JP3199910B2 - 電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路 - Google Patents
電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＩＧＢＴ（絶縁ゲートバ
イポーラトランジスタ）等の電圧駆動形自己消弧素子を
電力用スイッチング素子として使用した電力変換装置に
関し、特に電圧駆動形自己消弧素子に何らかの理由で過
大な電流が流れたとき、電圧駆動形自己消弧素子やその
他の機器を破損する事無く安全に停止する事の出来る電
圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路に関する。
イポーラトランジスタ）等の電圧駆動形自己消弧素子を
電力用スイッチング素子として使用した電力変換装置に
関し、特に電圧駆動形自己消弧素子に何らかの理由で過
大な電流が流れたとき、電圧駆動形自己消弧素子やその
他の機器を破損する事無く安全に停止する事の出来る電
圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＧＢＴを使用した電力変換装置の過電
流保護回路の公知技術としては過電流をＣＴ等の電流検
出器により検知してゲート信号を遮断する方法、過電流
がＩＧＢＴに流れたときにＩＧＢＴのコレクターエミッ
タ間電圧（ＶＣＥ）が上昇する特性を利用して、ゲート
電圧を緩やかに低下させて事故電流を限流させるゲート
絞り等がある。（電子技術１９９１年８月号ＩＧＢＴ応
用の基礎）ＩＧＢＴを使用した電力変換装置の例として
３相インバータ回路の例を図１３に示す。この３相イン
バータ回路は、直流電源入力端子Ｐ，Ｎ間の直流電圧を
平滑するコンデンサ１と、このＰ，Ｎ間にブリッジ接続
された６個のＩＧＢＴ２と、各ＩＧＢＴ２に逆並列に接
続されたダイオード３で構成され、各ブリッジ接続され
たＩＧＢＴの出力端子０から可変電圧、可変周波数の交
流電力を出力し、負荷４に供給するものである。このよ
うなＩＧＢＴを用いたインバータ回路の従来の過電流保
護回路を図１４に示す。図１４において、２はＩＧＢ
Ｔ、３は逆並列ダイオード、５はＩＧＢＴのゲート回
路、６はゲート信号発生回路、７はゲート絞り回路、８
はゲート抵抗である。また、ＩＧＢＴのゲート回路５
は、ゲート電源５１Ｐ，５１Ｎ、フォトカプラ５２、ト
ランジスタ回路５３の構成要素よりなっている。図１４
の基本的動作を以下に説明する。図１４において、ゲー
ト信号発生回路６よりゲート信号ＧＳＩＧ が出力され
ると、フォトカプラ５２はゲート信号ＧＳＩＧ を絶縁
し、ゲート信号ＧＰ１としてトランジスタ回路５３に入
力される。トランジスタ回路５３はゲート電源５１Ｐ，
５１Ｎを電源としてゲート信号ＧＰ１を電流増幅してゲ
ート信号ＧＰ を出力する。一般的にゲート電源として
は正側５１Ｐに１０〜１５Ｖ、負側５１Ｎに５〜１５Ｖ
の電源を用いる。ゲート信号ＧＰ をゲート抵抗８を介
してＩＧＢＴ２のゲートＧに加える事によりＩＧＢＴ２
をオン，オフする事ができる。ゲート信号ＧＰ が正の
時はオン、負の時はオフとなる。ここでもしＩＧＢＴ２
のオン中に過大な電流が流れると、ＩＧＢＴ２のコレク
ターエミッタ間電圧ＶＣＥが上昇する。この電圧ＶＣＥ
が所定値を越えるとゲート絞り回路７により検知され、
ゲート信号ＧＰ２を下げ、トランジスタ回路５３のベー
ス電位を下げゲート信号ＧＰ の電位も下がって、ＩＧ
ＢＴ２のオン抵抗を上昇させコレクタ電流を減少させる
事が可能となる。これがゲート絞り動作によるＩＧＢＴ
の過電流保護で、もし前記動作を充分短時間（一般的に
数μＳから数十μＳ程度の時間）で行うなら、ＩＧＢＴ
を破損する事無く安全に停止する事が可能である。
流保護回路の公知技術としては過電流をＣＴ等の電流検
出器により検知してゲート信号を遮断する方法、過電流
がＩＧＢＴに流れたときにＩＧＢＴのコレクターエミッ
タ間電圧（ＶＣＥ）が上昇する特性を利用して、ゲート
電圧を緩やかに低下させて事故電流を限流させるゲート
絞り等がある。（電子技術１９９１年８月号ＩＧＢＴ応
用の基礎）ＩＧＢＴを使用した電力変換装置の例として
３相インバータ回路の例を図１３に示す。この３相イン
バータ回路は、直流電源入力端子Ｐ，Ｎ間の直流電圧を
平滑するコンデンサ１と、このＰ，Ｎ間にブリッジ接続
された６個のＩＧＢＴ２と、各ＩＧＢＴ２に逆並列に接
続されたダイオード３で構成され、各ブリッジ接続され
たＩＧＢＴの出力端子０から可変電圧、可変周波数の交
流電力を出力し、負荷４に供給するものである。このよ
うなＩＧＢＴを用いたインバータ回路の従来の過電流保
護回路を図１４に示す。図１４において、２はＩＧＢ
Ｔ、３は逆並列ダイオード、５はＩＧＢＴのゲート回
路、６はゲート信号発生回路、７はゲート絞り回路、８
はゲート抵抗である。また、ＩＧＢＴのゲート回路５
は、ゲート電源５１Ｐ，５１Ｎ、フォトカプラ５２、ト
ランジスタ回路５３の構成要素よりなっている。図１４
の基本的動作を以下に説明する。図１４において、ゲー
ト信号発生回路６よりゲート信号ＧＳＩＧ が出力され
ると、フォトカプラ５２はゲート信号ＧＳＩＧ を絶縁
し、ゲート信号ＧＰ１としてトランジスタ回路５３に入
力される。トランジスタ回路５３はゲート電源５１Ｐ，
５１Ｎを電源としてゲート信号ＧＰ１を電流増幅してゲ
ート信号ＧＰ を出力する。一般的にゲート電源として
は正側５１Ｐに１０〜１５Ｖ、負側５１Ｎに５〜１５Ｖ
の電源を用いる。ゲート信号ＧＰ をゲート抵抗８を介
してＩＧＢＴ２のゲートＧに加える事によりＩＧＢＴ２
をオン，オフする事ができる。ゲート信号ＧＰ が正の
時はオン、負の時はオフとなる。ここでもしＩＧＢＴ２
のオン中に過大な電流が流れると、ＩＧＢＴ２のコレク
ターエミッタ間電圧ＶＣＥが上昇する。この電圧ＶＣＥ
が所定値を越えるとゲート絞り回路７により検知され、
ゲート信号ＧＰ２を下げ、トランジスタ回路５３のベー
ス電位を下げゲート信号ＧＰ の電位も下がって、ＩＧ
ＢＴ２のオン抵抗を上昇させコレクタ電流を減少させる
事が可能となる。これがゲート絞り動作によるＩＧＢＴ
の過電流保護で、もし前記動作を充分短時間（一般的に
数μＳから数十μＳ程度の時間）で行うなら、ＩＧＢＴ
を破損する事無く安全に停止する事が可能である。
【０００３】図１５にＩＧＢＴインバータの過電流保護
回路の従来技術の異なる例を示す。図１５において、
１，２，３，５，５２，６，８は図１３，図１４と同一
構成要素のため説明を省く。９は電流センサ、１０はコ
ンパレータ回路、１１は過電流検出レベルの設定器、１
２はラッチ回路、１３はゲートブロック回路である。図
１５の基本的動作を以下に説明する。ゲート信号発生回
路６から出力されたゲート信号ＧＩＧ１ はゲートブロ
ック回路１３を経由してゲート回路５に入力される。正
常時、ゲートブロック回路１３はゲート信号ＧＳＩＧ１
をそのままゲート信号ＧＳＩＧ２として出力する。も
し、何らかの理由でＩＧＢＴ２により直流短絡等の事故
が発生し、ＩＧＢＴ２に過大な電流が流れた場合、電流
センサ９によりこれを検知する。直流短絡や出力短絡等
の事故が電力変換装置に発生すると当初事故電流の大半
はフィルタコンデンサから供給される。このとき、電源
からも供給されるが、一般に電力変換装置及びその電源
を考察すると、フィルタコンデンサはインバータ回路に
低インダクタンスで接続されており、電源はリアクトル
やトランス等により高いインダクタンスを有するのが一
般的であります。従って、直流短絡等の事故時にはフィ
ルタコンデンサから流出する電流が最も急峻に増加し、
この電流を検出することにより事故を検知することがで
きる。電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ回路１０に入
力して、過電流検出レベル設定器１１の出力ＩＯＣと比
較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大きい場合、過電
流信号ＯＣを出力する。ラッチ回路１２はこれを保持
し、ゲートブロック信号ＧＢを出力し、ゲートブロック
回路１３によりゲート信号ＧＳＩＧ２を遮断する。これ
により、ＩＧＢＴ２はオフし、事故電流を直ちに遮断す
る事が出来る。
回路の従来技術の異なる例を示す。図１５において、
１，２，３，５，５２，６，８は図１３，図１４と同一
構成要素のため説明を省く。９は電流センサ、１０はコ
ンパレータ回路、１１は過電流検出レベルの設定器、１
２はラッチ回路、１３はゲートブロック回路である。図
１５の基本的動作を以下に説明する。ゲート信号発生回
路６から出力されたゲート信号ＧＩＧ１ はゲートブロ
ック回路１３を経由してゲート回路５に入力される。正
常時、ゲートブロック回路１３はゲート信号ＧＳＩＧ１
をそのままゲート信号ＧＳＩＧ２として出力する。も
し、何らかの理由でＩＧＢＴ２により直流短絡等の事故
が発生し、ＩＧＢＴ２に過大な電流が流れた場合、電流
センサ９によりこれを検知する。直流短絡や出力短絡等
の事故が電力変換装置に発生すると当初事故電流の大半
はフィルタコンデンサから供給される。このとき、電源
からも供給されるが、一般に電力変換装置及びその電源
を考察すると、フィルタコンデンサはインバータ回路に
低インダクタンスで接続されており、電源はリアクトル
やトランス等により高いインダクタンスを有するのが一
般的であります。従って、直流短絡等の事故時にはフィ
ルタコンデンサから流出する電流が最も急峻に増加し、
この電流を検出することにより事故を検知することがで
きる。電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ回路１０に入
