JP3189621B2 - ダイボンディング方法および基板 - Google Patents
ダイボンディング方法および基板Info
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- JP3189621B2 JP3189621B2 JP11290495A JP11290495A JP3189621B2 JP 3189621 B2 JP3189621 B2 JP 3189621B2 JP 11290495 A JP11290495 A JP 11290495A JP 11290495 A JP11290495 A JP 11290495A JP 3189621 B2 JP3189621 B2 JP 3189621B2
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- Japan
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- chip
- substrate
- anaerobic adhesive
- chip mounting
- adhesive
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
- H01L24/743—Apparatus for manufacturing layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/741—Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Die Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チップを基板のチップ
搭載部に接着するダイボンディング方法および基板に関
するものである。
搭載部に接着するダイボンディング方法および基板に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】ダイボンディング工程においては、まず
基板のチップ搭載部に接着剤を塗布し、次いで接着剤上
にチップを搭載し、約１５０℃で１５分程度基板を加熱
して、接着剤を硬化させることが行われている。
基板のチップ搭載部に接着剤を塗布し、次いで接着剤上
にチップを搭載し、約１５０℃で１５分程度基板を加熱
して、接着剤を硬化させることが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この加
熱の際、接着剤から有機ガスなどが発生し、チップの電
極や基板の回路パターンが、この有機ガスなどによって
汚染され、その後のボンディング工程において、接合不
良を招くという問題点があった。
熱の際、接着剤から有機ガスなどが発生し、チップの電
極や基板の回路パターンが、この有機ガスなどによって
汚染され、その後のボンディング工程において、接合不
良を招くという問題点があった。
【０００４】そこで本発明は、有機ガスなどの発生を防
ぐことができるダイボンディング方法および基板を提供
することを目的とする。
ぐことができるダイボンディング方法および基板を提供
することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のダイボンディン
グ方法は、基板のチップ搭載部に嫌気性接着剤を塗布す
るステップと、嫌気性接着剤にチップを押しつけて前記
金属から成るチップ搭載部の触媒効果により前記嫌気性
接着剤を硬化させるステップと、チップと基板の回路パ
ターンをワイヤで接続するステップとを含む。
グ方法は、基板のチップ搭載部に嫌気性接着剤を塗布す
るステップと、嫌気性接着剤にチップを押しつけて前記
金属から成るチップ搭載部の触媒効果により前記嫌気性
接着剤を硬化させるステップと、チップと基板の回路パ
ターンをワイヤで接続するステップとを含む。
【０００６】
【作用】上記構成により、基板のチップ搭載部に嫌気性
接着剤が塗布され、その上にチップが押しつけられる。
するとチップの底面とチップ搭載部の間で薄く押し広げ
られた嫌気性接着剤は硬化する。即ち従来のダイボンデ
ィング方法において不可欠であった加熱を行わずに、チ
ップを基板に接着することができる。
接着剤が塗布され、その上にチップが押しつけられる。
するとチップの底面とチップ搭載部の間で薄く押し広げ
られた嫌気性接着剤は硬化する。即ち従来のダイボンデ
ィング方法において不可欠であった加熱を行わずに、チ
ップを基板に接着することができる。
【０００７】このため、加熱時に発生する有機ガスに起
因する、電極などの汚染を防止することができる。
因する、電極などの汚染を防止することができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【０００９】図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施例
におけるダイボンディング方法の工程説明図である。図
１において、１は基板、２は鉄、銅、アルミニウムなど
の金属からなるチップ搭載部、３、４はチップ搭載部２
の周囲に設けられる回路パターンである。
におけるダイボンディング方法の工程説明図である。図
１において、１は基板、２は鉄、銅、アルミニウムなど
の金属からなるチップ搭載部、３、４はチップ搭載部２
の周囲に設けられる回路パターンである。
【００１０】まずチップ搭載部２に嫌気性接着剤５を塗
布する。ここで、嫌気性接着剤の配合例を説明する。こ
の配合例は、表１に示すとおりである。
布する。ここで、嫌気性接着剤の配合例を説明する。こ
の配合例は、表１に示すとおりである。
