JP3430289B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、柱状電極を有す
る半導体装置の製造方法に関する。
る半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体チップ単体やＣＳＰ(Chip Size P
ackage)等の半導体装置では、半導体基板あるいは中間
基板（インターポーザ）上に、他の回路基板等と接続さ
れる柱状電極が設けられている。従来のこのような半導
体装置の製造方法では、一例として、まず図８（Ａ）に
示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）
１上に複数の柱状電極２が形成されたものを印刷用ステ
ージ３の上面に位置決めして載置する。次に、シリコン
基板１の上面に印刷用マスク４を位置合わせして載置す
る。印刷用マスク４は、図８（Ａ）及び図９に示すよう
に、厚さが柱状電極２の高さよりもやや厚いマスク本体
４ａにシリコン基板１の平面サイズよりもやや小さい円
形状の開口部４ｂが形成されたものからなっている。
ackage)等の半導体装置では、半導体基板あるいは中間
基板（インターポーザ）上に、他の回路基板等と接続さ
れる柱状電極が設けられている。従来のこのような半導
体装置の製造方法では、一例として、まず図８（Ａ）に
示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）
１上に複数の柱状電極２が形成されたものを印刷用ステ
ージ３の上面に位置決めして載置する。次に、シリコン
基板１の上面に印刷用マスク４を位置合わせして載置す
る。印刷用マスク４は、図８（Ａ）及び図９に示すよう
に、厚さが柱状電極２の高さよりもやや厚いマスク本体
４ａにシリコン基板１の平面サイズよりもやや小さい円
形状の開口部４ｂが形成されたものからなっている。
【０００３】次に、図８（Ｂ）に示すように、スキージ
５で液状樹脂からなる封止材６を印刷用マスク４の開口
部４ｂ内に印刷し、硬化工程を経ることにより、樹脂封
止膜７を形成する。この状態では、柱状電極２の上面は
樹脂封止膜７によって覆われている。次に、樹脂封止膜
７の表面を適宜に研磨あるいはエッチングすることによ
り、図８（Ｃ）に示すように、柱状電極２の上面を露出
させる。次に、図８（Ｄ）に示すように、柱状電極２の
上面に半田ボール８を形成する。次に、ダイシング工程
を経ると、個々の半導体チップ（半導体装置）が得られ
る。
５で液状樹脂からなる封止材６を印刷用マスク４の開口
部４ｂ内に印刷し、硬化工程を経ることにより、樹脂封
止膜７を形成する。この状態では、柱状電極２の上面は
樹脂封止膜７によって覆われている。次に、樹脂封止膜
７の表面を適宜に研磨あるいはエッチングすることによ
り、図８（Ｃ）に示すように、柱状電極２の上面を露出
させる。次に、図８（Ｄ）に示すように、柱状電極２の
上面に半田ボール８を形成する。次に、ダイシング工程
を経ると、個々の半導体チップ（半導体装置）が得られ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うにして得られた半導体装置では、例えば図８（Ｃ）に
示すように、樹脂封止膜７の厚さが柱状電極２の高さと
同じとなるので、柱状電極２が揺れ動きにくく、この結
果、図示しない回路基板上に搭載した後における温度サ
イクルテストにおいて、シリコン基板１と回路基板との
間の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱状電極２
で吸収することができず、不良が発生してしまうことが
あるという問題があった。この発明の課題は、柱状電極
で応力を吸収することができるようにすることである。
うにして得られた半導体装置では、例えば図８（Ｃ）に
示すように、樹脂封止膜７の厚さが柱状電極２の高さと
同じとなるので、柱状電極２が揺れ動きにくく、この結
果、図示しない回路基板上に搭載した後における温度サ
イクルテストにおいて、シリコン基板１と回路基板との
間の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱状電極２
