JP2995972B2 - 半導体光アンプ - Google Patents
半導体光アンプInfo
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- semiconductor optical
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＴＥ偏波光あるいはＴ
Ｍ偏波光を選択的に増幅するフィルタ機能を有する半導
体光アンプに関する。
Ｍ偏波光を選択的に増幅するフィルタ機能を有する半導
体光アンプに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体光アンプは、光通信用の中
継器として盛んに研究されている。その長所として、
１．３μｍ帯の増幅が可能なこと、低消費電力であるこ
と等があり、加入者系用の光アンプとして期待されてい
る。また、その特性も素子のネットゲインとして２０ｄ
Ｂ程度が得られている。また、プラスティックファイバ
の低損失帯である０．６μｍ帯での半導体光アンプに関
しては、０．６μｍ帯での光通信市場が立ち上がってい
ないこともあって報告されていない。以上述べたよう
に、現状は半導体光アンプの主な用途としては、光通信
の分野に限られているが、今後半導体光アンプの特性が
向上するにつれ、光計測、ＳＨＧ光源への応用等種々の
用途が開拓されることが見込まれる。
継器として盛んに研究されている。その長所として、
１．３μｍ帯の増幅が可能なこと、低消費電力であるこ
と等があり、加入者系用の光アンプとして期待されてい
る。また、その特性も素子のネットゲインとして２０ｄ
Ｂ程度が得られている。また、プラスティックファイバ
の低損失帯である０．６μｍ帯での半導体光アンプに関
しては、０．６μｍ帯での光通信市場が立ち上がってい
ないこともあって報告されていない。以上述べたよう
に、現状は半導体光アンプの主な用途としては、光通信
の分野に限られているが、今後半導体光アンプの特性が
向上するにつれ、光計測、ＳＨＧ光源への応用等種々の
用途が開拓されることが見込まれる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現状実
現されている半導体光アンプにおいては、偏光特性を積
極的に制御し利用とする試みはなされていない。このた
め、実現されれば多くの需要を生み出すであろう偏光特
性のフィルタ機能、すなわちＴＥ偏波のみ、あるいはＴ
Ｍ偏波のみ増幅する機能については実現されていない。
現されている半導体光アンプにおいては、偏光特性を積
極的に制御し利用とする試みはなされていない。このた
め、実現されれば多くの需要を生み出すであろう偏光特
性のフィルタ機能、すなわちＴＥ偏波のみ、あるいはＴ
Ｍ偏波のみ増幅する機能については実現されていない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成は、
（００１）半導体基板上に、［-1 1 1］または［1 -1
1］方向に秩序状態を有するバルク活性層を備えた半導
体光アンプにおいて、光導波路を［-1 1 0］または［1
-1 0］方向に形成したことを特徴とする。また本発明の
第２の構成は、（００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1 -1 1］方向に秩序状態を有する量子井戸構造
活性層を備えた半導体光アンプにおいて、光導波路を
［-1 1 0］または［1 -1 0］方向に形成したことを特徴
とする。また、本発明の第３の構成は、（００１）半導
体基板上に、［-1 1 1］または［1 -11］方向に秩序状
態を有する量子井戸構造活性層を備えた半導体光アンプ
において、該量子井戸構造活性層の井戸層は面内圧縮歪
を受けており、かつ光導波路を［-1 1 0］または［1 -1
0］方向に形成したことを特徴とする。また、本発明の
