JP3184740B2 - 液晶装置 - Google Patents
液晶装置Info
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- JP3184740B2 JP3184740B2 JP11849795A JP11849795A JP3184740B2 JP 3184740 B2 JP3184740 B2 JP 3184740B2 JP 11849795 A JP11849795 A JP 11849795A JP 11849795 A JP11849795 A JP 11849795A JP 3184740 B2 JP3184740 B2 JP 3184740B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強誘電状態または強誘
電状態及び反強誘電状態の両方を発現するカイラルスメ
クチック液晶を用いた液晶パネル、並びにマトリクス駆
動装置を備えた液晶装置に関する。
電状態及び反強誘電状態の両方を発現するカイラルスメ
クチック液晶を用いた液晶パネル、並びにマトリクス駆
動装置を備えた液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第４９００１３２号公報や同第
４９９７２６４号公報などに記載されたシェブロン構造
のカイラルスメクチック液晶素子では、チルト角を大き
な値に設定することができなかったため、表示装置に適
用した時に、十分な表示輝度を発生させるには、高輝度
光源を必要としていた。米国特許第５３７７０３３号公
報などには、チルト角を大きな値に設定し得るブックシ
ェルフ構造のカイラルスメクチック液晶を開示してい
る。このブックシェルフ構造のカイラルスメクチック液
晶は、降温下で等方相からコレステリック相が発現され
ず、等方相から直ちにスメクチックＡ相を生じるため、
シェブロン構造を形成させる際に用いていた配向制御方
法によっては、均一配向を得ることができない問題点が
あった。ヨーロッパ公開明細書第６３７６２２号公報な
どには、カイラルスメクチック液晶パネルを構成する一
対の基板のうちの一方の基板のみにラビング処理や斜方
蒸着処理などの一軸性配向処理を施し、他方の基板には
一軸性配向特性を持たせないランダム配向処理を施した
一対の基板を用いることによって、均一配向処理状態の
ブックシェルフ構造を実現したカイラルスメクチック液
晶パネルを得たことが明らかなにされている。
４９９７２６４号公報などに記載されたシェブロン構造
のカイラルスメクチック液晶素子では、チルト角を大き
な値に設定することができなかったため、表示装置に適
用した時に、十分な表示輝度を発生させるには、高輝度
光源を必要としていた。米国特許第５３７７０３３号公
報などには、チルト角を大きな値に設定し得るブックシ
ェルフ構造のカイラルスメクチック液晶を開示してい
る。このブックシェルフ構造のカイラルスメクチック液
晶は、降温下で等方相からコレステリック相が発現され
ず、等方相から直ちにスメクチックＡ相を生じるため、
シェブロン構造を形成させる際に用いていた配向制御方
法によっては、均一配向を得ることができない問題点が
あった。ヨーロッパ公開明細書第６３７６２２号公報な
どには、カイラルスメクチック液晶パネルを構成する一
対の基板のうちの一方の基板のみにラビング処理や斜方
蒸着処理などの一軸性配向処理を施し、他方の基板には
一軸性配向特性を持たせないランダム配向処理を施した
一対の基板を用いることによって、均一配向処理状態の
ブックシェルフ構造を実現したカイラルスメクチック液
晶パネルを得たことが明らかなにされている。
【０００３】また、伊藤恵造著の「テレビジョン学会
誌」Ｖｏｌ．４４、Ｎｏ．５、ｐｐ．５３６〜５４３
（１９９０）の「反強誘電性安定化（ＡＦＳ）強誘電性
液晶（ＦＬＣ）における３安定状態間スイッチング」
は、反強誘電状態を発現し、降温下で等方相から直ちに
スメクチックＡ相を生じる温度範囲を有するカイラルス
メクチック液晶に対して、一対の基板のみにポリイミド
ラビングを付与する配向制御方法を適用した時、均一配
向が実現された、と記載している。また、この文献は、
電圧無印加時にシェブロン構造が発現し、電圧印加時に
ブックシェルフ構造が発現されることを明らかにしてい
る。
誌」Ｖｏｌ．４４、Ｎｏ．５、ｐｐ．５３６〜５４３
（１９９０）の「反強誘電性安定化（ＡＦＳ）強誘電性
液晶（ＦＬＣ）における３安定状態間スイッチング」
は、反強誘電状態を発現し、降温下で等方相から直ちに
スメクチックＡ相を生じる温度範囲を有するカイラルス
メクチック液晶に対して、一対の基板のみにポリイミド
ラビングを付与する配向制御方法を適用した時、均一配
向が実現された、と記載している。また、この文献は、
電圧無印加時にシェブロン構造が発現し、電圧印加時に
ブックシェルフ構造が発現されることを明らかにしてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとしている課題】この様な高輝度表
示を可能にするカイラルスメクチック液晶を用いた液晶
パネルは、一対の基板に付与した配向制御構造が非対称
となっていること及び自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ2 以上
のカイラルスメクチック液晶であること等から、マトリ
クス駆動による表示動作中で、複数の安定配向状態を生
じるべきカイラルスメクチック液晶が、経時的に、単一
の配向状態のみが安定配向状態となる様に配向状態を変
化させてしまう現象、所謂「焼付き」現象を生じてしま
うことが判明した。本発明の目的は、上述の「焼付き」
現象を緩和または抑制し得る液晶装置を提供することに
ある。
示を可能にするカイラルスメクチック液晶を用いた液晶
パネルは、一対の基板に付与した配向制御構造が非対称
となっていること及び自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ2 以上
のカイラルスメクチック液晶であること等から、マトリ
クス駆動による表示動作中で、複数の安定配向状態を生
じるべきカイラルスメクチック液晶が、経時的に、単一
の配向状態のみが安定配向状態となる様に配向状態を変
化させてしまう現象、所謂「焼付き」現象を生じてしま
うことが判明した。本発明の目的は、上述の「焼付き」
現象を緩和または抑制し得る液晶装置を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対の基板、
該一対の基板のうちの一方の基板に設けた走査電極と他
方の基板に設けた信号電極とを交差させて画素を構成し
たマトリクス電極及び該一対の基板間に配置したカイラ
ルスメクチック液晶を有する液晶パネルであって、該一
対の基板に互いに相違させた配向処理を施した液晶パネ
ル、並びに走査電極に、順次、走査選択信号を印加させ
て、少なくとも１つの走査電極を選択し、該走査選択信
号と同期させて、信号電極に、電圧ゼロを基準にして、少
なくとも３種の異なる波高値の第１の電圧で構成した第
１の情報信号及び該第１の電圧と逆位相の電圧である第
２の電圧で構成した第２の情報信号からなる情報信号を
選択的に印加する駆動手段を有する液晶装置に特徴があ
る。
該一対の基板のうちの一方の基板に設けた走査電極と他
方の基板に設けた信号電極とを交差させて画素を構成し
たマトリクス電極及び該一対の基板間に配置したカイラ
ルスメクチック液晶を有する液晶パネルであって、該一
対の基板に互いに相違させた配向処理を施した液晶パネ
ル、並びに走査電極に、順次、走査選択信号を印加させ
て、少なくとも１つの走査電極を選択し、該走査選択信
号と同期させて、信号電極に、電圧ゼロを基準にして、少
なくとも３種の異なる波高値の第１の電圧で構成した第
１の情報信号及び該第１の電圧と逆位相の電圧である第
２の電圧で構成した第２の情報信号からなる情報信号を
選択的に印加する駆動手段を有する液晶装置に特徴があ
る。
【０００６】本発明において、走査選択時の走査電極上
