JP3170228B2 - 放射線測定装置 - Google Patents
放射線測定装置Info
- Publication number
- JP3170228B2 JP3170228B2 JP19972097A JP19972097A JP3170228B2 JP 3170228 B2 JP3170228 B2 JP 3170228B2 JP 19972097 A JP19972097 A JP 19972097A JP 19972097 A JP19972097 A JP 19972097A JP 3170228 B2 JP3170228 B2 JP 3170228B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- sensors
- semiconductor
- sensor
- semiconductor sensors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、放射線を検出する
放射線測定装置に関する。
放射線測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】放射線検出器として半導体センサが活用
されている。半導体センサとしては、ＰＮ接合型、サー
フェイスバリア（表面障壁）型、リチウムドリフト型
（ＰＩＮ型）、などの各種のものが知られており、用途
に応じて使い分けられている。これらの半導体センサに
おいて、電離箱の電離空間に相当する空乏層やｉ層（真
性半導体層）に放射線が入射すると、そこで電子と正孔
の対が生成される。これが各電極部にて捕集され、その
結果、検出パルスが出力される。上記の各半導体センサ
は、シリコンやゲルマニウムなどのウエハ基板上に構成
されるものである。例えば、ＰＩＮ型の半導体センサで
は、基板の一方面にｎ層が形成され、他方面にｐ層が形
成され、それらの間の真性領域に電界を形成するために
バイアス電圧が印加される。
されている。半導体センサとしては、ＰＮ接合型、サー
フェイスバリア（表面障壁）型、リチウムドリフト型
（ＰＩＮ型）、などの各種のものが知られており、用途
に応じて使い分けられている。これらの半導体センサに
おいて、電離箱の電離空間に相当する空乏層やｉ層（真
性半導体層）に放射線が入射すると、そこで電子と正孔
の対が生成される。これが各電極部にて捕集され、その
結果、検出パルスが出力される。上記の各半導体センサ
は、シリコンやゲルマニウムなどのウエハ基板上に構成
されるものである。例えば、ＰＩＮ型の半導体センサで
は、基板の一方面にｎ層が形成され、他方面にｐ層が形
成され、それらの間の真性領域に電界を形成するために
バイアス電圧が印加される。
【０００３】近年、広いエネルギー領域に対応するた
め、複数の線種に対応するため、あるいは検出面を大面
積にするため、複数の半導体センサを集合させた検出器
が実用化されている。
め、複数の線種に対応するため、あるいは検出面を大面
積にするため、複数の半導体センサを集合させた検出器
が実用化されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、複数の
半導体センサを備えた測定装置に関し、標準線源などを
逐次利用して個々の半導体センサを物理的に感度調整す
るのは手間がかかる。特に、感度が低い半導体センサの
感度調整を短時間で行うのは難しい。
半導体センサを備えた測定装置に関し、標準線源などを
逐次利用して個々の半導体センサを物理的に感度調整す
るのは手間がかかる。特に、感度が低い半導体センサの
感度調整を短時間で行うのは難しい。
【０００５】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、複数の放射線センサについて
の感度調整を簡単に行うことにある。
ものであり、その目的は、複数の放射線センサについて
の感度調整を簡単に行うことにある。
【０００６】本発明の他の目的は、装置の構成を簡略化
することにある。
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、複数の放射線センサと、前記複数の放射
線センサの出力信号を加算し、加算信号を出力する加算
手段と、前記複数の放射線センサのそれぞれの感度比率
を示す分配係数を記憶しておく記憶手段と、前記加算信
号にそれぞれの放射線センサの分配係数を乗算すること
によって、各放射線センサについての補正された出力信
号を得る分配手段と、を含むことを特徴とする。
に、本発明は、複数の放射線センサと、前記複数の放射
線センサの出力信号を加算し、加算信号を出力する加算
手段と、前記複数の放射線センサのそれぞれの感度比率