【００１１】
【表１】
【００１２】このうち、主剤は、ポリエーテルメタアク
リレート、ポリエステルメタアクリレート、エポキシメ
タアクリレート、ウレタンメタアクリレートの１種以上
を２０以上４０以下の重量パーセントだけ含む。
リレート、ポリエステルメタアクリレート、エポキシメ
タアクリレート、ウレタンメタアクリレートの１種以上
を２０以上４０以下の重量パーセントだけ含む。
【００１３】また硬化剤として、過酸化水素、ハイドロ
パーオキサイド類、ジアキルパーオキサイド類、ジアシ
ルパーオキサイド類、ケトンパーオキサイド類、アルキ
ルパーオキサイド類、パーオキシジカーボネート類のう
ち少なくとも１種以上を０．１ないし２重量パーセント
含む。また充填剤として、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ｎｉを６０ないし８０重量パーセント加える。これ
らの主剤、硬化剤、充填剤は、必須のものである。
パーオキサイド類、ジアキルパーオキサイド類、ジアシ
ルパーオキサイド類、ケトンパーオキサイド類、アルキ
ルパーオキサイド類、パーオキシジカーボネート類のう
ち少なくとも１種以上を０．１ないし２重量パーセント
含む。また充填剤として、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ｎｉを６０ないし８０重量パーセント加える。これ
らの主剤、硬化剤、充填剤は、必須のものである。
【００１４】そのほか、選択的に次の促進剤、禁止剤、
添加剤を含めても良い。すなわち、促進剤としては、１
重量パーセント以下のアミン類が好適である。また、禁
止剤としては、フェノール類、多価フェノール類、ノオ
ウ類、キノン類、四級アンモニウム塩、金属塩類のうち
１種以上を０．２重量パーセント以下含める。
添加剤を含めても良い。すなわち、促進剤としては、１
重量パーセント以下のアミン類が好適である。また、禁
止剤としては、フェノール類、多価フェノール類、ノオ
ウ類、キノン類、四級アンモニウム塩、金属塩類のうち
１種以上を０．２重量パーセント以下含める。
【００１５】ここで、チップ搭載部２を鉄、銅などの金
属にしたのは、金属からなるチップ搭載部２が触媒効果
を奏し、嫌気性接着剤５の硬化速度を高めることができ
るためである。
属にしたのは、金属からなるチップ搭載部２が触媒効果
を奏し、嫌気性接着剤５の硬化速度を高めることができ
るためである。
【００１６】次に図１（ｂ）に示すように、嫌気性接着
剤５にチップ６を押しつける。すると嫌気性接着剤５は
チップ６の底面とチップ搭載部２の間に薄く広がり、こ
の薄く広がった部分から硬化しはじめる。従ってチップ
６をしばらく押し付けておくと嫌気性接着剤５のほとん
どが硬化し、チップ６はチップ搭載部２にしっかりと固
着される。このとき嫌気性接着剤５のうち大気に接して
いる表面が未硬化の場合がある。このため基板１を窒素
ガス等を充満した低酸素雰囲気に入れたり、あるいは真
空チャンバ内の真空雰囲気に入れることによりこの未硬
化部分を完全に硬化させる。尚表面の未硬化の部分は、
チップ６の固着や後工程に影響を与えるものではないの
で、そのまま放置しておいてもよい。
剤５にチップ６を押しつける。すると嫌気性接着剤５は
チップ６の底面とチップ搭載部２の間に薄く広がり、こ
の薄く広がった部分から硬化しはじめる。従ってチップ
６をしばらく押し付けておくと嫌気性接着剤５のほとん
どが硬化し、チップ６はチップ搭載部２にしっかりと固
着される。このとき嫌気性接着剤５のうち大気に接して
いる表面が未硬化の場合がある。このため基板１を窒素
ガス等を充満した低酸素雰囲気に入れたり、あるいは真
空チャンバ内の真空雰囲気に入れることによりこの未硬
化部分を完全に硬化させる。尚表面の未硬化の部分は、
チップ６の固着や後工程に影響を与えるものではないの
で、そのまま放置しておいてもよい。
【００１７】このようにダイボンディング工程が完了し
たならば、次工程として、チップ６と回路パターン３、
４とをワイヤ７で接続する。その後、チップ６などを樹
脂で封止することになる。
たならば、次工程として、チップ６と回路パターン３、
４とをワイヤ７で接続する。その後、チップ６などを樹
脂で封止することになる。
【００１８】このように、接着剤を塗布した後の工程に
おいて、高温に加熱することが不要となるので、従来の
ダイボンディング工程において不可避であった有機ガス
などによる電極などの汚染を防止することができる。
おいて、高温に加熱することが不要となるので、従来の
ダイボンディング工程において不可避であった有機ガス
などによる電極などの汚染を防止することができる。
【００１９】
【００２０】
【発明の効果】本発明は、金属から成るチップ搭載部の
触媒効果により嫌気性接着剤を硬化させてチップを基板
に固着するようにしているので、加熱時に発生する有機
ガスに起因する電極などの汚染を防止することができ
る。特に金属から成るチップ搭載部の触媒効果によっ
て、嫌気性接着剤の硬化速度を高め、短時間で硬化させ
ることができる。
触媒効果により嫌気性接着剤を硬化させてチップを基板
に固着するようにしているので、加熱時に発生する有機
ガスに起因する電極などの汚染を防止することができ
る。特に金属から成るチップ搭載部の触媒効果によっ
て、嫌気性接着剤の硬化速度を高め、短時間で硬化させ
ることができる。
【図１】（ａ）本発明の一実施例におけるダイボンディ
ング方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施例におけるダイボンディング方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施例におけるダイボンディング方法
