JP3222539B2 - 回転走査型磁気記録再生装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＶＴＲなどの回転走
査型磁気記録再生装置に係り、特に広帯域・高伝送レー
ト化に適した構成の回転走査型磁気記録再生装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、現行テレビジョン方式（ＮＴＳ
Ｃ、ＰＡＬ、ＳＥＣＡＭ等）用ＶＴＲでは、磁気ヘッド
を駆動して記録再生を行う記録再生回路は回転ドラム外
に置かれ、磁気ヘッドとは回転トランスを介して結合さ
れている。現行テレビジョン方式ＶＴＲでは、記録再生
帯域が０．５ＭＨｚ〜１０ＭＨｚ程度と比較的狭いの
で、回転トランスを介して回転ドラム内と回転ドラム外
で記録信号および再生信号の授受を行っても、伝送特性
上、特に問題は生じない。

【０００３】磁気テープに記録された情報信号の消去に
関しては、通常の記録時は固定ヘッドによりヘリカルト
ラックおよびリニアトラックについて全幅消去が行われ
る。しかし、固定ヘッドでは編集時に必要なヘリカルト
ラック単位での消去はできないので、回転ヘッドによる
消去（回転消去）が必要である。現行テレビジョン方式
ＶＴＲの場合、記録再生帯域が狭いことから、この回転
消去における消去周波数は例えば５ＭＨｚ程度で良く、
消去回路は回転ドラム外部へ置かれる。

【０００４】また、現行テレビジョン方式ＶＴＲでは上
記のように記録再生消去帯域が狭いため、クロストーク
等は問題にならない程度に小さく、また回転ドラムに搭
載される磁気ヘッドの数が多くて９チャンネル程度であ
ることから、回転ドラムの外径寸法の大きさは問題にな
らない。

【０００５】これに対し近年、高精細テレビジョン用Ｖ
ＴＲや現行テレビジョン方式用のディジタルＶＴＲ（以
下、これらを総称して広帯域・高伝送レートＶＴＲと呼
ぶ）が開発され、実用化されている。これらの広帯域・
高伝送レートＶＴＲでは、従来のＶＴＲで問題とされな
かった回転トランスのインダクタンスや浮遊容量、さら
には回転トランスと磁気ヘッドとの結合ケーブル容量が
問題になってきた。

【０００６】すなわち、磁気記録における電磁変換系の
伝送特性は、記録系では磁気ヘッドおよび回転トランス
のインダクタンスと記録回路の出力容量およびその他の
浮遊容量とによる共振周波数から決定され、再生系では
磁気ヘッドのインダクタンスと回転トランスのインダク
タンスと再生回路の入力容量およびその他の浮遊容量と
による共振周波数から決定される。従って、広帯域・高
伝送レートＶＴＲを実現するには、磁気ヘッドと記録回
路および再生回路の間に回転トランスを介在させないよ
うにすることが望まれる。そこで、この種のＶＴＲでは
記録回路および再生回路を回転ドラム内に搭載し、回転
トランスを介さずに直接磁気ヘッドと記録回路および再
生回路とを接続することにより記録再生の広帯域化を図
ることが行われている（例えばテレビジョン学会ＶＲ８
７−５）。

【０００７】消去系では通常、単一周波数の交流の消去
信号を消去用磁気ヘッドに供給してテープ上に記録され
ている情報信号を消去するので、消去信号のための伝送
帯域は狭くて良く、消去信号をドラム外部から供給する
ことが可能である。しかし、消去ヘッドおよび消去回路
が複数チャネルになると、記録再生回路が広帯域である
こと、広帯域・高伝送レートＶＴＲの消去信号周波数は
記録再生信号の広帯域化に伴い数１０ＭＨｚまで高くな
っているなどの点から、再生回路系あるいは記録回路系
への消去信号のクロストークが問題になる。このため編
集時のクロストークを考慮すると、消去回路についても
回転ドラムに搭載した方が良い。

【０００８】また、回転ドラム内外間の信号伝送のため
の回転トランスと、回転トランスを駆動する回転トラン
スドライバ回路（回転ドラムを介して記録回路へ記録信
号を送信する送信回路）および回転トランスからの信号
を受ける回転トランスレシーバ回路（回転ドラムを介し
て入力される再生信号を受信する受信回路）について
も、広帯域化を図らなくてはならない。すなわち、磁気
ヘッドと再生回路の入力容量から記録再生帯域が決定さ
れるのと同様に、回転トランスのインダクタンスとレシ
ーバ回路の入力容量や浮遊容量によって回転トランスの
伝送帯域が決定される。従って、ドライバ回路およびレ
シーバ回路と回転トランスとの結合には、容量の大きい
同軸ケーブル等は使用できない。このため、回転トラン
スの広帯域化を図るためには、ドライバ回路とレシーバ
回路を回転トランスに近接させて配置、実装しなくては
ならない。この結果、スキャナ（回転ドラムと固定ドラ
ム等を含めたドラム系メカの総称をいう）は、回転トラ
ンスのドライバ回路とレシーバ回路の実装分をさらに大
きくなる。

【０００９】さらに、広帯域・高伝送レートＶＴＲで
は、通常再生と特殊再生用を加えて少なくとも６個以上
の磁気ヘッドを使用する。例えばＤ−１フォーマット５
２５ディジタルＶＴＲを例にとると、消去ヘッドも含め
て１６個の磁気ヘッドを使用している（例えば通信学会
技報ＭＲ８５−５４参照）。従って、記録／再生回路と
消去回路および回転トランスのチャンネル数は、この磁
気ヘッドの数に対応した数だけ必要となる。記録／再生
回路と消去回路については、回路をＩＣ化することによ
り小型・軽量化が図れるが、回転トランスについては広
帯域化を図り、さらにチャンネル間のクロストークをあ
る程度以下に抑えながら小型化することには限界があ
る。

【００１０】また、多チャンネルの磁気ヘッドに対応し
た回転トランスをスキャナに搭載しようとすると、この
種のＶＴＲではチャンネル間の伝送特性が同じになる同
軸タイプの回転トランスが使用されるため、スキャナメ
カニズムが大きくかつ複雑になり、これにより各部のメ
カニズム精度維持が困難になる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、広帯域
・高伝送レートＶＴＲでは、多チャンネルの磁気ヘッド
に対応した回転トランスをスキャナに搭載すると、スキ
ャナメカニズムが大きくかつ複雑になり、これにより各
部メカニズム精度の維持が困難になるという問題があっ
た。

【００１２】また、多チャンネルの磁気ヘッドに対応し
た記録／再生回路あるいは消去回路を広帯域化のために
回転ドラムに搭載すると、これらと回転ドラム外部との
信号伝送を行うための回転トランスドライバ回路と回転
トランスレシーバ回路についても、同様に広帯域化のた
めに回転トランスのチャンネル数分だけ回転トランスに
近接させて配置・実装しなくてはならない。従って、ス
キャナは回転トランスドライバ回路と回転トランスレシ
ーバ回路の実装分だけ大きくなるという問題があった。

【００１３】さらに、広帯域・高伝送レートＶＴＲでは
消去信号の周波数が数１０ＭＨｚ以上と極めて高いこと
から、回転トランスでの再生回路系あるいは記録回路系
への消去信号のクロストークが大きな問題になる。

【００１４】本発明は、これらの問題点を解消するため
になされたもので、消去信号伝送用の回転トランスを不
要として、消去信号伝送用の回転トランスドライバ回路
も不要とすることにより、記録／再生回路への消去信号
のクロストークを低減させ、しかもスキャナメカニズム
を簡単かつ小型化できる回転走査型磁気記録再生装置を
提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明は消去信号源である発振器を含めて、消去回
路を消去ヘッドと共に回転ドラム上に搭載したことを基
本的な特徴とする。消去ヘッドおよび消去回路が複数の
場合、消去信号源である発振器は消去回路に内蔵しても
よいし、各消去回路に個別あるいは共通に接続してもよ
い。消去回路は入力段にエミッタフォロアまたはダーリ
ントンエミッタフォロアを備えることが好ましく、また
内部の定電流回路やバイアス回路を全てオフにする回路
を備えることが好ましい。実装に関しては、消去回路と
発振器を一体のＩＣにしてもよいし、消去回路と記録回
路を一体のＩＣにしてもよい。

【００１６】また、本発明は消去ヘッドおよび消去回路
が複数の場合、複数の消去ヘッドがそれぞれ磁気テープ
に接触する期間を判定する判定手段と、複数の消去回路
を該消去回路に接続されている消去ヘッドが判定手段に
より磁気テープに接触していると判定された期間中に外
部からの消去制御信号に応じて能動状態にする制御手段
を設けることを特徴とする。消去制御信号は、例えば消
去するトラックまたは消去する範囲に合わせて複数の消
去回路を順次選択的に能動状態にするように設定され
る。

