JP3294339B2 - ビスフェノールａの製造方法 - Google Patents
ビスフェノールａの製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ビスフェノールＡの
製造方法に係り、詳しくは、ビスフェノールＡとフェノ
ールとの付加物又は混合物からフェノールを除去して高
純度のビスフェノールＡを製造する方法に関する。
製造方法に係り、詳しくは、ビスフェノールＡとフェノ
ールとの付加物又は混合物からフェノールを除去して高
純度のビスフェノールＡを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡ、すなわち２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンは、常温固体の
化合物であって、酸性触媒の存在下にアセトンと過剰の
フェノールとを反応させることにより製造されている。
この反応によって得られる反応混合物は、目的物のビス
フェノールＡのほかに触媒、未反応フェノール、未反応
アセトン、反応生成水及びその他の反応副生物等の不純
物を含んでおり、その後処理工程でこれらの不純物を分
離除去する必要がある。そして、この反応混合物からビ
スフェノールＡを回収する方法の１つとして、反応混合
物から触媒や必要により水を除去したのち、得られた液
状混合物を冷却してビスフェノールＡとフェノールとの
付加物の結晶を析出せしめ、この付加物結晶を含むスラ
リーから母液を分離除去し、次いで得られた付加物結晶
を脱フェノール処理して目的のビスフェノールＡを回収
する方法がある。
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンは、常温固体の
化合物であって、酸性触媒の存在下にアセトンと過剰の
フェノールとを反応させることにより製造されている。
この反応によって得られる反応混合物は、目的物のビス
フェノールＡのほかに触媒、未反応フェノール、未反応
アセトン、反応生成水及びその他の反応副生物等の不純
物を含んでおり、その後処理工程でこれらの不純物を分
離除去する必要がある。そして、この反応混合物からビ
スフェノールＡを回収する方法の１つとして、反応混合
物から触媒や必要により水を除去したのち、得られた液
状混合物を冷却してビスフェノールＡとフェノールとの
付加物の結晶を析出せしめ、この付加物結晶を含むスラ
リーから母液を分離除去し、次いで得られた付加物結晶
を脱フェノール処理して目的のビスフェノールＡを回収
する方法がある。
【０００３】ここで行うビスフェノールＡとフェノール
との付加物又は混合物の脱フェノール処理の方法として
は、減圧蒸溜法や水蒸気ストリッピング法（例えば、特
開昭６３−１３２，８５０号や特開平２−２８，１２６
号公報等）があるが、比較的高純度のビスフェノールＡ
を製造し得ることから、遠心薄膜蒸発器を使用する方法
（特開平３−９５，１３５号公報）も提案されている。
この遠心薄膜蒸発器を使用する方法は、被処理物が高温
に長時間さらされることがなく、ビスフェノールＡの分
解や着色を最小限に抑えることができ、得られたビスフ
ェノールＡの色相が優れているという利点はあるが、反
面、運転中に結晶が析出し、胴体内に可動部を有する遠
心薄膜蒸発器ではその運転を長期間に亘って安定的に行
うのが困難であるという問題が見出された。
との付加物又は混合物の脱フェノール処理の方法として
は、減圧蒸溜法や水蒸気ストリッピング法（例えば、特
開昭６３−１３２，８５０号や特開平２−２８，１２６
号公報等）があるが、比較的高純度のビスフェノールＡ
を製造し得ることから、遠心薄膜蒸発器を使用する方法
（特開平３−９５，１３５号公報）も提案されている。
この遠心薄膜蒸発器を使用する方法は、被処理物が高温
に長時間さらされることがなく、ビスフェノールＡの分
解や着色を最小限に抑えることができ、得られたビスフ
ェノールＡの色相が優れているという利点はあるが、反
面、運転中に結晶が析出し、胴体内に可動部を有する遠
心薄膜蒸発器ではその運転を長期間に亘って安定的に行
うのが困難であるという問題が見出された。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明者ら
は、このように遠心薄膜蒸発器を長期間に亘って安定的
に運転出来ない原因について検討した結果、従来におい
