ↑91およびＲ↑92はそれぞれ
一緒になって保護されていてもよいオキソ基または置換
基を有していてもよいメチレン基を形成してもよく、ま
たＲ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑71およびＲ↑72はそれらが結合
している炭素原子と一緒になって環を形成してもよく、
ｍは０または１を表す。）で示されるエステル誘導体
（以下、これをエステル誘導体（ＩＩ−ａ）と略称す
る）に、パラジウム塩および第三級ホスフィンからなる
触媒の存在下、ギ酸またはその塩を作用させることを特
徴とする一般式（Ｉ−ａ）

【０００９】

【化６】

【００１０】（式中、Ｒ↑1 、Ｒ↑10、Ｒ↑11、Ｒ↑3
1、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑6
1、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑9
1、Ｒ↑92およびｍは前記定義のとおりである。）で示
されるオレフィン（以下、これをオレフィン（Ｉ−ａ）
と略称する）の製造方法、ならびに一般式（ＩＩ−ｂ）

【００１１】

【化７】

【００１２】（式中、Ｒ↑1 、Ｒ↑2 、Ｒ↑10、Ｒ↑1
1、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑5
2、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑8
2、Ｒ↑91、Ｒ↑92およびｍは前記定義のとおりであ
る。）で示されるエステル誘導体（以下、これをエステ
ル誘導体（ＩＩ−ｂ）と略称する）に、パラジウム塩お
よび第三級ホスフィンからなる触媒の存在下、ギ酸また
はその塩を作用させることを特徴とする一般式（Ｉ−
ｂ）

【００１３】

【化８】

【００１４】（式中、Ｒ↑1 、Ｒ↑10、Ｒ↑11、Ｒ↑3
1、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑6
1、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑9
1、Ｒ↑92およびｍは前記定義のとおりである。）で示
されるオレフィン（以下、これをオレフィン（Ｉ−ｂ）
と略称する）の製造方法を提供することによって達成さ
れる。

【００１５】上記一般式（Ｉ−ａ）、（Ｉ−ｂ）、（Ｉ
Ｉ−ａ）および（ＩＩ−ｂ）において、Ｒ↑1 が表す有
機基（ただし、パラジウムによって触媒されるギ酸との
反応の基質となる官能基を除く）としては、パラジウム
によって触媒されるギ酸との反応の基質となる官能基、
例えばアリルエステル基などの官能基、を有していなけ
れば如何なる基であってもよいが、特に置換基を有して
いてもよい直鎖状、分岐鎖状または脂環式の飽和もしく
は不飽和の炭化水素基が挙げられる。このような炭化水
素基としては、例えば、エチル基、プロピル基、２−メ
チルプロピル基、３−メチルブタン−２−イル基、シク
ロプロピルメチル基、３−メチルブチル基、３−エチル
ペンチル基などのアルキル基；３−メチル−１−ブテニ
ル基、３−エチル−１−ペンテニル基、４−メチル−１
−ペンテニル基、５−メチル−１，３−ヘキサジエニル
基などのアルケニル基が挙げられる。該アルキル基とし
ては、炭素数１〜１０のものが好ましく、該アルケニル
基としては、炭素数２〜１０のものが好ましい。これら
の炭化水素基は、例えば、保護されていてもよい水酸
基、保護されていてもよいオキソ基、保護されていても
よいカルボキシル基、ハロゲン原子などから選ばれる少
なくとも１個、好ましくは１〜６個、さらに好ましくは
１〜２個の置換基で置換されていてもよい。

【００１６】Ｒ↑1として好適なものとしては、ステロ
イドのＤ環の側鎖中にみられるもの、例えば、保護され
ていてもよいオキソ基、保護されていてもよいカルボキ
シル基およびシクロアルキル基よりなる群から選ばれる
１個または２個の基で置換されていてもよい直鎖状また
は分岐鎖状のアルキル基が挙げられる。

【００１７】本発明でいう水酸基の保護基としては、水
酸基の保護の役割を果たす基であればどのようなもので
あってもよく、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロ
ピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル
基、イソバレリル基、ピバロイル基、カプロイル基、ベ
ンゾイル基、トリフルオロアセチル基などのアシル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポ
キシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ベンジ
ルオキシカルボニル基などのアルコキシカルボニル基；
トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプ
ロピルシリル基、tert-ブチルジメチルシリル基、tert-
ブチルジフェニルシリル基などの三置換シリル基；メト
キシメチル基、メトキシエトキシメチル基、１−エトキ
シエチル基、１−メトキシ−１−メチルエチル基などの
１−アルコキシアルキル基；テトラヒドロフラニル基、
テトラヒドロピラニル基などの２−オキサシクロアルキ
ル基などを挙げることができる。また、水酸基が隣接し
て存在している場合には、隣接する２つの水酸基はアル
デヒトまたはケトンとのアセタールの形で保護されてい
てもよい。

【００１８】本発明でいうオキソ基の保護基としては、
ジメチルケタール、ジエチルケタール、ジベンジルケタ
ールなどの非環式ケタール；エチレンケタール、ブロモ
メチルエチレンケタール、ｏ−ニトロベンジルエチレン
ケタール、トリメチレンケタール、２−メチレントリメ
チレンケタール、２，２−ジブロモトリメチレンケター
ル、２，２−ジメチルトリメチレンケタールなどの環式
ケタール；ジメチルチオケタール、ジエチルチオケター
ルなどの非環式チオケタール；エチレンチオケタール、
トリメチレンチオケタールなどの環式チオケタールなど
を挙げることができる。

【００１９】本発明でいう保護されたカルボキシル基と
しては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニ
ル基、ブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル
基、tert-ブトキシカルボニル基などの低級アルコキシ
カルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基、ｐ−メト
キシベンジルオキシカルボニル基などのアラルキルオキ
シカルボニル基などを挙げることができる。

【００２０】Ｒ↑1 によって表される有機基（ただし、
パラジウムによって触媒されるギ酸との反応の基質とな
る官能基を除く）の好適な例としては次の基が挙げられ
る。

【００２１】

【化９】

【００２２】なお、上記式中の水酸基、オキソ基および
カルボキシル基は保護されていてもよい。

【００２３】Ｒ↑2が表すアルコキシ基およびアルケニ
ルオキシ基は、直鎖状または分岐鎖状のいずれであって
もよく、アルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エ
トキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ
基、sec-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、ヘキシルオキ
シ基などの低級アルコキシ基などが挙げられ、アルケニ
ルオキシ基としては、例えば３−ブテニルオキシ基など
が挙げられる。Ｒ↑2が表すアラルキルオキシ基は、ア
リール置換されたアルコキシ基を意味し、そのアルコキ
シ部分は上記の意味を有する。該アリール部分、好まし
くはフェニル基は、例えば、ハロゲン原子、ニトロ基、
低級アルキル基、低級アルコキシ基などにより置換され
ていてもよい。かかる置換もしくは未置換のアラルキル
オキシ基としては、例えば、ベンジルオキシ基、ｐ−メ
トキシベンジルオキシ基、ｐ−クロロベンジルオキシ
基、フェネチルオキシ基などが挙げられる。Ｒ↑2とし
て好適なものは、低級アルコキシ基である。

【００２４】Ｒ↑10およびＲ↑11がそれぞれ表す低級ア
ルキル基としては、直鎖状もしくは分岐鎖状のいずれで
あってもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert-
ブチル基などが挙げられる。該アルキル基としてはメチ
ル基、エチル基が好ましい。