で吸収することができず、不良が発生してしまうことが
あるという問題があった。この発明の課題は、柱状電極
で応力を吸収することができるようにすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
複数の柱状電極を有する半導体基板の周縁部上に、前記
半導体基板の平面サイズよりやや小さい開口部を有し、
少なくとも前記柱状電極間に対応する前記開口部の両側
における厚さが前記柱状電極の高さより薄く形成された
印刷用マスクを位置決めして載置し、スキージで前記印
刷用マスクの前記開口部内に液状樹脂を印刷して前記柱
状電極間における厚さが前記柱状電極の高さよりも薄い
封止膜を形成し、前記柱状電極上の前記液状樹脂を研磨
あるいはエッチングすることにより柱状電極の上面を露
出させ、ダイシングにより個々の半導体チップを得るよ
うにしたものである。 請求項５に係る発明は、複数の柱
状電極を有する半導体基板の周縁部上に、前記半導体基
板の平面サイズよりやや小さい凹部を有し、前記凹部の
前記柱状電極間に対応する部分に開口部が形成された印
刷用マスクを位置決めして載置し、スキージで前記印刷
用マスクの前記開口部内に液状樹脂を印刷して前記柱状
電極間における厚さが前記柱状電極の高さよりも薄い封
止膜を形成し、ダイシングにより個々の半導体チップを
得るようにしたものである。 上記発明によれば、封止膜
の厚さを柱状電極の高さよりも薄く形成しているので、
柱状電極を揺れ動き易くすることができ、ひいては柱状
電極で応力を吸収することができる。
複数の柱状電極を有する半導体基板の周縁部上に、前記
半導体基板の平面サイズよりやや小さい開口部を有し、
少なくとも前記柱状電極間に対応する前記開口部の両側
における厚さが前記柱状電極の高さより薄く形成された
印刷用マスクを位置決めして載置し、スキージで前記印
刷用マスクの前記開口部内に液状樹脂を印刷して前記柱
状電極間における厚さが前記柱状電極の高さよりも薄い
封止膜を形成し、前記柱状電極上の前記液状樹脂を研磨
あるいはエッチングすることにより柱状電極の上面を露
出させ、ダイシングにより個々の半導体チップを得るよ
うにしたものである。 請求項５に係る発明は、複数の柱
状電極を有する半導体基板の周縁部上に、前記半導体基
板の平面サイズよりやや小さい凹部を有し、前記凹部の
前記柱状電極間に対応する部分に開口部が形成された印
刷用マスクを位置決めして載置し、スキージで前記印刷
用マスクの前記開口部内に液状樹脂を印刷して前記柱状
電極間における厚さが前記柱状電極の高さよりも薄い封
止膜を形成し、ダイシングにより個々の半導体チップを
得るようにしたものである。 上記発明によれば、封止膜
の厚さを柱状電極の高さよりも薄く形成しているので、
柱状電極を揺れ動き易くすることができ、ひいては柱状
電極で応力を吸収することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１（Ａ）〜
（Ｄ）はそれぞれこの発明の第１実施形態における半導
体装置の各製造工程を示したものである。そこで、これ
らの図を順に参照して、この実施形態における半導体装
置の製造方法について説明する。まず、図１（Ａ）に示
すように、ウエハ状態のシリコン基板１１上に複数の柱
状電極１２が形成されたものを印刷用ステージ１３の上
面に位置決めして載置する。次に、シリコン基板１１の
上面に印刷用マスク１４を位置合わせして載置する。印
刷用マスク１４は、図１（Ａ）及び図２に示すように、
厚さが柱状電極１２の高さよりも適宜に薄い（例えば柱
状電極１２の高さの半分以下）マスク本体１４ａにシリ
コン基板１１の平面サイズよりもやや小さい円形状の開
口部１４ｂが形成されたものからなっている。
（Ｄ）はそれぞれこの発明の第１実施形態における半導
体装置の各製造工程を示したものである。そこで、これ
らの図を順に参照して、この実施形態における半導体装
置の製造方法について説明する。まず、図１（Ａ）に示
すように、ウエハ状態のシリコン基板１１上に複数の柱
状電極１２が形成されたものを印刷用ステージ１３の上
面に位置決めして載置する。次に、シリコン基板１１の
上面に印刷用マスク１４を位置合わせして載置する。印
刷用マスク１４は、図１（Ａ）及び図２に示すように、