第４の構成は、（００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1 -1 1］方向に秩序状態を有するバルク活性層
を備えた半導体光アンプにおいて、光導波路を［1 1 0
］または［-1 -1 0 ］方向に形成したことを特徴とす
る。また、本発明の第５の構成は、（００１）半導体基
板上に、［-1 1 1］または［1 -1 1］方向に秩序状態を
有する量子井戸構造活性層を備えた半導体光アンプにお
いて、該量子井戸構造活性層の井戸層は面内引っ張り歪
を受けており、かつ光導波路を［1 10 ］または［-1 -1
0 ］方向に形成したことを特徴とする。そして最後
に、本発明の第６の構成は、上記第１から第５の構成の
半導体光アンプにおいて、半導体基板面方位が、（００
１）面から１５度以内にオフしたことを特徴とする。
（００１）半導体基板上に、［-1 1 1］または［1 -1
1］方向に秩序状態を有するバルク活性層を備えた半導
体光アンプにおいて、光導波路を［-1 1 0］または［1
-1 0］方向に形成したことを特徴とする。また本発明の
第２の構成は、（００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1 -1 1］方向に秩序状態を有する量子井戸構造
活性層を備えた半導体光アンプにおいて、光導波路を
［-1 1 0］または［1 -1 0］方向に形成したことを特徴
とする。また、本発明の第３の構成は、（００１）半導
体基板上に、［-1 1 1］または［1 -11］方向に秩序状
態を有する量子井戸構造活性層を備えた半導体光アンプ
において、該量子井戸構造活性層の井戸層は面内圧縮歪
を受けており、かつ光導波路を［-1 1 0］または［1 -1
0］方向に形成したことを特徴とする。また、本発明の
第４の構成は、（００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1 -1 1］方向に秩序状態を有するバルク活性層
を備えた半導体光アンプにおいて、光導波路を［1 1 0
］または［-1 -1 0 ］方向に形成したことを特徴とす
る。また、本発明の第５の構成は、（００１）半導体基
板上に、［-1 1 1］または［1 -1 1］方向に秩序状態を
有する量子井戸構造活性層を備えた半導体光アンプにお
いて、該量子井戸構造活性層の井戸層は面内引っ張り歪
を受けており、かつ光導波路を［1 10 ］または［-1 -1
0 ］方向に形成したことを特徴とする。そして最後
に、本発明の第６の構成は、上記第１から第５の構成の
半導体光アンプにおいて、半導体基板面方位が、（００
１）面から１５度以内にオフしたことを特徴とする。
【０００５】
【作用】本発明の半導体光アンプの模式図を図１および
図２に示す。図１はＴＥ偏波のみ選択的に増幅する機能
を有する請求項１，２および３に相当する半導体光アン
プを実現する構造図を、図２はＴＭ偏波のみ選択的に増
幅する機能を有する請求項４および５に相当する半導体
光アンプを実現する構造図を表す。以下、まず図１およ
び図２の説明を行い、その後に特定の偏波だけを選択的
に増幅できるメカニズムについて説明する。図１の半導
体光アンプの構造をまず説明する。（００１）半導体基
板１５０上に、クラッド層１１０および１２０で挟み込
まれた活性層１００を有している。この活性層１００は
請求項１，２および３に示したように、［-1 1 1］また
は［1 -1 1］方向に秩序状態を有するバルク、あるいは
無歪の量子井戸構造、あるいは面内圧縮歪を受けた量子
井戸構造で構成されている。そしてクラッド層１２０は
光導波路を形成するためにメサ状の形状を成し、電流ブ
ロック層１３０でメサ外を埋め込まれている。光導波路
は［-1 1 0］または［1 -1 0］方向に形成されている。
さらに、発振を抑制し光アンプとして用いるために入射
端面および出射端面に誘電体無反射膜１８０を備えてい
る。