【００２５】Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑5
1、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑8
1、Ｒ↑82、Ｒ↑91およびＲ↑92がそれぞれ表す有機基
としては、パラジウムによって触媒されるギ酸との反応
の基質となる官能基、例えば、アリルエステル基などの
官能基、を有していなければ如何なる基であってもよい
が、置換基を有していてもよい直鎖状、分岐鎖状または
環状の飽和もしくは不飽和の炭化水素基であることがで
きる。炭化水素基としてはメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロピル基、ブチル基、sec-ブチル基、tert
-ブチル基などのアルキル基；ビニル基、プロペニル
基、１−ブテニル基などのアルケニル基；シクロプロピ
ル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシク
ロアルキル基；２−（２−メチレンシクロヘキシリデ
ン）エチル基などのシクロアルキリデンアルキル基；２
−（２−メチル−１−シクロヘキセニル）エテニル基な
どのシクロアルケニルアルケニル基；シクロペンテニル
基、シクロヘキセニル基などのシクロアルケニル基；フ
ェニル基、トリル基などのアリール基；ベンジル基、フ
ェネチル基などのアラルキル基などが挙げられる。これ
らの炭化水素基は、例えば、水酸基、保護された水酸
基、オキソ基、保護されたオキソ基、カルボキシル基、
保護されたカルボキシル基、シアノ基、置換または未置
換のアミノ基、保護されたアミノ基、ハロゲン原子など
で置換されていてもよい。置換されたアミノ基として
は、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、アセチルアミ
ノ基、ベンジルオキシカルボニルアミノ基、tert-ブト
キシカルボニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、ｐ−ト
ルエンスルホニルアミノ基などがあげられる。

【００２６】Ｒ↑31およびＲ↑32、Ｒ↑41およびＲ↑4
2、Ｒ↑51およびＲ↑52、Ｒ↑61およびＲ↑62、Ｒ↑71
およびＲ↑72、Ｒ↑81およびＲ↑82、またはＲ↑91およ
びＲ↑92がそれぞれ一緒になって形成する置換基を有し
ていてもよいメチレン基としては、例えば、次の式で示
される基が挙げられる。

【００２７】

【化１０】

【００２８】（式中、Ｚ↑1およびＺ↑2はそれぞれ水素
原子または有機基を表し、好ましくはＺ↑1およびＺ↑2
の一方は水素原子である。）で示されるものが挙げられ
る。好適なものとしては、

【００２９】

【化１１】

【００３０】（式中、Ｙ↑1は保護されていてもよい水
酸基を表し、Ｙ↑2は水素原子、弗素原子または保護さ
れていてもよい水酸基で置換されていてもよい低級アル
コキシ基を表し、Ｙ↑3は水素原子または保護されてい
てもよい水酸基を表し、Ｙ↑4は低級アルコキシ基を表
す。）などが挙げられる。

【００３１】また、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑71およびＲ↑
72がそれらが結合している炭素原子と一緒になって形成
する環は飽和であってもよいし、不飽和であってもよ
い。該環としては、基本骨格として、例えば、シクロヘ
キサン骨格、デカリン骨格などを有するものが挙げられ
る。中でも、ステロイド骨格のＡＢ環部分であることが
好ましい。

【００３２】しかして、原料となるエステル誘導体（Ｉ
Ｉ−ａ）およびエステル誘導体（ＩＩ−ｂ）の環構造を
構成する化合物としては、アンドロスタン骨格、エスト
ラン骨格、セコアンドロスタン骨格などのステロイド骨
格を有する化合物、ステロイド骨格のＡ環部分が欠如し
たノルステロイド化合物、およびステロイド骨格のＤ環
部分が６員環構造をしているホモステロイド化合物、ス
テロイド骨格のＡＢ環部分が欠如したヒドロインデン骨
格を有する化合物など、少なくともステロイド骨格のＣ
Ｄ環部分の骨格を有する化合物が挙げられる。これらの
化合物は反応に関与しない二重結合をどの位置に有して
いてもよく、また、反応に関与しない置換基であれば如
何なる基を有していてもよい。かかる置換基としては、
例えば、水酸基、ハロゲン原子、保護された水酸基、置
換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有してい
てもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアリ
ール基などを挙げることができる。

【００３３】エステル誘導体（ＩＩ−ａ）およびエステ
ル誘導体（ＩＩ−ｂ）における式

【化１２】

【００３４】（式中、Ｒ↑10、Ｒ↑11、Ｒ↑31、Ｒ↑3
2、Ｒ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑6
2、Ｒ↑71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91、Ｒ↑92
およびｍは前記定義のとおりである。）で示される基と
して好適なものには、次のものが挙げられる。

【００３５】（１）下記一般式（ＩＩ−１）で示される
基。

【００３６】

【化１３】

【００３７】（式中、Ｒ↑63、Ｒ↑64、Ｒ↑73およびＲ
↑74のうちのひとつは、保護されていてもよい水酸基ま
たは式（ａ）

【００３８】

【化１４】

【００３９】（式中、Ｙ↑1、Ｙ↑2およびＹ↑3は、前
記定義のとおりである。）で示される基を表し、かつ残
りは水素原子であるか、または隣接炭素原子上にある残
りの２個の置換基は一緒になって炭素−炭素結合を形成
し；あるいはＲ↑63およびＲ↑64は一緒になって保護さ
れていてもよいオキソ基もしくは式（ｂ）、式（ｃ）、
式（ｄ）または式（ｅ）

【００４０】

【化１５】

【００４１】（式中、Ｙ↑1、Ｙ↑2、Ｙ↑3およびＹ↑4
は、前記定義のとおりである。）で示される基を表し、
かつＲ↑73およびＲ↑74はこれらが結合している炭素原
子と一緒になってステロイドのＡＢ環部分を構成し；Ｒ
↑10およびｍは前記定義のとおりである。）

【００４２】（２）下記一般式（ＩＩ−２）で示される
基。

【００４３】

【化１６】

【００４４】（式中、Ｒ↑65およびＲ↑66の一方は、保
護されていてもよい水酸基であり、かつ他方は水素原子
であり、あるいは、Ｒ↑65およびＲ↑66は一緒になって
保護されていてもよいオキソ基または上記式（ｃ）、
（ｄ）または（ｅ）で示される基を表し、Ｒ↑10は前記
定義のとおりである。）

【００４５】（３）下記一般式（ＩＩ−３）で示される
基。

【００４６】

【化１７】

【００４７】（式中、Ｙ↑5およびＹ↑7はそれぞれ水素
原子または保護されていてもよい水酸基を表し、Ｙ↑6
は水素原子、弗素原子または保護されていてもよい水酸
基で置換されていてもよい低級アルコキシ基を表し、線

