JP3222009U - 真空大容量電子制御比例弁 - Google Patents

真空大容量電子制御比例弁 Download PDF

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Abstract

【課題】省エネと精密な真空強度調整を達成する真空大容量電子制御比例弁を提供する。【解決手段】弁台座11と、中間弁座12と、誘導台13からなる本体10は真空腔23を備え、真空腔内に主ダイヤフラム20を設け、主ダイヤフラムの上方には弾性部品201が設けられ誘導台に連結され、主ダイヤフラムの中央には真空弁ユニット22を備える排気誘導棒21が嵌設され、本体内には主通路30が設けられ、主通路は、誘導通路31とフィードバック通路32に通じ、誘導台の上方には、真空圧電磁弁131と、大気圧電磁弁132と、センサー133が設けられ、誘導台内は真空腔に通じる調整通路134を備え、大気誘導通路121は、主ダイヤフラムの下方空間に通じる中間弁座内に設けられる。排気誘導棒は、中間弁座の上方と組み合わされて第1真空破壊弁211を形成し、真空弁ユニットの上方は、弁台座内部の上部弁内壁111と組み合わされて第2真空破壊弁221を形成する。【選択図】図4

Description

本考案は真空大容量電子制御比例弁に関し、前記本体内部に設けられた排気誘導棒と真空弁ユニットに、大気圧を導入する大気誘導通路を組み合わせ、一次側圧力と二次側圧力を連通させる主通路と副通路によって、排気誘導棒を上下に移動させることにより真空強度を調整できることで、省エネ及び精密な真空強度調整の目的を達成する真空大容量電子制御比例弁に関する。
従来、自動化設備の分野において広く使用されていた真空電子制御比例弁は、図14に参照する通り、通常、物体に吸着する従来の設定孔91と、真空ポンプに連結させるための従来の真空孔92と、真空圧を調整するための従来の大気孔93を備え、図において矢印で表示している通り、通常、真空ポンプの作動時に、真空電子制御比例弁内部の通路が従来の設定孔91の圧力を吸着するとともに、流体が従来の真空孔92に流れることで真空状態が形成される。
真空電子制御比例弁の試験プロセスにおいて、作業員は、長年にわたって経験を積み重ねるとともに試験を繰り返すことではじめて、好ましい真空電子制御比例弁を作り出すことができるが、真空電子制御比例弁の構造内部の回路は比較的複雑であり、試験用の真空気圧管と装置を90度の直角になるように連結する必要があり、試験作業員は、まっすぐそのまま取り付ける方式で真空気圧管路と装置を連結して試験を実行することができないため、比較的多くの時間と労力を費やす必要がある。
現在、従来の真空電子制御比例弁内部の回路は、仮に内部の気圧回路を修正しようとする場合、その改良には多くの時間とお金がかかってしまう。外部の真空気圧管路の接続方法を変えることができても、各種部品の組み合わせを1つ1つ試験しなければならない。そのうち、真空調整におけるもともとのレベルの精密さを維持しなければならない場合、真空調整の関連部品を設計し直す必要があり、さらに大容量に適用される真空電子制御比例弁に使われる部品である場合、上述の管路の接続及び部品の組み合わせもさらに繁雑になる。よって、改善点が多く存在する。
本考案は、本体内部に設けられる第1真空破壊弁と第2真空破壊弁を排気誘導棒と組み合わせることで、真空強度を調整して減少させるとともに、同様に本体内部に設けられる第1弁と第2弁によって真空強度を調整して増加させることにより、従来の構造内部における複雑な回路の変更を減らすことができ、上述の各弁の開閉を前記排気誘導棒と組み合わせることにより、前記排気誘導棒を大容量の電子制御比例弁の真空調整に適用する際、真空圧の強度の精密な調整を可能にするとともに反応時間を短縮させることのできる真空大容量電子制御比例弁を提供することを目的とする。
