JP3216637B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、柱状電極を有す
る半導体装置の製造方法に関する。
る半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＣＳＰ(Chip Size Package)と呼
ばれる半導体装置を製造する場合、一例として、まず図
８に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基
板）１上に複数の柱状電極２が形成されたものを印刷テ
ーブル３の上面に位置決めして載置する。次に、シリコ
ン基板１の上面に印刷マスク４を位置合わせして載置す
る。印刷マスク４は、厚さが柱状電極２の高さよりもや
や厚いマスク本体４ａにシリコン基板１の平面サイズよ
りもやや小さい円形状の開口部４ｂが形成されたものか
らなっている。
ばれる半導体装置を製造する場合、一例として、まず図
８に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基
板）１上に複数の柱状電極２が形成されたものを印刷テ
ーブル３の上面に位置決めして載置する。次に、シリコ
ン基板１の上面に印刷マスク４を位置合わせして載置す
る。印刷マスク４は、厚さが柱状電極２の高さよりもや
や厚いマスク本体４ａにシリコン基板１の平面サイズよ
りもやや小さい円形状の開口部４ｂが形成されたものか
らなっている。
【０００３】次に、図９に示すように、側面短冊形状の
スキージ５で液状封止樹脂を印刷マスク４の開口部４ｂ
内に印刷し、封止膜６を形成する。この状態では、柱状
電極２の上面は封止膜６によって覆われている。次に、
封止膜６の上面側を適宜に研磨あるいはエッチングする
ことにより、図１０に示すように、柱状電極２の上面を
露出させる。次に、図１１に示すように、柱状電極２の
上面に半田ボール７を形成する。次に、ダイシング工程
を経ると、個々の半導体装置が得られる。
スキージ５で液状封止樹脂を印刷マスク４の開口部４ｂ
内に印刷し、封止膜６を形成する。この状態では、柱状
電極２の上面は封止膜６によって覆われている。次に、
封止膜６の上面側を適宜に研磨あるいはエッチングする
ことにより、図１０に示すように、柱状電極２の上面を
露出させる。次に、図１１に示すように、柱状電極２の
上面に半田ボール７を形成する。次に、ダイシング工程
を経ると、個々の半導体装置が得られる。
【０００４】次に、図１２は以上のようにして得られた
半導体装置１０を回路基板１１上に搭載した状態の一部
の断面図を示したものである。この場合、半導体装置１
０は、半田ボール７が回路基板１１の上面の所定の箇所
に形成された接続端子１２に接合されていることによ
り、回路基板１１上に搭載されている。
半導体装置１０を回路基板１１上に搭載した状態の一部
の断面図を示したものである。この場合、半導体装置１
０は、半田ボール７が回路基板１１の上面の所定の箇所
に形成された接続端子１２に接合されていることによ
り、回路基板１１上に搭載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のこの
ような半導体装置１０では、封止膜６の厚さが柱状電極
２の高さと同じとなるので、柱状電極２が揺れ動きにく
く、この結果、回路基板１１上に搭載した後における温
度サイクルテストにおいて、シリコン基板１と回路基板
１１との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱
状電極２で吸収することができず、ひいては柱状電極２
と半田ボール７との界面にクラックが発生することがあ
るという問題があった。この発明の課題は、柱状電極で
応力を吸収することができるようにすることである。
ような半導体装置１０では、封止膜６の厚さが柱状電極
２の高さと同じとなるので、柱状電極２が揺れ動きにく
く、この結果、回路基板１１上に搭載した後における温
度サイクルテストにおいて、シリコン基板１と回路基板
１１との間の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱
状電極２で吸収することができず、ひいては柱状電極２
と半田ボール７との界面にクラックが発生することがあ
るという問題があった。この発明の課題は、柱状電極で