【００１７】ここで、消去ヘッドが磁気テープに接触す
る期間を判定する判定手段の構成としては、例えば次の
（ａ）〜（ｃ）に挙げる３つの方式が考えられる。

【００１８】（ａ）回転ドラム側に消去ヘッドと対応す
る位置に配置された受光素子（フォトディテクタ）を設
け、対向する固定ドラム側にその消去ヘッドがテープに
接触する区間の両端に対応した位置、換言すれば消去対
象トラックの先頭と終端に対応した位置に配置された発
光素子（ＬＥＤなど）を設ける。そして、発光素子を消
去制御信号によって発光させ、受光素子の出力によって
対応する消去回路の能動／非能動状態を制御する構成と
する。発光素子および受光素子は、外部光による誤動作
を防ぐため、赤外光を発光および受光する素子を使用し
ても良い。

【００１９】（ｂ）固定ドラム側に消去ヘッドがテープ
に接触する区間の両端または該区間内に光学的反射物を
配置し、対向する回転ドラム側に消去ヘッドと対応する
位置に配置されて上記反射物を検出する反射型フォトセ
ンサをそれぞれ設ける。そして、該フォトセンサの発光
素子を消去制御信号によって発光させ、受光素子の出力
によって対応する消去回路の能動／非能動状態を制御す
る構成とする。

【００２０】（ｃ）回転ドラム側に（ａ）と同様に消去
ヘッドと対応する位置に配置された受光素子を設け、対
向する固定ドラム側にはその消去ヘッドがテープに接触
する区間全域に対応した位置、換言すれば消去対象トラ
ックの範囲に対応した位置に配置された発光素子を設け
る。そして、発光素子を消去制御信号によって発光さ
せ、受光素子の出力によって対応する消去回路の能動／
非能動状態を制御する構成とする。この場合、消去対象
以外の既記録部分を保護する目的で、テープ上の消去エ
リアを実効記録エリアに対してわずかに狭くしても良
い。

【００２１】さらに、本発明は記録ヘッドと消去ヘッド
および記録回路と消去回路がいずれも複数の場合、消去
ヘッドをテープ上のトラックに記録ヘッドより先行して
接触するように配置すると共に、複数の記録ヘッドがそ
れぞれ磁気テープに接触する期間を判定する判定手段
と、複数の記録回路の各々に対応して回転ドラムの外部
から伝送されてくる記録すべき情報信号の有無を検出す
る情報信号検出手段を含み、複数の記録回路の少なくと
も出力段を該記録回路に接続されている記録ヘッドが判
定手段により前記磁気テープに接触していると判定され
た期間中に情報信号検出手段で情報信号が検出された期
間にのみ能動状態に制御するとともに、該記録回路に接
続されている記録ヘッドに先行して磁気テープ上のトラ
ックに接触する消去ヘッドを駆動するための消去回路を
能動状態にする制御手段とを備えたことを特徴とする。
記録ヘッドが磁気テープに接触する期間を判定する判定
手段は、上記（ａ）〜（ｃ）と同様の構成で実現するこ
とができる。

【００２２】

【作用】このように本発明では、消去回路を発振器と共
に回転ドラムに搭載したことにより、消去信号伝送用の
回転トランスが不要になる。これに伴い、スキャナのメ
カニズムが簡単になり、信頼性が向上するとともに、シ
ステムの小形・軽量化、コストダウンが図られ、消去信
号伝送用回転トランスのドライバ回路も不要になること
で、スキャナのイナーシャが低減し、回転ドラムモータ
の負担が減り、かつ回転ドラムを高速に立ち上げること
が可能となり、画像の送出が速くなる。

【００２３】また、複数の消去回路とその消去信号源と
なる１つの発振器を共通接続して、消去ヘッドと共に回
転ドラムに搭載すれば、回路が簡単になり、かつ発振器
が１つだけでよいことにより低消費電力になる。

【００２４】また、本発明では回転ドラムに搭載される
消去回路を消去するトラックまたは消去する範囲に合わ
せて順次能動／非能動状態に制御することで、回路の低
消費電力化が図られ、さらに低消費電力化に伴い、回路
からの発熱によるメカニズムの精度の悪化が軽減され
る。

【００２５】さらに、固定ドラム側の発光素子と回転ド
ラム側の受光素子を用いて記録ヘッドが磁気テープに接
触する範囲を判定すると共に、記録情報信号の有無を検
出して記録回路の能動／非能動状態を制御する場合、こ
の記録回路のための制御系を利用して、記録ヘッドに先
行して消去を行うように消去回路を制御することによ
り、固定側の発光素子は記録用のみで良くなるので低消
費電力になり、それに伴う消去制御用発光素子の制御が
不要になる。さらに、受光素子を共用することで、回転
ドラム内部の回路が簡単になり、配線も容易になって、
低消費電力化が図られる。

【００２６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。尚、以下の実施例ではドラムに対する磁気
テープの巻付け角を１８０°とし、再生回路、記録回路
および消去回路をいずれも２回路とした場合について説
明する。

【００２７】図１は、本発明の一実施例に係る磁気記録
再生装置の基本構成を示す概略図であり、図２はその回
路構成を示すブロック図である。スキャナ１（回転ドラ
ムと固定ドラムの総称をいう）においては、磁気テープ
２が回転ドラム周面に情報信号の実効記録エリア角が１
８０°、すなわち巻付け角が１８０°となるように巻き
付けられている。回転ドラムには磁気ヘッドとして、記
録ヘッドＲ１，Ｒ２、再生ヘッドＰ１，Ｐ２および消去
ヘッドＥ１，Ｅ２がそれぞれ１８０°対向して設けられ
ている。

【００２８】記録ヘッドＲ１，Ｒ２に接続された記録回
路３ａ，３ｂは、回転トランスドライバ回路８から記録
用回転トランス９ａを介して入力される情報信号を増幅
して記録ヘッドＲ１，Ｒ２を駆動する。これにより、テ
ープ２に情報信号が記録される。テープ２に記録された
信号は、再生ヘッドＲ１，Ｒ２により再生され、再生回
路４ａ，４ｂにより増幅された後、再生用回転トランス
９ｂを介して回転ドラム外部へ伝送される。

【００２９】一方、テープ２に記録された情報信号の消
去は、消去ヘッドＥ１，Ｅ２とこれに接続された消去回
路５ａ，５ｂにより、回転ドラム内外間で消去信号の授
受を行うことなく行われる。図３は、消去回路５ａ，５
ｂの切替え制御動作の一連のタイムシーケンスを示して
いる。

【００３０】テープ２に記録されている情報信号を消去
ヘッドＥ１，Ｅ２によって回転消去し、再記録するイン
サート編集する場合について説明する。まず、消去回路
５ａに内蔵した消去信号源である発振器６ａから発生さ
れる例えば数１０ＭＨｚ以上といった高周波の消去信号
を消去ヘッド駆動回路７ａで増幅し、消去ヘッドＥ１を
駆動する。次に、消去回路５ｂに内蔵した発振器６ｂか
ら発生される消去信号を消去ヘッド駆動回路７ｂで増幅
し、消去ヘッドＥ２を駆動する。消去回路５ａ，５ｂは
後述するＥ１切替え信号とＥ２切替え信号で回転ドラム
が１８０°回転する毎にそれぞれ順次、能動状態／非能
動状態に切替えられ、能動状態のときに消去ヘッドＥ１
あるいは消去ヘッドＥ２を駆動して消去信号を流し、テ
ープ２上の情報信号を消去する。その後、回転トランス
ドライバ回路８および記録用回転トランス９ａを介し
て、回転ドラム内に伝送される新しい記録情報信号は、
記録回路３ａ，３ｂにより記録ヘッドＲ１，Ｒ２により
テープ２上に再記録される。

【００３１】インサート編集終了後は、Ｅ１，Ｅ２制御
信号を両方ともＯＦＦにして回転消去を止める。その後
Ｐ１，Ｐ２制御信号が両方とも回転ドラムの回転に合わ
せて順次ＯＮにされることにより、再生回路４ａ，４ｂ
で再生ヘッドＰ１，Ｐ２からの情報信号が増幅され、再
生用回転トランス９ｂを介して回転ドラム外部へ伝送さ
れる。再生用回転トランス９ｂより回転ドラム外部へ伝
送された情報信号は、回転トランスレシーバ回路１１で
再度増幅されて出力される。

【００３２】回転トランス９ａ，９ｂは例えば本出願人
により特願平１−１２７９０６で提案した方式に基づい
て構成されたもので、一つの巻線溝に２回路の巻線を入
れて、１８０°対向する各回路に接続し、この各回路を
交互に切替えることにより、チャネル数を削減したもの
である。

