JP3217448B2 - インジウムバンプ接続方法 - Google Patents
インジウムバンプ接続方法Info
- Publication number
- JP3217448B2 JP3217448B2 JP13735592A JP13735592A JP3217448B2 JP 3217448 B2 JP3217448 B2 JP 3217448B2 JP 13735592 A JP13735592 A JP 13735592A JP 13735592 A JP13735592 A JP 13735592A JP 3217448 B2 JP3217448 B2 JP 3217448B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pda
- bump
- plating
- ccd
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はインジウムバンプ接続方
法に係り、背面入射型ＩｎＳｂ ＰＤＡ素子の電極面
と、ＣＣＤ、ＭＯＳ型スイッチアレー等の信号処理部の
電極上に形成されたインジウムバンプとを加熱圧着して
接続されたハイブリッド型赤外線撮像素子（装置）に適
用される。
法に係り、背面入射型ＩｎＳｂ ＰＤＡ素子の電極面
と、ＣＣＤ、ＭＯＳ型スイッチアレー等の信号処理部の
電極上に形成されたインジウムバンプとを加熱圧着して
接続されたハイブリッド型赤外線撮像素子（装置）に適
用される。
【０００２】
【従来の技術】従来法によるインジウムバンプ（以下、
Ｉｎバンプと記す）接続法を説明する。図２、図３に従
来のＩｎバンプ接続法を説明するための断面図を示す。
Ｉｎバンプと記す）接続法を説明する。図２、図３に従
来のＩｎバンプ接続法を説明するための断面図を示す。
【０００３】実際のハイブリッド型赤外線撮像素子では
複数の画素が二次元に配列されているが、説明を簡単に
するため数画素分を抽出してある。
複数の画素が二次元に配列されているが、説明を簡単に
するため数画素分を抽出してある。
【０００４】ＩｎＳｂ ＰＤＡ電極構造は、例えば特願
平２−０６９３１０号で提案されているように、電極が
クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム
（Ｐｄ）を順次形成した構造をなしている。その構成に
は、まずＩｎＳｂ基板１１主面に絶縁膜１２を選択的に
形成し、その開孔部からＰ型不純物を拡散してＰ型Ｉｎ
Ｓｂ層１３を設けＰＮ接合（図示省略）を形成する。つ
づいてＰ型ＩｎＳｂ層への電極及びｎ型層電極（図示省
略）として、順次、例えばＣｒ（層厚３００オングスト
ローム（以下オングストロームをＡと略記する））、Ａ
ｌ（層厚５０００Ａ）、Ｐｄ（層厚１０００Ａ）の電極
金属１４をリフトオフ法により、選択的に形成する。次
いでダイシングを行ないＰＤＡチップを得る（図２
（ａ））。
平２−０６９３１０号で提案されているように、電極が
クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム
（Ｐｄ）を順次形成した構造をなしている。その構成に
は、まずＩｎＳｂ基板１１主面に絶縁膜１２を選択的に
形成し、その開孔部からＰ型不純物を拡散してＰ型Ｉｎ
Ｓｂ層１３を設けＰＮ接合（図示省略）を形成する。つ
づいてＰ型ＩｎＳｂ層への電極及びｎ型層電極（図示省
略）として、順次、例えばＣｒ（層厚３００オングスト
ローム（以下オングストロームをＡと略記する））、Ａ
ｌ（層厚５０００Ａ）、Ｐｄ（層厚１０００Ａ）の電極
金属１４をリフトオフ法により、選択的に形成する。次
いでダイシングを行ないＰＤＡチップを得る（図２
（ａ））。
【０００５】次に石英基板１５とＰＤＡチップの電極面
側とをワックス１６で接着させ、ＰＤＡチップの裏面の
ＩｎＳｂに研磨、鏡面仕上を施し、ＩｎＳｂ基板１１の
厚さを２０〜３０μｍとする（図２（ｂ））。
側とをワックス１６で接着させ、ＰＤＡチップの裏面の
ＩｎＳｂに研磨、鏡面仕上を施し、ＩｎＳｂ基板１１の
厚さを２０〜３０μｍとする（図２（ｂ））。
【０００６】次に、サファイヤ基板１７とＰＤＡチップ
裏面とを紫外線硬化樹脂１８により接着させ紫外線硬化
させて薄くなったＰＤＡチップを補強する（図２
（ｃ））。なお、サファイア基板１７は赤外線の入射窓
を兼ねるものである。
裏面とを紫外線硬化樹脂１８により接着させ紫外線硬化
させて薄くなったＰＤＡチップを補強する（図２
（ｃ））。なお、サファイア基板１７は赤外線の入射窓
を兼ねるものである。
【０００７】次に、ＰＤＡチップ電極面と石英基板とを
加熱してワックスを溶かし分離させ、ＰＤＡチップ電極
面についたワックスを有機溶剤で洗浄、乾燥して背面入
射型ＰＤＡ素子ができ上がる（図３（ａ））。
加熱してワックスを溶かし分離させ、ＰＤＡチップ電極
面についたワックスを有機溶剤で洗浄、乾燥して背面入
射型ＰＤＡ素子ができ上がる（図３（ａ））。
【０００８】次にシリコン基板２１に形成された信号処
理について説明する。なお、本発明の信号処理部の素子
としてＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ）を用いて説明する。まずＣＣＤ部へ入力信号
