JP3219208B2 - ビスフェノールａの製造方法 - Google Patents
ビスフェノールａの製造方法Info
- Publication number
- JP3219208B2 JP3219208B2 JP12677292A JP12677292A JP3219208B2 JP 3219208 B2 JP3219208 B2 JP 3219208B2 JP 12677292 A JP12677292 A JP 12677292A JP 12677292 A JP12677292 A JP 12677292A JP 3219208 B2 JP3219208 B2 JP 3219208B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phenol
- bisphenol
- film evaporator
- centrifugal thin
- adduct
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はビスフェノ−ルＡの製造
方法に関する。詳しくは、ビスフェノ−ルＡとフェノ−
ルとの付加物からフェノ−ルを除去して高純度のビスフ
ェノ−ルＡを製造する方法に関する。
方法に関する。詳しくは、ビスフェノ−ルＡとフェノ−
ルとの付加物からフェノ−ルを除去して高純度のビスフ
ェノ−ルＡを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノ−ルＡ、すなわち２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンは、常温固体の
化合物であり、アセトンと過剰のフェノ−ルを塩酸、酸
性陽イオン交換樹脂等の酸性触媒の存在下に反応させて
得られる。この反応混合物からビスフェノ−ルＡを回収
する方法の一つは、反応混合物から水及び／又は触媒を
除去したのち、これを冷却してビスフェノ−ルＡとフェ
ノ−ルの付加物を析出させ、この結晶を母液と分離し、
次いで脱フェノ−ル処理してビスフェノ−ルＡを回収す
る方法である。ここで行う脱フェノ−ル処理方法として
は、特開平３−９５１３５号公報に示されるように、遠
心薄膜蒸発器を使用する方法が一般的である。この方法
は高温に長時間さらされることがないため、ビスフェノ
−ルＡの分解や着色を最小に押さえることができるとい
う点で有利な方法であるが、運転中に結晶が析出し、安
定な運転ができないことがある。
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンは、常温固体の
化合物であり、アセトンと過剰のフェノ−ルを塩酸、酸
性陽イオン交換樹脂等の酸性触媒の存在下に反応させて
得られる。この反応混合物からビスフェノ−ルＡを回収
する方法の一つは、反応混合物から水及び／又は触媒を
除去したのち、これを冷却してビスフェノ−ルＡとフェ
ノ−ルの付加物を析出させ、この結晶を母液と分離し、
次いで脱フェノ−ル処理してビスフェノ−ルＡを回収す
る方法である。ここで行う脱フェノ−ル処理方法として
は、特開平３−９５１３５号公報に示されるように、遠
心薄膜蒸発器を使用する方法が一般的である。この方法
は高温に長時間さらされることがないため、ビスフェノ
−ルＡの分解や着色を最小に押さえることができるとい
う点で有利な方法であるが、運転中に結晶が析出し、安
定な運転ができないことがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、ビスフェノ
−ルＡとフェノ−ルの付加物から遠心薄膜蒸発器を使用
して、長期、安定してフェノ−ルを蒸発除去し、ビスフ
ェノ−ルＡを製造することを目的とする。
−ルＡとフェノ−ルの付加物から遠心薄膜蒸発器を使用
して、長期、安定してフェノ−ルを蒸発除去し、ビスフ
ェノ−ルＡを製造することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、遠心薄膜
蒸発器の運転不調についての原因を検討し、これは遠心
薄膜蒸発器にビスフェノ−ルＡの結晶が析出することが
原因であることを突き止めると共に、これを防止するた
めには遠心薄膜蒸発器の圧力を一定以上に保てばよいこ
とを見出し、本発明本発明を完成した。
蒸発器の運転不調についての原因を検討し、これは遠心
薄膜蒸発器にビスフェノ−ルＡの結晶が析出することが
原因であることを突き止めると共に、これを防止するた
めには遠心薄膜蒸発器の圧力を一定以上に保てばよいこ
とを見出し、本発明本発明を完成した。
【０００６】すなわち、本発明は、ビスフェノールＡと
フェノールの付加物からフェノールを除去してビスフェ
ノールＡを製造する方法において、該付加物を４５Torr
