JP3182363B2

JP3182363B2 - 反射型液晶表示装置

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Publication number: JP3182363B2
Application number: JP02629097A
Authority: JP
Inventors: 精一三ッ井; 正之岡本; 俊植木
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-02-10
Filing date: 1997-02-10
Publication date: 2001-07-03
Anticipated expiration: 2017-02-10
Also published as: JPH10221688A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置に関し、さらに詳しくは１／４波長板を用いたゲスト
ホスト（ＧＨ）モードの反射型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１３は、従来の１／４波長板を用いた
ゲストホスト（ＧＨ）モードの反射型液晶表示装置１の
構成を示す断面図である。反射型液晶表示装置１は、透
光性基板２、３と、液晶層４と、透明電極７、９と、配
向膜８、１０と、１／４波長板１１と、反射板１２とを
含んで構成される。たとえば、ガラスから成る透光性基
板２、３間に介在する液晶層４は、二色性色素６を含
み、液晶の誘電率異方性は正であるとする。

【０００３】前記透光性基板２、３の液晶層４側表面２
ａ、３ａには帯状の透明電極７、９がそれぞれ形成さ
れ、該透明電極７、９が直交するように前記透光性基板
２、３が配置される。透光性基板２、３に形成された透
明電極７、９上には、配向膜８、１０がそれぞれ形成さ
れる。この配向膜８、１０の表面は、液晶層４の液晶分
子５が基板に対して平行に配向するように、たとえばラ
ビング処理などの配向処理が施される。また、配向膜
８、１０の配向処理方向が互いに平行となるように前記
透光性基板２、３が配置される。さらに、前記透光性基
板３の液晶層４側とは反対側表面３ｂには、１／４波長
板１１と反射板１２とがこの順に配置される。このと
き、１／４波長板１１の光学軸は、液晶分子５のラビン
グ処理配向方向とほぼ４５°の角度をなすように配置さ
れる。

【０００４】ＧＨモードの表示は、液晶層に添加した二
色性色素の吸収係数の異方性を利用して行う。たとえ
ば、棒状構造を有する二色性色素を用いると、色素分子
は液晶分子に平行に配向する性質を有するので、電界を
印加／無印加して、液晶分子の配向状態を変化させるこ
とによって、色素分子の配向状態も変化させることが可
能となる。

【０００５】例えば、ｐ型色素は、分子の長軸にほぼ平
行な吸収軸、すなわち遷移双極子モーメントを有するの
で、長軸に平行な偏光成分を強く吸収し、垂直な偏光成
分をほとんど吸収しない。このように、二色性色素は、
その分子軸方向によって光の吸収係数が異なるので、白
黒表示を実現することが可能となる。

【０００６】ここで、図１４を用いて、前記反射型液晶
表示装置１の動作原理を説明する。ここでは、二色性色
素６としてｐ型色素を用い、白黒表示を行う場合につい
て説明する。図１４（ａ）は電圧無印加状態を示し、図
１４（ｂ）は電圧印加状態を示す。電圧無印加状態にお
いて、液晶分子５は配向膜８、１０の配向処理方向に沿
って配向する。したがって、二色性色素６も配向膜８、
１０の配向処理方向に沿って配向する。透光性基板２側
から入射した光１３のうち二色性色素６の分子の長軸方
向に対して平行方向に振動面を持つ光１３ａは、二色性
色素６によって吸収される。また、二色性色素６の分子
の長軸方向に対して垂直方向に振動面を持つ光１３ｂ
は、液晶層４を通過する。この光１３ｂは、１／４波長
板１１を通過することによって円偏光に変換され、反射
板１２で反射されることによって逆回りの円偏光とな
る。続いて、再び１／４波長板１１を通過することによ
って二色性色素６の分子の長軸方向に対して平行方向に
振動面を持つ光１３ａとなり、二色性色素６によって吸
収される。このため、反射型液晶表示装置１は黒色表示
を行うことができる。