の画素が受信した情報信号によって交流電圧が生じ、該
交流電圧の時間平均値が走査非選択時の走査電極への印
加電圧を基準にして零である。
の画素が受信した情報信号によって交流電圧が生じ、該
交流電圧の時間平均値が走査非選択時の走査電極への印
加電圧を基準にして零である。
【０００７】本発明において、前記走査選択信号と同期
して印加させた情報信号が第１の位相、第２の位相及び
第３の位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第
２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値が第１の
位相における電圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相
における電圧ゼロを基準にした波高値との平均値に等し
い波高値である。
して印加させた情報信号が第１の位相、第２の位相及び
第３の位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第
２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値が第１の
位相における電圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相
における電圧ゼロを基準にした波高値との平均値に等し
い波高値である。
【０００８】本発明において、前記走査選択信号と同期
して印加させた情報信号が第１の位相、第２の位相及び
第３の位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第
２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値が第１の
位相における電圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相
における電圧ゼロを基準にした波高値との平均値と同一
の波高値であって、該第２の位相における電圧ゼロを基
準にした波高値と走査選択信号電圧の波高値との合成電
圧がカイラルスメクチック液晶の閾値電圧を越えた電圧
を発生する。
して印加させた情報信号が第１の位相、第２の位相及び
第３の位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第
２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値が第１の
位相における電圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相
における電圧ゼロを基準にした波高値との平均値と同一
の波高値であって、該第２の位相における電圧ゼロを基
準にした波高値と走査選択信号電圧の波高値との合成電
圧がカイラルスメクチック液晶の閾値電圧を越えた電圧
を発生する。
【０００９】
【００１０】
【００１１】本発明において、前記走査選択信号と同期
して印加させた情報信号の時間平均値が前記交流電圧の
時間平均値と走査非選択時の走査電極への印加電圧との
差分（電圧零または直流成分電圧）を基準にして零であ
って、該情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の
位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位
相電圧が第１の位相電圧と第３の位相電圧との平均値と
同一の電圧値であって、該第２の位相電圧と走査選択信
号電圧との合成電圧がカイラルスメクチック液晶の閾値
電圧を越えた電圧を発生し、第２の位相期間をΔＴとし
た時、第１及び第３の位相期間の和がΔＴである。
して印加させた情報信号の時間平均値が前記交流電圧の
時間平均値と走査非選択時の走査電極への印加電圧との
差分（電圧零または直流成分電圧）を基準にして零であ
って、該情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の
位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位
相電圧が第１の位相電圧と第３の位相電圧との平均値と
同一の電圧値であって、該第２の位相電圧と走査選択信
号電圧との合成電圧がカイラルスメクチック液晶の閾値
電圧を越えた電圧を発生し、第２の位相期間をΔＴとし
た時、第１及び第３の位相期間の和がΔＴである。
【００１２】本発明において、前記走査選択信号と同期
して印加させた情報信号の時間平均値が前記交流電圧の
時間平均値と走査非選択時の走査電極への印加電圧との
差分（電圧零または直流成分電圧）を基準にして零であ
って、該情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の
位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位
相電圧が第１の位相電圧と第３の位相電圧との平均値と
同一の電圧値であって、該第２の位相電圧と走査選択信
号電圧との合成電圧がカイラルスメクチック液晶の閾値
電圧を越えた電圧を発生し、第２の位相期間をΔＴとし
た時、第１及び第３の位相期間がそれぞれ１／２・ΔＴ
である。
して印加させた情報信号の時間平均値が前記交流電圧の
時間平均値と走査非選択時の走査電極への印加電圧との
差分（電圧零または直流成分電圧）を基準にして零であ
って、該情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の
位相毎に互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位
相電圧が第１の位相電圧と第３の位相電圧との平均値と
同一の電圧値であって、該第２の位相電圧と走査選択信
号電圧との合成電圧がカイラルスメクチック液晶の閾値
電圧を越えた電圧を発生し、第２の位相期間をΔＴとし
た時、第１及び第３の位相期間がそれぞれ１／２・ΔＴ
である。
【００１３】本発明において、前記一対の基板のうち一
方の基板のみに一軸性配向処理を施し、他方の基板に非
一軸配向処理（例えば、ランダム配向処理）を施した液
晶装置である。
方の基板のみに一軸性配向処理を施し、他方の基板に非
一軸配向処理（例えば、ランダム配向処理）を施した液
晶装置である。
【００１４】本発明において、前記一対の基板が一軸性
配向特性を有し、互いに相違した膜で形成した配向制御
膜を有し、例えば前記膜の一方が有機膜であって、他方
が無機膜で形成されている液晶装置である。
配向特性を有し、互いに相違した膜で形成した配向制御
膜を有し、例えば前記膜の一方が有機膜であって、他方
が無機膜で形成されている液晶装置である。
【００１５】本発明において、前記カイラルスメクチッ
ク液晶が強誘電状態または強誘電状態及び反強誘電状態
の両方を発現する液体である。本発明において、前記カ
イラルスメクチック液晶を構成する液晶成分のうち、少
なくとも１種の液晶成分がフッ素化炭素（例えば、フッ
素化炭素の炭素原子数が２〜１５）末端基を有し、該フ
ッ素化炭素中のうちの少なくとも１つの炭素が完全にフ
ッ素化しているカイラルスメクチック液晶が用いられ
る。
ク液晶が強誘電状態または強誘電状態及び反強誘電状態
の両方を発現する液体である。本発明において、前記カ
イラルスメクチック液晶を構成する液晶成分のうち、少
なくとも１種の液晶成分がフッ素化炭素（例えば、フッ
素化炭素の炭素原子数が２〜１５）末端基を有し、該フ
ッ素化炭素中のうちの少なくとも１つの炭素が完全にフ
ッ素化しているカイラルスメクチック液晶が用いられ
る。
【００１６】以下本発明を図面に従って説明する。
【００１７】
【実施例】本発明で用い得る強誘電状態を発現するカイ
ラルスメクチック液晶としては、少なくとも１種の液晶
成分がフッ素化炭素（例えば、フッ素化炭素の炭素原子
数が２〜１５）末端基を有し、該フッ素化炭素中のうち