力して、過電流検出レベル設定器１１の出力ＩＯＣと比
較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大きい場合、過電
流信号ＯＣを出力する。ラッチ回路１２はこれを保持
し、ゲートブロック信号ＧＢを出力し、ゲートブロック
回路１３によりゲート信号ＧＳＩＧ２を遮断する。これ
により、ＩＧＢＴ２はオフし、事故電流を直ちに遮断す
る事が出来る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記のような過電流保
護方式には、以下に記す様な問題点があった。 （Ａ）まず図１５に示したような単純なゲートブロック
方式は、事故電流遮断時に大きなサージ電圧が発生して
ＩＧＢＴ素子が過電圧破壊する事があった。 （Ｂ）また、図１４に示したようなゲート絞り方式は、
事故電流をソフトに限流する事が可能で、事故電流限流
時のサージ電圧は小さいが、過大なコレクタ電流によっ
て発生するコレクターエミッタ間電圧ＶＣＥが素子特性
に依存しばらつきがあるため、均一な保護特性を得にく
い。 （Ｃ）さらに、かなり大きな事故電流が立ち上がるまで
前記ＶＣＥが上昇しないため、ゲート絞り回路が動作を
始めたときには、既にかなり大きな電流が流れており、
保護が間に合わないケースがある。 （Ｄ）ＩＧＢＴは通常のオン時にもスイッチングスピー
ドが有限なためＶＣＥが低下するまで一定時間必要であ
り、この間ゲート絞りできない。ゲートパルス入力タイ
ミングで短絡事故が発生したときも、同じく一定時間は
通常のオンか、短絡事故が区別できない。このため、ゲ
ート絞り回路が動作を始めたときには、かなり大きな電
流が流れており、保護が間に合わないケースがある。 （Ｅ）ＩＧＢＴのＶＣＥをフィードバックしてそれ自身
のゲート電圧を下げるため、図１３の様なインバータ回
路で直流短絡が発生しても事故電流の流れている２個の
ＩＧＢＴのうち先にＶＣＥの上昇した方が全電圧を負担
し、２個のＩＧＢＴで電圧を分担しながら限流できな
い。 （Ｆ）短絡事故発生直後に偶然、通常のオフタイミング
が当たると、大きな事故電流を遮断して素子が過電圧破
壊することが避けられない。
護方式には、以下に記す様な問題点があった。 （Ａ）まず図１５に示したような単純なゲートブロック
方式は、事故電流遮断時に大きなサージ電圧が発生して
ＩＧＢＴ素子が過電圧破壊する事があった。 （Ｂ）また、図１４に示したようなゲート絞り方式は、
事故電流をソフトに限流する事が可能で、事故電流限流
時のサージ電圧は小さいが、過大なコレクタ電流によっ
て発生するコレクターエミッタ間電圧ＶＣＥが素子特性
に依存しばらつきがあるため、均一な保護特性を得にく
い。 （Ｃ）さらに、かなり大きな事故電流が立ち上がるまで
前記ＶＣＥが上昇しないため、ゲート絞り回路が動作を
始めたときには、既にかなり大きな電流が流れており、
保護が間に合わないケースがある。 （Ｄ）ＩＧＢＴは通常のオン時にもスイッチングスピー
ドが有限なためＶＣＥが低下するまで一定時間必要であ
り、この間ゲート絞りできない。ゲートパルス入力タイ
ミングで短絡事故が発生したときも、同じく一定時間は
通常のオンか、短絡事故が区別できない。このため、ゲ
ート絞り回路が動作を始めたときには、かなり大きな電
流が流れており、保護が間に合わないケースがある。 （Ｅ）ＩＧＢＴのＶＣＥをフィードバックしてそれ自身
のゲート電圧を下げるため、図１３の様なインバータ回
路で直流短絡が発生しても事故電流の流れている２個の
ＩＧＢＴのうち先にＶＣＥの上昇した方が全電圧を負担
し、２個のＩＧＢＴで電圧を分担しながら限流できな
い。 （Ｆ）短絡事故発生直後に偶然、通常のオフタイミング
が当たると、大きな事故電流を遮断して素子が過電圧破
壊することが避けられない。
【０００５】本発明は、以上のような問題点に鑑みて行
われたもので、その目的とするところは、素子特性に関
わり無く、確実にゲート絞り動作により過電流保護が可
能な電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路を提供す
ることにある。
われたもので、その目的とするところは、素子特性に関
わり無く、確実にゲート絞り動作により過電流保護が可
能な電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に対応する第１
発明として、直流端子間の直流電圧を平滑するコンデン
サと直流端子間にブリッジ接続された電圧駆動形自己消
弧素子とを有する電力変換装置の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路において、前記コンデンサに流れる
電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段の出
力と予め定められた過電流検出レベルとを比較し電流検
出手段の出力が過電流検出レベルより大きくなったこと
により過電流を検出するコンパレータと、このコンパレ
ータにより過電流が検出されると前記電圧駆動形自己消
弧素子のゲート電位を通常のオン時のゲート電位より低
下させるゲート回路と、前記コンパレータにより過電流
が検出されると前記電圧駆動形自己消弧素子に対するオ
ン指令を保持し、所定時間経過後に前記電圧駆動形自己
消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低
下させるゲートしゃ断回路を設ける。
発明として、直流端子間の直流電圧を平滑するコンデン
サと直流端子間にブリッジ接続された電圧駆動形自己消
弧素子とを有する電力変換装置の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路において、前記コンデンサに流れる
電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段の出
力と予め定められた過電流検出レベルとを比較し電流検
出手段の出力が過電流検出レベルより大きくなったこと
により過電流を検出するコンパレータと、このコンパレ
ータにより過電流が検出されると前記電圧駆動形自己消
弧素子のゲート電位を通常のオン時のゲート電位より低
下させるゲート回路と、前記コンパレータにより過電流
が検出されると前記電圧駆動形自己消弧素子に対するオ
ン指令を保持し、所定時間経過後に前記電圧駆動形自己
消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低
下させるゲートしゃ断回路を設ける。
【０００７】更に、上記構成の電圧駆動形自己消弧素子
の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかのコンパレ
ータにより過電流が検出されたとき、該コンパレータの
出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動形
自己消弧素子のゲート電位を低下させる手段を設ける。
の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかのコンパレ
ータにより過電流が検出されたとき、該コンパレータの
出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動形
自己消弧素子のゲート電位を低下させる手段を設ける。
【０００８】また、コンパレータの出力により直ちに前
記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を所定値に低下
させ一定時間後に更にゲート電位を低下させるゲート回
路とする。また、前記電圧駆動形自己消弧素子はコレク
タ電流を検出する電流センサを内蔵した電圧駆動形自己
消弧素子を使用し、この電流センサの出力を前記コンパ
レータへ入力する構成とする。
記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を所定値に低下
させ一定時間後に更にゲート電位を低下させるゲート回
路とする。また、前記電圧駆動形自己消弧素子はコレク
タ電流を検出する電流センサを内蔵した電圧駆動形自己
消弧素子を使用し、この電流センサの出力を前記コンパ
レータへ入力する構成とする。
【０００９】請求項４に対応する第２発明として、直流
端子間の直流電圧を平滑するコンデンサと直流端子間に
ブリッジ接続された電圧駆動形自己消弧素子とを有する
電力変換装置の電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回
路において、前記コンデンサに流れる電流を検出する電
流検出手段と、この電流検出手段の出力と予め定められ
た第１の過電流検出レベルとを比較し電流検出手段の出
力が第１の過電流検出レベルより大きくなったことによ
り過電流を検出する第１のコンパレータと、前記直流端
子間の電圧を検出する電圧検出手段と、この電圧検出手
段の出力と予め定められた第２の過電流検出レベルとを
比較し電圧検出手段の出力が第２の過電流検出レベルよ
り小さくなったことにより過電流を検出する第２のコン
パレータと、前記第１，第２のコンパレータのアンド条
件により、前記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を
通常のオン時のゲート電位より低下させるゲート回路を
設ける。
端子間の直流電圧を平滑するコンデンサと直流端子間に
ブリッジ接続された電圧駆動形自己消弧素子とを有する
電力変換装置の電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回