【００４８】

【化１８】

【００４９】は単結合または二重結合を表し、Ｒ↑10は
前記定義のとおりである。）

【００５０】エステル誘導体（ＩＩ−ａ）およびエステ
ル誘導体（ＩＩ−ｂ）として好ましい化合物としては、
３−ヒドロキシコレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−２０−
イルエステルまたはその水酸基保護体、３−ヒドロキシ
コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−２０−イルエステルま
たはその水酸基保護体、１，３−ジヒドロキシコレスタ
−５，７，２２Ｅ−トリエン−２０−イルエステルまた
はその水酸基保護体、１，３−ジヒドロキシコレスタ−
５，７，２２Ｚ−トリエン−２０−イルエステルまたは
その水酸基保護体、１，３，２５−トリヒドロキシコレ
スタ−５，７，２２Ｚ−トリエン−２０−イルエステル
またはその水酸基保護体、１，３，２５−トリヒドロキ
シコレスタ−５，７，２２Ｅ−トリエン−２０−イルエ
ステルまたはその水酸基保護体、１，３，２５−トリヒ
ドロキシエルゴスタ−５，７，２２Ｚ−トリエン−２０
−イルエステルまたはその水酸基保護体、２４−エピ−
１，３，２５−トリヒドロキシエルゴスタ−５，７，２
２Ｚ−トリエン−２０−イルエステルまたはその水酸基
保護体、１，３，２５−トリヒドロキシ−２４，２６，
２７−トリホモコレスタ−５，７，２２Ｅ−トリエン−
２０−イルエステルまたはその水酸基保護体、１，３，
２５−トリヒドロキシ−２４，２６，２７−トリホモ−
９，１０−セココレスタ−５，７，１０（１９），２２
Ｅ−テトラエン−２０−イルエステルまたはその水酸基
保護体、２４−エピ−１，３，２５−トリヒドロキシ−
９，１０−セコエルゴスタ−５，７，１０（１９），２
２Ｚ−テトラエン−２０−イルエステルまたはその水酸
基保護体、１，３，２５−トリヒドロキシ−２４，２
６，２７−トリホモ−９，１０−セココレスタ−５（１
０），６，８，２２Ｅ−テトラエン−２０−イルエステ
ルまたはその水酸基保護体、１，３，２５−トリヒドロ
キシ−２６−ノル−２６−メトキシカルボニルコレスタ
−５，７，２２Ｚ−トリエン−２０−イルエステルまた
はその水酸基保護体、 １，３，２４−トリヒドロキシ
コレスタ−５，７，２２Ｚ−トリエン−２０−イルエス
テルまたはその水酸基保護体、２−ヒドロキシプロポキ
シ−１，３，２５−トリヒドロキシコレスタ−５，７，
２２Ｚ−トリエン−２０−イルエステルまたはその水酸
基保護体、１，３，２５，２６−テトラヒドロキシコレ
スタ−５，７，２２Ｚ−トリエン−２０−イルエステル
またはその水酸基保護体、１，３，７，８，２５−ペン
タヒドロキシ−２４，２６，２７−トリホモ−９，１０
−セココレスタ−５，１０（１９），２２Ｅ−トリエン
−２０−イルエステルまたはその水酸基保護体、２−
（４−ヒドロキシ−７ａ−メチル−２，３，３ａ，４，
５，６，７，７ａ−オクタヒドロインデン−１−イル）
−７−エチル−７−ヒドロキシ−３−ノネン−２−イル
エステルまたはその水酸基保護体、２−（４−ヒドロキ
シ−７ａ−メチル−２，３，３ａ，４，５，６，７，７
ａ−オクタヒドロインデン−１−イル）−５，６−ジメ
チル−３−ヘプテン−２−イルエステルまたはその水酸
基保護体、３−ヒドロキシ−９，１０−セコエルゴスタ
−５，７，１０（１９），２２Ｅ−テトラエン−２０−
イルエステルまたはその水酸基保護体、２−（４−（２
−（３−ヒドロキシ−２−メチレンビシクロ［３．１．
０］ヘキサン−１−イル）−２−メトキシエチリデン）
−２，３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロ
−７ａ−メチルインデン−１−イル）−５，６−ジメチ
ル−３−ヘプテン−２−イルエステルまたはその水酸基
保護体などを挙げることができる。

【００５１】エステル誘導体（ＩＩ−ａ）およびエステ
ル誘導体（ＩＩ−ｂ）は、例えば、４−フェニル−１，
２，４−トリアゾリン−３，５−ジオン、１，４−ジヒ
ドロフタラジン−１，４−ジオン、二酸化イオウなどと
のディールス・アルダー付加物を形成していてもよい。

【００５２】本発明において使用する触媒はパラジウム
塩および第三級ホスフィンからなる。該パラジウム塩と
しては、例えば、パラジウムアセチルアセトナート、酢
酸パラジウム、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、ビス
（アセトニトリル）パラジウムクロライド、トリス（ジ
ベンジリデンアセトン）ジパラジウム・クロロホルムな
どが挙げられるが、酢酸パラジウムおよびパラジウムア
セチルアセトナートが特に好ましい。

【００５３】また、該第三級ホスフィンとしては、例え
ば、トリアルキルホスフィンまたはトリアリールホスフ
ィンが挙げられる。トリアルキルホスフィンのアルキル
部分の炭素数には特に制限はないが、一般に２〜８の範
囲内のものが入手容易で好適である。該アルキル部分は
直鎖状または分岐鎖状であってもよく、該トリアルキル
ホスフィンとしては、例えば、トリブチルホスフィン、
トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン、ト
リシクロヘキシルホスフィンなどが挙げられる。トリア
リールホスフィンとしてはトリフェニルホスフィンが挙
げられる。かかる第三級ホスフィンとしては、トリブチ
ルホスフィンが特に好ましい。

【００５４】第三級ホスフィンのパラジウム塩に対する
使用割合は、厳密に制限されるものではなく、用いる出
発原料等に応じて変えることができるが、一般には、第
三級ホスフィンはパラジウム塩中のパラジウム１グラム
原子に対して０．５〜１０モルの範囲内で使用すること
ができる。特に、パラジウム１グラム原子に対して０．
５〜５モルの範囲内で使用すると低温で反応させること
が可能となり好ましい。殊に第三級ホスフィンはパラジ
ウム１グラム原子に対して１〜２モルの割合で使用する
ことが好ましい。

【００５５】また、パラジウム塩は、パラジウム原子基
準で、原料であるエステル誘導体（ＩＩ−ａ）またはエ
ステル誘導体（ＩＩ−ｂ）１モルに対して０．０００１
〜１グラム原子、好ましくは０．００１〜０．３グラム
原子、さらに好ましくは０．０１〜０．１グラム原子の
範囲で使用することができる。

【００５６】本発明においては、上記の触媒の存在下
に、原料であるエステル誘導体（ＩＩ−ａ）またはエス
テル誘導体（ＩＩ−ｂ）にギ酸またはその塩を作用させ
る。ギ酸の塩としては、ギ酸および塩基より構成される
塩で有機溶媒に可溶なものが望ましく、例えば、ギ酸ア
ンモニウム、ギ酸トリエチルアンモニウム、ギ酸ジイソ
プロピルエチルアンモニウムなどのギ酸のアンモニウム
塩などが挙げられる。ギ酸またはその塩の使用量は、特
に制限されるものではなく、原料であるエステル誘導体
（ＩＩ−ａ）またはエステル誘導体（ＩＩ−ｂ）１モル
に対して１〜１０モルの範囲が好ましく、１〜５モルの
範囲がより好ましい。ギ酸またはその塩を使用して反応
を行う場合には、必要に応じて塩基の共存下に反応を行
うことができ、該塩基としては、例えば、トリエチルア
ミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジンなどが使
用される。かかる塩基の使用量は、ギ酸またはその塩１
モルに対して０．０１〜１０モルの範囲が好ましく、
０．５〜２モルの範囲がより好ましい。

【００５７】反応は、上記の触媒を用いることにより、
比較的低い温度で実施することができる。反応は、通常
−１０℃〜４０℃の範囲の温度で行うのが好ましく、０
℃〜３０℃の範囲の温度で行うのがより好ましい。ただ
し、場合により、使用した反応溶媒の沸点に加熱しなが
ら反応を行うことも可能である。

