JP3187579B2 - Plating equipment - Google Patents
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、亜硫酸金ナトリウム系
めっき液を用いるめっき装置に関し、更に詳しくは、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等に金めっきを施すのに好適なめっき装置に係る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plating apparatus using a sodium gold sulfite-based plating solution, and more particularly, to a method for applying gold plating to various electronic component substrates, IC wafers, thin film magnetic head wafers and the like. According to a preferred plating apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄
膜磁気ヘッド用ウエハ等において、被めっき物である基
板もしくはウエハ上に金めっきをする場合、一般に、亜
硫酸金ナトリウム系めっき液が用いられる。めっき槽、
アノード電極装置及びカソード電極装置などの各構成部
分の内、電気絶縁を必要とする部分は、通常、塩化ビニ
ルやポリプロピレンなどの電気絶縁性エンジニアリン
グ．プラスチック又はガラスなどで構成される。2. Description of the Related Art In the case of gold plating on a substrate or wafer to be plated in various electronic component substrates, IC wafers, thin film magnetic head wafers, etc., a gold sodium sulfite-based plating solution is generally used. . Plating tank,
Of the components such as the anode electrode device and the cathode electrode device, the portions requiring electrical insulation are usually electrically insulating engineering materials such as vinyl chloride and polypropylene. It is made of plastic or glass.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、亜硫酸金ナト
リウム系めっき液と、塩化ビニル、ポリプロピレンなど
の電気絶縁性エンジニアリング．プラスチックまたはガ
ラスとの組み合わせは、めっき液中への有機物の混入を
招き、めっき膜質が劣化すると共に、めっき膜厚が変動
してしまうという問題点がある。However, a gold-sodium sulfite-based plating solution and an electrically insulating engineering material such as vinyl chloride and polypropylene. The combination with plastic or glass has a problem that an organic substance is mixed into the plating solution, the quality of the plated film is deteriorated, and the thickness of the plated film is changed.
【０００４】そこで、本発明の課題は、亜硫酸金ナトリ
ウム系めっき液への有機物混入を防止し、均一なめっき
膜厚及びめっき膜組成が得られるめっき装置を提供する
ことである。[0004] Therefore, an object of the present invention is to provide a plating apparatus capable of preventing organic substances from being mixed into a gold-sodium sulfite-based plating solution and obtaining a uniform plating film thickness and plating film composition.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係るめっき装置は、めっき槽と、アノード
電極装置と、カソード電極装置とを含む。前記めっき槽
は、めっき液に接する大部分がテフロンで構成されてい
る。前記アノード電極装置は、電極支持装置と、アノー
ド電極板とを含み、前記めっき液に接する大部分がテフ
ロンで構成されている。前記電極支持装置は、全体とし
て筒状であって、内部にめっき液供給路を有し、前記め
っき槽に一体的に取りつけられている。前記アノード電
極板は、中心部付近に前記めっき液供給路の孔径に対応
する大径の中心孔を有するとともに、その回りに多数の
小孔を有し、前記めっき液供給路を横断するように配置
されている。前記カソード電極装置は、前記めっき槽の
槽内において前記アノード電極装置と対向するように前
記めっき槽に取り付けられ、前記めっき液に接する大部
分がテフロンで構成されている。In order to solve the above-mentioned problems, a plating apparatus according to the present invention includes a plating tank, an anode electrode device, and a cathode electrode device. Most of the plating tank in contact with the plating solution is made of Teflon. The anode electrode device includes an electrode support device and an anode electrode plate, and is mostly made of Teflon in contact with the plating solution. The electrode support device is generally cylindrical, has a plating solution supply path therein, and is integrally attached to the plating tank. The anode electrode plate corresponds to the hole diameter of the plating solution supply path near the center.
It has a large diameter central hole and a number of small holes around it, and is arranged so as to cross the plating solution supply path. The cathode electrode device is attached to the plating tank in the plating tank so as to face the anode electrode device, and is mostly made of Teflon in contact with the plating solution.
