JP3211838B2 - 半導体レーザ型光増幅器 - Google Patents
半導体レーザ型光増幅器Info
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- JP3211838B2 JP3211838B2 JP06007091A JP6007091A JP3211838B2 JP 3211838 B2 JP3211838 B2 JP 3211838B2 JP 06007091 A JP06007091 A JP 06007091A JP 6007091 A JP6007091 A JP 6007091A JP 3211838 B2 JP3211838 B2 JP 3211838B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は入射光を増幅して出力す
る半導体レーザ型光増幅器に関するものである。
る半導体レーザ型光増幅器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体レーザ型光増幅器
としては、例えば、以下の各文献１〜３に示されたもの
がある。
としては、例えば、以下の各文献１〜３に示されたもの
がある。
【０００３】文献１；第５１回応用物理学会・学術講演
会・予稿集・２７ａ−Ｒ−１ 文献２；Appl.Phys.Lett.,vol.56,No.13,pp1201 〜1203
(26 March 1990) 文献３；Digest of the Integrated Optics and Optica
l Communication Conference,Kobe Japan,Paper No.20C
2-3,1989 これらの文献には、通常のダブルヘテロ（ＤＨ）レーザ
型光増幅器または多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザ型光増
幅器の一般的な構造および製造方法が示されている。こ
れらの半導体レーザ型光増幅器は、半導体レーザの両へ
き開面にＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 といった誘
電体薄膜をコーティングし、へき開面の反射率を０．１
％〜０．０１％程度の微少な値にまで低減することによ
って作製されている。
会・予稿集・２７ａ−Ｒ−１ 文献２；Appl.Phys.Lett.,vol.56,No.13,pp1201 〜1203
(26 March 1990) 文献３；Digest of the Integrated Optics and Optica
l Communication Conference,Kobe Japan,Paper No.20C
2-3,1989 これらの文献には、通常のダブルヘテロ（ＤＨ）レーザ
型光増幅器または多重量子井戸（ＭＱＷ）レーザ型光増
幅器の一般的な構造および製造方法が示されている。こ
れらの半導体レーザ型光増幅器は、半導体レーザの両へ
き開面にＳｉＯ2 ，Ｓｉ3 Ｎ4 ，Ａｌ2 Ｏ3 といった誘
電体薄膜をコーティングし、へき開面の反射率を０．１
％〜０．０１％程度の微少な値にまで低減することによ
って作製されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の各半
導体レーザ型光増幅器においては、半導体レーザの活性
層に平行な偏波光（ＴＥ波）に対しては、大きな利得を
もって低雑音増幅が行える。しかしながら、活性層に垂
直な偏波光（ＴＭ波）に対しては小さな利得しか有さな
い。このため、従来の半導体レーザ型光増幅器は、増幅
器に入射される光の偏波状態の違いにより、増幅率が異
なってしまうという欠点があった。この欠点により、従
来、半導体レーザ型光増幅器の実用化は妨げられてい
た。
導体レーザ型光増幅器においては、半導体レーザの活性
層に平行な偏波光（ＴＥ波）に対しては、大きな利得を
もって低雑音増幅が行える。しかしながら、活性層に垂
直な偏波光（ＴＭ波）に対しては小さな利得しか有さな
い。このため、従来の半導体レーザ型光増幅器は、増幅
器に入射される光の偏波状態の違いにより、増幅率が異
なってしまうという欠点があった。この欠点により、従
来、半導体レーザ型光増幅器の実用化は妨げられてい