を導入する為の入力ダイオード上に設けられた電極金属
２２上にＩｎバンプ２３を例えばメッキ法により形成す
る。この段階はウエハ状態で処理される。次にダイシン
グしてチップ化する。次にチップのＩｎバンプ形成面に
フラックスを塗布し、熱板上で加熱溶融して球状化す
る。次にフラックスを除去する有機洗浄、乾燥を行いＩ
ｎバンプ付ＣＣＤチップが得られる（図３（ｂ））。
理について説明する。なお、本発明の信号処理部の素子
としてＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ）を用いて説明する。まずＣＣＤ部へ入力信号
を導入する為の入力ダイオード上に設けられた電極金属
２２上にＩｎバンプ２３を例えばメッキ法により形成す
る。この段階はウエハ状態で処理される。次にダイシン
グしてチップ化する。次にチップのＩｎバンプ形成面に
フラックスを塗布し、熱板上で加熱溶融して球状化す
る。次にフラックスを除去する有機洗浄、乾燥を行いＩ
ｎバンプ付ＣＣＤチップが得られる（図３（ｂ））。
【０００９】次に、ＰＤＡ素子とＩｎバンプ付ＣＣＤチ
ップとの加熱圧着を例えばＩｎバンプが酸化されないよ
うにフォーミングガス雰囲気中で１３０℃に加熱し、
２．０ｋｇの圧力で行う。上記の如くしてＰＤＡ素子と
ＣＣＤを接合しＩＲ−ＣＣＤとなる（図３（ｃ））。
ップとの加熱圧着を例えばＩｎバンプが酸化されないよ
うにフォーミングガス雰囲気中で１３０℃に加熱し、
２．０ｋｇの圧力で行う。上記の如くしてＰＤＡ素子と
ＣＣＤを接合しＩＲ−ＣＣＤとなる（図３（ｃ））。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法には次
の問題点がある。
の問題点がある。
【００１１】即ち、ＰＤＡとＣＣＤとを加熱圧着して
も、電気的に接続されていなかったり、また接続されて
いてもＩＲ−ＣＣＤの使用温度である８０Ｋに冷却する
とＰＤＡとＣＣＤ間で剥離してしまう場合がある。その
原因はＰＤＡの一部の電極上に汚れが残っているためで
あることが判明した。背面入射形ＰＤＡでは感度を高め
るために前述のように薄く研磨する。所定の厚さにし、
裏面をサファイア基板に貼りつけ補強したのち研磨の時
に用いた石英板を除去する。そしてＰＤＡ表面に残った
ワックスを除去するために有機溶剤等で洗浄する。しか
しながら有機溶剤はワックスを除去するだけでなく、Ｉ
ｎＳｂ基板の補強のために使用した紫外線硬化樹脂も溶
解するので長時間洗浄を行なうことが出来ない。従って
ＰＤＡ電極表面に残った有機汚染は、有機溶剤の洗浄で
完全には取りきれずに一部汚れとして残ってしまう。そ
の後ＣＣＤと加熱圧着しても部分的に接続されないとこ
ろや、また接続されていてもその強度が弱く冷却サイク
ルで簡単に剥離されてしまうという欠点がある。
も、電気的に接続されていなかったり、また接続されて
いてもＩＲ−ＣＣＤの使用温度である８０Ｋに冷却する
とＰＤＡとＣＣＤ間で剥離してしまう場合がある。その
原因はＰＤＡの一部の電極上に汚れが残っているためで
あることが判明した。背面入射形ＰＤＡでは感度を高め
るために前述のように薄く研磨する。所定の厚さにし、
裏面をサファイア基板に貼りつけ補強したのち研磨の時
に用いた石英板を除去する。そしてＰＤＡ表面に残った
ワックスを除去するために有機溶剤等で洗浄する。しか
しながら有機溶剤はワックスを除去するだけでなく、Ｉ
ｎＳｂ基板の補強のために使用した紫外線硬化樹脂も溶
解するので長時間洗浄を行なうことが出来ない。従って
ＰＤＡ電極表面に残った有機汚染は、有機溶剤の洗浄で
完全には取りきれずに一部汚れとして残ってしまう。そ
の後ＣＣＤと加熱圧着しても部分的に接続されないとこ
ろや、また接続されていてもその強度が弱く冷却サイク
ルで簡単に剥離されてしまうという欠点がある。
【００１２】本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされ
たもので、ＰＤＡとＣＣＤとを加熱圧着した後、Ｉｎバ
ンプが冷却サイクル等で剥離を生じない信頼性の高い強
固なＩｎバンプ接続ができる方法を提供する事を目的と
するものである。
たもので、ＰＤＡとＣＣＤとを加熱圧着した後、Ｉｎバ
ンプが冷却サイクル等で剥離を生じない信頼性の高い強
固なＩｎバンプ接続ができる方法を提供する事を目的と
するものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明のインジウムバン
プ接続方法は、半導体基板上に形成された多数のＰ・Ｎ
接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基
板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子
側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、最
上層がＰｄである前記フォトダイオードアレイの電極上
に予めＰｄめっきを施すことを特徴とするまた、本発明
のインジウムバンプ接続方法は、半導体基板上に形成さ