少なくとも１つの炭素が完全にフッ素化しているカイラ
ルスメクチック液晶が用いられる。かかる液晶の具体例
として、例えば、米国特許第５３７７０３３号公報に記
載された下記組成物１〜４を挙げることができる。
ラルスメクチック液晶としては、少なくとも１種の液晶
成分がフッ素化炭素（例えば、フッ素化炭素の炭素原子
数が２〜１５）末端基を有し、該フッ素化炭素中のうち
少なくとも１つの炭素が完全にフッ素化しているカイラ
ルスメクチック液晶が用いられる。かかる液晶の具体例
として、例えば、米国特許第５３７７０３３号公報に記
載された下記組成物１〜４を挙げることができる。
【００１８】組成物１ ７６．５％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロ−２−（２−ブトキシエトキシ）エト
キシ）フェニル）−ピリミジン ４．５％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジヒド
ロペルフルオロオクチルオキシ）フェニル）ピリミジン ４．５％ ５−ノニル−２−（４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロオクチルオキシ）フェニル）ピリミジン ４．５％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロオクチルオキシ）フェニル）ピリミジン １０．０％ （Ｓ）−４−（２−クロロ−４−メチルペ
ンタノニルオキシ）フェニル−４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロブトキシ）ベンゾエート。冷却による等方
性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への転位温度はＩ−
ＳｍＡが７３℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が３０℃そしてＳｍ
Ｃ* −Ｋが−１０℃以下であった。
ドロペルフルオロ−２−（２−ブトキシエトキシ）エト
キシ）フェニル）−ピリミジン ４．５％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジヒド
ロペルフルオロオクチルオキシ）フェニル）ピリミジン ４．５％ ５−ノニル−２−（４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロオクチルオキシ）フェニル）ピリミジン ４．５％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロオクチルオキシ）フェニル）ピリミジン １０．０％ （Ｓ）−４−（２−クロロ−４−メチルペ
ンタノニルオキシ）フェニル−４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロブトキシ）ベンゾエート。冷却による等方
性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への転位温度はＩ−
ＳｍＡが７３℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が３０℃そしてＳｍ
Ｃ* −Ｋが−１０℃以下であった。
【００１９】以下、ＳｍＡは、スメクチックＡ相を表
し、ＳｍＣ* はカイラルスメクチックＣ相を表す。
し、ＳｍＣ* はカイラルスメクチックＣ相を表す。
【００２０】組成物２ １２．４４％ ５−ヘキシル−２−（４−（１，１−ジ
ヒドロペルフルオロ−２−（２−ブトキシエトキシ）エ
トキシ）フェニル）−ピリミジン ２０．７４％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジ
ヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミ
ジン ２０．７４％ ５−ノニル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン ２０．７４％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシル）フェニル）ピリミジン ８．３０％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒド
ロペルフルオロブトキシ）フェニル）ピリミジン ７．２１％ （Ｓ）−４−（２−クロロ−４−メチルペ
ンタノイルオキシ）フェニル−４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロプトキシ）ベンゾエート ３．２５％ ２，３−ジシアノ−４−オクチルオキシフ
ェニル−４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシル
オキシ）ベンゾエート ６．５８％ ２，３−ジフルオロ−４−オクチルオキシ
フェニル−４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシ
ルオキシ）ベンゾエート 冷却による等方性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への
転位温度はＩ−ＳｍＡが７８℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が５
９℃そしてＳｍＣ* −Ｋが１２℃であった。
ヒドロペルフルオロ−２−（２−ブトキシエトキシ）エ
トキシ）フェニル）−ピリミジン ２０．７４％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジ
ヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミ
ジン ２０．７４％ ５−ノニル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン ２０．７４％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシル）フェニル）ピリミジン ８．３０％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒド
ロペルフルオロブトキシ）フェニル）ピリミジン ７．２１％ （Ｓ）−４−（２−クロロ−４−メチルペ
ンタノイルオキシ）フェニル−４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロプトキシ）ベンゾエート ３．２５％ ２，３−ジシアノ−４−オクチルオキシフ
ェニル−４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシル
オキシ）ベンゾエート ６．５８％ ２，３−ジフルオロ−４−オクチルオキシ
フェニル−４−（１，１−ジヒドロペルフルオロヘキシ
ルオキシ）ベンゾエート 冷却による等方性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への
転位温度はＩ−ＳｍＡが７８℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が５
９℃そしてＳｍＣ* −Ｋが１２℃であった。
【００２１】組成物３１３．０８％ ５−ヘキシル−２
−（４−（１，１−ジヒドロペルフルオロ−２−（２−
ブトキシエトキシ）エトキシ）フェニル）ピリミジン ２３．００％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジ
ヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミ
ジン ２３．００％ ５−ノニル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン ２３．００％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン ９．２０％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒド
ロペルフルオロブトキシ）フェニル）ピリミジン ８．００％ （Ｓ）−４−（２−クロロ−４−メチルペ
ンタノイルオキシ）フェニル−４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロプトキシ）ベンゾエート 冷却による等方性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への
転位温度はＩ−ＳｍＡが８１℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が５
４℃そしてＳｍＣ* −Ｋが１０℃であった。
−（４−（１，１−ジヒドロペルフルオロ−２−（２−
ブトキシエトキシ）エトキシ）フェニル）ピリミジン ２３．００％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジ
ヒドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミ
ジン ２３．００％ ５−ノニル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン ２３．００％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒ
ドロペルフルオロヘキシルオキシ）フェニル）ピリミジ
ン ９．２０％ ５−デシル−２−（４−（１，１−ジヒド
ロペルフルオロブトキシ）フェニル）ピリミジン ８．００％ （Ｓ）−４−（２−クロロ−４−メチルペ
ンタノイルオキシ）フェニル−４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロプトキシ）ベンゾエート 冷却による等方性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への
転位温度はＩ−ＳｍＡが８１℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が５
４℃そしてＳｍＣ* −Ｋが１０℃であった。
【００２２】組成物４ ９０％ ５−オクチル−２−（４−（１，１−ジヒドロ
ペルフルオロ−２−（２−ブトキシエトキシ）エトキ
シ）フェニル）ピリミジン１０ ％ ５−オクチル−２−（４−（Ｓ）−（２−クロ
ロ−４−メチルペンタノイルオキシ）フェニル）ピリミ
ジン 冷却による等方性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への
転位温度はＩ−ＳｍＡが７６℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が３
０℃そしてＳｍＣ* −Ｋが＜−１０℃であった。
ペルフルオロ−２−（２−ブトキシエトキシ）エトキ
シ）フェニル）ピリミジン１０ ％ ５−オクチル−２−（４−（Ｓ）−（２−クロ
ロ−４−メチルペンタノイルオキシ）フェニル）ピリミ
ジン 冷却による等方性状態（Ｉ）から結晶性状態（Ｋ）への
転位温度はＩ−ＳｍＡが７６℃、ＳｍＡ−ＳｍＣ* が３
０℃そしてＳｍＣ* −Ｋが＜−１０℃であった。
【００２３】本発明で用い得る強誘電状態及び反強誘電
状態の両方を発現するカイラルスメクチック液晶として
は、下記化合物を挙げることができる。
状態の両方を発現するカイラルスメクチック液晶として
は、下記化合物を挙げることができる。
【００２４】
【外１】
【００２５】
【外２】
【００２６】上記表中、Ｃｒｙは、結晶相、ＳｍＸは、
不明相、であり、ＳｍＣA *、ＳｍＣｒ* 及びＳｍＣ*
は、カイラルスメクチックＣ相の状態であって、カイラ
ルスメクチックＣ相で固有に発現する螺旋配列構造が抑
制されて、非螺旋配列状態を生じた時、ＳｍＣA *は、電
圧印加状態下での強誘電状態と電圧無印加状態下での反
強誘電状態とを生じる相であり、ＳｍＣ* は、電圧無印
加状態下で強誘電状態を生じる相であることを表してい
る。また、ＳｍＣｒ*は、不明な相であることを表して
いる。
不明相、であり、ＳｍＣA *、ＳｍＣｒ* 及びＳｍＣ*
は、カイラルスメクチックＣ相の状態であって、カイラ
ルスメクチックＣ相で固有に発現する螺旋配列構造が抑
制されて、非螺旋配列状態を生じた時、ＳｍＣA *は、電
圧印加状態下での強誘電状態と電圧無印加状態下での反
強誘電状態とを生じる相であり、ＳｍＣ* は、電圧無印
加状態下で強誘電状態を生じる相であることを表してい
る。また、ＳｍＣｒ*は、不明な相であることを表して
いる。
【００２７】本発明で用いる反強誘電性を発現された液
晶素子の具体例として、米国特許第５０４６８２３号公
報、特開平６−９５６２４号公報、同６−２０２０７８
号公報や同６−２０２０８２号公報などに記載されたも
のを挙げることができる。
晶素子の具体例として、米国特許第５０４６８２３号公
報、特開平６−９５６２４号公報、同６−２０２０７８
号公報や同６−２０２０８２号公報などに記載されたも
のを挙げることができる。
【００２８】図１は、本発明で用いた液晶パネルの断面
図である。１１ａ及び１１ｂは、クロスニコルの一対の
偏光子である。１２ａ及び１２ｂは、ガラス基板等の透
明基板であり、一対の基板間間隔は、カイラルスメクチ
ック液晶が固有する螺旋構造の形成を抑制するのに十分
な薄さ（例えば、１μｍ〜５μｍ）に設定される。
図である。１１ａ及び１１ｂは、クロスニコルの一対の
偏光子である。１２ａ及び１２ｂは、ガラス基板等の透
明基板であり、一対の基板間間隔は、カイラルスメクチ
ック液晶が固有する螺旋構造の形成を抑制するのに十分
な薄さ（例えば、１μｍ〜５μｍ）に設定される。
【００２９】１３ａ及び１３ｂは、一対の透明電極であ
り、一方を走査選択信号と走査非選択信号とからなる走
査信号がシリアルに印加される走査電極（走査線）に、
他方を情報に応じた情報信号がパラレルに印加される信
号電極（情報線）に、設定する。この走査電極と信号電
極とは、互いに交差させてマトリクス電極とする。
り、一方を走査選択信号と走査非選択信号とからなる走
査信号がシリアルに印加される走査電極（走査線）に、
他方を情報に応じた情報信号がパラレルに印加される信
号電極（情報線）に、設定する。この走査電極と信号電
極とは、互いに交差させてマトリクス電極とする。
【００３０】１４ａ及び１４ｂは、互いに非対称配向構
造を形成する配向制御膜であり、第１の具体例において
は、配向制御膜１４ａのみにラビング処理や斜方蒸着処
理等の一軸性配向処理が施され、配向制御膜１４ｂに一
軸性配向処理を施さない状態の配向処理が施される。配
向制御膜１４ａには、例えば、ヨーロッパ公開明細書第
４５０５４９号公報に記載されたラビング処理された脂
肪族ポリイミド膜または米国特許第４６３９０８９号公
報に記載されたラビング処理されたポリイミド膜、ポリ
アミド膜、ポリアミド・イミド膜やポリビニルアルコー
ル膜等が用いられ、配向制御膜１４ｂには、例えば米国
特許第４６６２７２１号公報に記載されたＳｉＯ2 スパ
ッタ膜と下記有機シラン化合物の焼成膜との積層膜また
は米国特許第４７６３９９５号公報記載の非一軸配向処
理された無機絶縁膜（例えば、シリコン ナイトライ
ド、シリコン カーバイド、ボロン ナイトライド、セ
シウム オキサイド、シリコン オキサイド、マグネシ
ウム フルオライド）を用いることができる。また、本
発明においては、配向制御膜１４ａ及び１４ｂの両方を
同一の膜（例えば、同一のポリイミド膜、同一のポリア
ミド膜）によって形成する事もできる。
造を形成する配向制御膜であり、第１の具体例において
は、配向制御膜１４ａのみにラビング処理や斜方蒸着処
理等の一軸性配向処理が施され、配向制御膜１４ｂに一
軸性配向処理を施さない状態の配向処理が施される。配
向制御膜１４ａには、例えば、ヨーロッパ公開明細書第
４５０５４９号公報に記載されたラビング処理された脂
