JP3181955B2 - 環状オレフィン系重合体の製造方法 - Google Patents
環状オレフィン系重合体の製造方法Info
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- Polymerization Catalysts (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、環状オレフィン単独重
合体、環状オレフィン・α−オレフィン共重合体といっ
た環状オレフィン系重合体の製造方法に関し、さらに詳
しくは、高度に精製した環状オレフィンを原料として用
いる環状オレフィン系重合体の製造方法に関する。
合体、環状オレフィン・α−オレフィン共重合体といっ
た環状オレフィン系重合体の製造方法に関し、さらに詳
しくは、高度に精製した環状オレフィンを原料として用
いる環状オレフィン系重合体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】環状オレフィン系重合体の製造方法とし
ては、従来より種々の技術が報告されている(特開昭61
-271308号,特開昭61-221206号,特開昭64-106号、特開
平2-173112号公報等)。しかし、環状オレフィン系重合
体の製造においては、従来未精製の環状オレフィンを単
量体として用いているため、触媒の重合活性が低くなる
という問題がある。すなわち、市販あるいは工業用原料
として供給されている未精製の環状オレフィンには、重
合禁止剤としてのt−ブチルカテコールをはじめとし
て、水分,エポキシ化合物,ケトン化合物,過酸化物,
酸化防止剤等の不純物が含まれている。例えば、ノルボ
ルネンには、エポキシノルボルナン,2−オキソノルボ
ルナン,2−アミノノルボルナン等が含まれており、シ
クロヘキセンには、シクロヘキサノンペルオキシド,シ
クロヘキシルアミン等が含まれている。そして、これら
の不純物が触媒の重合活性を阻害すると考えられる。し
たがって、環状オレフィン系重合体の製造においては、
高度に精製した環状オレフィン単量体を用いることが望
ましい。
ては、従来より種々の技術が報告されている(特開昭61
-271308号,特開昭61-221206号,特開昭64-106号、特開
平2-173112号公報等)。しかし、環状オレフィン系重合
体の製造においては、従来未精製の環状オレフィンを単
量体として用いているため、触媒の重合活性が低くなる
という問題がある。すなわち、市販あるいは工業用原料
として供給されている未精製の環状オレフィンには、重
合禁止剤としてのt−ブチルカテコールをはじめとし
て、水分,エポキシ化合物,ケトン化合物,過酸化物,
酸化防止剤等の不純物が含まれている。例えば、ノルボ
ルネンには、エポキシノルボルナン,2−オキソノルボ
ルナン,2−アミノノルボルナン等が含まれており、シ
クロヘキセンには、シクロヘキサノンペルオキシド,シ
クロヘキシルアミン等が含まれている。そして、これら
の不純物が触媒の重合活性を阻害すると考えられる。し
たがって、環状オレフィン系重合体の製造においては、
高度に精製した環状オレフィン単量体を用いることが望
ましい。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】一般に、環状オレフィ
ンの精製法としては、蒸留法が知られているが、蒸留法
には下記1〜4に示す問題がある。 1.本発明者らは研究の結果、市販あるいは工業用の環
状オレフィン中に含まれる不純物の中で、環状オレフィ
ンの酸化物が特に触媒の重合活性を阻害することを見出
した。しかし、この環状オレフィン酸化物は蒸留により
分離することが困難である。例えば、市販の工業用ノル
ボルネンは、エポキシノルボルナン等の不純物を120
〜300ppm程度含有し、フェノール系酸化防止剤を
1000ppm程度含有している。ここで、フェノール
系酸化防止剤は蒸留分離が可能であるが、エポキシノル
ボルナンは蒸留分離が困難である。 2.本発明者らの検討によれば、蒸留により酸化防止剤
を除去したノルボルネンは徐々に酸化反応を起こし、エ
ポキシノルボルナンを生成して、触媒の重合活性をさら
に阻害する。 3.1で述べたように、蒸留法による環状オレフィンの
精製はエポキシノルボルナンの残留が多く、触媒の重合
活性を低下させるため、重合体製造時に多量の触媒を必
要とする。したがって、重合後の生成物中に多量の金属
(IVB〜VB族遷移金属やアルミニウム等)が残留し、
劣化、着色等の原因となるため、重合後に脱灰を行なう
必要があり、無脱灰プロセス化が困難である。 4.蒸留法は設備費及びエネルギーコストが高い。
ンの精製法としては、蒸留法が知られているが、蒸留法
には下記1〜4に示す問題がある。 1.本発明者らは研究の結果、市販あるいは工業用の環
状オレフィン中に含まれる不純物の中で、環状オレフィ
ンの酸化物が特に触媒の重合活性を阻害することを見出
した。しかし、この環状オレフィン酸化物は蒸留により
分離することが困難である。例えば、市販の工業用ノル
ボルネンは、エポキシノルボルナン等の不純物を120
〜300ppm程度含有し、フェノール系酸化防止剤を
1000ppm程度含有している。ここで、フェノール
系酸化防止剤は蒸留分離が可能であるが、エポキシノル
ボルナンは蒸留分離が困難である。 2.本発明者らの検討によれば、蒸留により酸化防止剤
を除去したノルボルネンは徐々に酸化反応を起こし、エ
ポキシノルボルナンを生成して、触媒の重合活性をさら
に阻害する。 3.1で述べたように、蒸留法による環状オレフィンの
精製はエポキシノルボルナンの残留が多く、触媒の重合
活性を低下させるため、重合体製造時に多量の触媒を必
要とする。したがって、重合後の生成物中に多量の金属
(IVB〜VB族遷移金属やアルミニウム等)が残留し、
劣化、着色等の原因となるため、重合後に脱灰を行なう
必要があり、無脱灰プロセス化が困難である。 4.蒸留法は設備費及びエネルギーコストが高い。
【0004】本発明は、上記事情にかんがみてなされた
もので、蒸留法では除去できない環状オレフィン酸化物
等の不純物を容易に除去して触媒の重合活性を大幅に向
上させることができ、無脱灰プロセス化が可能であると
ともに、設備費やエネルギーコストの低減化を図ること
のできる環状オレフィン系重合体の製造方法の提供を目
的とする。
もので、蒸留法では除去できない環状オレフィン酸化物
等の不純物を容易に除去して触媒の重合活性を大幅に向
上させることができ、無脱灰プロセス化が可能であると
ともに、設備費やエネルギーコストの低減化を図ること
のできる環状オレフィン系重合体の製造方法の提供を目
的とする。
【0005】本発明者らは、上記目的を達成するために
鋭意研究を重ねた結果、環状オレフィンの単独重合又は
環状オレフィンとα−オレフィンとの共重合を行なって
環状オレフィン系重合体を得るにあたり、環状オレフィ
ン(但し、ジシクロペンタジエンを除く。)としてアル
ミナやシリカゲル等の無機物質との接触処理を行なった
ものを用いることにより、上記目的が効果的に達成でき
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。したが
って、本発明は、特定の無機物質との接触処理を施した
環状オレフィン(但し、ジシクロペンタジエンを除
く。)を用いて、環状オレフィンの単独重合又は環状オ
レフィンとα−オレフィンとの共重合を行なう環状オレ
フィン系重合体の製造方法の提供を目的とする。
鋭意研究を重ねた結果、環状オレフィンの単独重合又は
環状オレフィンとα−オレフィンとの共重合を行なって
環状オレフィン系重合体を得るにあたり、環状オレフィ
ン(但し、ジシクロペンタジエンを除く。)としてアル
ミナやシリカゲル等の無機物質との接触処理を行なった
ものを用いることにより、上記目的が効果的に達成でき
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。したが
って、本発明は、特定の無機物質との接触処理を施した
環状オレフィン(但し、ジシクロペンタジエンを除
く。)を用いて、環状オレフィンの単独重合又は環状オ
レフィンとα−オレフィンとの共重合を行なう環状オレ
フィン系重合体の製造方法の提供を目的とする。
【0006】なお、環状オレフィンをシリカゲルやアル
ミナ等で処理する環状オレフィンの精製法が知られてい
る(東ドイツ特許第213667号)。しかし、この公
報は精製された環状オレフィンを用いて環状オレフィン
系重合体を製造することに関しては何ら示しておらず、
本発明を示唆するものでなはい。
ミナ等で処理する環状オレフィンの精製法が知られてい
る(東ドイツ特許第213667号)。しかし、この公
報は精製された環状オレフィンを用いて環状オレフィン
系重合体を製造することに関しては何ら示しておらず、
本発明を示唆するものでなはい。
【0007】以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明の環状オレフィン系重合体の製造方法において
は、特定の無機物質との接触処理を施した環状オレフィ
ン単量体(但し、ジシクロペンタジエンを除く。)を原
料として用いる。ここで、無機物質としては、アルミ
ナ,活性アルミナ,シリカ,活性炭,生石灰,珪酸アル
ミニウム,珪藻土,活性白土,カオリナイト及びゼオラ
イトが挙げられる。これらの無機物質は一種を単独で用
いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。これら
の無機物質のうちで、アルミナ,活性アルミナ等が特に
好ましい。これらの無機物質の性状等は特に制限されな
い。接触処理の条件は、通常、処理温度0〜70℃程
度、処理量0.001〜100[リットル/h・Kg・
無機物質]程度とされる。接触処理は、例えば、上記無
機物質をカラムに充填し、このカラムに環状オレフィン
を通過させて行なう。この場合、連続処理方法を採用す
ることが好ましい。
本発明の環状オレフィン系重合体の製造方法において
は、特定の無機物質との接触処理を施した環状オレフィ
ン単量体(但し、ジシクロペンタジエンを除く。)を原
料として用いる。ここで、無機物質としては、アルミ
ナ,活性アルミナ,シリカ,活性炭,生石灰,珪酸アル
ミニウム,珪藻土,活性白土,カオリナイト及びゼオラ
イトが挙げられる。これらの無機物質は一種を単独で用
いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。これら
の無機物質のうちで、アルミナ,活性アルミナ等が特に
好ましい。これらの無機物質の性状等は特に制限されな
い。接触処理の条件は、通常、処理温度0〜70℃程
度、処理量0.001〜100[リットル/h・Kg・
無機物質]程度とされる。接触処理は、例えば、上記無
機物質をカラムに充填し、このカラムに環状オレフィン
を通過させて行なう。この場合、連続処理方法を採用す
ることが好ましい。
【0008】なお、上記無機物質による処理前に、環状
オレフィン単量体を減圧脱気させたり、環状オレフィン
単量体に乾燥不活性ガスを通気バブリングさせて、特に
環状オレフィン単量体中の水分を除去しておくことが有
効である。この場合の水分除去の目安は、状況により適
宜選択すればよいが、通常は減圧脱気や通気バブリング
によって、水分が5ppm以下となるようにすればよ
い。また、上記無機物質による処理前に、環状オレフィ
ン単量体を有機アルミニウム化合物と接触処理し、その
後、(a)上記無機物質で処理するか、あるいは、
(b)加水分解を行ない、次いで上記無機物質で処理し
てもよい。
オレフィン単量体を減圧脱気させたり、環状オレフィン
単量体に乾燥不活性ガスを通気バブリングさせて、特に
環状オレフィン単量体中の水分を除去しておくことが有
効である。この場合の水分除去の目安は、状況により適
宜選択すればよいが、通常は減圧脱気や通気バブリング
によって、水分が5ppm以下となるようにすればよ
い。また、上記無機物質による処理前に、環状オレフィ
ン単量体を有機アルミニウム化合物と接触処理し、その
後、(a)上記無機物質で処理するか、あるいは、
(b)加水分解を行ない、次いで上記無機物質で処理し
てもよい。
【0009】ここで、有機アルミニウム化合物として
は、種々挙げられるが代表的なものとしては、下記一般
式 AlRa iRb jRc 3-(i+j) (式中、Ra,Rb及びRcはそれぞれ水素原子,炭素数
1〜8のアルキル基,アルコキシ基又はハロゲン原子を
示し、i及びjはそれぞれ0〜3の整数であり、かつi
+jは0〜3の整数である。)で表わされる化合物が挙
げられる。この有機アルミニウム化合物の具体例として
は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウム、トリオクチルアルミニウム、ジメチルアルミニ
ウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、水
素化ジエチルアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミ
ニウム、ジエチルアルミニウムエトキシド等が挙げられ
る。これらの化合物のうち、ハロゲン原子を含まない有
機アルミニウム化合物が好ましく、水素,エチル基及び
/又はイソブチル基を含む有機アルミニウム化合物、例
えばトリイソブチルアルミニウム、水素化ジイソブチル
アルミニウム、水素化ジエチルアルミニウム等が特に好
ましい。また、後述する触媒の一成分であるアルミノキ
サンを使用することもできる。
は、種々挙げられるが代表的なものとしては、下記一般
式 AlRa iRb jRc 3-(i+j) (式中、Ra,Rb及びRcはそれぞれ水素原子,炭素数
1〜8のアルキル基,アルコキシ基又はハロゲン原子を
示し、i及びjはそれぞれ0〜3の整数であり、かつi
+jは0〜3の整数である。)で表わされる化合物が挙
げられる。この有機アルミニウム化合物の具体例として
は、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミ
ニウム、トリオクチルアルミニウム、ジメチルアルミニ
ウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、水
素化ジエチルアルミニウム、水素化ジイソブチルアルミ
ニウム、ジエチルアルミニウムエトキシド等が挙げられ
る。これらの化合物のうち、ハロゲン原子を含まない有
機アルミニウム化合物が好ましく、水素,エチル基及び
/又はイソブチル基を含む有機アルミニウム化合物、例
えばトリイソブチルアルミニウム、水素化ジイソブチル
アルミニウム、水素化ジエチルアルミニウム等が特に好
ましい。また、後述する触媒の一成分であるアルミノキ
サンを使用することもできる。
【0010】なお、有機アルミニウム化合物のとの接触
処理に先立って、環状オレフィンの中のヘテロ原子を含
む環状オレフィン等の不純物をガスクロマトグラフィー
等によって定量しておくことが好ましい。その結果をも
とに、不純物1モルあたり接触させる有機アルミニウム
化合物を1〜1000モルの範囲で適宜加えることがで
きるが、多くの場合1〜10モルで充分である。しか
し、過剰量の有機アルミニウム化合物を反応系に加えて
も、特に支障はない。処理温度は0〜100℃、好まし
くは20〜40℃である。処理時間は5分から10時間
であるが、10分から1時間程度で充分であることが多
い。上記有機アルミニウム化合物との接触処理後に、
(a)上記無機物質による処理、あるいは(b)加水分
解後、上記無機物質による処理を行なう。無機物質によ
る処理条件等は上述した条件と同様である。
処理に先立って、環状オレフィンの中のヘテロ原子を含
む環状オレフィン等の不純物をガスクロマトグラフィー
等によって定量しておくことが好ましい。その結果をも
とに、不純物1モルあたり接触させる有機アルミニウム
化合物を1〜1000モルの範囲で適宜加えることがで
きるが、多くの場合1〜10モルで充分である。しか
し、過剰量の有機アルミニウム化合物を反応系に加えて
も、特に支障はない。処理温度は0〜100℃、好まし
くは20〜40℃である。処理時間は5分から10時間
であるが、10分から1時間程度で充分であることが多
い。上記有機アルミニウム化合物との接触処理後に、
(a)上記無機物質による処理、あるいは(b)加水分
解後、上記無機物質による処理を行なう。無機物質によ
る処理条件等は上述した条件と同様である。
【0011】なお、加水分解後、上記無機物質による処
理を行なう場合は、使用する有機アルミニウム化合物も
加水分解を受けて水酸化アルミニウムを生成するため、
環状オレフィン系単量体からなる有機相と水酸化アルミ
ニウム等を含んだ水相とを分離後、上記無機物質による
処理を行なうことが好ましい。加水分解後上記無機物質
による処理を行なうことによって、有機アルミニウム化
合物とオレフィン系単量体中の不純物との反応生成物の
加水分解物を、上記無機物質で吸着除去することができ