れた多数のＰ・Ｎ接合を有するフォトダイオードアレイ
と、他の半導体基板に形成された信号処理を行う機能素
子とを該機能素子側に設けるインジウムバンプにより接
続するに際し、最上層がＰｄである前記フォトダイオー
ドアレイの電極上に予めＡｕめっきを施すことを特徴と
する。
プ接続方法は、半導体基板上に形成された多数のＰ・Ｎ
接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基
板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子
側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、最
上層がＰｄである前記フォトダイオードアレイの電極上
に予めＰｄめっきを施すことを特徴とするまた、本発明
のインジウムバンプ接続方法は、半導体基板上に形成さ
れた多数のＰ・Ｎ接合を有するフォトダイオードアレイ
と、他の半導体基板に形成された信号処理を行う機能素
子とを該機能素子側に設けるインジウムバンプにより接
続するに際し、最上層がＰｄである前記フォトダイオー
ドアレイの電極上に予めＡｕめっきを施すことを特徴と
する。
【００１４】
【作用】本発明ではＰＤＡを加熱圧着する直前の製造工
程で進めた後、新たに金属の電解めっき又は化学めっき
を施す。めっき膜は分子間接合が強く汚れを通してめっ
きできることや、汚れを覆うようにして金属膜が形成さ
れる。
程で進めた後、新たに金属の電解めっき又は化学めっき
を施す。めっき膜は分子間接合が強く汚れを通してめっ
きできることや、汚れを覆うようにして金属膜が形成さ
れる。
【００１５】叙上によりＰＤＡ電極表面は汚れのない新
しい金属が露出する。従って、Ｉｎバンプを加熱圧着す
ることでＰＤＡ電極表面に十分な接合が得られる。
しい金属が露出する。従って、Ｉｎバンプを加熱圧着す
ることでＰＤＡ電極表面に十分な接合が得られる。
【００１６】
【実施例】（実施例１）図１に本発明によるインジウム
バンプ接続法を説明するための断面図を示す。
バンプ接続法を説明するための断面図を示す。
【００１７】なお、背面入射型ＰＤＡ素子を製作するま
での工程（図２（ａ）〜（ｃ））は従来の技術と変わら
ないので援用し、記述を省略する。
での工程（図２（ａ）〜（ｃ））は従来の技術と変わら
ないので援用し、記述を省略する。
【００１８】従来の方法によって製作されたＰＤＡ電極
にＰｄ電解めっきを、一例のめっき液「パラデックス」
（Ｐｄめっき液の商品名）を使用して行なう。このめっ
きは、例えばメッキ条件として液温５０℃、電流密度５
ｍＡ／ｃｍ2 で３分間施し、Ｐｄめっき層１を厚６００
Ａにする。なお、ＰＤＡを形成しているＩｎＳｂ Ｐ・
Ｎ接合は常温ではすでに整流性がない事、電気伝導度も
大きいため、アース電極の任意の場所から通電する事に
より、直接ＰＤＡ電極に絶縁膜をマスクに選択的にめっ
きを施せる特徴がある。
にＰｄ電解めっきを、一例のめっき液「パラデックス」
（Ｐｄめっき液の商品名）を使用して行なう。このめっ
きは、例えばメッキ条件として液温５０℃、電流密度５
ｍＡ／ｃｍ2 で３分間施し、Ｐｄめっき層１を厚６００
Ａにする。なお、ＰＤＡを形成しているＩｎＳｂ Ｐ・
Ｎ接合は常温ではすでに整流性がない事、電気伝導度も
大きいため、アース電極の任意の場所から通電する事に
より、直接ＰＤＡ電極に絶縁膜をマスクに選択的にめっ
きを施せる特徴がある。
【００１９】次にＰＤＡをＰｄ電解めっき後、水洗、乾
燥を施す（図１（ａ））。
燥を施す（図１（ａ））。
【００２０】次にＣＣＤのＩｎバンプ形成及びＰＤＡと
の加熱圧着は従来の技術と変わらないので記述を省略す
る。
の加熱圧着は従来の技術と変わらないので記述を省略す
る。
【００２１】叙上の如く加熱圧着を施して本発明の一例
のＩＲ−ＣＣＤが形成できる（図１（ｂ））。
のＩＲ−ＣＣＤが形成できる（図１（ｂ））。
【００２２】本発明のインジウムバンプ接続方法による
と、ＰＤＡとＣＣＤとを加熱圧着する前に、ＰＤＡ電極
上に新たに例えばＰｄ金属を電解めっきすることにより
汚れのないＰＤＡ電極表面が得られる。このため、加熱
圧着後、ＩｎバンプとＰｄ金属との十分な結合が得られ
る。
と、ＰＤＡとＣＣＤとを加熱圧着する前に、ＰＤＡ電極
上に新たに例えばＰｄ金属を電解めっきすることにより
汚れのないＰＤＡ電極表面が得られる。このため、加熱
圧着後、ＩｎバンプとＰｄ金属との十分な結合が得られ
る。
【００２３】本発明の方法によって得られたＩＲ−ＣＣ
Ｄは冷却サイクルを加えても剥離することなく、又強制
的にＰＤＡとＣＣＤとを分離させるとインジウムバンプ
のインジウムがちぎれるまで強固に接続が保持される。
Ｄは冷却サイクルを加えても剥離することなく、又強制
的にＰＤＡとＣＣＤとを分離させるとインジウムバンプ
のインジウムがちぎれるまで強固に接続が保持される。
【００２４】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、冷却
サイクル等でＩｎバンプの剥離を生ずることなく、信頼
性の高い強固なＩｎバンプ接続法を提供することができ
る。なお、本発明ではＰＤＡ電極にＰｄ電解めっきでめ