応力を吸収することができるようにすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
半導体基板上に形成された複数の柱状電極間の前記半導
体基板上に、先端部がほぼＶ字状のスキージをほぼ垂直
な状態で往復動させるスクリーン印刷により、その先端
部を前記柱状電極間に押し込んで封止膜を前記柱状電極
間で陥没するように形成するものである。請求項５記載
の発明は、半導体基板上に形成された複数の柱状電極間
の前記半導体基板上に、先端部が先鋭な２つのスキージ
を、往動時には先行する復動用スキージを上昇させた状
態で後行する往動用スキージで印刷し、復動時には先行
する往動用スキージを上昇させた状態で後行する復動用
スキージで印刷するスクリーン印刷により、封止膜を前
記柱状電極間で陥没するように形成するものである。こ
の発明によれば、先鋭なスキージの先端部を柱状電極間
に押し込んで封止膜を柱状電極間で陥没するように形成
しているので、柱状電極を揺れ動き易くすることがで
き、ひいては柱状電極で応力を吸収することができる。
この場合、先鋭なスキージを垂直な状態で往復動させる
スクリーン印刷により封止膜を形成しているので、スキ
ージの先端部の柱状電極間への押し込み量を調整するこ
とにより、封止膜の厚さを容易に制御することができ
る。
半導体基板上に形成された複数の柱状電極間の前記半導
体基板上に、先端部がほぼＶ字状のスキージをほぼ垂直
な状態で往復動させるスクリーン印刷により、その先端
部を前記柱状電極間に押し込んで封止膜を前記柱状電極
間で陥没するように形成するものである。請求項５記載
の発明は、半導体基板上に形成された複数の柱状電極間
の前記半導体基板上に、先端部が先鋭な２つのスキージ
を、往動時には先行する復動用スキージを上昇させた状
態で後行する往動用スキージで印刷し、復動時には先行
する往動用スキージを上昇させた状態で後行する復動用
スキージで印刷するスクリーン印刷により、封止膜を前
記柱状電極間で陥没するように形成するものである。こ
の発明によれば、先鋭なスキージの先端部を柱状電極間
に押し込んで封止膜を柱状電極間で陥没するように形成
しているので、柱状電極を揺れ動き易くすることがで
き、ひいては柱状電極で応力を吸収することができる。
この場合、先鋭なスキージを垂直な状態で往復動させる
スクリーン印刷により封止膜を形成しているので、スキ
ージの先端部の柱状電極間への押し込み量を調整するこ
とにより、封止膜の厚さを容易に制御することができ
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１〜図３はそれぞれこの発明の
一実施形態における半導体装置の各製造工程を示したも
のである。そこで、これらの図を順に参照して、この実
施形態における半導体装置の製造方法について説明す
る。まず、図１に示すように、ウエハ状態のシリコン基
板（半導体基板）１１上に高さ１００〜３００μｍの複
数の柱状電極１２が形成されたものを印刷テーブル１３
の上面に位置決めして載置する。次に、シリコン基板１
１の上面に印刷マスク１４を位置合わせして載置する。
印刷マスク１４は、厚さが柱状電極１２の高さよりも薄
いマスク本体１４ａにシリコン基板１１の平面サイズよ
りもやや小さい円形状の開口部１４ｂが形成されたもの
からなっている。
一実施形態における半導体装置の各製造工程を示したも
のである。そこで、これらの図を順に参照して、この実
施形態における半導体装置の製造方法について説明す
る。まず、図１に示すように、ウエハ状態のシリコン基
板（半導体基板）１１上に高さ１００〜３００μｍの複
数の柱状電極１２が形成されたものを印刷テーブル１３
の上面に位置決めして載置する。次に、シリコン基板１
１の上面に印刷マスク１４を位置合わせして載置する。
印刷マスク１４は、厚さが柱状電極１２の高さよりも薄
いマスク本体１４ａにシリコン基板１１の平面サイズよ
りもやや小さい円形状の開口部１４ｂが形成されたもの
からなっている。
【０００８】次に、図２に示すように、先端部が側面ほ
ぼＶ字状のスキージ１５で液状封止樹脂を印刷マスク１
４の開口部１４ｂ内に印刷し、封止膜１６を形成する。
この場合、液状封止樹脂の粘度は千ｃＰＳ（センチポア
ズ）〜約３０万ｃＰＳ程度とし、また、スキージ１５は
ミノウレタン（ウレタン系ゴム）によって形成され、そ