ては専ら残留フェノールの低減に主眼がおかれ、この遠
心薄膜蒸発器の運転を３０トル以下の高真空下で行って
いたため、３０重量％以上のフェノールを含む付加物又
は混合物がこの遠心薄膜蒸発器内に導入されると、この
フェノールが短時間で多量に蒸発し、その際に多量の蒸
発潜熱が奪われて処理液の温度が急速に低下し、残存フ
ェノールと液温との関係でビスフェノールＡの結晶が析
出し、これが遠心薄膜蒸発器を長期間安定に運転する際
の障害になることを突き止めた。特に、このビスフェノ
ールＡの結晶の析出が遠心薄膜蒸発器の装入部で発生す
ると、遠心薄膜蒸発器の回転部に結晶が付着し、回転が
アンバランスになり、また、遠心薄膜蒸発器自体に振動
又は遠心力が生じて安定した運転が不可能になる。ま
た、この結晶の析出が遠心薄膜蒸発器の蒸発部で発生す
ると、遠心薄膜蒸発器の回転翼と胴体との間に結晶が噛
み込まれ、モーターに異常な力が働いて安定した運転が
不可能になる。
は、このように遠心薄膜蒸発器を長期間に亘って安定的
に運転出来ない原因について検討した結果、従来におい
ては専ら残留フェノールの低減に主眼がおかれ、この遠
心薄膜蒸発器の運転を３０トル以下の高真空下で行って
いたため、３０重量％以上のフェノールを含む付加物又
は混合物がこの遠心薄膜蒸発器内に導入されると、この
フェノールが短時間で多量に蒸発し、その際に多量の蒸
発潜熱が奪われて処理液の温度が急速に低下し、残存フ
ェノールと液温との関係でビスフェノールＡの結晶が析
出し、これが遠心薄膜蒸発器を長期間安定に運転する際
の障害になることを突き止めた。特に、このビスフェノ
ールＡの結晶の析出が遠心薄膜蒸発器の装入部で発生す
ると、遠心薄膜蒸発器の回転部に結晶が付着し、回転が
アンバランスになり、また、遠心薄膜蒸発器自体に振動
又は遠心力が生じて安定した運転が不可能になる。ま
た、この結晶の析出が遠心薄膜蒸発器の蒸発部で発生す
ると、遠心薄膜蒸発器の回転翼と胴体との間に結晶が噛
み込まれ、モーターに異常な力が働いて安定した運転が
不可能になる。
【０００５】そして、この問題を解消するための方法と
しては、付加物又は混合物を遠心薄膜蒸発器へ装入する
際の温度を低くし、残存エノール中にビスフェノールＡ
を溶解させることが考えられるが、この方法では装入部
での結晶の析出は効果的に抑制できるが、その後に蒸発
部でフェノールが蒸発して行く際に残存フェノールの量
と液温度との関係で結晶が析出する。また、他の方法と
して、遠心薄膜蒸発器での真空度を落とすことによりフ
ェノールの急速な蒸発を抑えて結晶の析出を防止するこ
とも可能であるが、真空度の低下により製品のビスフノ
ールＡ中への残存フェノールが約４重量％程度にまで上
昇してしまい、高純度のビスフノールＡを製造するため
には後段により高真空の遠心薄膜蒸発器による処理工程
を設ける必要が生じる。
しては、付加物又は混合物を遠心薄膜蒸発器へ装入する
際の温度を低くし、残存エノール中にビスフェノールＡ
を溶解させることが考えられるが、この方法では装入部
での結晶の析出は効果的に抑制できるが、その後に蒸発
部でフェノールが蒸発して行く際に残存フェノールの量
と液温度との関係で結晶が析出する。また、他の方法と
して、遠心薄膜蒸発器での真空度を落とすことによりフ
ェノールの急速な蒸発を抑えて結晶の析出を防止するこ
とも可能であるが、真空度の低下により製品のビスフノ
ールＡ中への残存フェノールが約４重量％程度にまで上
昇してしまい、高純度のビスフノールＡを製造するため
には後段により高真空の遠心薄膜蒸発器による処理工程
を設ける必要が生じる。
【０００６】本発明者らは、遠心薄膜蒸発器を使用する
方法におけるこのような問題を解決すべく鋭意研究を重
ねた結果、ビスフェノールＡとフェノールとの付加物又
は混合物を遠心薄膜蒸発器に装入する際に、予めフラッ
シュ蒸発器に使用してこの付加物又は混合物のフェノー
ル分を４重量％以下にまで調整することにより、上述し
た遠心薄膜蒸発器での問題を解決することができること
を見出し、本発明を完成した。従って、本発明の目的
は、遠心薄膜蒸発器を使用し、ビスフェノールＡとフェ
ノールとの付加物又は混合物からフェノールを蒸発除去
し、長期間安定して高純度のビスフェノールＡを製造す
ることができるビスフェノールＡの製造方法を提供する
ことにある。
方法におけるこのような問題を解決すべく鋭意研究を重
