JP3177789B2 - 共振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集積回路 - Google Patents

共振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集積回路

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JP3177789B2
JP3177789B2 JP11614492A JP11614492A JP3177789B2 JP 3177789 B2 JP3177789 B2 JP 3177789B2 JP 11614492 A JP11614492 A JP 11614492A JP 11614492 A JP11614492 A JP 11614492A JP 3177789 B2 JP3177789 B2 JP 3177789B2
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パララ セルジオ
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コンソルツィオ ペル ラ リチェルカ スッラ ミクロエレットロニカ ネル メゾジォルノ
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    • H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電線に接続された共振負
荷を駆動する電力装置を含む集積回路における出力電流
の増加に対する保護回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】内燃機関に対する電子式点火システムに
は、半導体電力切換装置によって駆動される点火コイル
により構成された共振負荷があり、そこでの半導体電力
切換装置は、通常、そのコイルを通過する電流が予め決
められた値に達するような期間の電圧インパルスによっ
て入力において作動されるトランジスタで構成されてい
る。
【０００３】スイッチの入力電圧は、スイッチが開いて
いる低い値と、スイッチが閉じられていて、コイルに電
流を流すことのできる高い値との間で変動する。もっと
正確に云うと、もしもスイッチがトランジスタでもって
構成されているならば、その入力電圧が低い限り、トラ
ンジスタのコレクタ電流は低く、トランジスタはオフ
で、閉スイッチのように振舞うが、その入力電圧が高く
なると、トランジスタがオンとなり、閉じられたスイッ
チのように振舞い、電力装置の出力電流を構成するトラ
ンジスタのコレクタ電流は直線状に上昇し始める。
【０００４】もしも、何等かの理由で、その入力電圧が
所定時間以上高く止どまるとすると、トランジスタはオ
ンに止どまり、従って、半導体スイッチとしては閉じら
れた状態に置かれる。結果的に、コレクタ電流は上昇し
続け、コイルの１次巻線の及びスイッチの直列抵抗によ
ってのみ制限される。コレクタ電流におけるかかる莫大
な増加はそのトランジスタ上における受け入れ難い電流
消散となり、破損させることになる。
【０００５】また、トランジスタは、そのコレクタ電流
を最大設定値に制限する電子式点火システムで使用され
ている従来の方法によっても破損される。実際、この場
合でのトランジスタは飽和から解放され、結果的に、ほ
とんどすべてのコイルの供給電圧がトランジスタ自体を
横切って降下して、電力を消散させて、それを数秒以内
で破損させる。
【０００６】電力トランジスタを保護するための周知の
方法は、その入力制御電圧が無期限に高く止どまり続け
ることに無関係に、そのコレクタ電流が設定値に達した
ときにそれを消弧することである。かかる場合、その保
護回路はクランプ又はラッチ回路を備え、そのクランプ
回路は、その入力において、比較器を通して、電力トラ
ンジスタのコレクタ電流が最大値に達したことを検知
し、そして電力トランジスタの制御回路を動作させてそ
のトランジスタ自体をオフさせる状態にそれ自体を配列
させる。
【０００７】クランプ回路は、低くなるときの入力電圧
から得られる信号によりその元の状態にリセットされる
まで、比較器から入る他の入力を無視する状態に置かれ