【００３３】図４は、本発明の第２の実施例に係る磁気
記録再生装置の基本構成を示す概略図、図５は図４の構
成の具体的な回路ブロック図である。また、図６はこの
消去回路の切替え制御動作の一連のタイムシーケンスを
示す。尚、図４では記録回路および再生回路は省略して
いる。

【００３４】第１の実施例では、各々の消去回路５ａ，
５ｂに個別に発振器６ａ，６ｂを設けたが、第２の例で
は１つの消去信号源である発振器に対して４回路の消去
ヘッド駆動回路を共通接続している。

【００３５】テープ２は、回転ドラム周面に情報信号の
実効記録エリアが２４０°となるように巻き付けられて
いる。消去時には、発振器６により消去信号が発生さ
れ、消去ヘッド駆動回路７ａ〜７ｄに供給される。消去
信号は消去ヘッド駆動回路７ａ〜７ｄで十分に増幅さ
れ、消去ヘッドＥ１〜Ｅ４に消去電流として供給される
ことにより、テープ２に記録されている情報信号が消去
される。消去ヘッド駆動回路７ａ〜７は後述するＥ１〜
Ｅ４制御信号でそれぞれ順次、能動／非能動状態に切替
えられる。

【００３６】次に、図７を参照して消去ヘッド駆動回路
の一実施例を説明する。この消去ヘッド駆動回路は、差
動アンプと中点タップ付きＲＦトランスと定電流回路を
使用して構成されている。

【００３７】第２の実施例における消去ヘッド駆動回路
７ａ〜７ｄは、他の消去ヘッド駆動回路の入力と共通接
続されて、消去信号発生源である発振器６を共有してい
るため、入力段は周波数特性の劣化が起こらないよう
に、図７では入力段にエミッタフォロアＱ１０，Ｑ１１
を用いて入力インピーダンスを高くしている。通常のエ
ミッタフォロアに代えて、ダーリントンエミッタフォロ
アを用いてもよい。尚、図７では簡単にするため入力回
路のバイアスは図示していない。

【００３８】エミッタフォロアＱ１０，Ｑ１１により電
流増幅された消去信号は、トランジスタＱ１２，Ｑ１３
と抵抗Ｚ７による差動アンプにより増幅される。この差
動アンプからＲＦトランスを介して、消去ヘッドＥ１に
消去電流が供給される。トランジスタＱ１４と抵抗Ｚ
３、トランジスタＱ１５と抵抗Ｚ４は、それぞれエミッ
タフォロワＱ１０，Ｑ１１のエミッタに接続される定電
流回路、トランジスタＱ１６と抵抗Ｚ５、トランジスタ
Ｑ１７と抵抗Ｚ６は、トランジスタＱ１２，Ｑ１３のエ
ミッタに接続される定電流回路をそれぞれ構成する。抵
抗Ｚ１，Ｚ２とダイオードＤ１は、これらの定電流回路
のための基準バイアス回路である。

【００３９】トランジスタＱ１８は、そのベースにイン
バータＩＮ１０を介して制御信号が入力されることによ
り、制御信号がＬレベルの時にオンとなって抵抗Ｚ１，
Ｚ２とダイオードＤ１からなる基準バイアス回路とトラ
ンジスタＱ１４〜Ｑ１７のベース電位を接地電位ＧＮＤ
に落として、消去ヘッドＥ１に消去電流が流れるのを禁
止する。

【００４０】すなわち、図７におけるアンプ（エミッタ
フォロワおよび差動アンプ）は、トランジスタＱ１８の
ベース電位がＨレベルのとき非能動状態、Ｌレベルのと
き能動状態となる。制御信号は、インバータＩＮ１０で
反転されてからトランジスタＱ１８のベースに入力され
るため、結局、制御信号がＨレベルでアンプは能動状態
となって、消去ヘッドＥ１に消去電流を流し、逆に制御
信号がＬレベルでアンプは非能動状態となって消去ヘッ
ドＥ１に消去電流を流さない状態となる。

【００４１】次に、それぞれの消去ヘッドが磁気テープ
に接触する期間を判定し、その判定結果に従いテープに
接触している消去ヘッドのみが駆動されるように複数の
消去回路をそれぞれ順次能動状態／非能動状態に切り替
え制御するための消去制御系について、前述の図１の実
施例の場合を例にとり説明する。尚、以下では上記の判
定手段の構成法が異なる三種類の消去制御系の実施例を
挙げるが、分かり易くするために消去回路のみ図示して
説明する。

【００４２】図８（ａ）（ｂ）は本発明における消去制
御系の第１の実施例の基本構成を示す概略図であり、
（ａ）はスキャナの断面図、（ｂ）は模式的な平面図で
ある。スキャナ１には、回転ドラム１１と同軸的に固定
ドラム１２が配置されている。消去回路の制御は固定ド
ラム１２側の消去用ＬＥＤ１３で行われ、消去用ＬＥＤ
１３の制御は消去制御回路１４で行われる。

【００４３】消去用ＬＥＤ１３からの制御光を受けて消
去回路を直接制御する回転ドラム１１側のフォトディテ
クタ１５ａ，１５ｂは、図８（ｂ）に示すように消去ヘ
ッドＥ１，Ｅ２の内側に、Ｅ１，Ｅ２と回転ドラム１１
の中心を通る線上に位置してそれぞれ配置される。すな
わち、消去ヘッドＥ１のためのＥ１消去回路を制御する
フォトディテクタ１５ａは消去ヘッドＥ１の内側に、ま
た消去ヘッドＥ１と１８０°対向しているもう一つの消
去ヘッドＥ２のためのＥ２消去回路を制御するフォトデ
ィテクタ１５ｂは消去ヘッドＥ２の内側に、それぞれ回
転ドラム１１の中心を通り消去ヘッドＥ１，Ｅ２を結ぶ
直線上に位置して配置される。

【００４４】次に、図８（ａ）（ｂ）と図９を参照して
切替え制御の動作を説明する。図９は、フォトディテク
タ１５ａ，１５ｂの出力に基づいて図１のＥ１消去回路
５ａおよびＥ２消去回路５ｂを制御するためのセットリ
セットフリップフロップ（Ｒ−Ｓフリップフロップ）１
６を示している。

【００４５】説明を簡単にするために、消去用ＬＥＤ１
３は消去制御回路１４によってＯＮ（発光）状態になっ
ているものとする。回転ドラム１１は矢印の方向に回転
している。図８（ａ）の状態では、フォトディテクタ１
５ａと消去用ＬＥＤ１３の位置が一致しているので、フ
ォトディテクタ１５ａからはＨレベルの信号が出力され
る。従って、フォトディテクタ１５ａの出力はＲ−Ｓフ
リップフロップ１６のセット入力Ｓに接続されているの
で、フリップフロップ１６の出力ＱはＨレベルとなる。

【００４６】次に、回転ドラム１４が矢印方向に回転す
ると、フォトディテクタ１５ａの出力はＬレベルにな
り、回転ドラム１１が１８０°回転すると、フリップフ
ロップ１６のリセット入力Ｒに接続されているフォトデ
ィテクタ１５ｂの出力はＨレベルになる。従って、フリ
ップフロップ１６の出力ＱはＬレベルになる。以下、フ
リップフロップ１６の出力Ｑは回転ドラムの回転に従っ
て１８０°毎に順次、ＨレベルとＬレベルを繰り返し、
出力ＱがＨレベルのときにＥ１消去回路５ａを能動状
態、Ｅ２消去回路５ｂを非能動状態にそれぞれ制御し、
出力ＱがＬレベルのときにＥ１消去回路５ａを非能動状
態、Ｅ２消去回路５ｂを能動状態にそれぞれ制御する。
図１０に、この消去制御系の制御動作の一連のタイムシ
ーケンスを示す。この実施例によれば、回転ドラム１１
側、固定ドラム１２側とも回路構成が簡単で、その消費
電力を少なくすることができる。

【００４７】尚、消去用ＬＥＤ１３は消去制御回路１４
からの消去制御信号によりＶＴＲの動作モードに応じて
ＯＮ，ＯＦＦされる。すなわち、消去モードの時には消
去用ＬＥＤ１３のみがＯＮし、記録モードの時には記録
用ＬＥＤ（図示していない）のみがＯＮし、再生モード
の時には再生用ＬＥＤ（図示していない）のみがＯＮ
し、同時再生モードの時には記録用ＬＥＤと再生用ＬＥ
Ｄが両方ＯＮする。インサート編集時等には、消去用Ｌ
ＥＤ１３と記録用ＬＥＤが両方ＯＮする。