以上（６０Torr以下を除く）の圧力に保持された遠心薄
膜蒸発器に装入してフェノールを蒸発除去することを特
徴とするビスフェノールＡの製造方法である。
フェノールの付加物からフェノールを除去してビスフェ
ノールＡを製造する方法において、該付加物を４５Torr
以上（６０Torr以下を除く）の圧力に保持された遠心薄
膜蒸発器に装入してフェノールを蒸発除去することを特
徴とするビスフェノールＡの製造方法である。
【０００７】ビスフェノ−ルＡとフェノ−ルの付加物
は、アセトンとフェノ−ルの反応混合物を、必要により
低沸点物除去、触媒除去等を行ったのち、冷却すること
により結晶として析出させることができる。この結晶
は、更に必要によりフェノ−ルで再結晶したり、洗浄す
ることにより不純物の殆どを除去することができる。本
発明で対象とする付加物は、このようにして得られたも
のであり、なるべく高純度の付加物が好ましい。
は、アセトンとフェノ−ルの反応混合物を、必要により
低沸点物除去、触媒除去等を行ったのち、冷却すること
により結晶として析出させることができる。この結晶
は、更に必要によりフェノ−ルで再結晶したり、洗浄す
ることにより不純物の殆どを除去することができる。本
発明で対象とする付加物は、このようにして得られたも
のであり、なるべく高純度の付加物が好ましい。
【０００８】この付加物からフェノ−ルを除去するた
め、遠心薄膜蒸発器に装入する。従来、遠心薄膜蒸発器
の運転条件は、残存フェノ−ル類の低減に主眼がおか
れ、そのため３０Ｔｏｒｒ以下の高真空で運転されてい
る。ところが、この付加物は少なくとも３０ｗｔ％以上
のフェノ−ルを含むため、いきなり高真空の遠心薄膜蒸
発器に装入すると、フェノ−ルが短時間に多量に蒸発
し、その結果蒸発潜熱により液の温度が低下し、ビスフ
ェノ−ルＡの結晶が析出することが認められた。付加物
の遠心薄膜蒸発器への装入温度を低くすることにより蒸
発を押さえ、残存フェノ−ルにビスフェノ−ルＡを溶解
させることにより、装入部での結晶の析出は防止できる
が、その後の蒸発部でフェノ−ルが蒸発していくとき、
残存フェノ−ルと液温度の関係で結晶が析出する。装入
部で結晶が析出した場合は、遠心薄膜蒸発器の回転部に
結晶が付着し、回転がアンバランスになり、遠心薄膜蒸
発器自体に振動又は遠心力が生じて安定運転ができなく
なる。また、蒸発部で結晶が析出した場合、遠心薄膜蒸
発器の回転翼と胴体の間に結晶がかみこみ、異常な力が
モ−タにかかって安定運転ができなくなる。
め、遠心薄膜蒸発器に装入する。従来、遠心薄膜蒸発器
の運転条件は、残存フェノ−ル類の低減に主眼がおか
れ、そのため３０Ｔｏｒｒ以下の高真空で運転されてい
る。ところが、この付加物は少なくとも３０ｗｔ％以上
のフェノ−ルを含むため、いきなり高真空の遠心薄膜蒸
発器に装入すると、フェノ−ルが短時間に多量に蒸発
し、その結果蒸発潜熱により液の温度が低下し、ビスフ
ェノ−ルＡの結晶が析出することが認められた。付加物
の遠心薄膜蒸発器への装入温度を低くすることにより蒸
発を押さえ、残存フェノ−ルにビスフェノ−ルＡを溶解
させることにより、装入部での結晶の析出は防止できる
が、その後の蒸発部でフェノ−ルが蒸発していくとき、
残存フェノ−ルと液温度の関係で結晶が析出する。装入
部で結晶が析出した場合は、遠心薄膜蒸発器の回転部に
結晶が付着し、回転がアンバランスになり、遠心薄膜蒸
発器自体に振動又は遠心力が生じて安定運転ができなく
なる。また、蒸発部で結晶が析出した場合、遠心薄膜蒸
発器の回転翼と胴体の間に結晶がかみこみ、異常な力が
モ−タにかかって安定運転ができなくなる。
【０００９】本発明で使用する遠心薄膜蒸発器の１例を
図１に示す。図中、１は胴体、２は原料装入ライン、３
は蒸気出口ライン、４は液出口ラインであり、胴体１の
内部には回転翼が胴体の内壁に近接して回転するように
設けられている。そして、蒸気出口ラインは真空系と連
絡している。また、必要によりこの遠心薄膜蒸発器は複
数連続して設けることもできる。そして、この遠心薄膜
蒸発器は４５Ｔｏｒｒ以上、好ましくは５０Ｔｏｒｒ以
上の圧力に保って運転される。圧力の上限はないが、脱
フェノ−ルを短時間で、効率よく行うという目的から
は、低い方が好ましいので、１００Ｔｏｒｒ以下の減圧
とすることがよい。また、遠心薄膜蒸発器はジャケット
等により加熱され、所定温度に保たられるが、ビスフェ
ノ−ルＡの熱分解等を防止するため約１７０〜２２０℃
に保つことがよいとされる。
図１に示す。図中、１は胴体、２は原料装入ライン、３
は蒸気出口ライン、４は液出口ラインであり、胴体１の
内部には回転翼が胴体の内壁に近接して回転するように
設けられている。そして、蒸気出口ラインは真空系と連
