KR101451483B1

KR101451483B1 - Electro Plating Device

Info

Publication number: KR101451483B1
Application number: KR1020120156867A
Authority: KR
Inventors: 한봉환
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2012-12-28
Filing date: 2012-12-28
Publication date: 2014-10-15
Also published as: JP5822212B2; KR20140086418A; JP2014129591A

Abstract

본 발명은 전해도금 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 아노드와 캐소드 사이의 극간거리를 축소시켜 도금두께 편차를 개선할 수 있도록 한 전행동도금 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 지그와 기판이 고정된 캐소드; 상기 캐소드에 고정된 기판으로 도금액을 분사하는 노즐파이프; 상기 노즐파이프가 끼워지는 끼움홀이 형성되며, 상기 끼움홀의 양측으로 아노드 삽입부가 형성된 아노드케이스; 상기 아노드케이스의 아노드 삽입부에 끼워지는 아노드; 그리고 상기 아노드 삽입부에 밀착설치되어 상기 아노드로부터 발생되는 수소가스를 차단하는 격막; 을 포함할 수 있다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroplating apparatus, and more particularly, to a pre-acting plating apparatus capable of reducing a gap between an anode and a cathode to improve a plating thickness deviation.
According to the present invention, there is provided a plasma display panel comprising: a cathode on which a jig and a substrate are fixed; A nozzle pipe for spraying the plating liquid onto the substrate fixed to the cathode; An anode case having an insertion hole into which the nozzle pipe is inserted and an anode insertion portion formed on both sides of the insertion hole; An anode fitted to the anode insertion portion of the anode case; And a diaphragm closely attached to the anode insertion portion to block hydrogen gas generated from the anode; . &Lt; / RTI >

Description

[0001] Electroplating Device [0002]

본 발명은 전해도금 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 아노드와 캐소드 사이의 극간거리를 축소시켜 도금두께 편차를 개선할 수 있도록 한 전행동도금 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electroplating apparatus, and more particularly, to a pre-acting plating apparatus capable of reducing a gap between an anode and a cathode to improve a plating thickness deviation.

일반적으로, TAB(Tape Automated Bonding)나 플립 칩에서는, 배선이 형성된 반도체칩의 표면의 기설정된 부분(전극)에 금, 구리, 땜납, 또는 니켈, 나아가 이들을 다층으로 적층한 돌기형상 접속 전극을 형성하고, 이 전극을 거쳐 패키지의 전극이나 TAB 전극과 전기적으로 접속하는 것이 널리 행하여지고 있다. Generally, in TAB (Tape Automated Bonding) or flip chip, a protruding connection electrode formed by laminating multiple layers of gold, copper, solder, or nickel on a predetermined portion (electrode) of a surface of a semiconductor chip on which wiring is formed And electrically connected to the electrode of the package or the TAB electrode via the electrode.

이 전극 형성방법으로서는, 전기도금법, 증착법, 인쇄법, 볼 범프법이라는 여러가지 방법이 있으나, 반도체칩의 I/O 수의 증가, 피치의 미세화에 따라 미세화 가능하고 성능이 비교적 안정되어 있는 전기도금법이 많이 사용되고 있다.There are various methods such as electroplating, vapor deposition, printing, and ball bump. Electroplating methods in which the number of I / Os of the semiconductor chip is increased and the pitch is finer and the performance is relatively stable It is widely used.

전기도금법에 의하면, 고순도의 금속막(도금막)이 용이하게 얻어지고, 또한 금속막의 성막속도가 비교적 빠를 뿐만 아니라, 금속막의 두께의 제어도 비교적 용이하게 행할 수 있다. According to the electroplating method, a metal film (plating film) of high purity can be easily obtained, and the deposition rate of the metal film is comparatively fast, and the thickness of the metal film can be controlled relatively easily.