る。上記有機アルミニウム化合物との接触処理及び無機
物質等による接触処理の併用によって、ヘテロ原子を含
む環状オレフィン等の不純物を効果的に除去することが
できる。この場合、ヘテロ原子を含む環状オレフィン等
の不純物は100ppm以下とすることが好ましい。
理を行なう場合は、使用する有機アルミニウム化合物も
加水分解を受けて水酸化アルミニウムを生成するため、
環状オレフィン系単量体からなる有機相と水酸化アルミ
ニウム等を含んだ水相とを分離後、上記無機物質による
処理を行なうことが好ましい。加水分解後上記無機物質
による処理を行なうことによって、有機アルミニウム化
合物とオレフィン系単量体中の不純物との反応生成物の
加水分解物を、上記無機物質で吸着除去することができ
る。上記有機アルミニウム化合物との接触処理及び無機
物質等による接触処理の併用によって、ヘテロ原子を含
む環状オレフィン等の不純物を効果的に除去することが
できる。この場合、ヘテロ原子を含む環状オレフィン等
の不純物は100ppm以下とすることが好ましい。
【0012】なお、上記有機アルミニウム化合物との接
触処理後に、(c)直接蒸留処理、あるいは(d)加水
分解後蒸留処理することによっても不純物の除去が可能
であるが、この場合は、蒸留設備が必要となり、エネル
ギーコストが高くなる。例えば、有機アルミニウム化合
物と接触後、直接蒸留する場合は、環状オレフィン単量
体から有機アルミニウム化合物と不純物との反応生成物
を分離するような条件で蒸留操作を行なえばよい。蒸留
条件としては任意に選定できるが、低温での蒸留がより
好ましく、常圧よりも減圧蒸留が好ましい。蒸留温度と
しては0〜100℃、好ましくは0〜50℃である。一
方、加水分解後蒸留する場合は、有機アルミニウム化合
物と環状オレフィン単量体中の不純物との反応生成物の
加水分解物を、環状オレフィン単量体と分離するように
蒸留を行なえばよい。使用した有機アルミニウム化合物
も加水分解を受けて水酸化アルミニウムを生成するた
め、環状オレフィン単量体からなる有機相と水酸化アル
ミニウム等を含んだ水相とを分離後、蒸留することが好
ましい。
触処理後に、(c)直接蒸留処理、あるいは(d)加水
分解後蒸留処理することによっても不純物の除去が可能
であるが、この場合は、蒸留設備が必要となり、エネル
ギーコストが高くなる。例えば、有機アルミニウム化合
物と接触後、直接蒸留する場合は、環状オレフィン単量
体から有機アルミニウム化合物と不純物との反応生成物
を分離するような条件で蒸留操作を行なえばよい。蒸留
条件としては任意に選定できるが、低温での蒸留がより
好ましく、常圧よりも減圧蒸留が好ましい。蒸留温度と
しては0〜100℃、好ましくは0〜50℃である。一
方、加水分解後蒸留する場合は、有機アルミニウム化合
物と環状オレフィン単量体中の不純物との反応生成物の
加水分解物を、環状オレフィン単量体と分離するように
蒸留を行なえばよい。使用した有機アルミニウム化合物
も加水分解を受けて水酸化アルミニウムを生成するた
め、環状オレフィン単量体からなる有機相と水酸化アル
ミニウム等を含んだ水相とを分離後、蒸留することが好
ましい。
【0013】本発明方法においては、上記無機物質等と
の接触処理を施した環状オレフィンを用いて、環状オレ
フィン単独重合又は環状オレフィンとα−オレフィンと
の共重合を行なう。この場合、無機物質との接触処理を
施した環状オレフィンは、エポキシノルンボルナンの含
有量が100ppm以下の状態で使用することが望まし
いが、接触処理後の環状オレフィンは放置されるとエポ
キシノルンボルナンがまた増加する。したがって、重合
装置の前段で接触処理を行ない、接触処理後の環状オレ
フィンを引き続き重合工程に供給することが特に好まし
い。
の接触処理を施した環状オレフィンを用いて、環状オレ
フィン単独重合又は環状オレフィンとα−オレフィンと
の共重合を行なう。この場合、無機物質との接触処理を
施した環状オレフィンは、エポキシノルンボルナンの含
有量が100ppm以下の状態で使用することが望まし
いが、接触処理後の環状オレフィンは放置されるとエポ
キシノルンボルナンがまた増加する。したがって、重合
装置の前段で接触処理を行ない、接触処理後の環状オレ
フィンを引き続き重合工程に供給することが特に好まし
い。
【0014】本発明で用いる環状オレフィンとしては、
例えば、下記のものを挙げることができる。シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン等の単環環状オレフィン;3−メチ
ルシクロペンテン、3−メチルシクロヘキセン等の置換
単環環状オレフィン;ノルボルネン、1、2−ジヒドロ
ジシクロペンタジエン、1,4,5,8−ジメタノ−
1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナ
フタレン等の多環環状オレフィン;
例えば、下記のものを挙げることができる。シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン等の単環環状オレフィン;3−メチ
ルシクロペンテン、3−メチルシクロヘキセン等の置換
単環環状オレフィン;ノルボルネン、1、2−ジヒドロ
ジシクロペンタジエン、1,4,5,8−ジメタノ−
1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナ
フタレン等の多環環状オレフィン;
【0015】1−メチルノルボルネン、5−メチルノル
ボルネン、5−エチルノルボルネン、5−プロピルノル
ボルネン、5−フェニルノルボルネン、5−ベンジルノ
ルボルネン、5−エチリデンノルボルネン、5−ビニル
ノルボルネン、5−クロロノルボルネン、5−フルオロ
ノルボルネン、5−クロロメチルノルボルネン、5−メ
トキシノルボルネン、7−メチルノルボルネン、5,6
−ジメチルノルボルネン、5,5−ジクロロノルボルネ
ン、5,5,6−トリメチルノルボルネン、5,5,6
−トリフルオロ−6−トリフルオロメチルノルボルネ
ン、2−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,
3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレ
ン、2−エチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,
3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレ
ン、2,3−ジメチル−1,4,5,8−ジメタノ−
1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナ
フタレン等の置換多環環状オレフィンこれらの中で特に
好ましいのは、多環環状オレフィン、なかでもノルボル
ネン又はその誘導体である。
ボルネン、5−エチルノルボルネン、5−プロピルノル
ボルネン、5−フェニルノルボルネン、5−ベンジルノ
ルボルネン、5−エチリデンノルボルネン、5−ビニル
ノルボルネン、5−クロロノルボルネン、5−フルオロ
ノルボルネン、5−クロロメチルノルボルネン、5−メ
トキシノルボルネン、7−メチルノルボルネン、5,6
−ジメチルノルボルネン、5,5−ジクロロノルボルネ
ン、5,5,6−トリメチルノルボルネン、5,5,6
−トリフルオロ−6−トリフルオロメチルノルボルネ
ン、2−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,
3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレ
ン、2−エチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,
3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレ
ン、2,3−ジメチル−1,4,5,8−ジメタノ−
1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナ
フタレン等の置換多環環状オレフィンこれらの中で特に
好ましいのは、多環環状オレフィン、なかでもノルボル
ネン又はその誘導体である。
【0016】また、α−オレフィンとしては、例えばエ
チレン、プロピレン、ブテン−1、4−メチルペンテン
−1等の炭素数2〜25のものを好適に使用することが
できる。これらの中で特に好ましいのはエチレンであ
る。
チレン、プロピレン、ブテン−1、4−メチルペンテン
−1等の炭素数2〜25のものを好適に使用することが
できる。これらの中で特に好ましいのはエチレンであ
る。
【0017】さらに、本発明においては、必要に応じ上
記以外の共重合可能な不飽和単量体成分を使用してもよ
い。このような任意に共重合されてもよい不飽和単量体
として、具体的には、α−オレフィンのうち先に使用さ
れていないもの、環状オレフィンのうち先に使用されて
いないもの、ジシクロペンタジエン、ノルボルナジエン
等の環状ジエン、ブタジエン、イソプレン、1,5−ヘ
キサジエン等の鎖状ジエンを挙げることができる。
記以外の共重合可能な不飽和単量体成分を使用してもよ
い。このような任意に共重合されてもよい不飽和単量体
として、具体的には、α−オレフィンのうち先に使用さ
れていないもの、環状オレフィンのうち先に使用されて
いないもの、ジシクロペンタジエン、ノルボルナジエン
等の環状ジエン、ブタジエン、イソプレン、1,5−ヘ
キサジエン等の鎖状ジエンを挙げることができる。
【0018】本発明方法に用いる重合用触媒は特に制限
されないが、下記のバナジウム(V)系触媒,遷移
金属/アルミノキサン系触媒,遷移金属/カチオン・
アニオン/(有機アルミニウム化合物)系触媒、その他
モリブデン,タングステン等と有機アルミニウム化合物
との組合わせによる開環重合用触媒等が好ましい。 バナジウム系触媒 バナジウム化合物と有機アルミニウム化合物からなる触
媒である。ここで、バナジウム化合物としては、ビス
(シクロペンタジエニル)バナジウムジクロリド,ビス
(シクロペンタジエニル)バナジウムモノクロリド,三
塩化バナジル,二塩化バナジルエトキシド,塩化バナジ
ルジエトキシド,二塩化バナジルイソブトキシド,トリ
エトキシバナジル,三臭化バナジル,トリ(n−ブトキ
シ)バナジル等が挙げられる。
されないが、下記のバナジウム(V)系触媒,遷移
金属/アルミノキサン系触媒,遷移金属/カチオン・
アニオン/(有機アルミニウム化合物)系触媒、その他
モリブデン,タングステン等と有機アルミニウム化合物
との組合わせによる開環重合用触媒等が好ましい。 バナジウム系触媒 バナジウム化合物と有機アルミニウム化合物からなる触
媒である。ここで、バナジウム化合物としては、ビス
(シクロペンタジエニル)バナジウムジクロリド,ビス
(シクロペンタジエニル)バナジウムモノクロリド,三
塩化バナジル,二塩化バナジルエトキシド,塩化バナジ
ルジエトキシド,二塩化バナジルイソブトキシド,トリ
エトキシバナジル,三臭化バナジル,トリ(n−ブトキ
シ)バナジル等が挙げられる。
【0019】また、有機アルミニウム化合物としては、
少なくとも分子内に1個のAl−炭素結合を有する化合
物が使用できる。このような化合物としては、例えば下
記(I)〜(II)に示すものを挙げることができる。 (I)一般式 Rd mAl(ORe)nHpXq (式中、Rd及びReはそれぞれ炭素原子数が通常1〜1
5、好ましくは1〜4の炭化水素基で、これらは互いに
同一でも異なっていてもよい。Xはハロゲン原子、mは
0≦m≦3,nは0≦n<3、pは0≦p<3、qは0
≦q<3の数であって、m+n+p+q=3である)で
表わされる有機アルミニウム化合物 (II)一般式 MaAlRd 4 (ここでMaはLi,Na,Kであり、Rdは前記と同で
ある。)で表わされる第I族とアルミニウムとの錯アル
キル化物
少なくとも分子内に1個のAl−炭素結合を有する化合
物が使用できる。このような化合物としては、例えば下
記(I)〜(II)に示すものを挙げることができる。 (I)一般式 Rd mAl(ORe)nHpXq (式中、Rd及びReはそれぞれ炭素原子数が通常1〜1
5、好ましくは1〜4の炭化水素基で、これらは互いに
同一でも異なっていてもよい。Xはハロゲン原子、mは
0≦m≦3,nは0≦n<3、pは0≦p<3、qは0
≦q<3の数であって、m+n+p+q=3である)で
表わされる有機アルミニウム化合物 (II)一般式 MaAlRd 4 (ここでMaはLi,Na,Kであり、Rdは前記と同で
ある。)で表わされる第I族とアルミニウムとの錯アル
キル化物
【0020】前記の(I)に属する有機アルミニウム化
合物としては、例えば、 一般式 Rd mAl(ORe)3-m (ここでRd及びReは前記と同じであり、mは好ましく
は1.5≦m≦3の数である。) 一般式 Rd mAlX3-m (ここでRd及びXは前記と同じであり、mは好ましく
は0<m<3である。) 一般式 Rd mAlH3-m (ここでRdは前記と同じであり、mは好ましくは2≦
m<3である。) 一般式 Rd mAl(ORe)nXq (ここでRd、Re及びXは前記と同じであり、0<m≦
3,0≦n<3、0≦q<3で、m+n+q=3であ
る)で表わされるもの等を例示できる。
合物としては、例えば、 一般式 Rd mAl(ORe)3-m (ここでRd及びReは前記と同じであり、mは好ましく
は1.5≦m≦3の数である。) 一般式 Rd mAlX3-m (ここでRd及びXは前記と同じであり、mは好ましく
は0<m<3である。) 一般式 Rd mAlH3-m (ここでRdは前記と同じであり、mは好ましくは2≦
m<3である。) 一般式 Rd mAl(ORe)nXq (ここでRd、Re及びXは前記と同じであり、0<m≦
3,0≦n<3、0≦q<3で、m+n+q=3であ
る)で表わされるもの等を例示できる。
【0021】(I)に属するアルミニウム化合物とし
て、より具体的には、トリエチルアルミニウム、トリブ
チルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム等の
トリアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムエト
キシド、ジブチルアルミニウムブトキシド等のジアルキ
ルアルミニウムアルコキシド;エチルアルミニウムセス
キエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシド等
のアルキルアルミニウムセスキアルコキシド;Rd 2.5A
l(ORe)0.5等で表わされる平均組成を有する部分的
にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム;ジエチル
アルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリ
ド、ジエチルアルミニウムブロミド等のジアルキルアル
ミニウムハライド;エチルアルミニウムセスキクロリ
ド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミ
ニウムセスキブロミド等のアルキルアルミニウムセスキ
ハライド;エチルアルミニウムジクロリド、プロピルア
ルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミド
等のアルキルアルミニウムジハライドといった部分的に
ハロゲン化されたアルキルアルミニウム;ジエチルアル
ミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等の
ジアルキルアルミニウムヒドリド、エチルアルミニウム
ジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリド等のアル
キルアルミニウムジヒドリドといった部分的に水素化さ
れたアルキルアルミニウム;エチルアルミニウムエトキ
シクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エ
チルアルミニウムエトキシブロミド等の部分的にアルコ
キシ化及びハロゲン化されたアルキルアルミニウムを例
示することができる。
て、より具体的には、トリエチルアルミニウム、トリブ
チルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム等の
トリアルキルアルミニウム;ジエチルアルミニウムエト
キシド、ジブチルアルミニウムブトキシド等のジアルキ
ルアルミニウムアルコキシド;エチルアルミニウムセス
キエトキシド、ブチルアルミニウムセスキブトキシド等
のアルキルアルミニウムセスキアルコキシド;Rd 2.5A
l(ORe)0.5等で表わされる平均組成を有する部分的
にアルコキシ化されたアルキルアルミニウム;ジエチル
アルミニウムクロリド、ジブチルアルミニウムクロリ