ねた結果、ビスフェノールＡとフェノールとの付加物又
は混合物を遠心薄膜蒸発器に装入する際に、予めフラッ
シュ蒸発器に使用してこの付加物又は混合物のフェノー
ル分を４重量％以下にまで調整することにより、上述し
た遠心薄膜蒸発器での問題を解決することができること
を見出し、本発明を完成した。従って、本発明の目的
は、遠心薄膜蒸発器を使用し、ビスフェノールＡとフェ
ノールとの付加物又は混合物からフェノールを蒸発除去
し、長期間安定して高純度のビスフェノールＡを製造す
ることができるビスフェノールＡの製造方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、ビ
スフェノールＡとフェノールとの付加物又は混合物を遠
心薄膜蒸発器に装入してビスフェノールＡを分離回収す
るに際し、このビスフェノールＡとフェノールとの付加
物又は混合物をフラッシュ蒸発器に装入してフェノール
分４重量％以下に調整し、次いで遠心薄膜蒸発器に装入
してビスフェノールＡを分離回収するビスフェノールＡ
の製造方法である。
スフェノールＡとフェノールとの付加物又は混合物を遠
心薄膜蒸発器に装入してビスフェノールＡを分離回収す
るに際し、このビスフェノールＡとフェノールとの付加
物又は混合物をフラッシュ蒸発器に装入してフェノール
分４重量％以下に調整し、次いで遠心薄膜蒸発器に装入
してビスフェノールＡを分離回収するビスフェノールＡ
の製造方法である。
【０００８】本発明において、ビスフェノールＡとフェ
ノールとの付加物は、酸性触媒の存在下にアセトンと過
剰のフェノールとを反応させて得られた反応混合物を、
必要により低沸点物質の除去や、触媒除去等を行ったの
ち、得られた液状混合物を冷却してビスフェノールＡと
フェノールとの付加物の結晶を析出せしめ、この付加物
結晶を含むスラリーから母液を除去して得られるもので
あり、好ましくは更にフェノールで再結晶したり、洗浄
して不純物のほとんどを除去したものである。この付加
物については、高純度のビスフェノールＡを得る上で、
できるだけ高純度のものであることが望ましい。このビ
スフェノールＡとフェノールとの付加物又は混合物は、
通常、フェノールを３０〜４０重量％程度含んでいる。
ノールとの付加物は、酸性触媒の存在下にアセトンと過
剰のフェノールとを反応させて得られた反応混合物を、
必要により低沸点物質の除去や、触媒除去等を行ったの
ち、得られた液状混合物を冷却してビスフェノールＡと
フェノールとの付加物の結晶を析出せしめ、この付加物
結晶を含むスラリーから母液を除去して得られるもので
あり、好ましくは更にフェノールで再結晶したり、洗浄
して不純物のほとんどを除去したものである。この付加
物については、高純度のビスフェノールＡを得る上で、
できるだけ高純度のものであることが望ましい。このビ
スフェノールＡとフェノールとの付加物又は混合物は、
通常、フェノールを３０〜４０重量％程度含んでいる。
【０００９】本発明方法においては、このようなビスフ
ェノールＡとフェノールとの付加物又は混合物を一旦フ
ラッシュ蒸発器に装入し、フェノール分が４重量％以下
となるように調整する。このフェノール分については、
４重量％以下であれば下限はないが、フェノールの除去
率が遠心薄膜蒸発器に比べて圧倒的に低いので、このフ
ラッシュ蒸発器では２〜４重量％程度に留め、所望の残
存フェノール濃度までのフエノールの除去は次の遠心薄
膜蒸発器で行うのがよい。このフラッシュ蒸発器出のフ
ェノール分が４重量％を越えると、長期間に亘って安定
的に遠心薄膜蒸発器による脱フェノール操作を行うのが
難しくなる。このフラッシュ蒸発器は、温度１６０℃以
上であって残存フェノールを４重量％以下に維持できる
平衡圧力を保って運転され、好ましくはビスフェノール
Ａの熱分解や着色等を防止するために、２２０℃以下、
より好ましくは１９５℃以下の温度で運転される。
ェノールＡとフェノールとの付加物又は混合物を一旦フ
ラッシュ蒸発器に装入し、フェノール分が４重量％以下
となるように調整する。このフェノール分については、
４重量％以下であれば下限はないが、フェノールの除去
率が遠心薄膜蒸発器に比べて圧倒的に低いので、このフ
ラッシュ蒸発器では２〜４重量％程度に留め、所望の残
存フェノール濃度までのフエノールの除去は次の遠心薄
膜蒸発器で行うのがよい。このフラッシュ蒸発器出のフ
ェノール分が４重量％を越えると、長期間に亘って安定