を示す分配係数を記憶しておく記憶手段と、前記加算信
号にそれぞれの放射線センサの分配係数を乗算すること
によって、各放射線センサについての補正された出力信
号を得る分配手段と、を含むことを特徴とする。
【０００８】上記構成によれば、各センサの検出値の総
和である加算信号に分配係数を乗算して各センサごとに
感度補正がなされた検出値を取得できるので、小面積セ
ンサで感度が低かったり検出時間が短く検出値が各セン
サ全体として小さかったりする場合でも、補正による誤
差を低減できる。
和である加算信号に分配係数を乗算して各センサごとに
感度補正がなされた検出値を取得できるので、小面積セ
ンサで感度が低かったり検出時間が短く検出値が各セン
サ全体として小さかったりする場合でも、補正による誤
差を低減できる。
【０００９】本発明の望ましい態様では、前記複数の放
射線センサは単一のウエハ基板上に共通形成された半導
体センサである。基板が共通であれば、動作条件が均一
化するため、感度補正精度が高まる。
射線センサは単一のウエハ基板上に共通形成された半導
体センサである。基板が共通であれば、動作条件が均一
化するため、感度補正精度が高まる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【００１１】図１には、本発明の好適な実施形態が示さ
れており、図１は本発明に係る放射線測定装置における
放射線検出器の構造を示す模式図である。
れており、図１は本発明に係る放射線測定装置における
放射線検出器の構造を示す模式図である。
【００１２】図１において、例えばシリコンやゲルマニ
ウム等のウエハ基板１０には、以下に説明するように、
そのウエハ基板１０を共通にして複数の半導体センサＡ
〜Ｅが構成される。
ウム等のウエハ基板１０には、以下に説明するように、
そのウエハ基板１０を共通にして複数の半導体センサＡ
〜Ｅが構成される。
【００１３】ウエハ基板１０の一方面には、各半導体セ
ンサＡ〜Ｅごとに、例えばボロン等の不純物を選択的に
拡散させることによってｐ型領域が形成される。ちなみ
に、各半導体センサ間において、ｐ型領域はそれぞれ隔
てて形成されており、これによって素子間分離が行われ
ている。後述するように、半導体センサＡ及びＢのｐ型
領域は後に図２で示すように正方形を有しており、一
方、半導体センサＣ〜Ｅにおいてはｐ型領域が中央部分
と周囲部分とに分割されている。
ンサＡ〜Ｅごとに、例えばボロン等の不純物を選択的に
拡散させることによってｐ型領域が形成される。ちなみ
に、各半導体センサ間において、ｐ型領域はそれぞれ隔
てて形成されており、これによって素子間分離が行われ
ている。後述するように、半導体センサＡ及びＢのｐ型
領域は後に図２で示すように正方形を有しており、一
方、半導体センサＣ〜Ｅにおいてはｐ型領域が中央部分
と周囲部分とに分割されている。
【００１４】ウエハ基板１０の他方面にはその全面に渡
ってリン等の不純物拡散により電極層としてのｎ+領域
が形成される。このｎ+領域の下側には金属からなる取
出し用電極としての電極１４が形成される。
ってリン等の不純物拡散により電極層としてのｎ+領域
が形成される。このｎ+領域の下側には金属からなる取
出し用電極としての電極１４が形成される。
【００１５】半導体センサＡ及びＢにおいて、ｐ型領域
上には電圧印加のための電極１２が形成される。また、
半導体センサＣ〜Ｅには、各部分領域に電圧を印加する
ために、中央部分には電極１２Ａが形成され、周囲部分
には電極１２Ｂが形成される。これらの電極１２は、で
きる限り放射線の検出を妨げない大きさ及び形態に形成
するのが望ましい。ちなみに、電極１２は例えばアルミ
ニウム等の金属で構成される。
上には電圧印加のための電極１２が形成される。また、
半導体センサＣ〜Ｅには、各部分領域に電圧を印加する
ために、中央部分には電極１２Ａが形成され、周囲部分
には電極１２Ｂが形成される。これらの電極１２は、で
きる限り放射線の検出を妨げない大きさ及び形態に形成
するのが望ましい。ちなみに、電極１２は例えばアルミ
ニウム等の金属で構成される。
【００１６】図１に示されるように、本実施形態では、
ウエハ基板１０の上面に例えば酸化膜等からなる表面保
護層１１が形成される。
ウエハ基板１０の上面に例えば酸化膜等からなる表面保
護層１１が形成される。
【００１７】各半導体センサにおいて、ｐ型領域とｎ+
領域との間には電極１２，１４間に逆電圧が印加され、
これによっていわゆる真性領域Ｉが形成される。すなわ
ち、本実施形態の半導体センサはＰＩＮ型センサであ
る。もちろん、本発明は他のタイプの半導体センサにも
適用できる。
領域との間には電極１２，１４間に逆電圧が印加され、
これによっていわゆる真性領域Ｉが形成される。すなわ