た。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解消するためになされたもので、光が伝播する光導波
層と該光導波層を挟んで形成されたクラッド層とを基板
上に備えて構成された半導体レーザ型光増幅器であっ
て、上記光導波層は、複数の活性層と当該複数の活性層
それぞれを隔てる障壁層とを有する第１の多重量子井戸
層と、複数の活性層と当該複数の活性層それぞれを隔て
る障壁層とを有するとともに、上記第１の多重量子井戸
層に積層された第２の多重量子井戸層と、上記第１の多
重量子井戸層と上記第２の多重量子井戸層とを挟んで形
成されるとともに伝播する光を上記活性層に閉じ込める
光閉じ込め層とを備えて構成され、上記クラッド層と上
記光閉じ込め層と上記第１の多重量子井戸層に含まれる
上記障壁層と上記第２の多重量子井戸層に含まれる上記
障壁層とは、上記基板と格子整合のとれた材料によって
形成され、上記第１の多重量子井戸層に含まれる上記複
数の量子井戸層それぞれは、上記基板の格子定数よりも
大きい格子定数を持つ材料によって形成されており、上
記第２の多重量子井戸層に含まれる上記複数の量子井戸
層それぞれは、上記基板の格子定数よりも小さい格子定
数を持つ材料によって形成されていることを特徴として
いる。
を解消するためになされたもので、光が伝播する光導波
層と該光導波層を挟んで形成されたクラッド層とを基板
上に備えて構成された半導体レーザ型光増幅器であっ
て、上記光導波層は、複数の活性層と当該複数の活性層
それぞれを隔てる障壁層とを有する第１の多重量子井戸
層と、複数の活性層と当該複数の活性層それぞれを隔て
る障壁層とを有するとともに、上記第１の多重量子井戸
層に積層された第２の多重量子井戸層と、上記第１の多
重量子井戸層と上記第２の多重量子井戸層とを挟んで形
成されるとともに伝播する光を上記活性層に閉じ込める
光閉じ込め層とを備えて構成され、上記クラッド層と上
記光閉じ込め層と上記第１の多重量子井戸層に含まれる
上記障壁層と上記第２の多重量子井戸層に含まれる上記
障壁層とは、上記基板と格子整合のとれた材料によって
形成され、上記第１の多重量子井戸層に含まれる上記複
数の量子井戸層それぞれは、上記基板の格子定数よりも
大きい格子定数を持つ材料によって形成されており、上
記第２の多重量子井戸層に含まれる上記複数の量子井戸
層それぞれは、上記基板の格子定数よりも小さい格子定
数を持つ材料によって形成されていることを特徴として
いる。
【０００６】
【作用】格子定数の小さい活性層は格子整合のとれた他
の層から引っ張り応力を受ける。この結果、活性層のエ
ネルギバンドにおいてｋ＝０のΓ点における価電子帯の
縮退状態は解け、軽い正孔の価電子帯は重い正孔の価電
子帯より低エネルギ側に存在するようになる。従って、
電子と軽い正孔との間の遷移が支配的になる。この遷移
によっては、ＴＭモードに対して大きな利得が生ずるた
め、このような構造を有する光増幅器はＴＭモードの電
磁波に対して大きな増幅を行い得る。
の層から引っ張り応力を受ける。この結果、活性層のエ
ネルギバンドにおいてｋ＝０のΓ点における価電子帯の
縮退状態は解け、軽い正孔の価電子帯は重い正孔の価電
子帯より低エネルギ側に存在するようになる。従って、
電子と軽い正孔との間の遷移が支配的になる。この遷移
によっては、ＴＭモードに対して大きな利得が生ずるた
め、このような構造を有する光増幅器はＴＭモードの電
磁波に対して大きな増幅を行い得る。
【０００７】
【実施例】図１（ａ）は本発明の一実施例による偏波無
依存型半導体レーザ型光増幅器の構造を示す断面図であ
る。この光増幅器は次のように製造される。
依存型半導体レーザ型光増幅器の構造を示す断面図であ
る。この光増幅器は次のように製造される。
【０００８】まず、ｎ型半導体基板１上に、ｎ型クラッ
ド層２、アンドープの第１光閉じ込め層３、アンドープ
の第１活性層４およびアンドープのバリア層５を順次エ
ピタキシャル成長する。以上の４層はｎ型半導体基板１
と格子整合しており、従って無歪である。次に、これら
の層よりも小さい格子定数を持つアンドープ材料で第２
活性層６をエピタキシャル成長する。この第２活性層６
の厚さは転位等の欠陥が生じない臨界膜厚以下の厚さに
形成する必要がある。その後、この第２活性層６上に、
アンドープの第２光閉じ込め層７、ｐ型クラッド層８お
よびｐ型コンタクト層９を連続的にエピタキシャル成長
する。これら各層７〜９は層２〜５と同じ格子定数、従