る。同じシリコンチップ上に電力トランジスタ及び保護
回路 (例えば、VIパワーとして知られている垂直流れ構
造) を持つことを許す技術でもっての集積回路の形態に
おけるこの保護回路の達成にはかなりの運転上の問題を
呈する。
【０００８】電力トランジスタ (ダーリントン構成) の
点弧又は消弧ステップ中、集積回路がその上に形成され
ているチップの基板であるトランジスタ自体のコレクタ
は、その電位を接地より数ボルト以下に取る或る電圧ト
ランジスタを持っている。これは、結果的に、集積され
た保護回路の技術的構造に本質的な垂直の寄生トランジ
スタの点弧となる。
【０００９】明らかに、寄生トランジスタの点弧は、も
しもそれが集積技術において達成されるとすると、その
内側にはクランプ回路があるので、保護回路の正しい動
作を危険にさらす。実際に、上述した点弧はクランプ回
路自体に記憶されている情報を消去させることになる。
結果的に、上述した保護回路は、その回路自体が電力ト
ランジスタを含む技術的構造でもって集積された形態に
おいて達成される場合、電力トランジスタの破損の問題
を解決しない。
【００１０】この概念をより良く理解するために、ま
ず、低レベルの入力電圧の初期状態において、電力トラ
ンジスタがオフにある状態について検討する。電力トラ
ンジスタのコレクタを横切った電圧は、零である電圧差
にさらされる点火コイルを横切って印加される供給電圧
に等しい。結果的に、コイル一次側を通して流れる電流
は零である。
【００１１】入力が高くなると、電力トランジスタはオ
ンに切り換わり、そのコレクタを横切った電圧はその飽
和電圧に等しくなる。点火コイルの特別な特長による約
50マイクロ秒の第１の間隔後、そこには約10マイクロ秒
ほど続く第１のアンダーグラウンドがあり、その後、電
力トランジスタのコレクタ電圧は正に戻って、飽和電圧
に等しくなる。
【００１２】コレクタ電流が最大設定値に達すると、ク
ランプ回路が介入して、電力トランジスタの制御回路を
オフに切り換える。そこで、コレクタ電流は遮断され、
過電圧が電力トランジスタのコレクタを横切って作り出
され、それがコイルの２次側に火花を生じさせる。２次
側の放電中、そのコレクタ電圧は、供給電圧と接地との
間の中間値を維持する。放電が終了し、そしてコレクタ
電流がオフに切り換えられたときから約２ミリ秒の第２
の間隔の後、そこには、10マイクロ秒にわたるそのコレ
クタ電圧の第２のアンダーグラウンドが生ずる。
【００１３】保護回路の動作中、もしもこれが電力トラ
ンジスタでもって集積された単一の回路において達成さ
れるとすると、そこには以下のような問題がある。前述
した第１の時間後、クランプ回路は非能動でなければな
らない。他方、電力トランジスタのコレクタ電圧の第１
のアンダーグラウンドはそれを作動させることができ、
そして不本意に、電力トランジスタの制御回路をスイッ
チ・オフさせる。
【００１４】第２の期間後、クランプ回路は、仮りにそ
の入力電圧が高く止どまり続けるとしてさえ、能動でな
ければならない。アンダーグラウンドが生じると、その
クランプ回路は、記憶していた情報を失ない、それ自体
をリセットし、制御回路を新しく点弧させることにな
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は電力装
置を伴なって集積された形態において得られると同時
に、上述した欠陥を回避した保護回路を達成することに
ある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明によると、かかる
目的は、電源に接続された共振負荷を駆動する電力装
置、及び前記電力装置をオン・オフ制御する制御回路か
らなり、前記電力装置と同じチップ上に集積された保護
回路によって特徴付けられる集積回路であって、前記制
御回路は、パルス入力電圧に従って非作動状態又は作動
状態となり、前記保護回路は、前記制御回路を非作動に
し、前記入力電圧の値に関係なく電力装置を消弧するク
ランプ回路を有し、前記共振負荷に接続された前記電力
装置の端子電圧が前記集積回路の接地電圧より低い第１
の期間が、前記電力装置の点弧により前記共振負荷によ
り発生するため前記第１の回路手段を設け、前記電力装
置を通じて流れる電流が予め設定された最大値に達する