的に遠心薄膜蒸発器による脱フェノール操作を行うのが
難しくなる。このフラッシュ蒸発器は、温度１６０℃以
上であって残存フェノールを４重量％以下に維持できる
平衡圧力を保って運転され、好ましくはビスフェノール
Ａの熱分解や着色等を防止するために、２２０℃以下、
より好ましくは１９５℃以下の温度で運転される。
【００１０】このようにして得られたフェノール分４重
量％以下のビスフェノールＡは、次に遠心薄膜蒸発器に
装入して高純度のビスフェノールＡを分離回収する。こ
の遠心薄膜蒸発器は、真空度３０トル以下、好ましくは
１５トル以下の高真空に維持し、ジャケット等により約
１７０〜２２０℃、好ましくは１７０〜１９５℃に加熱
し、残存フェノールが５０ｐｐｍ以下になるまで除去さ
れる。
量％以下のビスフェノールＡは、次に遠心薄膜蒸発器に
装入して高純度のビスフェノールＡを分離回収する。こ
の遠心薄膜蒸発器は、真空度３０トル以下、好ましくは
１５トル以下の高真空に維持し、ジャケット等により約
１７０〜２２０℃、好ましくは１７０〜１９５℃に加熱
し、残存フェノールが５０ｐｐｍ以下になるまで除去さ
れる。
【００１１】ここで、図１に基づいて、本発明方法で使
用されるフラッシュ蒸発器及び遠心薄膜蒸発器の一例を
説明する。図１において、フラッシュ蒸発器１は胴体１
ａ、原料装入ライン１ｂ、循環ポンプ１ｃ、加熱器１ｄ
及び蒸気出口ライン１ｅを備え、また、遠心薄膜蒸発器
２は胴体２ａ、液装入ライン２ｂ、蒸気出口ライン２ｃ
及び液出口ライン２ｄを備えている。遠心薄膜蒸発器２
の胴体２ａの内部には、回転翼が胴体２ａの内壁に近接
して回転するように設けられており、また、蒸気出口ラ
イン１ｅ、２ｃは真空系と接続されており、更に、遠心
薄膜蒸発器２は必要により複数連続して設けることがで
きる。
用されるフラッシュ蒸発器及び遠心薄膜蒸発器の一例を
説明する。図１において、フラッシュ蒸発器１は胴体１
ａ、原料装入ライン１ｂ、循環ポンプ１ｃ、加熱器１ｄ
及び蒸気出口ライン１ｅを備え、また、遠心薄膜蒸発器
２は胴体２ａ、液装入ライン２ｂ、蒸気出口ライン２ｃ
及び液出口ライン２ｄを備えている。遠心薄膜蒸発器２
の胴体２ａの内部には、回転翼が胴体２ａの内壁に近接
して回転するように設けられており、また、蒸気出口ラ
イン１ｅ、２ｃは真空系と接続されており、更に、遠心
薄膜蒸発器２は必要により複数連続して設けることがで
きる。
【００１２】
【作用】本発明方法によれば、フェノール分３０重量％
以上のビスフェノールＡとフェノールとの付加物又は混
合物が３０トル以下の高真空下で運転される遠心薄膜蒸
発器に直接装入されることがなく、予めフェノール分４
重量％以下にまで調整されてから装入されるので、遠心
薄膜蒸発器内で短時間のうちにフェノールが多量に蒸発
し、多量の蒸発潜熱が奪われて処理液の温度が急速に低
下し、残存フェノールと液温との関係でビスフェノール
Ａの結晶が析出し、遠心薄膜蒸発器の長期間の安定運転
が阻害されるようなことがない。
以上のビスフェノールＡとフェノールとの付加物又は混
合物が３０トル以下の高真空下で運転される遠心薄膜蒸
発器に直接装入されることがなく、予めフェノール分４
重量％以下にまで調整されてから装入されるので、遠心
薄膜蒸発器内で短時間のうちにフェノールが多量に蒸発
し、多量の蒸発潜熱が奪われて処理液の温度が急速に低
下し、残存フェノールと液温との関係でビスフェノール
Ａの結晶が析出し、遠心薄膜蒸発器の長期間の安定運転
が阻害されるようなことがない。
【００１３】
【実施例】以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明
方法を具体的に説明する。
方法を具体的に説明する。
【００１４】実施例１ 図１に示すようなフラッシュ蒸発器及び遠心薄膜蒸発器
において、ビスフェノールＡ７０重量％及びフェノール
３０重量％からなるビスフェノールＡとフェノールとの
付加物又は混合物を１５０℃に予熱し、原料装入ライン
１ｂから温度１６５℃で圧力５０トルに保持したフラッ
シュ蒸発器１の胴体１ａに装入した。このとき、フラッ
シュ蒸発器１を出て遠心薄膜蒸発器２の液装入ライン２
ｂから胴体２ａ内に装入されたビスフェノールＡ中のフ
ェノール分は３．８重量％であった。また、遠心薄膜蒸
発器２は、図示外のジャケット中を循環する蒸気によっ
て２００℃に加熱され、また、圧力１０トルに保持され