の先端部の角度は６０°程度が好ましいが、５５°〜８
０°程度としても何ら問題はない。また、スキージ１５
の硬度はＪＩＳ規定の５５゜〜８０゜であり、印刷に際
しては、スキージ１５はほぼ垂直な状態で往復動され、
その先端部が柱状電極１２間に押し込まれることによ
り、封止膜１６は、その厚さが柱状電極１２の高さより
も薄くなり、柱状電極１２間で陥没するように形成され
る。なお、柱状電極１２の上面に封止膜１６が形成され
た場合には、柱状電極１２上及びその近傍の封止膜１６
を適宜に研磨あるいはエッチングして、柱状電極１２の
上面を露出させる。次に、図３に示すように、柱状電極
１２の上面に半田ボール１７を形成する。次に、ダイシ
ング工程を経ると、個々の半導体装置が得られる。
ぼＶ字状のスキージ１５で液状封止樹脂を印刷マスク１
４の開口部１４ｂ内に印刷し、封止膜１６を形成する。
この場合、液状封止樹脂の粘度は千ｃＰＳ（センチポア
ズ）〜約３０万ｃＰＳ程度とし、また、スキージ１５は
ミノウレタン（ウレタン系ゴム）によって形成され、そ
の先端部の角度は６０°程度が好ましいが、５５°〜８
０°程度としても何ら問題はない。また、スキージ１５
の硬度はＪＩＳ規定の５５゜〜８０゜であり、印刷に際
しては、スキージ１５はほぼ垂直な状態で往復動され、
その先端部が柱状電極１２間に押し込まれることによ
り、封止膜１６は、その厚さが柱状電極１２の高さより
も薄くなり、柱状電極１２間で陥没するように形成され
る。なお、柱状電極１２の上面に封止膜１６が形成され
た場合には、柱状電極１２上及びその近傍の封止膜１６
を適宜に研磨あるいはエッチングして、柱状電極１２の
上面を露出させる。次に、図３に示すように、柱状電極
１２の上面に半田ボール１７を形成する。次に、ダイシ
ング工程を経ると、個々の半導体装置が得られる。
【０００９】次に、図４は以上のようにして得られた半
導体装置２０を回路基板２１上に搭載した状態の一部の
断面図を示したものである。この場合、半導体装置２０
は、半田ボール１７が回路基板２１の上面の所定の箇所
に設けられた接続端子２２に接合されていることによ
り、回路基板２１上に搭載されている。
導体装置２０を回路基板２１上に搭載した状態の一部の
断面図を示したものである。この場合、半導体装置２０
は、半田ボール１７が回路基板２１の上面の所定の箇所
に設けられた接続端子２２に接合されていることによ
り、回路基板２１上に搭載されている。
【００１０】ところで、以上のようにして得られた半導
体装置１０では、封止膜１６を柱状電極１２間で陥没す
るように形成しているので、柱状電極１２を揺れ動き易
くすることができる。この結果、半導体装置１０を回路
基板２１上に搭載した後における温度サイクルテストに
おいて、シリコン基板１１と回路基板２１との間の熱膨
張係数差に起因して発生する応力を柱状電極１２で吸収
することができ、ひいては柱状電極１２と半田ボール１
７との界面にクラックが発生しにくいようにすることが
できる。
体装置１０では、封止膜１６を柱状電極１２間で陥没す
るように形成しているので、柱状電極１２を揺れ動き易
くすることができる。この結果、半導体装置１０を回路
基板２１上に搭載した後における温度サイクルテストに
おいて、シリコン基板１１と回路基板２１との間の熱膨
張係数差に起因して発生する応力を柱状電極１２で吸収
することができ、ひいては柱状電極１２と半田ボール１
７との界面にクラックが発生しにくいようにすることが
できる。
【００１１】ここで、スキージ１５の押し込み量（ｍ
ｍ）と封止膜１６の厚さ（ｍｍ）との関係を調べたとこ
ろ、図５に示す結果が得られた。この場合、スキージ１
５の押し込み量とは、高さ１１０μｍ程度の柱状電極１
２の上面を基準として、スキージ１５の先端部を柱状電
極１２間に押し込んだ量のことである。また、封止膜１
６の厚さとは、柱状電極１２間において最も陥没したと
ころにおける厚さのことである。図５から明らかなよう
に、封止膜１６の厚さはスキージ１５の押し込み量に反
比例している。したがって、スキージ１５の先端部の柱
状電極１２間への押し込み量を調整することにより、封
止膜１６の厚さを容易に制御することができる。
ｍ）と封止膜１６の厚さ（ｍｍ）との関係を調べたとこ
ろ、図５に示す結果が得られた。この場合、スキージ１
５の押し込み量とは、高さ１１０μｍ程度の柱状電極１
