JP3177179B2 - セラミックヒータの制御方法 - Google Patents
セラミックヒータの制御方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックヒータ
の抵抗体に発生した割れ，欠けなどの異常を検出する
と、供給電力を低下させてセラミックヒータの異常な昇
温を防止するセラミックヒータの制御方法に関する。
の抵抗体に発生した割れ，欠けなどの異常を検出する
と、供給電力を低下させてセラミックヒータの異常な昇
温を防止するセラミックヒータの制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】セラミックヒータは、一般的に、セラミ
ックスからなる基板と、この基板の表面に形成された電
気抵抗材料のパターン層からなる抵抗体とを備えてい
る。このセラミックヒータは、複写機、プリンタなどの
画像形成装置における定着器、その他の各種機器に使用
されている。
ックスからなる基板と、この基板の表面に形成された電
気抵抗材料のパターン層からなる抵抗体とを備えてい
る。このセラミックヒータは、複写機、プリンタなどの
画像形成装置における定着器、その他の各種機器に使用
されている。
【０００３】このセラミックヒータを用いた機器にあっ
ては、セラミックヒータの温度を検出し、この検出温度
と設定温度とを比較し、その比較結果によりセラミック
ヒータへの供給電力量を変化させる温調制御がなされて
いる。そして、この温調制御における供給電力量を変化
させる制御方法の一つとして、位相制御がある。この位
相制御は、交流波形の半周期に通電時間と非通電時間と
が現れる波形を有する電力を供給するものであって、通
電時間と非通電時間との比率を変えることにより、実効
電力値を変化させるものである。
ては、セラミックヒータの温度を検出し、この検出温度
と設定温度とを比較し、その比較結果によりセラミック
ヒータへの供給電力量を変化させる温調制御がなされて
いる。そして、この温調制御における供給電力量を変化
させる制御方法の一つとして、位相制御がある。この位
相制御は、交流波形の半周期に通電時間と非通電時間と
が現れる波形を有する電力を供給するものであって、通
電時間と非通電時間との比率を変えることにより、実効
電力値を変化させるものである。
【０００４】ところで、このセラミックヒータあって
は、外的圧力やヒータ自体の熱歪みにより、抵抗値体に
割れ，欠けなどの異常が発生することがある。そこで、
このような割れ，欠けなどの異常を検出した場合には、
供給電力を低下させて、ヒータの異常な温度上昇を防止
する必要がある。
は、外的圧力やヒータ自体の熱歪みにより、抵抗値体に
割れ，欠けなどの異常が発生することがある。そこで、
このような割れ，欠けなどの異常を検出した場合には、
供給電力を低下させて、ヒータの異常な温度上昇を防止
する必要がある。
【０００５】従来、例えばセラミックヒータの温度異常
を検出することにより、この割れ，欠けなどの異常を検
出していた。セラミックヒータに割れが生じると、抵抗
体に断線が生じ、規定温度まで達しない。また、セラミ
ックヒータに欠けが生じると、抵抗体の変化により、温
度分布の異常が生じる。
を検出することにより、この割れ，欠けなどの異常を検
出していた。セラミックヒータに割れが生じると、抵抗
体に断線が生じ、規定温度まで達しない。また、セラミ
ックヒータに欠けが生じると、抵抗体の変化により、温
度分布の異常が生じる。
【０００６】一方、別の検出方法として、セラミックヒ
ータの温度測定によるのではなく、セラミックヒータに
電力供給していないときに、セラミックヒータの抵抗体
の導通検査（抵抗測定）を行って、抵抗体の異常を事前
に検出する方法も公知である。セラミックヒータに割
れ，欠けなどの異常が発生すると、抵抗体の抵抗が上昇
する。
ータの温度測定によるのではなく、セラミックヒータに
電力供給していないときに、セラミックヒータの抵抗体
の導通検査（抵抗測定）を行って、抵抗体の異常を事前
に検出する方法も公知である。セラミックヒータに割
れ，欠けなどの異常が発生すると、抵抗体の抵抗が上昇
する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の異常検出方法によると、次のような問題があ
る。
た従来の異常検出方法によると、次のような問題があ
る。
【０００８】セラミックヒータの温度異常を検出するこ
