JP3216896U - セラミックプラスチック複合体 - Google Patents
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Abstract
【課題】セラミック基体とプラスチック層の間により高い結合強度と気密性を有することにより、セラミックプラスチック複合体の信頼性と使用性能を高めることができるセラミックプラスチック複合体を提供する。【解決手段】セラミックプラスチック複合体１００は、セラミック基体１０表面に平均孔径１５０〜４５０ｎｍのナノ細孔が形成され、その後セラミック基体１０表面に射出成形されたプラスチック層２０がナノ細孔内により深く充填されるので、より高い付着力が生じる。【選択図】図１
Description
本考案はセラミックとプラスチックの複合材料に関し、特に、ナノ細孔構造により結合強度が高められる、セラミックプラスチック複合体に関する。
パソコン・通信端末・家電等の電子機器が日増しに普及するにつれ、消費者の美的センスは絶えず向上し、製品の性能だけでなく、薄さや軽さ、質の良さや美しさも同時に兼ね備えることが求められている。セラミック製の外観構成部材は自然な美しさや温かい感触を有し、かつ、従来の金属とプラスチックの外観構成部材よりも耐用性や気密性に優れ、アンテナがシールドされるのを防止できるので、益々人気を集めており、パソコン・通信端末・家電等の電子機器製作に広く用いられるようになってきた。
しかし、セラミック自体が持つ硬くて脆いという特殊な性質は、一部の構造へ応用するには不向きであり、セラミックとプラスチックをいかにうまく結合するかは既存技術が直面する難題である。一般的に、セラミックの外観構成部材の内表面は接着方式によってプラスチック部材を固定するが、プラスチックとセラミックの間は剥がれやすく、後続の加工が難しい等の欠点がある。また嵌込部と凹部のような様々な咬合構造を製作して、セラミックとプラスチックを強固に結合させて一体化することもできるが、このような方式は製作コストも大幅に増加する。
そこで本願考案者は、製作方法が非常に簡易で複合構造の結合強度と気密性を大幅に高めることができるだけでなく、先行技術における構造及び製造工程とは異なり、さらに先行技術の様々な欠点を効果的に克服できる、セラミックプラスチック複合体を研究開発した。その具体的構造及び実施方法の詳細は後述する。
本考案の主な目的は、セラミック基体表面にマイクロエッチングを施して１５０〜４５０ｎｍのナノ細孔を形成し、射出成形したプラスチック層が各ナノ細孔に深く入り込むことでより高い付着力が生じ、セラミック基体とプラスチック層両者間の結合強度と気密性が高められ、製品の品質と性能をより安定させることができる、セラミックプラスチック複合体を提供することにある。
本考案のもう１つの目的は、製作工程が簡易で、低コストであり、製品の軽量化や薄型化を容易に達成できる、セラミックプラスチック複合体を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本考案が開示するセラミックプラスチック複合体は、セラミック基体及びセラミック基体表面に射出成形によって一体に結合して形成されたプラスチック層を含み、セラミック基体表面には複数のナノ細孔が分布し、これらのナノ細孔の平均孔径は１５０〜４５０ｎｍであり、プラスチック層は各ナノ細孔内に嵌入し、かつプラスチック層とセラミック基体の結合強度は３００ｋｇ／ｃｍ２に達する。
好ましくは、セラミック基体の材質は窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化タングステン（ＷＣ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の各種セラミックである。
好ましくは、ナノ細孔の平均孔径は２００〜４００ｎｍである。
好ましくは、プラスチック層の材質はポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）又はポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）である。
従来技術と比べると、本考案が提供するセラミックプラスチック複合体の製造は化学洗浄、マイクロエッチング、ポアワイドニング、表面改質等のステップにより、ナノ細孔の平均孔径を１５０〜４５０ｎｍ程度にすることができるので、射出成形したプラスチック層が各ナノ細孔内に完全に充填されることにより、より高い付着力が生じ、セラミック基体とプラスチック層の結合強度が大幅に高められると同時に、セラミック基体とプラスチック層の境界面間の気密性も確保される。