本考案の真空大容量電子制御比例弁は、弁台座に中間弁座と誘導台が下から上に順に連結されてなる本体からなり、誘導台と中間弁座の間には、主ダイヤフラムが挟んで設けられることで真空腔が形成され、主ダイヤフラムの上方には、弾性部品が設けられ前記誘導台に連結されるとともに、主ダイヤフラムの中央には、真空弁ユニットを備える排気誘導棒が嵌設され、前記本体内部は、一次側圧力と二次側圧力を流通させるための主通路を備え、前記主通路は、さらに、誘導通路とフィードバック通路に通じるとともに、前記誘導台の上方には、前記誘導通路の開閉を制御する真空圧電磁弁と、大気圧電磁弁と、前記フィードバック通路を検出するためのセンサーが設けられるとともに、前記誘導台内部には、前記真空腔の上方にまで通じる調整通路が設けられ、前記調整通路の両端は、前記真空圧電磁弁と大気圧電磁弁にそれぞれ連結され、さらに、大気誘導通路が、前記中間弁座内における前記主ダイヤフラムにまで通じる下方空間に設けられることで、大気圧を流通させるのに用いられる。
一次側圧力が誘導通路を通り、真空圧電磁弁と連携して作動することで真空圧が生じて真空腔内にまで流れると、前記調整通路が遮断されることにより、前記真空腔内の主ダイヤフラムは水平位置にまで戻った後、定常圧力状態を形成し、前記排気誘導棒は、前記中間弁座の上方と組み合わされて第1真空破壊弁を形成し、前記真空弁ユニットの上方は、前記弁台座内部の上部弁内壁と組み合わされて第2真空破壊弁を形成することで、前記大気圧電磁弁の大気口から外部大気圧を導入して第1真空破壊弁及び第2真空破壊弁を押動することにより、本体内部の真空強度がさらに迅速に減少することで、真空吸着を減少させるための反応時間を短縮することができる。
前記弁台座内部には棒挿入台がさらに設けられ、前記棒挿入台は、前記排気誘導棒の下方と組み合わされて第1弁を形成し、前記真空圧電磁弁が作動し続けて真空圧が生じることで前記第1弁をオンにすることができることにより、前記一次側圧力は、副通路を通り二次側圧力を形成するとともに、前記真空弁ユニットの下方は、前記弁台座内部の下部弁内壁と組み合わされて第2弁を形成し、前記第2弁は、前記一次側圧力を加速させて二次側圧力に導入するとともに、前記第2弁は、さらに第3弁をオフにすることができることで、本体内部の真空強度がさらに迅速に増加される。
従って、本考案の真空大容量電子制御比例弁は、効果的に真空吸着の反応時間を短縮させることができることで、省エネ及び真空強度を精密に調整する目的を達成することができる。
本考案の斜視図である。 本考案を別の角度から見た場合の斜視図である。 本考案の回路図である。 本考案における準備状態時の構造を示した図である。 本考案における圧力が安定した状態時の構造を示した図である。 本考案における第1段階の真空強度減少を示した図である。 本考案における図6の部分拡大図である。 本考案における第2段階の真空強度減少を示した図である。 本考案における図8の部分拡大図である。 本考案における第1段階の真空強度増加を示した図である。 本考案における図10の部分拡大図である。 本考案における第2段階の真空強度増加を示した図である。 本考案における図12の部分拡大図である。 従来技術を示した図である。
本考案の、前記最も好ましい実行可能な前記実施例に基づき、図1〜図4を組み合わせて詳しく説明することで、本考案について理解を深めることができるものとする。
本考案は、本体10と、大気誘導通路121と、からなる真空大容量電子制御比例弁であって、本体10は、弁台座11に中間弁座12と誘導台13が下から上に順に連結されてなり、誘導台13と中間弁座12の間には、主ダイヤフラム20が挟んで設けられて真空腔23が形成され、前記主ダイヤフラム20の上方には、弾性部品201が設けられて誘導台13に連結され、主ダイヤフラム20の中央には、真空弁ユニット22を備える排気誘導棒21が嵌設され、前記真空弁ユニット22は、主に、2つの凸型部品222における凸面がそれぞれ相対してばね223と組み合わされてなり、前記凸型部品222の内部は、貫通式の設計であることで、前記排気誘導棒21をその中に配置することができるとともに、排気誘導棒21の側縁上方と側縁下方の2つの部分に凸型ストッパー224がそれぞれ設けられることにより、前記排気誘導棒21における上下移動の動作のプロセスを制限することができる。