ってｎ型基板１と格子整合のとれた材料を用いて形成す
る。
ド層２、アンドープの第１光閉じ込め層３、アンドープ
の第１活性層４およびアンドープのバリア層５を順次エ
ピタキシャル成長する。以上の４層はｎ型半導体基板１
と格子整合しており、従って無歪である。次に、これら
の層よりも小さい格子定数を持つアンドープ材料で第２
活性層６をエピタキシャル成長する。この第２活性層６
の厚さは転位等の欠陥が生じない臨界膜厚以下の厚さに
形成する必要がある。その後、この第２活性層６上に、
アンドープの第２光閉じ込め層７、ｐ型クラッド層８お
よびｐ型コンタクト層９を連続的にエピタキシャル成長
する。これら各層７〜９は層２〜５と同じ格子定数、従
ってｎ型基板１と格子整合のとれた材料を用いて形成す
る。
【０００９】次に、半導体基板１が研磨されて薄片化さ
れ、薄片化された半導体基板１に接触したｎ型電極１０
が形成される。また、最上層のｐ型コンタクト層９に接
触してｐ型電極１１が形成される。最後にこの半導体レ
ーザ・ウエハがへき開され、両へき開面に無反射コーテ
ィング膜１２ａ，１２ｂが形成される。
れ、薄片化された半導体基板１に接触したｎ型電極１０
が形成される。また、最上層のｐ型コンタクト層９に接
触してｐ型電極１１が形成される。最後にこの半導体レ
ーザ・ウエハがへき開され、両へき開面に無反射コーテ
ィング膜１２ａ，１２ｂが形成される。
【００１０】このような構造において、格子定数の小さ
い第２活性層６は、格子定数の大きいバリア層５および
第２光閉じ込め層７から引っ張り応力を受け、歪みが発
生している。しかし、第２活性層６の厚さは上記のよう
に臨界膜厚以下の厚さに形成されているため、この歪み
応力によって欠陥を生じることはない。現に光ファイバ
増幅器の励起用光源には歪活性層を有する半導体レーザ
が用いられている。これに対して第１活性層４は第１光
閉じ込め層３およびバリア層５に格子整合しているた
め、歪は発生しない。
い第２活性層６は、格子定数の大きいバリア層５および
第２光閉じ込め層７から引っ張り応力を受け、歪みが発
生している。しかし、第２活性層６の厚さは上記のよう
に臨界膜厚以下の厚さに形成されているため、この歪み
応力によって欠陥を生じることはない。現に光ファイバ
増幅器の励起用光源には歪活性層を有する半導体レーザ
が用いられている。これに対して第１活性層４は第１光
閉じ込め層３およびバリア層５に格子整合しているた
め、歪は発生しない。
【００１１】また、第１光閉じ込め層３，第１活性層
４，バリア層５，第２活性層６および第２光閉じ込め層
７からなる光導波層のエネルギバンドは、各半導体層に
対応して模式的に同図（ｂ）に示されるような構造にな
る。無歪状態の第１活性層４における、波数ｋ＝０のΓ
点付近でのにエネルギバンド構造は図２（ａ）に示され
る。図に示されるように、ｋ＝０のΓ点においては軽い
正孔の価電子帯ＥVAと重い正孔の価電子帯ＥVBとは縮退
している。なお、Ｅc は伝導帯のエネルギバンドであ
る。
４，バリア層５，第２活性層６および第２光閉じ込め層
７からなる光導波層のエネルギバンドは、各半導体層に
対応して模式的に同図（ｂ）に示されるような構造にな
る。無歪状態の第１活性層４における、波数ｋ＝０のΓ
点付近でのにエネルギバンド構造は図２（ａ）に示され
る。図に示されるように、ｋ＝０のΓ点においては軽い
正孔の価電子帯ＥVAと重い正孔の価電子帯ＥVBとは縮退
している。なお、Ｅc は伝導帯のエネルギバンドであ
る。
【００１２】しかし、引っ張り歪みが発生している第２
活性層６における、波数ｋ＝０のΓ点付近でのエネルギ
バンドは同図（ｂ）に示されるものとなる。すなわち、
Γ点における２つの価電子帯の縮退が解け、軽い正孔の
価電子帯ＥVAが重い正孔の価電子帯ＥVBよりも低エネル
ギ側に存在するようになる。従って、このバンド構造に
おいては電子と軽い正孔との間の遷移が支配的になり、
これによって生じる光増幅器の増幅作用は主としてＴＭ
モード偏向波に対して行われるようになる。つまり、Ｔ
Ｍモード偏波に対して大きな利得が得られるようにな
る。このことは、量子力学を用いた理論によって明らか
にすることが出来る。
活性層６における、波数ｋ＝０のΓ点付近でのエネルギ
バンドは同図（ｂ）に示されるものとなる。すなわち、
Γ点における２つの価電子帯の縮退が解け、軽い正孔の