本考案の目的、技術的内容、特徴及び達成される効果のさらなる理解のため、具体的な実施例と添付の図面を併せて、以下に詳しく説明する。
本考案の実施例で提供されるセラミックプラスチック複合体の断面図である図１を参照する。このセラミックプラスチック複合体１００はセラミック基体１０と、セラミック基体１０表面に結合するプラスチック層２０を含む。本実施例で使用するセラミック基体１０の材質は、例えば窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化タングステン（ＷＣ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の各種セラミックであり、プラスチック層２０の材質はポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）又はポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）等のプラスチックである。
次に、本考案の実施例で提供されるセラミック基体１０表面のナノ細孔３０を走査型電子顕微鏡で見た概略図である図２Ａと図２Ｂを参照する。本実施例のセラミック基体１０表面には複数のナノ細孔３０が分布しているのが見られる。これらのナノ細孔３０の孔径は約２００〜４００ｎｍなので、後続の射出成形されたプラスチック層はこれらのナノ細孔３０の細孔中に十分に充填される。本考案では、これらのナノ細孔３０の平均孔径は１５０〜４５０ｎｍであるが、好ましくは２００〜４００ｎｍであり、これによりプラスチック層２０のナノ細孔３０内における吸着力が高められ、プラスチック層２０とセラミック基体１０の間の結合強度及び気密性が増す。実際の結合強度試験では、セラミックプラスチック複合体１００の結合強度が３００ｋｇ／ｃｍ２にまで達することができた。
続いて、本考案の実施例で提供されるセラミックプラスチック複合体の製造方法のフローチャートである図３を参照する。当該製造工程は次のステップを含む。
まずステップＳ１０では、セラミック粉末をスラリー化してシート状に流延してから、静水圧プレス成形を施した後セラミックを焼結するとともに、機械加工により形状化し、さらに研磨によりセラミック基体となる。
ステップＳ２０では、セラミック基体を化学洗浄し、まず溶剤を用いて脱ろうしてから脱脂を行い、表面の不純物と油脂を除去する。
ステップＳ２１では、セラミック基体の表面汚れをさらに除去し、好ましくはセラミック基体表面を１回又は数回洗浄する。
ステップＳ３０では、セラミック基体表面に活性化処理を施し、触媒性を有するセラミック基体表面を形成し、後続の化学反応を行う際に有利になるようにする。活性剤の成分は８〜１０重量％の界面活性剤、５〜８重量％の有機塩基、２〜５重量％の錯化剤、２〜５重量％の添加剤、及び残部水を含む。活性化処理の温度は４５〜５５℃であり、活性化処理の時間は５〜８分である。
ステップＳ３１でも同様に、活性化後のセラミック基体表面を１回又は数回さらに洗浄してもよい。
ステップＳ４０では、マイクロエッチング処理剤を用い、セラミック基体表面にマイクロエッチング処理を施し、活性化処理を施したセラミック基体表面に複数のメソ細孔を生じさせ、これらのメソ細孔の平均孔径は約２０〜４０ｎｍである。マイクロエッチング処理剤は５０重量％の酸性塩、１〜５重量％の腐食防止剤、１〜３重量％の界面活性剤、１〜３重量％の添加剤、及び残部水を含む。マイクロエッチング処理の温度は６５〜８５℃であり、マイクロエッチング処理の時間は３０分である。
ステップＳ４１では、メソ細孔を有するセラミック基体表面を１回又は数回さらに洗浄してもよい。
ステップＳ５０では、ポアワイドニング処理剤を用い、セラミック基体表面にポアワイドニング処理を施し、セラミック基体表面のメソ細孔がさらに拡大されナノ細孔となり、これらのナノ細孔の平均孔径は１５０〜４５０ｎｍであり、好ましくは２００〜４００ｎｍである。本実施例では、ポアワイドニング処理剤は５〜１０重量％の浸透剤、３５重量％の有機酸塩、１〜３重量％の界面活性剤、１〜３重量％の添加剤、及び残部水を含む。ポアワイドニング処理の温度は６５〜８５℃であり、ポアワイドニング処理の時間は３５分である。
ステップＳ５１でも同様に、ナノ細孔が形成されたセラミック基体表面を１回又は数回さらに洗浄してもよい。
ステップＳ６０では、表面改質剤を用い、セラミック基体表面に表面改質を行い、ナノ細孔を有するセラミック基体表面の微小な状態を変化させる。表面改質剤は１〜１０重量％の有機酸、１〜５重量％の腐食防止剤、１〜３重量％の界面活性剤、１〜３重量％の添加剤、及び残部水を含む。表面改質の温度は５５〜６５℃であり、表面改質の時間は３〜５分である。
ステップＳ６１では、表面改質を行ったセラミック基体表面を１回又は数回さらに洗浄してもよい。