っき層を形成したが、他の金属、例えばＡｕの適用もで
きる。さらに、電解めっきを化学めっきで行なってもよ
い。
サイクル等でＩｎバンプの剥離を生ずることなく、信頼
性の高い強固なＩｎバンプ接続法を提供することができ
る。なお、本発明ではＰＤＡ電極にＰｄ電解めっきでめ
っき層を形成したが、他の金属、例えばＡｕの適用もで
きる。さらに、電解めっきを化学めっきで行なってもよ
い。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明のＩｎバンプ接続方法
を説明するための工程毎の断面図、
を説明するための工程毎の断面図、
【図２】（ａ）〜（ｃ）は従来例のＩｎバンプ接続方法
を説明するための工程毎の断面図、
を説明するための工程毎の断面図、
【図３】（ａ）〜（ｃ）は従来例のＩｎバンプ接続方法
につき「図２」に続いてその説明するための工程毎のい
ずれも断面図。
につき「図２」に続いてその説明するための工程毎のい
ずれも断面図。
１ （ＰＤＡ電極金属上の）めっき金属層 １１ ＩｎＳｂ基板 １２ 絶縁膜 １３ 拡散層 １４ ＰＤＡ電極金属 １５ 石英板 １６ ワックス １７ サファイア板 １８ 紫外線硬化樹脂 ２１ シリコン基板 ２２ ＣＣＤ信号入力用電極金属 ２３ Ｉｎバンプ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された多数のＰ・Ｎ
接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基
板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子
側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、最
上層がＰｄである前記フォトダイオードアレイの電極上
に予めＰｄめっきを施すことを特徴とするインジウムバ
ンプ接続方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成された多数のＰ・Ｎ
接合を有するフォトダイオードアレイと、他の半導体基
板に形成された信号処理を行う機能素子とを該機能素子
側に設けるインジウムバンプにより接続するに際し、最
上層がＰｄである前記フォトダイオードアレイの電極上
に予めＡｕめっきを施すことを特徴とするインジウムバ
ンプ接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13735592A JP3217448B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | インジウムバンプ接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13735592A JP3217448B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | インジウムバンプ接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335375A JPH05335375A (ja) | 1993-12-17 |
| JP3217448B2 true JP3217448B2 (ja) | 2001-10-09 |
Family
ID=15196724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13735592A Expired - Lifetime JP3217448B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | インジウムバンプ接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3217448B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07333348A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-22 | Toshiba Corp | 放射線検出器およびこれを用いたｘ線ｃｔ装置 |
| JP5568979B2 (ja) | 2009-12-22 | 2014-08-13 | 住友電気工業株式会社 | 検出装置、受光素子アレイ、および検出装置の製造方法 |
| CN104393097B (zh) * | 2014-09-30 | 2017-02-08 | 中国空空导弹研究院 | 一种铟柱倒焊互连的方法 |
| JP6817835B2 (ja) | 2017-02-07 | 2021-01-20 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13735592A patent/JP3217448B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05335375A (ja) | 1993-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9859322B2 (en) | Methods and apparatus for glass removal in CMOS image sensors | |
