JP3207196B2 - 高解像度荷電粒子線装置用の補正装置 - Google Patents

高解像度荷電粒子線装置用の補正装置

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高解像度荷電粒子線装置用の補正装置に関
し、この高解像度荷電粒子線装置用の補正装置は、第１
及び第２のヘクサポールと、互いに同じ第１の焦点距離
をもつ２個の第１の円形レンズを有する第１の円形レン
ズ系であって、前記第１ヘクサポールの中心面を前記第
２ヘクサポールの中心面に結像するために、前記２個の
第１の円形レンズそれぞれが、隣接するヘクサポールそ
れぞれの中心面から前記第１の焦点距離だけ離間した位
置に設けられ、前記２個の第１の円形レンズが前記第１
の焦点距離の２倍の距離だけ離間して位置する第１の円
形レンズ系とを備える。
このような型式の補正装置は米国特許第4,414,474号
から既知である。この米国特許公報に記載されているヘ
クサポール補正素子は、特に走査型透過電子顕微鏡（ST
EM）の３次球面収差を補正するように構成されている。
この補正素子は軸方向収差のみが無いように構成されて
いる。非消光性２次の軸ずれ収差により、これら補正素
子を用いると視野が比較的小さくなってしまう。ヘクサ
ポール間に単一の磁界レンズを用いると、４次の開口収
差により透過型電子顕微鏡のような比較的広い視野を持
つ光学系における解像度の改善が妨げられてしまう。
従って、本発明の目的は、４次の開口収差が生ずるこ
となく軸ずれ収差も補正できる補正装置を提供すること
にある。この目的を達成するため、本発明の高解像度荷
電粒子線装置用の補正装置は、冒頭部で述べた補正装置
において、第１及び第２のヘクサポールと、互いに同じ
第１の焦点距離をもつ２個の第１の円形レンズを有する
第１の円形レンズ系であって、前記第１ヘクサポールの
中心面を前記第２ヘクサポールの中心面に結像するため
に、前記２個の第１の円形レンズそれぞれが、隣接する
ヘクサポールそれぞれの中心面から前記第１の焦点距離
だけ離間した位置に設けられ、前記２個の第１の円形レ
ンズが前記第１の焦点距離の２倍の距離だけ離間して位
置する第１の円形レンズ系とを備えた高解像度荷電粒子
線装置用の補正装置であって、 互いに同じ第２の焦点距離をもつ２個の第２の円形レ
ンズを有する第２の円形レンズ系であって、前記第２の
円形レンズのうちの前記第１のヘクサポール側の円形レ
ンズが、前記第１のヘクサポールの中心面から前記第２
の焦点距離だけ離間した位置に設けられ、前記２個の第
２の円形レンズが前記第２の焦点距離の２倍の距離だけ
離間して位置する第２の円形レンズ系を備えたことを特
徴とする。
本発明の補正装置が備えている第１の円形レンズは、
第１及び第２のヘクサポールのうちの一方のヘクサポー
ルを単位倍率で他方のヘクサポールに結像するために、
隣接するヘクサポールの中心点に位置する節点を有して
いる。
２個のヘクサポール間の第１の円形レンズ系が上述し
たように光学的に配置されているから、補正装置は、近
軸領域においてテレスコピックになることができると共
に回転性をなくすことができる。第１の円形レンズ系の
節点に芯立てしたヘクサポールを用いることにより、透
過型電子顕微鏡の３次の球面収差を補正することができ
る。この理由は、透過型電子顕微鏡においてヘクサポー
ルは最終画像にいかなる２次収差も発生させないためで
ある。第１の円形レンズ系の集束性磁界の外側に位置す
るこの第１の円形レンズ系の節点は、第１のヘクサポー
ルの中心点に一致する。この第１の円形レンズ系は、好
ましくはダブレットで構成する。
また、本発明は、２つの第２の円形レンズを有する第
２の円形レンズ系を備えている。この第２の円形レンズ
系を、補正されるレンズに対して、この補正されるレン
ズのコマ収差の無い面が第１のヘクサポールの中心面と
一致するように配置することにより、補正は最適化され
る。特に、補正されるレンズのコマ収差の無い面を、こ
の補正されるレンズの出射側境界（後述する図１に示す
符号Ａ及びＢのうちの符号Ａに相当する）の外側、又は
出射側境界に近接して位置させることにより、一層良好
な最適化を行うことができる。このように構成すると、
コマ収差の無い面を伝達する第２の円形レンズ系によ
り、補正されるレンズのコマ収差の無い面が、この第２
の円形レンズ系のフィールドの十分外側に位置する面に
結像されるような装置が実現される。不遊レンズを形成
するためには、補正されるレンズのコマ収差の無い面が
補正装置の第１のヘクサポールの中心面に結像されるよ
うに、コマ収差の無い第２の円形レンズ系を配置すれば
よい。この結果、コマ収差の無い面は第１ヘクサポール
の中心点に容易に結像することができる。
好適実施例において、第１の円形レンズ系が有する２
つの第１の円形レンズが互いに同一のレンズで構成する
のが好ましい。この構成において、２個のレンズのフィ
ールド収差（Field aberration）は相互に補償し合い、
従って画像を乱すような収差が生ずることなく視野を大
きく拡大することができる。これら２個の第１の円形レ
ンズは、コイル電流の絶対値が同一で互いに反対向きに
コイル電流が流れるように、直列に接続された同一の磁
気コイルで構成されることが好ましい。このように構成
することにより、レンズ系は回転対称性がなくなり、い
かなる４次の開口収差が低減されるとともに、レンズ系
における異方性コマ収差の発生量も低減される。
好適実施例においては、２個のヘクサポールは同一の
ものとする。ヘクサポールの中心点を光軸方向に沿って
シフトさせて円形レンズの節点に正確に一致させるため
に、各ヘクサポールを２個のヘクサポール素子で構成す
ることができる。このようなシフトは、２個のヘクサポ
ール素子の付勢バランスを制御することにより達成でき
る。
非回転対称性の５次の開口収差を補償するため、ヘク
サポール磁界の各々に12極磁界を重畳することができ