厚さが柱状電極１２の高さよりも適宜に薄い（例えば柱
状電極１２の高さの半分以下）マスク本体１４ａにシリ
コン基板１１の平面サイズよりもやや小さい円形状の開
口部１４ｂが形成されたものからなっている。
【０００７】次に、図１（Ｂ）に示すように、ナイロン
等からなるスキージ１５で液状樹脂からなる封止材１６
を印刷用マスク１４の開口部１４ｂ内に印刷し、硬化工
程を経ることにより、樹脂封止膜１７を形成する。この
状態では、柱状電極１２の上面は樹脂封止膜１７によっ
て覆われているが、柱状電極１２間における樹脂封止膜
１７の厚さは柱状電極１２の高さよりも適宜に薄くなっ
ている。なお、スキージ１５をほぼ垂直にしてまたは若
干傾斜させて往復動させるようにしてもよい。次に、柱
状電極１２上及びその近傍の樹脂封止膜１７を適宜に研
磨あるいはエッチングすることにより、図１（Ｃ）に示
すように、柱状電極１２の上面を露出させる。次に、図
１（Ｄ）に示すように、柱状電極１２の上面に半田ボー
ル１８を形成する。次に、ダイシング工程を経ると、個
々の半導体チップ（半導体装置）が得られる。
等からなるスキージ１５で液状樹脂からなる封止材１６
を印刷用マスク１４の開口部１４ｂ内に印刷し、硬化工
程を経ることにより、樹脂封止膜１７を形成する。この
状態では、柱状電極１２の上面は樹脂封止膜１７によっ
て覆われているが、柱状電極１２間における樹脂封止膜
１７の厚さは柱状電極１２の高さよりも適宜に薄くなっ
ている。なお、スキージ１５をほぼ垂直にしてまたは若
干傾斜させて往復動させるようにしてもよい。次に、柱
状電極１２上及びその近傍の樹脂封止膜１７を適宜に研
磨あるいはエッチングすることにより、図１（Ｃ）に示
すように、柱状電極１２の上面を露出させる。次に、図
１（Ｄ）に示すように、柱状電極１２の上面に半田ボー
ル１８を形成する。次に、ダイシング工程を経ると、個
々の半導体チップ（半導体装置）が得られる。
【０００８】次に、このようにして得られた半導体装
置、すなわち図１（Ｄ）に示すような半導体装置を回路
基板上に搭載した場合について、図３を参照して説明す
る。半導体装置１０は、半田ボール１８が回路基板２１
の上面の所定の箇所に設けられた接続パッド２２に接合
されていることにより、回路基板２１上に搭載されてい
る。
置、すなわち図１（Ｄ）に示すような半導体装置を回路
基板上に搭載した場合について、図３を参照して説明す
る。半導体装置１０は、半田ボール１８が回路基板２１
の上面の所定の箇所に設けられた接続パッド２２に接合
されていることにより、回路基板２１上に搭載されてい
る。
【０００９】ところで、半導体装置１０の柱状電極１２
間における樹脂封止膜１７の厚さは柱状電極１２の高さ
よりも適宜に薄くなっているので、柱状電極１２を揺れ
動き易くすることができる。この結果、半導体装置１０
を回路基板２１上に搭載した後における温度サイクルテ
ストにおいて、シリコン基板１１と回路基板２１との間
の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱状電極１２
で吸収することができ、ひいては不良が発生しにくいよ
うにすることができる。
間における樹脂封止膜１７の厚さは柱状電極１２の高さ
よりも適宜に薄くなっているので、柱状電極１２を揺れ
動き易くすることができる。この結果、半導体装置１０
を回路基板２１上に搭載した後における温度サイクルテ
ストにおいて、シリコン基板１１と回路基板２１との間
の熱膨張係数差に起因して発生する応力を柱状電極１２
で吸収することができ、ひいては不良が発生しにくいよ
うにすることができる。
【００１０】（第２実施形態）図４はこの発明の第２実
施形態における半導体装置の製造方法を説明するために
示したものである。この実施形態では、印刷用マスク１
４の厚さは、柱状電極１２の高さと同じであってもよ
く、また柱状電極１２の高さよりも薄くても厚くてもよ
い。その代わりに、印刷用ステージ１３とスキージ１５
とのうちいずれか一方を柱状電極１２の配置に応じて上
下動させる。この場合、図５に示すように、印刷用マス
ク１４は、マスク本体１４ａにシリコン基板１１の平面
サイズよりもやや小さい円形状の開口部１４ｂが形成さ
れ、この開口部１４ｂの所定の両側におけるマスク本体