【０００６】[0006]
【作用】テフロン（四フッ化エチレン）は亜硫酸金ナト
リウム系めっき液には溶けない。このため、めっき槽、
アノード電極装置及びカソード電極装置において、亜硫
酸金ナトリウム系めっき液に接する大部分がテフロンで
構成されているめっき装置により、均一なめっき膜厚及
びめっき膜組成を得ることが可能である。アノード電極
装置のアノード電極板は、多数の小孔がめっき液の流通
路を構成し、カソード電極装置と対向するように、めっ
き槽内に配置されているから、各種電子部品用基板、Ｉ
Ｃ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等のめっきに有効
なめっき装置が得られる。アノード電極装置は、アノー
ド電極板が中心部付近に大径の中心孔を有するから、最
も流動障害が大きくなる中心部分で流動障害が除去され
る。このため、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得
ることが可能になる。[Effect] Teflon (ethylene tetrafluoride) does not dissolve in the sodium gold sulfite-based plating solution. For this reason, plating tanks,
In the anode electrode device and the cathode electrode device, it is possible to obtain a uniform plating film thickness and plating film composition by using a plating device that is mostly made of Teflon in contact with the sodium gold sulfite-based plating solution. Since the anode electrode plate of the anode electrode device is arranged in the plating bath so that a number of small holes constitute a flow path of the plating solution and is opposed to the cathode electrode device, various electronic component substrates, I
A plating apparatus effective for plating a wafer for C, a wafer for a thin film magnetic head, and the like can be obtained. In the anode electrode device, since the anode electrode plate has a large-diameter central hole near the center, the flow obstruction is removed at the central portion where the flow obstruction is greatest. Therefore, it is possible to obtain a uniform plating film thickness and plating film composition.
【０００７】[0007]
【実施例】図１は本発明に係るめっき装置の概略を示す
図である。図において、１はめっき槽、２はアノード電
極装置、３はカソード電極装置、４は被めっき物であ
る。FIG. 1 is a view schematically showing a plating apparatus according to the present invention. In the figure, 1 is a plating tank, 2 is an anode electrode device, 3 is a cathode electrode device, and 4 is an object to be plated.
【０００８】めっき槽１は、槽本体１０内にめっき液１
１を収納している。めっき液１１は亜硫酸金ナトリウム
系（Ａｕ（ＳＯ 3 ） 3 Ｎａ 3 ）である。１２はめっき液１
１の供給路、１３はめっき液１１の回収路である。めっ
き液１１は供給路１２を通り槽内１０に供給され、槽内
１０から回収路１３を通して回収される。[0010] The plating tank 1 is provided with a plating solution 1 in a tank body 10.
1 is stored. The plating solution 11 is a gold sodium sulfite type (Au (SO 3 ) 3 Na 3 ) . 12 is plating solution 1
Reference numeral 1 denotes a supply path, and reference numeral 13 denotes a recovery path for the plating solution 11. The plating solution 11 is supplied to the inside of the tank 10 through the supply path 12, and is collected from the inside of the tank 10 through the collection path 13.
【０００９】亜硫酸金ナトリウム系めっき液１１に接す
る大部分、例えばめっき槽１、供給路１２、回収路１
３、アノード電極装置２及びカソード電極装置３の接液
部はテフロンで構成されている。これらの各構成部分を
テフロン部材で構成するか、または接液面にテフロン膜
をコーティングする。本発明の目的達成手段として、理
想的には、すべての接液部をテフロンで構成するのが望
ましいが、構造的にテフロンで構成することが不適当ま
たは不可能な箇所、例えば電極引き出し部等は当然存在
する。Most parts in contact with the sodium gold sulfite-based plating solution 11, for example, the plating tank 1, the supply path 12, and the recovery path 1
3. The liquid contact part of the anode electrode device 2 and the cathode electrode device 3 is made of Teflon. Each of these components is made of a Teflon member, or the liquid contact surface is coated with a Teflon film. As a means for achieving the object of the present invention, ideally, it is desirable that all the liquid contact parts be made of Teflon. However, structurally inappropriate or impossible parts to be made of Teflon, for example, electrode lead parts, etc. Naturally exists.