【０００７】一方、電圧印加状態において、液晶分子５
は電界方向に沿って配向する。したがって、二色性色素
６も電界方向に沿って配向する。入射した光１３は、二
色性色素６によって吸収されずに液晶層４を通過し、１
／４波長板１１でを透過しても偏光状態は変化せずに、
反射板１２で反射し、再び１／４波長板１１を通過して
液晶層４に入射する。このとき、光１３は二色性色素６
によって吸収されないので、入射した光１３はそのまま
出射する。このため、反射型液晶表示装置１は白色表示
を行うことができる。

【０００８】上述の反射型液晶表示装置１は、例えば特
開昭５２−１２９４５０号公報に開示されている。ま
た、特開昭５４−２６７５６号公報には、上述した反射
型液晶表示装置１の構成において、配向膜が傾斜垂直配
向であり、かつゲストホスト液晶の誘電率異方性が負で
あるホスト液晶に色素を混合し、電圧無印加時に明状態
となり、電圧印加時に暗表示とする技術も開示されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前述した反射型液晶表
示装置１では、反射板１２の性能が表示品位を決定す
る。即ち、このような表示原理に用いる反射板が、入射
光の偏光性を保持しない場合には、前述したような右回
りの円偏光から左回りの円偏光への変換、またはこの逆
の変換が効率的に行われなくなり、暗表示の時光が漏れ
コントラストが低下する原因となるからである。

【００１０】偏光性を保持する反射部材としては、平坦
な鏡面反射部材があるが、これは外部の物体がそのまま
表面に映るため、明状態の時に周囲の情報が表示に映り
込み視認性が著しく低下するという新たな問題が生じる
ため、反射板には光拡散性も有することが望ましい。

【００１１】そこで、光拡散性を保ちながら偏光性を制
御できる反射板が必要となるが、例えば、特開平７−２
１８９０６号公報には、滑らかな感光性樹脂より成る凹
凸部の上にアルミ膜を形成した反射板が開示されてい
る。この中でコントラスト４以上を達成するために偏光
性保時が５０％以上、さらに７以上を達成するためには
偏光性保持が７０％以上必要であることが報告されてい
る。このように、完全な偏光性の保持と拡散性を両立し
た特性を兼ね備える反射板を得ることはできなかった。

【００１２】また、反射型液晶表示装置１に入射した光
は液晶層４を通過し、基板３を通過して反射され、再び
基板３を通過して出射するので、表示面に対して傾斜し
た方向から観察する観察者は、ガラスの厚さによる二重
像を観察することとなり、反射型液晶表示装置１の表示
品位が低下する。この二重像は、反射板と１／４波長板
を液晶層の内部に形成することによって小さくすること
は可能であるが、前述した偏光を保持する反射板の凹凸
をできるだけ小さくしないと１／４波長板の厚さが場所
により異なり、表示品位が低下するという新たな問題が
生じる。そのために、反射板の凹凸の上に平坦化膜を形
成する技術が、特開平８−１０６０８７に開示される
が、製造プロセスが増えるという問題を生じている。

【００１３】そこで、本発明は、かかる問題点を解決す
るためになされたものであり、視差がなく、高精彩で、
かつ明るく高コントラストな反射型液晶表示装置を提供
することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記も目的を達成するた
めに、本発明のうち請求項１記載の反射型液晶表示装置
は、少なくとも一方基板が透光性を有する一対の絶縁性
基板と、該基板間に介在される少なくともその分子の長
軸方向に遷移双極子モーメントを有する二色性色素と液
晶よりなる液晶層と、前記一対の絶縁性基板のうち透光
性を有する第１の基板の液晶層側表面に形成される透明
電極と配向膜と、前記一対の絶縁性基板の第２の基板の
液晶層側表面に形成される配向膜と１／４波長板と反射
板と、特定方向の偏光のみを散乱する異方性散乱膜とを
備えたことを特徴とする。

【００１５】特に、請求項１記載の異方性散乱膜が、一
対の絶縁性基板のうち第２の基板に近接して配置され、
かつ液晶層側表面に対して、異方性散乱膜、１／４波長
板、反射板の順に形成されていることを特徴とする。ま
た、請求項１記載の異方性散乱膜が、一対の絶縁性基板
のうち透光性を有する第１の絶縁性基板の光の入射側表
面に形成されていることを特徴とする。さらに、請求項
１記載の異方性散乱膜が、配向した液晶と高分子との複
合体、液晶と高分子の複合体を延伸したもの、液晶性高
分子と微粒子との複合体、高分子と微粒子との複合体を
延伸したもののうち、いずれか１つにより形成されるこ
とを特徴とする。