肪族ポリイミド膜または米国特許第４６３９０８９号公
報に記載されたラビング処理されたポリイミド膜、ポリ
アミド膜、ポリアミド・イミド膜やポリビニルアルコー
ル膜等が用いられ、配向制御膜１４ｂには、例えば米国
特許第４６６２７２１号公報に記載されたＳｉＯ2 スパ
ッタ膜と下記有機シラン化合物の焼成膜との積層膜また
は米国特許第４７６３９９５号公報記載の非一軸配向処
理された無機絶縁膜（例えば、シリコン ナイトライ
ド、シリコン カーバイド、ボロン ナイトライド、セ
シウム オキサイド、シリコン オキサイド、マグネシ
ウム フルオライド）を用いることができる。また、本
発明においては、配向制御膜１４ａ及び１４ｂの両方を
同一の膜（例えば、同一のポリイミド膜、同一のポリア
ミド膜）によって形成する事もできる。
【００３１】有機シラン化合物の具体例
【００３２】
【外３】
【００３３】非対称配向構造の第２の具体例において
は、配向制御膜１４ａ及び１４ｂを構成する膜が互いに
異なっている。この互いに相違した配向制御膜１４ａ及
び１４ｂには、両方ともラビング処理や斜方蒸着処理等
の一軸性配向処理が施される。配向制御膜１４ａは、ラ
ビング処理した有機膜（例えば、ポリイミド膜やポリア
ミド膜）が用いられ、配向制御膜１ｂは、ラビング処理
した無機膜（例えば、上述の有機シラン化合物の焼成
膜）が用いられる。
は、配向制御膜１４ａ及び１４ｂを構成する膜が互いに
異なっている。この互いに相違した配向制御膜１４ａ及
び１４ｂには、両方ともラビング処理や斜方蒸着処理等
の一軸性配向処理が施される。配向制御膜１４ａは、ラ
ビング処理した有機膜（例えば、ポリイミド膜やポリア
ミド膜）が用いられ、配向制御膜１ｂは、ラビング処理
した無機膜（例えば、上述の有機シラン化合物の焼成
膜）が用いられる。
【００３４】１５は、前述したカイラルスメクチック液
晶である。このカイラルスメクチック液晶は、固有する
螺旋構造が一対の基板１２ａ及び１２ｂの界面効果によ
って抑制され、この結果非螺旋構造を形成している。こ
の非螺旋構造のカイラルスメクチック液晶が反強誘電状
態を発現せずに、強誘電状態を発現する液晶の場合に
は、好ましくは２つの安定配向状態を発現し、またはカ
イラルスメクチック液晶が強誘電性状態と反強誘電性状
態との両方の状態を発現する場合には、好ましくは３つ
の安定配向状態を発現する。また、上述の２つの安定配
向状態を生じる液晶パネルでは、一対の偏光子１１ａ及
び１１ｂのクロスニコルによる消光位を何れか一方の安
定配向状態の分子軸方向に一致させる。上述の３つの安
定配向状態を生じる液晶パネルでは、一対の偏光子１１
ａ及び１１ｂのクロスニコルによる消光位を反強誘電性
状態における平均分子軸方向に一致させ、反強誘電性状
態で暗状態とし、強誘電性状態で明状態とする。
晶である。このカイラルスメクチック液晶は、固有する
螺旋構造が一対の基板１２ａ及び１２ｂの界面効果によ
って抑制され、この結果非螺旋構造を形成している。こ
の非螺旋構造のカイラルスメクチック液晶が反強誘電状
態を発現せずに、強誘電状態を発現する液晶の場合に
は、好ましくは２つの安定配向状態を発現し、またはカ
イラルスメクチック液晶が強誘電性状態と反強誘電性状
態との両方の状態を発現する場合には、好ましくは３つ
の安定配向状態を発現する。また、上述の２つの安定配
向状態を生じる液晶パネルでは、一対の偏光子１１ａ及
び１１ｂのクロスニコルによる消光位を何れか一方の安
定配向状態の分子軸方向に一致させる。上述の３つの安
定配向状態を生じる液晶パネルでは、一対の偏光子１１
ａ及び１１ｂのクロスニコルによる消光位を反強誘電性
状態における平均分子軸方向に一致させ、反強誘電性状
態で暗状態とし、強誘電性状態で明状態とする。
【００３５】図２は、マトリクス電極構造の平面図であ
る。マトリクス電極構造は、走査電極１３ａ（走査線Ｓ
1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 、Ｓ5 …）及び信号電極１３ｂ
（情報線Ｉ1 、Ｉ2 、Ｉ3 、Ｉ4 、Ｉ5 …）によって構
成されている。
る。マトリクス電極構造は、走査電極１３ａ（走査線Ｓ
1 、Ｓ2 、Ｓ3 、Ｓ4 、Ｓ5 …）及び信号電極１３ｂ
（情報線Ｉ1 、Ｉ2 、Ｉ3 、Ｉ4 、Ｉ5 …）によって構
成されている。
【００３６】図３は、強誘電性液晶表示装置１０１及び
表示情報の供給源であるパーソナルコンピュータなどの
本体装置側に設けられたグラフィックスコントローラ１
０２のブロック構成図である。また図４は、画像情報の
通信タイミングチャートである。液晶パネル１０３は、
走査電極１１２０本、情報電極１２８０本をマトリクス
状に配し、配向処理を施した２枚のガラス板の中に、強
誘電性液晶を封入したもので、走査線は走査線駆動回路
１０４、情報線は情報線駆動回路１０５にそれぞれ接続
されている。
表示情報の供給源であるパーソナルコンピュータなどの
本体装置側に設けられたグラフィックスコントローラ１
０２のブロック構成図である。また図４は、画像情報の
通信タイミングチャートである。液晶パネル１０３は、
走査電極１１２０本、情報電極１２８０本をマトリクス
状に配し、配向処理を施した２枚のガラス板の中に、強
誘電性液晶を封入したもので、走査線は走査線駆動回路
１０４、情報線は情報線駆動回路１０５にそれぞれ接続
されている。
【００３７】以下、図面に従って動作を説明する。グラ
フィックスコントローラ１０２は走査電極を指定する走
査線アドレス情報とそのアドレス情報により指定される
走査線上の画像情報（ＰＤ０〜ＰＤ３）を液晶表示装置
１０１の表示駆動回路（走査線駆動回路１０４と情報線
駆動回路１０５とによって構成）１０４／１０５に転送
する。本実施例では、走査線アドレス情報と表示情報と
を有する画像情報を同一伝送路にて転送するため、前記
２種類の情報を区別しなければならない。この識別のた
めの信号がＡＨ／ＤＬであり、このＡＨ／ＤＬ信号がＨ
ｉレベルのときは、走査線アドレスの情報であることを
示し、Ｌｏレベルのときは、表示情報であることを示し
ている。
フィックスコントローラ１０２は走査電極を指定する走
査線アドレス情報とそのアドレス情報により指定される
走査線上の画像情報（ＰＤ０〜ＰＤ３）を液晶表示装置
１０１の表示駆動回路（走査線駆動回路１０４と情報線
駆動回路１０５とによって構成）１０４／１０５に転送
する。本実施例では、走査線アドレス情報と表示情報と
を有する画像情報を同一伝送路にて転送するため、前記
２種類の情報を区別しなければならない。この識別のた
めの信号がＡＨ／ＤＬであり、このＡＨ／ＤＬ信号がＨ
ｉレベルのときは、走査線アドレスの情報であることを
示し、Ｌｏレベルのときは、表示情報であることを示し
ている。
【００３８】走査線アドレス情報は、液晶表示装置１０
１内の駆動制御回路側１１１で、画像情報ＰＤ０〜ＰＤ
３として転送されてくる画像情報から抽出されたのち、
指定された走査電極が走査信号発生回路１０７によって
駆動される一方、表示情報は情報線駆動回路１０５内の
シフトレジスタ１０８へ導かれ、転送クロックにて４画
素単位でシフトされる。シフトレジスタ１０８にて水平
方向の一走査線分のシフトが完了すると、１２８０画素
分の表示情報は併設されたラインメモリ１０９に転送さ
れ、一水平走査期間の間に亘って記憶され、情報信号発
生回路１１０から各情報電極に表示情報信号として出力
される。
１内の駆動制御回路側１１１で、画像情報ＰＤ０〜ＰＤ
３として転送されてくる画像情報から抽出されたのち、
指定された走査電極が走査信号発生回路１０７によって
駆動される一方、表示情報は情報線駆動回路１０５内の
シフトレジスタ１０８へ導かれ、転送クロックにて４画
素単位でシフトされる。シフトレジスタ１０８にて水平
方向の一走査線分のシフトが完了すると、１２８０画素
分の表示情報は併設されたラインメモリ１０９に転送さ
れ、一水平走査期間の間に亘って記憶され、情報信号発
生回路１１０から各情報電極に表示情報信号として出力
される。
【００３９】また、本実施例では液晶表示装置１０１に