と、前記電力装置がスイッチオンされた後、少なくとも
電力装置の電圧の第１のアンダーグラウンドが終了する
まで、予め設定された時間、前記クランプ回路の作動を
禁止し、また、前記共振負荷に接続された電力装置の端
子電圧が前記集積回路の接地電圧より低い第２の期間
は、前記電力装置の前記消弧に続く前記共振負荷によっ
て起こるため前記第２の回路手段を設け、前記電力装置
の電圧の第２のアンダーグランド発生中作動して前記ク
ランプ回路を保持することによって達成される。このよ
うに構成された回路は、電力装置の供給電圧のアンダー
グラウンドによ妨害によって影響されず、正しく動作す
る。
【００１７】
【実施例】本発明の特長は、添付図面に非限定的例とし
て例示されている実施例から一層明らかとなろう。図１
を参照するに、クランプ回路１は、バッテリ電圧Ｖb に
接続された共振負荷Ｌを駆動するための、例えばＮＰＮ
型のトランジスタである電力装置３をオン及びオフ制御
する制御回路２と連動されている。前述の共振負荷は、
例えば、１次巻線Ｌ１と２次巻線Ｌ２とを持つ内燃機関
のための点火コイルにより構成されている。
【００１８】制御回路２の入力には、制御回路２を非作
動状態に置く低い値と、それを作動状態に置く高い値と
の間で変動するインパルス電圧信号Ｖinが与えられる。
入力Ｖinとクランプ回路１との間には、入力Ｖinにおい
て高い電圧の状態に達した後の設定時間間隔にわたって
クランプ回路１の動作を禁止するための第１の回路手段
５が介在されている。第１の手段５は、抵抗Ｒ１及びコ
ンデンサＣ１からなる回路網ＲＣと、抵抗Ｒ１とコンデ
ンサＣ１との間の中間の結節Ｄに接続された入力及び閾
値電圧発生器Ｅ１に接続された別な入力を持つ比較器８
と、そして比較器８の出力に接続されたベース、接地さ
れたエミッタ及びクランプ回路１の入力に接続されたコ
レクタを持つＮＰＮ型のトランジスタＴ１とを含んでい
る。
【００１９】電力装置３とクランプ回路１との間には、
電力装置を通して流れる電流が最大値Ｉc max に達した
ときにクランプ回路１を作動させるための比較器Ｇが設
けられている。比較器９の入力は基準電圧発生器Ｅ２に
接続され、他の入力は、電力装置３と、他端が接地され
ている検出抵抗Ｒ２との間にある結節に接続されてい
る。
【００２０】図２を参照するに、クランプ回路１は入力
トランジスタＴ２と出力トランジスタＴ３とを含み、そ
れらトランジスタのエミッタは一緒に接続されて、ダイ
オードＤ１を通して接地されている。ＮＰＮ型のトラン
ジスタＴ２, Ｔ３のコレクタは電流発生器Ｇ１, Ｇ２を
通して、供給電圧Ｖs に接続されている。入力トランジ
スタＴ２のベースは、比較器９の出力に接続される一
方、抵抗Ｒ３を通してトランジスタＴ３のコレクタに、
かくして、クランプ回路１の出力Ｕに接続されている。
また、出力トランジスタＴ３のベースは抵抗Ｒ４を通し
てトランジスタＴ４のコレクタと、そしてクランプ回路
１の入力を表わし且つトランジスタＴ１のコレクタに通
じている回路結節Ｎ１に接続されている。抵抗Ｒ３と入
力トランジスタＴ２のベースとの中間にある結節Ｎ２に
は第２のコンデンサＣ２の接片が接続され、他の接片は
接地されている。
【００２１】図３を参照して後で記述されることになる
集積回路の形態におけるクランプ回路１及び電力装置３
の達成においては、寄生トランジスタＴＰ２、ＴＰ３及
びＴＰ４が図４での点線で示されているように形成され
る。寄生トランジスタのエミッタは電力装置３の端子Ｃ
(本質的に、ＮＰＮトランジスタのコレクタ) に接続さ
れ、ベースは抵抗Ｒ５, Ｒ６及びＲ７を通して接地され
ている。トランジスタＴＰ２のコレクタは入力トランジ
スタＴ２のコレクタに接続されている。トランジスタＴ
Ｐ３のコレクタは出力トランジスタＴ３のコレクタに接
続され、トランジスタＴＰ４のコレクタは、回路結節Ｎ
２において、入力トランジスタＴ２のベースに接続され
ている。
【００２２】寄生トランジスタの存在の説明をより良く
するために、図３には、クランプ回路１及び電力装置３
を含む集積回路の一部が示されている。電力装置の電圧
Ｖcにおけるコレクタを構成するＮ+型の基板10上にはＮ
-型のエピタキシャル層11があり、その内側には、ダー
リントン構成において接続された２つのトランジスタＴ
４及びＴ５の１つ (Ｔ４) のベースを構成し、そして一