【００５８】反応は有機溶媒の存在下または不存在下に
行うことができる。該有機溶媒としては、例えば、ヘキ
サン、ベンゼンなどの炭化水素、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル、アセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、クロロホルムなどが使用可能であるが、テトラヒド
ロフラン、ジオキサン、ベンゼンなどを使用するのが好
ましい。

【００５９】原料となるエステル誘導体（ＩＩ−ａ）は
対応するアリルアルコール（以下、これをアリルアルコ
ール（ＩＩＩ）と略称する）をエステル化することによ
り合成できる。このエステル化は一般的なエステル化反
応により行うことができる。例えば、アリルアルコール
（ＩＩＩ）のアルカリ金属塩、またはピリジンなどの塩
基の存在下でアリルアルコール（ＩＩＩ）にクロロギ酸
エステルを作用させることによりエステル誘導体（ＩＩ
−ａ）を得ることができる〔ヘルベチカ・キミカ・アク
タ（Helv. Chim. Acta)、第37巻、45頁 (1954)参照〕。
アリルアルコール（ＩＩＩ）は、対応するカルボニル化
合物にＥ−配置を有する１−アルケニルリチウムなどの
アルケニル金属を反応させることにより得ることができ
る。また、アリルアルコール（ＩＩＩ）は、対応するカ
ルボニル化合物に１−アルキニルリチウム、１−アルキ
ニルマグネシウムなどのアルキニル金属を反応させてア
セチレンアルコールとしたのち、水素化リチウムアルミ
ニウムで還元することにより得ることもできる。

【００６０】原料となるエステル誘導体（ＩＩ−ｂ）
も、上記と同様の方法により、対応するアリルアルコー
ル（以下、これをアリルアルコール（ＩＶ）と略称す
る）から合成することができる。アリルアルコール（Ｉ
Ｖ）は、対応するカルボニル化合物にＺ−配置を有する
１−アルケニルリチウムなどのアルケニル金属を反応さ
せることにより得られる。また、アリルアルコール（Ｉ
Ｖ）は、対応するカルボニル化合物に１−アルキニルリ
チウム、１−アルキニルマグネシウムなどのアルキニル
金属を反応させてアセチレンアルコールとしたのち、リ
ンドラー触媒、ジイミドなどを用いて還元することによ
り得ることもできる。

【００６１】このようにして得られるオレフィン（Ｉ−
ａ）またはオレフィン（Ｉ−ｂ）の反応混合物からの単
離・精製は、一般に有機化合物を反応混合物から単離・
精製するに際して用いられている方法と同様の方法によ
り行われる。例えば、反応混合物を氷水にあけ、ヘキサ
ン、ジエチルエーテル、酢酸エチルなどの有機溶媒で抽
出し、抽出液を冷希塩酸、重曹水、食塩水などで順次洗
浄し、乾燥後、濃縮して粗生成物を得、該粗生成物を必
要に応じて再結晶、クロマトグラフィーなどにより精製
し、オレフィン（Ｉ−ａ）またはオレフィン（Ｉ−ｂ）
を得ることができる。

【００６２】反応は立体特異的に進行する。すなわち、
エステル誘導体（ＩＩ−ａ）を出発原料として用いた場
合には、２０位の立体配置が天然型と逆の配置であるス
テロイド化合物の側鎖と同じ立体配置を有する光学活性
なオレフィン（Ｉ−ａ）が得られる。一方、エステル誘
導体（ＩＩ−ｂ）を出発原料として用いた場合には、２
０位の立体配置が天然型と同じ配置であるステロイド化
合物の側鎖と同じ立体配置を有する光学活性なオレフィ
ン（Ｉ−ｂ）が得られる。

【００６３】このようにして得られたオレフィン（Ｉ−
ａ）またはオレフィン（Ｉ−ｂ）は、それ自体生理活性
を有しており、医薬として、あるいは生理活性物質、殊
にステロイドの合成中間体として有用である。例えば、
本発明により得られる（２２Ｅ）−１，３，２５−トリ
ス（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレスタ−５，
７，２２−トリエンおよび（２２Ｅ）−１，３−ビス
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２５−メトキシ
メトキシコレスタ−５，７，２２−トリエンは、それぞ
れビタミンＤ誘導体の合成における常法にしたがって、
光異性化、熱異性化、脱保護を行うことにより、強力な
ビタミンＤ作用を有する２２，２３−デヒドロ−１，２
５−ジヒドロキシビタミンＤ↓３に変換することができ
る。

【００６４】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例により限定されるも
のではない。

【００６５】参考例１ アルゴン雰囲気下、（Ｚ）−５−ヨード−４−ペンテン
−１−イル ｔ−ブチルジメチルシリルエーテル６０６
ｍｇをジエチルエーテル５ｍｌに溶解して得られた溶液
に、−７８℃でｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液
（１．５Ｍ）２．３５ｍｌを９分間かけて滴下した。反
応液を同温度で２時間撹拌したのち、該反応液に３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）プレグナ−５−エ
ン−２０−オン６４０ｍｇをテトラヒドロフラン１０ｍ
ｌに溶解して得られた溶液を５分間かけて滴下した。反
応液を１時間かけて室温まで昇温したのち、該反応液に
水を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗し、無
水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃縮し
た。得られた残渣をエタノール８ｍｌおよびテトラヒド
ロフラン３ｍｌの混合溶液に溶解し、得られた溶液に水
素化ホウ素ナトリウム７５ｍｇを加え、室温で１．５時
間撹拌し、未反応の３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオ
キシ）プレグナ−５−エン−２０−オンを還元した。反
応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃
縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ−で精
製することにより、（２２Ｚ）−３，２６−ジ（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−
５，２２−ジエン−２０−オールを７０６．５ｍｇ得た
（収率７５％）。

【００６６】参考例２ 参考例１で得られた（２２Ｚ）−３，２６−ジ（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−
５，２２−ジエン−２０−オール７０６．５ｍｇをテト
ラヒドロフラン７ｍｌに溶解し、得られた溶液に−７８
℃でｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液（１．５Ｍ）
０．９ｍｌを滴下した。反応液を同温度で３０分間撹拌
したのち、該反応液にクロロギ酸メチル０．１３ｍｌを
滴下し、室温で１５時間撹拌した。反応液に重曹水を加
え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を重曹水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃縮す
ることにより、（２０Ｓ，２２Ｚ）−３，２６−ジ（ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ
−５，２２−ジエン−２０−イル メチルカーボネート
を白色結晶として７８２．６ｍｇ得た。

【００６７】実施例１ アルゴン雰囲気下、ベンゼン２ｍｌ中でパラジウムアセ
チルアセトナート３０．４ｍｇとトリブチルホスフィン
０．０２５ｍｌとを混合することによりパラジウム触媒
の黄色溶液を調製した。次いで、触媒溶液にギ酸トリエ
チルアンモニウムのベンゼン溶液（１．０Ｍ）２．５ｍ
ｌを加えたのち、参考例２で得られた（２０Ｓ，２２
Ｚ）−３，２６−ジ（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）−２７−ノルコレスタ−５，２２−ジエン−２０−
イル メチルカーボネート３４４ｍｇをベンゼン２ｍｌ
に溶解して得られた溶液を加え、室温で４５分間撹拌し
た。反応液をヘキサンで希釈したのち、水洗し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥後、フロリジルを通して濾過し
た。濾液を減圧下に濃縮することにより、下記の物性を
有する（２０Ｒ，２２Ｅ）−３，２６−ジ（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−５，２
２−ジエンを白色結晶として２４０．７ｍｇ得た。 ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ↓3） δ ０．０４（６Ｈ，ｓ），０．０５（６Ｈ，ｓ），０．６
８（３Ｈ，ｓ），０．８９（１８Ｈ，ｓ），１．００
（１８Ｈ，ｓ），１．００（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．５Ｈ
ｚ），０．８８−２．３１（２５Ｈ，ｍ），３．４７
（１Ｈ，ｔ，ｔ，Ｊ＝５．０Ｈｚ），３．５９（２Ｈ，
ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），５．２４−５．３４（３Ｈ，
ｍ）