おける液晶パネル１０３の駆動とグラフィックスコント
ローラ１０２における走査線アドレス情報及び表示情報
の発生とが非同期で行われているため、画像情報転送時
に装置間（１０１／１０２）の同期をとる必要がある。
この同期を司る信号がＳＹＮＣであり、一水平走査期間
ごとに液晶表示装置１０１内の駆動制御回路１１１で発
生する。グラフィックスコントローラ１０２側は常にＳ
ＹＮＣ信号を監視しており、ＳＹＮＣ信号がＬｏレベル
であれば画像情報の転送を行い、逆にＨｉレベルのとき
には一水平走査線分の画像情報の転送終了後は転送を行
わない。すなわち、図２において、グラフィックスコン
トローラ１０２側はＳＹＮＣ信号がＬｏレベルになった
ことを検知すると、直ちにＡＨ／ＤＬ信号をＨｉレベル
にし一水平走査線分の画像情報の転送を開始する。液晶
表示装置１０１内の駆動制御回路１１１は、ＳＹＮＣ信
号を画像情報転送期間中にＨｉレベルにする。所定の一
水平走査時間を経て液晶パネル１０３への書き込みが終
了したのち駆動制御回路（ＦＬＣＤコントローラ）１１
１は、ＳＹＮＣ信号を再びＬｏレベルに戻し、次の走査
線の画像情報を受け取ることができる。
おける液晶パネル１０３の駆動とグラフィックスコント
ローラ１０２における走査線アドレス情報及び表示情報
の発生とが非同期で行われているため、画像情報転送時
に装置間（１０１／１０２）の同期をとる必要がある。
この同期を司る信号がＳＹＮＣであり、一水平走査期間
ごとに液晶表示装置１０１内の駆動制御回路１１１で発
生する。グラフィックスコントローラ１０２側は常にＳ
ＹＮＣ信号を監視しており、ＳＹＮＣ信号がＬｏレベル
であれば画像情報の転送を行い、逆にＨｉレベルのとき
には一水平走査線分の画像情報の転送終了後は転送を行
わない。すなわち、図２において、グラフィックスコン
トローラ１０２側はＳＹＮＣ信号がＬｏレベルになった
ことを検知すると、直ちにＡＨ／ＤＬ信号をＨｉレベル
にし一水平走査線分の画像情報の転送を開始する。液晶
表示装置１０１内の駆動制御回路１１１は、ＳＹＮＣ信
号を画像情報転送期間中にＨｉレベルにする。所定の一
水平走査時間を経て液晶パネル１０３への書き込みが終
了したのち駆動制御回路（ＦＬＣＤコントローラ）１１
１は、ＳＹＮＣ信号を再びＬｏレベルに戻し、次の走査
線の画像情報を受け取ることができる。
【００４０】図５は、走査線駆動回路１０４及び情報線
駆動回路１０５から出力される走査選択信号（Ｓｓ）、
走査非選択信号（Ｓｎ）、情報信号１（Ｉｓ）及び２
（Ｉｎ）の電圧波形を表している。走査選択信号の電圧
は、走査非選択信号の電圧を基準にして、２Ｖ0 及び−
２Ｖ0 の両極性電圧を持っている。走査選択信号の前半
の３／２・ΔＴの期間（電圧２Ｖ0 の期間）は、消去期
間に使用され、後半のΔＴの期間（−２Ｖ0 の期間）
は、書き込み期間として使用される。そして、消去期間
と書き込み期間との間の１／２・ΔＴの期間（電圧２Ｖ
0 の期間）と最後の１／２・ΔＴの期間（０の期間）と
は、情報信号１及び２の電圧平均値を零に設定させるた
めに、走査側に設定した期間である。情報信号１の前半
の１／２・ΔＴ期間（第１位相）は、電圧−３／２・Ｖ
0 で、後半の１／２・ΔＴ期間（第３位相）は、電圧−
１／２・Ｖ0 であり、ΔＴ期間（第２位相）が電圧Ｖ0
であるので、電圧平均値は、零である。情報信号２は、
情報信号１に対して逆位相の関係にある。
駆動回路１０５から出力される走査選択信号（Ｓｓ）、
走査非選択信号（Ｓｎ）、情報信号１（Ｉｓ）及び２
（Ｉｎ）の電圧波形を表している。走査選択信号の電圧
は、走査非選択信号の電圧を基準にして、２Ｖ0 及び−
２Ｖ0 の両極性電圧を持っている。走査選択信号の前半
の３／２・ΔＴの期間（電圧２Ｖ0 の期間）は、消去期
間に使用され、後半のΔＴの期間（−２Ｖ0 の期間）
は、書き込み期間として使用される。そして、消去期間
と書き込み期間との間の１／２・ΔＴの期間（電圧２Ｖ
0 の期間）と最後の１／２・ΔＴの期間（０の期間）と
は、情報信号１及び２の電圧平均値を零に設定させるた
めに、走査側に設定した期間である。情報信号１の前半
の１／２・ΔＴ期間（第１位相）は、電圧−３／２・Ｖ
0 で、後半の１／２・ΔＴ期間（第３位相）は、電圧−
１／２・Ｖ0 であり、ΔＴ期間（第２位相）が電圧Ｖ0
であるので、電圧平均値は、零である。情報信号２は、
情報信号１に対して逆位相の関係にある。
【００４１】図６の（Ｉｓ−Ｓｓ）と（Ｉｎ−Ｓｎ）
は、それぞれ図５の走査選択信号と情報信号１及び２と
の合成波形であり、（Ｉｓ−Ｓｓ）と（Ｉｎ−Ｓｎ）
は、それぞれ図５の走査非選択信号と情報信号１及び２
との合成波形である。
は、それぞれ図５の走査選択信号と情報信号１及び２と
の合成波形であり、（Ｉｓ−Ｓｓ）と（Ｉｎ−Ｓｎ）
は、それぞれ図５の走査非選択信号と情報信号１及び２
との合成波形である。
【００４２】走査選択信号は、走査電極１３ａに対し
て、走査電極一本毎に順次出力されてもよく（ノン−イ
ンターレース走査）、また一方以上の飛び越し走査出力
されてもよい（インターレース走査）。特に、繰り返し
走査動作の時は、飛び越し走査出力による動作が利用さ
れる。また、表示画面に対してキーボード入力からの情
報による書き換えが発生した時、表示画面のうち、書き
換えられる領域の走査線のみをノン−インターレース走
査させ、書き換えられない領域の走査線をインターレー
ス走査させるのがよい。
て、走査電極一本毎に順次出力されてもよく（ノン−イ
ンターレース走査）、また一方以上の飛び越し走査出力
されてもよい（インターレース走査）。特に、繰り返し
走査動作の時は、飛び越し走査出力による動作が利用さ
れる。また、表示画面に対してキーボード入力からの情
報による書き換えが発生した時、表示画面のうち、書き
換えられる領域の走査線のみをノン−インターレース走
査させ、書き換えられない領域の走査線をインターレー
ス走査させるのがよい。
【００４３】合成波形（Ｉｓ−Ｓｓ）及び（Ｉｎ−Ｓ
ｓ）における期間３／２・ΔＴで印加される電圧は、カ
イラルスメクチック液晶の一方の閾値電圧を越えたもの
であり、走査線上の画素は、一方の配向状態（例えば、
暗状態に対応する）を生じ、前走査時の書き込み状態が
この期間で消去される。また、本発明においては、かか
る消去期間は、例えば２ΔＴ、２．５ΔＴまたは３ΔＴ
もしくはそれ以上であってもよい。消去期間に続く期間
１／２ΔＴは、補助信号印加期間に対応し、−７／２・
Ｖ0 と−１／２・Ｖ0 が印加される。この補助信号印加
期間は、最後の期間１／２ΔＴに設けた補助信号印加期
間と合わせて、非選択時の走査線上の画素に印加される
電圧波形が交流電圧波形となる様に、設けられている。
２つの補助信号印加期間の間に設定した期間ΔＴは、書
き込み期間に対応していて、選択的に印加された電圧３
Ｖ0 は、カイラルスメクチック液晶の他方の閾値電圧を
越えた電圧であり、他方の配向状態を生じ（例えば、明
状態に対応する）、また選択的に他の画素に印加された
電圧Ｖ0 は、カイラルスメクチック液晶の閾値電圧を越
えておらず、消去期間での配向状態はそのまま保持され
る。
ｓ）における期間３／２・ΔＴで印加される電圧は、カ
イラルスメクチック液晶の一方の閾値電圧を越えたもの
であり、走査線上の画素は、一方の配向状態（例えば、
暗状態に対応する）を生じ、前走査時の書き込み状態が
この期間で消去される。また、本発明においては、かか
る消去期間は、例えば２ΔＴ、２．５ΔＴまたは３ΔＴ
もしくはそれ以上であってもよい。消去期間に続く期間
１／２ΔＴは、補助信号印加期間に対応し、−７／２・
Ｖ0 と−１／２・Ｖ0 が印加される。この補助信号印加
期間は、最後の期間１／２ΔＴに設けた補助信号印加期
間と合わせて、非選択時の走査線上の画素に印加される
電圧波形が交流電圧波形となる様に、設けられている。
２つの補助信号印加期間の間に設定した期間ΔＴは、書
き込み期間に対応していて、選択的に印加された電圧３
Ｖ0 は、カイラルスメクチック液晶の他方の閾値電圧を
越えた電圧であり、他方の配向状態を生じ（例えば、明
状態に対応する）、また選択的に他の画素に印加された
電圧Ｖ0 は、カイラルスメクチック液晶の閾値電圧を越
えておらず、消去期間での配向状態はそのまま保持され
る。
【００４４】図７は他の具体例であって、図５の情報信
号２の電圧波形を変更した他は、図５の駆動波形と同一
である。図８は、図７の駆動波形を用いた時の合成波形
である。
号２の電圧波形を変更した他は、図５の駆動波形と同一
である。図８は、図７の駆動波形を用いた時の合成波形
である。
【００４５】図９は、もうひとつの具体例であって、図
５の走査選択信号の消去期間を３ΔＴに変更した他は、
図５の駆動波形と同一である。図１０は、図９の駆動波
形を用いた時の合成波形である。
５の走査選択信号の消去期間を３ΔＴに変更した他は、
図５の駆動波形と同一である。図１０は、図９の駆動波
形を用いた時の合成波形である。
【００４６】図１１及び図１２は、図９の走査選択信号
を走査電極に出力させた時の時系列波形図である。図１
２の具体例では、走査線数が１０００以上であっても、
高周波のフレーム周波数（例えば、１５Ｈｚ以上）で駆
動することができる。また、図１２の具体例では、情報
信号の電圧零の期間が省略される。また、図１１及び図
１２の時系列波形において、走査非選択時の走査線上の
画素には、時間平均で電圧零となる交流電圧が印加され
る。
を走査電極に出力させた時の時系列波形図である。図１
２の具体例では、走査線数が１０００以上であっても、
高周波のフレーム周波数（例えば、１５Ｈｚ以上）で駆
動することができる。また、図１２の具体例では、情報
信号の電圧零の期間が省略される。また、図１１及び図
１２の時系列波形において、走査非選択時の走査線上の
画素には、時間平均で電圧零となる交流電圧が印加され
る。
【００４７】また、カイラルスメクチック液晶の強誘電
状態と反強誘電状態との両方を利用する時には、図５、
図７及び図９に示す走査選択信号の消去期間と前半の補
助信号印加期間との電圧をそれぞれ電圧零に設定し、走
査非選択信号に対してＤＣ（直流）成分を付与する事に
よって駆動することができる。この際、このＤＣ成分の
極性と走査選択信号の書き込み期間の電圧の極性を１フ
レーム毎に反転させるのがよい。かかる具体例を図１３
に図示する。図１３に図示した時系列波形は、図９の駆
動波形を用いたものである。
状態と反強誘電状態との両方を利用する時には、図５、
図７及び図９に示す走査選択信号の消去期間と前半の補
助信号印加期間との電圧をそれぞれ電圧零に設定し、走
査非選択信号に対してＤＣ（直流）成分を付与する事に
よって駆動することができる。この際、このＤＣ成分の
極性と走査選択信号の書き込み期間の電圧の極性を１フ
レーム毎に反転させるのがよい。かかる具体例を図１３
に図示する。図１３に図示した時系列波形は、図９の駆
動波形を用いたものである。
【００４８】図１１、図１２及び図１３において、走査
選択期間に同期して印加させた情報信号の時間平均値が
走査非選択時の走査線上の画素への印加交流電圧の時間
平均値と走査非選択時の走査電極への印加電圧との差分
を基準にして零であって、該情報信号が第１の位相、第
２の位相及び第３の位相毎に互いに相違した波高値の電
圧を有し、第２の位相電圧が第１の位相電圧と第３の位
相電圧との平均値と同一の電圧値であって、該第２の位
相電圧と走査選択信号電圧との合成電圧がカイラルスメ
クチック液晶の閾値電圧を越えた電圧を発生し、第２の
位相期間をΔＴとした時、第１及び第３の位相期間の和
がΔＴである。また、図１１及び図１２において、前記
差分は、零である。
選択期間に同期して印加させた情報信号の時間平均値が
走査非選択時の走査線上の画素への印加交流電圧の時間
平均値と走査非選択時の走査電極への印加電圧との差分
を基準にして零であって、該情報信号が第１の位相、第
２の位相及び第３の位相毎に互いに相違した波高値の電
圧を有し、第２の位相電圧が第１の位相電圧と第３の位
相電圧との平均値と同一の電圧値であって、該第２の位
相電圧と走査選択信号電圧との合成電圧がカイラルスメ
クチック液晶の閾値電圧を越えた電圧を発生し、第２の
位相期間をΔＴとした時、第１及び第３の位相期間の和
がΔＴである。また、図１１及び図１２において、前記
差分は、零である。
【００４９】また、本発明において、図１１〜図１３の
時系列波形図で用いた図９の駆動波形に変えて、図５及
び図７に図示した駆動波形も同様に用いることができ
る。
時系列波形図で用いた図９の駆動波形に変えて、図５及
び図７に図示した駆動波形も同様に用いることができ
る。
【００５０】図１４及び図１５は、それぞれ図５及び図
７に図示した駆動波形の情報信号の波高値を４種とした
変形例であり、図１１〜図１３の時系列波形図で用いた
図９の駆動波形に変えて適用することができる。図１４
及び図１５の情報信号１は、±Ｖ0 、−１／２・Ｖ0 及
び−３／２・Ｖ0 の４種の波高値が用いられ、情報信号
２は、±Ｖ0 、１／２・Ｖ0 及び３／２・Ｖ0 の４種の
波高値が用いられている。この情報信号１及び２は、補
助信号印加期間の印加電圧波高値が１／４・ΔＴで区分
されている。
７に図示した駆動波形の情報信号の波高値を４種とした
変形例であり、図１１〜図１３の時系列波形図で用いた
図９の駆動波形に変えて適用することができる。図１４
及び図１５の情報信号１は、±Ｖ0 、−１／２・Ｖ0 及
び−３／２・Ｖ0 の４種の波高値が用いられ、情報信号
２は、±Ｖ0 、１／２・Ｖ0 及び３／２・Ｖ0 の４種の
波高値が用いられている。この情報信号１及び２は、補
助信号印加期間の印加電圧波高値が１／４・ΔＴで区分
されている。
【００５１】
【発明の効果】本発明によれば、カイラルスメクチック
液晶の自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ2 以上であったとして
も、マトリクス駆動による表示動作を長期間にわたって
実施した場合において、経時的な「焼付き」現象の発生
が十分に緩和させるか、または抑制させることができ
た。
液晶の自発分極が１０ｎＣ／ｃｍ2 以上であったとして
も、マトリクス駆動による表示動作を長期間にわたって
実施した場合において、経時的な「焼付き」現象の発生
が十分に緩和させるか、または抑制させることができ
た。
【図１】本発明で用いたカイラルスメクチック液晶パネ
ルの断面図である。
ルの断面図である。
【図２】本発明で用いたマトリクス電極構造の平面図で
ある。
ある。
【図３】本発明装置のブロック図である。
【図４】本発明で用いた画像情報通信のタイミングチャ
ート図である。
ート図である。
【図５】本発明で用いた駆動波形の図である。
【図６】図５の駆動波形に基づく合成波形図である。
【図７】本発明で用いた別の駆動波形の図である。
【図８】図７の駆動波形に基づく合成波形図である。
【図９】本発明で用いた別の駆動波形の図である。
【図１０】図９に基づく合成波形図である。
【図１１】図５の駆動波形を用いた時の時系列波形図で
ある。
ある。
【図１２】図５の駆動波形を用いた時の別の時系列波形
図である。
図である。
【図１３】図５の駆動波形を用いた時の別の時系列波形
図である。
図である。
【図１４】本発明で用いた別の駆動波形の図である。
【図１５】本発明で用いた別の駆動波形の図である。
フロントページの続き (72)発明者 都築 英寿 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 片倉 一典 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤ ノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−323282（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−281233（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−311919（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−323615（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/133
Claims (15)
- 【請求項１】 一対の基板、該一対の基板のうちの一方
の基板に設けた走査電極と他方の基板に設けた信号電極
とを交差させて画素を構成したマトリクス電極及び該一
対の基板間に配置したカイラルスメクチック液晶を有す
る液晶パネルであって、該一対の基板に互いに相違させ
た配向処理を施した液晶パネル、並びに走査電極に、順
次、走査選択信号を印加させて、少なくとも１つの走査
電極を選択し、該走査選択信号と同期させて、信号電極
に、電圧ゼロを基準にして、少なくとも３種の異なる波高
値の第１の電圧で構成した第１の情報信号及び該第１の
電圧と逆位相の電圧である第２の電圧で構成した第２の
情報信号からなる情報信号を選択的に印加する駆動手段
を有する液晶装置。 - 【請求項２】 走査非選択時の走査電極上の画素が受信
する情報信号によって交流電圧を生じ、該交流電圧の時
間平均値が走査非選択時の走査電極への印加電圧を基準
にして零である請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項３】 前記走査選択信号と同期して印加させた
情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の位相毎に
互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位相におけ
る電圧ゼロを基準にした波高値が第１の位相における電
圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相における電圧ゼ
ロを基準にした波高値との平均値と同一の波高値であっ
て、該第２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値
と走査選択信号電圧の波高値との合成電圧がカイラルス
メクチック液晶の閾値電圧を越えた電圧を発生する請求
項１記載の液晶装置。 - 【請求項４】 前記走査選択信号と同期して印加させた
情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の位相毎に
互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位相におけ
る電圧ゼロを基準にした波高値が第１の位相における電
圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相における電圧ゼ
ロを基準にした波高値との平均値と同一の波高値であっ
て、該第２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値
と走査選択信号電圧の波高値との合成電圧がカイラルス
メクチック液晶の閾値電圧を越えた電圧を発生し、第２
の位相期間をΔＴとした時、第１及び第３の位相期間の
和がΔＴである請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項５】 前記走査選択信号と同期して印加させた
情報信号が第１の位相、第２の位相及び第３の位相毎に
互いに相違した波高値の電圧を有し、第２の位相におけ
る電圧ゼロを基準にした波高値が第１の位相における電
圧ゼロを基準にした波高値と第３の位相における電圧ゼ
ロを基準にした波高値との平均値と同一の波高値であっ
て、該第２の位相における電圧ゼロを基準にした波高値
と走査選択信号電圧の波高値との合成電圧がカイラルス
メクチック液晶の閾値電圧を越えた電圧を発生し、第２
の位相期間をΔＴとした時、第１及び第３の位相期間が
それぞれ１／２・ΔＴである請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項６】 前記一対の基板のうち一方の基板のみに
一軸性配向処理を施し、他方の基板に非一軸配向処理を
施した請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項７】 前記非一軸性配向処理がランダム配向処
理である請求項６記載の液晶装置。 - 【請求項８】 前記一対の基板が一軸性配向特性を有
し、互いに相違した膜で形成した配向制御膜を有してい
る請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項９】 前記膜の一方が有機膜であって、他方が
無機膜である請求項８記載の液晶装置。 - 【請求項１０】 前記カイラルスメクチック液晶が強誘
電状態を発現する液晶である請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項１１】 前記カイラルスメクチック液晶が強誘
電状態及び反強誘電状態を発現する液晶である請求項１
記載の液晶装置。 - 【請求項１２】 前記カイラルスメクチック液晶を構成
する液晶成分のうち、少なくとも１種の液晶成分がフッ
素化炭素末端基を有し、該フッ素化炭素中のうち少なく
とも１つの炭素が完全にフッ素化している請求項１記載
の液晶装置。 - 【請求項１３】 前記フッ素化炭素の炭素原子数が２〜
１５である請求項１３記載の液晶装置。 - 【請求項１４】 前記カイラルスメクチック液晶が降温
下で等方相からスメクチックＡ相を生じる温度範囲を有
し、該カイラルスメクチック液晶を構成する液晶成分の
うち、少なくとも１種の液晶成分がフッ素化炭素末端基
を有し、該フッ素化炭素中のうち少なくとも１つの炭素
が完全にフッ素化している請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項１５】 前記フッ素化炭素中の炭素原子数が２
〜１５である請求項１４記載の液晶装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11849795A JP3184740B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 液晶装置 |
| US08/648,996 US5933128A (en) | 1995-05-17 | 1996-05-17 | Chiral smectic liquid crystal apparatus and driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11849795A JP3184740B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 液晶装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08313873A JPH08313873A (ja) | 1996-11-29 |
| JP3184740B2 true JP3184740B2 (ja) | 2001-07-09 |
Family
ID=14738139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11849795A Expired - Fee Related JP3184740B2 (ja) | 1995-05-17 | 1995-05-17 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3184740B2 (ja) |
-
1995
- 1995-05-17 JP JP11849795A patent/JP3184740B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08313873A (ja) | 1996-11-29 |
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