JP3193998U - 回路基板 - Google Patents

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Abstract

【課題】金属層の残留を回避する回路基板を提供する。【解決手段】接続部１１０、第一導線部１２０及び第二導線部１３０を備える。第一導線部１１０は第一部分１２１及び第二部分１２２を有し、第一部分１２１は接続部１３１に接続され、第二部分１２２は第一部分１２１に接続される。第二導線部１３０は第三部分１３１及び第四部分１３２を有し、第三部分１３１は接続部１１０に接続され、第四部分１３２は第三部分１３１に接続される。接続部１１０、第三部分１３１及び第一部分１２１により三面が封鎖されるエッチング空間１Ｓが形成される。第三部分１３１と第一部分１２１との間には第一間隔１Ｄを有し、第四部分１３２と第二部分１２２との間には第二間隔２Ｄを有し、第一間隔１Ｄは第二間隔２Ｄより広く、エッチング空間１Ｓ中の金属層が完全に除去して金属層の残留を回避する。【選択図】 図１

Description

本考案は、回路基板に関し、特に、微細ピッチのパターンのレイアウト構成を有する回路基板に関する。
半導体製造工程の進化に伴い、半導体基板上の装置(device)及び配線(trace)の分布は緊密化しており、特に微細間隔(fine-pitch)パターン化の製造工程では、半導体基板上の配線の幅は僅か１０μｍ前後で、配線間の間隔も約１０μｍ程度である。従って、一般的な微細間隔(fine-pitch)パターン化の製造工程ではウェットエッチング或いはドライエッチングにより配線層のエッチング及びパターン化を施す。このうち、ドライエッチングではガスイオン(プラズマ)を利用し不要な金属層が除去されるが、コストが高過ぎるため、一般的な工業ではウェットエッチングを用い配線層のパターン化を行なっている。
ウェットエッチングではエッチング液を利用し金属層と置換反応を発生させ、不要な金属層が除去される。ウェットエッチングの製造工程を簡述すると、先ず半導体基板に金属層の鍍金を施し、続いて金属層をフォトレジスト層で被覆させ、その後フォトマスクによりフォトレジスト層の露光及び現像を施し、フォトレジスト層のパターン化を行う。次に露出された金属層に配線層の鍍金を行い、再度エッチング製造工程によりフォトレジスト層及び配線間の金属層の除去を施工し、半導体基板の配線を形成させる。
しかしながら、前述した従来の技術では、微細間隔パターン化の製造工程では、配線の幅が狭いほか、配線間の間隔も相当狭いため、エッチング液による配線間の三面を封鎖された空間中での置換が困難で、空間中に金属層が残留し、完全な除去が行えなかった。
そこで、本考案者は上記の欠点が改善可能と考え、鋭意検討を重ねた結果、合理的かつ効果的に課題を改善する本考案の回路基板の提案に到った。
特開２００２−１７１０５９号公報
本考案は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、第一導線部の第一部分から第二導線部の第三部分の間の第一間隔が第一導線部の第二部分から第二導線部の第四部分の間の第二間隔より広いため、接続部、第三部分及び第一部分の間に形成される三面が封鎖されたエッチング空間に徹底的なエッチングを行い、金属層の残留を回避する回路基板を提供することにある。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本考案に係る回路基板は接続部と第一導線部と第二導線部とを備える。第一導線部は、第一部分及び第二部分を有し、第一部分が接続部に接続されており、第二部分が、第一部分に接続されており、第一部分を経由して接続部に電気的に接続されている。第二導線部は、接続部を経由して第一導線部に電気的に接続されている。接続部、第一導線部、及び第二導線部は、同一層の金属層である。第二導線部は第三部分及び第四部分を有する。第三部分は接続部に接続されている。接続部、第三部分及び第一部分は三面が封鎖されているエッチング空間を形成する。第四部分は、第三部分に接続されており、第三部分を経由し接続部に電気的に接続されている。第三部分と第一部分との間の第一間隔は、第四部分と第二部分との間の第二間隔より大きく形成されている。
本考案によれば、第三部分と第一部分との間の第一間隔は第四部分と第二部分との間の第二間隔より広いため、接続部、第三部分及び第一部分の間に形成される三面が封鎖されるエッチング空間で良好なエッチング液の置換が保持され、エッチング製造工程に於いてエッチング空間内の金属層が完全に除去され、金属層の残留を回避する。
本考案の第１実施形態による回路基板を示す一部の平面図である。 本考案の第１実施形態による回路基板を示す一部の斜視図である。 本考案の第２実施形態による回路基板を示す一部の平面図である。 本考案の第２実施形態による回路基板を示す一部の斜視図である。 本考案の第３実施形態による回路基板を示す一部の平面図である。 本考案の第３実施形態による回路基板を示す一部の斜視図である。 本考案の第４実施形態による回路基板を示す一部の平面図である。 本考案の第４実施形態による回路基板を示す一部の斜視図である。
図面により、本考案を実施するための形態について、詳細に説明する。なお、本考案は、以下に説明する実施形態に限定されるものではない。
（第１実施形態）
図１〜２に基づいて本考案の第１実施形態を説明する。この実施形態において、本考案の回路基板１００は、エッチング製造工程により基板２００に形成される。回路基板１００は接続部１１０、第一導線部１２０及び第二導線部１３０を備える。なお、接続部１１０、第一導線部１２０及び第二導線部１３０は同一層の金属層であり、同一の製造工程に於いて基板２００に形成される。故に、第二導線部１３０は接続部１１０を経由し第一導線部１２０に電気的に接続される。