【００６８】実施例２ 実施例１において、ギ酸トリエチルアンモニウムのベン
ゼン溶液（１．０Ｍ）２．５ｍｌに代えてギ酸トリエチ
ルアンモニウムのベンゼン溶液（１．０Ｍ）１．０ｍｌ
を用いた以外は同様に反応および分離精製を行うことに
より、（２０Ｒ，２２Ｅ）−３，２６−ジ（ｔ−ブチル
ジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−５，２
２−ジエンを２９４．２ｍｇ得た。（２０Ｒ，２２Ｅ）
−３，２６−ジ（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−
２７−ノルコレスタ−５，２２−ジエン２９４．２ｍｇ
をテトラヒドロフラン５ｍｌに溶解し、得られた溶液に
テトラブチルアンモニウムフルオリドのテトラヒドロフ
ラン溶液（１Ｍ）２．４０ｍｌを加え、室温で１５時間
撹拌した。得られた反応液を塩化メチレンで希釈し、水
洗した。水層を塩化メチレンおよびクロロホルムで抽出
し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を
留去し、得られた残渣を加温したヘキサンで洗浄し、得
られた固体をクロロホルムから再結晶することにより、
下記の物性を有する（２０Ｒ，２２Ｅ）−２７−ノルコ
レスタ−５，２２−ジエン−３，２６−ジオールを白色
結晶として１２６．６ｍｇ得た。再結晶母液を濃縮し、
クロロホルムから再結晶することにより、（２０Ｒ，２
２Ｅ）−２７−ノルコレスタ−５，２２−ジエン−３，
２６−ジオールを白色結晶として１８．９ｍｇ得た。 ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ↓3） δ ０．６４（３Ｈ，ｓ），０．８８（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．
６Ｈｚ），０．９８（３Ｈ，ｓ），０．８９−２．３０
（２７Ｈ，ｍ），３．５０（１Ｈ，ｍ），３．６４（２
Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），５．２９−５．３４（３
Ｈ，ｍ）

【００６９】参考例３ 参考例１において、（Ｚ）−５−ヨード−４−ペンテン
−１−イル ｔ−ブチルジメチルシリルエーテルに代え
て（Ｅ）−５−ヨード−４−ペンテン−１−イル ｔ−
ブチルジメチルシリルエーテルを用いた以外は同様に反
応および分離精製を行うことにより、（２２Ｅ）−３，
２６−ジ（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２７−
ノルコレスタ−５，２２−ジエン−２０−オールを９３
９ｍｇ得た。

【００７０】参考例４ 参考例３で得られた（２２Ｅ）−３，２６−ジ（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−
５，２２−ジエン−２０−オール９３９ｍｇをテトラヒ
ドロフラン８ｍｌに溶解し、得られた溶液に−８３℃で
ｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液（１．５Ｍ）１．２
ｍｌを５分間かけて滴下した。反応液を同温度で３０分
間撹拌したのち、該反応液にクロロギ酸メチル０．１７
ｍｌを滴下し、室温で一夜撹拌した。反応液に重曹水を
加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を重曹水で洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃
縮することにより、（２０Ｓ，２２Ｅ）−３，２６−ジ
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレ
スタ−５，２２−ジエン−２０−イル メチルカ−ボネ
−トを得た。

【００７１】実施例３ アルゴン雰囲気下、ベンゼン２ｍｌ中でパラジウムアセ
チルアセトナート３０．４ｍｇとトリブチルホスフィン
０．０２５ｍｌとを混合することによりパラジウム触媒
の黄色溶液を調製した。次いで、触媒溶液にギ酸トリエ
チルアンモニウムのベンゼン溶液（１．０Ｍ）５ｍｌを
加えたのち、参考例４で得られた（２０Ｓ，２２Ｅ）−
３，２６−ジ（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２
７−ノルコレスタ−５，２２−ジエン−２０−イル メ
チルカーボネート６８８ｍｇをベンゼン９ｍｌに溶解し
て得られた溶液を加え、室温で３時間撹拌した。得られ
た反応液をヘキサンで希釈したのち、水洗し、無水硫酸
マグネシウムで乾燥後、フロリジルを通して濾過した。
濾液を減圧下に濃縮することにより、下記の物性を有す
る（２０Ｓ，２２Ｅ）−３，２６−ジ（ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−５，２２−
ジエンを白色結晶として５６８．７ｍｇ得た。 ＮＭＲスペクトル（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ↓3） δ ０．０５（１２Ｈ，ｓ），０．６４（３Ｈ，ｓ），０．
８８−０．９０（２１Ｈ，ｓ×３），０．９８（３Ｈ，
ｓ），０．８９−２．２６（２５Ｈ，ｍ），３．４７
（１Ｈ，ｍ），３．６０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈ
ｚ），５．２２−５．３０（３Ｈ，ｍ）

【００７２】参考例５ 窒素雰囲気下、５−エチル−５−メトキシメトキシ−１
−ヘプチン１２０ｍｇをテトラヒドロフラン４ｍｌに溶
解して得られた溶液に、−７８℃でｎ−ブチルリチウム
のヘキサン溶液（１．６Ｍ）０．３２ｍｌを滴下した。
反応液を同温度で３０分間撹拌したのち、該反応液に４
−ベンゾイルオキシ−７ａ−メチル−２，３，３ａ，
４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロインデン−１−イ
ル−１−エタノン１１２ｍｇをテトラヒドロフラン３ｍ
ｌに溶解して得られた溶液を滴下した。反応液を０℃ま
で昇温したのち、該反応液に塩化アンモニウム水溶液を
加え、ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減
圧下に濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィ−で精製することにより、下記の物性を有する２−
（４−ベンゾイルオキシ−７ａ−メチル−２，３，３
ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロインデン−１
−イル）−７−エチル−７−メトキシメトキシ−３−ノ
ニン−２−オールを９７ｍｇ得た。 ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ↓3） δ ０．８３（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．３３（３
Ｈ，ｓ），１．４７（３Ｈ，ｓ），３．３７（３Ｈ，
ｓ），４．６５（２Ｈ，ｓ），５．４３（１Ｈ，ｓ），
７．４３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），７．５５（１Ｈ，
ｑ，Ｊ＝７Ｈｚ），８．０８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ）

【００７３】参考例６ 水素化リチウムアルミニウム１２０ｍｇをテトラヒドロ
フラン３ｍｌに懸濁して得られた懸濁液に、参考例５で
得られた２−（４−ベンゾイルオキシ−７ａ−メチル−
２，３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロイ
ンデン−１−イル）−７−エチル−７−メトキシメトキ
シ−３−ノニン−２−オール９７ｍｇをテトラヒドロフ
ラン２ｍｌに溶解して得られた溶液を室温にて滴下し、
滴下終了後３０分間加熱還流した。反応液を冷却し、反
応液にジエチルエーテルを加えて希釈したのち、該反応
液を塩化アンモニウムおよび水酸化ナトリウム水溶液に
あけ、ジエチルエーテルで抽出した。抽出液を飽和食塩
水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減
圧下に濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフ
ィ−で精製することにより、下記の物性を有する２−
（４−ヒドロキシ−７ａ−メチル−２，３，３ａ，４，
５，６，７，７ａ−オクタヒドロインデン−１−イル）
−７−エチル−７−メトキシメトキシ−３Ｅ−ノネン−
２−オールを４０ｍｇ得た。 ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ↓3） δ ０．８４（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），１．１０（３
Ｈ，ｓ），１．３２（３Ｈ，ｓ），３．４０（３Ｈ，
ｓ），４．０９（１Ｈ，ｂｒ．ｓ），４．６６（２Ｈ，
ｓ），５．４６−５．６４（２Ｈ，ｍ）