る。この12極磁界は12極の素子内で発生する。
好適実施例において、この補正装置は、補正されるレ
ンズのコマ収差の無い面から見て、２個のヘクサポール
と２個の第１の円形レンズ系と２個の第２の円形レンズ
系とを有する8f系を構成し、この系において第２の円形
レンズ系の第１焦点は補正されるレンズのコマ収差のな
い点に一致し、第１の円形レンズ系の外側焦点はその節
点に一致する。ヘクサポールはこれら節点に芯立てす
る。これら全ての光学素子は、補正される装置に導入さ
れる単一のハウジング内に収納することができる。
補正されるレンズの収差を補償するためには、２個の
第２の円形レンズが補正されるレンズに対して反対方向
に付勢されるように、第２の円形レンズ系の２個の第２
の円形レンズを直列に接続するのがよい。
本発明の補正装置は、プローブフォーミング型のレン
ズを補正するのに特に有用である。
本発明による補正装置によって補正される装置は、電
界源や電子ビーム装置用の適合型半導体電子放出装置の
ような、放出される粒子中に比較的小さいエネルギー拡
散を伴う粒子源に備えられるのが好ましい。
本発明のいくつかの実施例は、添付された図を参照し
ながら以下に詳細に記述される。
第１図に示す補正装置は、第１のヘクサポール２及び
第２のヘクサポール４を有するヘクサポール系を備えて
いる。この補正装置の第１部分１は第１の円形レンズ８
と第２の円形レンズ10を有する第１の円形レンズダブレ
ット７を備え、中心面12に対して対称である。この中心
面12は２個の円形レンズ間の真中で光軸14に直交して延
在する。従って、これら２個のヘクサポール２及び４は
相互に交換可能である。同一構造のヘクサポール２及び
４を節点16及び18を中心にして芯立てする。尚、第１の
円形レンズダブレット７の対称構造により、節点16及び
18はヘクサポールの中心に位置する。第１の円形レンズ
ダブレット７の節点を通り光軸14と直交する面は接点面
16′及び18′と称する。図示の実施例において、第１の
円形レンズ８の第１焦点20は接点16と一致し、第２の円
形レンズ10の第２の焦点22は第１の円形レンズダブレッ
ト７の節点18に一致する。２個の円形レンズ８及び10は
互いに距離2f離間しているから、第１円形レンズ８の第
２焦点24は第２の円形レンズ10の第１焦点26に一致し、
これら焦点は共に中心面12内に位置する。各ヘクサポー
ルはダブレットで構成でき、その結果、各ヘクサポール
の２個の素子をわずかに相異させて付勢することによ
り、中心点を軸方向にシフトさせることができる。従っ
て、これら中心点を２個の円形レンズ８及び10の焦点に
正確に一致させることができる。既に述べたように、ヘ
クサポール磁場だけによって生ずる非回転対称性の５次
開口収差を補償するための例えば12極磁場が発生するよ
うに、各ヘクサポール磁場も12極磁界系内に励磁させる
ことができる。尚、近軸ビームに影響を及ぼす２極及び
４極磁場は多重極素子内には発生しないことに注意すべ
きである。
２個の円形レンズは、好ましくは、反対向きに等しい
量の電流が流れるように直列接続した電磁コイルで構成
する。さらに、ヘクサポール２及び４は同一のもので共
に円形レンズとすることが好ましい。
上述した系に第２の円形レンズダブレット30を付加し
て結合補正素子３を形成する。このダブレット30は好ま
しくは第１のダブレット７と同一のものとし、２個のレ
ンズ32及び34を有している。
第２レンズ34の第２焦点36は第１の円形レンズダブレ
ット７の節点16に一致させる。これら２個のレンズ32及
び34も互いに2fの距離だけ離間させ、レンズ34の第１焦
点38をレンズ32の第２焦点40に一致させる。レンズ32の
第１焦点42は補正されるレンズ系51のコマ収差の無い面
50に一致する。このレンズ系51は、例えば電子顕微鏡の
対物レンズであるが、物体面52を有しており、この物体
面52からは、システム全体を通るように図示されたアキ
シャルビーム（Axial ray）54及びフィールドビーム
（Field ray）56が発生する。フィールドビームは両方
のヘクサポール２及び４の中心点を通過し、後者による
作用を受けない。第２の円形レンズダブレット30は、い
かなる付加的な軸ずれ収差を発生させること無く、コマ
収差の無い面50を第１ヘクサポール２の中心面16′に結
像する。
第２図は第１図に示すダブレット７又は30のようなダ
ブレットの形態をした円形レンズ系の一例を示す。この
レンズ系は、２個のコイル60及び62と、２個のギャップ
66及び68が備えられた鉄のヨーク64とを有し、ギャップ
66及び68を経て２つの所望のレンズ磁場を発生させる。
コイルフォーマの中間部分70は一例として示される。な
ぜなら、この部分70は、２個のコイルが共に同一の方向
に付勢されるダブレットにおいてだけ存在するからであ
る。このレンズ系の節点72及び74は、これら節点がダブ
レット７の節点であれば、ヘクサポール２及び４の中心
点20及び22に一致し、これら節点がダブレット30の節点
であれば、コマ収差の無い面50及びヘクサポール２の中
心点20に一致する。
本発明による補正装置は電子顕微鏡又はこれと同様な
装置に用いることができる。第２の円形レンズダブレッ
トを設けて、補正されるレンズ系のコマ収差の無い面を
伝達させるために、このダブレットは荷電粒子ビームの
伝播方向に見てこのレンズ系の後段に配置する必要があ
る。本発明の補正装置は、米国特許4306149号のような
電子顕微鏡の対物レンズを補正するのに特に有用であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明による補正装置の一例の構成を示す概
略図である。 第２図は、単一ハウジングに収納された補正装置用の円
形レンズダブレットを示す概略図である。 2,4……ヘクサポール 7,30……ダブレット 8,10,32,34……円形レンズ 51……レンズ系
