JP3189836B2 - Ｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクInfo
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- Japan
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- exposure mask
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスク、特にＸ線露
光装置のＸ線を発生する光源と被露光体との間に露光マ
スクとして配置されるＸ線マスクに関する。
光装置のＸ線を発生する光源と被露光体との間に露光マ
スクとして配置されるＸ線マスクに関する。
【０００２】
【背景技術】ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導体装置の
製造にフォトリソグラフィ技術は不可欠である。そし
て、ＩＣ等の高集積化、トランジスタ等素子の微細化に
伴って配線膜等の形成ルールが１μｍから０．５μｍ
へ、０．５μｍから０．３あるいは０．２μｍへと移行
している。そして、それに伴ってレジスト膜の露光に用
いる光線の波長も短くしなければならない。特に、０．
３あるいは０．２μｍルールの実現には露光用光線とし
てＸ線を使用することが必要となる。図６はＸ線リソグ
ラフィに用いるＸ線型露光装置の構成の概略を示す斜視
図である。
製造にフォトリソグラフィ技術は不可欠である。そし
て、ＩＣ等の高集積化、トランジスタ等素子の微細化に
伴って配線膜等の形成ルールが１μｍから０．５μｍ
へ、０．５μｍから０．３あるいは０．２μｍへと移行
している。そして、それに伴ってレジスト膜の露光に用
いる光線の波長も短くしなければならない。特に、０．
３あるいは０．２μｍルールの実現には露光用光線とし
てＸ線を使用することが必要となる。図６はＸ線リソグ
ラフィに用いるＸ線型露光装置の構成の概略を示す斜視
図である。
【０００３】図面において、１は電子蓄積リングで、図
示しない入射系から入射された電子を周回させる。該電
子は磁場によって曲げられるときに接線方向にＳＯＲ
（Syn-chrotron Radiation）２を放射する。３は振動ミ
ラーで、ＳＯＲ２を反射しながら回動することによりＳ
ＯＲ２のスキャンを行う。４はヘリウムチャンバ、５、
５は該ヘリウムチャンバ４に設けられたＢｅ窓で、該窓
５、５をＳＯＲ２が通る。６は露光マスク、７は露光処
理される半導体ウエハである。図７は露光マスクと半導
体ウエハを示す断面図である。
示しない入射系から入射された電子を周回させる。該電
子は磁場によって曲げられるときに接線方向にＳＯＲ
（Syn-chrotron Radiation）２を放射する。３は振動ミ
ラーで、ＳＯＲ２を反射しながら回動することによりＳ
ＯＲ２のスキャンを行う。４はヘリウムチャンバ、５、
５は該ヘリウムチャンバ４に設けられたＢｅ窓で、該窓
５、５をＳＯＲ２が通る。６は露光マスク、７は露光処
理される半導体ウエハである。図７は露光マスクと半導
体ウエハを示す断面図である。
【０００４】露光マスク６はＳｉＮからなる光透過材８
の表面に例えばタンタルカーバライトからなる光吸収膜
９をパターニングしてなる。１０は光透過材８の反光吸
収膜側の面に形成された支持枠である。半導体ウエハ７
はその表面にレジスト膜１１が形成され、該レジスト膜
形成面が露光マスク６に面している。尚、ＳＯＲ光源の
原理は例えばＴ．ＩＥＥ Ｊａｐａｎ，Ｖｏｌ．１０８
−Ｄ，Ｎｏ．９， ’８８の７９２〜７９６頁に記載さ
れている。
の表面に例えばタンタルカーバライトからなる光吸収膜
９をパターニングしてなる。１０は光透過材８の反光吸
収膜側の面に形成された支持枠である。半導体ウエハ７
はその表面にレジスト膜１１が形成され、該レジスト膜
形成面が露光マスク６に面している。尚、ＳＯＲ光源の
原理は例えばＴ．ＩＥＥ Ｊａｐａｎ，Ｖｏｌ．１０８
−Ｄ，Ｎｏ．９， ’８８の７９２〜７９６頁に記載さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図６、図７
に示す従来例によれば、露光の際に露光マスクがＸ線の
一部を吸収して温度上昇し、熱変形が生じるという虞れ
があった。この点について詳しく説明すると次のとおり
である。露光用光線として真に欲する光線は波長λが１