上述の本体10内部は、さらに、一次側圧力P1と二次側圧力P2を流通させるための主通路30を備え、この主通路30は、さらに、誘導通路31とフィードバック通路32に通じ、前記誘導台13の上方には、誘導通路31の開閉を制御する真空圧電磁弁131と、大気圧電磁弁132と、前記フィードバック通路32を検出するためのセンサー133がさらに設けられ、前記誘導台13内には、さらに、調整通路134が設けられて前記真空腔23の上方にまで通じ、前記調整通路134の両端は、前記真空圧電磁弁131と前記大気圧電磁弁132にそれぞれ連結される。
大気誘導通路121は、中間弁座12内に設けられ、主ダイヤフラム20の下方空間にまで通じることで、大気圧PPが流通し、一次側圧力P1が誘導通路32を通り、真空圧電磁弁131と連携して作動することで、真空圧PTが生じて真空腔23内にまで流れると、調整通路134が遮断されることにより、真空腔23内の主ダイヤフラム20は、水平位置にまで戻った後、定常圧力を形成する。
前記排気誘導棒21は、中間弁座12の上方に位置し、第1真空破壊弁211を設け、前記真空弁ユニット22の上方は、前記弁台座11内部の上部弁内壁111と組み合わされて、第2真空破壊弁221を別に設けることで、大気圧電磁弁132の大気口1321から外部大気圧PPを導入して前記第1真空破壊弁211及び前記第2真空破壊弁221を押動することにより、さらに迅速に前記本体10内部の真空強度の幅が減少することで、真空吸着を減少させるための反応時間を短縮することができる。
前記弁台座11内部には、棒挿入台40がさらに設けられ、前記棒挿入台40は、前記排気誘導棒21の下方と組み合わされて第1弁41を形成し、真空圧電磁弁131が作動を続けて真空圧PTが生じることで、第1弁41をオンにすることができることにより、一次側圧力P1は、副通路33を通り二次側圧力P2を形成し、第1段階の真空強度増加を行うとともに、真空弁ユニット22の下方は、弁台座11内部の下部弁内壁112と組み合わされて第2弁42を形成し、前記第2弁42は、一次側圧力P1を加速させて二次側圧力P2内に導入することで、第2段階の真空強度増加を行うことができ、本体10内部の真空強度の幅はさらに迅速に増加する。
参照する図1〜図2は、本体10に設けられる連結端であり、前記連結端は、物品の設定孔Oと、真空ポンプに連結される真空孔Vと、大気圧を調整する大気孔Aをそれぞれ吸着し、内部構造の設計により、試験用の管線に連結した後、設定孔Oからまっすぐ伸びて真空孔Vから直接出るように変更することで、従来の構造である90度に曲げる特別な方法で試験を行う必要がなくなり、繁雑且つ繰り返し行わなければならない試験作業における不便さを改善することができる。
参照する図3は、真空圧電磁弁131と、大気圧電磁弁132と、センサー133であり、主に、制御回路Pは、電源PRを通り駆動されると、入力信号PI及び出力信号POを設定し、制御回路Pが関連する圧力表示PSを表示させることで、真空圧電磁弁131と大気圧電磁弁132を駆動させ、センサー133は、主に、二次側圧力P2の真空圧を検出するのに用いられ、二次側圧力P2の設定値を超える場合または設定値より低い場合、データが制御回路Pにフィードバックされ、真空圧電磁弁131と大気圧電磁弁132の間で判別が行われるとともに、制御回路Pによって、後に続く関連制御動作を駆動させるが、この一部の操作は、一般的な方法であるため、贅言することはしない。