【００４８】図１１（ａ）（ｂ）は本発明における消去
制御系の第２の実施例の基本構成を示す概略図であり、
図８と同様に（ａ）はスキャナの断面図、（ｂ）は模式
的な平面図である。この実施例では、回転ドラム１１側
に再生および消去回路の制御を行うための反射型フォト
センサ１７ａ，１７ｂが消去ヘッドＥ１，Ｅ２の内側に
おいて、ヘッドＥ１，Ｅ２を通り回転ドラム１１の中心
を通る線上に位置して搭載される。固定ドラム１２側に
は実効記録エリアが１８０°の場合、その消去側に反射
物、例えばミラー等を配置し、無消去側には反射型フォ
トセンサが検知不可能な無反射物を配置する。

【００４９】尚、反射型フォトセンサ１７ａ，１７ｂは
図１２に示すように、ＬＥＤ１８とフォトダイオードあ
るいはフォトトランジスタからなるフォトディテクタ１
９が一体になったものである。反射型フォトセンサは製
品によって種々あるが、この実施例では例えば対向面に
反射物のある場合にはＨレベルを出力し、反射物のない
場合にはその反対の極性のＬレベルを出力するように構
成された反射型フォトセンサを使用した例について説明
する。

【００５０】回転ドラム１１は矢印の方向に回転してお
り、Ｅ１消去回路は反射型フォトセンサ１７ａによって
制御され、反射面のある消去エリア側を通過している間
は能動状態にあり、逆に無反射面では非能動状態にな
る。以下同様に、Ｅ２消去回路は反射型フォトセンサ１
７ｂによって制御される。この実施例では、反射型フォ
トセンサ１７ａ，１７ｂによって、消去回路に直接入力
可能な制御信号が生成できる。生成された制御信号は、
図１０中に示すＥ１制御信号およびＥ２制御信号のよう
になる。

【００５１】また、この実施例では各モードの制御は、
例えばスリップリング等を介して行うか、あるいは消
去、記録および再生用のそれぞれの反射面と反射型フォ
トセンサの間にメカニカルなシャッタを持たせて行う。

【００５２】この実施例によれば、回転ドラム１１側の
回路は非常に簡単で、かつ消費電力を少なくすることが
でき、さらに固定ドラム１２側は例えば実効記録エリア
分のみ反射面を持つガラスマスクを配置すればよく、従
ってスキャナのメカニズムが簡単になる。

【００５３】図１３（ａ）（ｂ）は、本発明における消
去制御系の第３の実施例の基本構成を示す概略図であ
り、（ａ）はスキャナの断面図、（ｂ）は模式的な平面
図である。本実施例では、回転ドラム１１側に消去用フ
ォトディテクタ１５ａ，１５ｂが消去ヘッドＥ１，Ｅ２
の内側において、Ｅ１，Ｅ２と回転ドラム１１の中心を
通る線上に位置してそれぞれ配置される。固定ドラム１
２側には実効記録エリアが１８０°の場合、消去用ＬＥ
Ｄ１３がフォトディテクタ１５ａ，１５ｂと対向し得る
位置に、実効記録エリア分複数個並べて配置される（以
下、これら複数個の消去用ＬＥＤを消去用ＬＥＤ列と呼
ぶ）。

【００５４】消去回路の制御は回転ドラム１１側のフォ
トディテクタ１５ａ，１５ｂと固定ドラム１１側の消去
用ＬＥＤ列１３とで行われ、消去用ＬＥＤ列１３の制御
は消去制御回路１４で行われる。消去用ＬＥＤ列１３か
らの制御光を受けて消去回路を直接制御する回転ドラム
１１側のフォトディテクタ１５ａ，１５ｂは、図１３
（ｂ）に示すように消去ヘッドＥ１，Ｅ２の内側にＥ
１，Ｅ２と回転ドラム１１の中心を通る線上に位置して
それぞれ配置される。

【００５５】また、消去ヘッドＥ１のためのＥ１消去回
路を制御するフォトディテクタ１５ａは、消去ヘッドＥ
１の内側にＥ１，Ｅ２と回転ドラム１１の中心を通る線
上に位置して配置される。消去ヘッドＥ１と１８０°対
向しているもう一つの消去ヘッドＥ２のためのＥ２消去
回路を制御するフォトディテクタ２７ｂは、消去ヘッド
Ｅ２の内側にＥ１，Ｅ２と回転ドラム１１の中心を通る
線上に位置して配置される。

【００５６】この実施例の動作について説明する。尚、
消去用ＬＥＤ列１３からの制御光を受けたときフォトデ
ィテクタ１５ａ，１５ｂはＯＮし、対応する消去回路は
能動状態になるものとする。

【００５７】回転ドラム１１は矢印の方向に回転してお
り、Ｅ１消去回路はフォトディテクタ１５ａの出力によ
り制御され、消去用ＬＥＤ列１３のある消去エリアを通
過している間は能動状態にある。逆に、回転ドラム１１
が消去用ＬＥＤ列１３のないところを通過している間
は、Ｅ１消去回路は非能動状態になる。一方、Ｅ２消去
回路はフォトディテクタ１５ｂの出力により制御され
る。この実施例ではフォトディテクタ１５ａ，１５ｂに
より、消去回路に直接入力可能な図１０のＥ１制御信号
およびＥ２制御信号が生成される。

【００５８】この実施例の回路によれば回転ドラム１１
側の回路は非常に簡単で、かつ消費電力を少なくするこ
とができ、さらに固定ドラム１２側は例えば実効記録エ
リア分のみ複数個のＬＥＤを並べて配置すればよく、ス
キャナのメカニズムは簡単である。

【００５９】以上説明してきた消去制御系では、各消去
回路それぞれに対応した消去専用のフォトディテクタや
反射型フォトセンサを設けて制御を行っているが、制御
用のフォトディテクタを記録回路と消去回路で共用して
もよく、それによりフォトディテクタを削減することが
できる。以下、この方式による消去制御系について説明
する。

【００６０】図１４は、記録回路と消去回路の制御を行
なうフォトディテクタを共用した場合の磁気記録再生装
置の基本構成を示す概略図である。尚、図１の実施例と
対応する部分に同一符号を付している。

【００６１】この実施例が図１の実施例と異なる点は、
記録ヘッドＲ１と消去ヘッドＥ１、記録ヘッドＲ２と消
去ヘッドＥ２がそれぞれ近接配置されていることであ
る。そして、この例では記録回路と消去回路を制御する
フォトディテクタ（図示せず）は記録ヘッドＲ１，Ｒ２
の内側に、Ｒ１，Ｒ２と回転ドラム１１の中心を通る線
上に位置して配置される。このため消去タイミングと記
録タイミングの間には、ある遅延時間が存在する。この
点を利用して、本実施例では同一の制御信号により消去
回路と記録回路の両方の動作を制御している。

【００６２】図１５に、この実施例における消去回路と
記録回路および再生回路の切替え制御動作の一連のタイ
ムシーケンスを示す。また、この実施例における記録再
生消去制御系の構成例を図１３で説明したＬＥＤ列を使
用する方式で説明する。

【００６３】図１６（ａ）（ｂ）は、図１４の実施例に
おける記録再生消去制御系の基本構成を示す概略図であ
り、（ａ）はスキャナの断面図、（ｂ）は模式的な平面
図である。この実施例では、回転ドラム１１側に消去回
路と記録回路の両方を制御するフォトディテクタ４３
ａ，４３ｂが図に示すようにそれぞれ記録ヘッドＲ１，
Ｒ２の内側において、Ｒ１，Ｒ２と回転ドラム１１の中
心を通る線上に位置して配置される。なお、フォトディ
テクタ４３ａ，４３ｂを記録ヘッドと回転ドラムの中心
を通る線と、消去ヘッドと回転ドラムの中心を通る線と
の間に配置しても良い。

【００６４】さらに、回転ドラム１１側に再生回路を制
御するフォトティテクタ４４ａ，４４ｂが図に示すよう
にそれぞれ再生ヘッドＰ１，Ｐ２の内側において、Ｐ
１，Ｐ２と回転ドラム１１の中心を通る線上に位置して
配置される。固定ドラム１２側には、実効記録エリアが
１８０°の場合、記録消去用ＬＥＤ列４１がフォトディ
テクタ４３ａ，４３ｂと対向し、さらに再生用ＬＥＤ列
４２がフォトディテクタ４４ａ，４４ｂと対向するよう
に、それぞれ実効記録エリア分複数個並べて配置され
る。