０オングストローム程度のものであるが、実際には波長
がそれよりも長いもの、具体的に２０ないし３０オング
ストロームの波長のものも露光用光線中に含まれてしま
う。それに対して、露光マスク６の母体であるＳｉＮか
らなる光透過材８は図８に示すような光透過特性を有
し、１０オングストロームの波長λの光に対しては光透
過率が８０％程度はあるが、それ以上波長の長い光に対
しては光透過率が８０％よりも低い値になり、２０オン
グストローム以上の波長λの光に対しては光透過率が０
％となる。
に示す従来例によれば、露光の際に露光マスクがＸ線の
一部を吸収して温度上昇し、熱変形が生じるという虞れ
があった。この点について詳しく説明すると次のとおり
である。露光用光線として真に欲する光線は波長λが１
０オングストローム程度のものであるが、実際には波長
がそれよりも長いもの、具体的に２０ないし３０オング
ストロームの波長のものも露光用光線中に含まれてしま
う。それに対して、露光マスク６の母体であるＳｉＮか
らなる光透過材８は図８に示すような光透過特性を有
し、１０オングストロームの波長λの光に対しては光透
過率が８０％程度はあるが、それ以上波長の長い光に対
しては光透過率が８０％よりも低い値になり、２０オン
グストローム以上の波長λの光に対しては光透過率が０
％となる。
【０００６】即ち、光源からのＸ線の一部は露光マスク
６の光吸収膜９が形成されていない部分でも吸収されて
しまうのである。そして、その吸収された光は熱となっ
て露光マスク６の温度を上昇させ、露光マスク６に熱変
形を与える原因となる。そして、露光マスク６の熱変形
はリソグラフィ精度を低下させるので好ましくない。そ
こで、本願発明者は露光マスク６の光源側に光透過材か
らなるダミーマスクを配置することを案出した。このよ
うにすれば、露光マスクの光透過材で吸収されるＸ線を
ダミーマスクにより吸収することができるので露光マス
クの光透過材でのＸ線吸収量を少なくすることができ、
延いては露光マスクの温度上昇を少なくし熱変形を小さ
くすることができ得るのである。そして、露光マスクの
光源側に光透過材からなるダミーマスクを配置するよう
にしたＸ線露光装置については既に本願出願人会社によ
って実願平１−４８６９７により提案済である。
６の光吸収膜９が形成されていない部分でも吸収されて
しまうのである。そして、その吸収された光は熱となっ
て露光マスク６の温度を上昇させ、露光マスク６に熱変
形を与える原因となる。そして、露光マスク６の熱変形
はリソグラフィ精度を低下させるので好ましくない。そ
こで、本願発明者は露光マスク６の光源側に光透過材か
らなるダミーマスクを配置することを案出した。このよ
うにすれば、露光マスクの光透過材で吸収されるＸ線を
ダミーマスクにより吸収することができるので露光マス
クの光透過材でのＸ線吸収量を少なくすることができ、
延いては露光マスクの温度上昇を少なくし熱変形を小さ
くすることができ得るのである。そして、露光マスクの
光源側に光透過材からなるダミーマスクを配置するよう
にしたＸ線露光装置については既に本願出願人会社によ
って実願平１−４８６９７により提案済である。
【０００７】しかしながら、その露光マスクは光透過材
からなり、その光透過材は図８から明らかなように一部
のエネルギーを吸収するも大部分のエネルギーを通過さ
せる。そして、露光に必要なエネルギー量は、スループ
ットの向上の要請に応えるため高くなる一方であり、近
い将来現在の十倍以上になると予想される。従って、光
透過材のみからなるダミーマスクを露光マスクの光源側
に配置するだけでは露光マスクの熱変形を確実に防止す
ることができない虞れがある。
からなり、その光透過材は図８から明らかなように一部
のエネルギーを吸収するも大部分のエネルギーを通過さ
せる。そして、露光に必要なエネルギー量は、スループ
ットの向上の要請に応えるため高くなる一方であり、近
い将来現在の十倍以上になると予想される。従って、光
透過材のみからなるダミーマスクを露光マスクの光源側
に配置するだけでは露光マスクの熱変形を確実に防止す
ることができない虞れがある。
【０００８】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、露光の際に露光マスクがＸ線を吸収
して温度上昇することにより熱変形するのをより有効に
防止することを目的とする。
されたものであり、露光の際に露光マスクがＸ線を吸収