【００７４】参考例７ 参考例６で得られた２−（４−ヒドロキシ−７ａ−メチ
ル−２，３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒド
ロインデン−１−イル）−７−エチル−７−メトキシメ
トキシ−３Ｅ−ノネン−２−オール２０ｍｇをテトラヒ
ドロフラン４ｍｌに溶解し、得られた溶液に−７８℃で
ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６Ｍ）０．０
８ｍｌを滴下した。反応液を同温度で１０分間撹拌した
のち、該反応液にクロロギ酸メチル０．０１３ｍｌを滴
下し、室温で１５時間撹拌した。反応液に重曹水を加
え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を重曹水で洗浄し、
無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃縮す
ることにより、（２Ｓ）−２−（４−メトキシカルボニ
ルオキシ−７ａ−メチル−２，３，３ａ，４，５，６，
７，７ａ−オクタヒドロインデン−１−イル）−７−エ
チル−７−メトキシメトキシ−３Ｅ−ノネン−２−イル
メチルカーボネートを２６ｍｇ得た。

【００７５】実施例４ アルゴン雰囲気下、ベンゼン２ｍｌ中でパラジウムアセ
チルアセトナート３０．４ｍｇとトリブチルホスフィン
０．０２５ｍｌとを混合することによりパラジウム触媒
の黄色溶液を調製した。次いで触媒溶液にギ酸トリエチ
ルアンモニウムのベンゼン溶液（１．０Ｍ）５ｍｌを加
え、得られた溶液のうち２ｍｌを採取した。該溶液に、
参考例７で得られた（２Ｓ）−２−（４−メトキシカル
ボニルオキシ−７ａ−メチル−２，３，３ａ，４，５，
６，７，７ａ−オクタヒドロインデン−１−イル）−７
−エチル−７−メトキシメトキシ−３Ｅ−ノネン−２−
イル メチルカーボネート２６ｍｇをベンゼン２ｍｌに
溶解して得られた溶液を加え、室温で１時間撹拌した。
反応液をヘキサンで希釈したのち、水洗し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後、フロリジルを通して濾過した。濾
液を減圧下に濃縮することにより、下記の物性を有する
（２Ｓ）−２−（４−メトキシカルボニルオキシ−７ａ
−メチル−２，３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−オク
タヒドロインデン−１−イル）−７−エチル−７−メト
キシメトキシ−３Ｅ−ノネンを２０ｍｇ得た。 ＮＭＲスペクトル（２７０ＭＨｚ，ＣＤＣｌ↓3） δ ０．８３（６Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），０．８９（３Ｈ，
ｄ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．２６（３Ｈ，ｓ），３．４０
（３Ｈ，ｓ），３．７６（３Ｈ，ｓ），４．６６（２
Ｈ，ｓ），５．０（１Ｈ，ｂｒ．ｓ），５．１６−５．
３９（２Ｈ，ｍ）

【００７６】参考例８ 窒素雰囲気下、トランス−１−ヨード−４−（１−エト
キシエトキシ）−４−メチル−１−ペンテン７３３．９
ｍｇをジエチルエ−テル７ｍｌに溶解し、得られた溶液
に−８０℃でｔ−ブチルリチウムのペンタン溶液（１．
６Ｍ）２．９ｍｌを滴下した。反応液を同温度で２時間
撹拌したのち、該反応液に３−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）プレグナ−５−エン−２０−オン４３０ｍ
ｇをテトラヒドロフラン９ｍｌに溶解して得られた溶液
を滴下し、２０分間撹拌した。反応液を室温まで昇温し
たのち、該反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。
抽出液を飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾
燥したのち、減圧下に濃縮し、残渣をシリカゲルカラム
クロマトグラフィ−で精製することにより、２５−（１
−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−２０−オ−
ルを２９１ｍｇ得た。

【００７７】参考例９ 窒素雰囲気下、参考例８で得られた２５−（１−エトキ
シエトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−２０−オール２９
１．７ｍｇをテトラヒドロフラン５ｍｌに溶解し、得ら
れた溶液に−８０℃でｔ−ブチルリチウムのペンタン溶
液（１．６Ｍ）０．３８ｍｌを滴下した。反応液を同温
度で３０分間撹拌したのち、該反応液にクロロギ酸メチ
ル０．０６ｍｌを加え、１４時間撹拌した。反応液を室
温まで昇温したのち、該反応液に重曹水を加え、酢酸エ
チルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、減圧下に濃縮することにより、（２０Ｓ）−２５−
（１−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−２０−
イル メチルカーボネートを３２０ｍｇ得た。

【００７８】実施例５ アルゴン雰囲気下、ベンゼン１ｍｌ中でパラジウムアセ
チルアセトナート２９．２ｍｇとトリブチルホスフィン
０．０２４ｍｌとを混合することによりパラジウム触媒
の黄色溶液を調製した。次いで、触媒溶液にギ酸２．４
ｍｍｏｌおよびトリエチルアミン２．４ｍｍｏｌの混合
物を加えたのち、参考例９で得られた（２０Ｓ）−２５
−（１−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−２０
−イル メチルカーボネート３１４ｍｇをベンゼン２ｍ
ｌに溶解して得られた溶液を加え、室温で４５分間撹拌
した。反応液をヘキサン４０ｍｌで希釈したのち、水洗
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮する
ことにより、（２０Ｓ）−２５−（１−エトキシエトキ
シ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレス
タ−５，２２Ｅ−ジエンを２１０ｍｇ得た（収率７５
％）。得られた（２０Ｓ）−２５−（１−エトキシエト
キシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレ
スタ−５，２２Ｅ−ジエンをメタノ−ル２０ｍｌに溶解
し、得られた溶液にピリジニウムｐ−トルエンスルホナ
ート３ｍｇを加え、室温で３時間撹拌した。該反応液に
重曹水を加え、酢酸エチルで抽出した。抽出液を無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に濃縮することによ
り、下記の物性を有する（２０Ｓ）−コレスタ−５，２
２Ｅ−ジエン−３，２５−ジオールを得た。 融点 ２０５−２０５．５℃ ↑1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ↓3） δ ０．６６（ｓ，３Ｈ），０．９２（ｄ，Ｊ＝６．６０Ｈ
ｚ，３Ｈ），０．９９（ｓ，３Ｈ），１．２０１（ｓ，
３Ｈ），１．２０４（ｓ，３Ｈ），３．４６−３．５５
（ｍ，１Ｈ），５．３１−５．４６（ｍ，３Ｈ） ↑13Ｃ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ↓3） δ １２．１，１９．４，２０．８，２１．７，２４．１，
２７．９，３１．７，３１．８，３１．９，３６．５，
３７．２，３９．２，４０．４，４２．３，４２．４，
４７．０，５０．２，５６．１，５６．６，７０．７，
７１．８，１２１．６，１２２．５，１４０．８，１４
１．９