フロントページの続き (56)参考文献 ＮＵＣＬＥＡＲ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮ ＴＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ，1981 年，第187巻，Ｐ．187−199 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/153

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１及び第２のヘクサポールと、互いに同
    じ第１の焦点距離をもつ２個の第１の円形レンズを有す
    る第１の円形レンズ系であって、前記第１ヘクサポール
    の中心面を前記第２ヘクサポールの中心面に結像するた
    めに、前記２個の第１の円形レンズそれぞれが、隣接す
    るヘクサポールそれぞれの中心面から前記第１の焦点距
    離だけ離間した位置に設けられ、前記２個の第１の円形
    レンズが前記第１の焦点距離の２倍の距離だけ離間して
    位置する第１の円形レンズ系とを備えた高解像度荷電粒
    子線装置用の補正装置であって、 互いに同じ第２の焦点距離をもつ２個の第２の円形レン
    ズを有する第２の円形レンズ系であって、前記２個の第
    ２の円形レンズのうちの前記第１のヘクサポール側の円
    形レンズが、前記第１のヘクサポールの中心面から前記
    第２の焦点距離だけ離間した位置に設けられ、前記２個
    の第２の円形レンズが前記第２の焦点距離の２倍の距離
    だけ離間して位置する第２の円形レンズ系を備えたこと
    を特徴とする高解像度荷電粒子線装置用の補正装置。
  2. 【請求項２】入射面から見て8fレンズ系を構成すること
    を特徴とする請求項１に記載の補正装置。
  3. 【請求項３】請求項１又は２に記載の補正装置を備えた
    荷電粒子ビーム装置であって、前記第２の円形レンズ系
    がコマ収差の無いレンズ系であり、前記第２の円形レン
    ズ系が、前記補正装置により補正されるレンズ系のコマ
    収差の無い面を前記補正装置の第１のヘクサポールの中
    心面に結像するために配置されたことを特徴とする荷電
    粒子ビーム装置。
  4. 【請求項４】前記補正されるレンズ系のコマ収差の無い
    点が、該補正されるレンズ系の出射側境界に近接した位
    置に配置されることを特徴とする請求項３に記載の荷電
    粒子ビーム装置。
  5. 【請求項５】前記補正されるレンズ系が、プローブフォ
    ーミングレンズとなるように構成されたことを特徴とす
    る請求項３又は４に記載の荷電粒子ビーム装置。
  6. 【請求項６】前記第２の円形レンズ系の第１焦点が、前
    記補正されるレンズ系のコマ収差の無い点と一致し、前
    記第２の円形レンズ系の第２焦点が、前記第１のヘクサ
    ポールの中心点と一致することを特徴とする請求項３〜
    ５のうちのいずれか１項に記載の荷電粒子ビーム装置。
  7. 【請求項７】前記第２の円形レンズ系の２個の電磁コイ
    ルが、前記補正されるレンズ系を付勢する電流の向きと
    反対向きの電流によって付勢されるように直列に接続さ
    れたことを特徴とする請求項３〜６のうちのいずれか１
    項に記載の荷電粒子ビーム装置。
JP22678890A 1990-04-12 1990-08-30 高解像度荷電粒子線装置用の補正装置 Expired - Lifetime JP3207196B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2107590A2 (en) 2008-03-31 2009-10-07 Hitachi Ltd. Aberration corrector for transmission electron microscope
WO2012063749A1 (ja) 2010-11-12 2012-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子光学装置及びレンズ収差測定方法

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9100294A (nl) * 1991-02-20 1992-09-16 Philips Nv Geladen deeltjesbundelinrichting.
US5466904A (en) * 1993-12-23 1995-11-14 International Business Machines Corporation Electron beam lithography system
EP0840939B1 (en) * 1996-05-21 2005-08-03 Fei Company Correction device for the correction of lens aberrations in particle-optical apparatus
DE19739290A1 (de) * 1997-09-08 1999-03-11 Ceos Gmbh Verfahren zur Beseitigung axialer Bildfehler erster, zweiter und dritter Ordnung bei Korrektur des Öffnungsfehlers dritter Ordnung in elektronen-optischen Systemen
JP2001511303A (ja) * 1997-12-11 2001-08-07 フィリップス エレクトロン オプティクス ビー ヴィ 粒子−光学装置における球面収差補正用の補正デバイス