価電子帯ＥVAが重い正孔の価電子帯ＥVBよりも低エネル
ギ側に存在するようになる。従って、このバンド構造に
おいては電子と軽い正孔との間の遷移が支配的になり、
これによって生じる光増幅器の増幅作用は主としてＴＭ
モード偏向波に対して行われるようになる。つまり、Ｔ
Ｍモード偏波に対して大きな利得が得られるようにな
る。このことは、量子力学を用いた理論によって明らか
にすることが出来る。
【００１３】このため、本実施例による光増幅器におい
ては、ＴＥモードの入射光に対しては主として無歪の第
１活性層４において通常の光増幅が行われ、ＴＭモード
の入射光に対しては主として第２活性層６において十分
な光増幅が行われる。従って、本実施例による光増幅器
によれば、いかなる偏波状態の入射光に対しても十分大
きな利得をもって光増幅を行うことが可能になる。
ては、ＴＥモードの入射光に対しては主として無歪の第
１活性層４において通常の光増幅が行われ、ＴＭモード
の入射光に対しては主として第２活性層６において十分
な光増幅が行われる。従って、本実施例による光増幅器
によれば、いかなる偏波状態の入射光に対しても十分大
きな利得をもって光増幅を行うことが可能になる。
【００１４】このような構造の光増幅器において、無歪
みの第１活性層４に対しては、ダブルヘテロ（ＤＨ）構
造，単一量子井戸（ＳＱＷ）構造および多重量子井戸
（ＭＱＷ）構造のいずれの構造をも適用することが可能
である。引っ張り応力が加わって歪んだ第２活性層６に
対してはＳＱＷまたはＭＱＷのいずれかの構造を適宜採
用することが出来る。
みの第１活性層４に対しては、ダブルヘテロ（ＤＨ）構
造，単一量子井戸（ＳＱＷ）構造および多重量子井戸
（ＭＱＷ）構造のいずれの構造をも適用することが可能
である。引っ張り応力が加わって歪んだ第２活性層６に
対してはＳＱＷまたはＭＱＷのいずれかの構造を適宜採
用することが出来る。
【００１５】なお、上記実施例では第１活性層４を無歪
みのものとして説明したが、次のような構造であっても
良い。つまり、第１活性層４の格子定数をこれを挟む第
１光閉じ込め層３およびバリア層５の各格子定数よりも
大きいものとし、第１活性層４に圧縮応力を加わえた構
造のものであっても良い。この構造では、ＴＥモードの
偏波光に対する利得は上記実施例よりも大きいものとな
る。また、このように第１活性層４に圧縮応力を加えた
場合には、この第１活性層４にはＳＱＷまたはＭＱＷの
いずれかの構造を適宜採用することが出来る。
みのものとして説明したが、次のような構造であっても
良い。つまり、第１活性層４の格子定数をこれを挟む第
１光閉じ込め層３およびバリア層５の各格子定数よりも
大きいものとし、第１活性層４に圧縮応力を加わえた構
造のものであっても良い。この構造では、ＴＥモードの
偏波光に対する利得は上記実施例よりも大きいものとな
る。また、このように第１活性層４に圧縮応力を加えた
場合には、この第１活性層４にはＳＱＷまたはＭＱＷの
いずれかの構造を適宜採用することが出来る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、格
子定数の小さい活性層は格子整合のとれた他の層から引
っ張り応力を受ける。この結果、活性層のエネルギバン
ドにおいてｋ＝０のΓ点における価電子帯の縮退状態は
解け、軽い正孔の価電子帯は重い正孔の価電子帯より低
エネルギ側に存在するようになる。従って、電子と軽い
正孔との間の遷移が支配的になる。
子定数の小さい活性層は格子整合のとれた他の層から引
っ張り応力を受ける。この結果、活性層のエネルギバン
ドにおいてｋ＝０のΓ点における価電子帯の縮退状態は
解け、軽い正孔の価電子帯は重い正孔の価電子帯より低
エネルギ側に存在するようになる。従って、電子と軽い
正孔との間の遷移が支配的になる。
【００１７】この結果、ＴＥモードの偏波光ばかりでな
く、ＴＭモードの偏波光に対しても十分大きな利得を持
つ増幅作用が行えるようになる。このため、入射光の偏
波状態に依存しない、すなわち偏波無依存型の半導体レ
ーザ型光増幅器を提供することが可能になる。
く、ＴＭモードの偏波光に対しても十分大きな利得を持
つ増幅作用が行えるようになる。このため、入射光の偏
波状態に依存しない、すなわち偏波無依存型の半導体レ
ーザ型光増幅器を提供することが可能になる。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザ型光増幅