路において、前記コンデンサに流れる電流を検出する電
流検出手段と、この電流検出手段の出力と予め定められ
た第１の過電流検出レベルとを比較し電流検出手段の出
力が第１の過電流検出レベルより大きくなったことによ
り過電流を検出する第１のコンパレータと、前記直流端
子間の電圧を検出する電圧検出手段と、この電圧検出手
段の出力と予め定められた第２の過電流検出レベルとを
比較し電圧検出手段の出力が第２の過電流検出レベルよ
り小さくなったことにより過電流を検出する第２のコン
パレータと、前記第１，第２のコンパレータのアンド条
件により、前記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を
通常のオン時のゲート電位より低下させるゲート回路を
設ける。
【００１０】更に、前記第１，第２のコンパレータのア
ンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子に対するオ
ン指令を保持し所定時間経過後に前記電圧駆動形自己消
弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下
させるゲートしゃ断回路を設ける。
ンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子に対するオ
ン指令を保持し所定時間経過後に前記電圧駆動形自己消
弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下
させるゲートしゃ断回路を設ける。
【００１１】また、上記構成の電圧駆動形自己消弧素子
の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかの回路の第
１，第２コンパレータのアンド条件により過電流が検出
されたとき、該第１，第２のコンパレータのアンド条件
の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動
形自己消弧素子のゲート電位を低下させる手段を設け
る。
の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかの回路の第
１，第２コンパレータのアンド条件により過電流が検出
されたとき、該第１，第２のコンパレータのアンド条件
の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動
形自己消弧素子のゲート電位を低下させる手段を設け
る。
【００１２】請求項７に対応する第３発明として、直流
端子間の直流電圧を平滑するコンデンサと直流端子間に
ブリッジ接続されたコレクタ電流検出する電流センサを
内蔵した電圧駆動形自己消弧素子とを有する電力変換装
置の電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路におい
て、前記コンデンサに流れる電流を検出する電流検出手
段と、この電流検出手段の出力と予め定められた第１の
過電流検出レベルとを比較し電流検出手段の出力が第１
の過電流検出レベルより大きくなったことにより過電流
を検出する第１のコンパレータと、前記電圧駆動形自己
消弧素子に内蔵した前記電流センサの出力と予め定めら
れた第２の過電流検出レベルとを比較し電流検出手段の
出力が第２の過電流検出レベルより大きくなったことに
より過電流を検出する第２のコンパレータと、前記第１
コンパレータと第２コンパレータの出力のアンド条件に
より前記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を通常の
オン時のゲート電位より低下させるゲート回路を設け
る。
端子間の直流電圧を平滑するコンデンサと直流端子間に
ブリッジ接続されたコレクタ電流検出する電流センサを
内蔵した電圧駆動形自己消弧素子とを有する電力変換装
置の電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路におい
て、前記コンデンサに流れる電流を検出する電流検出手
段と、この電流検出手段の出力と予め定められた第１の
過電流検出レベルとを比較し電流検出手段の出力が第１
の過電流検出レベルより大きくなったことにより過電流
を検出する第１のコンパレータと、前記電圧駆動形自己
消弧素子に内蔵した前記電流センサの出力と予め定めら
れた第２の過電流検出レベルとを比較し電流検出手段の
出力が第２の過電流検出レベルより大きくなったことに
より過電流を検出する第２のコンパレータと、前記第１
コンパレータと第２コンパレータの出力のアンド条件に
より前記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を通常の
オン時のゲート電位より低下させるゲート回路を設け
る。
【００１３】更に、前記第１，第２のコンパレータのア
ンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子に対するオ
ン指令を保持し所定時間経過後に前記電圧駆動形自己消
弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下
させるゲートしゃ断回路を設ける。
ンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子に対するオ
ン指令を保持し所定時間経過後に前記電圧駆動形自己消
弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下
させるゲートしゃ断回路を設ける。
【００１４】また、上記構成の電圧駆動形自己消弧素子
の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかの回路の第
１，第２コンパレータのアンド条件により過電流が検出
されたとき、該第１，第２のコンパレータのアンド条件
の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動
形自己消弧素子のゲート電位を低下させる手段を設け
る。
の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかの回路の第
１，第２コンパレータのアンド条件により過電流が検出
されたとき、該第１，第２のコンパレータのアンド条件
の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動
形自己消弧素子のゲート電位を低下させる手段を設け
る。
【００１５】
【００１６】
【作用】第１発明の構成において、電圧駆動形自己消弧
素子に過電流が流れると、電流検出手段の出力が所定値
を越え、コンパレータにより過電流を判定される。この
判定によりゲート回路は電圧駆動形自己消弧素子のゲー
ト電位を低下させ電圧駆動形自己消弧素子のコレクター
エミッタ間電圧を増加させ過電流を抑制する。また、同
時に、ゲートしゃ断回路により電圧駆動形自己消弧素子
に対するオン指令が保持され、所定時間経過後に電圧駆
動形自己消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート
電位に低下させ抑制された過電流をしゃ断する。従っ
て、過電流が検出された直後に電圧駆動形自己消弧素子
に対するオフ指令は禁止される。更に、複数の電圧駆動
形自己消弧素子を用いそれぞれの電圧駆動形自己消弧素
子に対して第１発明の構成を備え、いずれかの電圧駆動
形自己消弧素子に過電流が流れると、いずれかのコンパ
レータにより過電流が検出され、該コンパレータの出力
により全てのゲート回路が電圧駆動形自己消弧素子のゲ
ート電位を低下させる。これにより、電圧駆動形自己消
弧素子の過電流は確実に抑制される。
素子に過電流が流れると、電流検出手段の出力が所定値
を越え、コンパレータにより過電流を判定される。この
判定によりゲート回路は電圧駆動形自己消弧素子のゲー
ト電位を低下させ電圧駆動形自己消弧素子のコレクター
エミッタ間電圧を増加させ過電流を抑制する。また、同
時に、ゲートしゃ断回路により電圧駆動形自己消弧素子
に対するオン指令が保持され、所定時間経過後に電圧駆
動形自己消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート
電位に低下させ抑制された過電流をしゃ断する。従っ
て、過電流が検出された直後に電圧駆動形自己消弧素子
に対するオフ指令は禁止される。更に、複数の電圧駆動
形自己消弧素子を用いそれぞれの電圧駆動形自己消弧素
子に対して第１発明の構成を備え、いずれかの電圧駆動
形自己消弧素子に過電流が流れると、いずれかのコンパ
レータにより過電流が検出され、該コンパレータの出力
により全てのゲート回路が電圧駆動形自己消弧素子のゲ
ート電位を低下させる。これにより、電圧駆動形自己消
弧素子の過電流は確実に抑制される。
【００１７】また、コンパレータにより過電流が検出さ
れたとき、ゲート回路は直ちに電圧駆動形自己消弧素子
のゲート電位を所定値に低下させ過電流を抑制し、一定
時間後に更にゲート電位を低下させ、過電流抑制時の電
流変化率も抑制し過電圧の発生を防止する。
れたとき、ゲート回路は直ちに電圧駆動形自己消弧素子
のゲート電位を所定値に低下させ過電流を抑制し、一定
時間後に更にゲート電位を低下させ、過電流抑制時の電
流変化率も抑制し過電圧の発生を防止する。
【００１８】第２発明の構成において、電圧駆動形自己
消弧素子に過電流が流れると、電流検出手段の出力が所
定値を越え、第１コンパレータにより過電流を判定され