ち、本実施形態の半導体センサはＰＩＮ型センサであ
る。もちろん、本発明は他のタイプの半導体センサにも
適用できる。
【００１８】図２には、半導体センサＡ及びＢの上面図
が示されている。ｐ型領域は例えば四角形で構成され、
その大きさは３ｍｍ×３ｍｍである。そのｐ型領域には
電極１２が接続され、その電極には抵抗を介して例えば
−１００Ｖが印加される。また、その電極１２から放射
線検出信号が取り出される。図１に示した電極１４には
例えば＋１００Ｖの電圧が印加される。
が示されている。ｐ型領域は例えば四角形で構成され、
その大きさは３ｍｍ×３ｍｍである。そのｐ型領域には
電極１２が接続され、その電極には抵抗を介して例えば
−１００Ｖが印加される。また、その電極１２から放射
線検出信号が取り出される。図１に示した電極１４には
例えば＋１００Ｖの電圧が印加される。
【００１９】図３には、半導体センサＣ〜Ｅの上面図が
示されている。上述したように、ｐ型領域は、中央領域
と周囲領域とに区分されており、中央の部分領域は四角
形に構成され、周囲領域はコ字型に形成されている。中
央領域には電極１２Ａが接続され、周囲領域には電極１
２Ｂが接続されている。これらの電極１２Ａ，１２Ｂに
はスイッチＳを介して例えば−１００Ｖの電圧が印加さ
れる。ここで、スイッチＳは例えばジャンパー線で構成
され、そのジャンパー線がａの位置にある場合には、上
記の高電圧源が電極１２Ａ及び１２Ｂの両者に並列接続
され、一方、ジャンパー線がｂの位置にある場合には、
電極Ａのみに対して高電圧が印加される。この場合、電
極１２Ｂは接地されることになる。したがって、スイッ
チＳがａの位置にある場合には、中央領域及び周囲領域
の領域を合わせた部分が有感領域となり、一方、スイッ
チＳがｂの位置にある場合には、中央領域のみが有感領
域として機能する。なお、この半導体センサにおいても
電極Ａ，Ｂと高電圧源との間から放射線検出信号が取り
出されている。
示されている。上述したように、ｐ型領域は、中央領域
と周囲領域とに区分されており、中央の部分領域は四角
形に構成され、周囲領域はコ字型に形成されている。中
央領域には電極１２Ａが接続され、周囲領域には電極１
２Ｂが接続されている。これらの電極１２Ａ，１２Ｂに
はスイッチＳを介して例えば−１００Ｖの電圧が印加さ
れる。ここで、スイッチＳは例えばジャンパー線で構成
され、そのジャンパー線がａの位置にある場合には、上
記の高電圧源が電極１２Ａ及び１２Ｂの両者に並列接続
され、一方、ジャンパー線がｂの位置にある場合には、
電極Ａのみに対して高電圧が印加される。この場合、電
極１２Ｂは接地されることになる。したがって、スイッ
チＳがａの位置にある場合には、中央領域及び周囲領域
の領域を合わせた部分が有感領域となり、一方、スイッ
チＳがｂの位置にある場合には、中央領域のみが有感領
域として機能する。なお、この半導体センサにおいても
電極Ａ，Ｂと高電圧源との間から放射線検出信号が取り
出されている。
【００２０】図３において、コ字型の周囲電極の外形は
例えば３ｍｍ×３ｍｍであり、その幅は例えば１ｍｍで
ある。中央領域の大きさは例えば０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍである。
例えば３ｍｍ×３ｍｍであり、その幅は例えば１ｍｍで
ある。中央領域の大きさは例えば０．５ｍｍ×０．５ｍ
ｍである。
【００２１】図１に戻って、各半導体センサには、本実
施形態において互いに異なるフィルタ２０〜２８が設け
られる。具体的には、放射線有感領域側に各フィルタが
設けられている。なお、図１においては各フィルタを支
持するフレームなどが図示省略されている。本実施形態
の放射線測定装置では、例えばガンマ線混在下における
β線の真の線量を推定するために、互いにエネルギー感
度及び線種感度が異なる複数の半導体センサが構成され
ている。なお、本実施形態では、複数の半導体センサが
一次元的に配列されていたが、もちろん二次元的に複数
の半導体センサが配列されていてもよい。また、そのよ
うな構成によって大面積型の放射線検出器を構成する場
合には、必ずしも各半導体センサに互いに異なるフィル
タを設ける必要はない。
施形態において互いに異なるフィルタ２０〜２８が設け
られる。具体的には、放射線有感領域側に各フィルタが
設けられている。なお、図１においては各フィルタを支
持するフレームなどが図示省略されている。本実施形態
の放射線測定装置では、例えばガンマ線混在下における
β線の真の線量を推定するために、互いにエネルギー感
度及び線種感度が異なる複数の半導体センサが構成され
ている。なお、本実施形態では、複数の半導体センサが
一次元的に配列されていたが、もちろん二次元的に複数