た。
において、ビスフェノールＡ７０重量％及びフェノール
３０重量％からなるビスフェノールＡとフェノールとの
付加物又は混合物を１５０℃に予熱し、原料装入ライン
１ｂから温度１６５℃で圧力５０トルに保持したフラッ
シュ蒸発器１の胴体１ａに装入した。このとき、フラッ
シュ蒸発器１を出て遠心薄膜蒸発器２の液装入ライン２
ｂから胴体２ａ内に装入されたビスフェノールＡ中のフ
ェノール分は３．８重量％であった。また、遠心薄膜蒸
発器２は、図示外のジャケット中を循環する蒸気によっ
て２００℃に加熱され、また、圧力１０トルに保持され
た。
【００１５】このような条件でフラッシュ蒸発器１及び
遠心薄膜蒸発器２が運転され、遠心薄膜蒸発器２の液出
口ライン２ｄからフェノール濃度３５ｐｐｍのビスフェ
ノールＡが回収された。この条件でフラッシュ蒸発器１
及び遠心薄膜蒸発器２が３０日間運転されたが、その
間、振動、遠心力の発生、モーターの過負荷等の異常現
象は全く観察されず、安定した運転ができた。
遠心薄膜蒸発器２が運転され、遠心薄膜蒸発器２の液出
口ライン２ｄからフェノール濃度３５ｐｐｍのビスフェ
ノールＡが回収された。この条件でフラッシュ蒸発器１
及び遠心薄膜蒸発器２が３０日間運転されたが、その
間、振動、遠心力の発生、モーターの過負荷等の異常現
象は全く観察されず、安定した運転ができた。
【００１６】比較例１ フラッシュ蒸発器１の保持圧力を７０トルとし、このフ
ラッシュ蒸発器１を出て遠心薄膜蒸発器２の液装入ライ
ン２ｂから胴体２ａ内に装入されたビスフェノールＡ中
のフェノール分が５．１重量％であった以外は、実施例
１と同様に運転し、遠心薄膜蒸発器２の液出口ライン２
ｄからビスフェノールＡを回収した。得られたビスフェ
ノールＡのフェノール濃度は１２０ｐｐｍであり、５日
目には遠心薄膜蒸発器２に振動や遠心力の発生が起こ
り、安定運転ができなくなった。
ラッシュ蒸発器１を出て遠心薄膜蒸発器２の液装入ライ
ン２ｂから胴体２ａ内に装入されたビスフェノールＡ中
のフェノール分が５．１重量％であった以外は、実施例
１と同様に運転し、遠心薄膜蒸発器２の液出口ライン２
ｄからビスフェノールＡを回収した。得られたビスフェ
ノールＡのフェノール濃度は１２０ｐｐｍであり、５日
目には遠心薄膜蒸発器２に振動や遠心力の発生が起こ
り、安定運転ができなくなった。
【００１７】比較例２ フラッシュ蒸発器１の保持圧力を１００トルとし、この
フラッシュ蒸発器１を出て遠心薄膜蒸発器２の液装入ラ
イン２ｂから胴体２ａ内に装入されたビスフェノールＡ
中のフェノール分が１０．０重量％であり、遠心薄膜蒸
発器２の保持圧力を６０トルとした以外は、実施例１と
同様に運転し、遠心薄膜蒸発器２の液出口ライン２ｄか
らビスフェノールＡを回収した。この条件でフラッシュ
蒸発器１及び遠心薄膜蒸発器２が３０日間運転され、そ
の間に、振動、遠心力の発生、モーターの過負荷等の異
常現象は観察されなかったが、得られたビスフェノール
Ａのフェノール濃度は５，８００ｐｐｍもあり、目標の
２００ｐｐｍ以下には達しなかった。
フラッシュ蒸発器１を出て遠心薄膜蒸発器２の液装入ラ
イン２ｂから胴体２ａ内に装入されたビスフェノールＡ
中のフェノール分が１０．０重量％であり、遠心薄膜蒸
発器２の保持圧力を６０トルとした以外は、実施例１と
同様に運転し、遠心薄膜蒸発器２の液出口ライン２ｄか
らビスフェノールＡを回収した。この条件でフラッシュ
蒸発器１及び遠心薄膜蒸発器２が３０日間運転され、そ
の間に、振動、遠心力の発生、モーターの過負荷等の異
常現象は観察されなかったが、得られたビスフェノール
Ａのフェノール濃度は５，８００ｐｐｍもあり、目標の
２００ｐｐｍ以下には達しなかった。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、遠心薄膜蒸発器を使用
し、ビスフェノールＡとフェノールとの付加物又は混合
物から長期間安定して高純度のビスフェノールＡを製造
することができる。
し、ビスフェノールＡとフェノールとの付加物又は混合
物から長期間安定して高純度のビスフェノールＡを製造
することができる。
【図１】 図１は、本発明の実施例に係るフラッシュ蒸
発器及び遠心薄膜蒸発器を示すフローチャートである。
発器及び遠心薄膜蒸発器を示すフローチャートである。
１…フラッシュ蒸発器、１ａ…胴体、１ｂ…原料装入ラ