또한, 반도체 웨이퍼상에 대한 금속막 형성에서, 고밀도 실장, 고성능화 및 높은 수율을 추구하기 때문에, 막 두께의 면내 균일성도 엄격하게 요구되고 있다. Further, in the formation of a metal film on a semiconductor wafer, in order to achieve high-density packaging, high performance, and high yield, uniformity in film thickness is also strictly demanded.

전기도금에 의하면, 도금액의 금속이온 공급 속도 분포나 전위 분포를 균일하게 함으로써, 막 두께의 면내 균일성이 우수한 금속막을 얻을 수 있다고 기대되고 있다.According to the electroplating, it is expected that a metal film excellent in the in-plane uniformity of the film thickness can be obtained by uniformizing the metal ion supply speed distribution and potential distribution of the plating liquid.

이른바 딥 방식을 채용한 도금장치로서, 내부에 도금액을 보유하는 도금조를 가지고, 도금조의 내부에, 기판 홀더에 둘레 가장자리부를 수밀적으로 밀봉하여 유지한 기판(피도금체)과 아노드 홀더에 유지한 아노드를 서로 대향시켜 수직으로 배치하고, 아노드와 기판과의 사이에 위치하도록 중앙에 구멍이 형성된 유전체로 이루어지는 조정판(레귤레이션 플레이트)을 배치하고, 또한 조정판과 기판과의 사이에 도금액을 교반하는 패들이 배치된 것이 알려져 있다A plating apparatus employing a so-called dipping method is provided. The plating apparatus has a plating tank having a plating liquid therein. The substrate (plated body) is held in the plating vessel by watertight sealing of the peripheral edge of the substrate holder, (Regulating plate) made of a dielectric having a hole formed at its center so as to be positioned between the anode and the substrate, and a plating liquid is supplied between the regulating plate and the substrate It is known that stirring paddles are arranged

종래 전해도금 장치는 도금조 내에 도금액을 수용하여, 아노드, 기판 및 조정판을 도금액 중에 침지시키고, 동시에 도선을 거쳐 아노드를 도금 전원의 양극에, 기판을 캐소드의 음극에 각각 접속하고, 아노드와 기판과의 사이에 기설정된 도금 전압을 인가함으로써, 기판의 표면에 금속이 석출되어 금속막(도금막)이 형성된다.Conventionally, an electrolytic plating apparatus is a plating apparatus in which a plating liquid is received in a plating tank, an anode, a substrate and an adjusting plate are immersed in a plating liquid, and simultaneously an anode is connected to an anode of a plating power source, a substrate is connected to a cathode of a cathode, (Plating film) is formed on the surface of the substrate by depositing a predetermined plating voltage between the substrate and the substrate.

그리고, 도금 시 조정판과 기판과의 사이에 배치된 패들에 의하여 도금액을 교반함으로써 충분한 양의 이온을 기판에 균일하게 공급하여 더욱 균일한 막 두께의 금속막을 형성하도록 하고 있다.Then, a sufficient amount of ions are uniformly supplied to the substrate by stirring the plating liquid by paddles disposed between the regulating plate and the substrate upon plating, thereby forming a metal film with a more uniform film thickness.

그러나, 종래 전해도금 장치는 아노드와 캐소드 사이에 배치된 격막이 불용성 아노드를 사용할 경우 전류가 인가되면 아노드 주변에 수소 가스가 발생하게 되어 도금액 첨가제와의 반응을 통해 첨가제 소모가 급격히 빨라지게 된다. However, in the conventional electroplating apparatus, when the diaphragm disposed between the anode and the cathode uses an insoluble anode, hydrogen gas is generated around the anode when an electric current is applied, so that consumption of the additive is rapidly accelerated through reaction with the plating liquid additive do.

이렇게 도금액 첨가제의 소모가 빨라지게 되면, 기판 표면에 도금 품질 불량이 발생하게 되지만, 현재로서는 아노드 주변에서 발생되는 수소가스를 기판 표면으로 이동되지 않도록 하는 구조가 제안되지 않고 있다. When the consumption of the plating liquid additive is accelerated, a plating quality defect occurs on the surface of the substrate. However, a structure for preventing the hydrogen gas generated around the anode from moving to the substrate surface has not been proposed at present.