とにより、割れ，欠けなどの異常を検出する方法にあっ
ては、セラミックヒータの異常発生箇所の温度変化が温
度検知素子に伝導されるまでに時間がかかる。したがっ
て、検出が遅れ、異常発生後、比較的長い時間、セラミ
ックヒータが正しく制御されないという問題が生じる。
とにより、割れ，欠けなどの異常を検出する方法にあっ
ては、セラミックヒータの異常発生箇所の温度変化が温
度検知素子に伝導されるまでに時間がかかる。したがっ
て、検出が遅れ、異常発生後、比較的長い時間、セラミ
ックヒータが正しく制御されないという問題が生じる。
【０００９】一方、セラミックヒータに電力供給してい
ないときに抵抗体の抵抗を測定することにより割れ，欠
けなどの異常を検出する方法にあっては、ヒータに電力
供給している間に異常が発生してから、その異常を検出
するまで時間がかかる問題がある。
ないときに抵抗体の抵抗を測定することにより割れ，欠
けなどの異常を検出する方法にあっては、ヒータに電力
供給している間に異常が発生してから、その異常を検出
するまで時間がかかる問題がある。
【００１０】特に、セラミックヒータを用いた定着器を
備えた画像形成装置にあっては、ヒータの昇温が急であ
り、且つ昇温サイクルが多いので、セラミックヒータの
熱歪みによる断線や欠けの発生頻度が高い。さらに、こ
のような断線や欠けに起因する異常高温が生じると、セ
ラミックヒータの近傍の他の部材に熱変形をもたらすと
いう問題がある。したがって、セラミックヒータを用い
た定着器を備えた画像形成装置にあっては、とりわけ、
セラミックヒータの割れ，欠けなどの異常の早期検出が
重要となる。
備えた画像形成装置にあっては、ヒータの昇温が急であ
り、且つ昇温サイクルが多いので、セラミックヒータの
熱歪みによる断線や欠けの発生頻度が高い。さらに、こ
のような断線や欠けに起因する異常高温が生じると、セ
ラミックヒータの近傍の他の部材に熱変形をもたらすと
いう問題がある。したがって、セラミックヒータを用い
た定着器を備えた画像形成装置にあっては、とりわけ、
セラミックヒータの割れ，欠けなどの異常の早期検出が
重要となる。
【００１１】本発明の目的は、ヒータに生じた割れ，欠
けなどの異常を早期に検出可能として、割れ，欠けに起
因する異常昇温を早期に防止することのできるセラミッ
クヒータの制御方法を提供することにある。
けなどの異常を早期に検出可能として、割れ，欠けに起
因する異常昇温を早期に防止することのできるセラミッ
クヒータの制御方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本出願に係る第１の発明
によれば、上記目的は、交流波形の半周期に通電時間と
非通電時間が現れる波形を有する電力をセラミックヒー
タに供給する位相制御によるセラミックヒータの制御方
法において、位相制御の非通電時にセラミックヒータの
抵抗を測定し、この抵抗と所定量とを比較することによ
り供給電力を低下させることにより達成される。
によれば、上記目的は、交流波形の半周期に通電時間と
非通電時間が現れる波形を有する電力をセラミックヒー
タに供給する位相制御によるセラミックヒータの制御方
法において、位相制御の非通電時にセラミックヒータの
抵抗を測定し、この抵抗と所定量とを比較することによ
り供給電力を低下させることにより達成される。
【００１３】また、本出願に係る第２の発明によれば、
上記目的は、第１の発明の方法を画像形成装置のトナー
の定着器による加熱定着に適用したことにより達成され
る。すなわち、本出願に係る第１の発明にあっては、セ
ラミックヒータに位相制御により電力供給しているとき
に、位相制御の空き時間である非通電時にセラミックヒ
ータの抵抗を測定することにより、ヒータに生じた割
れ，欠けなどの異常を検出する。
上記目的は、第１の発明の方法を画像形成装置のトナー
の定着器による加熱定着に適用したことにより達成され
る。すなわち、本出願に係る第１の発明にあっては、セ
ラミックヒータに位相制御により電力供給しているとき
に、位相制御の空き時間である非通電時にセラミックヒ
ータの抵抗を測定することにより、ヒータに生じた割
れ，欠けなどの異常を検出する。
【００１４】また、本出願に係る第２の発明にあって
は、第１の発明の制御方法を画像形成装置の定着器によ
る加熱定着に適用したものであり、セラミックヒータに
位相制御により電力供給しているとき位相制御の非通電
時にセラミックヒータの抵抗を測定することにより、ヒ