２の上面を基準として、スキージ１５の先端部を柱状電
極１２間に押し込んだ量のことである。また、封止膜１
６の厚さとは、柱状電極１２間において最も陥没したと
ころにおける厚さのことである。図５から明らかなよう
に、封止膜１６の厚さはスキージ１５の押し込み量に反
比例している。したがって、スキージ１５の先端部の柱
状電極１２間への押し込み量を調整することにより、封
止膜１６の厚さを容易に制御することができる。
【００１２】また、スキージ１５を比較的柔らかいミノ
ウレタンによって形成し、その先端部を側面ほぼＶ字状
としているので、スキージ１５を垂直な状態で柱状電極
１２間に押し込みながら往復動させても、柱状電極１２
にダメージをほとんど与えることがないようにすること
ができる。
ウレタンによって形成し、その先端部を側面ほぼＶ字状
としているので、スキージ１５を垂直な状態で柱状電極
１２間に押し込みながら往復動させても、柱状電極１２
にダメージをほとんど与えることがないようにすること
ができる。
【００１３】次に、封止膜１６の形成方法の他の例につ
いて、図６を参照して説明する。まず、図６（Ａ）に示
すように、所定の間隔をおいて配置された２つのスキー
ジ１５ａ、１５ｂを有するスクリーン印刷機を用意す
る。この場合、左側のスキージ１５ａは往動用であり、
右側のスキージ１５ｂは復動用である。そして、両スキ
ージ１５ａ、１５ｂを左方向移動限位置に位置させ、且
つ、往動用スキージ１５ａを下降させて印刷マスク１４
の上面に接触させ、また復動用スキージ１５ｂを上昇位
置に位置させる。この場合、往動用スキージ１５ａの下
降量は、予め設定されたスキージ押し込み量に対応した
ものである。
いて、図６を参照して説明する。まず、図６（Ａ）に示
すように、所定の間隔をおいて配置された２つのスキー
ジ１５ａ、１５ｂを有するスクリーン印刷機を用意す
る。この場合、左側のスキージ１５ａは往動用であり、
右側のスキージ１５ｂは復動用である。そして、両スキ
ージ１５ａ、１５ｂを左方向移動限位置に位置させ、且
つ、往動用スキージ１５ａを下降させて印刷マスク１４
の上面に接触させ、また復動用スキージ１５ｂを上昇位
置に位置させる。この場合、往動用スキージ１５ａの下
降量は、予め設定されたスキージ押し込み量に対応した
ものである。
【００１４】そして、両スキージ１５ａ、１５ｂ間にお
ける印刷マスク１４の上面に液状封止樹脂１６ａを供給
し、両スキージ１５ａ、１５ｂを右方向に移動させ、図
６（Ｂ）に示すように、往動用スキージ１５ａによって
印刷マスク１４の開口部１４ｂ内に液状封止樹脂１６ａ
を印刷する。そして、両スキージ１５ａ、１５ｂが左方
向移動限位置に位置した後に、図６（Ｃ）に示すよう
に、復動用スキージ１５ｂを下降させて印刷マスク１４
の上面に接触させる。この場合も、復動用スキージ１５
ｂの下降量は、予め設定されたスキージ押し込み量に対
応したものである。
ける印刷マスク１４の上面に液状封止樹脂１６ａを供給
し、両スキージ１５ａ、１５ｂを右方向に移動させ、図
６（Ｂ）に示すように、往動用スキージ１５ａによって
印刷マスク１４の開口部１４ｂ内に液状封止樹脂１６ａ
を印刷する。そして、両スキージ１５ａ、１５ｂが左方
向移動限位置に位置した後に、図６（Ｃ）に示すよう
に、復動用スキージ１５ｂを下降させて印刷マスク１４
の上面に接触させる。この場合も、復動用スキージ１５
ｂの下降量は、予め設定されたスキージ押し込み量に対
応したものである。
【００１５】次に、両スキージ１５ａ、１５ｂを左方向
にやや移動させ、図６（Ｄ）に示すように、復動用スキ
ージ１５ｂがシリコン基板１１上に位置する状態となっ
た時点で、往動用スキージ１５ａを上昇させる。そし
て、両スキージ１５ａ、１５ｂをさらに左方向に移動さ
せ、図６（Ｅ）に示すように、復動用スキージ１５ｂに
よって印刷マスク１４の開口部１４ｂ内に液状封止樹脂
１６ａを印刷する。かくして、液状封止樹脂１６ａの印
刷工程が終了する。
にやや移動させ、図６（Ｄ）に示すように、復動用スキ
ージ１５ｂがシリコン基板１１上に位置する状態となっ
た時点で、往動用スキージ１５ａを上昇させる。そし
て、両スキージ１５ａ、１５ｂをさらに左方向に移動さ
せ、図６（Ｅ）に示すように、復動用スキージ１５ｂに
よって印刷マスク１４の開口部１４ｂ内に液状封止樹脂
１６ａを印刷する。かくして、液状封止樹脂１６ａの印