【００６５】記録回路と消去回路の制御は、記録消去用
ＬＥＤ列４１およびフォトディテクタ４３ａ，４３ｂに
より行われる。再生回路の制御は、再生用ＬＥＤ列４２
およびフォトディテクタ４４ａ，４４ｂにより行われ
る。記録消去用ＬＥＤ列４１および再生用ＬＥＤ列４２
の発光のオン、オフ制御は、記録再生消去制御回路４５
によって行われる。

【００６６】記録消去用ＬＥＤ列４１からの制御光を受
けて消去回路と記録回路を直接制御する回転ドラム１１
側のフォトディテクタ４３ａ，４３ｂは、図１６（ｂ）
に示すように記録ヘッドＲ１，Ｒ２の内側に、Ｒ１，Ｒ
２と回転ドラム１１の中心を通る線上に位置してそれぞ
れ配置される。また、再生用ＬＥＤ列３５の制御光を受
けて再生回路を直接制御する回転ドラム１１側のフォト
ディテクタ４４ａ，４４ｂは、図１６（ｂ）に示すよう
に再生ヘッドＰ１，Ｐ２の内側に、Ｐ１，Ｐ２と回転ド
ラム１１の中心を通る線上に位置してそれぞれ配置され
る。

【００６７】この実施例における記録再生消去制御系の
動作について説明する。尚、記録消去用ＬＥＤ列４１と
再生用ＬＥＤ列４２からの光を受けたときフォトディテ
クタ４３ａ，４３ｂおよび４４ａ，４４ｂはそれぞれＯ
Ｎし、対応する消去回路と記録回路及び再生回路が能動
状態になるものとする。

【００６８】回転ドラム１１は矢印の方向に回転してお
り、Ｅ１消去回路およびＲ１記録回路はフォトディテク
タ４３ａの出力により制御され、記録消去用ＬＥＤ列４
１のある消去記録エリアを通過している間は能動状態に
ある。逆に回転ドラム１１が記録消去用ＬＥＤ列４１の
ないところを通過している間は、Ｅ１消去回路およびＲ
１記録回路は非能動状態になる。Ｅ２の消去回路とＲ２
の記録回路はフォトディテクタ３２ｂにより制御され
る。この実施例では、フォトディテクタ４３ａ，４３ｂ
により消去回路と記録回路に直接入力可能な図１５のＥ
１制御信号およびＲ１制御信号を生成することができ
る。

【００６９】次に、上述した共通のフォトディテクタの
出力により記録回路と消去回路の両方を制御するための
具体的な回路方式について、図１７および図１８を参照
して説明する。図１７においては、フォトディテクタ４
３（図１６の４３ａまたは４３ｂ）の出力が記録回路３
に入力されている。フォトディテクタ４３の出力信号
は、記録回路３内部で加工されて消去回路５に制御信号
として伝送される。

【００７０】図１７における記録回路３は、例えば図１
９に示すように構成される。この記録回路３の動作を簡
単に説明すると、記録回路３は回転トランス（図示せ
ず）を介して伝送されてくる記録ＲＦ信号を増幅して、
記録ヘッドＲに記録ＲＦ信号に対応した記録電流を流
し、磁気テープ（図示せず）に情報信号を記録する。記
録回路３はＲＦディテクタを内蔵し、このＲＦディテク
タによりその出力段の能動／非能動状態が制御される。
すなわち、フォトディテクタ４３の出力信号がＯＮにな
り、かつ記録ＲＦ信号が記録回路３に入力された時に、
記録回路３は記録ヘッドＲを駆動して磁気テープに情報
信号を記録する。

【００７１】さらに、記録回路３内の出力段の能動／非
能動状態を制御する信号は、記録回路３から消去回路５
にも伝送される。消去回路５は、図２に示したと同様の
発振器内蔵型の消去回路であり、記録回路３から伝送さ
れてくる制御信号により消去ヘッドＥを駆動して磁気テ
ープ上に記録されている情報信号を消去する。

【００７２】次に、記録回路３について説明する。記録
回路３は記録ＲＦ信号の有無を検出する機能、即ちキャ
リア検出機能を持っている。図１９は、このようなキャ
リア検出機能を持った記録回路の具体例を示す図であ
る。

【００７３】図１９において、回転トランス（図示して
いない）から伝送されてきた記録ＲＦ信号は記録回路３
ａの入力１と入力２に入力される。入力された記録ＲＦ
信号は２分岐され、一方は記録ＲＦ信号を電流増幅する
ためのエミッタフォロア２１に、他方はディテクタアン
プ２２に入力される。ディテクタアンプ２２は、記録Ｒ
Ｆ信号を所定の信号振幅となるように増幅して次段のピ
ークディテクタ２３に送る。ピークディテクタ２３は入
力された記録ＲＦ信号のピークを検出して、そのピーク
値に対応した検出信号電圧を出力する。ピークディテク
タ２３から出力された検出信号電圧はコンパレータ２４
に入力される。コンパレータ２４は、入力された検出信
号電圧が所定の閾値を越えた場合は、次段のアンドゲー
ト２５にＨ（高）レベルの信号を出力する。

【００７４】このように記録回路３は、所定振幅レベル
以上の記録ＲＦ信号が入力された時は、ディテクタアン
プ２２、ピークディテクタ２３およびコンパレータ２４
で構成されるＲＦディテクタによって、アンドゲート２
５にＨレベルの信号を出力する。逆に、所定振幅レベル
以下の記録ＲＦ信号が入力された時は、ＲＦディテクタ
はアンドゲート２５にＬレベルの信号を出力する。アン
ドゲート２５の他方の入力は記録回路イネーブル入力で
あり、記録回路３の外部から図１５（ｂ）に示したよう
なＲ１制御信号が入力される。

【００７５】アンドゲート２５の出力は、出力オフ回路
２６を介してアンプ２７に制御信号として供給される。
アンプ２７は、エミッタフォロア２１で電流増幅された
記録ＲＦ信号をさらに増幅して出力１と出力２に出力す
る。また、アンドゲート２５の出力（Ｓ）は制御信号出
力として、記録回路３から出力されて図１７に示すよう
に消去回路５に伝送される。消去回路５は、この記録回
路３からの制御信号により、記録回路３と同様に出力段
の能動／非能動状態が制御される。

【００７６】図２０および図２１に、１トラック全てイ
ンサート記録時と１トラックの一部のインサート記録時
の記録回路内外の各回路部の動作シーケンスを示す。動
作信号は図１および図１４のように記録ヘッドと記録回
路、消去ヘッドと消去回路を１８０°対向で使用した場
合を想定し、記録回路３ａと記録ヘッドＲ１、その１８
０°対向側を記録回路３ｂと記録ヘッドＲ２、さらに消
去回路５ａと消去ヘッドＥ１、その１８０°対向側を消
去回路５ｂと消去ヘッドＥ２とするが、図２０および図
２１では記録回路３ｂと記録ヘッドＲ２および消去回路
５ｂと消去ヘッドＥ２の動作シーケンスは省略してい
る。

【００７７】アンドゲート２５の出力（Ｓ）は、そのＲ
Ｆディテクタ側入力（Ｘ）と記録回路３の制御入力
（Ｙ）の両方がＨレベルになった時、Ｈレベルとなる。
この時、出力オフ回路２６により記録回路３の出力段の
アンプ２７（記録ヘッド駆動回路）が能動状態とされ、
アンプ２７から記録ヘッド（図示せず）に記録ＲＦ信号
に対応した記録電流が供給される。

【００７８】記録回路３から出力される制御信号出力
（Ｓ）は前述のように消去回路５に伝送され、記録回路
３の動作と同様に制御信号出力（ｓ）がＨレベルになっ
た時に発振器および記録ヘッド駆動回路は能動状態にな
り、記録ヘッド駆動回路から消去ヘッドＥに消去電流が
供給される。

【００７９】逆に、アンドゲート２５のＲＦディテクタ
側入力（Ｘ）と記録回路イネーブル入力（Ｙ）のいずれ
か一方がＬレベルになったときは、アンドゲート２５の
出力（Ｓ）はＬレベルとなるため、出力オフ回路２６に
よりアンプ２７が非能動状態とされる。これにより記録
ＲＦ信号出力は停止され、記録回路３はヘッドに記録電
流を流さない状態となる。消去回路５は記録回路３から
伝送される制御信号出力（ｓ）がＬレベルになったこと
により、発振器と記録ヘッド駆動回路が非能動状態に制
御される。これにより、発振器出力の消去信号は停止さ
れ、記録ヘッド駆動回路は消去ヘッドに消去電流を流さ
ない状態になる。