【００１６】本発明のうち請求項１記載の１／４波長板
が高分子延伸フィルム、または液晶性高分子から成るこ
とを特徴とする。本発明のうち請求項１記載の反射板が
鏡面状金属からなることを特徴とし、さらに液晶を駆動
する電極を兼ね備えていることをも特徴とする。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
用いて説明する。図１は、本発明の第１の実施形態であ
る異方性散乱膜を用いたゲストホスト（ＧＨ）モードの
反射型液晶表示装置３１の構成を示す断面図である。反
射型液晶表示装置３１は、基板３２、３３、液晶層３
４、二色性色素３５、透明電極３６、４０、配向膜３
７、４１、反射膜３８、１／４波長板３９、異方性散乱
膜４２を含んで構成される。

【００１８】基板３２、３３は、たとえばガラス、石
英、プラスチックなどの絶縁性を有するもので構成さ
れ、また少なくとも基板３２は透光性を有するもので構
成される。基板３２、３３間に介在する液晶層３４は、
誘電率異方性が正であるネマティック液晶３４ａ及び分
子の長軸にほぼ平行な遷移双極子モーメントを有する、
いわゆるｐ型二色性色素３５から成る。前記基板３２の
液晶３４側表面には、例えばＺｎＯを用いたバリスタ
や、Ｔａ₂Ｏ₅を用いたＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌ
ａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）素子などの二端子素子で実現さ
れるスイッチング素子を有する透明電極ＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）３６で構成される。透明電極
３６の上には、さらに、例えばポリイミド樹脂からなる
配向膜３７を形成し、該配向膜３７の表面には、液晶分
子３４ａを基板３２に対して一方向に水平配向させるた
めに、たとえばラビング処理による配向処理を施す。

【００１９】一方、前記基板３３の液晶層３４側表面３
３ａには、基板３３と接して、例えばアルミニウムで実
現される反射膜３８と、例えば、高分子液晶フィルム、
ポリスチレン、ポロプロピレン、ポリカーボネート、ポ
リエチレンテレフタレートなどの高分子フィルムで形成
される１／４波長板３９とがこの順に形成される。前記
高分子フィルムは、そのリタデーション値が５５０ｎｍ
の１／４、すなわち約１３７．５ｎｍとなるように膜厚
および延伸度が調整される。また、１／４波長板３９の
表面には異方性散乱膜４２が形成され、異方性散乱膜４
２の上に透明電極４０と配向膜４１とがこの順に形成さ
れる。配向膜４１は前記配向膜３７と同様に、たとえば
ポリイミド樹脂で構成され、その表面にはラビング処理
などの配向処理が施される。

【００２０】図２に、反射型液晶表示装置３１を作製す
る工程を示す。以下、工程に従って説明する。工程１で
は、基板３３の表面３３ａ上に反射膜３８を形成され
る。アルミニウムから成る反射膜３８は、該アルミニウ
ムをスパッタリング法を用いて成膜することによって形
成される。工程２では、前記反射膜３８上に１／４波長
板３９が形成される。該１／４波長板３９は、アクリル
系液晶高分子の溶液をスピンナーで塗布して０．６２μ
ｍの厚さに形成した。

【００２１】工程３では、前記１／４波長板３９上に異
方性散乱膜が形成される。本実施形態の異方性散乱膜４
２は、配向処理された液晶と高分子の複合体より形成す
る。すなわち、反射膜３８上の１／４波長板３９の上に
配向膜４２ａ（図示せず）を形成し、ラビングを行う。
その上に液晶と光反応性高分子を溶媒に分散させた複合
膜を塗布し、紫外線を照射し、相分離を行い、異方性散
乱膜４２を作製する。相分離の際、異方性散乱膜を構成
するもののうち、液晶は配向膜の配向方向に整列し、紫
外線重合によって生じる高分子は配列しない。