【００１０】テフロンは亜硫酸金ナトリウム系めっき液
１１には溶けないから、亜硫酸金ナトリウム系めっき液
１１に接する大部分がテフロンで構成されているめっき
装置により、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得る
ことが可能である。Since Teflon does not dissolve in the sodium gold sulfite plating solution 11, uniform plating film thickness and plating film composition can be obtained by a plating apparatus in which most of the contact with the sodium gold sulfite plating solution 11 is made of Teflon. It is possible to get.
【００１１】実施例は噴流型めっき装置を示し、めっき
槽１にはめっき液１１が噴流として供給される。そのた
めの具体的構成として、アノード電極装置２はめっき槽
１の下側に配置され、カソード電極装置３は上側に配置
されている。アノード電極装置２はめっき液供給路１２
を有しており、めっき液１１はめっき液供給路１２を通
して噴流となる。カソード電極装置３は、カソード電極
３１及び被めっき物４がめっき液１１の噴流内に位置す
るように取り付けられている。The embodiment shows a jet plating apparatus in which a plating solution 11 is supplied to a plating tank 1 as a jet. As a specific configuration therefor, the anode electrode device 2 is arranged below the plating tank 1 and the cathode electrode device 3 is arranged above. The anode electrode device 2 has a plating solution supply path 12
And the plating solution 11 becomes a jet through the plating solution supply path 12. The cathode electrode device 3 is mounted such that the cathode electrode 31 and the object to be plated 4 are located in the jet of the plating solution 11.
【００１２】アノード電極装置２はアノード電極板２１
を含む。参照符号２２は電極支持装置である。アノード
電極板２１はめっき液供給路１２を横断するように配置
される。アノード電極板２１は、中心部付近に、めっき
液供給路１２の孔径に対応する大きな中心孔２３を有す
るとともに、その回りに多数の小孔２４を有する。図示
実施例では、中心孔２３の孔径は、めっき液供給路１２
の孔径よりも少し大きくなっている。 The anode electrode device 2 includes an anode electrode plate 21
including. Reference numeral 22 denotes an electrode support device. The anode electrode plate 21 is disposed so as to cross the plating solution supply path 12. The anode electrode plate 21 is plated near the center.
It has a large central hole 23 corresponding to the hole diameter of the liquid supply passage 12 and a number of small holes 24 around it. Illustrated
In the embodiment, the diameter of the center hole 23 is determined by the plating solution supply path 12.
Slightly larger than the hole diameter.
【００１３】めっき槽１はめっき液１１が噴流として供
給されるものであり、カソード電極装置３はめっき液１
１の噴流内に位置するようにめっき槽１に取り付けられ
ており、アノード電極板２１は多数の小孔がめっき液の
流通路を構成し、カソード電極装置３と対向するよう
に、めっき槽１内に配置されているから、各種電子部品
用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等のめ
っきに有効な噴流型のめっき装置が得られる。The plating tank 1 is supplied with the plating solution 11 as a jet, and the cathode electrode device 3 is provided with the plating solution 1.
1 is installed in the plating bath 1 so as to be located within the jet stream, and the anode electrode plate 21 is configured such that a large number of small holes form a flow path of the plating solution and face the cathode electrode device 3. Thus, a jet-type plating apparatus effective for plating various electronic component substrates, IC wafers, thin-film magnetic head wafers, and the like can be obtained.
【００１４】アノード電極装置２は、アノード電極板２
１が、中心部付近に、めっき液供給路１２の孔径に対応
する大径の中心孔２３を有するから、最も流動障害が大
きくなる中心部分で流動障害が除去される。このため、
均一なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能に
なる。The anode electrode device 2 includes an anode electrode plate 2
1 corresponds to the hole diameter of the plating solution supply path 12 near the center
Because of the large diameter central hole 23, the flow obstruction is removed at the central portion where the flow obstruction is greatest. For this reason,
It is possible to obtain a uniform plating film thickness and plating film composition.