ータに生じた割れ，欠けなどの異常を検出する。
は、第１の発明の制御方法を画像形成装置の定着器によ
る加熱定着に適用したものであり、セラミックヒータに
位相制御により電力供給しているとき位相制御の非通電
時にセラミックヒータの抵抗を測定することにより、ヒ
ータに生じた割れ，欠けなどの異常を検出する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のセラミックヒータ
の制御方法の好適な実施形態を添付図面を参照して説明
する。本実施形態は画像形成装置の定着器におけるセラ
ミックヒータの制御である。
の制御方法の好適な実施形態を添付図面を参照して説明
する。本実施形態は画像形成装置の定着器におけるセラ
ミックヒータの制御である。
【００１６】図１は、本発明のセラミックヒータの制御
方法を示すタイミングチャートである。
方法を示すタイミングチャートである。
【００１７】本発明のヒータへの電力供給は、この図１
に示されたように、位相制御により行われるようになっ
ている。位相制御とは、交流波形からその一部を削除し
た位相制御波形とし、半周期における通電時間と非通電
時間との比率（デューティ）を変えて、実効電力値を変
化させるように制御するものである。すなわち、セラミ
ックヒータの温度を検出し、この検出温度と設定温度と
を比較し、その比較結果に応じてセラミックヒータに供
給する実効電力を位相制御により変化させている。
に示されたように、位相制御により行われるようになっ
ている。位相制御とは、交流波形からその一部を削除し
た位相制御波形とし、半周期における通電時間と非通電
時間との比率（デューティ）を変えて、実効電力値を変
化させるように制御するものである。すなわち、セラミ
ックヒータの温度を検出し、この検出温度と設定温度と
を比較し、その比較結果に応じてセラミックヒータに供
給する実効電力を位相制御により変化させている。
【００１８】この位相制御では、半周期に通電時間と非
通電時間とが現れる。そして、本発明では、非通電時間
に、セラミックヒータの抵抗体の抵抗を計測するように
している。
通電時間とが現れる。そして、本発明では、非通電時間
に、セラミックヒータの抵抗体の抵抗を計測するように
している。
【００１９】もし供給電力が相当大きく、半周期におけ
る通電時間が長くなると、必然的に、非通電時間が短く
なり、抵抗計測が困難となる。ところが、一般に、電力
制御にあっては、最大電力時にも、デューティ１００％
（すべて通電状態となる）で制御することがなく、最大
で９０％である。したがって、非通電時間に抵抗値を計
測する本発明は十分有用であるといえる。
る通電時間が長くなると、必然的に、非通電時間が短く
なり、抵抗計測が困難となる。ところが、一般に、電力
制御にあっては、最大電力時にも、デューティ１００％
（すべて通電状態となる）で制御することがなく、最大
で９０％である。したがって、非通電時間に抵抗値を計
測する本発明は十分有用であるといえる。
【００２０】この図１に示すように、抵抗値測定タイミ
ングは、半周期ごとに１回可能である。半周期に１回の
非通電時間があるからである。ただし、この計測が不要
な間は、計測しない、図１の３回目の抵抗値計測タイミ
ングがこれに当る。
ングは、半周期ごとに１回可能である。半周期に１回の
非通電時間があるからである。ただし、この計測が不要
な間は、計測しない、図１の３回目の抵抗値計測タイミ
ングがこれに当る。
【００２１】次に、ヒータ制御回路を図２に基づいて説
明する。
明する。
【００２２】このヒータ制御回路は、セラミックヒータ
１の温度制御と抵抗測定（ヒータ異常検知）とを行うも
のである。
１の温度制御と抵抗測定（ヒータ異常検知）とを行うも
のである。
【００２３】このヒータ制御回路は、概略的にいうと、
ヒータ駆動用の交流電源２と、この交流電源２と第１，
第２のトライアック３，５を介して接続されたセラミッ
クヒータ１と、このセラミックヒータ１に接続された第
３，第４のトライアック４，６と、セラミックヒータ１
に第３のトライアック４を介して接続された測定用直流
電源８と、セラミックヒータ１に第４のトライアック６
を介して接続された比較抵抗９およびコンパレータ７
と、セラミックヒータ１の温度を検知するサーミスタな
どの温度検知素子１４と、全体を制御するためのマイコ
ン１３とを有している。
ヒータ駆動用の交流電源２と、この交流電源２と第１，
第２のトライアック３，５を介して接続されたセラミッ
クヒータ１と、このセラミックヒータ１に接続された第
３，第４のトライアック４，６と、セラミックヒータ１
に第３のトライアック４を介して接続された測定用直流
電源８と、セラミックヒータ１に第４のトライアック６
を介して接続された比較抵抗９およびコンパレータ７
と、セラミックヒータ１の温度を検知するサーミスタな
どの温度検知素子１４と、全体を制御するためのマイコ
ン１３とを有している。
【００２４】セラミックヒータ１への電力供給は、上述
したように位相制御によりなされる。この位相制御は、
図１に示したように、半周期に通電状態と非通電状態と
が現れる。マイコン１３により、トライアック３，５が
ＯＮ、トライアック４，６がＯＦＦとされると、交流電
源２からセラミックヒータ１へ電力供給される。一方、
トライアック３，５がＯＦＦ、トライアック４，６がＯ
Ｎとされると、交流電源２からセラミックヒータ１に電
力が供給されない状態となる。
したように位相制御によりなされる。この位相制御は、
図１に示したように、半周期に通電状態と非通電状態と
が現れる。マイコン１３により、トライアック３，５が
ＯＮ、トライアック４，６がＯＦＦとされると、交流電
源２からセラミックヒータ１へ電力供給される。一方、
トライアック３，５がＯＦＦ、トライアック４，６がＯ
Ｎとされると、交流電源２からセラミックヒータ１に電
力が供給されない状態となる。
【００２５】また、セラミックヒータ１の温度は、温度
検知素子１４により検知される。この検知温度値に基づ
いて、位相制御の半周期の通電状態と非通電状態とのデ
ューティを変え、もってセラミックヒータ１を設定温度
に保つようにしている。
検知素子１４により検知される。この検知温度値に基づ
いて、位相制御の半周期の通電状態と非通電状態とのデ
ューティを変え、もってセラミックヒータ１を設定温度
に保つようにしている。
【００２６】ここまではセラミックヒータ１に電力供給
する制御系の動作であるが、次にセラミックヒータ１の
抵抗体の抵抗を測定する（ヒータ異常を検知する）制御
系に切り換えた場合について述べる。
する制御系の動作であるが、次にセラミックヒータ１の
抵抗体の抵抗を測定する（ヒータ異常を検知する）制御
系に切り換えた場合について述べる。
【００２７】本発明では、位相制御されているセラミッ
クヒータ１が位相制御の非通電時に、セラミックヒータ
１の抵抗体（図示省略）の抵抗が測定されるようになっ
ている。
クヒータ１が位相制御の非通電時に、セラミックヒータ
１の抵抗体（図示省略）の抵抗が測定されるようになっ
ている。
【００２８】マイコン１３によりトライアック３，５が
非導通状態とされると、交流電源２とセラミックヒータ
１との間が絶縁となり、セラミックヒータ１が非通電状
態となる。
非導通状態とされると、交流電源２とセラミックヒータ
１との間が絶縁となり、セラミックヒータ１が非通電状
態となる。
【００２９】その一方、トライアック４，６を導通状態
にする。すると、測定用直流電源８からトライアック
４，セラミックヒータ１，トライアック６を介して比較
抵抗９に計測電流が流れる。続いて、コンパレータ７
が、比較抵抗９に発生した電圧（ヒータ抵抗体の抵抗を
示している）と予め設定した規格電圧とを比較し、その
比較結果を光アイソレーション１２を介してマイコン１
３に伝達する。マイコン１３は、その比較結果により、
セラミックヒータ１の抵抗に相当する電圧が規格電圧
（所定量）以下ならば、セラミックヒータ１に割れ，欠
けが発生したと判断する。光アイソレーション１２は、
高圧のセラミックヒータ電力供給制御系と、低圧のセラ
ミックヒータ抵抗計測制御系との間を絶縁するために設
けられている。
にする。すると、測定用直流電源８からトライアック
４，セラミックヒータ１，トライアック６を介して比較
抵抗９に計測電流が流れる。続いて、コンパレータ７
が、比較抵抗９に発生した電圧（ヒータ抵抗体の抵抗を
示している）と予め設定した規格電圧とを比較し、その
比較結果を光アイソレーション１２を介してマイコン１
３に伝達する。マイコン１３は、その比較結果により、
セラミックヒータ１の抵抗に相当する電圧が規格電圧
（所定量）以下ならば、セラミックヒータ１に割れ，欠
けが発生したと判断する。光アイソレーション１２は、
高圧のセラミックヒータ電力供給制御系と、低圧のセラ
ミックヒータ抵抗計測制御系との間を絶縁するために設
けられている。
【００３０】このような制御のうち、特にセラミックヒ
ータ１の抵抗体の抵抗検出信号を得る動作について図３
に基づいて説明する。この図３では、トライアック４，
６を省略している。
ータ１の抵抗体の抵抗検出信号を得る動作について図３
に基づいて説明する。この図３では、トライアック４，
６を省略している。
【００３１】測定用直流電源８の測定用電流がセラミッ
クヒータ１と比較抵抗９とに流れる。このとき、測定用
直流電源８の電圧は、セラミックヒータ１と比較抵抗９
とに分割される。比較抵抗９に発生する電圧が、セラミ
ックヒータ１の抵抗体の抵抗を示す検出信号である。す
なわち、セラミックヒータ１に割れ，欠けが発生する
と、抵抗体の抵抗値が上昇するので、抵抗体に発生する
電圧が上昇し、その結果、比較抵抗９に発生する電圧
（抵抗の検出信号の電圧）が低下する。
クヒータ１と比較抵抗９とに流れる。このとき、測定用
直流電源８の電圧は、セラミックヒータ１と比較抵抗９
とに分割される。比較抵抗９に発生する電圧が、セラミ
ックヒータ１の抵抗体の抵抗を示す検出信号である。す
なわち、セラミックヒータ１に割れ，欠けが発生する
と、抵抗体の抵抗値が上昇するので、抵抗体に発生する
電圧が上昇し、その結果、比較抵抗９に発生する電圧
（抵抗の検出信号の電圧）が低下する。
【００３２】セラミックヒータ１の欠けがセラミックヒ
ータ１の位相制御における半周期の通電中（抵抗計測が
不可能な時間）に生じたとしても、セラミックヒータ１
の温度上昇速度が１ｓｅｃに５０℃位であるから、交流
電流が６０Ｈｚの場合、半波の時間である８ｍｓｅｃ後
には、非電通状態に入り、抵抗計測が可能となる。すな
わち、抵抗変化をリアルタイムにて早期検出できる。し
たがって、セラミックヒータ１が割れ，欠けなどに起因
して異常昇温する前に、その割れ，欠けなどの異常を検
出できる。
ータ１の位相制御における半周期の通電中（抵抗計測が
不可能な時間）に生じたとしても、セラミックヒータ１
の温度上昇速度が１ｓｅｃに５０℃位であるから、交流
電流が６０Ｈｚの場合、半波の時間である８ｍｓｅｃ後
には、非電通状態に入り、抵抗計測が可能となる。すな
わち、抵抗変化をリアルタイムにて早期検出できる。し
たがって、セラミックヒータ１が割れ，欠けなどに起因
して異常昇温する前に、その割れ，欠けなどの異常を検
出できる。
【００３３】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、種々の変形例が実施可能である。
例えば、上述した実施形態では、セラミックヒータを有
する機器として、画像形成装置の定着装置を例に挙げた
が、機器の種類としてはこれに限るものではない。
されるものではなく、種々の変形例が実施可能である。
例えば、上述した実施形態では、セラミックヒータを有
する機器として、画像形成装置の定着装置を例に挙げた
が、機器の種類としてはこれに限るものではない。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本出願に係る第１
の発明によれば、セラミックヒータに位相制御により電
力供給しているとき、位相制御の非通電時にセラミック
ヒータの抵抗を測定することにより、ヒータに生じた割
れ，欠けなどの異常を検出する。したがって、ヒータに
生じた割れ，欠けなどの異常を早期に検出でき、異常昇
温を早期に防止できる。また、位相制御の空き時間であ
る非通電時間に測定するので、割れ，欠けなどの異常を
検出するための特別な時間をもたなくとも検出できる。
の発明によれば、セラミックヒータに位相制御により電
力供給しているとき、位相制御の非通電時にセラミック
ヒータの抵抗を測定することにより、ヒータに生じた割
れ，欠けなどの異常を検出する。したがって、ヒータに
生じた割れ，欠けなどの異常を早期に検出でき、異常昇
温を早期に防止できる。また、位相制御の空き時間であ
る非通電時間に測定するので、割れ，欠けなどの異常を
検出するための特別な時間をもたなくとも検出できる。
【００３５】また、本出願に係る第２の発明によれば、
画像形成装置の定着器に用いられたセラミックヒータに
位相制御により電力供給しているとき、位相制御の非通
電時にセラミックヒータの抵抗を測定することにより、
ヒータに生じた割れ，欠けなどの異常を検出する。した
がって、ヒータに生じた割れ，欠けなどの異常を早期に
検出でき、異常昇温を早期に防止できる。また、位相制
御の空き時間である非通電時間に測定するので、割れ，
欠けなどの異常を検出するための特別な時間をもたなく
とも検出できる。
画像形成装置の定着器に用いられたセラミックヒータに
位相制御により電力供給しているとき、位相制御の非通
電時にセラミックヒータの抵抗を測定することにより、
ヒータに生じた割れ，欠けなどの異常を検出する。した
がって、ヒータに生じた割れ，欠けなどの異常を早期に
検出でき、異常昇温を早期に防止できる。また、位相制
御の空き時間である非通電時間に測定するので、割れ，
欠けなどの異常を検出するための特別な時間をもたなく
とも検出できる。
【図１】本発明のセラミックヒータの制御方法を説明す
るためのタイミングチャートである。
るためのタイミングチャートである。
【図２】図１の制御をするためのヒータ制御回路を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図３】図２のヒータ制御回路による抵抗値信号発生を
説明するための作用状態図である。
説明するための作用状態図である。
１ セラミックヒータ ２ 交流電源 ３ 第１のトライアック ４ 第２のトライアック ５ 第３のトライアック ６ 第４のトライアック ７ コンパレータ １３ マイコン １４ 温度検知素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 3/00 H05B 3/14 G03G 15/20 G05F 1/455
Claims (2)
- 【請求項１】 交流波形の半周期に通電時間と非通電時
間とが現れる波形を有する電力をセラミックヒータに供
給する位相制御によるセラミックヒータの制御方法にお
いて、位相制御の非通電時にセラミックヒータの抵抗を
測定し、この抵抗を所定量と比較した結果により、供給
電力を低下させることを特徴とするセラミックヒータの
制御方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載された方法を画像形成装
置のトナーの定着器による加熱定着に適用したこととす
るセラミックヒータの制御方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01323297A JP3177179B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | セラミックヒータの制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01323297A JP3177179B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | セラミックヒータの制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199659A JPH10199659A (ja) | 1998-07-31 |
| JP3177179B2 true JP3177179B2 (ja) | 2001-06-18 |
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ID=11827452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01323297A Expired - Fee Related JP3177179B2 (ja) | 1997-01-10 | 1997-01-10 | セラミックヒータの制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3177179B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP2515607A3 (en) * | 2008-07-17 | 2013-04-24 | Microlife Intellectual Property GmbH | Heater wire control circuit and method to operate a heating element |
-
1997
- 1997-01-10 JP JP01323297A patent/JP3177179B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH10199659A (ja) | 1998-07-31 |
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