の半導体センサが配列されていてもよい。また、そのよ
うな構成によって大面積型の放射線検出器を構成する場
合には、必ずしも各半導体センサに互いに異なるフィル
タを設ける必要はない。
【００２２】上記実施形態において、各半導体センサに
フィルタを通して放射線が入射すると、そのエネルギー
に応じて上記Ｉ領域を通過して電荷が流れ、これによっ
て検出パルスとして放射線検出結果を得ることができ
る。この場合、その検出パルスの波高値はエネルギーに
依存する。
フィルタを通して放射線が入射すると、そのエネルギー
に応じて上記Ｉ領域を通過して電荷が流れ、これによっ
て検出パルスとして放射線検出結果を得ることができ
る。この場合、その検出パルスの波高値はエネルギーに
依存する。
【００２３】本実施形態の放射線検出器によれば、各半
導体センサが同一の基板上に構成されているため、ウエ
ハの厚みの相違やウエハの純度（比抵抗）の相違に起因
する感度のばらつきといった問題が生じず、各半導体セ
ンサ間における動作条件を一致させることができる。し
たがって高精度の測定を行うことができる。また、各半
導体センサのスライスが不要となり、さらに電極１４等
を共通形成できるため、製造コストを低減できるという
利点もある。なお、各半導体センサ間におけるギャップ
は例えば２ｍｍである。
導体センサが同一の基板上に構成されているため、ウエ
ハの厚みの相違やウエハの純度（比抵抗）の相違に起因
する感度のばらつきといった問題が生じず、各半導体セ
ンサ間における動作条件を一致させることができる。し
たがって高精度の測定を行うことができる。また、各半
導体センサのスライスが不要となり、さらに電極１４等
を共通形成できるため、製造コストを低減できるという
利点もある。なお、各半導体センサ間におけるギャップ
は例えば２ｍｍである。
【００２４】ちなみに、本発明は、上記のＰＩＮ型の半
導体センサに限られず、ＰＮ接合型、サーフェイスバリ
ア型、等の各種のタイプの半導体センサに適用すること
ができる。
導体センサに限られず、ＰＮ接合型、サーフェイスバリ
ア型、等の各種のタイプの半導体センサに適用すること
ができる。
【００２５】図４には、上述した放射線検出器を備えた
放射線測定装置の全体構成がブロック図で示されてい
る。上述したように、放射線検出器１００は複数の半導
体センサＡ〜Ｅで構成され、各半導体センサからの信号
はアンプ３０を介して加算部３２に入力される。ここ
で、図４においては各半導体センサＡ〜Ｅの出力信号が
Ｓ１〜Ｓ５で表されている。加算部３２においては、こ
れらの信号Ｓ１〜Ｓ５を全て加算することによって加算
信号Ｔを出力する。
放射線測定装置の全体構成がブロック図で示されてい
る。上述したように、放射線検出器１００は複数の半導
体センサＡ〜Ｅで構成され、各半導体センサからの信号
はアンプ３０を介して加算部３２に入力される。ここ
で、図４においては各半導体センサＡ〜Ｅの出力信号が
Ｓ１〜Ｓ５で表されている。加算部３２においては、こ
れらの信号Ｓ１〜Ｓ５を全て加算することによって加算
信号Ｔを出力する。
【００２６】係数乗算部３４は、係数メモリ３６から出
力される後述する係数Ｃ１〜Ｃ５をそれぞれ加算信号Ｔ
に乗算することによって各半導体センサごとに補正され
た計数値Ｓ１’〜Ｓ５’を算出する。それらのＳ１’〜
Ｓ５’は線量演算部３８に入力され、その線量演算部で
はそれらの値に基づいて例えばガンマ線の影響を排除し
つつβ線の線量を演算する。もちろん、高エネルギーβ
線の影響を配慮しつつガンマ線の線量を演算する処理を
行ってもよい。
力される後述する係数Ｃ１〜Ｃ５をそれぞれ加算信号Ｔ
に乗算することによって各半導体センサごとに補正され
た計数値Ｓ１’〜Ｓ５’を算出する。それらのＳ１’〜
Ｓ５’は線量演算部３８に入力され、その線量演算部で
はそれらの値に基づいて例えばガンマ線の影響を排除し
つつβ線の線量を演算する。もちろん、高エネルギーβ
線の影響を配慮しつつガンマ線の線量を演算する処理を
行ってもよい。
【００２７】ちなみに、図４においては、波形整形回路
やカウンタ回路等が図示省略されている。これらの回路
は例えばアンプ３０と加算部３２との間に設けられ、あ
るいは、加算部３２と係数乗算部３４との間に設けられ
る。前者の場合、加算部３２ではカウント値の加算が実
行され、後者の場合、加算部３２では各半導体センサか
らの信号を合成する処理を行う。後者によればカウンタ
などの個数を削減できるという利点がある。
やカウンタ回路等が図示省略されている。これらの回路
は例えばアンプ３０と加算部３２との間に設けられ、あ
るいは、加算部３２と係数乗算部３４との間に設けられ
る。前者の場合、加算部３２ではカウント値の加算が実
行され、後者の場合、加算部３２では各半導体センサか