【００１５】小孔２４を形成する格子２５は、断面がめ
っき液の流れ方向ａに取られた対称軸に関して線対称性
を有することが望ましい。具体的には、格子２５の断面
形状が円形状、矩形状、三角形状が考えられる。この他
にも種々の断面形状が考えられる。このような構成であ
ると、めっき液の流れに偏りがなくなり、実質的にアノ
ード電極板２１の主面に対して直交する方向に流れるよ
うになる。このため、より一層、均一なめっき膜厚及び
めっき膜組成を得ることが可能になる。It is desirable that the grid 25 forming the small holes 24 has a line symmetry with respect to a symmetry axis whose cross section is taken in the plating solution flow direction a. Specifically, a circular, rectangular, or triangular cross section of the lattice 25 can be considered. Various other cross-sectional shapes are also conceivable. With such a configuration, the flow of the plating solution is not biased, and flows substantially perpendicular to the main surface of the anode electrode plate 21. For this reason, a more uniform plating film thickness and plating film composition can be obtained.
【００１６】電極支持装置２２は全体として筒状であっ
て、めっき槽１の底部に一体的に取りつけられており、
その軸方向の中間部において、アノード電極板２１を電
気絶縁して支持している。アノード電極板２１はリード
配線２７１によって端子２６に導かれている。２７はリ
ード配線２７１をめっき液１１から保護する配管であ
る。The electrode support device 22 has a cylindrical shape as a whole and is integrally attached to the bottom of the plating tank 1.
An anode electrode plate 21 is electrically insulated and supported at an intermediate portion in the axial direction. The anode electrode plate 21 is guided to a terminal 26 by a lead wire 271. 27 is a pipe for protecting the lead wiring 271 from the plating solution 11.
【００１７】カソード電極装置３は、めっき槽１の槽内
１０においてアノード電極装置２と対向するようにめっ
き槽１に取り付けられている。カソード電極装置３は、
リング状カソード電極３１と、押え部材３２と、ケース
部材３３とを含んでいる。カソード電極３１は被めっき
物４の外周縁を受け、押え部材３２は被めっき物４をカ
ソード電極３１に押付けている。ケース部材３３はカソ
ード電極３１及び被めっき物４の後方に、閉じられた空
間３４を形成している。また、ケース部材３３は空間３
４に連なる気体導入路３５及び気体排出路３７１を有す
る。気体導入路３５を通して導入される気体は、空気や
窒素などである。３６はカソード電極３１に導通する端
子である。The cathode electrode device 3 is attached to the plating tank 1 so as to oppose the anode electrode device 2 in the plating tank 10. The cathode electrode device 3 includes:
It includes a ring-shaped cathode electrode 31, a pressing member 32, and a case member 33. The cathode electrode 31 receives the outer peripheral edge of the plating object 4, and the pressing member 32 presses the plating object 4 against the cathode electrode 31. The case member 33 forms a closed space 34 behind the cathode electrode 31 and the object 4 to be plated. The case member 33 is provided in the space 3.
4 and a gas introduction path 35 and a gas discharge path 371 which are continuous with each other. The gas introduced through the gas introduction path 35 is air, nitrogen, or the like. Reference numeral 36 denotes a terminal that conducts to the cathode electrode 31.
【００１８】上述のような具体例において、めっき槽
１、供給路１２、回収路１３、アノード電極装置２のア
ノード電極２１を除く部分及びカソード電極装置３のカ
ソード電極３１を除く部分の接液部はテフロンで構成さ
れている。アノード電極２１及びカソード電極３１の接
液面は、テフロンコーテイングすることが望ましい。配
管２７も外周面にテフロンコーティングしたものを用い
るのが望ましい。In the specific example described above, the liquid contact portion of the plating tank 1, the supply path 12, the recovery path 13, the portion of the anode electrode device 2 except for the anode electrode 21 and the portion of the cathode electrode device 3 except for the cathode electrode 31. Is composed of Teflon. The liquid contact surfaces of the anode electrode 21 and the cathode electrode 31 are desirably coated with Teflon. It is desirable that the pipe 27 also be one whose outer peripheral surface is coated with Teflon.