【００８０】この動作は、図２１に動作シーケンスを示
す１トラック中の一部のインサート記録時に、特にその
効果が大である。すなわち、インサート記録時では回転
トランスが共通になっていることから、Ｒ１制御信号
（Ｙ）とＲＦディテクタ出力（Ｘ）の両信号により、ア
ンドゲート２５および出力オフ回路２６を通してアンプ
２７のオン／オフをコントロールすることによって、記
録ＲＦ信号を出力させる。さらに、記録回路３からの制
御信号出力（Ｓ）により、消去回路５のオン／オフをコ
ントロールすることによって、消去信号を出力させる。
このようにすると、図２１の動作シーケンス例から分か
るように、インサート記録したい部分にインサートすべ
き記録ＲＦ信号を伝送するだけで、簡単に部分消去、部
分書替えが可能になる。

【００８１】次に、共通のフォトディテクタの出力によ
り記録回路と消去回路の両方を制御するための他の回路
方式である図１８について説明する。記録回路３の構成
は、基本的に図１９と同じであるが、消去回路５の制御
信号出力はないものとする。消去回路５は、図２２に示
すように構成される。この消去回路５は、発振器５０を
内蔵し、さらに図１９の記録回路と同様にＲＦディテク
タを内蔵している。従って、消去回路５の動作は、ＲＦ
ディテクタの入力とフォトディテクタ４３からの制御信
号入力によって制御される。図１８の例では、記録回路
３と消去回路５の入力は記録用回転トランス（図示せ
ず）と共通接続されることによって、記録用回転トラン
スから伝送されてきた記録ＲＦ信号は、記録回路３およ
び消去回路５の双方に入力される。一方、フォトディテ
クタ４３の出力も記録回路３と消去回路５に入力され
る。従って、記録回路３および消去回路５は、記録ＲＦ
信号が入力された時とフォトディテクタ４３がＯＮした
時の両方で動作する。

【００８２】次に、図１８における消去回路５について
説明する。この消去回路５は上述のように発振器と、記
録ＲＦ信号の有無を検出するキャリア検出機能であるＲ
Ｆディテクタを内蔵している。図２２は、このような消
去回路の具体例を示す図である。

【００８３】図２２において、回転トランス（図示して
いない）から伝送されてきた記録ＲＦ信号は消去回路５
の入力１と入力２に入力される。入力された記録ＲＦ信
号はディテクタアンプ５１に入力される。ディテクタア
ンプ５１は、記録ＲＦ信号を所定の信号振幅となるよう
に増幅して次段のピークディテクタ５２に送る。ピーク
ディテクタ５２は入力された記録ＲＦ信号のピークを検
出して、そのピーク値に対応した検出信号電圧を出力す
る。ピークディテクタ５２から出力された検出信号電圧
はコンパレータ５３に入力される。コンパレータ５３
は、入力された検出信号電圧が所定の閾値を越えた場合
は、次段のアンドゲート５４にＨ（高）レベルの信号を
出力する。

【００８４】このように消去回路５は、所定振幅レベル
以上の記録ＲＦ信号が入力された時は、ディテクタアン
プ５１、ピークディテクタ５２およびコンパレータ５３
で構成されるＲＦディテクタによって、アンドゲート５
４にＨレベルの信号を出力する。逆に、所定振幅レベル
以下の記録ＲＦ信号が入力された時は、ＲＦディテクタ
はアンドゲート５４にＬレベルの信号を出力する。アン
ドゲート５４の他方の入力は消去回路５の制御信号入力
であり、消去回路５の外部から図１５（ａ）に示したよ
うなＥ１制御信号が入力される。

【００８５】アンドゲート５４の出力は、出力オフ回路
５５を介して消去ヘッド駆動回路５６に制御信号として
供給される。消去ヘッド駆動回路５６は、発振器５７で
発生した消去信号を増幅して出力１と出力２に出力す
る。

【００８６】図１８と先に説明した図１７との違いは、
消去回路５に記録ＲＦ信号を検出するＲＦディテクタを
内蔵している点である。このため記録回路３から消去回
路５への制御信号の伝送が無い代わりに、回転トランス
からの記録ＲＦ信号と制御を行なうフォトディテクタ４
３の出力を２分岐して記録回路３と消去回路５へ入力し
ている。

【００８７】従って、この実施例の動作シーケンスは、
図２０、図２１とほぼ同じなので省略する。また、図１
７および図１９の例では、消去回路３の出力段（消去ヘ
ッド駆動回路）の能動／非能動の制御を行う制御信号を
記録回路３内で発生していたが、図１８の例では消去回
路自身で発生させているだけであり、記録回路の動作は
図１７および図１９の例と基本的に同じである。

【００８８】図２３は、キャリア検出機能を有する記録
回路３の他の構成例を示すブロック図である。この実施
例では、情報信号検出手段であるＲＦディテクタとし
て、全波整流型ＲＦディテクタ２０を用いている。すな
わち、回転トランス（図示していない）から伝送されて
きた記録ＲＦ信号は記録回路３の入力１と入力２に入力
される。入力された記録ＲＦ信号はアンプ２１ａで増幅
された後２分岐され、一方は全波整流型記録ＲＦディテ
クタ２０に、他方はアンプ２１ｂを介してアンプ２７に
入力される。全波整流型ＲＦディテクタ２０は全波整流
回路を用いて構成され、記録ＲＦ信号を検出すると、次
段のアンドゲート２５に対してＨ（高）レベルの信号を
出力する。

【００８９】図２４は、全波整流型ＲＦディテクタ２０
の構成例を示す図であり、全波整流回路２８、ローパス
フィルタ２９およびコンパレータ２４により構成され
る。このＲＦディテクタ２０の動作を図２５の波形図を
参照して説明する。なお、ここでは説明を簡単にするた
め、ＲＦディテクタ２０に入力されるＲＦ信号を正弦波
としている。

【００９０】図２５（ａ）に示すＲＦ信号は、全波整流
回路２８によって図２５（ｂ）のように全波整流される
ことにより、ＲＦ信号の基本周波数よりも低域の成分と
高域の成分とに変換される。全波整流回路２８の出力
は、ローパスフィルタ２９に入力され、高域の成分が除
去され低域の成分のみが抽出されることにより、図２５
（ｃ）に示す出力が得られる。このローパスフィルタ２
９の出力はコンパレータ２４に入力され、二値化され
る。

【００９１】図２４に示す全波整流型ＲＦディテクタ２
０は、図１９に示した記録回路３中のディテクタアンプ
２２、ピークディテクタ２３およびコンパレータ２４か
らなるＲＦディテクタに比較して、次のような利点があ
る。ピークディテクタ（ピークホールド回路）２３を用
いる場合、ピークディテクタ２３内のホールド用キャパ
シタとコンパレータ２４の入力抵抗とによるピークホー
ルド時定数をＲＦ信号中の最低周波数成分をピークホー
ルドするのに十分な値に選ぶ必要がある。この時定数が
十分大きくないと、ピークディテクタ２３の出力にＲＦ
信号に対応したリップルが直接現れ、コンパレータ２４
から出力される二値信号出力も、このリップルに対応し
て変化する。このため、出力オフ回路２６によりアンプ
２７がＲＦ信号の入力期間中でも、上記のリップルに対
応して能動／非能動状態に交互に切り換わってしまう可
能性がある。

【００９２】コンパレータ２４の入力抵抗は通常、バイ
ポーラプロセスではあまり大きくとれないので、ピーク
ホールド時定数を大きくするには、ピークディテクタ２
３内のホールド用キャパシタの容量を大きくする必要が
ある。このホールド用キャパシタをＩＣ内に形成しよう
とすると、ＩＣのチップサイズを増大させる結果とな
り、そうでなければ外付のキャパシタを必要として、い
ずれの場合も実装面積の面で不利である。

【００９３】これに対し、図２４のＲＦディテクタ２０
では、全波整流回路２８によりＲＦ信号をその基本周波
数よりも低域の成分と高域の成分とに変換した後、ロー
パスフィルタ２９によって高域の成分を除去してコンパ
レータ２４に入力する構成となっている。このため、ロ
ーパスフィルタ２９の遮断周波数はＲＦ信号の基本周波
数より高くできるので、ローパスフィルタ２９に用いる
キャパシタの容量をピークディテクタ２３に用いるホー
ルド用キャパシタの容量より小さくすることが可能とな
り、このキャパシタをＩＣ内に形成してもチップサイズ
を大きくすることがない。また、キャパシタ容量の減少
によって、充放電時間が短くなるため、ＲＦ信号の検出
スピードを速くすることができる。