らの信号を合成する処理を行う。後者によればカウンタ
などの個数を削減できるという利点がある。
【００２８】上記のように、本実施形態では、各半導体
センサごとの検出値あるいはカウント値といったものは
特定されておらず、全ての半導体センサの検出値の総和
のみが取得されている。そして、その総和に対して予め
求められている係数を乗算することによって各半導体セ
ンサの真の検出値すなわち感度補正が成された後の検出
値が求められている。
センサごとの検出値あるいはカウント値といったものは
特定されておらず、全ての半導体センサの検出値の総和
のみが取得されている。そして、その総和に対して予め
求められている係数を乗算することによって各半導体セ
ンサの真の検出値すなわち感度補正が成された後の検出
値が求められている。
【００２９】ちなみに、係数メモリ３６には、係数演算
部４０による演算結果としての係数Ｃ１〜Ｃ５が格納さ
れる。例えば標準線源を利用することによって各半導体
センサの検出値Ｓ１〜Ｓ５が個別的に取得され、係数演
算部４０はそれらを加算した総和Ｔと各検出値Ｓ１〜Ｓ
５の比をもって係数Ｃ１〜Ｃ５を演算する。これに関し
以下にフローチャートを用いて説明する。
部４０による演算結果としての係数Ｃ１〜Ｃ５が格納さ
れる。例えば標準線源を利用することによって各半導体
センサの検出値Ｓ１〜Ｓ５が個別的に取得され、係数演
算部４０はそれらを加算した総和Ｔと各検出値Ｓ１〜Ｓ
５の比をもって係数Ｃ１〜Ｃ５を演算する。これに関し
以下にフローチャートを用いて説明する。
【００３０】図５には、放射線検出器１００の感度校正
を行う場合の工程が示されている。Ｓ１０１では、線量
が既知のβ線及びガンマ線を発生する標準線源が用意さ
れ、各半導体センサにセットされる。そして、Ｓ１０２
では、各半導体センサにて放射線の測定が実行される。
この場合、線種が同じであれば同一の標準線源を複数の
半導体センサで順次利用してもよい。いずれにしても、
Ｓ１０２では、標準線源を利用した測定結果が得られ
る。Ｓ１０３では、係数演算部４０によって各検出値の
総和Ｔと各検出値Ｓnの比として係数Ｃ１〜Ｃ５が演算
される。そして、Ｓ１０４ではその係数Ｃ１〜Ｃ５が係
数メモリ３６に格納される。これによって放射線測定の
準備が完了する。
を行う場合の工程が示されている。Ｓ１０１では、線量
が既知のβ線及びガンマ線を発生する標準線源が用意さ
れ、各半導体センサにセットされる。そして、Ｓ１０２
では、各半導体センサにて放射線の測定が実行される。
この場合、線種が同じであれば同一の標準線源を複数の
半導体センサで順次利用してもよい。いずれにしても、
Ｓ１０２では、標準線源を利用した測定結果が得られ
る。Ｓ１０３では、係数演算部４０によって各検出値の
総和Ｔと各検出値Ｓnの比として係数Ｃ１〜Ｃ５が演算
される。そして、Ｓ１０４ではその係数Ｃ１〜Ｃ５が係
数メモリ３６に格納される。これによって放射線測定の
準備が完了する。
【００３１】図６には、本実施形態の放射線測定装置を
用いて放射線の測定を行う場合の工程が示されている。
Ｓ２０１では、放射線検出器１００によって測定が実行
され、これにより各センサＡ〜Ｅの検出値としてＳ１〜
Ｓ５が取得される。そして、加算部３２によってそれら
が加算され、加算信号Ｔが求められる。Ｓ２０２では、
係数乗算部３４において、そのＴに対して各検出値Ｃ１
〜Ｃ５が乗算され、これによって感度補正された検出値
Ｓ１’〜Ｓ５’が求められる。そして、Ｓ２０３では、
線量演算部３８において各線種ごとの線量や線量等量が
演算される。これは図示されていない表示器に表示され
る。
用いて放射線の測定を行う場合の工程が示されている。
Ｓ２０１では、放射線検出器１００によって測定が実行
され、これにより各センサＡ〜Ｅの検出値としてＳ１〜
Ｓ５が取得される。そして、加算部３２によってそれら
が加算され、加算信号Ｔが求められる。Ｓ２０２では、
係数乗算部３４において、そのＴに対して各検出値Ｃ１
〜Ｃ５が乗算され、これによって感度補正された検出値
Ｓ１’〜Ｓ５’が求められる。そして、Ｓ２０３では、
線量演算部３８において各線種ごとの線量や線量等量が
演算される。これは図示されていない表示器に表示され
る。
【００３２】上記の実施形態によれば、特に小面積の半
導体センサの感度を精度良く校正することができる。す
なわち、測定時間が短いような場合、特に小型センサ等
の検出値には感度上の誤差が多く含まれるが、本実施形
態によれば各半導体センサの総和からの比率としてその
小型センサの感度補正された検出値を特定するので、精
度の良い演算が行えるという利点がある。すなわち、上
記実施形態によれば各半導体センサの感度を簡便かつ正
確に補正することができるという利点がある。したがっ