図２に示す。図１はＴＥ偏波のみ選択的に増幅する機能
を有する請求項１，２および３に相当する半導体光アン
プを実現する構造図を、図２はＴＭ偏波のみ選択的に増
幅する機能を有する請求項４および５に相当する半導体
光アンプを実現する構造図を表す。以下、まず図１およ
び図２の説明を行い、その後に特定の偏波だけを選択的
に増幅できるメカニズムについて説明する。図１の半導
体光アンプの構造をまず説明する。（００１）半導体基
板１５０上に、クラッド層１１０および１２０で挟み込
まれた活性層１００を有している。この活性層１００は
請求項１，２および３に示したように、［-1 1 1］また
は［1 -1 1］方向に秩序状態を有するバルク、あるいは
無歪の量子井戸構造、あるいは面内圧縮歪を受けた量子
井戸構造で構成されている。そしてクラッド層１２０は
光導波路を形成するためにメサ状の形状を成し、電流ブ
ロック層１３０でメサ外を埋め込まれている。光導波路
は［-1 1 0］または［1 -1 0］方向に形成されている。
さらに、発振を抑制し光アンプとして用いるために入射
端面および出射端面に誘電体無反射膜１８０を備えてい
る。
【０００６】次に、図２の半導体光アンプについて説明
する。図１と同様に、（００１）半導体基板１５０上
に、クラッド層１１０および１２０で挟み込まれた活性
層１００を有している。この活性層１００は請求項４お
よび５に示したように、［-1 11］または［1 -1 1］方
向に秩序状態を有するバルク、あるいは面内引っ張り歪
を受けた量子井戸構造で構成されている。そしてクラッ
ド層１２０は光導波路を形成するためにメサ状の形状を
成し、電流ブロック層１３０でメサ外を埋め込まれてい
る。光導波路は［1 1 0 ］または［-1 -1 0 ］方向に形
成されている。さらに、発振を抑制し光アンプとして用
いるために入射端面および出射端面に誘電体無反射膜１
８０を備えている。
する。図１と同様に、（００１）半導体基板１５０上
に、クラッド層１１０および１２０で挟み込まれた活性
層１００を有している。この活性層１００は請求項４お
よび５に示したように、［-1 11］または［1 -1 1］方
向に秩序状態を有するバルク、あるいは面内引っ張り歪
を受けた量子井戸構造で構成されている。そしてクラッ
ド層１２０は光導波路を形成するためにメサ状の形状を
成し、電流ブロック層１３０でメサ外を埋め込まれてい
る。光導波路は［1 1 0 ］または［-1 -1 0 ］方向に形
成されている。さらに、発振を抑制し光アンプとして用
いるために入射端面および出射端面に誘電体無反射膜１
８０を備えている。
【０００７】次に、なぜ上記の図１および図２の構造の
半導体光アンプにより特定の偏波だけを選択的に増幅で
きるかについてそのメカニズムを説明する。一般にバル
ク結晶のように異方性を持たない半導体の場合、ＴＭ偏
波とＴＥ偏波の利得は等しくＴＭ／ＴＥ比は１になるこ
とが知られている。これは半導体に形成される双極子ベ
クトルが等方的であるため、ＴＭ偏光の電気ベクトルと
もＴＥ偏光の電気ベクトルとも均等に結合するからであ
る。
半導体光アンプにより特定の偏波だけを選択的に増幅で
きるかについてそのメカニズムを説明する。一般にバル
ク結晶のように異方性を持たない半導体の場合、ＴＭ偏
波とＴＥ偏波の利得は等しくＴＭ／ＴＥ比は１になるこ
とが知られている。これは半導体に形成される双極子ベ
クトルが等方的であるため、ＴＭ偏光の電気ベクトルと
もＴＥ偏光の電気ベクトルとも均等に結合するからであ
る。
【０００８】しかしながら、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体に
おいては、［-1 11］あるいは［1-1 1］方向に秩序状態
を有する自然超格子が形成されることが知られている。
例えば、五明らによってアプライドフィジックスレター
ズ誌に報告されている（A.Gomyo et al., Appl. Phys.