또한, 종래 전해도금 장치는 아노드와 캐소드의 극간 거리가 멀어 도금이 진행되는 과정에서 기판 표면에 균일한 도금면이 형성되지 못하여 도금불량이 발생되는 문제점이 있다. In addition, the conventional electroplating apparatus has a problem that a uniform plating surface is not formed on the surface of the substrate during the plating process because the distance between the anode and the cathode is too long to cause plating defects.

즉, 종래 도금장치는 기판이 고정된 캐소드에서 아노드가 소정거리 이격된 위치에 배치되고, 캐소드와 아노드 사이에 도금액을 분사하는 노즐파이프가 설치되어 있어 아노드를 캐소드와 인접하게 배치하는데 한계가 있다. That is, the conventional plating apparatus is provided with a nozzle pipe disposed at a position where an anode is spaced apart from the cathode at a fixed distance by a predetermined distance and spraying a plating liquid between the cathode and the anode, .

따라서, 이러한 한계성으로 인해 도금 두께 편차를 효과적으로 개선하지 못하고 있는 실정이다.Therefore, the plating thickness deviation can not be effectively improved due to such limitations.

인용문헌: 대한민국특허공개 제 2009-0058466호Cited Literature: Korean Patent Publication No. 2009-0058466

본 발명은 상기와 같은 문제점을 감안하여 안출된 것으로, 아노드와 캐소드의 극간거리를 최소화시켜 도금두께 편차를 개선할 수 있도록 한 전해동도금 장치를 제공하는데 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an electrolytic copper plating apparatus capable of minimizing a gap between an anode and a cathode to improve a variation in plating thickness.

본 발명의 다른 목적은, 도금이 진행되는 과정에서 발생되는 수소 가스가 기판 표면을 향하여 이동되지 않도록 함으로써 수소 가스에 의한 산포 발생을 억제시켜 도금 불량을 예방할 수 있도록 하는데 있다. It is another object of the present invention to prevent the hydrogen gas generated in the process of plating from moving toward the surface of the substrate, thereby preventing occurrence of scattering due to hydrogen gas, thereby preventing plating defects.

이와 같은 목적을 효과적으로 달성하기 위해 본 발명은, 지그와 기판이 고정된 캐소드; 상기 캐소드에 고정된 기판으로 도금액을 분사하는 노즐파이프; 상기 노즐파이프가 끼워지는 끼움홀이 형성되며, 상기 끼움홀의 양측으로 아노드 삽입부가 형성된 아노드케이스; 상기 아노드케이스의 아노드 삽입부에 끼워지는 아노드; 그리고 상기 아노드 삽입부에 밀착설치되어 상기 아노드로부터 발생되는 수소가스를 차단하는 격막; 을 포함할 수 있다. In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus comprising: a cathode to which a jig and a substrate are fixed; A nozzle pipe for spraying the plating liquid onto the substrate fixed to the cathode; An anode case having an insertion hole into which the nozzle pipe is inserted and an anode insertion portion formed on both sides of the insertion hole; An anode fitted to the anode insertion portion of the anode case; And a diaphragm closely attached to the anode insertion portion to block hydrogen gas generated from the anode; . &Lt; / RTI >

상기 아노드 삽입부는 삽입된 아노드의 전면이 노출되도록 개구부가 형성될 수 있으며, 상기 개구부는 아노드 삽입부의 길이방향을 따라 연속적으로 형성된 다수개의 통공으로 구성될 수 있다. The anode insert part may be formed with an opening to expose the front surface of the inserted anode, and the opening part may include a plurality of through holes continuously formed along the longitudinal direction of the anode insert part.