緒になって電力装置３を形成しているＰ+型の領域12が
ある。領域12の内側には、トランジスタＴ４のエミッタ
を構成しそして表面金属化部61を通して、Ｐ+型の領域1
3に接続されているＮ+型の領域14があり、領域13はトラ
ンジスタＴ５のベースを構成し、そしてトランジスタＴ
５のエミッタを構成するためのＮ+型の領域15, 16及び1
6を含んでいる。一緒に接続されているトランジスタＴ
４及びＴ５のコレクタは Ｎ+型の基板10によって構成
されている。トランジスタＴ４, Ｔ５のエミッタと接地
との間には、金属化抵抗Ｒ２がある。
【００２３】エピタキシャル層11の内側には、Ｐ+型の
垂直領域19での表面へと延びたＰ型の隔絶井戸18もあ
る。垂直領域19間には、Ｎ型のエピタキシャル領域20,
21, 22及び23がある。Ｐ型の深い領域18と前述の領域2
0, 21, 22及び23との間にはＮ+ 型の濃縮された領域24,
25, 26及び27がある。Ｎ+型の領域27は半導体の表面へ
と延びている。領域20の内側には、Ｐ型及びＮ+型の領
域28及び29がある。領域28にはＮ+型の領域30がある。
領域28, 29及び30は入力トランジスタＴ２のベース、コ
レクタ及びエミッタを構成している。領域29、基板10及
び領域18は、トランジスタＴ２に関連して形成される寄
生トランジスタＴＰ２のコレクタ、エミッタ及びベース
を表わしている。領域21の内側には、Ｐ型及びＮ+型の
領域31及び32がある。領域31にはＮ+型のアンダー領域3
3がある。領域31, 32及び33は出力トランジスタＴ３の
ベース、コレクタ及びエミッタを構成する。領域32、基
板10及び領域18はトランジスタＴ３と連動される寄生ト
ランジスタＴＰ３のコレクタ、エミッタ及びベースを表
わしている。
【００２４】領域22の内側には、一緒になって拡散抵抗
Ｒ３を構成するためのＰ型の領域34及びＮ+型の領域35
がある。拡散抵抗Ｒ４も示されていない同様の領域によ
り構成されている。領域23の内側には、Ｐ型の領域36及
びＮ+型の領域37がある。領域36と領域37とは一緒にな
って容量Ｃ２を表わしている。表面金属化部62は領域37
を隣接の領域27に接続する。
【００２５】Ｎ+の領域27は、コンデンサＣ２と連動さ
れた寄生トランジスタＴＰ４のコレクタを表わしてい
る。寄生トランジスタＴＰ４のエミッタは基板10により
構成され、ベースはＰ型の領域18で構成されている。寄
生トランジスタＴＰ４はコイルＬの一次側を横切って現
われるものよりも高い破壊電圧を持つ高電圧トランジス
タを構成している。
【００２６】領域18では、寄生トランジスタＴＰ２, Ｔ
Ｐ３及びＴＰ４のベース抵抗Ｒ５,Ｒ７及びＲ６が規定
されている。領域33により構成された出力トランジスタ
Ｔ３のエミッタと接地との間では、示されていないがそ
れ自体周知の仕方において、ダイオードＤ１が達成され
ている。
【００２７】図１および図２を参照しそして図３の集積
構造に本質的な寄生トランジスタを想定するに、本発明
による回路は、図４での電流Ｉc の波形、電力装置Ｔ
４, Ｔ５のコレクタ上における図５での電圧Ｖc の波
形、図６での入力電圧Ｖinの波形、そして比較器８に対
する入力における回路結節Ｄを横切った、図７での電圧
Ｖd の波形で例示されているように動作する。
【００２８】初め、Ｖinは低く、高い出力Ｕを持つクラ
ンプ回路１はオフ、制御回路２は非能動、そして電力装
置３はオフにある。電力装置３のコレクタを横切った電
圧Ｖc はバッテリの電圧Ｖb に等しく、電力装置３のコ
レクタ上における電流Ｉc は零である。入力電圧Ｖinが
時刻ｔ1 において高くなると、制御回路２は作動されそ
して電力装置３をオンに切り換える。電力装置３のコレ
クタを横切った電圧Ｖc は飽和電圧Ｖsat へ動く。電力
装置３のコレクタの電流Ｉc は上昇し始める。
【００２９】この間、電圧Ｖinは第１のコンデンサＣ１
を充電し始める。コンデンサＣ１を横切った電圧はＥ１
以下であるので、比較器８はトランジスタＴ１をオン状
態に保ち続け、その低い出力と共に、クランプ回路１を
禁止した状態に維持する。時刻ｔ2 において、電力装置
３のコレクタ上には、ピーク電圧Ｖ１および約10マイク
ロ秒に等しい期間の第１のアンダーグラウンドがある。