して温度上昇することにより熱変形するのをより有効に
防止することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１のＸ線マスク
は、露光マスクのマスクパターンを、通る光の回折作用
により転写が生じない程度に微小な間隙を置いて形成さ
れた島状に独立した複数の光吸収膜により構成したこと
を特徴とする。
は、露光マスクのマスクパターンを、通る光の回折作用
により転写が生じない程度に微小な間隙を置いて形成さ
れた島状に独立した複数の光吸収膜により構成したこと
を特徴とする。
【００１０】
【作用】請求項１のＸ線マスクによれば、露光マスクの
マスクパターンは、通るＸ線による光の回折作用により
転写が生じないような小さな間隙によって互いに他から
独立した多数の島状の光吸収膜により構成しているの
で、仮に露光マスクが温度上昇してもその小さな間隙に
よって島状の光吸収膜の膨張が吸収され、光透過材と光
吸収膜との間にストレスが生じにくくなる。従って、Ｘ
線が強くなったために仮に温度上昇が激しくなったとし
ても熱変形が小さくなるようにできる。そして、微細な
光吸収膜間の間隙はそこを通るＸ線による光の回折作用
により転写されない程度に小さいので、Ｘ線露光パター
ンに全く影響を与えない。
マスクパターンは、通るＸ線による光の回折作用により
転写が生じないような小さな間隙によって互いに他から
独立した多数の島状の光吸収膜により構成しているの
で、仮に露光マスクが温度上昇してもその小さな間隙に
よって島状の光吸収膜の膨張が吸収され、光透過材と光
吸収膜との間にストレスが生じにくくなる。従って、Ｘ
線が強くなったために仮に温度上昇が激しくなったとし
ても熱変形が小さくなるようにできる。そして、微細な
光吸収膜間の間隙はそこを通るＸ線による光の回折作用
により転写されない程度に小さいので、Ｘ線露光パター
ンに全く影響を与えない。
【００１１】
【実施例】以下、本発明Ｘ線マスクを図示実施例に従っ
て詳細に説明する。図１乃至図４は本発明Ｘ線マスクの
一つの実施例を説明するためのもので、図１は本発明Ｘ
線マスクを用いたＸ線露光装置の構成を示す斜視図、図
２はダミーマスクと、露光マスクと、被露光体を示す断
面図、図３はダミーマスクと、露光マスクと、被露光体
を示す斜視図、図４は本発明Ｘ線マスクの一つの実施例
である露光マスクを示す平面図である。図１乃至図４に
示したＸ線型露光装置は、図６及び図７に示したＸ線型
露光装置とはダミーマスクが設けられている点で相違す
るが、それ以外の点では共通しており、共通している点
については図６、図７で用いたのと同じ符号を付して図
示するにとどめて説明を省略し、相違する点についての
み説明する。
て詳細に説明する。図１乃至図４は本発明Ｘ線マスクの
一つの実施例を説明するためのもので、図１は本発明Ｘ
線マスクを用いたＸ線露光装置の構成を示す斜視図、図
２はダミーマスクと、露光マスクと、被露光体を示す断
面図、図３はダミーマスクと、露光マスクと、被露光体
を示す斜視図、図４は本発明Ｘ線マスクの一つの実施例
である露光マスクを示す平面図である。図１乃至図４に
示したＸ線型露光装置は、図６及び図７に示したＸ線型
露光装置とはダミーマスクが設けられている点で相違す
るが、それ以外の点では共通しており、共通している点
については図６、図７で用いたのと同じ符号を付して図
示するにとどめて説明を省略し、相違する点についての
み説明する。
【００１２】１２はダミーマスクで、露光マスク６の光
源側に配置されており、露光マスク６の母体である光透
過材と同じ材料、たとえばＳｉＮを基板とし、その表面
に例えばタンタルカーバイトからなる光吸収膜１４、１
４…を選択的に形成してなる。１０は支持枠である。と
ころで、光吸収膜１４、１４、…は露光マスク６の光吸
収膜からなるマスクパターン１５、１５・・・から食み
出ないようなパターンに形成されている。それは、光吸
収膜１４、１４、…の存在によって露光されるパターン
が影響されないようにするためである。具体的にはスク
ライブラインに対応するところに露光マスク６のスクラ
イブラインの光吸収膜からなる各パターン１５、１５、
・・・よりも幅を狭くして形成されている。尚、露光マ
スク６のスクライブラインにより囲まれた各領域、即ち
半導体素子（チップ）領域内に描かれたパターン１５、
１５、・・・は非常に複雑な形状を有するが図面では便
宜上単なるＬ字状にした。このパターン１５については
後で図４を参照して詳細に説明する。
源側に配置されており、露光マスク６の母体である光透
過材と同じ材料、たとえばＳｉＮを基板とし、その表面
に例えばタンタルカーバイトからなる光吸収膜１４、１
４…を選択的に形成してなる。１０は支持枠である。と
ころで、光吸収膜１４、１４、…は露光マスク６の光吸
収膜からなるマスクパターン１５、１５・・・から食み
出ないようなパターンに形成されている。それは、光吸
収膜１４、１４、…の存在によって露光されるパターン
が影響されないようにするためである。具体的にはスク
ライブラインに対応するところに露光マスク６のスクラ
イブラインの光吸収膜からなる各パターン１５、１５、
・・・よりも幅を狭くして形成されている。尚、露光マ
スク６のスクライブラインにより囲まれた各領域、即ち
半導体素子（チップ）領域内に描かれたパターン１５、
１５、・・・は非常に複雑な形状を有するが図面では便
宜上単なるＬ字状にした。このパターン１５については
後で図４を参照して詳細に説明する。
【００１３】本Ｘ線型露光装置は露光マスク６の光透過
材８と同じ材料からなるダミーマスク１２が露光マスク
６の光源側に配置されているので、もしダミーマスク１
２がなかったならば露光マスク６の光透過材８によって
吸収されるＸ線はダミーマスク１２によって相当に吸収
されてしまう。露光マスク６に達するのは波長λが１０
オングストローム程度あるいはそれ以下の光のみであ
る。そして、露光マスク７に達したその波長λが１０オ
ングストローム以下の光は光吸収膜９に入射したものを
除き露光マスク６の光透過材８を透過して半導体ウエハ
７表面のレジスト膜１１に入射する。
材８と同じ材料からなるダミーマスク１２が露光マスク
６の光源側に配置されているので、もしダミーマスク１
２がなかったならば露光マスク６の光透過材８によって
吸収されるＸ線はダミーマスク１２によって相当に吸収
されてしまう。露光マスク６に達するのは波長λが１０
オングストローム程度あるいはそれ以下の光のみであ
る。そして、露光マスク７に達したその波長λが１０オ
ングストローム以下の光は光吸収膜９に入射したものを
除き露光マスク６の光透過材８を透過して半導体ウエハ
７表面のレジスト膜１１に入射する。
【００１４】また、露光マスク６の各パターン１５、１
５、・・・を成す光吸収膜によって吸収される筈であっ
たＸ線の多くは、具体的にはスクライブラインに対応す
る光吸収膜によって吸収されるＸ線は、ダミーマスク１
２の光吸収膜１４、１４、…によって吸収される。従っ
て、露光マスク６の光吸収量は非常に少なくなるので露
光マスク６の温度上昇も少なくなる。依って、露光マス
ク６に熱変形が生じる虞れがなくなる。尚、本実施例の
ダミーマスクを露光マスクの光透過材と同じ材料により
形成していたが、必ずしもそのようにすることは必要で
はなく、露光マスクへの不要な光線をカットし、露光に
必要な光をカットしないフィルタ特性を有するものであ
れば良い。
５、・・・を成す光吸収膜によって吸収される筈であっ
たＸ線の多くは、具体的にはスクライブラインに対応す
る光吸収膜によって吸収されるＸ線は、ダミーマスク１
２の光吸収膜１４、１４、…によって吸収される。従っ
て、露光マスク６の光吸収量は非常に少なくなるので露
光マスク６の温度上昇も少なくなる。依って、露光マス
ク６に熱変形が生じる虞れがなくなる。尚、本実施例の
ダミーマスクを露光マスクの光透過材と同じ材料により
形成していたが、必ずしもそのようにすることは必要で
はなく、露光マスクへの不要な光線をカットし、露光に
必要な光をカットしないフィルタ特性を有するものであ
れば良い。
【００１５】次に、本発明Ｘ線マスクの一つの実施例で
ある露光マスク６を、その平面図である図４を参照して
詳細に説明する。同図において、８は露光マスクのＳｉ
Ｎからなる光透過材、１５は光透過材８の表面に形成さ
れた一つのマスクパターンである。該マスクパターン１
５は微小な間隙１７、１７、…を置いて互いに独立する
島状の微細な光吸収膜（例えばタンタルカーバイトから
なる）１６、１６、…を群成せしめることによって構成
されている。上記間隙１７、１７、…の大きさは例えば
０．１μｍあるいはそれ以下というようにＸ線の回折か
ら転写されない程度に小さくされている。また、島状の
微細な光吸収膜１７の一辺の長さ（幅）は例えば０．５
〜０．２５μｍ程度である。
ある露光マスク６を、その平面図である図４を参照して