【００２２】工程４ではこの異方性散乱膜４２上に透明
電極４０が形成される。ＩＴＯで実現される透明電極４
０は、該ＩＴＯをスパッタリング法によって全面に成膜
した後、フォトリソグラフィ法によって、パターン形成
される。工程５では、前記透明電極４０上に配向膜４１
が形成される。ポリイミド樹脂による配向膜４１は、該
ポリイミド樹脂を全面に成膜した後、その表面にラビン
グ処理を施すことによって形成される。この際、ラビン
グ処理方向は、前記１／４波長板３９の光学軸方向とほ
ぼ４５°の角度となるように形成される。

【００２３】工程６では、基板３２の表面３２ａにスイ
ッチング素子が形成される。工程７ではスイッチング素
子を形成した基板３２の表面３２ａ上に透明電極３６が
形成される。工程８では、前記透明電極３６上に配向膜
３７が形成される。配向膜３７は、前記工程５と同様に
して形成される。

【００２４】工程９では、基板３２と基板３３とが貼合
わせられる。基板３２、３３の表面３２ａ、３３ａが対
向するように配置されるとともに、配向膜３７、４１の
配向処理方向が平行となるように配置される。また、両
者間には、たとえば直径が８μｍのプラスチックスペー
サが介在される。このため、基板３２、３３の間隔が一
定に保持される。工程１０では、前記基板３２、３３の
間に二色性色素３５を含む液晶が注入され、液晶層３４
が形成される。工程１１では、前記工程８で液晶を注入
した注入口が封止される。

【００２５】次に、上記工程３により形成された異方性
散乱膜の特性について説明する。本実施形態１での異方
性散乱膜は、図３（ａ）および図３（ｂ）の２種類の光
学測定系を用いて評価した。まず、図３（ａ）に示すよ
うに、入射側に偏光板を１枚用いて、直線偏光を異方性
散乱膜に入射し、垂直方向から３０度方向の光の散乱強
度をフォトメーターで測定した。なお、異方性散乱膜サ
ンプルは基板の上に作製し、サンプル自体を面内方向ψ
に３６０度回転させた。次に、図３（ｂ）に示すよう
に、異方性散乱膜の出射側に偏光板をもう一枚挿入し、
クロスニコル条件とし、散乱光の偏光度を同様にサンプ
ルを回転させて測定した。

【００２６】前記測定系による測定結果を図４に示す。
図４に示すように、図３（ａ）の光学系を用いた場合、
ψ＝０°と１８０°にのみ散乱光が測定されるので、異
方性散乱膜はラビング配向方向に平行に偏光入射した場
合に散乱し、ラビング配向方向に垂直に偏光入射した場
合はほとんど散乱せずにそのまま通過する特性をもつこ
とが判る。また、図３（ｂ）の評価光学系の結果より、
ψ＝０°と１８０°の散乱光強度はほとんど見られず、
偏光板で吸収されている。このことより、散乱している
にも関わらず、偏波面を保持していることが判る。ここ
で、前記結果による、その散乱の模式図を図５に示す。
即ち、この異方性散乱膜は配向方向に対し、平行な直線
偏光５０ａの方が散乱し、垂直な直線偏光５０ｂの方が
散乱しない。またさらに、異方性散乱膜４２が前方散乱
が優先であり、入射光はほとんどロスなく前方に散乱さ
れることを確認している。

【００２７】続いて、反射型液晶表示装置３１を用いて
白黒表示を行う場合の動作について図６を用いて説明す
る。周囲光１３から発せられた光が、一方の方向の直線
偏光１３ａと、これに直交する他の方向の直線偏光１３
ｂとで表されるとする。電圧無印加状態の図６（ａ）で
は、液晶分子３４ａは配向膜３７、４１の配向処理方向
に沿って、すなわち基板３２、３３に対して平行方向に
配向し、二色性色素３５も同様に配向する。基板３２側
から入射した光が液晶層３４に入射すると、該光のうち
二色性色素３５の分子の長軸方向に対して平行方向に振
動面を持つ直線偏光１３ａが二色性色素３５によって吸
収される。また、二色性色素３５の分子の長軸方向に対
して垂直方向に振動面を持つ直線偏光１３ｂは液晶層３
４を通過し、異方性散乱膜４２に入射する。異方性散乱
膜４２は入射する直線偏光の方向に対して異なった挙動
を示す。異方性散乱膜４２を直線偏光１３ｂが通過する
とき、異方性散乱膜４２の散乱しない方向に軸を設定し
ておく。その結果として、異方性散乱膜４２を通過した
光は散乱の無い直線偏光成分のみとなる。