【００３０】これは、寄生トランジスタＴＰ２, ＴＰ３
及びＴＰ４をスイッチ・オンさせ、結果的に、オンにあ
るべきクランプ回路１の出力電圧を低レベルへと降下さ
せる。しかし、第１のアンダーグラウンドの期間に付加
された時間ｔ2 はコンデンサＣ１が電圧Ｅ１においてそ
れ自体を充電させる時間ｔ3 で示されているものよりも
小さい。かくして、比較器８はトランジスタＴ１をオン
に保ち続け、且つそれを通して、クランプ回路１を禁止
された状態に保持する。
【００３１】電圧Ｖc は、ｔ2 後の約10マイクロ秒間、
再び接地以上に上昇する。クランプ回路１の出力電圧Ｕ
は高いので、後者はオフであり、その結果、制御回路２
は電力装置３をカットオフしない。特に、これは、ＴＰ
２, ＴＰ３及びＴＰ４がオフに切り換えられるときに生
じるが、トランジスタＴ１は時刻ｔ3 までにオンに切り
換わり、そのトランジスタＴ３をオフ状態に保つので、
電圧Ｕは高くそしてクランプ回路１はオフである。結果
的に、高い電圧ＵはトランジスタＴ２を導通させ、その
低いコレクタ電圧はトランジスタＴ３をオフ状態に保ち
続け、かくして、Ｕを高く維持する。
【００３２】時間ｔ2 及び電力装置３のコレクタ電圧の
第１のアンダーグラウンドの時間間隔の和よりも大きい
時刻ｔ3 において、コンデンサＣ１にかかる電圧は値Ｅ
１に達する。比較器８はトリガーされて、そしてトラン
ジスタＴ１をカットオフしそしてクランプ回路１の状態
を切り換えられないままに止どめる。この瞬間から、ク
ランプ回路１はもはや禁止されず、そして比較器９から
のスイッチ・オン指令の結果としてそれ自体をスイッチ
・オンする。
【００３３】電流値Ｉc max が時刻ｔ4 において到達さ
れると、比較器９はトリガーされそしてクランプ回路１
の点弧を指令する。かかる状況において、比較器９の出
力はトランジスタＴ２のベースを低くし、それをスイッ
チ・オフさせる。結果的に、出力トランジスタＴ３が作
動され、そしてクランプ回路１の出力Ｕが低くなる。
【００３４】出力Ｕは制御回路２に作用して、電力装置
３をオフに切り換える。この点において、クランプ回路
１は能動状態に達し、そして、電源上つまり電力装置３
のコレクタ上における妨害に無関係に、入力電圧Ｖinが
高く止どまる状態に全時間にわたって止どまる。図５に
おける曲線Ｖc から見られるような妨害は時刻ｔ5 にお
いて生じる。
【００３５】この時点での電圧Ｖ２における第２のアン
ダーグラウンドの発生は実際に、寄生トランジスタＴＰ
２, ＴＰ３を導通させる。これらは、出力Ｕを横切った
電圧を低く維持する。ここでは、コンデンサＣ２の寄生
トランジスタであるＴＰ４も作動される。この第２のア
ンダーグラウンド中、コンデンサＣ２は寄生トランジス
タＴＰ４上に放電する。
【００３６】約10マイクロ秒後、第２のアンダーグウラ
ンドは使い尽くされるが、クランプ回路１はＵの状態を
低く維持し続け、これに対する貢献はコンデンサＣ１に
よっでなされる。実際問題として、クランプ回路１は、
入力トランジスタＴ２のベースに達したコンデンサＣ２
が、 ２Ｖbe＝ (Ｖbe (Ｔ２) ＋Ｖbe (Ｄ1)) に等しい電圧に充電されるまで、低いＵの優先状態を持
っている。
【００３７】このステップ中、ダイオードＤ１はトラン
ジスタＴ２の点弧閾値を１Ｖbeから２Ｖbeへ増大させる
ために使用される。これはその安全性を向上させ、コン
デンサＣ２が１Ｖbeにおいてよりも２Ｖbeにおいてそれ
自体を充電するのに長くかかるという事実を考慮してさ
え、トランジスタＴ２はオフに止どまることになる。コ
ンデンサＣ２が２Ｖbeに等しい電圧値において電圧Ｕ及
び抵抗Ｒ３を通してそれ自体充電する前に、入力トラン
ジスタＴ２はオフに切り換えられ、その結果、トランジ
スタＴ３がオンに切り換えられて、Ｕを低く保つことに
なる。コンデンサＣ２及びその充電抵抗Ｒ３は、Ｃ２の
充電が第２のアンダーグラウンドの期間よりも大きい時
間内で行われるようなサイズにある。
【００３８】一旦コンデンサＣ２が、 (Ｖbe (Ｄ１) ＋
Ｖsat (Ｔ３) に等しい電圧でそれ自体充電すると、そ
の第２のアンダーグラウンドが終了した後、これはクラ
ンプ回路１を邪魔せず、それは、コンデンサＣ２を横切
った電圧がトランジスタＴ２をトリガーするのに必要な