ド、ジエチルアルミニウムブロミド等のジアルキルアル
ミニウムハライド;エチルアルミニウムセスキクロリ
ド、ブチルアルミニウムセスキクロリド、エチルアルミ
ニウムセスキブロミド等のアルキルアルミニウムセスキ
ハライド;エチルアルミニウムジクロリド、プロピルア
ルミニウムジクロリド、ブチルアルミニウムジブロミド
等のアルキルアルミニウムジハライドといった部分的に
ハロゲン化されたアルキルアルミニウム;ジエチルアル
ミニウムヒドリド、ジブチルアルミニウムヒドリド等の
ジアルキルアルミニウムヒドリド、エチルアルミニウム
ジヒドリド、プロピルアルミニウムジヒドリド等のアル
キルアルミニウムジヒドリドといった部分的に水素化さ
れたアルキルアルミニウム;エチルアルミニウムエトキ
シクロリド、ブチルアルミニウムブトキシクロリド、エ
チルアルミニウムエトキシブロミド等の部分的にアルコ
キシ化及びハロゲン化されたアルキルアルミニウムを例
示することができる。
【0022】また、前記(I)の化合物に類似する化合
物として、酸素原子や窒素原子を介して2以上のアルミ
ニウムが結合した有機アルミニウム化合物であってもよ
い。このような化合物として、例えば、 (C2H5)2AlOAl(C2H5)2 (C4H9)2AlOAl(C4H9)2 等を例示できる。 前記(II)に属する化合物としては、例えば、 LiAl(C2H5)4 LiAl(C6H13)4 等を例示できる。上記化合物の中では、アルキルアルミ
ニウムハライド、アルキルアルミニウムジハライド又は
これらの混合物を用いることが特に好ましい。
物として、酸素原子や窒素原子を介して2以上のアルミ
ニウムが結合した有機アルミニウム化合物であってもよ
い。このような化合物として、例えば、 (C2H5)2AlOAl(C2H5)2 (C4H9)2AlOAl(C4H9)2 等を例示できる。 前記(II)に属する化合物としては、例えば、 LiAl(C2H5)4 LiAl(C6H13)4 等を例示できる。上記化合物の中では、アルキルアルミ
ニウムハライド、アルキルアルミニウムジハライド又は
これらの混合物を用いることが特に好ましい。
【0023】遷移金属/アルミノキサン触媒 (a)遷移金属化合物及び(b)アルミノキサンからな
る触媒である。触媒構成成分である遷移金属化合物
(a)は、周期律表のIVB族、VB族、VIB族、VIIB族
及びVIII族よりなる群から選ばれた遷移金属の化合物で
あり、例えば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バ
ナジウム、クロム、マンガン、ニッケル、パラジウム、
白金等の化合物を例示することができる。これらの遷移
金属化合物の中ではチタン、ジルコニウム、ニッケル、
パラジウムの化合物が好ましく、特にジルコニウム、ニ
ッケルの化合物が高活性であるので好ましい。遷移金属
化合物(a)としては、炭化水素基を有する化合物又は
炭化水素基及びハロゲン原子を有する化合物が好まし
い。中でも、少なくとも1個、特に2個の炭化水素基を
有し、かつ少なくとも1個、特に2個のハロゲン原子を
有する遷移金属化合物が好ましい。上記炭化水素基とし
て、具体的には、メチル基、エチル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソブチル
基、ネオペンチル基等のアルキル基、イソプロペニル
基、1−ブチニル基等のアルケニル基、シクロペンタジ
エニル基、メチルシクロペンタジエニル基等のシクロア
ルカジエニル基、ペンジル基、ネオフイル基等のアラル
キル基等を例示することができるが、特にシクロアルカ
ジエニル基、中でもシクロペンタジエニル基が好まし
い。また、ハロゲン原子として、具体的には、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素原子を例示することができる。
る触媒である。触媒構成成分である遷移金属化合物
(a)は、周期律表のIVB族、VB族、VIB族、VIIB族
及びVIII族よりなる群から選ばれた遷移金属の化合物で
あり、例えば、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バ
ナジウム、クロム、マンガン、ニッケル、パラジウム、
白金等の化合物を例示することができる。これらの遷移
金属化合物の中ではチタン、ジルコニウム、ニッケル、
パラジウムの化合物が好ましく、特にジルコニウム、ニ
ッケルの化合物が高活性であるので好ましい。遷移金属
化合物(a)としては、炭化水素基を有する化合物又は
炭化水素基及びハロゲン原子を有する化合物が好まし
い。中でも、少なくとも1個、特に2個の炭化水素基を
有し、かつ少なくとも1個、特に2個のハロゲン原子を
有する遷移金属化合物が好ましい。上記炭化水素基とし
て、具体的には、メチル基、エチル基、n−ブチル基、
sec−ブチル基、tert−ブチル基、イソブチル
基、ネオペンチル基等のアルキル基、イソプロペニル
基、1−ブチニル基等のアルケニル基、シクロペンタジ
エニル基、メチルシクロペンタジエニル基等のシクロア
ルカジエニル基、ペンジル基、ネオフイル基等のアラル
キル基等を例示することができるが、特にシクロアルカ
ジエニル基、中でもシクロペンタジエニル基が好まし
い。また、ハロゲン原子として、具体的には、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素原子を例示することができる。
【0024】遷移金属化合物(a)として、具体的に
は、ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルチタン、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジエチルチタン、ビス(シ
クロペンタジエニル)ジイソプロピルチタン、ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ジメチルチタン、ビス(シ
クロペンタジエニル)メチルチタンモノクロリド、ビス
(シクロペンタジエニル)エチルチタンモノクロリド、
ビス(シクロペンタジエニル)イソプロピルチタンモノ
クロリド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルチタン
モノブロミド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルチ
タンモノイオデイド、ビス(シクロペンタジエニル)チ
タンジフルオリド、ビス(シクロペンタジエニル)チタ
ンジクロリド、ビス(シクロペンタジエニル)チタンジ
ブロミド、ビス(メチルシクロペンタジエニル)チタン
ジイオデイド等のチタン化合物、
は、ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルチタン、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジエチルチタン、ビス(シ
クロペンタジエニル)ジイソプロピルチタン、ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ジメチルチタン、ビス(シ
クロペンタジエニル)メチルチタンモノクロリド、ビス
(シクロペンタジエニル)エチルチタンモノクロリド、
ビス(シクロペンタジエニル)イソプロピルチタンモノ
クロリド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルチタン
モノブロミド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルチ
タンモノイオデイド、ビス(シクロペンタジエニル)チ
タンジフルオリド、ビス(シクロペンタジエニル)チタ
ンジクロリド、ビス(シクロペンタジエニル)チタンジ
ブロミド、ビス(メチルシクロペンタジエニル)チタン
ジイオデイド等のチタン化合物、
【0025】ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルジ
ルコニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジエチルジ
ルコニウム、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジイ
ソプロピルジルコニウム、ビス(シクロペンタジエニ
ル)メチルジルコニウムモノクロリド、ビス(シクロペ
ンタジエニル)エチルジルコニウムモノクロリド、ビス
(シクロペンタジエニル)メチルジルコニウムモノブロ
ミド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルジルコニウ
ムモノイオデイド、ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウムジフルオリド、ビス(シクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロリド、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジブロミド、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムモノクロリドモノハイドライド、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジハイドライ
ド、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジイオ
デイド等のジルコニウム化合物、
ルコニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジエチルジ
ルコニウム、ビス(メチルシクロペンタジエニル)ジイ
ソプロピルジルコニウム、ビス(シクロペンタジエニ
ル)メチルジルコニウムモノクロリド、ビス(シクロペ
ンタジエニル)エチルジルコニウムモノクロリド、ビス
(シクロペンタジエニル)メチルジルコニウムモノブロ
ミド、ビス(シクロペンタジエニル)メチルジルコニウ
ムモノイオデイド、ビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウムジフルオリド、ビス(シクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロリド、ビス(シクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジブロミド、ビス(シクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムモノクロリドモノハイドライド、ビ
ス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジハイドライ
ド、ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジイオ
デイド等のジルコニウム化合物、
【0026】ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルハ
フニウム、ビス(シクロペンタジエニル)メチルハフニ
ウムモノクロリド、ビス(シクロペンタジエニル)ハフ
ニウムジクロリド等のハフニウム化合物、ビス(シクロ
ペンタジエニル)バナジウムジクロリド、ビス(シクロ
ペンタジエニル)バナジウムモノクロリド等のバナジウ
ム化合物、
フニウム、ビス(シクロペンタジエニル)メチルハフニ
ウムモノクロリド、ビス(シクロペンタジエニル)ハフ
ニウムジクロリド等のハフニウム化合物、ビス(シクロ
ペンタジエニル)バナジウムジクロリド、ビス(シクロ
ペンタジエニル)バナジウムモノクロリド等のバナジウ
ム化合物、
【0027】テトラメチルクロム、テトラ(t−ブトキ
シ)クロム、ビス(シクロペンタジエニル)クロム、ヒ
ドリドトリカルボニル(シクロペンタジエニル)クロ
ム、ヘキサカルボニル(シクロペンタジエニル)クロ
ム、ビス(ベンゼン)クロム、トリカルボニルトリス
(ホスホン酸トリフェニル)クロム、トリス(アリル)
クロム、トリフェニルトリス(テトラヒドロフラン)ク
ロム、クロムトリス(アセチルアセトナート)等のクロ
ム化合物、
シ)クロム、ビス(シクロペンタジエニル)クロム、ヒ
ドリドトリカルボニル(シクロペンタジエニル)クロ
ム、ヘキサカルボニル(シクロペンタジエニル)クロ
ム、ビス(ベンゼン)クロム、トリカルボニルトリス
(ホスホン酸トリフェニル)クロム、トリス(アリル)
クロム、トリフェニルトリス(テトラヒドロフラン)ク
ロム、クロムトリス(アセチルアセトナート)等のクロ
ム化合物、
【0028】トリカルボニル(シクロペンタジエニル)
マンガン、ペンタカルボニルメチルマンガン、ビス(シ
クロペンタジエニル)マンガン、マンガンビス(アセチ
ルアセトナート)等のマンガン化合物、
マンガン、ペンタカルボニルメチルマンガン、ビス(シ
クロペンタジエニル)マンガン、マンガンビス(アセチ
ルアセトナート)等のマンガン化合物、
【0029】ジカルボニルビス(トリフェニルホスフィ
ン)ニッケル、ジブロモビス(トリフェニルホスフィ
ン)ニッケル、二窒素ビス(ビス(トリシクロヘキシル
ホスフィン)ニッケル)、クロロヒドリドビス(トリシ
クロヘキシルホスフィン)ニッケル、クロロ(フェニ
ル)ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、ジメチ
ルビス(トリメチルホスフィン)ニッケル、ジエチル
(2,2’−ビピリジル)ニッケル、ビス(アリル)ニ
ッケル、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル、ビス
(メチルシクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)ニッケル、アリル(シ
クロペンタジエニル)ニッケル、(シクロペンタジエニ
ル)(シクロオクタジエン)ニッケルテトラフルオロ硼
酸塩、ビス(シクロオクタジエン)ニッケル、ニッケル
ビスアセチルアセトナート、アリルニッケルクロライ
ド、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)ニッケ
ル、塩化ニッケル、(C6H5)Ni{OC(C6H5)CH=P(C6H5)2}{P
(C6H5)3}、(C6H5)Ni{OC(C6H5)C(SO3Na)=P(C6H5)2}{P(C6
H5)3}等のニッケル化合物、
ン)ニッケル、ジブロモビス(トリフェニルホスフィ
ン)ニッケル、二窒素ビス(ビス(トリシクロヘキシル
ホスフィン)ニッケル)、クロロヒドリドビス(トリシ
クロヘキシルホスフィン)ニッケル、クロロ(フェニ
ル)ビス(トリフェニルホスフィン)ニッケル、ジメチ
ルビス(トリメチルホスフィン)ニッケル、ジエチル
(2,2’−ビピリジル)ニッケル、ビス(アリル)ニ
ッケル、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル、ビス
(メチルシクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)ニッケル、アリル(シ
クロペンタジエニル)ニッケル、(シクロペンタジエニ
ル)(シクロオクタジエン)ニッケルテトラフルオロ硼
酸塩、ビス(シクロオクタジエン)ニッケル、ニッケル
ビスアセチルアセトナート、アリルニッケルクロライ
ド、テトラキス(トリフェニルフォスフィン)ニッケ
ル、塩化ニッケル、(C6H5)Ni{OC(C6H5)CH=P(C6H5)2}{P
(C6H5)3}、(C6H5)Ni{OC(C6H5)C(SO3Na)=P(C6H5)2}{P(C6
H5)3}等のニッケル化合物、
【0030】ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウ
ム、カルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム、ジクロロビス(トリエチルホスフィン)パラジ
ウム、ビス(イソシアン化t−ブチル)パラジウム、パ
ラジウムビス(アセチルアセトナート)、ジクロロ(テ
トラフェニルシクロブタジエン)パラジウム、ジクロロ
(1,5−シクロオクタジエン)パラジウム、アリル
(シクロペンタジエニル)パラジウム、ビス(アリル)
パラジウム、アリル(1,5−シクロオクタジエン)パ
ラジウムテトラフルオロ硼酸塩、(アセチルアセトナー
ト)(1,5−シクロオクタジエン)パラジウムテトラ
フルオロ硼酸塩、テトラキス(アセトニトリル)パラジ
ウム二テトラフルオロ硼酸塩等のパラジウム化合物等が
挙げられる。
ム、カルボニルトリス(トリフェニルホスフィン)パラ
ジウム、ジクロロビス(トリエチルホスフィン)パラジ
ウム、ビス(イソシアン化t−ブチル)パラジウム、パ
ラジウムビス(アセチルアセトナート)、ジクロロ(テ
トラフェニルシクロブタジエン)パラジウム、ジクロロ
(1,5−シクロオクタジエン)パラジウム、アリル
(シクロペンタジエニル)パラジウム、ビス(アリル)
パラジウム、アリル(1,5−シクロオクタジエン)パ
ラジウムテトラフルオロ硼酸塩、(アセチルアセトナー
ト)(1,5−シクロオクタジエン)パラジウムテトラ
フルオロ硼酸塩、テトラキス(アセトニトリル)パラジ
ウム二テトラフルオロ硼酸塩等のパラジウム化合物等が
挙げられる。
【0031】触媒構成成分のアルミノキサン(b)とし
て、具体的には、下記一般式
て、具体的には、下記一般式
【化1】 又は下記一般式
【化2】 (両式中、Rfは炭化水素基を示し、rは2以上の整数
を示す)で表わされる有機アルミニウム化合物を例示す
ることができる。該アルミノキサンにおいて、Rfはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭化水素
基である。好ましくはメチル基、エチル基であり、特に
好ましくはメチル基である。mは2以上の整数、好まし
くは5以上の整数、特に好ましくは10ないし100の
整数である。
を示す)で表わされる有機アルミニウム化合物を例示す
ることができる。該アルミノキサンにおいて、Rfはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等の炭化水素
基である。好ましくはメチル基、エチル基であり、特に
好ましくはメチル基である。mは2以上の整数、好まし
くは5以上の整数、特に好ましくは10ないし100の
整数である。
【0032】遷移金属/カチオン・アニオン/(有機
アルミニウム化合物)系触媒 下記化合物(A)及び(B)を主成分とする触媒又は下
記化合物(A)、(B)及び(C)を主成分とする触媒
である。 (A)遷移金属化合物 (B)遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
する化合物 (C)有機アルミニウム化合物
アルミニウム化合物)系触媒 下記化合物(A)及び(B)を主成分とする触媒又は下
記化合物(A)、(B)及び(C)を主成分とする触媒
である。 (A)遷移金属化合物 (B)遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成
する化合物 (C)有機アルミニウム化合物
【0033】ここで、遷移金属化合物(A)としては、
周期律表のIVB族,VB族,VIB族,VIIB族,VIII族に
属する遷移金属を含む遷移金属化合物を使用することが
できる。上記遷移金属として、具体的には、チタニウ
ム、ジルコニウム、ハフニウム、クロム、マンガン、ニ
ッケル、パラジウム、白金等が好ましく、中でもジルコ
ニウム、ハフニウム、チタン、ニッケル、パラジウムが
好ましい。
周期律表のIVB族,VB族,VIB族,VIIB族,VIII族に
属する遷移金属を含む遷移金属化合物を使用することが
できる。上記遷移金属として、具体的には、チタニウ
ム、ジルコニウム、ハフニウム、クロム、マンガン、ニ
ッケル、パラジウム、白金等が好ましく、中でもジルコ
ニウム、ハフニウム、チタン、ニッケル、パラジウムが
好ましい。
【0034】このような遷移金属化合物としては、種々
のものが挙げられるが、特にIVB族、VIII族の遷移金属
を含む化合物、中でも周期律表のIVB族から選ばれる遷
移金属、すなわちチタニウム(Ti)、ジルコニウム
(Zr)又はハフニウム(Hf)を含有する化合物を好
適に使用することができ、特に下記一般式(I),(II)又
は(III)で示されるシクロペンタジエニル化合物又はこ
れらの誘導体あるいは下記一般式(IV)で示される化合
物又はこれらの誘導体が好適である。 CpM1R1 aR2 bR3 c …(I) Cp2M1R1 dR2 e …(II) (Cp−Af−Cp)M1R1 dR2 e …(III) M1R1 gR2 hR3 iR4 j …(IV)
のものが挙げられるが、特にIVB族、VIII族の遷移金属
を含む化合物、中でも周期律表のIVB族から選ばれる遷
移金属、すなわちチタニウム(Ti)、ジルコニウム
(Zr)又はハフニウム(Hf)を含有する化合物を好
適に使用することができ、特に下記一般式(I),(II)又
は(III)で示されるシクロペンタジエニル化合物又はこ
れらの誘導体あるいは下記一般式(IV)で示される化合
物又はこれらの誘導体が好適である。 CpM1R1 aR2 bR3 c …(I) Cp2M1R1 dR2 e …(II) (Cp−Af−Cp)M1R1 dR2 e …(III) M1R1 gR2 hR3 iR4 j …(IV)
【0035】[(I)〜(IV)式中、M1 はTi,Zr
又はHf原子を示し、Cpはシクロペンタジエニル基,
置換シクロペンタジエニル基,インデニル基,置換イン
デニル基,テトラヒドロインデニル基,置換テトラヒド
ロインデニル基,フルオレニル基又は置換フルオレニル
基等の環状不飽和炭化水素基又は鎖状不飽和炭化水素基
を示す。R1 ,R2 ,R3及びR4はそれぞれ水素原子,
酸素原子,ハロゲン原子,炭素数1〜20のアルキル
基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6〜20の
アリール基,アルキルアリール基若しくはアリールアル
キル基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,アリル基,
置換アリル基,けい素原子を含む置換基等のσ結合性の
配位子,アセチルアセトナート基,置換アセチルアセト
ナート基等のキレート性の配位子又はルイス塩基等の配
位子を示し、Aは共有結合による架橋を示す。a,b及
びcはそれぞれ0〜3の整数、d及びeはそれぞれ0〜
2の整数、fは0〜6の整数、g,h,i及びjはそれ
ぞれ0〜4の整数を示す。R1,R2 ,R3及びR4はそ
の2以上が互いに結合して環を形成していてもよい。上
記Cpが置換基を有する場合には、当該置換基は炭素数
1〜20のアルキル基が好ましい。(II)式及び(II
I)式において、2つのCpは同一のものであってもよ
く、互いに異なるものであってもよい。]
又はHf原子を示し、Cpはシクロペンタジエニル基,
置換シクロペンタジエニル基,インデニル基,置換イン
デニル基,テトラヒドロインデニル基,置換テトラヒド
ロインデニル基,フルオレニル基又は置換フルオレニル
基等の環状不飽和炭化水素基又は鎖状不飽和炭化水素基
を示す。R1 ,R2 ,R3及びR4はそれぞれ水素原子,
酸素原子,ハロゲン原子,炭素数1〜20のアルキル
基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6〜20の
アリール基,アルキルアリール基若しくはアリールアル
キル基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,アリル基,
置換アリル基,けい素原子を含む置換基等のσ結合性の
配位子,アセチルアセトナート基,置換アセチルアセト
ナート基等のキレート性の配位子又はルイス塩基等の配
位子を示し、Aは共有結合による架橋を示す。a,b及
びcはそれぞれ0〜3の整数、d及びeはそれぞれ0〜
2の整数、fは0〜6の整数、g,h,i及びjはそれ
ぞれ0〜4の整数を示す。R1,R2 ,R3及びR4はそ
の2以上が互いに結合して環を形成していてもよい。上
記Cpが置換基を有する場合には、当該置換基は炭素数
1〜20のアルキル基が好ましい。(II)式及び(II
I)式において、2つのCpは同一のものであってもよ
く、互いに異なるものであってもよい。]
【0036】上記(I)〜(III)式における置換シクロ
ペンタジエニル基としては、例えば、メチルシクロペン
タジエニル基,エチルシクロペンタジエニル基,イソプ
ロピルシクロペンタジエニル基,1,2−ジメチルシク
ロペンタジエニル基,テトラメチルシクロペンタジエニ
ル基,1,3−ジメチルシクロペンタジエニル基,1,
2,3−トリメチルシクロペンタジエニル基,1,2,
4−トリメチルシクロペンタジエニル基,ペンタメチル
シクロペンタジエニル基,トリメチルシリルシクロペン
タジエニル基等が挙げられる。R1〜R4の具体例として
は、例えば、ハロゲン原子としてフッ素原子,塩素原
子,臭素原子,ヨウ素原子;炭素数1〜20のアルキル
基としてメチル基,エチル基,n−プロピル基,iso
−プロピル基,n−ブチル基,オクチル基,2−エチル
ヘキシル基;炭素数1〜20のアルコキシ基としてメト
キシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基,フェ
ノキシ基;炭素数6〜20のアリール基,アルキルアリ
ール基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基,
トリル基,キシリル基,ベンジル基;炭素数1〜20の
アシルオキシ基としてヘプタデシルカルボニルオキシ
基;けい素原子を含む置換基としてトリメチルシリル
基,(トリメチルシリル)メチル基:ルイス塩基として
ジメチルエーテル,ジエチルエーテル,テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類、テトラヒドロチオフェン等のチオ
エーテル類、エチルベンゾエート等のエステル類、アセ
トニトリル,ベンゾニトリル等のニトリル類、トリメチ
ルアミン,トリエチルアミン,トリブチルアミン,N,
N−ジメチルアニリン,ピリジン,2,2’−ビピリジ
ン,フェナントロリン等のアミン類、トリエチルホスフ
ィン,トリフェニルホスフィン等のホスフィン類;鎖状
不飽和炭化水素としてエチレン,ブタジエン,1−ペン
テン,イソプレン,ペンタジエン,1−ヘキセン及びこ
れらの誘導体;環状不飽和炭化水素としてベンゼン,ト
ルエン,キシレン,シクロヘプタトリエン,シクロオク
タジエン,シクロオクタトリエン,シクロオクタテトラ
エン及びこれらの誘導体等が挙げられる。Aの共有結合
による架橋としては、例えばメチレン架橋,ジメチルメ
チレン架橋,エチレン架橋,1,1’−シクロヘキシレ
ン架橋,ジメチルシリレン架橋,ジメチルゲルミレン架
橋,ジメチルスタニレン架橋等が挙げられる。
ペンタジエニル基としては、例えば、メチルシクロペン
タジエニル基,エチルシクロペンタジエニル基,イソプ
ロピルシクロペンタジエニル基,1,2−ジメチルシク
ロペンタジエニル基,テトラメチルシクロペンタジエニ
ル基,1,3−ジメチルシクロペンタジエニル基,1,
2,3−トリメチルシクロペンタジエニル基,1,2,
4−トリメチルシクロペンタジエニル基,ペンタメチル
シクロペンタジエニル基,トリメチルシリルシクロペン
タジエニル基等が挙げられる。R1〜R4の具体例として
は、例えば、ハロゲン原子としてフッ素原子,塩素原
子,臭素原子,ヨウ素原子;炭素数1〜20のアルキル
基としてメチル基,エチル基,n−プロピル基,iso
−プロピル基,n−ブチル基,オクチル基,2−エチル
ヘキシル基;炭素数1〜20のアルコキシ基としてメト
キシ基,エトキシ基,プロポキシ基,ブトキシ基,フェ
ノキシ基;炭素数6〜20のアリール基,アルキルアリ
ール基若しくはアリールアルキル基としてフェニル基,
トリル基,キシリル基,ベンジル基;炭素数1〜20の
アシルオキシ基としてヘプタデシルカルボニルオキシ
基;けい素原子を含む置換基としてトリメチルシリル
基,(トリメチルシリル)メチル基:ルイス塩基として
ジメチルエーテル,ジエチルエーテル,テトラヒドロフ
ラン等のエーテル類、テトラヒドロチオフェン等のチオ
エーテル類、エチルベンゾエート等のエステル類、アセ
トニトリル,ベンゾニトリル等のニトリル類、トリメチ
ルアミン,トリエチルアミン,トリブチルアミン,N,
N−ジメチルアニリン,ピリジン,2,2’−ビピリジ
ン,フェナントロリン等のアミン類、トリエチルホスフ
ィン,トリフェニルホスフィン等のホスフィン類;鎖状
不飽和炭化水素としてエチレン,ブタジエン,1−ペン
テン,イソプレン,ペンタジエン,1−ヘキセン及びこ
れらの誘導体;環状不飽和炭化水素としてベンゼン,ト
ルエン,キシレン,シクロヘプタトリエン,シクロオク
タジエン,シクロオクタトリエン,シクロオクタテトラ
エン及びこれらの誘導体等が挙げられる。Aの共有結合
による架橋としては、例えばメチレン架橋,ジメチルメ
チレン架橋,エチレン架橋,1,1’−シクロヘキシレ
ン架橋,ジメチルシリレン架橋,ジメチルゲルミレン架
橋,ジメチルスタニレン架橋等が挙げられる。
【0037】このような化合物として、例えば下記のも
の及びこれら化合物のジルコニウムをチタニウム又はハ
フニウムで置換した化合物が挙げられる。(I)式の化合物 (ペンタメチルシクロペンタジエニル)トリメチルジル
コニウム、(ペンタメチルシクロペンタジエニル)トリ
フェニルジルコニウム、(ペンタメチルシクロペンタジ
エニル)トリベンジルジルコニウム、(ペンタメチルシ
クロペンタジエニル)トリクロロジルコニウム、(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)トリメトキシジルコニ
ウム、(シクロペンタジエニル)トリメチルジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリフェニルジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリベンジルジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリクロロジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリメトキシジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)ジメチル(メトキシ)ジ
ルコニウム、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチ
ルジルコニウム、(メチルシクロペンタジエニル)トリ
フェニルジルコニウム、(メチルシクロペンタジエニ
ル)トリベンジルジルコニウム、(メチルシクロペンタ
ジエニル)トリクロロジルコニウム、(メチルシクロペ
ンタジエニル)ジメチル(メトキシ)ジルコニウム、
(ジメチルシクロペンタジエニル)トリクロロジルコニ
ウム、(トリメチルシクロペンタジエニル)トリクロロ
ジルコニウム、(トリメチルシリルシクロペンタジエニ
ル)トリメチルジルコニウム、(テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)トリクロロジルコニウム、
の及びこれら化合物のジルコニウムをチタニウム又はハ
フニウムで置換した化合物が挙げられる。(I)式の化合物 (ペンタメチルシクロペンタジエニル)トリメチルジル
コニウム、(ペンタメチルシクロペンタジエニル)トリ
フェニルジルコニウム、(ペンタメチルシクロペンタジ
エニル)トリベンジルジルコニウム、(ペンタメチルシ
クロペンタジエニル)トリクロロジルコニウム、(ペン
タメチルシクロペンタジエニル)トリメトキシジルコニ
ウム、(シクロペンタジエニル)トリメチルジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリフェニルジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリベンジルジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリクロロジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)トリメトキシジルコニウ
ム、(シクロペンタジエニル)ジメチル(メトキシ)ジ
ルコニウム、(メチルシクロペンタジエニル)トリメチ
ルジルコニウム、(メチルシクロペンタジエニル)トリ
フェニルジルコニウム、(メチルシクロペンタジエニ
ル)トリベンジルジルコニウム、(メチルシクロペンタ
ジエニル)トリクロロジルコニウム、(メチルシクロペ
ンタジエニル)ジメチル(メトキシ)ジルコニウム、
(ジメチルシクロペンタジエニル)トリクロロジルコニ
ウム、(トリメチルシクロペンタジエニル)トリクロロ
ジルコニウム、(トリメチルシリルシクロペンタジエニ
ル)トリメチルジルコニウム、(テトラメチルシクロペ
ンタジエニル)トリクロロジルコニウム、
【0038】(II)式の化合物 ビス(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、
ビス(シクロペンタジエニル)ジフェニルジルコニウ
ム、ビス(シクロペンタジエニル)ジエチルジルコニウ
ム、ビス(シクロペンタジエニル)ジベンジルジルコニ
ウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジメトキシジルコ
ニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコ
ニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジヒドリドジル
コニウム、ビス(シクロペンタジエニル)モノクロロモ
ノヒドリドジルコニウム、ビス(メチルシクロペンタジ
エニル)ジメチルジルコニウム、ビス(メチルシクロペ
ンタジエニル)ジクロロジルコニウム、ビス(メチルシ
クロペンタジエニル)ジベンジルジルコニウム、ビス
(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジメチルジルコ
ニウム、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジ
クロロジルコニウム、ビス(ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル)ジベンジルジルコニウム、ビス(ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル)クロロメチルジルコニウム、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ヒドリドメ
チルジルコニウム、(シクロペンタジエニル)(ペンタ
メチルシクロペンタジエニル)ジクロロジルコニウム、
ビス(シクロペンタジエニル)ジフェニルジルコニウ
ム、ビス(シクロペンタジエニル)ジエチルジルコニウ
ム、ビス(シクロペンタジエニル)ジベンジルジルコニ
ウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジメトキシジルコ
ニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコ
ニウム、ビス(シクロペンタジエニル)ジヒドリドジル
コニウム、ビス(シクロペンタジエニル)モノクロロモ
ノヒドリドジルコニウム、ビス(メチルシクロペンタジ
エニル)ジメチルジルコニウム、ビス(メチルシクロペ
ンタジエニル)ジクロロジルコニウム、ビス(メチルシ
クロペンタジエニル)ジベンジルジルコニウム、ビス
(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジメチルジルコ
ニウム、ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジ
クロロジルコニウム、ビス(ペンタメチルシクロペンタ
ジエニル)ジベンジルジルコニウム、ビス(ペンタメチ
ルシクロペンタジエニル)クロロメチルジルコニウム、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ヒドリドメ
チルジルコニウム、(シクロペンタジエニル)(ペンタ
メチルシクロペンタジエニル)ジクロロジルコニウム、
【0039】(III)式の化合物 エチレンビス(インデニル)ジメチルジルコニウム、エ
チレンビス(インデニル)ジクロロジルコニウム、エチ
レンビス(テトラヒドロインデニル)ジメチルジルコニ
ウム、エチレンビス(テトラヒドロインデニル)ジクロ
ロジルコニウム、ジメチルシリレンビス(シクロペンタ
ジエニル)ジメチルジルコニウム、ジメチルシリレンビ
ス(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコニウム、イ
ソプロピル(シクロペンタジエニル)(9−フルオレニ
ル)ジメチルジルコニウム、イソプロピル(シクロペン
タジエニル)(9−フルオレニル)ジクロロジルコニウ
ム、[フェニル(メチル)メチレン](9−フルオレニ
ル)(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、
ジフェニルメチレン(シクロペンタジエニル)(9−フ
ルオレニル)ジメチルジルコニウム、エチリデン(9−
フルオレニル)(シクロペンタジエニル)ジメチルジル
コニウム、シクロヘキシル(9−フルオレニル)(シク
ロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、シクロペン
チル(9−フルオレニル)(シクロペンタジエニル)ジ
メチルジルコニウム、シクロブチル(9−フルオレニ
ル)(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、
ジメチルシリレン(9−フルオレニル)(シクロペンタ
ジエニル)ジメチルジルコニウム、ジメチルシリレンビ
ス(2,3,5−トリメチルシクロペンタジエニル)ジ
クロロジルコニウム、ジメチルシリレンビス(2,3,
5−トリメチルシクロペンタジエニル)ジメチルジルコ
ニウム、ジメチルシリレンスビス(インデニル)ジクロ
ロジルコニウム
チレンビス(インデニル)ジクロロジルコニウム、エチ
レンビス(テトラヒドロインデニル)ジメチルジルコニ
ウム、エチレンビス(テトラヒドロインデニル)ジクロ
ロジルコニウム、ジメチルシリレンビス(シクロペンタ
ジエニル)ジメチルジルコニウム、ジメチルシリレンビ
ス(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコニウム、イ
ソプロピル(シクロペンタジエニル)(9−フルオレニ
ル)ジメチルジルコニウム、イソプロピル(シクロペン
タジエニル)(9−フルオレニル)ジクロロジルコニウ
ム、[フェニル(メチル)メチレン](9−フルオレニ
ル)(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、
ジフェニルメチレン(シクロペンタジエニル)(9−フ
ルオレニル)ジメチルジルコニウム、エチリデン(9−
フルオレニル)(シクロペンタジエニル)ジメチルジル
コニウム、シクロヘキシル(9−フルオレニル)(シク
ロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、シクロペン
チル(9−フルオレニル)(シクロペンタジエニル)ジ
メチルジルコニウム、シクロブチル(9−フルオレニ
ル)(シクロペンタジエニル)ジメチルジルコニウム、
ジメチルシリレン(9−フルオレニル)(シクロペンタ
ジエニル)ジメチルジルコニウム、ジメチルシリレンビ
ス(2,3,5−トリメチルシクロペンタジエニル)ジ
クロロジルコニウム、ジメチルシリレンビス(2,3,
5−トリメチルシクロペンタジエニル)ジメチルジルコ
ニウム、ジメチルシリレンスビス(インデニル)ジクロ
ロジルコニウム
【0040】上記一般式(I),(II),(III)で示さ
れるシクロペンタジエニル化合物以外のものも効果を損
なうものではない。そのような化合物の例としては前記
(IV)式の化合物が挙げられ、例えば、テトラメチルジ
ルコニウム、テトラベンジルジルコニウム、テトラメト
キシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テト
ラブトキシジルコニウム、テトラクロロジルコニウム、
テトラブロモジルコニウム、ブトキシトリクロロジルコ
ニウム、ジブトキシジクロロジルコニウム、ビス(2,
5−ジ−t−ブチルフェノキシ)ジメチルジルコニウ
ム、ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェノキシ)ジクロ
ロジルコニウム、ジルコニウムビス(アセチルアセトナ
ート)、あるいはこれらのジルコニウムをハフニウム、
チタニウムに置き換えた化合物等のアルキル基、アルコ
キシ基及びハロゲン原子の1種又は2種以上を持つジル
コニウム化合物、ハフニウム化合物、チタニウム化合物
が挙げられる。
れるシクロペンタジエニル化合物以外のものも効果を損
なうものではない。そのような化合物の例としては前記
(IV)式の化合物が挙げられ、例えば、テトラメチルジ
ルコニウム、テトラベンジルジルコニウム、テトラメト
キシジルコニウム、テトラエトキシジルコニウム、テト
ラブトキシジルコニウム、テトラクロロジルコニウム、
テトラブロモジルコニウム、ブトキシトリクロロジルコ
ニウム、ジブトキシジクロロジルコニウム、ビス(2,
5−ジ−t−ブチルフェノキシ)ジメチルジルコニウ
ム、ビス(2,5−ジ−t−ブチルフェノキシ)ジクロ
ロジルコニウム、ジルコニウムビス(アセチルアセトナ
ート)、あるいはこれらのジルコニウムをハフニウム、
チタニウムに置き換えた化合物等のアルキル基、アルコ
キシ基及びハロゲン原子の1種又は2種以上を持つジル
コニウム化合物、ハフニウム化合物、チタニウム化合物
が挙げられる。
【0041】また、VIII族の遷移金属を含む遷移金属化
合物としては特に制限はなく、クロム化合物の具体例と
しては、例えば、テトラメチルクロム、テトラ(t−ブ
トキシ)クロム、ビス(シクロペンタジエニル)クロ
ム、ヒドリドトリカルボニル(シクロペンタジエニル)
クロム、ヘキサカルボニル(シクロペンタジエニル)ク
ロム、ビス(ベンゼン)クロム、トリカルボニルトリス
(ホスホン酸トリフェニル)クロム、トリス(アリル)
クロム、トリフェニルトリス(テトラヒドロフラン)ク
ロム、クロムトリス(アセチルアセトナート)等が挙げ
られる。
合物としては特に制限はなく、クロム化合物の具体例と
しては、例えば、テトラメチルクロム、テトラ(t−ブ
トキシ)クロム、ビス(シクロペンタジエニル)クロ
ム、ヒドリドトリカルボニル(シクロペンタジエニル)
クロム、ヘキサカルボニル(シクロペンタジエニル)ク
ロム、ビス(ベンゼン)クロム、トリカルボニルトリス
(ホスホン酸トリフェニル)クロム、トリス(アリル)
クロム、トリフェニルトリス(テトラヒドロフラン)ク
ロム、クロムトリス(アセチルアセトナート)等が挙げ
られる。
【0042】マンガン化合物の具体例としては、例え
ば、トリカルボニル(シクロペンタジエニル)マンガ
ン、ペンタカルボニルメチルマンガン、ビス(シクロペ
ンタジエニル)マンガン、マンガンビス(アセチルアセ
トナート)等が挙げられる。
ば、トリカルボニル(シクロペンタジエニル)マンガ
ン、ペンタカルボニルメチルマンガン、ビス(シクロペ
ンタジエニル)マンガン、マンガンビス(アセチルアセ
トナート)等が挙げられる。
【0043】ニッケル化合物の具体例としては、例え
ば、ジカルボニルビス(トリフェニルホスフィン)ニッ
ケル、ジブロモビス(トリフェニルホスフィン)ニッケ
ル、二窒素ビス(ビス(トリシクロヘキシルホスフィ
ン)ニッケル)、クロロヒドリドビス(トリシクロヘキ
シルホスフィン)ニッケル、クロロ(フェニル)ビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル、ジメチルビス
(トリメチルホスフィン)ニッケル、ジエチル(2,
2’−ビピリジル)ニッケル、ビス(アリル)ニッケ
ル、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(ペンタメ
チルシクロペンタジエニル)ニッケル、アリル(シクロ
ペンタジエニル)ニッケル、(シクロペンタジエニル)
(シクロオクタジエン)ニッケルテトラフルオロ硼酸
塩、ビス(シクロオクタジエン)ニッケル、ニッケルビ
スアセチルアセトナート、アリルニッケルクロライド、
テトラキス(トリフェニルフォスフィン)ニッケル、塩
化ニッケル、(C6H5)Ni{OC(C6H5)CH=P(C6H5)2}{P(C
6H5)3}、(C6H5)Ni{OC(C6H5)C(SO3Na)=P(C6H5)2}{P(C
6H5)3}等が挙げられる。
ば、ジカルボニルビス(トリフェニルホスフィン)ニッ
ケル、ジブロモビス(トリフェニルホスフィン)ニッケ
ル、二窒素ビス(ビス(トリシクロヘキシルホスフィ
ン)ニッケル)、クロロヒドリドビス(トリシクロヘキ
シルホスフィン)ニッケル、クロロ(フェニル)ビス
(トリフェニルホスフィン)ニッケル、ジメチルビス
(トリメチルホスフィン)ニッケル、ジエチル(2,
2’−ビピリジル)ニッケル、ビス(アリル)ニッケ
ル、ビス(シクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(メ
チルシクロペンタジエニル)ニッケル、ビス(ペンタメ
チルシクロペンタジエニル)ニッケル、アリル(シクロ
ペンタジエニル)ニッケル、(シクロペンタジエニル)
(シクロオクタジエン)ニッケルテトラフルオロ硼酸
塩、ビス(シクロオクタジエン)ニッケル、ニッケルビ
スアセチルアセトナート、アリルニッケルクロライド、
テトラキス(トリフェニルフォスフィン)ニッケル、塩
化ニッケル、(C6H5)Ni{OC(C6H5)CH=P(C6H5)2}{P(C
6H5)3}、(C6H5)Ni{OC(C6H5)C(SO3Na)=P(C6H5)2}{P(C
6H5)3}等が挙げられる。
【0044】パラジウム化合物の具体例としては、例え
ば、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム、カル
ボニルトリス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、
ジクロロビス(トリエチルホスフィン)パラジウム、ビ
ス(イソシアン化t−ブチル)パラジウム、パラジウム
ビス(アセチルアセトナート)、ジクロロ(テトラフェ
ニルシクロブタジエン)パラジウム、ジクロロ(1,5
−シクロオクタジエン)パラジウム、アリル(シクロペ
ンタジエニル)パラジウム、ビス(アリル)パラジウ
ム、アリル(1,5−シクロオクタジエン)パラジウム
テトラフルオロ硼酸塩、(アセチルアセトナート)
(1,5−シクロオクタジエン)パラジウムテトラフル
オロ硼酸塩、テトラキス(アセトニトリル)パラジウム
二テトラフルオロ硼酸塩等が挙げられる。
ば、ジクロロビス(ベンゾニトリル)パラジウム、カル
ボニルトリス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、
ジクロロビス(トリエチルホスフィン)パラジウム、ビ
ス(イソシアン化t−ブチル)パラジウム、パラジウム
ビス(アセチルアセトナート)、ジクロロ(テトラフェ
ニルシクロブタジエン)パラジウム、ジクロロ(1,5
−シクロオクタジエン)パラジウム、アリル(シクロペ
ンタジエニル)パラジウム、ビス(アリル)パラジウ
ム、アリル(1,5−シクロオクタジエン)パラジウム
テトラフルオロ硼酸塩、(アセチルアセトナート)
(1,5−シクロオクタジエン)パラジウムテトラフル
オロ硼酸塩、テトラキス(アセトニトリル)パラジウム
二テトラフルオロ硼酸塩等が挙げられる。
【0045】次に、化合物(B)としては、遷移金属化
合物(A)と反応してイオン性の錯体を形成する化合物
であればいずれのものでも使用できるが、カチオンと複
数の基が元素に結合したアニオンとからなる化合物、特
にカチオンと複数の基が元素に結合したアニオンとから
なる配位錯化合物を好適に使用することができる。この
ようなカチオンと複数の基が元素に結合したアニオンと
からなる化合物としては、下記式(V)あるいは(VI)
で示される化合物を好適に使用することができる。 ([L1−R7]k+)p([M3Z1Z2…Zn](n-m)-)q …(V) ([L2]k+)p([M4Z1Z2…Zn](n-m)-)q …(VI) (但し、L2 はM5,R8R9M6,R10 3C又はR11M6である)
合物(A)と反応してイオン性の錯体を形成する化合物
であればいずれのものでも使用できるが、カチオンと複
数の基が元素に結合したアニオンとからなる化合物、特
にカチオンと複数の基が元素に結合したアニオンとから
なる配位錯化合物を好適に使用することができる。この
ようなカチオンと複数の基が元素に結合したアニオンと
からなる化合物としては、下記式(V)あるいは(VI)
で示される化合物を好適に使用することができる。 ([L1−R7]k+)p([M3Z1Z2…Zn](n-m)-)q …(V) ([L2]k+)p([M4Z1Z2…Zn](n-m)-)q …(VI) (但し、L2 はM5,R8R9M6,R10 3C又はR11M6である)
【0046】[(V),(VI)式中、L1 はルイス塩
基、M3及びM4はそれぞれ周期律表のVB族,VIB族,V
IIB族,VIII族,IB族,IIB族,IIIA族,IVA族及び
VA族から選ばれる元素、M5及びM6はそれぞれ周期律
表のIIIB族,IVB族,VB族,VIB族,VIIB族,VIII
族,IA族,IB族,IIA族,IIB族及びVIIA族から選
ばれる元素、Z1〜Zn はそれぞれ水素原子,ジアルキ
ルアミノ基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6
〜20のアリールオキシ基,炭素数1〜20のアルキル
基,炭素数6〜20のアリール基,アルキルアリール
基,アリールアルキル基,炭素数1〜20のハロゲン置
換炭化水素基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,有機
メタロイド基又はハロゲン原子を示し、Z1〜Znはその
2以上が互いに結合して環を形成していてもよい。R7
は水素原子,炭素数1〜20のアルキル基,炭素数6〜