【００２８】ついで、１／４波長板３９で円偏光とさ
れ、反射膜３８で反射する。このとき、前記光の偏光が
逆回りとなり、１／４波長板３９を通過し、再び異方性
散乱膜に入射する。このときは、異方性散乱膜に対して
散乱する方向の光となるので、二色性色素３５の分子の
長軸方向に対して平行方向に振動面を持つ散乱光とな
る。しかしながら、この光は、二色性色素３５によって
吸収され、かつ、散乱した光は偏波面を保持するので、
良好な黒色表示となる。

【００２９】一方、電圧印加時には、液晶分子３４ａは
電界方向に沿って、すなわち基板３２、３３に対して垂
直方向に配向し、二色性色素３５も同様に配向する。基
板３２側から入射した光は、二色性色素３５によって吸
収されずに液晶層３４を通過し、異方性散乱膜に入射す
る。ここで異方性散乱体を通過するとき、異方性散乱
体の散乱しない方向の偏光１３ｂはそのまま通過する
が、これに直角なもう一方の偏光１３ａは異方性散乱体
によって偏光を保持した散乱光となる。次に、１／４波
長板３９でそれぞれが円偏光となり、反射膜３８で反射
する。この時、反射した光は、前記光の偏光が逆回りと
なり、再び１／４波長板３９を通過し、異方性散乱膜４
２に入射する。ここで、直線偏光１３ｂは、散乱する方
向の光となるので、良好な散乱性を示し、さらに、液晶
層３４で吸収されずに出射する。つまり、外光の２つの
偏光成分１３ａと１３ｂとも散乱するため、良好な白色
表示となる。

【００３０】次に、図７には、実施形態１の反射型液晶
表示素子３１の特性との比較例として、図１５に示すよ
うな従来の（本発明者らが特開平６−２７４８１号公報
に開示の）凹凸拡散反射板を使用した反射型液晶素子の
特性を併記する。これは、図８に示す光学系を用いて、
標準拡散板の反射率を１００％とし、３０度入射の正面
受光の条件で明るさとコントラストを測定したものであ
る。明るさ、コントラストとも実施形態の方が高いこと
がわかった。

【００３１】このように、第１の実施形態の反射型液晶
表示装置３１に入射した光は、散乱の無い暗表示と散乱
状態の明表示を実現できるので、表示品位が格段に向上
することになる。

【００３２】本実施形態では液晶層３４を駆動する基板
３３の電極として透明電極４０を用いたが、反射板３８
の反射膜を電極として適用することも可能である。この
場合、製造プロセスが簡略化できるメリットがある。

【００３３】図９は、第２の実施形態である反射型液晶
表示装置４３の構成を示す断面図である。反射型液晶表
示装置４３は、第１の実施形態である反射型液晶表示装
置３１とほぼ同じように構成されるが、基板３２に形成
される異方性散乱膜の配置場所が異なることを特徴とす
る。即ち、基板３２の液晶層３４側表面３２ａに、透明
電極３６を形成し、基板３２の光入射表面３２ｂに異方
性散乱膜４２を配置する。透明電極３６の上にはさらに
配向膜３７が形成される。

【００３４】一方、基板３３の液晶層３４側表面３３ａ
には、反射膜３８と１／４波長板３９とがこの順に形成
され、さらに透明電極４０が形成される。透明電極４０
が形成された基板３３の表面３３ａには、さらに配向膜
４１が形成される。このような構成の反射型液晶表示装
置４３に入射した光は、第１の実施形態と同様な原理に
より反射型液晶表示装置４３の表示品位が向上する。