詳細に説明する。同図において、８は露光マスクのＳｉ
Ｎからなる光透過材、１５は光透過材８の表面に形成さ
れた一つのマスクパターンである。該マスクパターン１
５は微小な間隙１７、１７、…を置いて互いに独立する
島状の微細な光吸収膜（例えばタンタルカーバイトから
なる）１６、１６、…を群成せしめることによって構成
されている。上記間隙１７、１７、…の大きさは例えば
０．１μｍあるいはそれ以下というようにＸ線の回折か
ら転写されない程度に小さくされている。また、島状の
微細な光吸収膜１７の一辺の長さ（幅）は例えば０．５
〜０．２５μｍ程度である。
【００１６】このようにマスクパターン１５を転写され
ない程度の小さな間隙１７、１７、…をもって互いに独
立する島状の微細な光吸収膜１６、１６、…を群成せし
めることによって構成することとすれば、露光マスクが
温度上昇して光吸収膜が膨張した場合においてその光吸
収膜の膨張を間隙１７、１７、…によって吸収し、光吸
収膜と基板たる光透過材との間に強いストレスが生じな
いようにすることができる。即ち、従来において露光マ
スクの各マスクパターンはそれぞれ図５に示すように一
体の光吸収膜１５によって形成されていた。従って、露
光マスクがＸ線の吸収によって温度上昇した場合にはそ
の光吸収膜１５と基板たる光透過材８との間に熱膨張に
よる大きなストレスが生じた。これは基板たる光透過材
が数μｍときわめて薄いうえに露光エリアの径あるいは
幅が２０ｍｍ程度ときわめて広いためやむを得ないこと
とされていた。
ない程度の小さな間隙１７、１７、…をもって互いに独
立する島状の微細な光吸収膜１６、１６、…を群成せし
めることによって構成することとすれば、露光マスクが
温度上昇して光吸収膜が膨張した場合においてその光吸
収膜の膨張を間隙１７、１７、…によって吸収し、光吸
収膜と基板たる光透過材との間に強いストレスが生じな
いようにすることができる。即ち、従来において露光マ
スクの各マスクパターンはそれぞれ図５に示すように一
体の光吸収膜１５によって形成されていた。従って、露
光マスクがＸ線の吸収によって温度上昇した場合にはそ
の光吸収膜１５と基板たる光透過材８との間に熱膨張に
よる大きなストレスが生じた。これは基板たる光透過材
が数μｍときわめて薄いうえに露光エリアの径あるいは
幅が２０ｍｍ程度ときわめて広いためやむを得ないこと
とされていた。
【００１７】しかしながら、本露光マスクのように、パ
ターンを微細な間隙を置いて島状に独立した微細光吸収
膜を群成して構成することにより解決することができる
のである。尚、図１、図２、図３に示すように、本露光
マスク６の光源側にダミーマスク１２を設けるようにし
ても良いし、ダミーマスク１２を設けずＸ線マスクとし
て露光マスク６のみを設けてＸ線露光を行うようにして
も良い。
ターンを微細な間隙を置いて島状に独立した微細光吸収
膜を群成して構成することにより解決することができる
のである。尚、図１、図２、図３に示すように、本露光
マスク６の光源側にダミーマスク１２を設けるようにし
ても良いし、ダミーマスク１２を設けずＸ線マスクとし
て露光マスク６のみを設けてＸ線露光を行うようにして
も良い。
【００１８】請求項１のＸ線マスクは、Ｘ線を発生する
光源と被露光体との間に配置されるところの光透過材の
表面に光吸収膜からなるマスクパターンを形成した露光
マスクとして用いられるＸ線マスクであって、上記マス
クパターンが、通るＸ線（例えば波長１０オングストロ
ームのＸ線）による光の回折作用により転写が生じない
程度に微小な間隙（例えば０．１μｍ以下）を置いて形
成された島状に独立する複数の光吸収膜により構成され
てなることを特徴とするものである。従って、請求項１
のＸ線マスクによれば、露光マスクのマスクパターンは
小さな間隙によって互いに他から独立した多数の縞状の
光吸収膜により構成されているので、仮に露光マスクが
温度上昇してもその間隙によって島状の光吸収膜の膨張
が吸収され、光透過材と光吸収膜との間にストレスが生
じにくくなる。従って、Ｘ線が強くなっても熱変形が小
さくなるようにできる。そして、微細光吸収膜間の間隙
は、Ｘ線の回折により転写されない程度に小さいので、
転写されない。従って、間隙がＸ線露光パターンに影響
を与えないようにできる。
光源と被露光体との間に配置されるところの光透過材の
表面に光吸収膜からなるマスクパターンを形成した露光
マスクとして用いられるＸ線マスクであって、上記マス