参照する図4は、本考案の準備状態における真空圧電磁弁131と大気圧電磁弁132の未起動状態を示した図であり、主通路30内の第1弁41と第2弁42も遮断され、大気誘導通路121における一部の大気圧PPは、主ダイヤフラム20の下方に流れるが、主ダイヤフラム20は、上方の弾性部品201から弾性予圧を受けて、主ダイヤフラム20は水準以下に保たれることで、大気圧PPは、第1真空破壊弁211を通り二次側圧力P2にまで流れ、この時、二次側圧力P2と大気圧PPは等しくなる。ここで説明する水準は、主ダイヤフラム20の両端を基準とし、さらに、主ダイヤフラム20の中央と両端を基準として比較後の説明を行う。
参照する図5は、定常圧力であり、真空吸着の目的が達成されると、センサー133は、関連データを制御回路Pに送信し、さらに真空圧電磁弁131を遮断し、真空腔23と調整通路134内に位置する真空圧PTは、安定状態に保たれ、この時の弾性部品201も、大気誘導通路121から入る大気圧PPと互いに主ダイヤフラム20に圧力をかけることで、主ダイヤフラム20は水平に戻り、本体10全体における内部の真空が維持される。
参照する図6〜図7は、第1段階の真空強度減少の状態を示した図であり、まず、大気圧電磁弁132をオンにし、大気口1321から導入される外部大気圧PPが調整通路134を通り真空腔23内に入ることで、もともと水平に保たれていた主ダイヤフラム20が下に移動し、第1真空破壊弁211を徐々にオンにすることで、大気誘導通路121内の大気圧PPは、排気誘導棒21に沿って下に進み第1真空破壊弁211を通ることで、第1段階の内部における真空強度減少を行うことができる。
参照する図8〜図9は、第2段階の真空強度減少の状態を示した図であり、大気圧電磁弁132を引き続きオンにする場合、大気口1321はさらに大きな大気圧PPを導入することで、主ダイヤフラム20は、引き続き下に移動し、前記排気誘導棒21の凸型ストッパー224は、第2真空破壊弁221を押動してオンにする。この時、第2真空破壊弁221の下方に位置する大気通路113には、さらに大きな大気圧PPが入ることで、内部の真空強度の幅は急速に減少し、主ダイヤフラム20が下に移動し前記真空腔23の底部にまでくると、前記大気誘導通路121に入る大気圧PPの流量は最小にまで減少すると同時に、大気通路121に入る大気圧PPの流量は、最大にまで増加する。
参照する図10〜図11は、第1段階の真空強度増加の状態を示した図であり、真空圧電磁弁131をオンにすると、一次側圧力P1は、真空圧電磁弁131と組み合わされて誘導通路31と調整通路134を通り、前記真空腔23内にまで流れて真空圧PTを形成し、前記主ダイヤフラム20と排気誘導棒21をも動かして上に移動させる。この時の第1弁41もオンにされることで、一次側圧力P1は、第1弁41を通り副通路33に沿って二次側圧力P2を形成し、第1段階の真空強度増加が行われる。
参照する図12〜図13に示す通り、前記下部弁内壁112は、さらに、第2弁42の上方に設けられる第3弁43を備え、前記第3弁43は、主に、第2弁42の開閉状態と組み合わされて同時に作動し、真空圧電磁弁131を引き続きオンにすることで、主ダイヤフラム20は上に移動し真空腔23の頂端にまでくると、第2段階の真空強度増加の状態が形成され、排気誘導棒21は、真空弁ユニット22の下方の凸型部品222を動かして上に移動させることで、第2弁42と第3弁43は、同時にオンにされ、さらに大きな一次側圧力P1が二次側圧力P2に流れて、第2段階の真空強度増加が行われ、真空強度増加の反応時間がさらに短縮される。
要約すると、本考案の真空大容量電子制御比例弁は、大気誘導通路121に排気誘導棒21を組み合わせる設計により、外部の空気が第1真空破壊弁211と第2真空破壊弁221から二次側圧力P2に流れるようにすることで、真空強度を調整し減少させ、さらに、排気誘導棒を適用し真空弁ユニット22と組み合わせて連動させ、第1弁41、第2弁42、第3弁43による真空強度増加のプロセスを加速させることができることで、強度調整の反応時間が改善されるとともに、さらに大容量の電子制御比例弁に適用することができるだけでなく、従来の複雑な通気回路が簡略化されることで試験における不便さが解消される。
10 本体
11 弁台座
111 上部弁内壁
112 下部弁内壁
113 大気通路
