JP3170758B2 - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の改良に
関する。特に、ブロック回路が相互に接続されてバウン
ダリーチェーン構造をなしている半導体集積回路におい
て、パッド直近の領域に導通不良や短絡等の故障箇所が
存在する場合、全てのパッドにプローブを接触させる必
要なく、この故障箇所を容易に発見できるようにする改
良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a semiconductor integrated circuit. In particular, in a semiconductor integrated circuit in which block circuits are connected to each other to form a boundary chain structure, if there is a failure point such as a conduction failure or a short circuit near the pad, it is necessary to contact the probe to all pads. However, the present invention relates to an improvement that makes it possible to easily find the failure location.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来技術に係る入・出力回路用半導体装
置用パッドについて説明する。 図8・図9参照 図において、1はフィールド絶縁膜であり、11はフィー
ルド絶縁膜1上に延在する入・出力配線をかねる下層導
電体層であり、12は絶縁膜であり、13は上層導電体層で
あり、14は表面安定化膜である。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor device pad for an input / output circuit will be described. 8 and 9, reference numeral 1 denotes a field insulating film, 11 denotes a lower conductor layer extending on the field insulating film 1 and serving as input / output wiring, 12 denotes an insulating film, and 13 denotes an insulating film. An upper conductor layer 14 is a surface stabilizing film.

【0003】従来技術においては、図9に示すように、
図8に示すようなパッド2を、半導体チップ5の周辺に
1列に配列することゝされていた。上記のような従来技
術に係る半導体装置を試験するには、図10に示すような
試験回路を使用してなされていた。 図10参照 2はパッドであり、半導体装置への信号の授受をなす。
In the prior art, as shown in FIG.
The pads 2 as shown in FIG. 8 are arranged in a line around the semiconductor chip 5. In order to test the above-described semiconductor device according to the related art, a test circuit as shown in FIG. 10 has been used. Reference numeral 2 in FIG. 10 denotes pads, which transmit and receive signals to and from the semiconductor device.

【0004】21はバウンダリースキャンFFであり、一
方に隣接するバウンダリースキャンFFのスキャンアウ
ト端子と接続されるスキャンイン端子SIと、他方に隣
接するバウンダリースキャンFFのスキャンイン端子と
接続されるスキャンアウト端子SOと、このバウンダリ
ースキャンFFにデータを取り込むデータ端子Dと、シ
ステム回路のクロック信号を入力する端子CKと、試験
用クロック端子TCKとを有する。22はセレクターであ
る。23は出力回路であり、L1 をもって図示する論理回
路から出力される信号を出力する。24は入力回路であ
り、L2 をもって図示する論理回路に入力される信号を
入力する。
Reference numeral 21 denotes a boundary scan FF, which is connected to a scan-in terminal SI connected to a scan-out terminal of a boundary scan FF adjacent to one side and a scan-in terminal of a boundary scan FF adjacent to the other side. It has a scan-out terminal SO, a data terminal D for taking in data into the boundary scan FF, a terminal CK for inputting a clock signal of a system circuit, and a test clock terminal TCK. 22 is a selector. 23 is an output circuit, which outputs a signal output from the logic circuit shown with a L 1. 24 is an input circuit, for inputting a signal to be inputted to the logic circuit illustrated with a L 2.

【0005】このような回路を使用して半導体装置の機
能試験をなすことは、バウンダリースキャンチェーンが
確立している限り、必ずしもすべてのパッド2にプロー
ブ(図示せず。)を接触させるには及ばない。
To perform a function test of a semiconductor device using such a circuit, it is necessary to bring a probe (not shown) into contact with all the pads 2 as long as a boundary scan chain is established. Not reachable.

【0006】しかし、図10にAをもって示す部分の導通
状態や短絡等を確認することは、パッド2の全数にプロ
ーブを接触させなければならない。この部分に不良があ
っても、バウンダリースキャンチェーンは確立するから
である。
However, in order to check the continuity or short-circuit of the portion indicated by A in FIG. 10, the probe must be in contact with all the pads 2. This is because even if there is a defect in this part, a boundary scan chain is established.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】次に、半導体装置に設
けられているパッドの数は多いことが望ましいので、図
9に示すように、半導体チップの周辺にそって1列に配
列するのではなく、半導体チップの周辺にそって2列に
配列するなり、さらには、半導体チップの全面にパッド
を分散配置することが望まれている。
Next, since it is desirable that the number of pads provided on the semiconductor device is large, it is difficult to arrange them in a line along the periphery of the semiconductor chip as shown in FIG. Instead, it is desired that the pads are arranged in two rows along the periphery of the semiconductor chip, and that pads are dispersedly arranged over the entire surface of the semiconductor chip.