１４ａの上面に複数の溝１４ｃが柱状電極１２の配置に
応じて（すなわち柱状電極１２間に対応する位置に）形
成されたものからなっている。溝１４ｃの全体としての
長さＬはスキージ１８の長さよりも長くなっている。溝
１４ｃの部分におけるマスク本体１４ａの厚さは、一例
として、柱状電極１２の高さが１００〜１５０μｍ程度
である場合には、３０μｍ程度とする。
施形態における半導体装置の製造方法を説明するために
示したものである。この実施形態では、印刷用マスク１
４の厚さは、柱状電極１２の高さと同じであってもよ
く、また柱状電極１２の高さよりも薄くても厚くてもよ
い。その代わりに、印刷用ステージ１３とスキージ１５
とのうちいずれか一方を柱状電極１２の配置に応じて上
下動させる。この場合、図５に示すように、印刷用マス
ク１４は、マスク本体１４ａにシリコン基板１１の平面
サイズよりもやや小さい円形状の開口部１４ｂが形成さ
れ、この開口部１４ｂの所定の両側におけるマスク本体
１４ａの上面に複数の溝１４ｃが柱状電極１２の配置に
応じて（すなわち柱状電極１２間に対応する位置に）形
成されたものからなっている。溝１４ｃの全体としての
長さＬはスキージ１８の長さよりも長くなっている。溝
１４ｃの部分におけるマスク本体１４ａの厚さは、一例
として、柱状電極１２の高さが１００〜１５０μｍ程度
である場合には、３０μｍ程度とする。
【００１１】そして、例えば印刷用ステージ１３を柱状
電極１２の配置に応じて上下動させながら、スキージ１
５を図４において左側から右側に移動させると、図４に
おいて一点鎖線で示すように、スキージ１５が印刷用マ
スク１４の溝１４ｃの部分において相対的に下降する。
かくして、スキージ１５で液状樹脂からなる封止材１６
を印刷用マスク１４の開口部１４ｅ内に印刷し、硬化工
程を経ることにより、樹脂封止膜１７を形成する。した
がって、この場合も、柱状電極１２の上面は樹脂封止膜
１７によって覆われるが、柱状電極１２間における樹脂
封止膜１７の厚さは柱状電極１２の高さよりも適宜に薄
くなる。次に、柱状電極１２上及びその近傍の樹脂封止
膜１７を適宜に研磨あるいはエッチングすることによ
り、柱状電極１２の上面を露出させる。次に、図示して
いないが、柱状電極１２の上面に半田ボールを形成す
る。次に、ダイシング工程を経ると、個々の半導体チッ
プ（半導体装置）が得られる。
電極１２の配置に応じて上下動させながら、スキージ１
５を図４において左側から右側に移動させると、図４に
おいて一点鎖線で示すように、スキージ１５が印刷用マ
スク１４の溝１４ｃの部分において相対的に下降する。
かくして、スキージ１５で液状樹脂からなる封止材１６
を印刷用マスク１４の開口部１４ｅ内に印刷し、硬化工
程を経ることにより、樹脂封止膜１７を形成する。した
がって、この場合も、柱状電極１２の上面は樹脂封止膜
１７によって覆われるが、柱状電極１２間における樹脂
封止膜１７の厚さは柱状電極１２の高さよりも適宜に薄
くなる。次に、柱状電極１２上及びその近傍の樹脂封止
膜１７を適宜に研磨あるいはエッチングすることによ
り、柱状電極１２の上面を露出させる。次に、図示して
いないが、柱状電極１２の上面に半田ボールを形成す
る。次に、ダイシング工程を経ると、個々の半導体チッ
プ（半導体装置）が得られる。
【００１２】（第３実施形態）図６（Ａ）〜（Ｄ）はそ
れぞれこの発明の第３実施形態における半導体装置の各
製造工程を示したものである。この実施形態における印
刷用マスク１４は、図６（Ａ）及び図７に示すように、
厚さが柱状電極１２の高さよりも適宜に厚いマスク本体
１４ａの下面にシリコン基板１１の平面サイズよりもや
や小さい円形状の凹部１４ｄが形成され、この凹部１４
ｄの部分におけるマスク本体１４ａに複数のスリット状
の開口部１４ｅが柱状電極１２の配置に応じて（すなわ
ち柱状電極１２間に対応する位置に）形成されたものか
らなっている。この場合、凹部１４ｄの深さは柱状電極
１２の高さと同じとなっている。開口部１４ｅの幅ｄは
柱状電極１２間の間隔Ｄよりも適宜に小さくなってい
る。
れぞれこの発明の第３実施形態における半導体装置の各
製造工程を示したものである。この実施形態における印
刷用マスク１４は、図６（Ａ）及び図７に示すように、