Lett., Vol.50, pp.673 1987）。自然超格子が形成され
た場合、［-1 1 1］あるいは［1 -1 1］方向に秩序状態
を有するため、双極子ベクトルは［1 1 0 ］方向に異方
性を持つ。この結果、［1 1 0 ］成分の電気ベクトルと
の結合が大きくなる。したがって、［-1 1 0］または
［1 -1 0］方向に光導波路を形成した場合（請求項１に
相当）、［1 1 0 ］方向の電気ベクトルを持つＴＥモー
ドの利得が強くなりＴＭ／ＴＥ＜１となるのに対し、
［1 1 0 ］または［-1 -1 0 ］方向に光導波路を形成し
た場合（請求項３に相当）、［1 10 ］と直交する方向
の電気ベクトルを持つＴＥモードの利得は弱くなりＴＭ
／ＴＥ＞１となる。以上が図１および図２の構造の半導
体光アンプにより特定の偏波だけを選択的に増幅できる
ことの説明である。以上の考えは、マスカレンハスらが
フィジカルレビューレターズ（A.Mascarenhas et al.,
Phys. Rev. Lett., Vol.63, No.19, pp.2108 1989.）に
報告したフォトルミネセンスによる実験、あるいは我々
の光導波路方向を換えたＴＭ／ＴＥ比の測定結果からも
支持されている。
おいては、［-1 11］あるいは［1-1 1］方向に秩序状態
を有する自然超格子が形成されることが知られている。
例えば、五明らによってアプライドフィジックスレター
ズ誌に報告されている（A.Gomyo et al., Appl. Phys.
Lett., Vol.50, pp.673 1987）。自然超格子が形成され
た場合、［-1 1 1］あるいは［1 -1 1］方向に秩序状態
を有するため、双極子ベクトルは［1 1 0 ］方向に異方
性を持つ。この結果、［1 1 0 ］成分の電気ベクトルと
の結合が大きくなる。したがって、［-1 1 0］または
［1 -1 0］方向に光導波路を形成した場合（請求項１に
相当）、［1 1 0 ］方向の電気ベクトルを持つＴＥモー
ドの利得が強くなりＴＭ／ＴＥ＜１となるのに対し、
［1 1 0 ］または［-1 -1 0 ］方向に光導波路を形成し
た場合（請求項３に相当）、［1 10 ］と直交する方向
の電気ベクトルを持つＴＥモードの利得は弱くなりＴＭ
／ＴＥ＞１となる。以上が図１および図２の構造の半導
体光アンプにより特定の偏波だけを選択的に増幅できる
ことの説明である。以上の考えは、マスカレンハスらが
フィジカルレビューレターズ（A.Mascarenhas et al.,
Phys. Rev. Lett., Vol.63, No.19, pp.2108 1989.）に
報告したフォトルミネセンスによる実験、あるいは我々
の光導波路方向を換えたＴＭ／ＴＥ比の測定結果からも
支持されている。
【０００９】また、一般に量子井戸構造（無歪）の導入
により利得の偏波面依存性が現れることが知られてお
り、［-1 1 1］あるいは［1 -1 1］方向に秩序状態を有
する活性層に量子井戸構造を取り入れることによりＴＥ
モードの選択性をさらに高めることが可能である。（請
求項２に相当）
により利得の偏波面依存性が現れることが知られてお
り、［-1 1 1］あるいは［1 -1 1］方向に秩序状態を有
する活性層に量子井戸構造を取り入れることによりＴＥ
モードの選択性をさらに高めることが可能である。（請
求項２に相当）
【００１０】また、最近盛んに研究されている歪の導入
に関しても、量子井戸構造に面内圧縮歪を加えることに
よりＴＥモードが、面内引っ張り歪を加えることにより
ＴＭモードが強められることが知られている。したがっ
て、同様に［-1 1 1］あるいは［1 -1 1］方向に秩序状
態を有する活性層に、面内圧縮歪を持った量子井戸構造
を加えることにより一層ＴＥモード選択性の高い半導体
光アンプが（請求項３に相当）、［-1 1 1］あるいは
［1 -1 1］方向に秩序状態を有する活性層に、面内引っ
張り歪を持った量子井戸構造を加えることにより、より
一層ＴＭモード選択性の高い半導体光アンプが（請求項
５に相当）実現できる。
に関しても、量子井戸構造に面内圧縮歪を加えることに
よりＴＥモードが、面内引っ張り歪を加えることにより
ＴＭモードが強められることが知られている。したがっ
て、同様に［-1 1 1］あるいは［1 -1 1］方向に秩序状
態を有する活性層に、面内圧縮歪を持った量子井戸構造
を加えることにより一層ＴＥモード選択性の高い半導体
光アンプが（請求項３に相当）、［-1 1 1］あるいは
［1 -1 1］方向に秩序状態を有する活性層に、面内引っ
張り歪を持った量子井戸構造を加えることにより、より