【0008】しかし、上記のとおり、図10にAをもって
示す部分の導通状態や短絡等を確認するには、パッド2
の全数にプローブを接触させなければならないので、上
記のように、半導体チップの広い範囲にパッドを配置す
ることはできないと云う欠点があった。
However, as described above, in order to check the continuity or short-circuit of the portion indicated by A in FIG.
Has to be brought into contact with the whole number of the semiconductor chips, so that there is a disadvantage that pads cannot be arranged over a wide area of the semiconductor chip as described above.

【0009】本発明の目的は、これらの欠点を解消する
ことにあり、ブロック回路が相互に接続されてバウンダ
リーチェーン構造をなしている半導体集積回路におい
て、パッド直近の領域に導通不良や短絡等の故障箇所が
存在する場合、全てのパッドにプローブを接触させる必
要なく、この故障箇所を容易に発見できるように改良さ
れた半導体集積回路を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate these drawbacks. In a semiconductor integrated circuit in which block circuits are connected to each other to form a boundary chain structure, an area near a pad has poor conduction or short-circuit. An object of the present invention is to provide an improved semiconductor integrated circuit that can easily find a fault location without having to contact a probe with all pads when the fault location exists.

【0010】[0010]

【課題を解決する手段】上記の目的は、第1のデータ入
力端子、第2のデータ入力端子、及び、データ出力端子
を有し、クロック信号に応答して、前記第1と第2との
データ入力端子のいずれか一方の入力信号に対応する出
力信号を、前記のデータ出力端子から出力するデータ出
力回路と、前記の第2のデータ入力端子に接続される第
1の下層導電体層と、前記のデータ出力端子に接続され
る第2の下層導電体層と、外部信号が入力されるとゝも
に、前記の第1の下層導電体層と第2の下層導電体層と
を短絡する上層導電体層とを有するブロック回路が複数
個配置されてなる半導体集積回路であって、隣接する二
つの前記のブロック回路において、一方の前記のブロッ
ク回路に含まれる前記のデータ出力回路の前記の第1の
データ入力端子と、他方の前記のブロック回路に含まれ
る前記のデータ出力回路の前記のデータ出力端子とを相
互に接続することゝされている半導体集積回路によって
達成される。
An object of the present invention is to provide a semiconductor device having a first data input terminal, a second data input terminal, and a data output terminal, wherein the first and second data input terminals are connected to each other in response to a clock signal. A data output circuit that outputs an output signal corresponding to any one of the data input terminals from the data output terminal; and a first lower conductive layer connected to the second data input terminal. Short-circuiting the first lower conductive layer and the second lower conductive layer when an external signal is input to the second lower conductive layer connected to the data output terminal; A semiconductor integrated circuit in which a plurality of block circuits each having an upper conductive layer are arranged, and in the two adjacent block circuits, the data output circuit included in one of the block circuits is provided. A first data input terminal of It is achieved by a semiconductor integrated circuit which is able ゝ connects the data output terminal of the data output circuit included in the other of the block circuit each other.

【0011】上記の構成において、前記の上層導電体層
は、バンプでもよく、半導体チップの周辺に沿って配置
されてもよく、半導体チップ上に複数個分散して配置さ
れてもよく、半導体チップ上に複数個マトリックス状に
配置されてもよい。
In the above structure, the upper conductive layer may be a bump, may be arranged along the periphery of the semiconductor chip, may be plurally arranged on the semiconductor chip, and may be a semiconductor chip. A plurality of them may be arranged in a matrix.

【0012】[0012]

【作用】従来技術に係るパッドにおいては、バウンダリ
ースキャンチェーンがパッドを介することなく確立する
ことゝされていたので、パッド内またはパッド直近の領
域は、バウンダリースキャンチェーンから除去されるこ
とになり、パッドの全数にプローブを接触させなくて
も、機能試験は可能となり、その反射効果として、パッ
ド内またはパッド直近の領域に導通不良・短絡等が存在
してもこれを看過しやすい都云う欠点があった。しか
し、本発明に係るパッドにおいては、バウンダリースキ
ャンチェーンがパッドを介してのみ確立されるので、パ
ッド直近の領域に導通不良・短絡等が存在した場合はバ
ウンダリースキャンチェーンが確立せず、直ちに発見さ
れる。
In the pad according to the prior art, since the boundary scan chain is established without the interposition of the pad, the area inside the pad or immediately adjacent to the pad is removed from the boundary scan chain. The function test can be performed even if the probe is not in contact with all of the pads, and as a reflection effect, even if there is a conduction failure or short circuit in the pad or in the immediate area of the pad, it can be easily overlooked. was there. However, in the pad according to the present invention, since the boundary scan chain is established only via the pad, if there is a conduction failure, short circuit, or the like in the area immediately adjacent to the pad, the boundary scan chain is not established, and immediately Be discovered.