厚さが柱状電極１２の高さよりも適宜に厚いマスク本体
１４ａの下面にシリコン基板１１の平面サイズよりもや
や小さい円形状の凹部１４ｄが形成され、この凹部１４
ｄの部分におけるマスク本体１４ａに複数のスリット状
の開口部１４ｅが柱状電極１２の配置に応じて（すなわ
ち柱状電極１２間に対応する位置に）形成されたものか
らなっている。この場合、凹部１４ｄの深さは柱状電極
１２の高さと同じとなっている。開口部１４ｅの幅ｄは
柱状電極１２間の間隔Ｄよりも適宜に小さくなってい
る。
【００１３】そして、まず図６（Ａ）に示すように、シ
リコン基板１１を印刷用ステージ１３の上面に位置決め
して載置し、次いでシリコン基板１１の上面に印刷用マ
スク１４を位置合わせして載置する。この状態では、柱
状電極１２の上面は、印刷用マスク１４のうち開口部１
４ｅ間におけるマスク本体１４ａによって覆われてい
る。
リコン基板１１を印刷用ステージ１３の上面に位置決め
して載置し、次いでシリコン基板１１の上面に印刷用マ
スク１４を位置合わせして載置する。この状態では、柱
状電極１２の上面は、印刷用マスク１４のうち開口部１
４ｅ間におけるマスク本体１４ａによって覆われてい
る。
【００１４】次に、図６（Ｂ）に示すように、スキージ
１５で液状樹脂からなる封止材１６を印刷用マスク１４
の開口部１４ｅ内に印刷し、硬化工程を経ることによ
り、樹脂封止膜１７を形成する。この場合、印刷用マス
ク１４の開口部１４ｅの幅ｄが柱状電極１２間の間隔Ｄ
よりも適宜に小さくなっているので、開口部１４ｅを介
して柱状電極１２間におけるシリコン基板１１上に印刷
される封止材１６の量が適宜に少なく、且つ、この印刷
された封止材１６が表面張力により流動して柱状電極１
２の側面を覆うようになる。したがって、この場合に
は、図６（Ｃ）に示すように、柱状電極１２の上面は樹
脂封止膜１７によって覆われず、且つ、柱状電極１２間
における樹脂封止膜１７の厚さは柱状電極１２の高さよ
りも適宜に薄くなる。したがって、この場合には、樹脂
封止膜１７の表面を研磨またはエッチングする必要は無
い。次に、図６（Ｄ）に示すように、柱状電極１２の上
面に半田ボール１８を形成する。次に、ダイシング工程
を経ると、個々の半導体チップ（半導体装置）が得られ
る。
１５で液状樹脂からなる封止材１６を印刷用マスク１４
の開口部１４ｅ内に印刷し、硬化工程を経ることによ
り、樹脂封止膜１７を形成する。この場合、印刷用マス
ク１４の開口部１４ｅの幅ｄが柱状電極１２間の間隔Ｄ
よりも適宜に小さくなっているので、開口部１４ｅを介
して柱状電極１２間におけるシリコン基板１１上に印刷
される封止材１６の量が適宜に少なく、且つ、この印刷
された封止材１６が表面張力により流動して柱状電極１
２の側面を覆うようになる。したがって、この場合に
は、図６（Ｃ）に示すように、柱状電極１２の上面は樹
脂封止膜１７によって覆われず、且つ、柱状電極１２間
における樹脂封止膜１７の厚さは柱状電極１２の高さよ
りも適宜に薄くなる。したがって、この場合には、樹脂
封止膜１７の表面を研磨またはエッチングする必要は無
い。次に、図６（Ｄ）に示すように、柱状電極１２の上
面に半田ボール１８を形成する。次に、ダイシング工程
を経ると、個々の半導体チップ（半導体装置）が得られ
る。
【００１５】なお、図６（Ｂ）に示す印刷工程におい
て、図４に示す場合と同様に、印刷用ステージ１３とス
キージ１５とのうちいずれか一方を印刷用マスク１４の
開口部１４ｅの配置に応じて上下動させるようにしても
よい。この場合、印刷用マスク１４の開口部１４ｅの幅
ｄを柱状電極１２間の間隔Ｄと同じとしてもよい。
て、図４に示す場合と同様に、印刷用ステージ１３とス
キージ１５とのうちいずれか一方を印刷用マスク１４の
開口部１４ｅの配置に応じて上下動させるようにしても
よい。この場合、印刷用マスク１４の開口部１４ｅの幅
ｄを柱状電極１２間の間隔Ｄと同じとしてもよい。
【００１６】また、上記各実施形態において、樹脂封止
膜を真空スクリーン印刷法により形成するようにしても
よい。このようにした場合には、樹脂封止膜中に空気
（気泡）が混入しないようにすることができる上、柱状
電極の根元の部分を樹脂封止膜でその間に空気（気泡）
を介在させることなく覆うことができる。また、樹脂封