一層ＴＭモード選択性の高い半導体光アンプが（請求項
５に相当）実現できる。
【００１１】なお、最後に以上の説明は（００１）半導
体基板上の場合であるが、［-1 1 1］方向または［1 -1
1］方向の秩序状態は基板が（００１）から１０数度オ
フしている結晶においても形成される。従って、（００
１）面から１５度オフ以内のオフ角度を有する半導体基
板上に形成した図１および図２の半導体光アンプに関し
ても同様な偏波特性の選択機能を有する半導体光アンプ
が実現できる。以上が本発明の作用である。
体基板上の場合であるが、［-1 1 1］方向または［1 -1
1］方向の秩序状態は基板が（００１）から１０数度オ
フしている結晶においても形成される。従って、（００
１）面から１５度オフ以内のオフ角度を有する半導体基
板上に形成した図１および図２の半導体光アンプに関し
ても同様な偏波特性の選択機能を有する半導体光アンプ
が実現できる。以上が本発明の作用である。
【００１２】
【実施例】以下、具体的な数値例を挙げて本発明の半導
体光アンプの実施例を示す。まず、図１のＴＥ偏波光を
選択的に増幅できる半導体光アンプについて説明する。
用いた半導体基板は、Ｓｉドープ（００１）ＧａＡｓ基
板１５０である。その上に、気相成長熱分解法（以下Ｍ
ＯＶＰＥ法と略す。）により順次にＮ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１１０、アンドープのＧａＩｎＰとＡｌＧａ
ＩｎＰの多層構造でなる無歪量子井戸構造活性層１０
０、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２０を含むダブル
ヘテロ構造を成長する。この時前記量子井戸構造活性層
は［-1 11］方向または［1 -1 1］方向に秩序状態を有
するような結晶成長条件で成長を行う。その後、ウェッ
トエッチングにより光導波路を形成するため、Ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１２０をメサ状に加工する。この
時、光導波路を形成する方向は［-1 1 0］方向または
［1 -1 0］方向とする。そして、２回目のＭＯＶＰＥ成
長によりメサ外をＮ型ＧａＡｓ電流ブロック層１３０で
選択的に埋め込み成長する。そして、３回目のＭＯＶＰ
Ｅ成長により、前面にＰ型ＧａＡｓコンタクト層を成長
する。その後、Ｐ・Ｎ電極を形成する。そして、バー状
にへきかいし、入射端面および出射端面を形成し、その
上に発振抑制用の誘電体無反射膜１８０を形成する。誘
電体無反射膜は反射率を可能な限り小さく抑えるために
ＳｉＮｘを用い、反射率として０．５％以下に抑えた。
その後、バーをチップに切り放して図１の構造の半導体
光アンプは完成する。
体光アンプの実施例を示す。まず、図１のＴＥ偏波光を
選択的に増幅できる半導体光アンプについて説明する。
用いた半導体基板は、Ｓｉドープ（００１）ＧａＡｓ基
板１５０である。その上に、気相成長熱分解法（以下Ｍ
ＯＶＰＥ法と略す。）により順次にＮ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１１０、アンドープのＧａＩｎＰとＡｌＧａ
ＩｎＰの多層構造でなる無歪量子井戸構造活性層１０
０、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２０を含むダブル
ヘテロ構造を成長する。この時前記量子井戸構造活性層
は［-1 11］方向または［1 -1 1］方向に秩序状態を有
するような結晶成長条件で成長を行う。その後、ウェッ
トエッチングにより光導波路を形成するため、Ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１２０をメサ状に加工する。この
時、光導波路を形成する方向は［-1 1 0］方向または
［1 -1 0］方向とする。そして、２回目のＭＯＶＰＥ成
長によりメサ外をＮ型ＧａＡｓ電流ブロック層１３０で
選択的に埋め込み成長する。そして、３回目のＭＯＶＰ
Ｅ成長により、前面にＰ型ＧａＡｓコンタクト層を成長
する。その後、Ｐ・Ｎ電極を形成する。そして、バー状
にへきかいし、入射端面および出射端面を形成し、その
上に発振抑制用の誘電体無反射膜１８０を形成する。誘
電体無反射膜は反射率を可能な限り小さく抑えるために
ＳｉＮｘを用い、反射率として０．５％以下に抑えた。
その後、バーをチップに切り放して図１の構造の半導体
光アンプは完成する。
【００１３】こうして試作した図１の構造の半導体光ア
ンプの増幅特性を測定したところ、入射光０．６９μ
ｍ、５ｍＷ以下のとき、ＴＥ偏波光に対しては９ｄＢ以