【００９４】ＨＤＴＶ用ディジタルＶＴＲの場合、「放
送技術」１９９０、ＶＯＬ．４３、Ｎｏ．１２、１１月
臨時増刊号ｐ．２０〜ｐ．２６およびｐ．６２〜ｐ．６
６に記載されているように、磁気ヘッド１個当りの記録
レートは１４８．５Ｍbps である。記録変調方式として
は８−８変換ＡＳＥ符号を使用することで低域成分をで
きるだけ抑えるようにしているが、低域成分が全く含ま
れないわけではない。従って、ＲＦディテクタは低域か
ら１４８．５Ｍbps までの広帯域にわたるＲＦ信号を検
出できなければならない。また、ＨＤＴＶ用ディジタル
ＶＴＲの場合、前述のように１８個といった極めて多数
の磁気ヘッドを使用する関係で、回転ドラム上の回路の
実装エリアは相当の制約を受けるため、ＲＦディテクタ
はＩＣ化が絶対条件であり、しかもそのチップサイズは
極力小さいことが望まれる。上述のような構成の全波整
流型ＲＦディテクタ２０によれば、これらの要求を容易
に満たすことが可能である。

【００９５】図２６は、全波整流型ＲＦディテクタ２０
の他の構成例を示す図であり、全波整流回路が２８ａ，
２８ｂの二段構成となっている点が図２４の例と異なっ
ている。図２７は、図１４のＲＦディテクタ２０の動作
波形図である。図２７（ａ）に示すＲＦ信号は、まず１
段目の全波整流回路２８ａにより図２７（ｂ）のように
全波整流され、さらに２段目の全波整流回路２８ｂによ
り図２７（ｃ）のように全波整流された後、ローパスフ
ィルタ２９で図２７（ｄ）のように高域成分が除去され
る。

【００９６】図２７（ｂ）（ｃ）からも明らかなよう
に、２段目の全波整流回路２８ｂの出力における高域の
成分は、１段目の全波整流回路２８ａの出力のそれより
高い周波数成分に変換されている。すなわち、このよう
に全波整流を２段階にわたって行うことにより、ローパ
スフィルタ２９に用いるキャパシタの容量を全波整流回
路が１段の場合（図１２）に比較して、さらに小さくす
ることができる。

【００９７】図２８は、全波整流型ＲＦディテクタ２０
の他の構成例を示す図であり、図２６における２段の全
波整流回路２８ａ，２８ｂの間にハイパスフィルタ３０
を挿入している。図２９は、図１４のＲＦディテクタ２
０の動作波形図である。図２９（ａ）に示すＲＦ信号
は、１段目の全波整流回路２８ａにより図２９（ｂ）の
ように全波整流された後、ハイパスフィルタ３０を通し
て図２９（ｂ）のように高域成分のみが抽出される。ハ
イパスフィルタ３０の出力は、さらに２段目の全波整流
回路２８ｂにより図２９（ｄ）のように全波整流された
後、ローパスフィルタ２９で図２９（ｅ）のように高域
成分が除去される。

【００９８】ハイパスフィルタ３０は、１段目の全波整
流回路２８ａの出力の直流成分をカットすることによ
り、２段目の全波整流回路２８ｂによる全波整流の効果
を上げることができる。さらに、ハイパスフィルタ３０
はＲＦ信号（ａ）に対するローパスフィルタ２９の出力
（ｅ）の応答速度、特に立ち上がりの応答速度を速くす
る効果もある。なお、ハイパスフィルタ３０に用いるキ
ャパシタは大きな容量を必要としないので、ＩＣチップ
の小型化にほとんど支障はない。

【００９９】図３０は、全波整流型ＲＦディテクタ２０
の他の構成例を示す図であり、図２４における全波整流
回路２８の前段に、リミッタアンプ７０を配置してい
る。図３１は、図１８のＲＦディテクタ２０の動作波形
図である。図３１（ａ）に示す正弦波のＲＦ信号は、リ
ミッタアンプ７０により振幅制限されることにより、図
３１（ｂ）のように立ち上がりおよび立ち下がりの急峻
な方形波に波形整形される。リミッタアンプ７０の出力
は、全波整流回路２８によって図３１（ｃ）のように全
波整流され、さらに図３１（ｄ）のようにローパスフィ
ルタ２９により高域の成分が除去された後、コンパレー
タ２４に入力され、二値化される。

【０１００】図２５（ｂ）と図３１（ｃ）を比較して明
らかなように、全波整流回路２８の出力に含まれるリッ
プルは、図３０の場合の方が小さくなる。図２４では全
波整流回路２８の入力が正弦波であるのに対して、図３
０の場合は全波整流回路２８の入力が方形波に変換され
ているためである。従って、図３０の構成によれば、全
波整流回路２８の出力に含まれるリップルを除去するた
めのローパスフィルタ２９に用いるキャパシタの容量を
更に小さくすることができる。

【０１０１】図３０の全波整流型ＲＦディテクタ２０の
構成は、正弦波のＲＦ信号のみでなく、例えばＮＲＺ信
号のような方形波のＲＦ信号に対しても有効である。こ
のような方形波のＲＦ信号は、回転トランスを通過する
際に直流成分が欠落することにより波形が鈍るが、リミ
ッタアンプ７０で方形波に戻すことができる。

【０１０２】この効果を図３２により説明する。図２０
は、入力されるＲＦ信号が方形波の場合の動作波形図で
ある。ＲＦ信号は図３２（ａ）に示されるようなＮＲＺ
信号であり、回転トランスを通過すると図３２（ｂ）の
ような直流成分が欠落した信号となる。この図３２
（ｂ）のＲＦ信号はリミッタアンプ７０に入力され、図
３２（ｃ）のように方形波に整形される。以下、リミッ
タアンプ７０の出力は全波整流回路２８で図３２（ｄ）
のように全波整流され、さらにローパスフィルタ２９に
より図３２（ｅ）のようにリップルが除去された後、コ
ンパレータ２４に入力される。

【０１０３】このように図３０の構成によれば、ＲＦ信
号の波形の種類に関わらずＲＦ信号を正しく検出するこ
とが可能である。

【０１０４】なお、図３０におけるリミッタアンプ７０
と全波整流回路２８の位置を入れ替えても同様な効果が
得られることはいうまでもない。

【０１０５】図３３は、全波整流型ＲＦディテクタ２０
の他の構成例を示す図である。この例では図３０のＲＦ
ディテクタ２０における全波整流後の高域成分を除去す
る手段をローパスフィルタ２９を用いずに実現してい
る。図３３において、全波整流回路２８の出力はまずコ
ンパレータ２４に入力され、その後遅延回路７１および
オアゲート７２により処理される。図３４は、図３３の
ＲＦディテクタ２０の動作波形図である。

【０１０６】図３４（ａ）のＲＦ信号は、リミッタアン
プ７０および全波整流回路２８により、図１８の場合と
同様に図３４（ｂ）（ｃ）のように順次処理される。図
３４（ｃ）に示す全波整流回路２８の出力は、コンパレ
ータ２４により図３４（ｄ）のように二値化される。コ
ンパレータ２４の出力は二分岐され、その一方は遅延回
路７１に入力されて図３４（ｅ）のように遅延され、他
方はオアゲート７２の一方の入力に与えられる。遅延回
路７１の出力は、オアゲート７２の他方の入力に与えら
れる。オアゲート７２の出力として、図３４（ｆ）のよ
うなＲＦ信号検出出力が得られる。

【０１０７】この図３３の例によれば、ローパスフィル
タやハイパスフィルタが不要であるため、図３４（ａ）
のＲＦ信号に対する図３４（ｆ）のＲＦ信号検出出力の
応答速度が非常に速くなり、またフィルタの要素である
キャパシタが不要となることで、ＩＣ化に一層有利とな
る。

【０１０８】なお、図２２におけるディテクタアンプ５
１、ピークディテクタ５２およびコンパレータ５３から
なるＲＦディテクタを、上述の図２３〜図３４で説明し
た記録回路３内の全波整流型ＲＦディテクタ２０に置き
換えてもよいことはいうまでもない。

【０１０９】以上説明した記録回路と消去回路を共通の
フォトディテクタ出力で制御する方式においては、記録
ヘッドと同じ位置に両回路の制御を行なうフォトディテ
クタを配置したが、消去ヘッドと同じ位置または消去ヘ
ッドと記録ヘッドの間にフォトディテクタを配置しても
良い。

【０１１０】その他、本発明は種々変形して実施が可能
であり、例えば実施例では消去制御の発光素子としてＬ
ＥＤを使用したが、他に例えばＥＬ素子、半導体レー
ザ、プラズマディスプレイ等の発光素子を使用してもよ
い。

【０１１１】また、実施例では回転ドラムタイプのＶＴ
Ｒの場合について説明したが、他のヘッド搭載方式であ
るディスクタイプあるいは中ドラムタイプ等の方式のＶ
ＴＲに適用も可能である。

【０１１２】さらに、本発明における消去回路と発振器
はそれぞれ個別のＩＣにして搭載するか、あるいは両者
を一体のＩＣにして搭載することも可能であり、それに
よって実装密度を上げることができる。記録回路と消去
回路と発振器を一体のＩＣにして搭載することも可能で
ある。