止膜をディスペンサ方式により形成するようにしてもよ
い。
膜を真空スクリーン印刷法により形成するようにしても
よい。このようにした場合には、樹脂封止膜中に空気
（気泡）が混入しないようにすることができる上、柱状
電極の根元の部分を樹脂封止膜でその間に空気（気泡）
を介在させることなく覆うことができる。また、樹脂封
止膜をディスペンサ方式により形成するようにしてもよ
い。
【００１７】さらに、上記各実施形態では、半導体装置
の柱状電極の上面（露出面）に半田ボールを形成した場
合について説明したが、半田ボールを形成せずに、半導
体装置の柱状電極の露出面側を回路基板上に異方性導電
接着剤を介して搭載するようにしてもよい。
の柱状電極の上面（露出面）に半田ボールを形成した場
合について説明したが、半田ボールを形成せずに、半導
体装置の柱状電極の露出面側を回路基板上に異方性導電
接着剤を介して搭載するようにしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、樹脂封止膜の厚さを柱状電極の高さよりも薄くして
いるので、柱状電極を揺れ動き易くすることができ、ひ
いては柱状電極で応力を吸収することができ、不良が発
生しにくいようにすることができる。
ば、樹脂封止膜の厚さを柱状電極の高さよりも薄くして
いるので、柱状電極を揺れ動き易くすることができ、ひ
いては柱状電極で応力を吸収することができ、不良が発
生しにくいようにすることができる。
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の第１実施
形態における半導体装置の各製造工程の断面図。
形態における半導体装置の各製造工程の断面図。
【図２】図１（Ａ）に示す印刷用マスクの平面図。
【図３】図１（Ｄ）に示すような半導体装置を回路基板
上に搭載した状態の断面図。
上に搭載した状態の断面図。
【図４】この発明の第２実施形態における半導体装置の
製造方法を説明するために示す断面図。
製造方法を説明するために示す断面図。
【図５】図４に示す印刷用マスクの平面図。
【図６】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれこの発明の第３実施
形態における半導体装置の各製造工程の断面図。
形態における半導体装置の各製造工程の断面図。
【図７】図６（Ａ）に示す印刷用マスクの平面図。
【図８】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ従来の半導体装置の
一例の各製造工程の断面図。
一例の各製造工程の断面図。
【図９】図８（Ａ）に示す印刷用マスクの平面図。
１１ シリコン基板
１２ 柱状電極
１３ 印刷用ステージ
１４ 印刷用マスク
１５ スキージ
１７ 樹脂封止膜
１８ 半田ボール
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(56)参考文献 特開 平６−204290（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−22437（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−288334（ＪＰ，Ａ)
特開2000−208535（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 23/12
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の柱状電極を有する半導体基板の周
縁部上に、前記半導体基板の平面サイズよりやや小さい
開口部を有し、少なくとも前記柱状電極間に対応する前
記開口部の両側における厚さが前記柱状電極の高さより
薄く形成された印刷用マスクを位置決めして載置し、ス
キージで前記印刷用マスクの前記開口部内に液状樹脂を
印刷して前記柱状電極間における厚さが前記柱状電極の
高さよりも薄い封止膜を形成し、前記柱状電極上の前記
液状樹脂を研磨あるいはエッチングすることにより柱状
電極の上面を露出させ、ダイシングにより個々の半導体