12 中間弁座
121 大気誘導通路
13 誘導台
131 真空圧電磁弁
132 大気圧電磁弁
1321 大気口
133 センサー
134 調整通路
20 主ダイヤフラム
201 弾性部品
21 排気誘導棒
211 第1真空破壊弁
22 真空弁ユニット
221 第2真空破壊弁
222 凸型部品
223 ばね
224 凸型ストッパー
23 真空腔
30 主通路
31 誘導通路
32 フィードバック通路
33 副通路
40 棒挿入台
41 第1弁
42 第2弁
43 第3弁
A 大気孔
O 設定孔
V 真空孔
P1 一次側圧力
P2 二次側圧力
PP 大気圧
PT 真空圧
P 制御ループ
PR 電源
PI 入力信号
PS 圧力表示
PO 出力信号
91 従来の設定孔
92 従来の真空孔
93 従来の大気孔

Claims (3)

  1. 本体と、大気誘導通路と、からなる真空大容量電子制御比例弁であって、前記本体は、弁台座に中間弁座と誘導台が下から上に順に連結されてなり、前記誘導台と前記中間弁座の間には、主ダイヤフラムが挟んで設けられて真空腔が形成され、前記主ダイヤフラムの上方には、弾性部品が設けられて前記誘導台に連結され、前記主ダイヤフラムの中央には、真空弁ユニットを備える排気誘導棒が嵌設され、前記本体の内部は、一次側圧力と二次側圧力を流通させるための主通路を備え、前記主通路は、さらに、誘導通路とフィードバック通路に通じ、前記誘導台の上方には、さらに、前記誘導通路の開閉を制御する真空圧電磁弁と、大気圧電磁弁と、前記フィードバック通路を検出するためのセンサーが設けられ、前記誘導台内部には、前記真空腔の上方にまで通じる調整通路がさらに設けられ、前記調整通路の両端は、前記真空圧電磁弁と前記大気圧電磁弁にそれぞれ連結され、
    前記大気誘導通路は、前記主ダイヤフラムの下方空間にまで通じる前記中間弁座内に設けられることで、大気圧を流通させ、
    前記一次側圧力が前記誘導通路を通り、前記真空圧電磁弁と連携して作動することで真空圧が生じ前記真空腔内にまで流れると、前記調整通路が遮断されることにより、前記真空腔内の前記主ダイヤフラムは、水平位置にまで戻った後、定常圧力状態を形成し、前記排気誘導棒は、前記中間弁座の上方と組み合わされて第1真空破壊弁を形成し、前記真空弁ユニットの上方は、前記弁台座内部の上部弁内壁と組み合わされて第2真空破壊弁を形成することで、前記大気圧電磁弁の大気口から外部大気圧を導入して前記第1真空破壊弁及び前記第2真空破壊弁を押動することにより、前記本体内部の真空強度の幅がさらに迅速に減少することで、真空吸着を減少させるための反応時間が短縮され、前記弁台座内部には、棒挿入台がさらに設けられ、前記棒挿入台は、前記排気誘導棒の下方と組み合わされて第1弁を形成し、前記真空圧電磁弁を作動させ続けて真空圧を生じさせることで、前記第1弁をオンにすることにより、前記一次側圧力は、副通路を通り前記二次側圧力を形成するとともに、前記真空弁ユニットの下方は、前記弁台座内部の下部弁内壁と組み合わされて第2弁を形成し、さらに、第3弁が、前記第2弁の上方に設けられ、前記第2弁と前記第3弁は、同時に開閉を行うことで、前記一次側圧力は、加速されて前記二次側圧力に導入され、前記本体内部の真空強度の幅はさらに迅速に増加することを特徴とする、真空大容量電子制御比例弁。
  2. 前記弾性部品は、ばねであることを特徴とする、請求項1に記載の真空大容量電子制御比例弁。
  3. 前記真空弁ユニットは、2つの凸型部品の凸面が相対してばねと組み合わされてなり、前記凸型部品の内部は、貫通式の設計であることで、前記排気誘導棒は、その中に配置されるとともに、前記排気誘導棒の側縁上方と側縁下方の2つの部分には、凸型ストッパーがそれぞれ設けられることにより、前記排気誘導棒の上下移動のプロセスが制御されることを特徴とする、請求項1に記載の真空大容量電子制御比例弁。
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