最低電圧、つまり、 (Ｖbe (Ｔ２) ＋Ｖbe (Ｄ１)) よりも小さいので、トランジスタＴ３をオン状態に且つ
Ｕを低く維持する。このように、本発明による回路はア
ンダーグラウンドによる妨害により影響されず、正しく
動作する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による回路図である。
【図２】図１に例示された保護回路に含まれているクラ
ンプ回路の詳細図である。
【図３】本発明による保護回路を集積回路の形態とした
実施例を示す説明図である。
【図４】図１の回路における１波形図である。
【図５】図１の回路における他の波形図である。
【図６】図１の回路における更に他の波形図である。
【図７】図１の回路における更に他の波形図である。
【符号の説明】
１ クランプ回路 ２ 制御回路 ３ 電力装置 ５ 回路手段 ９ 比較器 Ｌ 共振負荷
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−262914（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−194874（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−207383（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−44638（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H02H 7/00 H02H 7/10 - 7/20

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電源に接続された共振負荷（Ｌ）を駆動
    する電力装置（３）、及び前記電力装置（３）をオン・
    オフ制御する制御回路（２）からなり、前記電力装置
    （３）と同じチップ上に集積された保護回路によって特
    徴付けられる集積回路であって、前記制御回路（２）
    は、パルス入力電圧（Ｖin）に従って非作動状態又は作
    動状態となり、前記保護回路は、前記制御回路（２）を
    非作動にし、前記入力電圧（Ｖin）の値に関係なく電力
    装置（３）を消弧するクランプ回路（１）を有し、前記
    共振負荷（Ｌ）に接続された前記電力装置の端子電圧が
    前記集積回路の接地電圧より低い第１の期間が、前記電
    力装置（３）の点弧により前記共振負荷（Ｌ）により発
    生するため前記第１の回路手段（Ｒ１，Ｃ１，８，Ｅ
    １，Ｔ１）を設け、前記電力装置（３）を通じて流れる
    電流が予め設定された最大値(Icmax) に達すると、前記
    電力装置（３）がスイッチオンされた後、少なくとも電
    力装置の電圧の第１のアンダーグラウンド（Ｖ１）が終
    了するまで、予め設定された時間、前記クランプ回路
    （１）の作動を禁止し、また、前記共振負荷（Ｌ）に接
    続された電力装置（３）の端子電圧が前記集積回路の接
    地電圧より低い第２の期間は、前記電力装置（３）の前
    記消弧に続く前記共振負荷（Ｌ）によって起こるため前
    記第２の回路手段（Ｃ２，ＴＰ４）を設け、前記電力装
    置の電圧の第２のアンダーグランド（Ｖ２）発生中作動
    して前記クランプ回路（１）を保持するようにした共振
    負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集積回路。
  2. 【請求項２】 前記第１の回路手段（Ｒ１，ＣＱ，８，
    Ｅ１，Ｔ１）は、第１の基準電圧（Ｅ１）を持ち、前記
    クランプ回路（１）の動作を禁止するトランジスタ（Ｔ
    １）を駆動するための比較器（８）に前記パルス入力電
    圧（Ｖin）を入力するためのＲＣ回路網（Ｒ１，Ｃ１）
    を有する請求項１記載の共振負荷を駆動する電力装置の
    保護回路を有する集積回路。
  3. 【請求項３】 前記ＲＣ回路網（Ｒ１，Ｃ１）の第１容
    量（Ｃ１）は、前記パルス入力信号電圧（Ｖin）によ
    り、前記比較器（８）の前記入力電圧が、前記予め設定
    した時間に対応する時間で第１の基準電圧（Ｅ１）値に