【００３５】次に、第３の実施形態である反射型液晶表
示装置の構成について説明する。第３の実施形態である
反射型液晶表示装置は、第１の実施形態あるいは第２の
実施形態とほぼ同じように構成されるが、異方性散乱膜
４２が液晶性高分子と微粒子の複合体から成り、押出方
法（図１０に説明する）によって形成されることを特徴
とする。

【００３６】図１における基板３３の液晶層３４側表面
３３ａには、１／４波長板３９が形成され、さらにその
表面には液晶性高分子と微粒子から成る異方性散乱膜４
２が形成される。本実施形態で用いた液晶性高分子は、
たとえばポリエステル系樹脂などの溶融状態で液晶相を
示し、常温でガラス相を示す材料、またはガラス転移温
度が室温以上の材料、すなわちサーモトロピック液晶性
高分子で実現される。本実施形態に用いた液晶高分子の
異常光屈折率は１．６５常光屈折率は１．５２である。
また、一方微粒子は１例として数μｍの円形のプラステ
ィックビーズを用いる。本実施形態に用いた微粒子には
屈折率が１．５７であるミクロパールを用いた。この２
つを均一に分散させ異方性散乱膜は、後述する押出方法
によって形成される。上記屈折率差により異方性の散乱
を示す。また、異方性散乱膜３９は、第２の実施形態と
同様基板３２の光入射側３２ａに形成しても、同様の効
果が得られることを確認した。

【００３７】図１０は、異方性散乱膜４２の押出方法を
説明するための斜視図である。基板３３は、加熱および
冷却機能を備えた保持部材４３上に真空吸着法で固定さ
れる。また、液晶高分子４２ａと微粒子４２ｂを混合
し、高温槽４５内で加熱されて溶融状態、すなわち液晶
相とされる。溶融状態とされた液晶高分子４２ａと微粒
子４２ｂの混合物は、高温槽４５に形成されたスリット
４６から適当な押出速度で押出されて、基板３３ａ上の
１／４波長板３９上に付着される。異方性散乱膜の膜厚
は、成膜時の温度、押出速度、冷却速度などによって調
整される。尚、散乱性の制御は添加する微粒子の屈折率
と割合にいよって制御可能である。このようにして形成
された異方性散乱膜の構造を図１１に示す。このように
して作製された異方性散乱膜は実施形態１の図４に示す
ような同等な異方性散乱特性を示すことを確認してい
る。本実施形態による反射型液晶表示装置は、第１〜第
２の実施形態と同様に反射型液晶表示装置の表示品位が
向上する。

【００３８】第４の実施形態である反射型液晶表示装置
は、第１の実施形態あるいは第２の実施形態とほぼ同じ
ように構成されるが、本実施形態の異方性散乱体４２
は、液晶と高分子の複合体であり、この複合体を延伸し
て形成している。すなわち、液晶材料５０としてＢＤＨ
社製Ｅ７を用いた。高分子皮膜５１で液晶粒を覆ったカ
プセル型の液晶複合体を作製するために、ポリビニルア
ルコール（ＰＶＡ）を高分子皮膜とするエマルジョン法
を用いた。作製したＰＶＡ皮膜付液晶粒の大きさは１〜
６μｍであった。作製した液晶粒エマルジョンをガラス
基板上に塗布し、乾燥した後フィルムとして取り出し
た。取り出したフィルムを約２〜３倍に一方向に延伸
し、所定の厚みとして約２０μｍとした。このようにし
て作製された異方性散乱膜は実施形態１の図４に示すよ
うな同等な異方性散乱特性を示すことを確認している。
さらに、異方性散乱体４２を、前記１／４波長板３９上
に接着剤にて固定した。このようにして作製された異方
性散乱膜４２の構造を図１２を示す。本実施形態による
反射型液晶表示装置も、第１〜第３の実施形態と同様に
反射型液晶表示装置の表示品位が向上する。