刷工程が終了する。
【００１６】ここで、図６（Ｃ）に示すように、復動用
スキージ１５ｂを下降させて印刷マスク１４の上面に接
触させ、図６（Ｄ）に示すように、復動用スキージ１５
ｂがシリコン基板１１上に位置する状態となった時点
で、換言すれば、復動用スキージ１５ｂがマスク１４の
上面に接触しながら左方向に移動を開始し、シリコン基
板１１の端縁よりも内側に位置する状態となった時点
で、往動用スキージ１５ａを上昇させている理由につい
て説明する。図６（Ｂ）に示す状態において、まず往動
用スキージ１５ａを上昇させ、次いで復動用スキージ１
５ｂを下降させて印刷マスク１４の上面に接触させた場
合には、復動用スキージ１５ｂの印刷マスク１４の上面
への接触力により、印刷マスク１４が浮き上がり、すで
に印刷された液状封止樹脂１６ａが印刷マスク１４の下
面側に回り込み、連続印刷が不可能となることがある。
そこで、このようなことを回避するためである。
スキージ１５ｂを下降させて印刷マスク１４の上面に接
触させ、図６（Ｄ）に示すように、復動用スキージ１５
ｂがシリコン基板１１上に位置する状態となった時点
で、換言すれば、復動用スキージ１５ｂがマスク１４の
上面に接触しながら左方向に移動を開始し、シリコン基
板１１の端縁よりも内側に位置する状態となった時点
で、往動用スキージ１５ａを上昇させている理由につい
て説明する。図６（Ｂ）に示す状態において、まず往動
用スキージ１５ａを上昇させ、次いで復動用スキージ１
５ｂを下降させて印刷マスク１４の上面に接触させた場
合には、復動用スキージ１５ｂの印刷マスク１４の上面
への接触力により、印刷マスク１４が浮き上がり、すで
に印刷された液状封止樹脂１６ａが印刷マスク１４の下
面側に回り込み、連続印刷が不可能となることがある。
そこで、このようなことを回避するためである。
【００１７】なお、硬化後の封止膜の粘度は５０万〜１
５０万ｃＰＳと高い方が望ましいが、液状封止樹脂１６
ａの粘度がこのように高い場合には、スキージによる印
刷時、液状封止樹脂が波打つように形成された、膜厚が
一様とならない。そこで、このような場合には、印刷前
に予め液状封止樹脂を加熱しておくか、あるいは、シリ
コン基板１１を加温しておくことにより、液状封止樹脂
の粘度を適当な値、例えば、数万〜数十万ｃＰＳに下げ
た状態で印刷するようにすればよい。
５０万ｃＰＳと高い方が望ましいが、液状封止樹脂１６
ａの粘度がこのように高い場合には、スキージによる印
刷時、液状封止樹脂が波打つように形成された、膜厚が
一様とならない。そこで、このような場合には、印刷前
に予め液状封止樹脂を加熱しておくか、あるいは、シリ
コン基板１１を加温しておくことにより、液状封止樹脂
の粘度を適当な値、例えば、数万〜数十万ｃＰＳに下げ
た状態で印刷するようにすればよい。
【００１８】また、上記実施形態において、柱状電極１
２は、シリコン基板１１上に直接形成した図となってい
るが、この発明に記載した封止膜の形成方法は、シリコ
ン基板１１上に絶縁膜を介して配線を形成し、該配線上
に柱状電極を形成することによりシリコン基板１１上に
柱状電極をマトリクス状に配列した半導体装置に極めて
好適に適用し得るものである。
２は、シリコン基板１１上に直接形成した図となってい
るが、この発明に記載した封止膜の形成方法は、シリコ
ン基板１１上に絶縁膜を介して配線を形成し、該配線上
に柱状電極を形成することによりシリコン基板１１上に
柱状電極をマトリクス状に配列した半導体装置に極めて
好適に適用し得るものである。
【００１９】さらに、図６に示す場合には、両スキージ
１５ａ、１５ｂとして先端部が側面ほぼＶ字状のものを
用いているが、これに限定されるものではない。例え
ば、図７に示すように、往動用スキージ１５ａとして先
端部の左側面が垂直面で右側面が傾斜面となったものを
用い、復動用スキージ１５ｂとして先端部の右側面が垂
直面で左側面が傾斜面となったものを用いるようにして
もよい。図７において、シリコン基板１１の上面に対し
てスキージ１５ａ、１５ｂを垂直に維持した状態で、往
動印刷及び復動印刷を行うが、スキージ１５ａ、１５ｂ
をシリコン基板１１の上面に対する垂直線に対してその
先端部が均等となる角度に傾斜して往動印刷及び復動印
刷を行うようにしてもよい。
１５ａ、１５ｂとして先端部が側面ほぼＶ字状のものを
用いているが、これに限定されるものではない。例え