その後ステップＳ７０では、表面改質を行ったセラミック基体を乾燥させる。
最後にステップＳ８０では、図４で示すように、乾燥が終わったセラミック基体１０を射出成形鋳型５０内に入れた後、セラミック基体１０のナノ細孔を有する表面にプラスチックを射出し、プラスチックが各ナノ細孔に充填され、プラスチックが成形されてプラスチック層２０が形成される。このプラスチック層２０がナノ細孔を介してセラミック基体１０表面と緊密に結合して一体化することにより、本考案のセラミックプラスチック複合体が得られる。
本実施例のステップＳ８０のプラスチックの射出成形において、その成形鋳型の温度は１４０℃であり、シリンダー温度は第一段階では約２９０℃、第二段階では約２９５℃、第三段階では約３００℃、第四段階では約３０５℃であり、射出圧力は約１７５０ｋｇｆ／ｃｍ２である。
本考案で製造されるセラミックプラスチック複合体は、引張強度試験によりその結合強度が３００ｋｇ／ｃｍ２に達することがわかった。この引張強度試験は電子式万能材料試験機により行い、その試験速度は１０．００ｍｍ／ｍｉｎであり、試験基準は１２０ｋｇｆ／０．５ｃｍ２であり、その試験片にはセラミックプラスチック複合体を用い、そのセラミック基体の材質は酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）であり、プラスチックの種類はポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）であり、両者の結合面積は０．５ｃｍ２であり、試験片のサイズは４５ｍｍ×１８ｍｍ×１．５ｍｍである。
総じて、本考案に基づいて製造されるセラミックプラスチック複合体のセラミック基体とプラスチックの結合効果はかなり安定したものであり、結合強度も高い。したがって既存技術と比較すると、本考案が提供するセラミックプラスチック複合体は、化学洗浄、マイクロエッチング、ポアワイドニング、表面改質等のステップにより、ナノ細孔の平均孔径を１５０〜４５０ｎｍ程度にすることができるので、射出成形されたプラスチック層が各ナノ細孔内を完全に覆うことにより、より高い付着力が生じ、セラミック基体とプラスチック層の結合強度が効果的に高められ、セラミック基体とプラスチック層の境界面間の気密性も確保でき、結果的に製品の品質と性能をより安定させることができる。また、本考案の製作手順は簡易で、低コストであり、製品の軽量化や薄型化を容易に達成できるので、精細化した電子製品の市場ニーズに応え、業界における製品の競争力を高めることができる。
上述の実施例は本考案の技術思想及び特徴を説明するためのものに過ぎず、その目的は、この技術分野を熟知する者が本考案の内容を理解し実施できるようにすることにあり、本考案の実用新案登録請求の範囲を限定するものではない。したがって、本考案で開示された精神に基づいてなされた変更や潤色はすべて、本考案の実用新案登録請求の範囲内に含まれる。
１００ セラミックプラスチック複合体
１０ セラミック基体
２０ プラスチック層
３０ ナノ細孔
５０ 射出成形鋳型
１０ セラミック基体
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Claims (4)
- セラミック基体及び前記セラミック基体表面に射出成形によって一体に結合して形成されたプラスチック層を含むセラミックプラスチック複合体であって、
前記セラミック基体表面には複数のナノ細孔が分布し、前記複数のナノ細孔の平均孔径は１５０〜４５０ｎｍであり、前記プラスチック層は前記複数のナノ細孔内に嵌入し、かつ前記プラスチック層と前記セラミック基体の結合強度は３００ｋｇ／ｃｍ２に達することを特徴とする、セラミックプラスチック複合体。 - 前記複数のナノ細孔の平均孔径は２００〜４００ｎｍである、請求項１に記載のセラミックプラスチック複合体。
- 前記セラミック基体の材質は窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化タングステン（ＷＣ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）又は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である、請求項１に記載のセラミックプラスチック複合体。
- 前記プラスチック層の材質はポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）又はポリアリールエーテルケトン（ＰＡＥＫ）である、請求項１に記載のセラミックプラスチック複合体。
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