絡している。また、必要によりこの遠心薄膜蒸発器は複
数連続して設けることもできる。そして、この遠心薄膜
蒸発器は４５Ｔｏｒｒ以上、好ましくは５０Ｔｏｒｒ以
上の圧力に保って運転される。圧力の上限はないが、脱
フェノ−ルを短時間で、効率よく行うという目的から
は、低い方が好ましいので、１００Ｔｏｒｒ以下の減圧
とすることがよい。また、遠心薄膜蒸発器はジャケット
等により加熱され、所定温度に保たられるが、ビスフェ
ノ−ルＡの熱分解等を防止するため約１７０〜２２０℃
に保つことがよいとされる。
【００１０】このような遠心薄膜蒸発器に原料ライン２
から装入されたビスフェノ−ルＡとフェノ−ルの付加物
は、加熱され、フェノ−ルは蒸発され、蒸気出口ライン
から排出され、液出口ラインからビスフェノ−ルＡ又は
この後に次の遠心薄膜蒸発器等が続くときはビスフェノ
−ルＡとフェノ−ルの混合液が排出される。この際、遠
心薄膜蒸発器の圧力を５０Ｔｏｒｒ以上としたため、遠
心薄膜蒸発器内での結晶析出による運転不安定が生じな
い。
から装入されたビスフェノ−ルＡとフェノ−ルの付加物
は、加熱され、フェノ−ルは蒸発され、蒸気出口ライン
から排出され、液出口ラインからビスフェノ−ルＡ又は
この後に次の遠心薄膜蒸発器等が続くときはビスフェノ
−ルＡとフェノ−ルの混合液が排出される。この際、遠
心薄膜蒸発器の圧力を５０Ｔｏｒｒ以上としたため、遠
心薄膜蒸発器内での結晶析出による運転不安定が生じな
い。
【００１１】
【作用】図２は、上記構造の遠心薄膜蒸発器について、
圧力、温度、液相中のビスフェノ−ルＡ濃度（ＢＰＡ濃
度）の関係を調べたものである。そのＢＰＡ濃度におけ
る結晶析出限界以上の温度であれば、結晶は析出せず何
も問題は生じないが、現実には多少結晶が析出しても運
転には支障がなく、図２に示す２０ｗｔ％以下の結晶濃
度であれば、問題は生じないことが認められた。したが
って、５０Ｔｏｒｒ以上であれば、殆どのＢＰＡ濃度に
おいて結晶濃度が２０ｗｔ％を越えず、問題が生じるこ
とがないことが分かる。また、遠心薄膜蒸発器の形状、
壁面温度あるいは付加物の装入速度、温度等によって、
適切な圧力は多少変動することがあるが、上記のように
温度の上限があり、脱フェノ−ルを可及的短時間、且つ
効率よく行うという目的から、５０Ｔｏｒｒ以上という
条件を保持することは有効であり、より好ましくは、図
２の結晶濃度２０ｗｔ％を越えない条件で行うことであ
る。なお、本発明の結晶濃度２０ｗｔ％は、計算値を意
味する。
圧力、温度、液相中のビスフェノ−ルＡ濃度（ＢＰＡ濃
度）の関係を調べたものである。そのＢＰＡ濃度におけ
る結晶析出限界以上の温度であれば、結晶は析出せず何
も問題は生じないが、現実には多少結晶が析出しても運
転には支障がなく、図２に示す２０ｗｔ％以下の結晶濃
度であれば、問題は生じないことが認められた。したが
って、５０Ｔｏｒｒ以上であれば、殆どのＢＰＡ濃度に
おいて結晶濃度が２０ｗｔ％を越えず、問題が生じるこ
とがないことが分かる。また、遠心薄膜蒸発器の形状、
壁面温度あるいは付加物の装入速度、温度等によって、
適切な圧力は多少変動することがあるが、上記のように
温度の上限があり、脱フェノ−ルを可及的短時間、且つ
効率よく行うという目的から、５０Ｔｏｒｒ以上という
条件を保持することは有効であり、より好ましくは、図
２の結晶濃度２０ｗｔ％を越えない条件で行うことであ
る。なお、本発明の結晶濃度２０ｗｔ％は、計算値を意
味する。
【００１２】
【実施例】参考例１ ビスフェノールＡ７０wt％、フェノール３０wt％からな
る付加物を１５０℃に予熱し、図1に示すような遠心薄
膜蒸発器に装入した。遠心薄膜蒸発器はジャケットの２
００℃の蒸気により加熱され、50Torrに保持された。こ
のとき、液出口ライン4から抜き出された液中のフェノ
ール濃度は４wt％であった。また、この条件で運転され
た遠心薄膜蒸発器は、３０日間、振動、遠心力の発生、
モータの過負荷等の異常現象は起きず、安定運転が継続
できた。更に、付加物を１３０℃に予熱して遠心薄膜蒸
発器に装入した他は、上記と同様にして行ったときは、
液中のフェノール濃度は４．３wt％であったが、この場
合も同様に安定運転が継続できた。
る付加物を１５０℃に予熱し、図1に示すような遠心薄
膜蒸発器に装入した。遠心薄膜蒸発器はジャケットの２
００℃の蒸気により加熱され、50Torrに保持された。こ
のとき、液出口ライン4から抜き出された液中のフェノ
ール濃度は４wt％であった。また、この条件で運転され
た遠心薄膜蒸発器は、３０日間、振動、遠心力の発生、
モータの過負荷等の異常現象は起きず、安定運転が継続
できた。更に、付加物を１３０℃に予熱して遠心薄膜蒸
発器に装入した他は、上記と同様にして行ったときは、