器の構造およびエネルギバンドを示す図である。
器の構造およびエネルギバンドを示す図である。
【図２】無歪状態の第１活性層におけるΓ点付近のエネ
ルギバンド構造および引っ張り歪みが加わった状態の第
２活性層におけるΓ点付近のエネルギバンド構造を示す
模式図である。
ルギバンド構造および引っ張り歪みが加わった状態の第
２活性層におけるΓ点付近のエネルギバンド構造を示す
模式図である。
１…ｎ型半導体基板 ２…ｎ型クラッド層 ３…第１光閉じ込め層 ４…第１活性層 ５…バリア層 ６…第２活性層 ７…第２光閉じ込め層 ８…ｐ型クラッド層 ９…ｐ型コンタクト層 １０…ｎ型電極 １１…ｐ型電極 １２ａ，１２ｂ…無反射コーティング膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01S 5/00 - 5/50
Claims (1)
- 【請求項１】 光が伝播する光導波層と該光導波層を挟
んで形成されたクラッド層とを基板上に備えて構成され
た半導体レーザ型光増幅器において、 前記光導波層は、 複数の活性層と当該複数の活性層それぞれを隔てる障壁
層とを有する第１の多重量子井戸層と、複数の活性層と
当該複数の活性層それぞれを隔てる障壁層とを有すると
ともに、前記第１の多重量子井戸層に積層された第２の
多重量子井戸層と、前記第１の多重量子井戸層と前記第
２の多重量子井戸層とを挟んで形成されるとともに伝播
する光を前記活性層に閉じ込める光閉じ込め層とを備え
て構成され、 前記クラッド層と前記光閉じ込め層と前記第１の多重量
子井戸層に含まれる前記障壁層と前記第２の多重量子井
戸層に含まれる前記障壁層とは、前記基板と格子整合の
とれた材料によって形成され、 前記第１の多重量子井戸層に含まれる前記複数の量子井
戸層それぞれは、前記基板の格子定数よりも大きい格子
定数を持つ材料によって形成されており、 前記第２の多重量子井戸層に含まれる前記複数の量子井
戸層それぞれは、前記基板の格子定数よりも小さい格子
定数を持つ材料によって形成されていることを特徴とす
る半導体レーザ型光増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06007091A JP3211838B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体レーザ型光増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06007091A JP3211838B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体レーザ型光増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04294590A JPH04294590A (ja) | 1992-10-19 |
| JP3211838B2 true JP3211838B2 (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=13131458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06007091A Expired - Lifetime JP3211838B2 (ja) | 1991-03-25 | 1991-03-25 | 半導体レーザ型光増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3211838B2 (ja) |
-
1991
- 1991-03-25 JP JP06007091A patent/JP3211838B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＥＬＥＣＴＲＯＮＣＳ ＬＥＴＴＥＲＳ Ｖｏｌ．２６，Ｎｏ．７，ｐｐ．４６５−４６７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04294590A (ja) | 1992-10-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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