ば、図７に示すように、往動用スキージ１５ａとして先
端部の左側面が垂直面で右側面が傾斜面となったものを
用い、復動用スキージ１５ｂとして先端部の右側面が垂
直面で左側面が傾斜面となったものを用いるようにして
もよい。図７において、シリコン基板１１の上面に対し
てスキージ１５ａ、１５ｂを垂直に維持した状態で、往
動印刷及び復動印刷を行うが、スキージ１５ａ、１５ｂ
をシリコン基板１１の上面に対する垂直線に対してその
先端部が均等となる角度に傾斜して往動印刷及び復動印
刷を行うようにしてもよい。
【００２０】以上説明したように、この発明によれば、
先鋭なスキージの先端部を柱状電極間に押し込んで封止
膜を柱状電極間で陥没するように形成しているので、柱
状電極を揺れ動き易くすることができ、ひいては柱状電
極で応力を吸収することができる。この場合、先鋭なス
キージを垂直な状態で往復動させるスクリーン印刷によ
り封止膜を形成しているので、スキージの先端部の柱状
電極間への押し込み量を調整することにより、封止膜の
厚さを容易に制御することができる。
先鋭なスキージの先端部を柱状電極間に押し込んで封止
膜を柱状電極間で陥没するように形成しているので、柱
状電極を揺れ動き易くすることができ、ひいては柱状電
極で応力を吸収することができる。この場合、先鋭なス
キージを垂直な状態で往復動させるスクリーン印刷によ
り封止膜を形成しているので、スキージの先端部の柱状
電極間への押し込み量を調整することにより、封止膜の
厚さを容易に制御することができる。
【図１】この発明の一実施形態における半導体装置を製
造する場合の当初の製造工程の断面図。
造する場合の当初の製造工程の断面図。
【図２】図１に続く製造工程の断面図。
【図３】図２に続く製造工程の断面図。
【図４】図３に示すような半導体装置を回路基板上に搭
載した状態の断面図。
載した状態の断面図。
【図５】スキージの押し込み量と封止膜の厚さとの関係
を説明するために示す図。
を説明するために示す図。
【図６】（Ａ）〜（Ｅ）はそれぞれ封止膜の形成方法の
他の例を説明するために示す断面図。
他の例を説明するために示す断面図。
【図７】スキージの他の例を説明するために示す断面
図。
図。
【図８】従来の半導体装置を製造する場合の当初の製造
工程の断面図。
工程の断面図。
【図９】図８に続く製造工程の断面図。
【図１０】図９に続く製造工程の断面図。
【図１１】図１０に続く製造工程の断面図。
【図１２】図１１に示すような半導体装置を回路基板上
に搭載した状態の断面図。
に搭載した状態の断面図。
１１ シリコン基板 １２ 柱状電極 １３ 印刷テーブル １４ 印刷マスク １５ スキージ １６ 封止膜 １７ 半田ボール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/12 H01L 21/60 H01L 21/56 H01L 23/28
Claims (10)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された複数の柱状電
極間の前記半導体基板上に、先端部がほぼＶ字状のスキ
ージをほぼ垂直な状態で往復動させるスクリーン印刷に
より、その先端部を前記柱状電極間に押し込んで封止膜
を前記柱状電極間で陥没するように形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記スキ
ージは先端の角度が５５゜〜８０゜のゴムであることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の発明において、
前記スキージは硬度５５゜〜８０゜程度であることを特
徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の発明に
おいて、前記スキージはウレタン系ゴムによって形成さ
れていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体基板上に形成された複数の柱状電
極間の前記半導体基板上に、先端部が先鋭な２つのスキ
ージを、往動時には先行する復動用スキージを上昇させ
た状態で後行する往動用スキージで印刷し、復動時には
先行する往動用スキージを上昇させた状態で後行する復
動用スキージで印刷するスクリーン印刷により、封止膜