液中のフェノール濃度は４．３wt％であったが、この場
合も同様に安定運転が継続できた。
【００１３】比較例１ 付加物を１５０℃に予熱して４０Ｔｏｒｒに保たれた遠
心薄膜蒸発器に装入した他は、実施例１と同様にして行
った。このときは、液中のフェノ−ル濃度は２．７ｗｔ
％であったが、遠心薄膜蒸発器は８日目に振動、遠心力
の発生が起こり、安定運転が不能となった。しかし、遠
心薄膜蒸発器の減圧度を６００Ｔｏｒｒまで落とし、液
の温度を１９０℃まで上げたところ、これが解消され
た。更に、付加物を１３０℃に予熱して４０Ｔｏｒｒに
保たれた遠心薄膜蒸発器に装入した他は、実施例１と同
様にして行った。このときは、液中のフェノ−ル濃度は
２．７ｗｔ％であったが、遠心薄膜蒸発器は２日目にモ
−タの過負荷が起こり、運転が不能となった。
心薄膜蒸発器に装入した他は、実施例１と同様にして行
った。このときは、液中のフェノ−ル濃度は２．７ｗｔ
％であったが、遠心薄膜蒸発器は８日目に振動、遠心力
の発生が起こり、安定運転が不能となった。しかし、遠
心薄膜蒸発器の減圧度を６００Ｔｏｒｒまで落とし、液
の温度を１９０℃まで上げたところ、これが解消され
た。更に、付加物を１３０℃に予熱して４０Ｔｏｒｒに
保たれた遠心薄膜蒸発器に装入した他は、実施例１と同
様にして行った。このときは、液中のフェノ−ル濃度は
２．７ｗｔ％であったが、遠心薄膜蒸発器は２日目にモ
−タの過負荷が起こり、運転が不能となった。
【００１４】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、ビスフェノ
−ルＡとフェノ−ルの付加物から、遠心薄膜蒸発器を用
いて、長期間、安定にフェノ−ルを蒸発除去して、高純
度のビスフェノ−ルＡを得ることができる。
−ルＡとフェノ−ルの付加物から、遠心薄膜蒸発器を用
いて、長期間、安定にフェノ−ルを蒸発除去して、高純
度のビスフェノ−ルＡを得ることができる。
【図１】遠心薄膜蒸発器の概略図
【図２】液相中のビスフェノ−ルＡ濃度と温度の関係を
示すグラフ
示すグラフ
１ 胴体 ２ 原料装入ライン ３ 蒸気出口ライン ４ 液出口ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 捷征 福岡県宗像市大穂1007 審査官 星野 紹英 (56)参考文献 特開 平５−117193（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−117192（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−32577（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−95135（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 39/16 C07C 37/70 C07C 37/84
Claims (2)
- 【請求項１】 ビスフェノールＡとフェノールの付加物
からフェノールを除去してビスフェノールＡを製造する
方法において、該付加物を４５Torr以上（６０Torr以下
を除く）の圧力に保持された遠心薄膜蒸発器に装入して
フェノールを蒸発除去することを特徴とするビスフェノ
ールＡの製造方法。 - 【請求項２】 ビスフェノールＡとフェノールの付加物
からフェノールを除去してビスフェノールＡを製造する
方法において、該付加物を４５Torr以上（６０Torr以下
を除く）の圧力に保持された遠心薄膜蒸発器に装入し、
且つ液相中の結晶濃度が２０wt％を越えない条件でフェ
ノールを蒸発除去することを特徴とするビスフェノール
Ａの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12677292A JP3219208B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | ビスフェノールａの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12677292A JP3219208B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | ビスフェノールａの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05294874A JPH05294874A (ja) | 1993-11-09 |