【００７９】参考例１０ 参考例８において、トランス−１−ヨード−４−（１−
エトキシエトキシ）−４−メチル−１−ペンテンに代え
てシス−１−ヨード−４−（１−エトキシエトキシ）−
４−メチル−１−ペンテンを用いた以外は同様に反応お
よび分離精製を行うことにより、２５−（１−エトキシ
エトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−２０−オールを４６８
ｍｇ得た。

【００８０】参考例１１ 参考例９において、２５−（１−エトキシエトキシ）−
３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレスタ−
５，２２Ｅ−ジエン−２０−オール２９１．７ｍｇに代
えて２５−（１−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｚ−ジエ
ン−２０−オール６３４ｍｇを用いた以外は同様に反応
および分離精製を行うことにより、（２０Ｓ）−２５−
（１−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチル
シリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−２０−
イル メチルカーボネートを６９５ｍｇ得た。

【００８１】実施例６ アルゴン雰囲気下、ベンゼン４．５ｍｌ中でパラジウム
アセチルアセトナート６４ｍｇとトリブチルホスフィン
０．０５２ｍｌとを混合することによりパラジウム触媒
の黄色溶液を調製した。次いで、触媒溶液にギ酸２．１
ｍｍｏｌおよびトリエチルアミン２．１ｍｍｏｌの混合
物を加えたのち、参考例１１で得られた（２０Ｓ）−２
５−（１−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメ
チルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−２
０−イル メチルカーボネート６９５ｍｇをベンゼン２
ｍｌに溶解して得られた溶液を加え、室温で１．５時間
撹拌した。反応液をヘキサン４０ｍｌで希釈したのち、
水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に濃縮
することにより、（２０Ｒ）−２５−（１−エトキシエ
トキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コ
レスタ−５，２２Ｅ−ジエンを得た。得られた（２０
Ｒ）−２５−（１−エトキシエトキシ）−３−（ｔ−ブ
チルジメチルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジ
エンをメタノ−ル２０ｍｌに溶解し、得られた溶液にピ
リジニウムｐ−トルエンスルホナート３ｍｇを加え、室
温で３時間撹拌した。該反応液に重曹水を加え、酢酸エ
チルで抽出した。抽出液を無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、減圧下に濃縮することにより、下記の物性を有する
（２０Ｒ）−コレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−３，２５
−ジオールを３７６ｍｇ得た。 融点 １８０−１８０．５℃ ↑1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ↓3） δ ０．７０（ｓ，３Ｈ），１．００（ｓ，３Ｈ），１．０
３（ｄ，Ｊ＝６．５９Ｈｚ，３Ｈ），１．１９（ｓ，３
Ｈ），３．４６−３．５７（ｍ，１Ｈ），５．３１−
５．４３（ｍ，３Ｈ） ↑13Ｃ−ＮＭＲスペクトル（ＣＤＣｌ↓3） δ １２．１，１９．４，２０．７，２１．１，２４．３，
２８．８，２９．０，３１．６，３１．９，３６．５，
３７．２，３９．７，４０．３，４２．３，４６．８，
５０．１，５５．６，５６．８，７０．５，７１．８，
１２１．６，１２２．５，１４０．７，１４１．９

【００８２】参考例１２ 参考例８において、トランス−１−ヨード−４−（１−
エトキシエトキシ）−４−メチル−１−ペンテンに代え
てシス−１−ヨード−４−（１−メトキシメトキシ）−
４−メチル−１−ペンテンを用いた以外は同様に反応お
よび分離精製を行うことにより、２５−（１−メトキシ
メトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）
コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−２０−オールを３０４
ｍｇ得た。

【００８３】参考例１３ 参考例９において、２５−（１−エトキシエトキシ）−
３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレスタ−
５，２２Ｅ−ジエン−２０−オールに代えて２５−（１
−メトキシメトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリ
ルオキシ）コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−２０−オー
ルを用いた以外は同様に反応および分離精製を行うこと
により、（２０Ｓ）−２５−（１−メトキシメトキシ）
−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレスタ−
５，２２Ｚ−ジエン−２０−イルメチルカーボネートを
３５９．４ｍｇ得た。

【００８４】実施例７ アルゴン雰囲気下、ベンゼン３ｍｌ中でパラジウムアセ
チルアセトナート３８．１ｍｇとトリブチルホスフィン
０．０３ｍｌとを混合することによりパラジウム触媒の
黄色溶液を調製した。次いで、触媒溶液にギ酸１．２５
ｍｍｏｌおよびトリエチルアミン１．２５ｍｍｏｌの混
合物を加えたのち、参考例１３で得られた（２０Ｓ）−
２５−（１−メトキシメトキシ）−３−（ｔ−ブチルジ
メチルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｚ−ジエン−
２０−イル メチルカーボネート３５９ｍｇをベンゼン
２ｍｌに溶解して得られた溶液を加え、室温で２．５時
間撹拌した。反応液をヘキサン４０ｍｌで希釈したの
ち、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下に
濃縮することにより、（２０Ｒ）−２５−（１−メトキ
シメトキシ）−３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキ
シ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエンを得た。得られた
（２０Ｒ）−２５−（１−メトキシメトキシ）−３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）コレスタ−５，２
２Ｅ−ジエンを酢酸３ｍｌに溶解し、得られた溶液に２
Ｎ硫酸０．２ｍｌを加え、室温で３時間撹拌した。反応
液を水にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を水洗し
たのち、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下に濃縮
することにより、（２０Ｒ）−３−（ｔ−ブチルジメチ
ルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエン−２５
−オ−ルを得た。得られた（２０Ｒ）−３−（ｔ−ブチ
ルジメチルシリルオキシ）コレスタ−５，２２Ｅ−ジエ
ン−２５−オ−ルをテトラヒドロフラン１０ｍｌに溶解
し、得られた溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリ
ドのテトラヒドロフラン溶液（１Ｍ）１．５ｍｌを加
え、室温で２時間撹拌した。反応液を塩化メチレンで希
釈し、水洗し、無水硫酸マグネシウムで乾燥したのち、
減圧下に濃縮することにより、（２０Ｒ）−コレスタ−
５，２２Ｅ−ジエン−３，２５−ジオールを２５０ｍｇ
得た。

【００８５】参考例１４ （Ｅ）−３，４−ジメチル−１−ヨード−１−ペンテン
４１６ｍｇをジエチルエーテル５ｍｌに溶解して得られ
た溶液に、−７８℃でｔ−ブチルリチウムのペンタン溶
液（１．５Ｍ）２．３ｍｌを滴下した。反応液を同温度
で２時間攪拌したのち、該反応液に１−アセチル−４−
（２−（３−（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２
−メチレンビシクロ［３．１．０］ヘキサン−１−イ
ル）−２−メトキシエチリデン）−２，３，３ａ，４，
５，６，７，７ａ−オクタヒドロ−７ａ−メチルインデ
ン６８２ｍｇをテトラヒドロフラン１０ｍｌに溶解して
得られた溶液を滴下した。１時間攪拌したあと、反応液
にクロロギ酸メチル０．３ｍｌを滴下し、室温で一夜攪
拌した。反応液に重曹水を加え、酢酸エチルで抽出し、
抽出液を重曹水で洗浄し、減圧下に濃縮することによ
り、下記の物性を有する（２Ｓ，３Ｅ）−５，６−ジメ
チル−２−（４−（２−（３−（ｔ−ブチルジメチルシ
リルオキシ）−２−メチレンビシクロ［３．１．０］ヘ
キサン−１−イル）−２−メトキシエチリデン）−２，
３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−オクタヒドロ−７ａ
−メチルインデン−１−イル）−２−メトキシカルボニ
ルオキシ−３−ヘプテンを１．０４ｇ得た。 ＦＤ質量スペクトル ［Ｍ］↑＋ ６１４