【0013】その反射効果として、本発明に係るパッド
は、半導体チップの周辺のみならず、任意の領域にしか
も稠密に、配置されることができる。
As a reflection effect, the pad according to the present invention can be densely arranged not only around the semiconductor chip but also in any area.

【0014】[0014]

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例に係
る半導体装置用パッドと半導体集積回路とについて説明
する。 第1実施例 二つの論理回路と接続される下層導電体層(31)(32)
と、この二つの下層導電体層(31)(32)を短縮する上
層導電体層(34)とを有する入・出力回路用半導体装置
用パッド(請求項1に対応) 図1参照 図において、1はフィールド絶縁膜であり、31・32は、
それぞれ、相互に異なる論理回路に接続される下層導電
体層である。33は絶縁膜であり、34は、下層導電体層31
・32を短絡する上層導電体層であり、35は表面安定化膜
である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A semiconductor device pad and a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment Lower Conductive Layers (31) and (32) Connected to Two Logic Circuits
And an upper / lower conductor layer (34) for shortening the two lower conductor layers (31) and (32) and a pad for a semiconductor device for an input / output circuit (corresponding to claim 1). 1 is a field insulating film, and 31 and 32 are
Each is a lower conductive layer connected to a different logic circuit. 33 is an insulating film, 34 is a lower conductive layer 31
An upper conductor layer for short-circuiting 32, and a surface stabilizing film 35.

【0015】このパッドが装着されている半導体装置を
試験する方法について述べる。 図2参照 4が本発明に係るパッドであり、半導体装置への信号の
授受をなす。
A method for testing a semiconductor device on which the pad is mounted will be described. Reference numeral 4 in FIG. 2 denotes a pad according to the present invention, which transmits and receives signals to and from the semiconductor device.

【0016】21はバウンダリースキャンFFであり、一
方に隣接するバウンダリースキャンFFのスキャンアウ
ト端子と接続されるスキャンインSI端子と、他方に隣
接するバウンダリースキャンFFのスキャンイン端子と
接続されるスキャンアウト端子SOと、このバウンダリ
ースキャンFFにデータを取り込むデータ端子Dと、シ
ステム回路のクロック信号を入力する端子CKと、試験
用クロック端子TCKとを有する。22はセレクターであ
る。23は出力回路であり、L1 をもって図示する論理回
路から出力される信号を出力する。24は入力回路であ
り、L2 をもって図示する論理回路に入力される信号を
入力する。
Reference numeral 21 denotes a boundary scan FF, which is connected to a scan-in SI terminal connected to a scan-out terminal of a boundary scan FF adjacent to one side and a scan-in terminal of a boundary scan FF adjacent to the other side. It has a scan-out terminal SO, a data terminal D for taking in data into the boundary scan FF, a terminal CK for inputting a clock signal of a system circuit, and a test clock terminal TCK. 22 is a selector. 23 is an output circuit, which outputs a signal output from the logic circuit shown with a L 1. 24 is an input circuit, for inputting a signal to be inputted to the logic circuit illustrated with a L 2.

【0017】このような回路を使用して半導体装置の機
能試験を示すことは、バウンダリーキャンチェーンが確
立している限り、必ずしもすべてのパッド2にプローブ
(図示せず。)を接続させるには及ばない。
In order to show a functional test of a semiconductor device using such a circuit, it is necessary to connect probes (not shown) to all pads 2 as long as a boundary scan chain is established. Not reachable.

【0018】しかも、バウンダリースキャンチェーンは
パッド4を介しているので、もし、パッド内またはパッ
ド4直近の領域に導通不良や短絡等が存在すればバウン
ダリースキャンチェーンが確立しないので、上記の不具
合は直ちに発見することができる。
In addition, since the boundary scan chain passes through the pad 4, if there is a conduction failure or short circuit in the pad or in the area immediately adjacent to the pad 4, the boundary scan chain is not established. Can be found immediately.