【０１１３】また、回転トランスと共通に接続する消去
回路の数に対応した回転トランスの複数回路巻線を回転
トランスの一つの巻線溝に配置しても良い。

【０１１４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
振器を含む一つまたは複数の消去回路を回転ドラムに搭
載したことにより、消去信号伝送用の回転トランスが不
要になるため、スキャナのメカニズムが簡単になり、信
頼性が増し、またこれによりシステムの小形・軽量化、
コストダウンを図ることができる。しかも、イナーシャ
が低減し、回転ドラムモータの負担が減り、かつ回転ド
ラムを高速に立ち上げることが可能となり、画像の送出
が速くなる。

【０１１５】また、本発明によれば回転ドラムに搭載さ
れる消去回路を、消去するトラックあるいは消去する範
囲に合わせて順次選択的に切替えて、能動、非能動状態
にしているので回路の低消費電力化が図れる。さらに低
消費電力化が可能となった結果、回路からの発熱による
メカニズムの精度の悪化が軽減される。

【０１１６】また、複数の消去回路とその消去信号源と
なる１つの発振器を共通接続して、消去ヘッドと共に回
転ドラムに搭載すれば、回路が簡単になり、かつ発振器
が１つだけでよいことにより低消費電力になる。

【０１１７】また、本発明では回転ドラムに搭載される
消去回路を消去するトラックまたは消去する範囲に合わ
せて順次能動／非能動状態に制御することで、回路の低
消費電力化が図られ、さらに低消費電力化に伴い、回路
からの発熱によるメカニズムの精度の悪化が軽減され
る。

【０１１８】さらに、固定ドラム側の発光素子と回転ド
ラム側の受光素子を用いて記録ヘッドが磁気テープに接
触する範囲を判定すると共に、記録情報信号の有無を検
出して記録回路の能動／非能動状態を制御する場合、こ
の記録回路のための制御系を利用して、記録ヘッドに先
行して消去を行うように消去回路を制御することによ
り、固定側の発光素子は記録用のみで良くなるので低消
費電力になり、それに伴う消去制御用発光素子の制御が
不要になる。

【０１１９】さらに、記録回路の制御と消去回路の制御
のためにテープに対するヘッドの接触期間を判定するの
に使用する受光素子を共用することで、回転ドラム内部
の回路が簡単になり配線も容易になって、低消費電力化
を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施例に係る磁気記録再生装
置におけるスキャナ部の概略構成図

【図２】 第１の実施例における電子回路部の構成を示
すブロック図

【図３】 第１の実施例における消去回路の切替え制御
動作の一連のタイムシーケンスを示す図

【図４】 本発明の第２の実施例に係る磁気記録再生装
置におけるスキャナ部の概略構成図

【図５】 第２の実施例における電子回路部の構成を示
すブロック図

【図６】 第２の実施例における消去回路の切替え制御
動作の一連のタイムシーケンスを示す図

【図７】 消去回路内の消去ヘッド駆動回路部の具体的
な回路構成図

【図８】 本発明における消去制御系の一実施例の構成
を説明するためのスキャナ部の概略断面図および模式的
平面図

【図９】 図８におけるフォトディテクタ出力に基づい
て消去回路を制御する制御回路を示す図

【図１０】 図９の制御回路の動作の一連のタイムシー
ケンスを示す図

【図１１】 本発明における消去制御系の他の実施例を
説明するためのスキャナ部の概略断面図および模式的平
面図

【図１２】 図１１における反射型フォトセンサの構成
例を示す図

【図１３】 本発明における消去制御系の別の実施例を
説明するためのスキャナ部の概略断面図および模式的平
面図

【図１４】 記録回路と消去回路の制御を行なうフォト
ディテクタを共用した場合の磁気記録再生装置のスキャ
ナ部の概略構成図

【図１５】 同実施例における消去回路と記録回路およ
び再生回路の切替え制御動作の一連のタイムシーケンス
を示す図

【図１６】 本発明における消去制御系のさらに別の実
施例を説明するためのスキャナ部の概略断面図および模
式的平面図

【図１７】 記録回路と消去回路の両方を共通のフォト
ディテクタ出力により制御する回路方式の一実施例を示
す図

【図１８】 記録回路と消去回路の両方を共通のフォト
ディテクタ出力により制御する回路方式の他の実施例を
示す図

【図１９】 図１７における記録回路の構成例を示すブ
ロック図

【図２０】 １トラック全てインサート記録する時の図
１９の記録回路内外の各部の動作シーケンスを示す図

【図２１】 １トラックを一部インサート記録する時の
図１９の記録回路内外の各回路部の動作シーケンスを示
す図

【図２２】 図１８における消去回路の構成例を示すブ
ロック図

【図２３】 図１７における記録回路の他の構成例を示
すブロック図

【図２４】 図２３における全波整流型ＲＦディテクタ
の構成例を示すブロック図

【図２５】 図２４の各部の動作波形を示す図

【図２６】 図２３における全波整流型ＲＦディテクタ
の構成例を示すブロック図

【図２７】 図２６の各部の動作波形を示す図

【図２８】 図２３における全波整流型ＲＦディテクタ
の構成例を示すブロック図

【図２９】 図２８の各部の動作波形を示す図

【図３０】 図２３における全波整流型ＲＦディテクタ
の構成例を示すブロック図

【図３１】 正弦波のＲＦ信号に対する図３０の各部の
動作波形を示す図

【図３２】 方形波のＲＦ信号に対する図３０の各部の
動作波形を示す図

【図３３】 図２３における全波整流型ＲＦディテクタ
の構成例を示すブロック図

【図３４】 図３３の各部の動作波形を示す図

【符号の説明】

Ｅ１，Ｅ２…消去ヘッド Ｒ１，Ｒ２…記
録ヘッド ３，３ａ，３ｂ…記録回路 ４ａ，４ｂ…再
生回路 ５，５ａ，５ｂ…消去回路 ６ａ，６ｂ…発
振器 ７ａ，７ｂ…消去ヘッド駆動回路 １３…消去用Ｌ
ＥＤ １４…消去制御回路 １５ａ，１５ｂ
…フォトディテクタ １６…Ｒ−Ｓフリップフロップ １７ａ，１７ｂ
…反射形フォトセンサ ２１…エミッタフォロワ ２２…ディテク
タアンプ ２３…ピークディテクタ ２４…コンパレ
ータ ２５…アンドゲート ２６…出力オフ
回路 ２７…アンプ ２８，２８ａ，
２８ｂ…全波整流回路 ２９…ローパスフィルタ ３０…ハイパス
フィルタ ４１…記録消去用ＬＥＤ列 ４２…再生用Ｌ
ＥＤ列 ４３ａ，４３ｂ…フォトディテクタ ４４ａ，４４ｂ
…フォトディテクタ ４５…記録再生消去制御回路

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/024 G11B 5/02 H04N 5/7826

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回転ドラムと、前記回転ドラムに搭載さ
   れ、該回転ドラムの周面に巻き付けられて走行する磁気
   テープ上に接触して情報信号の記録および再生を行うた
   めの複数の記録ヘッドおよび再生ヘッドと、 前記回転ドラムに搭載され、前記磁気テープ上のトラッ
   クに前記記録ヘッドより先行して接触して該磁気テープ
   に記録されている情報信号の消去を行うための複数の消
   去ヘッドと、前記回転ドラムに搭載され、前記記録ヘッドを記録すべ
   き情報信号に従ってそれぞれ駆動する複数の記録回路
   と、 前記回転ドラムに搭載され、前記消去ヘッドを消去信号
   に従ってそれぞれ駆動する複数の消去回路と、 前記回転ドラムに搭載され、前記消去回路に内蔵もしく
   は前記消去回路に個別あるいは共通に接続された消去信
   号源としての発振器と、 前記複数の記録ヘッドがそれぞれ前記磁気テープに接触
   する期間を判定する判定手段と、 前記複数の記録回路の各々に対応して前記回転ドラムの
   外部から伝送されてくる記録すべき情報信号の有無を検
   出する情報信号検出手段を含み、前記複数の記録回路の
   少なくとも出力段を、該記録回路に接続されている記録
   ヘッドが前記判定手段により前記磁気テープに接触して
   いると判定された期間中に前記情報信号検出手段で情報
   信号が検出された期間にのみ能動状態に制御するととも
   に、該記録回路に接続されている記録ヘッドに先行して
   前記磁気テープ上のトラックに接触する消去ヘッドを駆
   動するための消去回路を能動状態に制御する制御手段と
   を具備することを特徴とする回転走査型磁気記録再生装
   置。