20のアリール基,アルキルアリール基又はアリールア
ルキル基を示し、R8及びR9はそれぞれシクロペンタジ
エニル基,置換シクロペンタジエニル基,インデニル基
又はフルオレニル基、R10は炭素数1〜20のアルキル
基,アリール基,アルキルアリール基又はアリールアル
キル基をを示す。R11はテトラフェニルポルフィリン、
フタロシアニン等の大環状配位子を示す。mはM3 ,M
4の原子価で1〜7の整数、nは2〜8の整数、kは
[L1−R7],[L2] のイオン価数で1〜7の整数、
pは1以上の整数、q=(p×k)/(n−m)であ
る。]
基、M3及びM4はそれぞれ周期律表のVB族,VIB族,V
IIB族,VIII族,IB族,IIB族,IIIA族,IVA族及び
VA族から選ばれる元素、M5及びM6はそれぞれ周期律
表のIIIB族,IVB族,VB族,VIB族,VIIB族,VIII
族,IA族,IB族,IIA族,IIB族及びVIIA族から選
ばれる元素、Z1〜Zn はそれぞれ水素原子,ジアルキ
ルアミノ基,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6
〜20のアリールオキシ基,炭素数1〜20のアルキル
基,炭素数6〜20のアリール基,アルキルアリール
基,アリールアルキル基,炭素数1〜20のハロゲン置
換炭化水素基,炭素数1〜20のアシルオキシ基,有機
メタロイド基又はハロゲン原子を示し、Z1〜Znはその
2以上が互いに結合して環を形成していてもよい。R7
は水素原子,炭素数1〜20のアルキル基,炭素数6〜
20のアリール基,アルキルアリール基又はアリールア
ルキル基を示し、R8及びR9はそれぞれシクロペンタジ
エニル基,置換シクロペンタジエニル基,インデニル基
又はフルオレニル基、R10は炭素数1〜20のアルキル
基,アリール基,アルキルアリール基又はアリールアル
キル基をを示す。R11はテトラフェニルポルフィリン、
フタロシアニン等の大環状配位子を示す。mはM3 ,M
4の原子価で1〜7の整数、nは2〜8の整数、kは
[L1−R7],[L2] のイオン価数で1〜7の整数、
pは1以上の整数、q=(p×k)/(n−m)であ
る。]
【0047】上記ルイス塩基の具体例としては、アンモ
ニア,メチルアミン,アニリン,ジメチルアミン,ジエ
チルアミン,N−メチルアニリン,ジフェニルアミン,
トリメチルアミン,トリエチルアミン,トリ−n−ブチ
ルアミン,N,N−ジメチルアニリン,メチルジフェニ
ルアミン,ピリジン,p−ブロモ−N,N−ジメチルア
ニリン,p−ニトロ−N,N−ジメチルアニリン等のア
ミン類、トリエチルフォスフィン,トリフェニルフォス
フィン,ジフェニルフォスフィン等のフォスフィン類、
ジメチルエーテル,ジエチルエーテル,テトラヒドロフ
ラン,ジオキサン等のエーテル類、ジエチルチオエーテ
ル,テトラヒドロチオフェン等のチオエーテル類、エチ
ルベンゾエート等のエステル類等が挙げられる。M3及
びM4の具体例としてはB,Al,Si,P,As,S
b等,M5の具体例としてはLi,Na,Ag,Cu,
Br,I,I3等,M6の具体例としてはMn,Fe,
Co,Ni,Zn等が挙げられる。
ニア,メチルアミン,アニリン,ジメチルアミン,ジエ
チルアミン,N−メチルアニリン,ジフェニルアミン,
トリメチルアミン,トリエチルアミン,トリ−n−ブチ
ルアミン,N,N−ジメチルアニリン,メチルジフェニ
ルアミン,ピリジン,p−ブロモ−N,N−ジメチルア
ニリン,p−ニトロ−N,N−ジメチルアニリン等のア
ミン類、トリエチルフォスフィン,トリフェニルフォス
フィン,ジフェニルフォスフィン等のフォスフィン類、
ジメチルエーテル,ジエチルエーテル,テトラヒドロフ
ラン,ジオキサン等のエーテル類、ジエチルチオエーテ
ル,テトラヒドロチオフェン等のチオエーテル類、エチ
ルベンゾエート等のエステル類等が挙げられる。M3及
びM4の具体例としてはB,Al,Si,P,As,S
b等,M5の具体例としてはLi,Na,Ag,Cu,
Br,I,I3等,M6の具体例としてはMn,Fe,
Co,Ni,Zn等が挙げられる。
【0048】Z1〜Znの具体例としては、例えば、ジ
アルキルアミノ基としてジメチルアミノ基,ジエチルア
ミノ基;炭素数1〜20のアルコシキ基としてメトキシ
基,エトキシ基,n−ブトキシ基;炭素数6〜20のア
リールオキシ基としてフェノキシ基,2,6−ジメチル
フェノキシ基,ナフチルオキシ基;炭素数1〜20のア
ルキル基としてメチル基,エチル基,n−プロピル基,
iso−プロピル基,n−ブチル基,n−オクチル基,
2−エチルヘキシル基;炭素数6〜20のアリール基,
アルキルアリール基若しくはアリールアルキル基として
フェニル基,p−トリル基,ベンジル基,4−ターシャ
リ−ブチルフェニル基,2,6−ジメチルフェニル基,
3,5−ジメチルフェニル基,2,4−ジメチルフェニ
ル基,2,3−ジメチルフェニル基;炭素数1〜20の
ハロゲン置換炭化水素基としてp−フルオロフェニル
基,3,5−ジフルオロフェニル基,ペンタクロロフェ
ニル基,3,4,5−トリフルオロフェニル基,ペンタ
フルオロフェニル基,3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニル基;ハロゲン原子としてF,Cl,Br,
I;有機メタロイド基として五メチルアンチモン基,ト
リメチルシリル基,トリメチルゲルミル基,ジフェニル
アルシン基,ジシクロヘキシルアンチモン基,ジフェニ
ル硼素基が挙げられる。R7,R10の具体例として
は、先に挙げたものと同様なものが挙げられる。R8及
びR9の置換シクロペンタジエニル基の具体例として
は、メチルシクロペンタジエニル基,ブチルシクロペン
タジエニル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基等
のアルキル基で置換されたものが挙げられる。ここで、
アルキル基は通常炭素数が1〜6であり、置換されたア
ルキル基の数は1〜5の整数で選ぶことができる。
(V),(VI)式の化合物の中では、M3,M4が硼素
であるものが好ましい。
アルキルアミノ基としてジメチルアミノ基,ジエチルア
ミノ基;炭素数1〜20のアルコシキ基としてメトキシ
基,エトキシ基,n−ブトキシ基;炭素数6〜20のア
リールオキシ基としてフェノキシ基,2,6−ジメチル
フェノキシ基,ナフチルオキシ基;炭素数1〜20のア
ルキル基としてメチル基,エチル基,n−プロピル基,
iso−プロピル基,n−ブチル基,n−オクチル基,
2−エチルヘキシル基;炭素数6〜20のアリール基,
アルキルアリール基若しくはアリールアルキル基として
フェニル基,p−トリル基,ベンジル基,4−ターシャ
リ−ブチルフェニル基,2,6−ジメチルフェニル基,
3,5−ジメチルフェニル基,2,4−ジメチルフェニ
ル基,2,3−ジメチルフェニル基;炭素数1〜20の
ハロゲン置換炭化水素基としてp−フルオロフェニル
基,3,5−ジフルオロフェニル基,ペンタクロロフェ
ニル基,3,4,5−トリフルオロフェニル基,ペンタ
フルオロフェニル基,3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニル基;ハロゲン原子としてF,Cl,Br,
I;有機メタロイド基として五メチルアンチモン基,ト
リメチルシリル基,トリメチルゲルミル基,ジフェニル
アルシン基,ジシクロヘキシルアンチモン基,ジフェニ
ル硼素基が挙げられる。R7,R10の具体例として
は、先に挙げたものと同様なものが挙げられる。R8及
びR9の置換シクロペンタジエニル基の具体例として
は、メチルシクロペンタジエニル基,ブチルシクロペン
タジエニル基,ペンタメチルシクロペンタジエニル基等
のアルキル基で置換されたものが挙げられる。ここで、
アルキル基は通常炭素数が1〜6であり、置換されたア
ルキル基の数は1〜5の整数で選ぶことができる。
(V),(VI)式の化合物の中では、M3,M4が硼素
であるものが好ましい。
【0049】(V),(VI)式の化合物の中で、具体的
には、下記のものを特に好適に使用できる。(V)式の化合物 テトラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリ(n−ブチル)アンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリメチルアンモニウム,テトラフェニル硼
酸テトラエチルアンモニウム,テトラフェニル硼酸メチ
ルトリ(n−ブチル)アンモニウム,テトラフェニル硼
酸ベンジルトリ(n−ブチル)アンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸ジメチルジフェニルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸メチルトリフェニルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリメチルアニリニウム,テトラフェニル硼
酸メチルピリジニウム,テトラフェニル硼酸ベンジルピ
リジニウム,テトラフェニル硼酸メチル(2−シアノピ
リジニウム),テトラフェニル硼酸トリメチルスルホニ
ウム,テトラフェニル硼酸ベンジルジメチルスルホニウ
ム,
には、下記のものを特に好適に使用できる。(V)式の化合物 テトラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリ(n−ブチル)アンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリメチルアンモニウム,テトラフェニル硼
酸テトラエチルアンモニウム,テトラフェニル硼酸メチ
ルトリ(n−ブチル)アンモニウム,テトラフェニル硼
酸ベンジルトリ(n−ブチル)アンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸ジメチルジフェニルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸メチルトリフェニルアンモニウム,テトラフ
ェニル硼酸トリメチルアニリニウム,テトラフェニル硼
酸メチルピリジニウム,テトラフェニル硼酸ベンジルピ
リジニウム,テトラフェニル硼酸メチル(2−シアノピ
リジニウム),テトラフェニル硼酸トリメチルスルホニ
ウム,テトラフェニル硼酸ベンジルジメチルスルホニウ
ム,
【0050】テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼
酸トリエチルアンモニウム,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸トリ(n−ブチル)アンモニウム,テ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリフェニル
アンモニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)
硼酸テトラブチルアンモニウム,テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸(テトラエチルアンモニウム),
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(メチルト
リ(n−ブチル)アンモウム),テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸(ベンジルトリ(n−ブチル)ア
ンニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼
酸メチルジフェニルアンモニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸メチルトリフェニルアンモニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチ
ルジフェニルアンモニウム,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸アニリニウム,テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸メチルアニリニウム,テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリメ
チルアニリニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸ジメチル(m−ニトロアニリニウム),テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチル(p−ブ
ロモアニリニウム),
酸トリエチルアンモニウム,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸トリ(n−ブチル)アンモニウム,テ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリフェニル
アンモニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)
硼酸テトラブチルアンモニウム,テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸(テトラエチルアンモニウム),
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(メチルト
リ(n−ブチル)アンモウム),テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸(ベンジルトリ(n−ブチル)ア
ンニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼
酸メチルジフェニルアンモニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸メチルトリフェニルアンモニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチ
ルジフェニルアンモニウム,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸アニリニウム,テトラキス(ペンタフ
ルオロフェニル)硼酸メチルアニリニウム,テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリメ
チルアニリニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸ジメチル(m−ニトロアニリニウム),テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチル(p−ブ
ロモアニリニウム),
【0051】テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼
酸ピリジニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸(p−シアノピリジニウム),テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸(N−メチルピリジニウ
ム),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(N
−ベンジルピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸(o−シアノ−N−メチルピリジニウ
ム),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(p
−シアノ−N−メチルピリジニウム),テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸(p−シアノ−N−ベンジ
ルピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸トリメチルスルホニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸ベンジルジメチルスルホニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テトラ
フェニルホスホニウム,テトラキス(3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニル)硼酸ジメチルアニリニウ
ム,ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム,
酸ピリジニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸(p−シアノピリジニウム),テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸(N−メチルピリジニウ