DE19802409B4 (de) * 1998-01-23 2006-09-21 Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh Anordnung zur Korrektur des Öffnungsfehlers dritter Ordnung einer Linse, insbesondere der Objektivlinse eines Elektronenmikroskops
US6069363A (en) * 1998-02-26 2000-05-30 International Business Machines Corporation Magnetic-electrostatic symmetric doublet projection lens
US6555818B1 (en) * 1999-06-16 2003-04-29 Jeol Ltd. Transmission electron microscope
US6552340B1 (en) 2000-10-12 2003-04-22 Nion Co. Autoadjusting charged-particle probe-forming apparatus
US6836373B2 (en) 2000-11-16 2004-12-28 Jeol Ltd. Spherical aberration corrector for electron microscope
DE10102527A1 (de) * 2001-01-20 2002-07-25 Ceos Gmbh Elektrostatischer Korrektor
DE10159308A1 (de) * 2001-12-04 2003-06-12 Ceos Gmbh Teilchenoptischer Korrektor
US6924488B2 (en) * 2002-06-28 2005-08-02 Jeol Ltd. Charged-particle beam apparatus equipped with aberration corrector
US6770887B2 (en) * 2002-07-08 2004-08-03 Ondrej L. Krivanek Aberration-corrected charged-particle optical apparatus
US20090212213A1 (en) * 2005-03-03 2009-08-27 Ebara Corporation Projection electron beam apparatus and defect inspection system using the apparatus
TW200700717A (en) * 2005-03-22 2007-01-01 Ebara Corp Electron beam device
US8067732B2 (en) * 2005-07-26 2011-11-29 Ebara Corporation Electron beam apparatus
US7394069B1 (en) 2005-08-30 2008-07-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Large-field scanning of charged particles
DE102005050810A1 (de) * 2005-10-24 2007-04-26 Ceos Gmbh Elektronenoptischer Korrektor für aplanatische Abbildungssysteme
EP1783811A3 (en) * 2005-11-02 2008-02-27 FEI Company Corrector for the correction of chromatic aberrations in a particle-optical apparatus
DE102006017686A1 (de) * 2006-04-15 2007-10-18 Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh Elektronenoptischer Korrektor für aplanatische Abbildungssysteme
JP2007335125A (ja) * 2006-06-13 2007-12-27 Ebara Corp 電子線装置
JP5069066B2 (ja) * 2006-10-20 2012-11-07 日本電子株式会社 収差補正装置及び収差補正方法
EP2091062A1 (en) * 2008-02-13 2009-08-19 FEI Company TEM with aberration corrector and phase plate
JP4533441B2 (ja) * 2008-03-13 2010-09-01 株式会社日立製作所 荷電粒子装置の球面収差を補正する収差補正装置
EP2131385A1 (en) * 2008-06-05 2009-12-09 FEI Company Hybrid phase plate
EP2166557A1 (en) * 2008-09-22 2010-03-24 FEI Company Method for correcting distortions in a particle-optical apparatus
JP5237734B2 (ja) * 2008-09-24 2013-07-17 日本電子株式会社 収差補正装置および該収差補正装置を備える荷電粒子線装置
JP5623719B2 (ja) * 2008-10-06 2014-11-12 日本電子株式会社 荷電粒子線装置の色収差補正装置及びその補正方法
DE102009016861A1 (de) 2009-04-08 2010-10-21 Carl Zeiss Nts Gmbh Teilchenstrahlmikroskop