また、第一導線部１２０は第一部分１２１及び第二部分１２２を有し、第一部分１２１は接続部１１０に接続され、第二部分１２２は第一部分１２１に接続され、且つ第二部分１２２は第一部分１２１を経由し接続部１１０に電気的に接続されて、電気信号の伝送を行う。
第二導線部１３０は第三部分１３１及び第四部分１３２を有し、第三部分１３１は接続部１１０に接続され、且つ接続部１１０、第三部分１３１及び第一部分１２１により三面が封鎖されるエッチング空間１Ｓが形成される。第四部分１３２は第三部分１３１に接続され、第四部分１３２は第三部分１３１を経由し接続部１１０に電気的に接続され、電気信号の伝送を行う。この実施形態では、第二導線部１３０の幅１Ｗは１０μｍであり、第二導線部１３０の高さ１Ｈは１０μｍであり、また、接続部１１０及び第一導線部１２０の幅及び高さは第二導線部１３０と同じであるが、但し本考案はこれに限定されない。
図１によると、第三部分１３１と第一部分１２１との間には第一間隔１Ｄを有し、第四部分１３２と第二部分１２２との間には第二間隔２Ｄを有し、第一間隔１Ｄは第二間隔２Ｄより広い。第一間隔１Ｄが第二間隔２Ｄより広いため、エッチング空間１Ｓ中にはエッチング液の置換性が保持され、エッチング後に金属層が残留しない。
微細間隔パターン中の、これら導線部の幅、高さ及びエッチング空間１Ｓの大きさは全てエッチング液の置換性に影響する。このため、この実施形態では、第二導線部１３０の幅１Ｗと第一間隔１Ｄの間、及び第二導線部１３０の幅１Ｗと高さ１Ｈの間は全て比率を保っており、エッチング空間１Ｓ中にエッチング後金属層が残留することはない。第二導線部１３０の幅１Ｗと第一間隔１Ｄとの比率は１：２から１：３の間であり、第二導線部１３０の幅１Ｗと高さ１Ｈとの比率は１：０．８から１：１．２の間であり、エッチング空間１Ｓの金属層がエッチング製造工程中で完全に除去される（図１と図２参照）。
続いて、第二導線部１３０の第三部分１３１は直線部１３１ａ及び湾曲部１３１ｂを有し、直線部１３１ａは接続部１１０に接続され、湾曲部１３１ｂは直線部１３１ａ及び第四部分１３２に接続される。直線部１３１ａは第一側面１３１ｃを有し、湾曲部１３１ｂは第二側面１３１ｄを有し、第一側面１３１ｃ及び第二側面１３１ｄはエッチング空間１Ｓに向く。第一側面１３１ｃと第二側面１３１ｄとの間には第一挟角１Ａを有し、第一挟角１Ａは１８０度より小さい。この実施形態では、第一挟角１Ａが９０度より小さい場合、直線部１３１ａと湾曲部１３１ｂとの間の挟角箇所にはエッチング後の金属が残留する。このため、第一挟角１Ａは９０度から１８０度の間であり、直線部１３１ａと湾曲部１３１ｂとの間の挟角箇所の金属層が完全に除去される。
さらに、湾曲部１３１ｂは第一端１Ｅ及び第二端２Ｅを有し、第一端１Ｅは直線部１３１ａに接続され、第二端２Ｅは第四部分１３２に接続される。湾曲部１３１ｂの第二側面１３１ｄと第一部分１２１との間には第三間隔３Ｄを有する。この実施形態では、より大きな配部分布面積或いは装置の設置面積を獲得するため、第三間隔３Ｄは第一端１Ｅから第二端２Ｅに向いて漸縮する形状を有する。
（第２実施形態）
本考案の第２実施形態の構成を図３及び図４に示す。第一実施形態との差異は、回路基板１００は第三導線部１４０を更に備え、第二導線部１３０は第一導線部１２０と第三導線部１４０との間に位置され、第三導線部１４０と第二導線部１３０との間には第四間隔４Ｄを有し、第四間隔４Ｄは第二間隔２Ｄより狭くなく、第二導線部１３０と第三導線部１４０との間の間隔が第二間隔２Ｄより狭いために発生する金属層の不完全なエッチングを回避する点である。
第三導線部１４０は退位部分１４１を有し、ここでは、湾曲部１３１ｂは第三側面１３１ｅを有し、第三側面１３１ｅは第三導線部１４０に向き、退位部分１４１は第四側面１４１ａを有する。第四側面１４１ａと第三側面１３１ｅとの間には第二挟角２Ａを有し、第二挟角２Ａは１度より小さく、第二導線部１３０の湾曲部１３１ｂと第三導線部１４０の退位部分１４１とは平行に配列され、湾曲部１３１ｂと退位部分１４１との間の間隔が過小になるのを防ぐ（図３と図４参照）。
（第３実施形態および第４実施形態）
本考案の第３実施形態の構成を図５及び図６に示し、第４実施形態の構成を図７及び図８に示す。第３実施形態及び第４実施形態は同様に、第三部分１３１と第一部分１２１との間の第一間隔１Ｄが第四部分１３２と第二部分１２２との間の第二間隔２Ｄより広く、エッチング空間１Ｓの金属層のエッチングが不完全になるのを防止する。
本考案は、第三部分１３１と第一部分１２１との間の第一間隔１Ｄが第四部分１３２と第二部分１２２との間の第二間隔２Ｄより広いため、接続部１１０、第三部分１３１及び第一部分１２１で形成される三面が封鎖されるエッチング空間１Ｓに良好なエッチング液の置換性を保持させ、エッチング製造工程中でエッチング空間１Ｓ内の金属層が完全に除去されて、金属層の残留を回避する。
なお、本考案は前述した実施形態のみに限定されるものではなく、本考案の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。
１００ 回路基板
１１０ 接続部
１２０ 第一導線部
１２１ 第一部分
１２２ 第二部分
１３０ 第二導線部
１３１ 第三部分
１３１ａ 直線部
１３１ｂ 湾曲部
１３１ｃ 第一側面
１３１ｄ 第二側面
１３１ｅ 第三側面
１３２ 第四部分
１４０ 第三導線部
１４１ 退位部分
１４１ａ 第四側面
２００ 基板
１Ｓ エッチング空間
１Ｄ 第一間隔
２Ｄ 第二間隔
３Ｄ 第三間隔
４Ｄ 第四間隔
１Ｅ 第一端
２Ｅ 第二端
１Ａ 第一挟角
２Ａ 第二挟角
１Ｗ 幅
１Ｈ 高さ