또한 상기 개구부는 아노드 삽입부의 길이방향을 따라 형성된 통공일 수 있다. The opening may be a through hole formed along the longitudinal direction of the anode insertion portion.

그리고, 상기 아노드케이스는 상부가 개구되며, 개구된 상부를 통해 아노드에서 발생된 가스가 배출되도록 구성될 수 있다. In addition, the anode case may be configured such that the upper portion thereof is opened, and the gas generated from the anode is discharged through the opened upper portion.

또한 상기 격막은 아노드에서 발생되는 전압이 통과하도록 미세통공이 형성될 수 있으며, 상기 격막은 격막 고정블럭을 통해 상기 아노드 삽입부와 밀착될 수 있다. 상기 격막 고정블럭은 중앙부위에 관통홀이 형성될 수 있다. In addition, the diaphragm may be formed with fine holes to allow a voltage generated at the anode to pass therethrough, and the diaphragm may be in close contact with the anode insertion portion through the diaphragm fixing block. The diaphragm fixing block may have a through hole at a central portion thereof.

또한 상기 격막은 아노드삽입부에 각각 밀착되도록 분할 구성될 수 있다. Further, the diaphragm may be divided and arranged to be in close contact with the respective anode insertion portions.

본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치는 아노드와 캐소드의 극간거리를 최소화시켜 도금두께 편차를 개선할 수 있게 됨에 따라, 기판 표면에 균일한 도금두께를 형성하여 도금불량을 방지할 수 있는 효과가 있다. The electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention minimizes the distance between the anode and the cathode to improve the variation in the thickness of the plating layer, thereby achieving a uniform plating thickness on the surface of the substrate, .

또한 도금이 진행되는 과정에서 발생되는 수소 가스가 기판 표면을 향하여 이동되지 않도록 함으로써 수소 가스에 의한 산포 발생을 억제시켜 도금 불량을 예방할 수 있는 효과가 있다. Also, since the hydrogen gas generated in the process of plating is prevented from moving toward the surface of the substrate, the occurrence of scattering due to the hydrogen gas can be suppressed and the plating defect can be prevented.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 구성요소 중 아노드와 노즐 파이프의 배치 상태를 보인 분해사시도.
도 2는 도 1이 결합된 상태를 보인 부분 단면도.
도 3은 도 1이 결합된 후 전해도금 장치에 병렬 배치된 상태를 보인 예시도.
조 4는 본 발명의 실시예에 따른 아노드와 캐소드의 극간 거리 축소를 통해 도금된 상태를 보인 시뮬레이션 결과도.1 is an exploded perspective view showing an arrangement state of an anode and a nozzle pipe among constituent elements of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a partial cross-sectional view showing the state in which FIG. 1 is coupled. FIG.
FIG. 3 is an exemplary view showing a state in which the electrolytic plating apparatus is arranged in parallel after FIG. 1 is combined; FIG.
4 is a simulation result showing a plated state by reducing the distance between the anode and the cathode according to the embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 구성요소 중 아노드와 노즐 파이프의 배치 상태를 보인 분해사시도이고, 도 2는 도 1이 결합된 상태를 보인 부분 단면도이며, 도 3은 도 1이 결합된 후 전해도금 장치에 병렬 배치된 상태를 보인 예시도이고, 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 아노드와 캐소드의 극간 거리 축소를 통해 도금된 상태를 보인 시뮬레이션 결과도이다.FIG. 1 is an exploded perspective view showing an arrangement state of an anode and a nozzle pipe among constituent elements of an electroplating apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a partial cross- FIG. 4 is a simulation result showing a plated state by reducing the distance between the anode and the cathode according to the embodiment of the present invention. FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치(100)는 도금조(80) 내에 침지되는 기판(20)과 지그(미도시)가 고정된 캐소드(10)와 캐소드(10)에 고정된 기판(20) 표면으로 도금액을 분사하는 노즐파이프(30)와 노즐파이프(30)가 끼워지며 아노드 삽입부(44)가 구성된 아노드케이스(40)와 아노드 삽입부(44)에 끼워지는 아노드(50)와 아노드 삽입부(44)에 밀착 설치되는 격막(60)을 포함할 수 있다. The electroplating apparatus 100 according to the embodiment of the present invention includes a substrate 20 immersed in a plating tank 80 and a cathode 10 to which a jig (not shown) is fixed and a cathode 10 A nozzle pipe 30 for injecting a plating liquid onto the surface of the fixed substrate 20 and a nozzle pipe 30 are fitted to the anode case 40 and the anode insertion unit 44, And a diaphragm 60 closely attached to the anode 50 and the anode insertion portion 44 to be fitted.