【００１９】被めっき物４は、各種電子部品用基板、Ｉ
Ｃ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエハ等であり、めっき
液１１と接する下面４１がめっき付着面となっており、
空間３４側に位置する背面４２はめっきを必要としない
面となっている。背面４２に押え部材３２からの押し付
け力が加わり、その押し付け力により、めっき付着面と
なる下面４１の外周縁がカソード電極３１に接触し導通
する。従って、押え部材３２の押付け力によって被めっ
き物４をカソード電極３１に接触させることができ、各
種電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウ
エハ等にめっきを施すのに好適なめっき装置が得られ
る。The object to be plated 4 is a substrate for various electronic parts,
C, wafer for thin-film magnetic head, etc., and the lower surface 41 in contact with the plating solution 11 is a plating adhesion surface,
The back surface 42 located on the space 34 side does not require plating. The pressing force from the pressing member 32 is applied to the back surface 42, and the pressing force causes the outer peripheral edge of the lower surface 41, which is the plating attachment surface, to contact the cathode electrode 31 and conduct. Therefore, the object to be plated 4 can be brought into contact with the cathode electrode 31 by the pressing force of the pressing member 32, and a plating apparatus suitable for plating various electronic component substrates, IC wafers, thin film magnetic head wafers, and the like. Is obtained.
【００２０】ケース部材３３は、カソード電極３１及び
被めっき物４の後方に閉じられた空間３４を形成すると
共に、空間３４に連なる気体導入路３５を有している。
従って、気体導入路３５を通して空間３４内に導入され
た気体の圧力により、空間３４内へのめっき液１１の漏
れを阻止できる。このため、被めっき物４の下面４１と
カソード電極３１との接触界面からの液漏れがなくな
り、被めっき物４の背面４２側にめっきが付着すること
がない。空間３４内の圧力は気体排出路３７１の直径ま
たは弁３７の調整によって適正な値に調整できる。The case member 33 forms a closed space 34 behind the cathode electrode 31 and the object 4 to be plated, and has a gas introduction passage 35 connected to the space 34.
Therefore, the leakage of the plating solution 11 into the space 34 can be prevented by the pressure of the gas introduced into the space 34 through the gas introduction passage 35. Therefore, there is no liquid leakage from the contact interface between the lower surface 41 of the plated object 4 and the cathode electrode 31, and the plating does not adhere to the back surface 42 of the plated object 4. The pressure in the space 34 can be adjusted to an appropriate value by adjusting the diameter of the gas discharge path 371 or the valve 37.
【００２１】図示の押え部材３２は棒状であって、ケー
ス部材３３にねじ止めなどの手段によって取りつけら
れ、先端が空間３４を通して被めっき物４の背面４２に
接触し、被めっき物４をカソード電極３１に押付けてい
る。The pressing member 32 shown in the figure has a rod shape, and is attached to the case member 33 by means of screws or the like. 31.