| JP3219208B2 true JP3219208B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=14943552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12677292A Expired - Lifetime JP3219208B2 (ja) | 1992-04-20 | 1992-04-20 | ビスフェノールａの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219208B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4539012B2 (ja) | 2002-08-08 | 2010-09-08 | 三菱化学株式会社 | フェノールを含むビスフェノールａの精製方法 |
-
1992
- 1992-04-20 JP JP12677292A patent/JP3219208B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05294874A (ja) | 1993-11-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5767311A (en) | Method and apparatus for preparing purified terephtalic acid | |
| US4533764A (en) | Purification of bisphenols by removing residual solvent | |
| JP4055210B2 (ja) | アリールシアネートの製造方法 | |
| JP3219208B2 (ja) | ビスフェノールａの製造方法 | |
| JPS59231033A (ja) | ビスフエノ−ルａの精製方法 | |
| US4950805A (en) | Process for washing and obtaining solids of slurry | |
| US4242527A (en) | Process for purifying crude diphenols | |
| JP2016020370A (ja) | 二無水糖の回収及び精製 | |
| JP2009242316A (ja) | ビスフェノールａの製造方法 | |
| JP3294339B2 (ja) | ビスフェノールａの製造方法 | |
| EP0373730B1 (en) | Process for purifying bisphenols | |
| JPS5928539B2 (ja) | ビスフエノ−ルビスクロロ炭酸エステルの製造法 | |
| WO2007094124A1 (ja) | ビスフェノールａの製造方法 | |
| EP3558916B1 (en) | Method for manufacturing of bisphenol a | |
| JP2008195918A (ja) | 芳香族ポリカーボネート樹脂の製造方法 | |
| JP3294316B2 (ja) | ビスフェノールａの製造方法 | |
| JP2931621B2 (ja) | 結晶廃液からグリシン及び芒硝の回収 | |
| WO2007088689A1 (ja) | ビスフェノールａの回収方法および回収設備 | |
| JPH11116519A (ja) | ビスフェノール−フェノール付加物で汚損された晶出冷却器の汚損を取り除く改善された方法 | |
| US3821294A (en) | Process for producing very pure tetra chlorobisphenol a | |
| US2129908A (en) | Separation of ortho-, meta-, and para-phenylphenols | |
| JPH0446253B2 (ja) | ||
| JP5150086B2 (ja) | ビスフェノールａの回収方法 | |
| JP2962441B2 (ja) | 着色性の低いビスフェノールａの製造方法 | |
| JP3384039B2 (ja) | ビスフェノールａの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010703 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080810 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090810 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120810 Year of fee payment: 11 |