ム),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(N
−ベンジルピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸(o−シアノ−N−メチルピリジニウ
ム),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(p
−シアノ−N−メチルピリジニウム),テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸(p−シアノ−N−ベンジ
ルピリジニウム),テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸トリメチルスルホニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸ベンジルジメチルスルホニウ
ム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テトラ
フェニルホスホニウム,テトラキス(3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニル)硼酸ジメチルアニリニウ
ム,ヘキサフルオロ砒素酸トリエチルアンモニウム,
【0052】(VI)式の化合物 テトラフェニル硼酸フェロセニウム,テトラフェニル硼
酸銀,テトラフェニル硼酸トリチル,テトラフェニル硼
酸(テトラフェニルポルフィリンマンガン),テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸フェロセニウム,テ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(1,1’−
ジメチルフェロセニウム),テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸デカメチルフェロセニウム,テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸アセチルフェロセニ
ウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ホル
ミルフェロセニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸シアノフェロセニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸銀,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸トリチル,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸リチウム,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸ナトリウム,テトラキス(ペンタフル
オロフェニル)硼酸(テトラフェニルポルフィリンマン
ガン),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
(テトラフェニルポルフィリン鉄クロライド),テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(テトラフェニル
ポルフィリン亜鉛),テトラフルオロ硼酸銀,ヘキサフ
ルオロ砒素酸銀,ヘキサフルオロアンチモン酸銀,
酸銀,テトラフェニル硼酸トリチル,テトラフェニル硼
酸(テトラフェニルポルフィリンマンガン),テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸フェロセニウム,テ
トラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(1,1’−
ジメチルフェロセニウム),テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸デカメチルフェロセニウム,テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸アセチルフェロセニ
ウム,テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ホル
ミルフェロセニウム,テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸シアノフェロセニウム,テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸銀,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸トリチル,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸リチウム,テトラキス(ペンタフルオ
ロフェニル)硼酸ナトリウム,テトラキス(ペンタフル
オロフェニル)硼酸(テトラフェニルポルフィリンマン
ガン),テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
(テトラフェニルポルフィリン鉄クロライド),テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸(テトラフェニル
ポルフィリン亜鉛),テトラフルオロ硼酸銀,ヘキサフ
ルオロ砒素酸銀,ヘキサフルオロアンチモン酸銀,
【0053】また、(V),(VI)式以外の化合物、例
えばトリス(ペンタフルオロフェニル)硼素,トリス
(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)硼
素,トリフェニル硼素等も使用可能である。
えばトリス(ペンタフルオロフェニル)硼素,トリス
(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)硼
素,トリフェニル硼素等も使用可能である。
【0054】(C)成分である有機アルミニウム化合物
としては、下記一般式(VII),(VIII)又は(IX)で
表わされるものが挙げられる。 R12 rAlQ3-r …(VII) (R12は炭素数1〜20、好ましくは1〜12のアルキ
ル基,アルケニル基,アリール基,アリールアルキル基
等の炭化水素基、Qは水素原子、炭素数1〜20のアル
コキシ基又はハロゲン原子を表わす。rは1≦r≦3の
範囲のものである。) 式(VII)の化合物として、具体的には、トリメチルア
ルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチル
アルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチ
ルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリ
ド、エチルアルミニウムジクロリド,ジメチルアルミニ
ウムフルオリド,ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド,ジエチルアルミニウムハイドライド,エチルアルミ
ニウムセスキクロリド等が挙げられる。
としては、下記一般式(VII),(VIII)又は(IX)で
表わされるものが挙げられる。 R12 rAlQ3-r …(VII) (R12は炭素数1〜20、好ましくは1〜12のアルキ
ル基,アルケニル基,アリール基,アリールアルキル基
等の炭化水素基、Qは水素原子、炭素数1〜20のアル
コキシ基又はハロゲン原子を表わす。rは1≦r≦3の
範囲のものである。) 式(VII)の化合物として、具体的には、トリメチルア
ルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチル
アルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジエチ
ルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジクロリ
ド、エチルアルミニウムジクロリド,ジメチルアルミニ
ウムフルオリド,ジイソブチルアルミニウムハイドライ
ド,ジエチルアルミニウムハイドライド,エチルアルミ
ニウムセスキクロリド等が挙げられる。
【0055】
【化3】 (R12は式(VII)と同じものを示す。sは重合度を表
わし、通常3〜50である。)で表わされる鎖状アルミ
ノキサン。
わし、通常3〜50である。)で表わされる鎖状アルミ
ノキサン。
【0056】
【化4】 (R12は式(VII)と同じものを示す。また、sは重合
度を表わし、好ましい繰り返し単位数は3〜50であ
る。)で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキル
アルミノキサン。(VII)〜(IX)式の化合物の中で、
好ましいのは(VII)式の化合物で、特に好ましいのは
(VII)式の化合物でr=3のもの、なかでもトリメチ
ルアルミニウム,トリエチルアルミニウム,トリイソブ
チルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウムであ
る。
度を表わし、好ましい繰り返し単位数は3〜50であ
る。)で表わされる繰り返し単位を有する環状アルキル
アルミノキサン。(VII)〜(IX)式の化合物の中で、
好ましいのは(VII)式の化合物で、特に好ましいのは
(VII)式の化合物でr=3のもの、なかでもトリメチ
ルアルミニウム,トリエチルアルミニウム,トリイソブ
チルアルミニウム等のトリアルキルアルミニウムであ
る。
【0057】上記アルミノキサンの製造法としては、ア
ルキルアルミニウムと水等の縮合剤とを接触させる方法
が挙げられるが、その手段に特に限定はなく、公知の方
法に準じて反応させればよい。例えば、有機アルミニ
ウム化合物を有機溶剤に溶解しておき、これを水と接触
させる方法、重合時に当初有機アルミニウム化合物を
加えておき、後に水を添加する方法、金属塩等に含有
されている結晶水、無機物や有機物への吸着水を有機ア
ルミニウム化合物と反応させる方法、テトラアルキル
ジアルミノキサンにトリアルキルアルミニウムを反応さ
せ、さらに水を反応させる方法等がある。
ルキルアルミニウムと水等の縮合剤とを接触させる方法
が挙げられるが、その手段に特に限定はなく、公知の方
法に準じて反応させればよい。例えば、有機アルミニ
ウム化合物を有機溶剤に溶解しておき、これを水と接触
させる方法、重合時に当初有機アルミニウム化合物を
加えておき、後に水を添加する方法、金属塩等に含有
されている結晶水、無機物や有機物への吸着水を有機ア
ルミニウム化合物と反応させる方法、テトラアルキル
ジアルミノキサンにトリアルキルアルミニウムを反応さ
せ、さらに水を反応させる方法等がある。
【0058】上記各成分の使用条件は限定されないが、
(A)成分:(B)成分の比(モル比)を1:0.01
〜1:100、特に1:0.5〜1:10、中でも1:
1〜1:5とすることが好ましい。また、使用温度は−
100〜250℃の範囲とすることが好ましく、圧力,
時間は任意に設定することができる。また、(C)成分
の使用量は、(A)成分1モルに対し通常0〜2,00
0モル、好ましくは5〜1,000モル、特に好ましく
は10〜500モルである。(C)成分を用いると重合
活性の向上を図ることができるが、あまり多いと有機ア
ルミニウム化合物が重合体中に多量に残存し好ましくな
い。なお、触媒の使用態様には制限はなく、例えば
(A),(B)成分を予め接触させ、あるいはさらに接
触生成物を分離,洗浄して使用してもよく、重合系内で
接触させて使用してもよい。また、(C)成分は、予め
(A)成分、(B)成分あるいは(A)成分と(B)成
分との接触生成物と接触させて用いてもよい。接触は、
あらかじめ接触させてもよく、重合系内で接触させても
よい。さらに、触媒成分は、モノマー、重合溶媒に予め
加えたり、重合系内に加えることもできる。
(A)成分:(B)成分の比(モル比)を1:0.01
〜1:100、特に1:0.5〜1:10、中でも1:
1〜1:5とすることが好ましい。また、使用温度は−
100〜250℃の範囲とすることが好ましく、圧力,
時間は任意に設定することができる。また、(C)成分
の使用量は、(A)成分1モルに対し通常0〜2,00
0モル、好ましくは5〜1,000モル、特に好ましく
は10〜500モルである。(C)成分を用いると重合
活性の向上を図ることができるが、あまり多いと有機ア
ルミニウム化合物が重合体中に多量に残存し好ましくな
い。なお、触媒の使用態様には制限はなく、例えば
(A),(B)成分を予め接触させ、あるいはさらに接
触生成物を分離,洗浄して使用してもよく、重合系内で
接触させて使用してもよい。また、(C)成分は、予め
(A)成分、(B)成分あるいは(A)成分と(B)成
分との接触生成物と接触させて用いてもよい。接触は、
あらかじめ接触させてもよく、重合系内で接触させても
よい。さらに、触媒成分は、モノマー、重合溶媒に予め
加えたり、重合系内に加えることもできる。
【0059】重合方法としては、塊状重合、溶液重合、
懸濁重合等のいずれの方法を用いてもよい。また、バッ
チ法でも連続法でもよい。重合条件に関し、重合温度は
−100〜250℃、特に−50〜200℃とすること
が好ましい。また、反応原料に対する触媒の使用割合
は、原料モノマー/上記(A)成分(モル比)あるいは
原料モノマー/上記(B)成分(モル比)が1〜1
09、特に100〜107となることが好ましい。さら
に、重合時間は通常1分〜10時間、反応圧力は常圧〜
100Kg/cm2G、好ましくは常圧〜50Kg/c
m2Gである。重合体の分子量の調節方法としては、各
触媒成分の使用量,重合温度の選択、さらには水素存在
下での重合反応によることができる。
懸濁重合等のいずれの方法を用いてもよい。また、バッ
チ法でも連続法でもよい。重合条件に関し、重合温度は
−100〜250℃、特に−50〜200℃とすること
が好ましい。また、反応原料に対する触媒の使用割合
は、原料モノマー/上記(A)成分(モル比)あるいは
原料モノマー/上記(B)成分(モル比)が1〜1
09、特に100〜107となることが好ましい。さら
に、重合時間は通常1分〜10時間、反応圧力は常圧〜
100Kg/cm2G、好ましくは常圧〜50Kg/c
m2Gである。重合体の分子量の調節方法としては、各
触媒成分の使用量,重合温度の選択、さらには水素存在
下での重合反応によることができる。
【0060】重合溶媒を用いる場合、例えば、ベンゼ
ン,トルエン,キシレン,エチルベンゼン等の芳香族炭
化水素、シクロペンタン,シクロヘキサン,メチルシク
ロヘキサン等の脂環式炭化水素、ペンタン,ヘキサン,
ヘプタン,オクタン等の脂肪族炭化水素、クロロホル
ム,ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素等を用いる
ことができる。これらの溶媒は1種を単独で用いてもよ
く、2種以上のものを組合せてもよい。また、α−オレ
フィン等のモノマーを溶媒として用いてもよい。
ン,トルエン,キシレン,エチルベンゼン等の芳香族炭
化水素、シクロペンタン,シクロヘキサン,メチルシク
ロヘキサン等の脂環式炭化水素、ペンタン,ヘキサン,
ヘプタン,オクタン等の脂肪族炭化水素、クロロホル
ム,ジクロロメタン等のハロゲン化炭化水素等を用いる
ことができる。これらの溶媒は1種を単独で用いてもよ
く、2種以上のものを組合せてもよい。また、α−オレ
フィン等のモノマーを溶媒として用いてもよい。
【0061】本発明製造方法によって環状オレフィン・
α−オレフィン共重合体の製造を行なった場合、α−オ
レフィンに由来する構造単位と環状オレフィンに由来す
る構造単位との比が0.1:99.9〜99.9:0.
1で、各構造単位がランダムに配列し、実質上線状であ
る共重合体を得ることができる。共重合体が実質上線状
であることは、本共重合体が135℃のデカリン中に完
全に溶解することによって確認できる。この場合、通
常、135℃のデカリン中で測定した極限粘度[η]が
0.01〜20dl/gの共重合体を得ることができ
る。また、本発明製造方法によって得られる環状オレフ
ィン系共重合体は、あらゆる分野で利用されるが、特に
光学材料、包装材料や、熱可塑性エラストマーとして有
用である。以上、本発明製造方法について具体的に説明
したが、本発明方法はこれらに制限されるものではな
く、環状オレフィンを用いる全ての重合に適用すること
ができる。したがって、環状オレフィン単独重合体とし
ては、開環重合体、ビニレン型重合体あるいはこれら二
つの構造単位からなる共重合体を得ることもできる。
α−オレフィン共重合体の製造を行なった場合、α−オ
レフィンに由来する構造単位と環状オレフィンに由来す
る構造単位との比が0.1:99.9〜99.9:0.