チップを得ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の発明において、前記印刷
用マスクは、全体が前記柱状電極の高さより薄い、一様
な厚さであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の発明において、前記印刷
用マスクは、前記柱状電極に対応する部分が前記柱状電
極間に対応する前記開口部の両側における厚さよりも厚
く形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項１記載の発明において、前記柱
状電極の高さは１００〜１５０μｍであり、前記印刷用
マスクの前記柱状電極間に対応する前記開口部の両側に
おける厚さは、前記柱状電極の高さの半分以下であるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 複数の柱状電極を有する半導体基板の周
縁部上に、前記半導体基板の平面サイズよりやや小さい
凹部を有し、前記凹部の前記柱状電極間に対応する部分
に開口部が形成された印刷用マスクを位置決めして載置
し、スキージで前記印刷用マスクの前記開口部内に液状
樹脂を印刷して前記柱状電極間における厚さが前記柱状
電極の高さよりも薄い封止膜を形成し、ダイシングによ
り個々の半導体チップを得ることを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の発明において、前記印刷
用マスクの前記開口部は、前記凹部の一側縁から対向す
る側縁に亘ってスリット状に形成されていることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02597199A JP3430289B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
| US09/487,165 US6319851B1 (en) | 1999-02-03 | 2000-01-19 | Method for packaging semiconductor device having bump electrodes |
| TW089101623A TW479303B (en) | 1999-02-03 | 2000-01-31 | Methods for packaging semiconductor device having bump electrodes |
| KR1020000005201A KR100333060B1 (ko) | 1999-02-03 | 2000-02-02 | 범프전극의 형성방법 |
| CNB001007548A CN1160769C (zh) | 1999-02-03 | 2000-02-03 | 封装具有凸电极的半导体器件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02597199A JP3430289B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223519A JP2000223519A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3430289B2 true JP3430289B2 (ja) | 2003-07-28 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02597199A Expired - Fee Related JP3430289B2 (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | 半導体装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1999
- 1999-02-03 JP JP02597199A patent/JP3430289B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2000223519A (ja) | 2000-08-11 |
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