上の利得を生じたのに対しＴＭ偏波光に対しては０．５
ｄＢ以下であった。これより、本発明の図１の構造の半
導体光アンプによりＴＥ偏波光のみを選択的に増幅でき
ることがわかった。また、活性層の構造をバルク６０ｎ
ｍとした場合、あるいは１．０％の面内圧縮歪を受けた
量子井戸構造とした場合には、それぞれＴＥ偏波光に対
する利得として１２ｄＢおよび５ｄＢの利得であるのに
対し、ＴＭ偏波光に対してはいずれも０．５ｄＢ以下で
あり、こちらも、ＴＥ偏波光のみを選択的に増幅できる
ことがわかった。
ンプの増幅特性を測定したところ、入射光０．６９μ
ｍ、５ｍＷ以下のとき、ＴＥ偏波光に対しては９ｄＢ以
上の利得を生じたのに対しＴＭ偏波光に対しては０．５
ｄＢ以下であった。これより、本発明の図１の構造の半
導体光アンプによりＴＥ偏波光のみを選択的に増幅でき
ることがわかった。また、活性層の構造をバルク６０ｎ
ｍとした場合、あるいは１．０％の面内圧縮歪を受けた
量子井戸構造とした場合には、それぞれＴＥ偏波光に対
する利得として１２ｄＢおよび５ｄＢの利得であるのに
対し、ＴＭ偏波光に対してはいずれも０．５ｄＢ以下で
あり、こちらも、ＴＥ偏波光のみを選択的に増幅できる
ことがわかった。
【００１４】次に図２のＴＭ偏波光を選択的に増幅でき
る構造の半導体光アンプについて説明する。図２の半導
体光アンプの製造方法は基本的に図１の半導体光アンプ
と同一である。図２において図１と異なるのは、光導波
路を形成する方向を［1 1 0］方向または［-1 -1 0 ］
方向にしていることである。また、図２においては活性
層はバルク６０ｎｍあるいは１．０％面内引っ張り歪を
受けた量子井戸構造とした。この素子を測定したとこ
ろ、入射光０．６９μｍ、５ｍＷ以下のとき、ＴＭ偏波
光に対してはそれぞれ３ｄＢおよび７ｄＢの利得が得ら
れたのに対し、ＴＥ偏波光に対しては０．５ｄＢ以下に
抑えられた。これより図２の半導体光アンプによりＴＭ
偏波光を選択的に増幅できることがわかった。なお、図
１の半導体光アンプでのＴＥ偏波光の利得に比べ、図２
の半導体光アンプでのＴＭ偏波光の利得が小さいのは、
入射端面および出射端面の反射率が完全には０になって
いないためであると考えられる。以上が本発明の実施例
である。
る構造の半導体光アンプについて説明する。図２の半導
体光アンプの製造方法は基本的に図１の半導体光アンプ
と同一である。図２において図１と異なるのは、光導波
路を形成する方向を［1 1 0］方向または［-1 -1 0 ］
方向にしていることである。また、図２においては活性
層はバルク６０ｎｍあるいは１．０％面内引っ張り歪を
受けた量子井戸構造とした。この素子を測定したとこ
ろ、入射光０．６９μｍ、５ｍＷ以下のとき、ＴＭ偏波
光に対してはそれぞれ３ｄＢおよび７ｄＢの利得が得ら
れたのに対し、ＴＥ偏波光に対しては０．５ｄＢ以下に
抑えられた。これより図２の半導体光アンプによりＴＭ
偏波光を選択的に増幅できることがわかった。なお、図
１の半導体光アンプでのＴＥ偏波光の利得に比べ、図２
の半導体光アンプでのＴＭ偏波光の利得が小さいのは、
入射端面および出射端面の反射率が完全には０になって
いないためであると考えられる。以上が本発明の実施例
である。
【００１５】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明によれば、
図１の半導体光アンプの如く、ＴＥモードだけを選択的
に増幅することもできるし、また図２の半導体光アンプ
の如くＴＭモードだけを選択的に増幅することもでき
る。
図１の半導体光アンプの如く、ＴＥモードだけを選択的
に増幅することもできるし、また図２の半導体光アンプ
の如くＴＭモードだけを選択的に増幅することもでき
る。
【図１】ＴＥモードを選択的に増幅する本発明の一実施
例の半導体光アンプの模式図。
例の半導体光アンプの模式図。
【図２】ＴＭモードを選択的に増幅する本発明の他の実
施例の半導体光アンプの模式図。
施例の半導体光アンプの模式図。
１００ 活性層 １１０，１２０ クラッド層 １３０ 電流ブロック層 １４０ キャップ層 １５０ 半導体基板 １６０，１７０ 電極 １８０ 誘電体無反射膜 １９０ 光導波路 ２００ 入射光 ２１０ 出射光
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01S 3/18 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (6)
- 【請求項１】 （００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1-1 1］方向に秩序状態を有するバルク活性層