캐소드(10)는 음의 전압을 인가받아 도금반응을 일으키며, 선단에 기판(20)과 지그(미도시)가 설치되어 있다. 기판(20)과 지그는 캐소드(10)의 양측에 각각 설치될 수 있다. 즉, 기판(20)과 지그는 캐소드(10)를 중심으로 양측에 설치될 수 있으며, 캐소드(10)의 설치 수량에 따라 각각 대응하며 설치될 수 있다. The cathode 10 receives a negative voltage to cause a plating reaction, and a substrate 20 and a jig (not shown) are provided at the tip. The substrate 20 and the jig may be provided on both sides of the cathode 10, respectively. That is, the substrate 20 and the jig may be installed on both sides of the cathode 10, and may be installed corresponding to the number of the cathodes 10 installed.

캐소드(10)와 소정거리 이격된 위치에는 캐소드(10)와 아노드(50)와의 극간거리를 최소화시킬 수 있으면서 기판(20) 표면에 균일한 도금 분포가 이루어질 수 있도록 노즐파이프(30) 및 아노드(50)가 설치될 수 있다.The distance between the cathode 10 and the anode 50 can be minimized at a position spaced apart from the cathode 10 by a predetermined distance and the distance between the cathode pipe 10 and the anode 50 can be minimized, A node 50 may be installed.

노즐파이프(30)는 다수의 노즐(32)이 파이프(34)에 소정간격 이격된 상태로 연결된 것으로, 파이프(34)의 선단은 차단되어 있으며 반대편은 도금액이 파이프(34)에 공급될 수 있도록 개구되어 있다. The nozzle pipe 30 is connected such that a plurality of nozzles 32 are spaced apart from the pipe 34 by a predetermined distance so that the tip of the pipe 34 is blocked and the plating liquid is supplied to the pipe 34 on the opposite side And is opened.

이러한 노즐파이프(30)는 아노드케이스(40)에 끼워진 상태에서 도금액을 기판(20)을 향해 분사하게 된다. The nozzle pipe 30 is sprayed toward the substrate 20 while being sandwiched between the anode case 40 and the anode case 40.

아노드케이스(40)에는 노즐파이프(30)가 결합되는 끼움홀(42)과, 끼움홀(42)의 양측으로 아노드 삽입부(44)가 형성되어 있다. The anode case 40 is formed with a fitting hole 42 in which the nozzle pipe 30 is engaged and an anode insertion portion 44 on both sides of the fitting hole 42.

끼움홀(42)은 노즐(32)만이 끼워지도록 노즐(32)의 외경과 대응하는 크기로 천공되거나 노즐파이프(30) 전체가 끼워질 수 있는 크기로 형성될 수 있다. The fitting hole 42 may be formed to have a size corresponding to the outer diameter of the nozzle 32 so that only the nozzle 32 is fitted or a size that allows the entire nozzle pipe 30 to be fitted.

끼움홀(42)의 양측에 형성된 아노드 삽입부(44)는 상부가 개구된 박스형으로 구성될 수 있으며, 전면에 개구부(44a)가 형성될 수 있다. The anode insertion portions 44 formed on both sides of the fitting hole 42 may be formed in a box shape having an open top, and an opening 44a may be formed in the front surface.