て、特に半導体センサＣ〜Ｅの何れかの１または複数に
おいて中央領域のみが放射線有感面として機能するよう
な場合に特に上記実施形態には有効である。
導体センサの感度を精度良く校正することができる。す
なわち、測定時間が短いような場合、特に小型センサ等
の検出値には感度上の誤差が多く含まれるが、本実施形
態によれば各半導体センサの総和からの比率としてその
小型センサの感度補正された検出値を特定するので、精
度の良い演算が行えるという利点がある。すなわち、上
記実施形態によれば各半導体センサの感度を簡便かつ正
確に補正することができるという利点がある。したがっ
て、特に半導体センサＣ〜Ｅの何れかの１または複数に
おいて中央領域のみが放射線有感面として機能するよう
な場合に特に上記実施形態には有効である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複数の半導体センサについての感度調整を簡単かつ正確
に行うことができる。また、本発明によれば、装置構成
を簡略化できる。
複数の半導体センサについての感度調整を簡単かつ正確
に行うことができる。また、本発明によれば、装置構成
を簡略化できる。
【図１】 本発明に係る放射線検出器の構造を示す模式
図である。
図である。
【図２】 半導体センサＡ及びＢの上面図である。
【図３】 半導体センサＣ〜Ｅの上面図である。
【図４】 本発明に係る放射線測定装置の全体構成を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図５】 係数を求めるための準備工程を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図６】 実際の放射線を測定する場合の工程を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
１０ ウエハ基板、１１ 表面保護層、１２ 電極、１
４ 電極、２０〜２８フィルタ、３０ アンプ、３２
加算部、３４ 係数乗算部、３６ 係数メモリ、３８
線量演算部、４０ 係数演算部、１００ 放射線検出
器。
４ 電極、２０〜２８フィルタ、３０ アンプ、３２
加算部、３４ 係数乗算部、３６ 係数メモリ、３８
線量演算部、４０ 係数演算部、１００ 放射線検出
器。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の放射線センサと、 前記複数の放射線センサの出力信号を加算し、加算信号
を出力する加算手段と、 前記複数の放射線センサのそれぞれの感度比率を示す分
配係数を記憶しておく記憶手段と、 前記加算信号にそれぞれの放射線センサの分配係数を乗
算することによって、各放射線センサについての補正さ
れた出力信号を得る分配手段と、 を含むことを特徴とする放射線測定装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の放射線測定装置におい
て、 前記複数の放射線センサは単一のウエハ基板上に共通形
成された半導体センサであることを特徴とする放射線測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19972097A JP3170228B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 放射線測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19972097A JP3170228B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 放射線測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1144767A JPH1144767A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3170228B2 true JP3170228B2 (ja) | 2001-05-28 |
Family
ID=16412498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19972097A Expired - Fee Related JP3170228B2 (ja) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | 放射線測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3170228B2 (ja) |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP19972097A patent/JP3170228B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1144767A (ja) | 1999-02-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3529161A (en) | Semiconductor device for detecting and/or measuring radiation | |