る。また、過電流により直流端子間の電圧が所定値以下
に低下すると第２コンパレータにより過電流と判定され
る。この第１，第２コンパレータのアンド条件によりゲ
ート回路は電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を低下
させ電圧駆動形自己消弧素子のコレクターエミッタ間電
圧を増加させ過電流を抑制する。また、同時に、ゲート
しゃ断回路により電圧駆動形自己消弧素子に対するオン
指令が保持され、所定時間経過後に電圧駆動形自己消弧
素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下さ
せ抑制された過電流をしゃ断する。従って、過電流が検
出された直後に電圧駆動形自己消弧素子に対するオフ指
令は禁止される。更に、複数の電圧駆動形自己消弧素子
を用いそれぞれの電圧駆動形自己消弧素子に対して第２
発明の構成を備え、いずれかの電圧駆動形自己消弧素子
に過電流が流れると、いずれかの第１，第２コンパレー
タにより過電流が検出され、該第１，第２コンパレータ
の出力により全てのゲート回路が電圧駆動形自己消弧素
子のゲート電位を低下させる。これにより、電圧駆動形
自己消弧素子の過電流は確実に抑制される。
消弧素子に過電流が流れると、電流検出手段の出力が所
定値を越え、第１コンパレータにより過電流を判定され
る。また、過電流により直流端子間の電圧が所定値以下
に低下すると第２コンパレータにより過電流と判定され
る。この第１，第２コンパレータのアンド条件によりゲ
ート回路は電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を低下
させ電圧駆動形自己消弧素子のコレクターエミッタ間電
圧を増加させ過電流を抑制する。また、同時に、ゲート
しゃ断回路により電圧駆動形自己消弧素子に対するオン
指令が保持され、所定時間経過後に電圧駆動形自己消弧
素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下さ
せ抑制された過電流をしゃ断する。従って、過電流が検
出された直後に電圧駆動形自己消弧素子に対するオフ指
令は禁止される。更に、複数の電圧駆動形自己消弧素子
を用いそれぞれの電圧駆動形自己消弧素子に対して第２
発明の構成を備え、いずれかの電圧駆動形自己消弧素子
に過電流が流れると、いずれかの第１，第２コンパレー
タにより過電流が検出され、該第１，第２コンパレータ
の出力により全てのゲート回路が電圧駆動形自己消弧素
子のゲート電位を低下させる。これにより、電圧駆動形
自己消弧素子の過電流は確実に抑制される。
【００１９】第３発明の構成において、電圧駆動形自己
消弧素子に過電流が流れると、電圧駆動形自己消弧素子
に内蔵した電流センサとコンデンサの電流を検出する電
流検出手段のそれぞれの出力が所定値を越え、第１，第
２コンパレータによりそれぞれ過電流と判定される。こ
の第１，第２コンパレータのアンド条件によりゲート回
路は電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を低下させ電
圧駆動形自己消弧素子のコレクターエミッタ間電圧を増
加させ過電流を抑制する。また、同時に、ゲートしゃ断
回路により電圧駆動形自己消弧素子に対するオン指令が
保持され、所定時間経過後に電圧駆動形自己消弧素子の
ゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下させ抑制
された過電流をしゃ断する。従って、過電流が検出され
た直後に電圧駆動形自己消弧素子に対するオフ指令は禁
止される。更に、複数の電圧駆動形自己消弧素子を用い
それぞれの電圧駆動形自己消弧素子に対して第３発明の
構成を備え、いずれかの電圧駆動形自己消弧素子に過電
流が流れると、いずれかのコンパレータにより過電流が
検出され、該コンパレータの出力により全てのゲート回
路が電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を低下させ
る。これにより、電圧駆動形自己消弧素子の過電流は確
実に抑制される。
消弧素子に過電流が流れると、電圧駆動形自己消弧素子
に内蔵した電流センサとコンデンサの電流を検出する電
流検出手段のそれぞれの出力が所定値を越え、第１，第
２コンパレータによりそれぞれ過電流と判定される。こ
の第１，第２コンパレータのアンド条件によりゲート回
路は電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を低下させ電
圧駆動形自己消弧素子のコレクターエミッタ間電圧を増
加させ過電流を抑制する。また、同時に、ゲートしゃ断
回路により電圧駆動形自己消弧素子に対するオン指令が
保持され、所定時間経過後に電圧駆動形自己消弧素子の
ゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に低下させ抑制
された過電流をしゃ断する。従って、過電流が検出され
た直後に電圧駆動形自己消弧素子に対するオフ指令は禁
止される。更に、複数の電圧駆動形自己消弧素子を用い
それぞれの電圧駆動形自己消弧素子に対して第３発明の
構成を備え、いずれかの電圧駆動形自己消弧素子に過電
流が流れると、いずれかのコンパレータにより過電流が
検出され、該コンパレータの出力により全てのゲート回
路が電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を低下させ
る。これにより、電圧駆動形自己消弧素子の過電流は確
実に抑制される。
【００２０】
【００２１】
【実施例】本発明の第１発明による第１実施例を図１に
示す。図１において、１は平滑コンデンサ、２はＩＧＢ
Ｔ、３は逆並列ダイオード、５はゲート回路、６はゲー
ト信号発生回路、７はゲート絞り回路、８はゲート抵
抗、９は電流センサ、１０はコンパレータ回路、１１は
過電流検出レベルの設定器、１２はラッチ回路、１４は
フォトカプラである。また、ゲート回路５はゲート電源
５１Ｐ，５１Ｎ、フォトカプラ５２、トランジスタ回路
５３の各構成要素よりなる。これらのゲート回路５、ゲ
ート信号発生回路６、ゲート絞り回路７、ゲート抵抗
８、フォトカプラ１４は各ＩＧＢＴ毎に回路を構成す
る。
示す。図１において、１は平滑コンデンサ、２はＩＧＢ
Ｔ、３は逆並列ダイオード、５はゲート回路、６はゲー
ト信号発生回路、７はゲート絞り回路、８はゲート抵
抗、９は電流センサ、１０はコンパレータ回路、１１は
過電流検出レベルの設定器、１２はラッチ回路、１４は
フォトカプラである。また、ゲート回路５はゲート電源
５１Ｐ，５１Ｎ、フォトカプラ５２、トランジスタ回路
５３の各構成要素よりなる。これらのゲート回路５、ゲ
ート信号発生回路６、ゲート絞り回路７、ゲート抵抗
８、フォトカプラ１４は各ＩＧＢＴ毎に回路を構成す
る。
【００２２】図２に上記第１実施例の動作を説明するた
めの波形図を示す。以下、図１及び図２を用いて、本発
明の動作を説明する。もし、何らかの理由で図２に示す
時刻ｔＡ の時点でＩＧＢＴ２による直流短絡や出力短
絡等の事故が発生し、ＩＧＢＴ２に過大な電流が流れた
場合、電流センサ９によりこれを検知する。電流センサ
９の出力である電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ回路
１０に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出力Ｉ
０Ｃと比較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大きい場
合、過電流信号ＯＣを出力する（時刻ｔＢ ）。ラッチ
回路１２はこれを保持し、ゲート絞り信号ＧＳを出力
し、これをフォトカプラ１４により絶縁して、ゲート絞
り回路７に伝える。ゲート絞り回路７により、ゲート信
号ＧＰ２を下げると、トランジスタ回路５３のベース電
位が下がりゲート信号ＧＰ の電位も下がって、ＩＧＢ
Ｔ２のオン抵抗を上昇させコレクタ電流を減少または増
加率を下げる事が可能となる。その後ゲート信号ＧＰ
を遮断（実際にはマイナスとする）する事により（時刻
ｔＣ ）、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止する事
が可能となる。
めの波形図を示す。以下、図１及び図２を用いて、本発
明の動作を説明する。もし、何らかの理由で図２に示す
時刻ｔＡ の時点でＩＧＢＴ２による直流短絡や出力短
絡等の事故が発生し、ＩＧＢＴ２に過大な電流が流れた
場合、電流センサ９によりこれを検知する。電流センサ
９の出力である電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ回路
１０に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出力Ｉ
０Ｃと比較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大きい場
合、過電流信号ＯＣを出力する（時刻ｔＢ ）。ラッチ
回路１２はこれを保持し、ゲート絞り信号ＧＳを出力
し、これをフォトカプラ１４により絶縁して、ゲート絞
り回路７に伝える。ゲート絞り回路７により、ゲート信
号ＧＰ２を下げると、トランジスタ回路５３のベース電
位が下がりゲート信号ＧＰ の電位も下がって、ＩＧＢ
Ｔ２のオン抵抗を上昇させコレクタ電流を減少または増
加率を下げる事が可能となる。その後ゲート信号ＧＰ
を遮断（実際にはマイナスとする）する事により（時刻
ｔＣ ）、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止する事
が可能となる。
【００２３】ゲート絞り信号ＧＳをフォトカプラ１４を
用いて絶縁するのはゲート回路５がＩＧＢＴ２のエミッ
タＥの電位に等しく高電圧から絶縁するためである。ま
たＩＧＢＴ２のコレクタ電流ＩＣ と平滑コンデンサ１
の放電電流ＩＣＡＰ は直流短絡時の様なごく短時間の
現象の場合ほぼ等しいものと考えて良い。また、平滑コ
ンデンサ１に直列に接続された電流センサ９はインバー
タの直流入力回路（図１の９Ａまたは９Ｂの位置）に有
っても同じである。
用いて絶縁するのはゲート回路５がＩＧＢＴ２のエミッ
タＥの電位に等しく高電圧から絶縁するためである。ま
たＩＧＢＴ２のコレクタ電流ＩＣ と平滑コンデンサ１
の放電電流ＩＣＡＰ は直流短絡時の様なごく短時間の
現象の場合ほぼ等しいものと考えて良い。また、平滑コ
ンデンサ１に直列に接続された電流センサ９はインバー
タの直流入力回路（図１の９Ａまたは９Ｂの位置）に有
っても同じである。
【００２４】上述の第１実施例により、素子特性に関わ
り無く、高速かつ確実にゲート絞り動作により過電流保
護が可能となる。本発明の第１発明による第２実施例を
図３に示す。図３において図１と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明は省略する。図３において、１５は
オンタイムディレー回路である。また、図４に第２実施
例の動作説明図を示す。以下、図３及び図４を用いて、
第２実施例の動作を説明する。この第２実施例におい
て、何らかの理由で図４に示す時刻ｔＡ の時点でＩＧ
ＢＴ２による直流短絡や出力短絡等の事故が発生し、Ｉ
ＧＢＴ２に過大な電流が流れた場合、電流センサ９によ
りこれを検知する。電流センサ９の出力である電流信号
ＩＣＡＰ をコンパレータ回路１０に入力して、過電流
検出レベル設定器１１の出力ＩＯＣと比較し、もし電流
信号ＩＣＡＰ の方が大きい場合、過電流信号ＯＣを出
力する（時刻ｔＢ ）。ラッチ回路１２はこれを保持
し、ゲート絞り信号ＧＳを出力し、これをフォトカプラ
１４により絶縁して、ゲート絞り回路７に伝える。ゲー
ト絞り回路７により、ゲート信号ＧＰ２を下げると、ト
ランジスタ回路５３のベース電位が下がりゲート信号Ｇ
Ｐ の電位も下がって、ＩＧＢＴ２のオン抵抗を上昇さ
せコレクタ電流を減少または増加率を下げる事が可能と
なる。ゲート絞り信号ＧＳはオンタイムディレー回路１
５にも入力され、一定のディレー時間後（ｔｄｅｌａｙ
）ゲートブロック信号ＧＢを出力する。この信号によ
り、ゲートブロック回路１３はゲート信号ＧＳＩＧ２を
遮断する（時刻ｔＤ ）。これにより、ゲート信号ＧＰ
は遮断され、ＩＧＢＴ２はオフし、ＩＧＢＴを破損す
る事無く安全に停止する事ができる。過電流検出後、一
定時間ゲート絞りを継続する事により、事故電流を減衰
させ、最後にゲートを遮断する際、ージ電圧を低く抑え
る事が可能となる。
り無く、高速かつ確実にゲート絞り動作により過電流保
護が可能となる。本発明の第１発明による第２実施例を
図３に示す。図３において図１と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明は省略する。図３において、１５は
オンタイムディレー回路である。また、図４に第２実施
例の動作説明図を示す。以下、図３及び図４を用いて、
第２実施例の動作を説明する。この第２実施例におい
て、何らかの理由で図４に示す時刻ｔＡ の時点でＩＧ
ＢＴ２による直流短絡や出力短絡等の事故が発生し、Ｉ
ＧＢＴ２に過大な電流が流れた場合、電流センサ９によ
りこれを検知する。電流センサ９の出力である電流信号
ＩＣＡＰ をコンパレータ回路１０に入力して、過電流
検出レベル設定器１１の出力ＩＯＣと比較し、もし電流
信号ＩＣＡＰ の方が大きい場合、過電流信号ＯＣを出
力する（時刻ｔＢ ）。ラッチ回路１２はこれを保持
し、ゲート絞り信号ＧＳを出力し、これをフォトカプラ
１４により絶縁して、ゲート絞り回路７に伝える。ゲー
ト絞り回路７により、ゲート信号ＧＰ２を下げると、ト
ランジスタ回路５３のベース電位が下がりゲート信号Ｇ
Ｐ の電位も下がって、ＩＧＢＴ２のオン抵抗を上昇さ
せコレクタ電流を減少または増加率を下げる事が可能と
なる。ゲート絞り信号ＧＳはオンタイムディレー回路１
５にも入力され、一定のディレー時間後（ｔｄｅｌａｙ
）ゲートブロック信号ＧＢを出力する。この信号によ
り、ゲートブロック回路１３はゲート信号ＧＳＩＧ２を
遮断する（時刻ｔＤ ）。これにより、ゲート信号ＧＰ
は遮断され、ＩＧＢＴ２はオフし、ＩＧＢＴを破損す
る事無く安全に停止する事ができる。過電流検出後、一
定時間ゲート絞りを継続する事により、事故電流を減衰
させ、最後にゲートを遮断する際、ージ電圧を低く抑え
る事が可能となる。
【００２５】本発明の第１発明による第３実施例を図５
に示す。図５において図３と同一の構成要素には同一番
号を賦し、説明は省略する。図５において、１６はゲー
トホールド回路である。また、図６に第３実施例の動作
説明図を示す。以下、図５及び図６を用いて、第３実施
例の動作を説明する。過電流検出からゲート絞り信号Ｇ
Ｓ出力までは図３の第２実施例と同様なため説明を省略
する。ゲート絞り信号ＧＳは、これをフォトカプラ１４
により絶縁して、ゲート絞り回路７に伝える。ゲート絞
り回路７により、ゲート信号ＧＰ２を下げると、トラン
ジスタ回路５３のベース電位が下がりゲート信号ＧＰ
の電位も下がって、ＩＧＢＴ２のオン抵抗を上昇させコ
レクタ電流を減少または増加率を下げる事が可能とな
る。また、ゲート絞り信号ＧＳはゲートホールド回路１
６に入力されて、ゲート信号ＧＳＩＧ１がオンの場合オ
ン状態をホールドしてＧＳＩＧ２に出力する。従って、
ゲート絞り時間中にゲート信号がオフになって、大きな
事故電流を遮断する事が妨げる。ゲート絞り信号ＧＳは
オンタイムディレー回路１５にも入力され、一定のディ
レー時間後（ｔｄｅｌａｙ ）ゲートブロック信号ＧＢ
を出力する。この信号により、ゲートブロック回路１３
はゲート信号ＧＳＩＧ２を遮断する（時刻ｔＤ）。これ
により、ゲート信号ＧＰ は遮断され、ＩＧＢＴ２はオ
フし、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止する事がで
きる。本来、ＩＧＢＴはオン、オフのスイッチング動作
を繰り返しており、過電流検出後、直ちにオン中のゲー
ト信号をホールドする事により、通常のオフ動作のタイ
ミングが偶然短絡事故発生直後に当たって大きな事故電
流を遮断し、ＩＧＢＴが過電圧により破壊されるのを防
ぐ事が出来る。
に示す。図５において図３と同一の構成要素には同一番
号を賦し、説明は省略する。図５において、１６はゲー
トホールド回路である。また、図６に第３実施例の動作
説明図を示す。以下、図５及び図６を用いて、第３実施
例の動作を説明する。過電流検出からゲート絞り信号Ｇ
Ｓ出力までは図３の第２実施例と同様なため説明を省略
する。ゲート絞り信号ＧＳは、これをフォトカプラ１４
により絶縁して、ゲート絞り回路７に伝える。ゲート絞
り回路７により、ゲート信号ＧＰ２を下げると、トラン
ジスタ回路５３のベース電位が下がりゲート信号ＧＰ
の電位も下がって、ＩＧＢＴ２のオン抵抗を上昇させコ
レクタ電流を減少または増加率を下げる事が可能とな
る。また、ゲート絞り信号ＧＳはゲートホールド回路１
６に入力されて、ゲート信号ＧＳＩＧ１がオンの場合オ
ン状態をホールドしてＧＳＩＧ２に出力する。従って、
ゲート絞り時間中にゲート信号がオフになって、大きな
事故電流を遮断する事が妨げる。ゲート絞り信号ＧＳは
オンタイムディレー回路１５にも入力され、一定のディ
レー時間後（ｔｄｅｌａｙ ）ゲートブロック信号ＧＢ
を出力する。この信号により、ゲートブロック回路１３
はゲート信号ＧＳＩＧ２を遮断する（時刻ｔＤ）。これ
により、ゲート信号ＧＰ は遮断され、ＩＧＢＴ２はオ
フし、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止する事がで
きる。本来、ＩＧＢＴはオン、オフのスイッチング動作
を繰り返しており、過電流検出後、直ちにオン中のゲー
ト信号をホールドする事により、通常のオフ動作のタイ
ミングが偶然短絡事故発生直後に当たって大きな事故電
流を遮断し、ＩＧＢＴが過電圧により破壊されるのを防
ぐ事が出来る。
【００２６】本発明の第１発明による第４実施例を図７
に示す。図７において図１と同一の構成要素には同一番
号を賦し、説明を省略する。図７において、ＩＧＢＴの
ゲート回路５、ゲート信号発生回路６、ゲート絞り回路
７、ゲート抵抗８、フォトカプラ１４は各ＩＧＢＴ毎に
回路を構成するものとする。各構成要素はそれぞれ、直
流入力端子のＰ側のＩＧＢＴ回路、Ｎ側のＩＧＢＴ回路
を識別するためＰ，Ｎの番号を賦した。以下、図７を用
いて、第４実施例の動作を説明する。図７において、Ｉ
ＧＢＴ２ＰとＩＧＢＴ２Ｎを同時にオンする事は直流短
絡を発生するから、ゲート信号発生回路６がＰ側とＮ側
同時にオン信号ＧＳＩＧＰ，ＧＳＩＧＮを出力する事は
ない。しかしながら、回路にノイズによる誤動作が発生
したり、何らかの理由でオン信号が同時に出力されたり
する事が有り得る。このような事故の場合には、電流セ
ンサ９の出力である電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ
回路１０に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出
力ＩＯＣと比較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大き
い場合、過電流信号ＯＣを出力する。ラッチ回路１２は
これを保持し、ゲート絞り信号ＧＳを出力し、これをＰ
側フォトカプラ１４ＰとＮ側フォトカプラ１４Ｎにより
絶縁して、ゲート絞り回路７Ｐと７Ｎに伝える。ゲート
絞り回路７Ｐ，７Ｎにより、ゲート信号ＧＰ２Ｐ ，Ｇ
Ｐ２Ｎ を下げると、ゲート信号ＧＰＰ，ＧＰＮの電位
も下がって、２個のＩＧＢＴ２Ｐ，２Ｎのオン抵抗を上
昇させコレクタ電流を減少または増加率を下げる事が可
能となる。その後ゲート信号ＧＰＰ，ＧＰＮを遮断（実
際にはマイナスとする）する事により、ＩＧＢＴを破損
する事無く安全に停止する事が可能となる。短絡電流を
２個のＩＧＢＴで電圧を分担しながら減流、遮断する事
になるため、信頼性の高い保護が可能となる。過電流を
検出したら、電力変換装置を構成する全ＩＧＢＴのゲー
ト信号にゲート絞りを行う事で、結果としてオン信号を
出している素子のみ、ゲート絞りを選択的に行う事が出
来る。
に示す。図７において図１と同一の構成要素には同一番
号を賦し、説明を省略する。図７において、ＩＧＢＴの
ゲート回路５、ゲート信号発生回路６、ゲート絞り回路
７、ゲート抵抗８、フォトカプラ１４は各ＩＧＢＴ毎に
回路を構成するものとする。各構成要素はそれぞれ、直
流入力端子のＰ側のＩＧＢＴ回路、Ｎ側のＩＧＢＴ回路
を識別するためＰ，Ｎの番号を賦した。以下、図７を用
いて、第４実施例の動作を説明する。図７において、Ｉ
ＧＢＴ２ＰとＩＧＢＴ２Ｎを同時にオンする事は直流短
絡を発生するから、ゲート信号発生回路６がＰ側とＮ側
同時にオン信号ＧＳＩＧＰ，ＧＳＩＧＮを出力する事は
ない。しかしながら、回路にノイズによる誤動作が発生
したり、何らかの理由でオン信号が同時に出力されたり
する事が有り得る。このような事故の場合には、電流セ
ンサ９の出力である電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ
回路１０に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出
力ＩＯＣと比較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大き
い場合、過電流信号ＯＣを出力する。ラッチ回路１２は
これを保持し、ゲート絞り信号ＧＳを出力し、これをＰ
側フォトカプラ１４ＰとＮ側フォトカプラ１４Ｎにより
絶縁して、ゲート絞り回路７Ｐと７Ｎに伝える。ゲート
絞り回路７Ｐ，７Ｎにより、ゲート信号ＧＰ２Ｐ ，Ｇ
Ｐ２Ｎ を下げると、ゲート信号ＧＰＰ，ＧＰＮの電位
も下がって、２個のＩＧＢＴ２Ｐ，２Ｎのオン抵抗を上
昇させコレクタ電流を減少または増加率を下げる事が可
能となる。その後ゲート信号ＧＰＰ，ＧＰＮを遮断（実
際にはマイナスとする）する事により、ＩＧＢＴを破損
する事無く安全に停止する事が可能となる。短絡電流を
２個のＩＧＢＴで電圧を分担しながら減流、遮断する事
になるため、信頼性の高い保護が可能となる。過電流を
検出したら、電力変換装置を構成する全ＩＧＢＴのゲー
ト信号にゲート絞りを行う事で、結果としてオン信号を
出している素子のみ、ゲート絞りを選択的に行う事が出
来る。
【００２７】本発明の第１発明による第５実施例を図８
に示す。図８において図１と同一の構成要素には同一番
号を賦し、説明を省略する。図８において、７Ａはゲー
ト絞り回路、７Ｂもゲート絞り回路、１７はオンタイム
ディレー回路である。また、図９に第５実施例の動作説
明図を示す。以下、図８および図９を用いて、第５実施
例の動作を説明する。この第５実施例では、過電流検出
により出力されたゲート絞り信号ＧＳをフォトカプラ１
４を介してゲート絞り回路７Ａとオンタイムディレー回
路１７にゲート信号ＧＳＡ として入力する。ゲート絞
り回路７Ａはゲート絞り信号ＧＰ２Ａ を出力してゲー
ト信号ＧＰ の電位を下げＩＧＢＴ２に流れているコレ
クタ電流を減流する。オンタイムディレー回路１７はゲ
ート絞り信号ＧＳＡ を入力後一定時間（ｔｄｅｌａｙ
）経過後にゲート絞り信号ＧＳＢ を出力して、ゲー
ト信号ＧＰ をさらに下げ（時刻ｔＤ ）、ＩＧＢＴ２
のコレクタ電流を減流、遮断する。このように保護回路
を構成する事で、遮断時のサージ発生をほとんど０に出
来る。ゲート絞りを二度に分ける理由は、ゲート信号Ｇ
Ｐ の電位を急激に下げると電流遮断時のサージが大き
くなるためである。
に示す。図８において図１と同一の構成要素には同一番
号を賦し、説明を省略する。図８において、７Ａはゲー
ト絞り回路、７Ｂもゲート絞り回路、１７はオンタイム
ディレー回路である。また、図９に第５実施例の動作説
明図を示す。以下、図８および図９を用いて、第５実施
例の動作を説明する。この第５実施例では、過電流検出
により出力されたゲート絞り信号ＧＳをフォトカプラ１
４を介してゲート絞り回路７Ａとオンタイムディレー回
路１７にゲート信号ＧＳＡ として入力する。ゲート絞
り回路７Ａはゲート絞り信号ＧＰ２Ａ を出力してゲー
ト信号ＧＰ の電位を下げＩＧＢＴ２に流れているコレ
クタ電流を減流する。オンタイムディレー回路１７はゲ
ート絞り信号ＧＳＡ を入力後一定時間（ｔｄｅｌａｙ
）経過後にゲート絞り信号ＧＳＢ を出力して、ゲー
ト信号ＧＰ をさらに下げ（時刻ｔＤ ）、ＩＧＢＴ２
のコレクタ電流を減流、遮断する。このように保護回路
を構成する事で、遮断時のサージ発生をほとんど０に出
来る。ゲート絞りを二度に分ける理由は、ゲート信号Ｇ
Ｐ の電位を急激に下げると電流遮断時のサージが大き
くなるためである。
【００２８】本発明の第２発明による第６実施例を図１
０に示す。図１０において図１と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明を省略する。図１０において、１８
は絶縁器、１９はコンパレータ回路、２０は過電流検出
レベルの設定器、２１はラッチ回路、２２はアンド回路
である。図１０の構成において、もし、何らかの理由で
ＩＧＢＴ２により、直流短絡等の事故が発生して、過電
流が流れた場合、これを図１と同様に、電流センサ９、
コンパレータ回路１０、過電流検出レベルの設定器１
１、ラッチ回路１２により検出するだけでなく、これと
別にＩＧＢＴ２の端子に接続した絶縁器１８により、直
流電圧ＶＤＣを使用して事故検出を行う。直流短絡が発
生した場合、ＩＧＢＴ２に接続された直流端子は一時的
に電圧が降下するため、これを過電流検出レベル設定器
２０とコンパレータ回路１９により検知して、過電流信
号ＯＣ２を出力する。ラッチ回路２１によりこれを保持
し、ゲート絞り信号ＧＳ２として、前記電流センサ９に
よるゲート絞り信号ＧＳ１とのアンド条件でゲート絞り
信号ＧＳを出力する。このように、過電流検出を二つの
異なる手段で行う事で、より確実な過電流保護回路を構
成できる。
０に示す。図１０において図１と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明を省略する。図１０において、１８
は絶縁器、１９はコンパレータ回路、２０は過電流検出
レベルの設定器、２１はラッチ回路、２２はアンド回路
である。図１０の構成において、もし、何らかの理由で
ＩＧＢＴ２により、直流短絡等の事故が発生して、過電
流が流れた場合、これを図１と同様に、電流センサ９、
コンパレータ回路１０、過電流検出レベルの設定器１
１、ラッチ回路１２により検出するだけでなく、これと
別にＩＧＢＴ２の端子に接続した絶縁器１８により、直
流電圧ＶＤＣを使用して事故検出を行う。直流短絡が発
生した場合、ＩＧＢＴ２に接続された直流端子は一時的
に電圧が降下するため、これを過電流検出レベル設定器
２０とコンパレータ回路１９により検知して、過電流信
号ＯＣ２を出力する。ラッチ回路２１によりこれを保持
し、ゲート絞り信号ＧＳ２として、前記電流センサ９に
よるゲート絞り信号ＧＳ１とのアンド条件でゲート絞り
信号ＧＳを出力する。このように、過電流検出を二つの
異なる手段で行う事で、より確実な過電流保護回路を構
成できる。
【００２９】
【００３０】本発明の第３発明による第７実施例を図１
１に示す。図１１において図１と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明を省略する。図１１において、２３
はセンサ付きＩＧＢＴ、２４はＩＧＢＴに内蔵された電
流センサ（抵抗）である。センサ付きＩＧＢＴとは通常
のＩＧＢＴ素子内にコレクタ電流を計測する目的を持っ
て低抵抗２４を内蔵したものを言う。図１１の構成にお
いて、もし、何らかの理由でＩＧＢＴ２３による直流短
絡や出力短絡等の事故が発生し、ＩＧＢＴ２３に過大な
電流が流れた場合、電流センサ２４によりこれを検知す
る。電流センサ２４の出力である電流信号ＩＣ をコン
パレータ回路１０に入力して、過電流検出レベル設定器
１１の出力ＩＯＣ１ と比較し、もし電流信号ＩＣ の
方が大きい場合、過電流信号ＯＣ１を出力する。ラッチ
回路１２はこれを保持し、ゲート絞り信号ＧＳ１を出力
し、アンド回路２２に入力する。同時にＩＧＢＴ２３に
流れた電流を電流センサ９により検知する。電流センサ
９の出力である電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ回路
１０に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出力Ｉ
ＯＣ２ と比較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大き
い場合、過電流信号ＯＣ２を出力する。ラッチ回路１２