【００８６】実施例８ アルゴン雰囲気下、ベンゼン３ｍｌ中で酢酸パラジウム
０．１ｍｍｏｌとトリブチルホスフィン０．１ｍｍｏｌ
とを混合することにより、パラジウム触媒の黄色溶液を
調製した。次いで、触媒溶液にギ酸５ｍｍｏｌおよびト
リエチルアミン５ｍｍｏｌをベンゼン５ｍｌに溶解した
溶液を加え、さらに参考例１４で得られた（２Ｓ，３
Ｅ）−５，６−ジメチル−２−（４−（２−（３−（ｔ
−ブチルジメチルシリルオキシ）−２−メチレンビシク
ロ［３．１．０］ヘキサン−１−イル）−２−メトキシ
エチリデン）−２，３，３ａ，４，５，６，７，７ａ−
オクタヒドロ−７ａ−メチルインデン−１−イル）−２
−メトキシカルボニルオキシ−３−ヘプテン６１４ｍｇ
を加え、室温で３時間撹拌した。反応液に水４０ｍｌを
加え、ペンタンで抽出した。抽出液を乾燥したのち濃縮
し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィ
ーで精製することにより、下記の物性を有する（２Ｓ，
３Ｅ）−５，６−ジメチル−２−（４−（２−（３−
（ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）−２−メチレンビ
シクロ［３．１．０］ヘキサン−１−イル）−２−メト
キシエチリデン）−２，３，３ａ，４，５，６，７，７
ａ−オクタヒドロ−７ａ−メチルインデン−１−イル）
−３−ヘプテンを４６４ｍｇ得た（収率８６％）。 ＦＤ質量スペクトル ［Ｍ］↑＋ ５４０

【００８７】実施例９ 実施例１において、トリブチルホスフィン０．０２５ｍ
ｌの代わりにトリフェニルホスフィン２６．２ｍｇを用
いた以外は実施例１と同様に反応および分離精製を行う
ことにより、（２０Ｒ，２２Ｅ）−３，２６−ジ（ｔ−
ブチルジメチルシリルオキシ）−２７−ノルコレスタ−
５，２２−ジエンを２８８ｍｇ得た。

【００８８】

【発明の効果】本発明によれば、生理活性を有するステ
ロイドの合成中間体として有用な、光学活性なオレフィ
ンを高収率かつ高選択的に合成することができる。ま
た、本発明は水銀などの有害物質を試薬として使用しな
いことから、工業的製法として有利である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 68/06 Ｃ０７Ｃ 68/06 Ｚ 69/96 69/96 Ｚ 401/00 401/00 Ｃ０７Ｊ 3/00 Ｃ０７Ｊ 3/00 9/00 9/00 75/00 75/00 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｆ 7/18 Ｃ０７Ｆ 7/18 Ａ (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07B 53/00 B01J 31/24 C07B 31/00 C07C 1/213 C07C 13/47 C07C 68/06 C07C 69/96 C07C 401/00 C07J 3/00 C07J 9/00 C07J 75/00 C07B 61/00 300

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（ＩＩ−ａ） 【化１】 （式中、Ｒ↑1 は有機基（ただし、パラジウムによって
   触媒されるギ酸との反応の基質となる官能基を除く）を
   表し、Ｒ↑2 は水素原子、アルコキシ基、アルケニルオ
   キシ基または置換されていてもよいアラルキルオキシ基
   を表し、Ｒ↑10は低級アルキル基を表し、Ｒ↑11は水素
   原子または低級アルキル基を表し、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ
   ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑
   71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91およびＲ↑92はそ
   れぞれ水素原子、保護されていてもよい水酸基または有
   機基を表し、Ｒ↑11、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑4
   2、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ↑7
   2、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91およびＲ↑92はそれぞれそ
   れらが結合している炭素原子に隣接する炭素原子上の置
   換基と一緒になって炭素−炭素結合を形成してもよく、
   同一炭素原子上の置換基の対：Ｒ↑31およびＲ↑32、Ｒ
   ↑41およびＲ↑42、Ｒ↑51およびＲ↑52、Ｒ↑61および
   Ｒ↑62、Ｒ↑71およびＲ↑72、Ｒ↑81およびＲ↑82、な
   らびにＲ↑91およびＲ↑92はそれぞれ一緒になって保護
   されていてもよいオキソ基または置換基を有していても
   よいメチレン基を形成してもよく、またＲ↑61、Ｒ↑6
   2、Ｒ↑71およびＲ↑72はそれらが結合している炭素原
   子と一緒になって環を形成してもよく、ｍは０または１
   を表す。）で示されるエステル誘導体に、パラジウム塩
   および第三級ホスフィンからなる触媒の存在下、ギ酸ま
   たはその塩を作用させることを特徴とする一般式（Ｉ−
   ａ） 【化２】 （式中、Ｒ↑1 、Ｒ↑10、Ｒ↑11、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ
   ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑
   71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91、Ｒ↑92およびｍ
   は前記定義のとおりである。）で示されるオレフィンの
   製造方法。
2. 【請求項２】 一般式（ＩＩ−ｂ） 【化３】 （式中、Ｒ↑1 は有機基（ただし、パラジウムによって
   触媒されるギ酸との反応の基質となる官能基を除く）を
   表し、Ｒ↑2 は水素原子、アルコキシ基、アルケニルオ
   キシ基または置換されていてもよいアラルキルオキシ基
   を表し、Ｒ↑10は低級アルキル基を表し、Ｒ↑11は水素
   原子または低級アルキル基を表し、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ
   ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑
   71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91およびＲ↑92はそ
   れぞれ水素原子、保護されていてもよい水酸基または有
   機基を表し、Ｒ↑11、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ↑41、Ｒ↑4
   2、Ｒ↑５１、Ｒ↑５２、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑71、Ｒ
   ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91およびＲ↑92はそれぞれ
   それらが結合している炭素原子に隣接する炭素原子上の
   置換基と一緒になって炭素−炭素結合を形成してもよ
   く、同一炭素原子上の置換基の対：Ｒ↑31およびＲ↑3
   2、Ｒ↑41およびＲ↑42、Ｒ↑51およびＲ↑52、Ｒ↑61
   およびＲ↑62、Ｒ↑71およびＲ↑72、Ｒ↑81およびＲ↑
   82、ならびにＲ↑91およびＲ↑92はそれぞれ一緒になっ
   て保護されていてもよいオキソ基または置換基を有して
   いてもよいメチレン基を形成してもよく、またＲ↑61、
   Ｒ↑62、Ｒ↑71およびＲ↑72はそれらが結合している炭
   素原子と一緒になって環を形成してもよく、ｍは０また
   は１を表す。）で示されるエステル誘導体に、パラジウ
   ム塩および第三級ホスフィンからなる触媒の存在下、ギ
   酸またはその塩を作用させることを特徴とする一般式
   （Ｉ−ｂ） 【化４】 （式中、Ｒ↑1 、Ｒ↑10、Ｒ↑11、Ｒ↑31、Ｒ↑32、Ｒ
   ↑41、Ｒ↑42、Ｒ↑51、Ｒ↑52、Ｒ↑61、Ｒ↑62、Ｒ↑
   71、Ｒ↑72、Ｒ↑81、Ｒ↑82、Ｒ↑91、Ｒ↑92およびｍ
   は前記定義のとおりである。）で示されるオレフィンの
   製造方法。