1で、各構造単位がランダムに配列し、実質上線状であ
る共重合体を得ることができる。共重合体が実質上線状
であることは、本共重合体が135℃のデカリン中に完
全に溶解することによって確認できる。この場合、通
常、135℃のデカリン中で測定した極限粘度[η]が
0.01〜20dl/gの共重合体を得ることができ
る。また、本発明製造方法によって得られる環状オレフ
ィン系共重合体は、あらゆる分野で利用されるが、特に
光学材料、包装材料や、熱可塑性エラストマーとして有
用である。以上、本発明製造方法について具体的に説明
したが、本発明方法はこれらに制限されるものではな
く、環状オレフィンを用いる全ての重合に適用すること
ができる。したがって、環状オレフィン単独重合体とし
ては、開環重合体、ビニレン型重合体あるいはこれら二
つの構造単位からなる共重合体を得ることもできる。
【0062】
【実施例】次に、実施例により本発明を具体的に示す
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。以
下の実施例及び比較例において、物性測定は次のように
行なった。極限粘度[η] 135℃のデカリン中で測定した。ノルボルネン含量 13 C−NMRの30ppm付近に現れるエチレンに基づ
くピークとノルボルネンの5及び6位のメチレンに基づ
くピークの和と32.5ppm付近に現れるノルボルネ
ンの7位のメチレン基に基づくピークとの比から求め
た。
が、本発明は下記実施例に限定されるものではない。以
下の実施例及び比較例において、物性測定は次のように
行なった。極限粘度[η] 135℃のデカリン中で測定した。ノルボルネン含量 13 C−NMRの30ppm付近に現れるエチレンに基づ
くピークとノルボルネンの5及び6位のメチレンに基づ
くピークの和と32.5ppm付近に現れるノルボルネ
ンの7位のメチレン基に基づくピークとの比から求め
た。
【0063】実施例1 (1)ノルボルネンの精製 エポキシノルボルナンを不純物として145ppm含
み、2,6−ジ(t−ブチル)−4−オレイルフェノー
ルを酸化防止剤として1000ppm含む粗製ノルボル
ネン70gに乾燥トルエン30gを加え、ノルボルネン
の70重量%トルエン溶液を調製した。このノルボルネ
ン溶液を、減圧下において300℃で8時間、焼成した
アルミナ300gを充填したカラムに毎分20mlで通
過させた。その結果、ガスクロマトグラフィー分析によ
るノルボルネン中のエポキシノルボルナン含有量は0p
pmになり、エポキシノルボルナンが完全に除去されて
いることが確認された。
み、2,6−ジ(t−ブチル)−4−オレイルフェノー
ルを酸化防止剤として1000ppm含む粗製ノルボル
ネン70gに乾燥トルエン30gを加え、ノルボルネン
の70重量%トルエン溶液を調製した。このノルボルネ
ン溶液を、減圧下において300℃で8時間、焼成した
アルミナ300gを充填したカラムに毎分20mlで通
過させた。その結果、ガスクロマトグラフィー分析によ
るノルボルネン中のエポキシノルボルナン含有量は0p
pmになり、エポキシノルボルナンが完全に除去されて
いることが確認された。
【0064】(2)エチレン−ノルボルネンの共重合 1リットルのオートクレーブに乾燥トルエン400m
l、トリイソブチルアルミニウム0.6ミリモル、ビス
(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコニウム0.0
01ミリモル、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)
硼酸ジメチルアニリニウム0.002ミリモルを装填
し、これに上記(1)で得られた精製ノルボルネンを4
00ミリモル装填し、90℃、エチレン圧6Kg/cm
2で0.5時間重合を行なった後、反応溶液を大量のメ
タノール中に投入し、共重合体を析出させた。これを濾
取乾燥すると46gの共重合体が得られた。重合活性は
504Kg/g・Zr,2.8Kg/gAl、得られた
共重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘度
[η]は0.81dl/gであった。
l、トリイソブチルアルミニウム0.6ミリモル、ビス
(シクロペンタジエニル)ジクロロジルコニウム0.0
01ミリモル、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)
硼酸ジメチルアニリニウム0.002ミリモルを装填
し、これに上記(1)で得られた精製ノルボルネンを4
00ミリモル装填し、90℃、エチレン圧6Kg/cm
2で0.5時間重合を行なった後、反応溶液を大量のメ
タノール中に投入し、共重合体を析出させた。これを濾
取乾燥すると46gの共重合体が得られた。重合活性は
504Kg/g・Zr,2.8Kg/gAl、得られた
共重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘度
[η]は0.81dl/gであった。
【0065】実施例2 実施例1(2)において、トリイソブチルアルミニウム
の配合量を0.2ミリモルとし、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジクロロジルコニウムの代わりに四塩化ジルコ
ニウムを0.001ミリモル使用した以外は、実施例1
と同様にしてエチレンとノルボルネンとの共重合を行な
った。この結果、42gの共重合体が得られた。重合活
性は460Kg/g・Zr、7.8Kg/gAl、得ら
れた共重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘
度は0.82dl/gであった。
の配合量を0.2ミリモルとし、ビス(シクロペンタジ
エニル)ジクロロジルコニウムの代わりに四塩化ジルコ
ニウムを0.001ミリモル使用した以外は、実施例1
と同様にしてエチレンとノルボルネンとの共重合を行な
った。この結果、42gの共重合体が得られた。重合活
性は460Kg/g・Zr、7.8Kg/gAl、得ら
れた共重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘
度は0.82dl/gであった。
【0066】比較例1 実施例1で用いた粗製ノルボルネンを、精製を全く行な
うことなくそのまま重合反応させたこと以外は、実施例
1と同様にしてエチレンとノルボルネンとの共重合を行
なった。その結果、重合体は全く得られなかった。
うことなくそのまま重合反応させたこと以外は、実施例
1と同様にしてエチレンとノルボルネンとの共重合を行
なった。その結果、重合体は全く得られなかった。
【0067】比較例2 (1)ノルボルネンの蒸留 実施例1で用いた粗製ノルボルネンを蒸留し、酸化防止
剤を除去した蒸留ノルボルネンとした。この蒸留ノルボ
ルネン70gに乾燥トルエン30gを加え、ノルボルネ
ンの70重量%トルエン溶液を調製した。このノルボル
ネン溶液中のエポキシノルボルナン含有量は136pp
mであった。 (2)エチレン−ノルボルネンの共重合 上記蒸留ノルボルネンを用いたこと以外は、実施例1と
同様にしてエチレンとノルボルネンとの共重合を行なっ
た。この結果、11gの共重合体が得られた。重合活性
は121Kg/g・Zr、0.68Kg/gAl、得ら
れた共重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘
度は0.78dl/gであった。
剤を除去した蒸留ノルボルネンとした。この蒸留ノルボ
ルネン70gに乾燥トルエン30gを加え、ノルボルネ
ンの70重量%トルエン溶液を調製した。このノルボル
ネン溶液中のエポキシノルボルナン含有量は136pp
mであった。 (2)エチレン−ノルボルネンの共重合 上記蒸留ノルボルネンを用いたこと以外は、実施例1と
同様にしてエチレンとノルボルネンとの共重合を行なっ
た。この結果、11gの共重合体が得られた。重合活性
は121Kg/g・Zr、0.68Kg/gAl、得ら
れた共重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘
度は0.78dl/gであった。
【0068】比較例3 比較例2において、粗製ノルボルネンを変えて蒸留する
ことにより得られたエポキシノルボルナン含有量180
ppmのノルボルネン溶液を用いたこと以外は、同様に
してエチレンとノルボルネンとの共重合を行なった。こ
の結果、4.4gの共重合体が得られた。重合活性は4
8Kg/g・Zr、0.27Kg/gAl、得られた共
重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘度は
0.80dl/gであった。
ことにより得られたエポキシノルボルナン含有量180
ppmのノルボルネン溶液を用いたこと以外は、同様に
してエチレンとノルボルネンとの共重合を行なった。こ
の結果、4.4gの共重合体が得られた。重合活性は4
8Kg/g・Zr、0.27Kg/gAl、得られた共
重合体のノルボルネン含量は10モル%、極限粘度は
0.80dl/gであった。
【0069】比較例4 比較例3において、異なる粗製ノルボルネンを用いて得
たエポキシノルボルナン含量210ppmのノルボルネ
ン溶液を使用したこと以外は、同様にしてエチレンとノ
ルボルネンとの共重合を行なった。この結果、1gの共
重合体が得られた。重合活性は11Kg/g・Zr、
0.06Kg/gAl、得られた共重合体のノルボルネ
ン含量は12.4モル%、極限粘度[η]は0.83d
l/gであった。
たエポキシノルボルナン含量210ppmのノルボルネ
ン溶液を使用したこと以外は、同様にしてエチレンとノ
ルボルネンとの共重合を行なった。この結果、1gの共
重合体が得られた。重合活性は11Kg/g・Zr、
0.06Kg/gAl、得られた共重合体のノルボルネ
ン含量は12.4モル%、極限粘度[η]は0.83d
l/gであった。
【0070】実施例3 500mlのガラス製容器に乾燥トルエン30ml、ト
リイソブチルアルミニウム5ミリモル、ニッケルビス
(アセチルアセトナート)25マイクロモル、テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリニウ
ム25マイクロモル、これに実施例1の(1)で得られ
た精製ノルボルネン500ミリモルを加え、50℃で1
時間重合反応を行なったところ、9.58gの重合体を
得た。重合活性は6.53Kg/gNiであった。1,
2,4−トリクロロベンゼン中135℃で測定したMw
は1,210,000、Mw/Mnは2.37であっ
た。
リイソブチルアルミニウム5ミリモル、ニッケルビス
(アセチルアセトナート)25マイクロモル、テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリニウ
ム25マイクロモル、これに実施例1の(1)で得られ
た精製ノルボルネン500ミリモルを加え、50℃で1
時間重合反応を行なったところ、9.58gの重合体を
得た。重合活性は6.53Kg/gNiであった。1,
2,4−トリクロロベンゼン中135℃で測定したMw
は1,210,000、Mw/Mnは2.37であっ
た。
【0071】比較例5 実施例3において、ノルボルネンとして比較例2の
(1)で得られたものを使用したこと以外は、実施例3
と同様に重合反応を行ない、2.11gの重合体を得
た。重合活性は1.44Kg/gNiであった。実施例
3と同様にして測定したMwは1,140,000、M
w/Mnは2.10であった。
(1)で得られたものを使用したこと以外は、実施例3
と同様に重合反応を行ない、2.11gの重合体を得
た。重合活性は1.44Kg/gNiであった。実施例
3と同様にして測定したMwは1,140,000、M
w/Mnは2.10であった。
【0072】
【発明の効果】以上説明したように、本発明で用いる無
機物質による接触処理は、環状オレフィン中の環状オレ
フィンの酸化物や重合禁止剤、酸化防止剤等の重合触媒
を被毒して重合を阻害する物質を、蒸留等の操作を行な
わずに、室温で完全に除去できる。したがって、本発明
製造方法によれば、触媒の重合活性を大幅に向上させる
ことができるとともに、無脱灰プロセス化が可能であ
る。また、設備費やエネルギーコストの低減を図ること
もできる。
機物質による接触処理は、環状オレフィン中の環状オレ
フィンの酸化物や重合禁止剤、酸化防止剤等の重合触媒
を被毒して重合を阻害する物質を、蒸留等の操作を行な
わずに、室温で完全に除去できる。したがって、本発明
製造方法によれば、触媒の重合活性を大幅に向上させる
ことができるとともに、無脱灰プロセス化が可能であ
る。また、設備費やエネルギーコストの低減を図ること
もできる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−240740(JP,A) 特開 昭63−227623(JP,A) 米国特許4584425(US,A) 米国特許4748216(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C08F 32/00 - 32/08 C08G 61/08
Claims (2)
- 【請求項1】 環状オレフィンの単独重合又は環状オレ
フィンとα−オレフィンとの共重合において、 アルミナ,活性アルミナ,シリカ,活性炭,生石灰,珪
酸アルミニウム,珪藻土,活性白土,カオリナイト及び
ゼオライトから選ばれる少なくとも一種の無機物質との
接触処理が施された環状オレフィン(但し、ジシクロペ
ンタジエンを除く。)を用いることを特徴とする環状オ
レフィン系重合体の製造方法。 - 【請求項2】前記環状オレフィンに前記無機物質との接
触処理を施した後、この環状オレフィンを無機物質との
接触処理工程から重合工程へ直接供給するようにした請
求項1記載の環状オレフィン系重合体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32258891A JP3181955B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 環状オレフィン系重合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32258891A JP3181955B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 環状オレフィン系重合体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05132523A JPH05132523A (ja) | 1993-05-28 |
JP3181955B2 true JP3181955B2 (ja) | 2001-07-03 |
Family
ID=18145377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32258891A Ceased JP3181955B2 (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | 環状オレフィン系重合体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3181955B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
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---|---|---|---|---|
DE69434488D1 (de) * | 1993-06-16 | 2005-10-20 | Asahi Chemical Ind | Polymere, die gesättigte zyklische molekularstruktureinheiten enthalten |
CA2178609C (en) * | 1994-02-01 | 2000-08-08 | Kimio Imaizumi | Novel polymer containing a modified cyclic monomer unit |
JP4757439B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2011-08-24 | 三井化学株式会社 | 5−エチリデン−2−ノルボルネン組成物および5−エチリデン−2−ノルボルネン系重合体の製造方法 |
WO2007034653A1 (ja) * | 2005-09-22 | 2007-03-29 | Zeon Corporation | ノルボルネン化合物付加重合体、その製造方法、該重合体からなる成形品、及びその用途 |
JP2008248171A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Mitsui Chemicals Inc | 環状オレフィン系重合体の製造方法 |
JP6040939B2 (ja) * | 2011-11-02 | 2016-12-07 | 三菱化学株式会社 | 縮合多環芳香族化合物の製造方法及び共役高分子 |
CN106232641B (zh) * | 2014-05-23 | 2020-12-01 | 宝理塑料株式会社 | 环状烯烃共聚物的制造方法 |
JP6886955B2 (ja) * | 2018-10-05 | 2021-06-16 | ポリプラスチックス株式会社 | 環状オレフィンポリマーの製造方法 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP32258891A patent/JP3181955B2/ja not_active Ceased
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05132523A (ja) | 1993-05-28 |
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