【0019】試験の工程について、さらに詳細に述べ
る。 イ.何らかの手段を講じて、任意のバウンダリースキャ
ンFFに「1」のデータをバウンダリースキャンチェー
ンを介して(端子SIを介して)セットする。 ロ.セットされたデーダを出力回路23を介して出力する
と、パッド4と入力回路24とを介して入力されるととも
に、バウンタリースキャンFFにそのデータが取り込ま
れる。 ハ.バウンダリースキャンチェーンを介して(端子SI
を介して)次にバウンタリースキャンFFに読み込みま
れたデータを、「0」のデータをセットすることにより
読みだす。
The test process will be described in more detail. I. By taking some means, the data of “1” is set in an arbitrary boundary scan FF via the boundary scan chain (via the terminal SI). B. When the set data is output through the output circuit 23, the data is input through the pad 4 and the input circuit 24, and the data is taken into the boundary scan FF. C. Via the boundary scan chain (terminal SI
Next, the data read into the boundary scan FF is read by setting the data of "0".

【0020】このとき、もし、パッド4の中またはパッ
ド4直近の領域に非接続状態が存在すれば、入力回路24
を介してバウンダリーキャンFFにセットされるデータ
は、「1」か「0」かのいづれかに固定されて不動状態
となり、その欠陥は直ちに発見される。
At this time, if a non-connection state exists in the pad 4 or in a region immediately adjacent to the pad 4, the input circuit 24
Is fixed to either "1" or "0" and becomes immobile, and the defect is immediately found.

【0021】以上のとおり、本実施例に係るパッドが使
用されている半導体集積回路は、そのパッド内またはパ
ッド直近の領域の導通状態を試験するためにパッドの全
数にプローブを接触させる必要がないから、稠密に、任
意の配置をもって、半導体チップ上にパッドを分散配置
できる。
As described above, in the semiconductor integrated circuit in which the pad according to the present embodiment is used, it is not necessary to bring the probe into contact with all the pads in order to test the continuity in the pad or in the area immediately adjacent to the pad. Therefore, the pads can be densely distributed on the semiconductor chip in an arbitrary arrangement.

【0022】第2実施例 上層導電体層(34)がバンプ(36)とされている請求項
(1)記載の入・出力回路用半導体装置用パッド(請求
項2に対応) 図3参照 図において、1はフィールド絶縁膜であり、31・32は、
それぞれ、相互に異なる論理回路に接続される下層導電
体層である。33は絶縁膜であり、36は下層導電体層31・
32を短絡するバンプである。
Second Embodiment A pad for a semiconductor device for an input / output circuit according to claim 1, wherein the upper conductor layer (34) is a bump (36) (corresponding to claim 2). , 1 is a field insulating film, and 31 and 32 are
Each is a lower conductive layer connected to a different logic circuit. 33 is an insulating film, 36 is a lower conductive layer 31
This is a bump that shorts 32.

【0023】本実施例の機能は、第1実施例のそれと全
く同一である。 第3実施例 複数の入・出力配線と接続されている請求項(1)また
は(2)記載の入・出力回路用半導体装置用パッド(請
求項3に対応) 図4参照 図において、1はフィールド絶縁膜であり、37・38・39
・40はそれぞれ異なる論理回路に接続される配線であ
る。31・32は、本発明の要旨に係る下層導電体層であ
り、34は本発明の要旨に係る上層導電体層であり、下層
導電体層31・32を短絡する。35は表面安定化膜である。
The function of this embodiment is exactly the same as that of the first embodiment. Third Embodiment A pad for a semiconductor device for an input / output circuit according to claim 1 or 2 which is connected to a plurality of input / output wirings (corresponding to claim 3). Field insulation film, 37, 38, 39
Reference numeral 40 denotes wiring connected to different logic circuits. 31 and 32 are lower conductor layers according to the gist of the present invention, and 34 is an upper conductor layer according to the gist of the present invention, and short-circuits the lower conductor layers 31 and 32. 35 is a surface stabilizing film.

【0024】多数の論理回路に選択的に外部信号を入力
し、また、多数の論理回路から選択的に外部に信号を出
力しうる他、上記の実施例と特に相違はない。本発明の
要旨に係る機能(プローブをパッドに接続させなくて
も、パッド内部またはパッド直近の領域の導電試験等が
可能)については全く同一である。
There is no particular difference from the above embodiment, except that an external signal can be selectively input to a large number of logic circuits and a signal can be selectively output to the outside from a large number of logic circuits. The functions according to the gist of the present invention (a conductive test inside the pad or a region near the pad can be performed without connecting the probe to the pad) are exactly the same.