개구부(44a)는 도면에는 도시하지 않았지만 아노드 삽입부(44)의 길이방향을 따라 소정간격 이격된 상태로 천공된 다수의 통공으로 구성될 수 있다. The opening 44a may be formed of a plurality of through holes that are spaced apart from each other by a predetermined distance along the longitudinal direction of the anode insertion portion 44 (not shown).

또한 개구부(44a)는 아노드 삽입부(44)의 길이방향을 따라 천공된 통공으로 구성될 수 있다.Further, the opening 44a may be formed as a through hole perforated along the longitudinal direction of the anode insertion portion 44. [

개구부(44a)의 형상은 아노드 삽입부(44)에 결합되는 아노드(50)의 크기와 모양 또는 아노드 삽입부(44)의 설계 사항에 따라 선택적으로 달라질 수 있다. The shape of the opening 44a may be selectively changed according to the size and shape of the anode 50 coupled to the anode insertion unit 44 or the design of the anode insertion unit 44. [

또한 아노드 삽입부(44)에는 양의 전압을 인가받아 도금 반응을 일으키는 아노드(50)가 삽입된다. 아노드(50)는 아노드 삽입부(44)의 개구된 상부를 통해 끼워진다.In addition, the anode insertion portion 44 is inserted with an anode 50 which receives a positive voltage and causes a plating reaction. The anode 50 is fitted through the open top of the anode insert 44.

그리고, 아노드 삽입부(44)의 전면에는 아노드(50)와 캐소드(10) 사이의 화학 반응에 따라 발생되는 수소가스를 차단하도록 격막(60)이 밀착 설치된다. The diaphragm 60 is closely attached to the front surface of the anode insert part 44 so as to block the hydrogen gas generated by the chemical reaction between the anode 50 and the cathode 10.

격막(60)은 수소가스는 차단하면서 아노드(50)로부터 발생되는 전류의 흐름을 차단하지 않는 미세통공(62)이 형성될 수 있다. 격막(60)은 그 두께가 얇은 소재로서 제조될 수 있으며, 각각의 아노드 삽입부(44)에 밀착되도록 각각 분할구성될 수 있다. The diaphragm 60 may be formed with a micro-aperture 62 that does not block the flow of current generated from the anode 50 while blocking hydrogen gas. The diaphragm 60 may be manufactured as a thin material, and may be separately formed so as to be in close contact with the respective anode insert portions 44.

이러한 격막(60)은 격막 고정블럭(70)을 통해 아노드 삽입부(44)의 전면에 밀착될 수 있다. 격막 고정블럭(70)은 중앙부위에 관통홀(72)이 형성되어 있어서, 아노드(50)의 전류 흐름을 간섭하지 않게 된다. The diaphragm 60 may be in close contact with the front surface of the anode insertion portion 44 through the diaphragm fixing block 70. The diaphragm fixing block 70 has a through hole 72 formed at a central portion thereof so as not to interfere with the current flow of the anode 50. [

이와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치의 작용을 설명하면 다음과 같다. The operation of the electrolytic plating apparatus according to the embodiment of the present invention will now be described.

캐소드(10)에 설치된 기판(20) 표면으로 전해도금이 진행될 경우에는 도금액이 노즐파이프의 노즐(32)을 통해 분사되기 시작한다. When the electrolytic plating proceeds on the surface of the substrate 20 provided on the cathode 10, the plating liquid starts to be injected through the nozzle 32 of the nozzle pipe.

이때, 아노드(50)와 캐소드(10)는 전원을 공급받아 도금조(80) 내에서 화학 반응하게 된다. 화학 반응 시 아노드(50)는 전해도금액과의 반응으로 아노드(50)의 표면에서 수소가스를 발생하게 된다. At this time, the anode 50 and the cathode 10 are chemically reacted in the plating tank 80 by receiving power. During the chemical reaction, the anode 50 generates hydrogen gas at the surface of the anode 50 by reaction with the electrolytic solution.