イン、１ｃ…循環ポンプ、１ｄ…加熱器、１ｅ…蒸気出
口ライン、２…遠心薄膜蒸発器、２ａ…胴体、２ｂ…液
装入ライン、２ｃ…蒸気出口ライン、２ｄ…液出口ライ
ン。
イン、１ｃ…循環ポンプ、１ｄ…加熱器、１ｅ…蒸気出
口ライン、２…遠心薄膜蒸発器、２ａ…胴体、２ｂ…液
装入ライン、２ｃ…蒸気出口ライン、２ｄ…液出口ライ
ン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 植村 文彦 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12 番１号、千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 香崎 武志 神奈川県横浜市鶴見区鶴見中央二丁目12 番１号、千代田化工建設株式会社内 (72)発明者 古川 俊彦 福岡県北九州市小倉北区白萩町２番14− 301号 (72)発明者 古賀 洋征 福岡県中間市桜台１丁目６−５ (72)発明者 丸山 利和 福岡県北九州市小倉北区中井２丁目４− ３−201 (72)発明者 江頭 史明 福岡県北九州市八幡西区千代２丁目３番 21号 審査官 藤森 知郎 (56)参考文献 特開 平３−95135（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07C 37/70 C07C 39/16
Claims (1)
- 【請求項１】 ビスフェノールＡとフェノールとの付加
物又は混合物を遠心薄膜蒸発器に装入してビスフェノー
ルＡを分離回収するに際し、このビスフェノールＡとフ
ェノールとの付加物又は混合物をフラッシュ蒸発器に装
入してフェノール分４重量％以下に調整し、次いで遠心
薄膜蒸発器に装入してビスフェノールＡを分離回収する
ことを特徴とするビスフェノールＡの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28348192A JP3294339B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | ビスフェノールａの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28348192A JP3294339B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | ビスフェノールａの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06107579A JPH06107579A (ja) | 1994-04-19 |
| JP3294339B2 true JP3294339B2 (ja) | 2002-06-24 |
Family
ID=17666108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28348192A Expired - Lifetime JP3294339B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | ビスフェノールａの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3294339B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001199919A (ja) | 2000-01-18 | 2001-07-24 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ビスフェノールａの製造方法 |
| JP4539012B2 (ja) * | 2002-08-08 | 2010-09-08 | 三菱化学株式会社 | フェノールを含むビスフェノールａの精製方法 |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP28348192A patent/JP3294339B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06107579A (ja) | 1994-04-19 |
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