【0025】第4実施例 請求項(1)、(2)、または、(3)記載の入・出力
回路用半導体装置用パッドが半導体チップ(5)上に複
数個分散配置されている半導体集積回路(請求項4に対
応) 図5参照 上記のパッド4を使用すると、試験のためにパッドの全
数にプローブを接触させる必要がないから、ボンデイン
グが可能なかぎりパッドの間隔は自由に選択しうるの
で、半導体チップ表面を、図示するように、自由に使用
しうる。
Fourth Embodiment A semiconductor integrated circuit in which a plurality of pads for an input / output circuit semiconductor device according to claim 1, 2 or 3 are dispersedly arranged on a semiconductor chip 5. Circuit (corresponding to claim 4) See FIG. 5 When the above pad 4 is used, it is not necessary to contact the probe with all of the pads for the test, so that the pad spacing can be freely selected as far as bonding is possible. Therefore, the semiconductor chip surface can be used freely as shown in the figure.

【0026】第5実施例 請求項(1)、(2)、または、(3)記載の入・出力
回路用半導体装置用パッドが半導体チップ(5)上に複
数個マトリックス状に形成されている半導体集積回路
(請求項5に対応) 図6参照 第5実施例において、パッド4を、図示するように、マ
トリックス状に配置することが合理的である。
Fifth Embodiment A plurality of pads for a semiconductor device for an input / output circuit according to claims (1), (2) or (3) are formed in a matrix on a semiconductor chip (5). Semiconductor Integrated Circuit (Corresponding to Claim 5) See FIG. 6 In the fifth embodiment, it is reasonable to arrange the pads 4 in a matrix as shown.

【0027】第6実施例 請求項(1)、(2)、または、(3)記載の入・出力
回路用半導体装置用パッドの下層導電体層(31)(32)
の一方に入力回路(24)と保護回路(25)とが接続さ
れ、下層導電体層(31)(32)の他方に出力回路(23)
と保護回路(25)とが接続されている半導体集積回路
(請求項6に対応) 図7参照 図において、25は保護回路であり、外部から侵入する騒
乱から、論理回路等(図示せず)を保護する。本実施例
に係る半導体集積回路においても、パッド内またはパッ
ド直近の領域の導通試験等をなすために、パッドの全数
にプローブを接触させる必要はないから、第4・第5実
施例に示すようなレイアウトにすることができることは
云うまでもない。
Sixth Embodiment A lower conductive layer (31) (32) for a pad for a semiconductor device for an input / output circuit according to the above (1), (2) or (3).
The input circuit (24) and the protection circuit (25) are connected to one of them, and the output circuit (23) is connected to the other of the lower conductive layers (31) and (32).
And a protection circuit (25) connected to the semiconductor integrated circuit (corresponding to claim 6). Referring to FIG. 7, in the drawing, reference numeral 25 denotes a protection circuit, and a logic circuit or the like (not shown) is provided for preventing intrusion from the outside. To protect. Also in the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment, it is not necessary to contact the probe with all of the pads in order to conduct a continuity test or the like in or immediately adjacent to the pad. Needless to say, the layout can be made as appropriate.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体集積回路においては、ブロック回路が相互に接続され
てバウンダリーチェーン構造をなしている半導体集積回
路において、パッド直近の領域に導通不良や短絡等の故
障箇所が存在する場合、全てのパッドにプローブを接触
させる必要なく、この故障箇所を容易に発見することが
できる。
As described above, in a semiconductor integrated circuit according to the present invention, in a semiconductor integrated circuit in which block circuits are connected to each other to form a boundary chain structure, a region near a pad has poor conduction or poor conduction. When there is a fault location such as a short circuit, the fault location can be easily found without having to contact the probe to all pads.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る半導体装置用パッド
の断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device pad according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例に係る半導体装置用パッド
を有する入・出力回路の試験回路のブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram of a test circuit of an input / output circuit having a pad for a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2実施例に係る半導体装置用パッド
の断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a semiconductor device pad according to a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施例に係る半導体装置用パッド
の断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a semiconductor device pad according to a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4実施例に係る半導体装置用パッド
の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of a semiconductor device pad according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第5実施例に係る半導体装置用パッド
の平面図である。
FIG. 6 is a plan view of a semiconductor device pad according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第6実施例に係る半導体装置用パッド
のブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram of a pad for a semiconductor device according to a sixth embodiment of the present invention.