    達する一定時間で充電されることからなる請求項２記載
    の共振負荷を駆動する電力装置の保護 回路を有する集積
    回路。
  4. 【請求項４】 第２の基準電圧（Ｅ２）を受ける第１の
    入力と、前記電力装置（３）を通して流れる電流及び前
    記電力装置（３）に直列接続された検出抵抗（Ｒ２）に
    よって発生する電圧を受ける第２の入力とが入力される
    比較器（９）からなり、該比較器（９）は、予め設定さ
    れた最大電流（Ｉcmax）に、前記第２の基準電圧（Ｅ
    ２）と前記検出抵抗（Ｒ２）との比が一致すると、前記
    クランプ回路（１）を作動させるようにした請求項１記
    載の共振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集
    積回路。
  5. 【請求項５】 前記第２の回路手段（Ｃ２，ＴＰ４）
    は、前記クランプ回路（１）に挿入され、且つ前記第２
    のアンダーグラウンド電圧（Ｖ２）発生中、クランプ回
    路（１）の作動を保持するために前記集積回路の寄生ト
    ランジスタ（ＴＰ４）によって放電するように配置され
    た第２のコンデンサ（Ｃ２）からなる請求項１記載の共
    振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集積回
    路。
  6. 【請求項６】 前記クランプ回路（１）は、入力トラン
    ジスタ（Ｔ２）と出力トランジスタ（Ｔ３）とからな
    り、該出力トランジスタ（Ｔ３）のコレクタ出力（Ｕ）
    の高い又は低いで前記クランプ回路（１）がオフ又はオ
    ンされ、前記第２のコンデンサ（Ｃ２）が放電される前
    記第２のアンダーグラウンド（Ｖ２）発生中、前記入力
    トランジスタ（Ｔ２）をカットオフ状態に保つようにし
    た請求項５記載の共振負荷を駆動する電力装置の保護回
    路を有する集積回路。
  7. 【請求項７】 前記第２のコンデンサ（Ｃ２）は、前記
    第２のアンダーグラウンド（Ｖ２）発生中、電圧が前記
    入力トランジスタ（Ｔ２）を点弧するのに必要な値に達
    しない放電時定数を有することからなる請求項６記載の
    共振負荷を駆動するようにした電力装置の保護回路を有
    する集積回路。
  8. 【請求項８】 前記クランプ回路（１）は、また、前記
    出力トランジスタ（Ｔ３）と直列をなすダイオード（Ｄ
    １）からなり、前記ダイオード（Ｄ１）の電圧と前記出
    力トランジスタ（Ｔ３）の飽和電圧との和で前記第２の
    コンデンサ（Ｃ２）が充電されるようにした請求項６記
    載の共振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集
    積回路。
  9. 【請求項９】 前記第２の回路手段（Ｃ２，ＴＰ４）は
    Ｎ+ 型の基板（10）上に成長されたＮ- 型のエピタキシ
    ャル層（11）に含まれているＰ型の隔絶井戸（18，19）
    内に含まれたエピタキシャル領域（23）に位置するＮ+
    ／Ｐ接合部におけるコンデンサ（Ｃ２）と、前記エピタ
    キシャル領域（23）のＮ+ 型の濃縮領域（27）をコレク
    タとして、Ｐ型の前記隔絶井戸（18，19）をベースとし
    て、前記エピタキシャル層（11）及び下に横たわる基板
    （10）をエミッタとして持つＮＰＮトランジスタ（ＴＰ
    ４）とを含み、前記ＮＰＮトランジスタ（ＴＰ４）の前
    記コレクタは表面金属化部（62）によって前記コンデン
    サ（Ｃ２）のＮ+ 接片（37）に接続されている請求項１
    記載の共振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する
    集積回路。
  10. 【請求項１０】 前記ＮＰＮトランジスタ（ＴＰ４）
    は、前記共振負荷（Ｌ）を横切って現れるよりも高い破
    壊電圧を有する高電圧トランジスタである請求項９記載
    の共振負荷を駆動する電力装置の保護回路を有する集積
    回路。
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