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果が得られる。 （ａ）めっき槽、アノード電極装置及びカソード電極装
置において、亜硫酸金ナトリウム系めっき液に接する大
部分がテフロンで構成されているから、めっき液への有
機物混入を防止し、均一なめっき膜厚及びめっき膜組成
が得られるめっき装置を提供することができる。 （ｂ）アノード電極装置のアノード電極板は、多数の小
孔がめっき液の流通路を構成し、カソード電極装置と対
向するように、めっき槽内に配置されているから、各種
電子部品用基板、ＩＣ用ウエハ、薄膜磁気ヘッド用ウエ
ハ等のめっきに有効なめっき装置が得られる。 （ｃ）アノード電極装置は、アノード電極板が中心部付
近に大径の中心孔を有するから、最も流動障害が大きく
なる中心部分で流動障害が除去される。このため、均一
なめっき膜厚及びめっき膜組成を得ることが可能にな
る。As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (A) In the plating tank, the anode electrode device and the cathode electrode device, most of the contact with the gold sodium sulfite-based plating solution is made of Teflon, so that the entry of organic substances into the plating solution is prevented, and the uniform plating film thickness and A plating apparatus capable of obtaining a plating film composition can be provided. (B) Since the anode electrode plate of the anode electrode device has a number of small holes constituting a flow path of the plating solution and is arranged in the plating tank so as to face the cathode electrode device, various kinds of substrates for electronic components are provided. And a plating apparatus effective for plating IC wafers, thin-film magnetic head wafers, and the like. (C) In the anode electrode device, since the anode electrode plate has a large-diameter central hole near the center, the flow obstruction is removed at the central portion where the flow obstruction is greatest. Therefore, it is possible to obtain a uniform plating film thickness and plating film composition.
【図１】本発明に係るめっき装置の概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a plating apparatus according to the present invention.
１ めっき槽 １１ めっき液 ２ アノード電極装置 ２１ アノード電極板 ３ カソード電極装置 ３１ カソード電極 ４ 被めっき物 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Plating tank 11 Plating solution 2 Anode electrode device 21 Anode electrode plate 3 Cathode electrode device 31 Cathode electrode 4 Plated object
Claims (1)
ード電極装置とを含むめっき装置であって、 前記めっき槽は、めっき液に接する大部分がテフロンで
構成されており、 前記アノード電極装置は、電極支持装置と、アノード電
極板とを含み、前記めっき液に接する大部分がテフロン
で構成されており、 前記電極支持装置は、全体として筒状であって、内部に
めっき液供給路を有し、前記めっき槽に一体的に取りつ
けられており、 前記アノード電極板は、中心部付近に、前記めっき液供
給路の孔径に対応する大径の中心孔を有するとともに、
その回りに多数の小孔を有し、前記めっき液供給路を横
断するように配置されており、 前記カソード電極装置は、前記めっき槽の槽内において
前記アノード電極装置と対向するように前記めっき槽に
取り付けられ、前記めっき液に接する大部分がテフロン
で構成されているめっき装置。1. A plating apparatus including a plating tank, an anode electrode device, and a cathode electrode device, wherein the plating tank is mostly made of Teflon in contact with a plating solution. , The electrode supporting device and the anode electrode plate, most of which is in contact with the plating solution is made of Teflon. The electrode supporting device is generally cylindrical and has a plating solution supply passage therein. The anode electrode plate is provided integrally with the plating tank, and the plating solution
With a large central hole corresponding to the hole diameter of the feed path ,
It has a number of small holes around it and is arranged so as to cross the plating solution supply path, and the cathode electrode device is arranged such that the plating is performed so as to face the anode electrode device in the plating tank. A plating apparatus which is attached to a tank and is mostly made of Teflon in contact with the plating solution.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35332792A JP3187579B2 (en) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | Plating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35332792A JP3187579B2 (en) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | Plating equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06179998A JPH06179998A (en) | 1994-06-28 |
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| JP35332792A Expired - Fee Related JP3187579B2 (en) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | Plating equipment |
Country Status (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100418816B1 (en) * | 2001-03-17 | 2004-02-19 | 정을연 | A device of a gold plating for a lead frame |
| KR101038793B1 (en) * | 2008-08-26 | 2011-06-03 | 주식회사 포스코 | PALLADIUMPd COATING ELECTROLYTE SOLUTION FOR HYDROGEN DELAYED FRACTURE QUALITY EVALUATION OF HIGH STRENGTH STEEL, METHOD FOR Pd COATING USING THE SAME AND PLATING BATH |
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1992
- 1992-12-11 JP JP35332792A patent/JP3187579B2/en not_active Expired - Fee Related
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