【図8】従来技術に係る半導体装置用パッドの断面図で
ある。
FIG. 8 is a sectional view of a semiconductor device pad according to the related art.

【図9】従来技術に係る半導体装置の平面図である。FIG. 9 is a plan view of a semiconductor device according to the related art.

【図10】従来技術に係る半導体装置用パッドを有する入
・出力回路の試験回路のブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram of a test circuit of an input / output circuit having a pad for a semiconductor device according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 フィールド絶縁膜 11 従来技術に係る下層導電体層 12 絶縁膜 13 従来技術に係る上層導電体層 14 表面安定化膜 2 従来技術に係るパッド 21 バウンダリースキャンFF 22 セレクタ 23 出力回路 24 入力回路 31 本発明に係る下層導電体膜 32 本発明に係る下層導電体層 33 絶縁膜 34・36 本発明に係る上層導電体層 35 表面安定化膜 4 本発明に係るパッド 37・38・39・40 配線 5 半導体チップ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Field insulating film 11 Lower conductive layer according to conventional technology 12 Insulating film 13 Upper conductive layer according to conventional technology 14 Surface stabilizing film 2 Pad according to conventional technology 21 Boundary scan FF 22 Selector 23 Output circuit 24 Input circuit 31 Lower conductor film according to the present invention 32 Lower conductor layer according to the present invention 33 Insulating film 34/36 Upper conductor layer according to the present invention 35 Surface stabilizing film 4 Pad according to the present invention 37/38/39/40 Wiring 5 Semiconductor chip

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 27/06 311 H01L 27/04 T (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/60 H01L 21/66 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 identification code FI H01L 27/06 311 H01L 27/04 T (58) Investigated field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 21/60 H01L 21 / 66

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 第1のデータ入力端子、第2のデータ入
力端子、及び、データ出力端子を有し、クロック信号に
応答して前記データ出力端子より前記第1と第2とのデ
ータ入力端子のいずれか一方の入力信号に対応する出力
信号を出力するデータ出力回路と、 前記第2のデータ入力端子に接続される第1の下層導電
体層と、 前記データ出力端子に接続される第2の下層導電体層
と、 外部信号が入力されるとゝもに、前記第1の下層導電体
層と第2の下層導電体層とを短絡する上層導電体層と を有するブロック回路が複数個配置されてなる半導体集
積回路であって、 隣接する二つの前記ブロック回路において、一方の前記
ブロック回路に含まれる前記データ出力回路の前記第1
のデータ入力端子と、他方の前記ブロック回路に含まれ
る前記データ出力回路の前記データ出力端子とを相互に
接続することを特徴とする半導体集積回路。
A first data input terminal, a second data input terminal, and a data output terminal, wherein the first and second data input terminals are received from the data output terminal in response to a clock signal. A data output circuit that outputs an output signal corresponding to any one of the following input signals: a first lower conductive layer connected to the second data input terminal; and a second lower conductor layer connected to the data output terminal. A plurality of block circuits each including: a lower conductive layer; and an upper conductive layer that short-circuits the first lower conductive layer and the second lower conductive layer when an external signal is input. A semiconductor integrated circuit arranged, wherein, in two adjacent block circuits, the first one of the data output circuits included in one of the block circuits
And a data input terminal of the other block circuit and the data output terminal of the data output circuit included in the other block circuit are connected to each other.
【請求項2】 前記上層導電体層はバンプであることを
特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said upper conductor layer is a bump.
【請求項3】 前記上層導電体層は半導体チップの周辺
に沿って配置されてなることを特徴とする請求項1記載
の半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein said upper conductive layer is disposed along a periphery of a semiconductor chip.
【請求項4】 前記上層導電体層は半導体チップ上に複
数個分散して配置されてなることを特徴とする請求項1
記載の半導体集積回路。
4. The semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of said upper conductive layers are dispersedly arranged on a semiconductor chip.
A semiconductor integrated circuit as described in the above.
【請求項5】 前記上層導電体層は半導体チップ上に複
数個マトリックス状に配置されてなることを特徴とする
請求項1記載の半導体集積回路。
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein a plurality of said upper conductive layers are arranged in a matrix on a semiconductor chip.
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