Claims (8)

  1. 接続部と、
    第一部分及び第二部分を有し、前記第一部分が前記接続部に接続されており、前記第二部分が、前記第一部分に接続されており、前記第一部分を経由して前記接続部に電気的に接続されている第一導線部と、
    前記接続部を経由して前記第一導線部に電気的に接続されている第二導線部と、を備え、
    前記接続部、前記第一導線部、及び前記第二導線部は、同一層の金属層であり、
    前記第二導線部は第三部分及び第四部分を有し、
    前記第三部分は前記接続部に接続されており、
    前記接続部、前記第三部分及び前記第一部分は三面が封鎖されているエッチング空間を形成し、
    前記第四部分は、前記第三部分に接続されており、前記第三部分を経由し前記接続部に電気的に接続されており、
    前記第三部分と前記第一部分との間の第一間隔は、前記第四部分と前記第二部分との間の第二間隔より大きく形成されていることを特徴とする回路基板。
  2. 前記第二導線部の前記第三部分は直線部及び湾曲部を有し、
    前記直線部は、前記接続部に接続されており、第一側面を有し、
    前記湾曲部は、前記直線部及び前記第四部分に接続されており、第二側面を有し、
    前記第一側面及び前記第二側面は、前記エッチング空間に向いており、前記第一側面と前記第二側面との間に第一挟角が形成されており、前記第一挟角が１８０度より小さい角度であることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
  3. 前記第一挟角は角度が９０度から１８０度であることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
  4. 前記湾曲部は第一端及び第二端を有し、
    前記第一端は前記直線部に接続されており、
    前記第二端は第四部分に接続されており、
    前記湾曲部の前記第二側面と前記第一部分との間の第三間隔は、前記第一端から前記第二端に向いて漸縮する形状を有することを特徴とする請求項２記載の回路基板。
  5. 前記第二導線部の幅と前記第一間隔との比率は１：２から１：３の間の値であることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
  6. 前記第二導線部の幅と前記第二導線部の高さとの比率は、１：０．８から１：１．２の間の値であることを特徴とする請求項５記載の回路基板。
  7. 第三導線部を更に備え、
    前記第二導線部は前記第一導線部と前記第三導線部との間に位置し、
    前記第三導線部と前記第二導線部との間の前記第四間隔の距離は前記第二間隔の距離以上であることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
  8. 第三導線部を更に備え、
    前記第二導線部は前記第一導線部と前記第三導線部との間に位置し、
    前記第三導線部は退位部分を有し、
    前記湾曲部は前記第三導線部に向く第三側面を有し、
    前記退位部分は第四側面を有し、
    前記第四側面と前記第三側面との間第二挟角は１度より小さく形成されていることを特徴とする請求項２記載の回路基板。
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