クパターンが、通るＸ線（例えば波長１０オングストロ
ームのＸ線）による光の回折作用により転写が生じない
程度に微小な間隙（例えば０．１μｍ以下）を置いて形
成された島状に独立する複数の光吸収膜により構成され
てなることを特徴とするものである。従って、請求項１
のＸ線マスクによれば、露光マスクのマスクパターンは
小さな間隙によって互いに他から独立した多数の縞状の
光吸収膜により構成されているので、仮に露光マスクが
温度上昇してもその間隙によって島状の光吸収膜の膨張
が吸収され、光透過材と光吸収膜との間にストレスが生
じにくくなる。従って、Ｘ線が強くなっても熱変形が小
さくなるようにできる。そして、微細光吸収膜間の間隙
は、Ｘ線の回折により転写されない程度に小さいので、
転写されない。従って、間隙がＸ線露光パターンに影響
を与えないようにできる。
【図１】本発明Ｘ線マスクの第１の実施例を説明するた
めのＸ線露光装置の斜視図である。
めのＸ線露光装置の斜視図である。
【図２】上記実施例を説明するためのダミーマスクと、
露光マスクと、被露光体の断面図である。
露光マスクと、被露光体の断面図である。
【図３】上記実施例を説明するためのダミーマスクと、
露光マスクと、被露光体の斜視図である。
露光マスクと、被露光体の斜視図である。
【図４】本発明Ｘ線マスクの一つの実施例の平面図であ
る。
る。
【図５】図４のＸ線マスクと比較されるところのＸ線マ
スクの従来例の平面図である。
スクの従来例の平面図である。
【図６】背景技術を説明するためのＸ線露光装置の斜視
図である。
図である。
【図７】背景技術を説明するための露光マスクと被露光
体の断面図である。
体の断面図である。
【図８】発明が解決しようとする問題点を説明するため
の光透過材の光透過特性図である。
の光透過材の光透過特性図である。
６ Ｘ線マスク（露光マスク） ８ 光透過材 １２ Ｘ線マスク（ダミーマスク） １３ 光透過材 １４ 光吸収膜 １５ マスクパターン １６ 微小光吸収膜 １７ 間隙
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/16
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｘ線を発生する光源と被露光体との間に
配置されるところの光透過材の表面に光吸収膜からなる
マスクパターンを形成した露光マスクとして用いられる
Ｘ線マスクであって、 上記マスクパターンが、通るＸ線による光の回折作用に
より転写が生じない程度に微小な間隙を置いて形成され
た島状に独立する複数の光吸収膜により構成されてなる
ことを特徴とするＸ線マスク - 【請求項２】 前記の通るＸ線の波長が１０オングスト
ロームで、前記微小な間隙が０．１μｍ以下である こと
を特徴とする請求項１記載のＸ線マスク
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30811999A JP3189836B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | Ｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30811999A JP3189836B2 (ja) | 1999-10-29 | 1999-10-29 | Ｘ線マスク |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1994594A Division JP3047724B2 (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | Ｘ線マスク |
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Family
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
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-
1999
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000100723A (ja) | 2000-04-07 |
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