はこれを保持し、フォトカプラ１４を介してゲート絞り
信号ＧＳ２を出力し、アンド回路２２に入力する。アン
ド回路２２の出力ＧＳをゲート絞り回路７に入力し、こ
れによりゲート信号ＧＰ２を下げると、トランジスタ回
路５３のベース電位が下がりゲート信号ＧＰ の電位も
下がって、ＩＧＢＴ２３のオン抵抗を上昇させコレクタ
電流を減少または増加率を下げる事が可能となる。その
後ゲート信号ＧＰ を遮断（実際にはマイナスとする）
する事により、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止す
る事が可能となる。ゲート絞りの実施条件をコンデンサ
電流のＯＣとアーム電流のＯＣのＡＮＤにする事により
保護動作を確実なものにすることができる。
１に示す。図１１において図１と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明を省略する。図１１において、２３
はセンサ付きＩＧＢＴ、２４はＩＧＢＴに内蔵された電
流センサ（抵抗）である。センサ付きＩＧＢＴとは通常
のＩＧＢＴ素子内にコレクタ電流を計測する目的を持っ
て低抵抗２４を内蔵したものを言う。図１１の構成にお
いて、もし、何らかの理由でＩＧＢＴ２３による直流短
絡や出力短絡等の事故が発生し、ＩＧＢＴ２３に過大な
電流が流れた場合、電流センサ２４によりこれを検知す
る。電流センサ２４の出力である電流信号ＩＣ をコン
パレータ回路１０に入力して、過電流検出レベル設定器
１１の出力ＩＯＣ１ と比較し、もし電流信号ＩＣ の
方が大きい場合、過電流信号ＯＣ１を出力する。ラッチ
回路１２はこれを保持し、ゲート絞り信号ＧＳ１を出力
し、アンド回路２２に入力する。同時にＩＧＢＴ２３に
流れた電流を電流センサ９により検知する。電流センサ
９の出力である電流信号ＩＣＡＰ をコンパレータ回路
１０に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出力Ｉ
ＯＣ２ と比較し、もし電流信号ＩＣＡＰ の方が大き
い場合、過電流信号ＯＣ２を出力する。ラッチ回路１２
はこれを保持し、フォトカプラ１４を介してゲート絞り
信号ＧＳ２を出力し、アンド回路２２に入力する。アン
ド回路２２の出力ＧＳをゲート絞り回路７に入力し、こ
れによりゲート信号ＧＰ２を下げると、トランジスタ回
路５３のベース電位が下がりゲート信号ＧＰ の電位も
下がって、ＩＧＢＴ２３のオン抵抗を上昇させコレクタ
電流を減少または増加率を下げる事が可能となる。その
後ゲート信号ＧＰ を遮断（実際にはマイナスとする）
する事により、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止す
る事が可能となる。ゲート絞りの実施条件をコンデンサ
電流のＯＣとアーム電流のＯＣのＡＮＤにする事により
保護動作を確実なものにすることができる。
【００３１】本発明の第１発明による第８実施例を図１
２に示す。図１２において図３と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明を省略する。この第９実施例の動作
説明図は図４と同じである。以下、図３及び図４を用い
て、第９実施例の動作を説明する。
２に示す。図１２において図３と同一の構成要素には同
一番号を賦し、説明を省略する。この第９実施例の動作
説明図は図４と同じである。以下、図３及び図４を用い
て、第９実施例の動作を説明する。
【００３２】もし、何らかの理由で図４に示す時刻ｔＡ
の時点でＩＧＢＴ２３による直流短絡や出力短絡等の
事故が発生し、ＩＧＢＴ２３に過大な電流が流れた場
合、電流センサ２４によりこれを検知する。電流センサ
２４の出力である電流信号ＩＣをコンパレータ回路１０
に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出力ＩＯＣ
と比較し、もし電流信号ＩＣ の方が大きい場合、過電
流信号ＯＣを出力する（時刻ｔＢ ）。ラッチ回路１２
はこれを保持し、ゲート絞り信号ＧＳを出力し、ゲート
絞り回路７に伝える。ゲート絞り回路７により、ゲート
信号ＧＰ２を下げると、トランジスタ回路５３のベース
電位が下がりゲート信号ＧＰ の電位も下がって、ＩＧ
ＢＴ２３のオン抵抗を上昇させコレクタ電流を減少また
は増加率を下げる事が可能となる。ゲート絞り信号ＧＳ
は、これをフォトカプラ１４により絶縁してオンタイム
ディレー回路１５にも入力され、一定のディレー時間後
（ｔｄｅｌａｙ ）ゲートブロック信号ＧＢを出力す
る。この信号により、ゲートブロック回路１３はゲート
信号ＧＳＩＧ２を遮断する（時刻ｔＤ ）。これによ
り、ゲート信号ＧＰ は遮断され、ＩＧＢＴ２３はオフ
し、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止する事ができ
る。過電流検出後、一定時間ゲート絞りを継続する事に
より、事故電流を減衰させ、最後にゲート遮断する際、
サージ電圧を低く抑える事が可能となる。
の時点でＩＧＢＴ２３による直流短絡や出力短絡等の
事故が発生し、ＩＧＢＴ２３に過大な電流が流れた場
合、電流センサ２４によりこれを検知する。電流センサ
２４の出力である電流信号ＩＣをコンパレータ回路１０
に入力して、過電流検出レベル設定器１１の出力ＩＯＣ
と比較し、もし電流信号ＩＣ の方が大きい場合、過電
流信号ＯＣを出力する（時刻ｔＢ ）。ラッチ回路１２
はこれを保持し、ゲート絞り信号ＧＳを出力し、ゲート
絞り回路７に伝える。ゲート絞り回路７により、ゲート
信号ＧＰ２を下げると、トランジスタ回路５３のベース
電位が下がりゲート信号ＧＰ の電位も下がって、ＩＧ
ＢＴ２３のオン抵抗を上昇させコレクタ電流を減少また
は増加率を下げる事が可能となる。ゲート絞り信号ＧＳ
は、これをフォトカプラ１４により絶縁してオンタイム
ディレー回路１５にも入力され、一定のディレー時間後
（ｔｄｅｌａｙ ）ゲートブロック信号ＧＢを出力す
る。この信号により、ゲートブロック回路１３はゲート
信号ＧＳＩＧ２を遮断する（時刻ｔＤ ）。これによ
り、ゲート信号ＧＰ は遮断され、ＩＧＢＴ２３はオフ
し、ＩＧＢＴを破損する事無く安全に停止する事ができ
る。過電流検出後、一定時間ゲート絞りを継続する事に
より、事故電流を減衰させ、最後にゲート遮断する際、
サージ電圧を低く抑える事が可能となる。
【００３３】
【００３４】以上の実施例は、図１３に示したような３
相インバータ回路以外でもＩＧＢＴ等の電圧駆動形自己
消弧素子を使用した電力変換回路全般に付いて実施可能
である。
相インバータ回路以外でもＩＧＢＴ等の電圧駆動形自己
消弧素子を使用した電力変換回路全般に付いて実施可能
である。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、ＩＧＢＴ等の電圧駆動
形自己消弧素子の過電流検出に電流センサを用い、過電
流検出後にまずゲート絞り動作を行い、これにより事故
電流を限流した後、ゲート信号により電圧駆動形自己消
弧素子の電流を遮断する。このように保護回路を構成す
る事で、素子特性に関わり無く、高速かつ確実にゲート
絞り動作により過電流保護が可能な電圧駆動形自己消弧
素子の過電流保護回路を実現することができる。
形自己消弧素子の過電流検出に電流センサを用い、過電
流検出後にまずゲート絞り動作を行い、これにより事故
電流を限流した後、ゲート信号により電圧駆動形自己消
弧素子の電流を遮断する。このように保護回路を構成す
る事で、素子特性に関わり無く、高速かつ確実にゲート
絞り動作により過電流保護が可能な電圧駆動形自己消弧
素子の過電流保護回路を実現することができる。
【図１】本発明の第１発明による第１実施例の構成図
【図２】第１実施例の動作を説明するための波形図
【図３】本発明の第１発明による第２実施例の構成図
【図４】第２実施例の動作説明図
【図５】本発明の第１発明による第３実施例の構成図
【図６】第３実施例の動作説明図
【図７】本発明の第１発明による第４実施例の構成図
【図８】本発明の第１発明による第５実施例の構成図
【図９】第５実施例の動作説明図
【図１０】本発明の第２発明による第６実施例の構成図
【図１１】本発明の第３発明による第７実施例の構成図
【図１２】本発明の第１発明による第８実施例の構成図
【図１３】ＩＧＢＴを使用するインバータ回路の一例を
示す図
示す図
【図１４】従来のＩＧＢＴの過電流保護回路の構成図
【図１５】従来のＩＧＢＴの過電流保護回路の他の構成
図
図
１ 平滑コンデンサ ２，２Ｐ，２Ｎ ＩＧＢＴ ３，３Ｐ，３Ｎ 逆並列ダイオード ４ 負荷 ５，５Ｐ，５Ｎ ＩＧＢＴのゲート回路 ６，６Ｐ，６Ｎ ゲート信号発生回路 ７，７Ｐ，７Ｎ，７Ａ，７Ｂ ゲート絞り回路 ８，８Ｐ，８Ｎ ゲート抵抗 ９ 電流センサ １０，１０Ｐ，１０Ｎ コンパレータ回路 １１，１１Ｐ，１１Ｎ 過電流検出レベルの設定器 １２，１２Ｐ，１２Ｎ ラッチ回路 １３ ゲートブロック回路 １４，１４Ｐ，１４Ｎ フォトカプラ １５ オンタイムディレー回路 １６ ゲートホールド回路 １７ オンタイムディレー回路 １８ 絶縁器 １９ コンパレータ回路 ２０ 過電流検出レベルの設定器 ２１ ラッチ回路 ２２ アンド回路 ２３，２３Ｐ，２３Ｎ センサ付きＩＧＢＴ ２４，２４Ｐ，２４Ｎ 電流センサ ２５，２５Ｐ，２５Ｎ ゲート絞り回路 ５１，５１Ｐ，５１Ｎ ゲート電源 ５２ フォトカプラ ５３ トランジスタ回路
Claims (9)
- 【請求項１】 直流端子間の直流電圧を平滑するコンデ
ンサと直流端子間にブリッジ接続された電圧駆動形自己
消弧素子とを有する電力変換装置の電圧駆動形自己消弧