US8129693B2 (en) 2009-06-26 2012-03-06 Carl Zeiss Nts Gmbh Charged particle beam column and method of operating same
DE102009052392A1 (de) 2009-11-09 2011-12-15 Carl Zeiss Nts Gmbh SACP-Verfahren und teilchenoptisches System zur Ausführung eines solchen Verfahrens
EP2325862A1 (en) 2009-11-18 2011-05-25 Fei Company Corrector for axial aberrations of a particle-optical lens
EP2339608B1 (en) 2009-12-22 2014-05-07 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electrostatic corrector
US8791423B2 (en) * 2010-07-27 2014-07-29 Hitachi High-Technologies Corporation Aberration correction device and charged particle beam device employing same
EP2413345B1 (en) 2010-07-29 2013-02-20 Carl Zeiss NTS GmbH Charged particle beam system
EP2511936B1 (en) 2011-04-13 2013-10-02 Fei Company Distortion free stigmation of a TEM
EP2584584A1 (en) 2011-10-19 2013-04-24 FEI Company Method for adjusting a STEM equipped with an aberration corrector
EP2704177B1 (en) 2012-09-04 2014-11-26 Fei Company Method of investigating and correcting aberrations in a charged-particle lens system
DE112014003890B4 (de) 2013-09-30 2018-08-02 Hitachi High-Technologies Corporation Mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung
EP3591685A1 (en) 2018-07-06 2020-01-08 FEI Company Electron microscope with improved imaging resolution
DE102019122013B3 (de) 2019-08-15 2021-01-14 Ceos Corrected Electron Optical Systems Gmbh Teilchenoptischer Korrektor frei von axialen Fehlern sechster Ordnung und Elektronenmikroskop mit Korrektor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4389571A (en) * 1981-04-01 1983-06-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multiple sextupole system for the correction of third and higher order aberration
US4414474A (en) * 1982-02-17 1983-11-08 University Patents, Inc. Corrector for axial aberrations in electron optic instruments
DE3841715A1 (de) * 1988-12-10 1990-06-13 Zeiss Carl Fa Abbildender korrektor vom wien-typ fuer elektronenmikroskope

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ＮＵＣＬＥＡＲ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ，１９８１年，第１８７巻，Ｐ．１８７−１９９

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2107590A2 (en) 2008-03-31 2009-10-07 Hitachi Ltd. Aberration corrector for transmission electron microscope
WO2012063749A1 (ja) 2010-11-12 2012-05-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子光学装置及びレンズ収差測定方法
US9224574B2 (en) 2010-11-12 2015-12-29 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle optical equipment and method for measuring lens aberration

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