の工程説明図
ング方法の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施例におけるダイボンディング方法
の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施例におけるダイボンディング方法
の工程説明図
１ 基板 ２ チップ搭載部 ３ 回路パターン ４ 回路パターン ５ 嫌気性接着剤 ６ チップ
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−188641（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−143823（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−112024（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−139773（ＪＰ，Ａ) 実開 平３−2635（ＪＰ，Ｕ) 実開 平６−85339（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/52 H01L 21/60
Claims (4)
- 【請求項１】基板の金属から成るチップ搭載部に嫌気性
接着剤を塗布するステップと、前記嫌気性接着剤にチッ
プを押しつけて前記金属から成るチップ搭載部の触媒効
果により前記嫌気性接着剤を硬化させるステップと、チ
ップと基板の回路パターンをワイヤで接続するステップ
とを含むことを特徴とするダイボンディング方法。 - 【請求項２】前記嫌気性接着剤にチップを押しつけた
後、前記基板を酸素を遮断した状態に置くことを特徴と
する請求項１記載のダイボンディング方法。 - 【請求項３】前記金属は、鉄、銅、アルミニウムの少な
くとも１種以上を含むことを特徴とする請求項１または
２記載のダイボンディング方法。 - 【請求項４】基板の金属から成るチップ搭載部に塗布さ
れた嫌気性接着剤にチップを押し付けて、前記金属から
成るチップ搭載部の触媒効果により前記嫌気性接着剤を
硬化させて製造されたことを特徴とする基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290495A JP3189621B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | ダイボンディング方法および基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11290495A JP3189621B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | ダイボンディング方法および基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306716A JPH08306716A (ja) | 1996-11-22 |
| JP3189621B2 true JP3189621B2 (ja) | 2001-07-16 |
Family
ID=14598415
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11290495A Expired - Fee Related JP3189621B2 (ja) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | ダイボンディング方法および基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3189621B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580407B1 (en) | 1994-06-08 | 2003-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam generating device having plurality of cold cathode elements, method of driving said device and image forming apparatus applying same |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP11290495A patent/JP3189621B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6580407B1 (en) | 1994-06-08 | 2003-06-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-beam generating device having plurality of cold cathode elements, method of driving said device and image forming apparatus applying same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08306716A (ja) | 1996-11-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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