を前記柱状電極間で陥没するように形成することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の発明において、前記スク
リーン印刷は、前記半導体基板上に該半導体基板の周辺
部を覆うマスクを載置して行い、前記往動用スキージに
よる印刷は、前記往動用スキージが、前記マスクの周辺
部で、前記半導体基板の端縁から外れない位置で終了す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の発明において、前記往動
用スキージは往動時の印刷が終了した後も前記マスクの
上面に接触しており、前記復動用スキージが前記半導体
基板の端縁から内側に移動してきた時点で、前記マスク
の上面から上昇することを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項８】 請求項５記載の発明において、前記スキ
ージは先端の角度が５５゜〜８０゜のゴムであることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項５記載の発明において、前記スキ
ージは硬度５５゜〜８０゜程度であることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の発明において、前記ス
キージはウレタン系ゴムによって形成されていることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26005099A JP3216637B2 (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 半導体装置の製造方法 |
| US09/487,165 US6319851B1 (en) | 1999-02-03 | 2000-01-19 | Method for packaging semiconductor device having bump electrodes |
| TW089101623A TW479303B (en) | 1999-02-03 | 2000-01-31 | Methods for packaging semiconductor device having bump electrodes |
| KR1020000005201A KR100333060B1 (ko) | 1999-02-03 | 2000-02-02 | 범프전극의 형성방법 |
| CNB001007548A CN1160769C (zh) | 1999-02-03 | 2000-02-03 | 封装具有凸电极的半导体器件的方法 |
| EP00114249A EP1085564A1 (en) | 1999-09-14 | 2000-07-03 | Method for packaging semiconductor device having bump electrodes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26005099A JP3216637B2 (ja) | 1999-09-14 | 1999-09-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001085561A JP2001085561A (ja) | 2001-03-30 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP26005099A Expired - Fee Related JP3216637B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-09-14 | 半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP3216637B2 (ja) |
-
1999
- 1999-09-14 JP JP26005099A patent/JP3216637B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JP2001085561A (ja) | 2001-03-30 |
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