【００３９】なお、上記の実施形態は、本発明による反
射型液晶表示装置を限定するものではなく、例えば、配
向膜や液晶はあくまでも一例であり、発明の範囲内で種
々に変更可能である。つまり、配向膜が傾斜垂直配向で
あり、かつゲストホスト液晶の誘電率異方性が負である
ホスト液晶に色素を混合し、電圧無印加時に明状態とな
り、電圧印加時に暗表示とすることも可能である。ここ
で、傾斜配向はポリイミド系の垂直配向膜を一方向にラ
ビング処理を行うことにより得ており、実施形態１と同
様に、良好な表示が可能となる。

【００４０】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、コントラ
ストが大きく向上するため、反射型液晶表示装置の表示
品位が向上する。また、本発明によれば上述した効果を
有する反射型液晶表示装置が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態である反射型液晶表示
装置３１の構成を示す断面図である。

【図２】反射型液晶表示装置３１を作成する手順を示す
工程図である。

【図３】異方性散乱膜４２を評価する光学系を示す図で
ある。

【図４】異方性散乱膜４２の光学特性を示す図である。

【図５】異方性散乱膜４２の特性概略図である。

【図６】反射型液晶表示装置１の動作原理を説明するた
めの図である。

【図７】反射型液晶表示装置１の表示特性を示す図であ
る。

【図８】反射型液晶表示装置１の測定方法を示す図であ
る。

【図９】本発明の第２の実施形態である反射型液晶表示
装置４３の構成を示す断面図である。

【図１０】本発明の第３の実施形態における液晶高分子
４４の押出方法を説明するための斜視図である。

【図１１】本発明の第３の実施形態による異方性散乱膜
４２の構造図である。

【図１２】本発明の第４の実施形態による異方性散乱膜
４２の構造図である。

【図１３】従来の反射型液晶表示装置１の構成を示す断
面図である。

【図１４】従来の反射型液晶表示装置１の動作原理を説
明するための図である。

【図１５】従来の拡散反射板を使用した反射型液晶素子
の断面図である。

【符号の説明】

２、３、３２、３３基板４、３４液晶層５、３４ａ液晶分子６、３５二色性色素７、９、３６、４０透明電極８、１０、３７、４１配向膜１２、３８反射膜１１、３９１／４波長板４２異方性散乱膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−314522（ＪＰ，Ａ) 特開平８−106087（ＪＰ，Ａ) 特開平９−166780（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02F 1/1335 520 G02F 1/1335 510

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方基板が透光性を有する一
対の絶縁性基板と、該基板間に介在される少なくともそ
の分子の長軸方向に遷移双極子モーメントを有する二色
性色素と液晶よりなる液晶層と、前記一対の絶縁性基板
のうち透光性を有する第１の基板の液晶層側表面に形成
される透明電極と配向膜と、前記一対の絶縁性基板の第
２の基板の液晶層側表面に形成される配向膜と１／４波
長板と反射板と、特定方向の偏光のみを散乱する異方性
散乱膜とを備えたことを特徴とする反射型液晶表示装
置。
【請求項２】請求項１記載の異方性散乱膜が、一対の
絶縁性基板のうち第２の基板に近接して配置され、かつ
液晶層側表面に対して、異方性散乱膜、１／４波長板、
反射板の順に形成されていることを特徴とする反射型液
晶表示装置。
【請求項３】請求項１記載の異方性散乱膜が、一対の
絶縁性基板のうち透光性を有する第１の絶縁性基板の光
の入射側表面に形成されていることを特徴とする反射型
液晶表示装置。
【請求項４】前記異方性散乱膜が、配向した液晶と高
分子との複合体、液晶と高分子の複合体を延伸したも
の、液晶性高分子と微粒子との複合体、高分子と微粒子
との複合体を延伸したもののうち、いずれか１つにより
形成されることを特徴とする請求項１〜３記載の反射型
液晶表示装置。
【請求項５】前記１／４波長板が高分子延伸フィル
ム、または液晶性高分子から成ることを特徴とする請求
項１〜４記載の反射型液晶表示装置。
【請求項６】前記反射板が鏡面状金属からなることを
特徴とする請求項１〜５記載の反射型液晶表示装置。
【請求項７】前記反射板が液晶を駆動する電極を兼ね
備えていることを特徴とする請求項１〜６記載の反射型
液晶表示装置。