이렇게 발생된 수소가스는 격막(60)을 통해 기판(20)이 위치된 방향으로 이동하지 못하고 아노드 삽입부(44)의 개구된 상부를 통해 배출된다. The generated hydrogen gas can not move in the direction in which the substrate 20 is positioned through the diaphragm 60 and is discharged through the open upper portion of the anode insertion portion 44.

또한 캐소드(10)와 화학 반응하는 아노드(50)의 전류는 미세통공(62)이 형성된 격막을 통과하여 캐소드(10)와 전기적으로 반응하게 된다. In addition, the current of the anode 50, which chemically reacts with the cathode 10, is electrically coupled to the cathode 10 through the diaphragm formed with the micro-holes 62.

따라서, 본 발명의 전해도금 장치는 도금액을 분사하는 노즐파이프(30)의 위치가 기판(20) 표면과 밀접한 거리를 유지할 수 있으면서도 아노드(50)와 캐소드 (10)사이의 극간 거리는 최소화시킬 수 있게 된다. Therefore, the electroplating apparatus of the present invention can minimize the distance between the anode 50 and the cathode 10 while maintaining the position of the nozzle pipe 30 for spraying the plating liquid close to the surface of the substrate 20 .

이에 따라, 아노드(50)와 캐소드(10)는 원할한 전류의 흐름을 가질 수 있으며, 이를 통해 기판(20) 표면에 균일한 도금층을 형성할 수 있게 된다. Accordingly, the anode 50 and the cathode 10 can have a smooth current flow, and a uniform plating layer can be formed on the surface of the substrate 20 through the anode 50 and the cathode 10.

이상에서 본 발명의 실시예에 따른 전해도금 장치에 대해 설명하였으나 본 발명은 이에 한정하지 아니하며 당업자라면 그 응용과 변형이 가능함은 물론이다. Although the electroplating apparatus according to the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto and can be applied and modified by those skilled in the art.

10: 캐소드 20: 기판
30: 노즐파이프 32: 노즐
34: 파이프 40: 아노드케이스
42: 끼움홀 44: 아노드삽입부
44a: 개구부 50: 아노드
60: 격막 62: 미세통공
70: 격막고정블럭 72: 관통홀
80: 도금조 100: 전해도금 장치10: cathode 20: substrate
30: nozzle pipe 32: nozzle
34: pipe 40: anode case
42: insertion hole 44: anode insertion portion
44a: opening 50:
60: diaphragm 62: fine aperture
70: diaphragm fixing block 72: through hole
80: Plating tank 100: Electroplating apparatus

Claims

A cathode to which the jig and the substrate are fixed;
A nozzle pipe for spraying the plating liquid onto the substrate fixed to the cathode;
An anode case having an insertion hole into which the nozzle pipe is inserted and an anode insertion portion formed on both sides of the insertion hole;
An anode fitted to the anode insertion portion of the anode case; And
A diaphragm closely attached to the anode insertion portion to block hydrogen gas generated from the anode; And an electroplating apparatus.

The method according to claim 1,
Wherein the anode inserting portion has an opening to expose a front surface of the inserted anode.

3. The method of claim 2,
Wherein the opening is a plurality of openings continuously formed along the longitudinal direction of the anode insertion portion.

3. The method of claim 2,
Wherein the opening is a through hole formed along a longitudinal direction of the anode insertion portion.

The method according to claim 1,
Wherein the anode case is opened at an upper portion and gas generated at an anode is discharged through an opened upper portion.

The method according to claim 1,
Wherein the diaphragm has a minute through-hole to allow current generated in the anode to pass therethrough.

The method according to claim 1,
Wherein the diaphragm is in intimate contact with the anode insertion portion through a diaphragm fixing block.

8. The method of claim 7,
Wherein the diaphragm fixing block has a through hole formed at a central portion thereof.

The method according to claim 1,
And the diaphragm is configured to be in close contact with the anode insertion portion.