を備え、光導波路を［-11 0］または［1 -10］方向に形
成したことを特徴とする半導体光アンプ。 - 【請求項２】 （００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1-1 1］方向に秩序状態を有する量子井戸構造
活性層を備え、光導波路を［-1 1 0］または［1 -1 0］
方向に形成したことを特徴とする半導体光アンプ。 - 【請求項３】 （００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1-1 1］方向に秩序状態を有する量子井戸構造
活性層を備え、該量子井戸構造活性層の井戸層は面内圧
縮歪を受けており、かつ光導波路を［-1 1 0］または
［1 -1 0］方向に形成したことを特徴とする半導体光ア
ンプ。 - 【請求項４】 （００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1-1 1］方向に秩序状態を有するバルク活性層
を備え、光導波路を［1 1 0 ］または［-1 -1 0 ］方向
に形成したことを特徴とする半導体光アンプ。 - 【請求項５】 （００１）半導体基板上に、［-1 1 1］
または［1-1 1］方向に秩序状態を有する量子井戸構造
活性層を備え、該量子井戸構造活性層の井戸層は面内引
っ張り歪を受けており、かつ光導波路を［1 1 0 ］また
は［-1 -1 0］方向に形成したことを特徴とする半導体
光アンプ。 - 【請求項６】 半導体基板面方位が、（００１）面から
１５度以内のオフ角度を有する半導体基板上に形成した
ことを特徴とする請求項１，２，３，４又は５に記載の
半導体光アンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34213491A JP2995972B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 半導体光アンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34213491A JP2995972B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 半導体光アンプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152687A JPH05152687A (ja) | 1993-06-18 |
| JP2995972B2 true JP2995972B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=18351395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34213491A Expired - Lifetime JP2995972B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 半導体光アンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2995972B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09307190A (ja) * | 1996-05-15 | 1997-11-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ＡｌＩｎＧａＮ系半導体発光素子および半導体発光装置 |
| JP3006553B2 (ja) * | 1997-07-08 | 2000-02-07 | 日本電気株式会社 | 半導体集積型偏波モード変換器 |
| JP5919747B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2016-05-18 | 富士通株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP34213491A patent/JP2995972B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05152687A (ja) | 1993-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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