素子の過電流保護回路において、前記コンデンサに流れ
る電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段の
出力と予め定められた過電流検出レベルとを比較し電流
検出手段の出力が過電流検出レベルより大きくなったこ
とにより過電流を検出するコンパレータと、このコンパ
レータにより過電流が検出されると前記電圧駆動形自己
消弧素子のゲート電位を通常のオン時のゲート電位より
低下させるゲート回路と、前記コンパレータにより過電
流が検出されると前記電圧駆動形自己消弧素子に対する
オン指令を保持し、所定時間経過後に前記電圧駆動形自
己消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲート電位に
低下させるゲートしゃ断回路を設けたことを特徴とする
電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項２】 請求項１に記載の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかのコンパ
レータにより過電流が検出されたとき、該コンパレータ
の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆動
形自己消弧素子のゲート電位を低下させることを特徴と
する電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項３】 請求項１に記載の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路において、コンパレータの出力によ
り直ちに前記電圧駆動形自己消弧素子のゲート電位を所
定値に低下させ、一定時間後に更にゲート電位を低下さ
せるゲート回路とすることを特徴とする電圧駆動形自己
消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項４】 直流端子間の直流電圧を平滑するコンデ
ンサと直流端子間にブリッジ接続された電圧駆動形自己
消弧素子とを有する電力変換装置の電圧駆動形自己消弧
素子の過電流保護回路において、前記コンデンサに流れ
る電流を検出する電流検出手段と、この電流検出手段の
出力と予め定められた第１の過電流検出レベルとを比較
し電流検出手段の出力が第１の過電流検出レベルより大
きくなったことにより過電流を検出する第１のコンパレ
ータと、前記直流端子間の電圧を検出する電圧検出手段
と、この電圧検出手段の出力と予め定められた第２の過
電流検出レベルとを比較し電圧検出手段の出力が第２の
過電流検出レベルより小さくなったことにより過電流を
検出する第２のコンパレータと、前記第１，第２のコン
パレータのアンド条件により、前記電圧駆動形自己消弧
素子のゲート電位を通常のオン時のゲート電位より低下
させるゲート回路を設けたことを特徴とする電圧駆動形
自己消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項５】 請求項４に記載の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路において、前記第１，第２のコンパ
レータのアンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子
に対するオン指令を保持し、所定時間経過後に前記電圧
駆動形自己消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲー
ト電位に低下させるゲートしゃ断回路を設けたことを特
徴とする電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項６】 請求項４に記載の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかの回路の
第１，第２コンパレータのアンド条件により過電流が検
出されたとき、該第１，第２のコンパレータのアンド条
件の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆
動形自己消弧素子のゲート電位を低下させることを特徴
とする電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項７】 直流端子間の直流電圧を平滑するコンデ
ンサと直流端子間にブリッジ接続されたコレクタ電流検
出する電流センサを内蔵した電圧駆動形自己消弧素子と
を有する電力変換装置の電圧駆動形自己消弧素子の過電
流保護回路において、前記コンデンサに流れる電流を検
出する電流検出手段と、この電流検出手段の出力と予め
定められた第１の過電流検出レベルとを比較し電流検出
手段の出力が第１の過電流検出レベルより大きくなった
ことにより過電流を検出する第１のコンパレータと、前
記電圧駆動形自己消弧素子に内蔵した前記電流センサの
出力と予め定められた第２の過電流検出レベルとを比較
し電流検出手段の出力が第２の過電流検出レベルより大
きくなったことにより過電流を検出する第２のコンパレ
ータと、前記第１コンパレータと第２コンパレータの出
力のアンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子のゲ
ート電位を通常のオン時のゲート電位より低下させるゲ
ート回路を設けたことを特徴とする電圧駆動形自己消弧
素子の過電流保護回路。 - 【請求項８】 請求項７に記載の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路において、前記第１，第２のコンパ
レータのアンド条件により前記電圧駆動形自己消弧素子
に対するオン指令を保持し、所定時間経過後に前記電圧
駆動形自己消弧素子のゲート電位を通常のオフ時のゲー
ト電位に低下させるゲートしゃ断回路を設けたことを特
徴とする電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路。 - 【請求項９】 請求項７に記載の電圧駆動形自己消弧素
子の過電流保護回路を複数回路備え、いずれかの回路の
第１，第２コンパレータのアンド条件により過電流が検
出されたとき、該第１，第２のコンパレータのアンド条
件の出力を全てのゲート回路に入力し全ての前記電圧駆
動形自己消弧素子のゲート電位を低下させることを特徴
とする電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15315193A JP3199910B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15315193A JP3199910B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715948A JPH0715948A (ja) | 1995-01-17 |
| JP3199910B2 true JP3199910B2 (ja) | 2001-08-20 |
Family
ID=15556140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15315193A Expired - Lifetime JP3199910B2 (ja) | 1993-06-24 | 1993-06-24 | 電圧駆動形自己消弧素子の過電流保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3199910B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000134947A (ja) * | 1998-10-29 | 2000-05-12 | Toshiba Corp | 電力変換器制御装置および電力変換器 |
| US6518791B2 (en) | 2000-03-21 | 2003-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gate driver for driving a switching element, and a power converter in which the gate driver and an output element are integrated in one-chip |
| JP3582523B2 (ja) | 2002-09-17 | 2004-10-27 | トヨタ自動車株式会社 | 電気負荷装置、異常処理方法、および電気負荷の異常処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体 |
| JP2010068585A (ja) * | 2008-09-09 | 2010-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換装置 |
| JP6239024B2 (ja) * | 2016-04-22 | 2017-11-29 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
-
1993
- 1993-06-24 JP JP15315193A patent/JP3199910B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715948A (ja) | 1995-01-17 |
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