| KR102075809B1 (ko) | 광전 변환 소자, 광전 변환 소자의 제조 방법, 고체 촬상 장치 및 전자 기기 | |
| US9666638B2 (en) | Methods for forming backside illuminated image sensors with front side metal redistribution layers | |
| US7820525B2 (en) | Method for manufacturing hybrid image sensors | |
| US9171875B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus | |
| US8003433B2 (en) | Process for fabricating a high-integration-density image sensor | |
| CN208256672U (zh) | 图像感测半导体器件 | |
| JP2000500617A (ja) | 垂直方向に集積された半導体素子及びその製法 | |
| KR100870820B1 (ko) | 이미지 센서 및 그의 제조방법 | |
| JP2006108328A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US10446598B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method, and electronic apparatus | |
| US20090124038A1 (en) | Imager device, camera, and method of manufacturing a back side illuminated imager | |
| CN112789488B (zh) | 红外检测器制造方法和相关红外检测器 | |
| US8829635B2 (en) | Solid-state imaging device, manufacturing method thereof, electronic apparatus, and semiconductor device | |
| KR20190116288A (ko) | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| JP3217448B2 (ja) | インジウムバンプ接続方法 | |
| TWI226080B (en) | Manufacturing method of image detector with built-in lens | |
| JP2546407B2 (ja) | ハイブリッド素子及びその製造方法 | |
| JP5587899B2 (ja) | 読み出し集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作成方法 | |
| Merken et al. | Technology for very dense hybrid detector arrays using electroplated indium solderbumps | |
| JPS6142869B2 (ja) | ||
| Chang et al. | Process integration for backside illuminated image sensor stacked with analog-to-digital conversion chip | |
| JP2581258B2 (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
| JPS61216455A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01295445A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070803 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080803 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090803 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090803 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100803 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110803 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120803 Year of fee payment: 11 |