| CN102292654B (zh) | 表面污染监测器 | |
| US8067744B2 (en) | Method and apparatus of detecting ionizing radiation | |
| US8927939B2 (en) | Radiation measurement apparatus and nuclear medicine diagnosis apparatus | |
| WO2016063391A1 (ja) | 線量率測定装置 | |
| Bolotnikov et al. | Performance of 8× 8× 32 and 10× 10× 32 mm3 CdZnTe position-sensitive virtual Frisch-grid detectors for high-energy gamma ray cameras | |
| JP2004108796A (ja) | 放射線測定装置 | |
| US4317038A (en) | Device for determining the spatial distribution of radiation | |
| Havránek et al. | Measurement of pixel sensor capacitances with sub-femtofarad precision | |
| JP3170228B2 (ja) | 放射線測定装置 | |
| US7511747B2 (en) | Method for noise correction for a flat-panel detector | |
| JP4748567B2 (ja) | 放射線入射位置検出装置 | |
| Zhang et al. | Analysis of detector response using 3-D position-sensitive CZT gamma-ray spectrometers | |
| JP3197512B2 (ja) | 半導体放射線検出器 | |
| JPH0446471B2 (ja) | ||
| JP6091622B2 (ja) | 放射線測定装置 | |
| US7161153B2 (en) | Apparatus and method for detecting α-ray | |
| Bolotnikov et al. | Design considerations and testing of virtual Frisch-grid CdZnTe detector arrays using the H3D ASIC | |
| JP2005300245A (ja) | 放射線測定装置 | |
| JP2001255379A (ja) | 中性子検出器 | |
| JP2000098038A (ja) | 放射線検出器および放射線モニタ | |
| JP6037796B2 (ja) | 放射線モニタ | |
| Morse et al. | The spatial and energy response of a 3d architecture silicon detector measured with a synchrotron X-ray microbeam | |
| JP4643809B2 (ja) | 放射線測定装置 | |
| JP3585356B2 (ja) | 放射線検出装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080316 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100316 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120316 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140316 Year of fee payment: 13 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |