JP3169742B2

JP3169742B2 - 光分岐装置および光ディスク装置

Info

Publication number: JP3169742B2
Application number: JP14733593A
Authority: JP
Inventors: 青児西脇; 徹夫北川; 潤一麻田; 希代子大嶋
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1993-06-18
Filing date: 1993-06-18
Publication date: 2001-05-28
Anticipated expiration: 2016-05-28
Also published as: JPH076403A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は導波路から放射される光
を分岐して取り出す光分岐装置および光ディスクに光を
集光し信号の記録再生を行う光ディスク装置に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】自由空間における光の分岐はミラー、プ
リズムを組み合わせることで容易に達成できる。近年研
究が盛んな光導波層を応用した光デバイスでも、同様に
光（導波光）の分岐を行なうことができる。

【０００３】例えば、図８は従来例における光導波層で
の光分岐装置の構成図を示す。図８において、１は透明
基板、２は導波層、２ｂは分岐導波層、３Ａは直線状の
等ピッチグレーティングで形成された入力用直線グレー
ティングカプラ、３ａ、３ｂは直線状の等ピッチグレー
ティングで形成された出力用直線グレーティングカプ
ラ、２１はバッファー層である。

【０００４】レーザー光４が適切な角度でグレーティン
グカプラ３Ａに入射すれば、入射角に応じたモードの導
波光５を励起することができる。導波光５の等価屈折率
をＮ、グレーティングカプラ３ＡのピッチをΛ、レーザ
ー光４の波長をλとすれば、入射角θは次式で与えられ
る。

【０００５】

【数１】

【０００６】導波光５の分岐は緩やかなテーパー部２１
Ｓを有するバッファー層２０の上に形成された導波層２
ｂにより効率的に実現でき、導波光５は導波層２内に残
る成分６ａと導波層２ｂに進む成分６ｂに分離される。
分岐した導波光６ａ、６ｂはそれぞれグレーティングカ
プラ３ａ、３ｂにより、（数１）で決まる特定の方位に
放射されて放射光７ａ、７ｂとなる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の光分
岐装置に於て以下の問題点があった。

【０００８】第１に、光を分岐させるだけの目的で、バ
ッファー層２１、分岐導波層２ｂ、出力用直線グレーテ
ィングカプラ３ｂなどを必要とし、構成が複雑になるこ
とである。

【０００９】第２に、テーパー部２１Ｓの作製が困難な
ことである。導波層２ｂに進む導波光６ｂを効果的に発
生させるにはテーパー部２１Ｓの傾きが緩やかなこと
（テーパー比が小さいこと）が必要であり、一例として
１：２０以下は必要といわれる。従来のエッチング技術
ではこの様な小さなテーパー比を実現することは不可能
に近く、その他にも適切な加工法は見あたらない。

【００１０】本発明はかかる問題点に鑑み、エッチング
技術により容易に作製でき、構成が簡単でかつ効果的に
光の分岐を可能とする光分岐装置と、これを応用した新
規な光ディスク装置を提供することを目的する。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の光分岐装置はレーザー光源と、透明層で形
成された導波層と、レーザー光源から出射するレーザー
光を導波層内に導き導波層内を伝搬する第１の導波光を
励起する入力手段と、導波層内を伝搬する導波光を導波
層外に放射する出力手段とからなり、入力手段と出力手
段の間で導波層がほぼ階段状に曲っており、第１の導波
光はこの階段領域を通過することでその一部が導波モー
ドの異なる第２の導波光に変化し、この２つの導波光が
出力手段により別々の角度で放射されることを特徴とす
る。

【００１２】特に、出力手段は導波層界面の凹凸状周期
構造により形成され、出力手段を出射する光は光ディス
ク信号面に集光・反射し、この反射光は出力手段に入射
して導波層内を入力手段側に伝搬する導波光を励起し、
この導波光を入力手段から導波層外に放射し、この放射
光を導波層外に設けた光検出器で検出することを特徴と
する。

【００１３】

【作用】本発明は上記した構成によって、導波光のモー
ドが変化し、導波モードの違いが出力手段からの放射角
の差として現れるので、容易かつ効率的に光を分岐で
き、光ディスクからの戻り光を分離して検出できる。

【００１４】

【実施例】以下本発明の実施例の光分岐装置及び光ディ
スク装置について、図面を参照しながら説明する。なお
従来例と同一の部材には同一番号を付し、詳しい説明は
省略する。

【００１５】（第１実施例）図１（ａ）は本発明の第１
実施例における光分岐装置の構成を示している。図１
（ａ）において、１は透明基板、２は導波層、３Ａは等
ピッチの直線グレーティングで形成された入力用直線グ
レーティングカプラ、３Ｂは等ピッチの直線グレーティ
ングで形成された出力用直線グレーティングカプラ、１
Ｓはエッチングなどの方法で透明基板１上に形成された
階段構造である。

【００１６】階段構造１Ｓはグレーティングカプラ３
Ａ、３Ｂの間に位置し、これにより導波層２も階段状に
折れ曲がって、階段構造２Ｓが形成される。レーザー光
４が（数１）で決まる適切な角度でグレーティングカプ
ラ３Ａに入射すれば、入射角に応じたモードの導波光５
を励起することができる。この導波光５は単一モードの
光であるが、階段構造２Ｓを通過することで導波モード
が乱され（モード移行）、いくつかのモードが混在した
導波光６となる。

【００１７】図１（ｂ）は階段構造２Ｓを通過すること
で導波モードが移行する様子を示しており、単一モード
(０次モード)の導波光５ａが０次、１次のモードが混在
した導波光(それぞれ６ａ、６ｂ)に移行している。階段
構造１Ｓの形成はその階段形状に大きな制約条件がない
ので、従来のエッチング技術により容易に作製できる。

【００１８】導波層の厚さをｔとすると、０次モードの
導波光５ａの電界分布Ｅ₀(x)はエバネッセント波の表現
を省略して近似的に次式で与えられる。

【００１９】

【数２】

【００２０】Ｔ₀は０次モード導波光に対する導波層か
らの侵み出しを考慮した厚みであり、ｘは厚み方向に取
った座標軸である。

【００２１】一方、１次モードの電界分布Ｅ₁(x)はエバ
ネッセント波の表現を省略して近似的に次式で与えられ
る。

【００２２】

【数３】

【００２３】Ｔ₁は１次モード導波光に対する導波層か
らの侵み出しを考慮した厚みである。階段構造の段差を
ｈとすれば、０次モード導波光６ａの電界分布と１次モ
ード導波光６ｂの電界分布はそれぞれＥ₀(x-h)、Ｅ₁(x-
h)で与えられる。

【００２４】一般にモード間の結合の強さ(結合係数)は
空間的な重なり積分に関係することが知られている。例
えば、０次モード導波光５ａと０次モード導波光６ａの
結合係数Ｋ₀₀、０次モード導波光５ａと１次モード導波
光６ｂの結合係数Ｋ₀₁は標準化した形で近似的に次式で
与えられる。

【００２５】

【数４】

【００２６】

【数５】

【００２７】（数２）、（数３）より（数４）、（数
５）は、それぞれ（数６）、（数７）に書き換えられ
る。

【００２８】

【数６】

【００２９】

【数７】

【００３０】図２は段差ｈに対する結合係数Ｋ₀₀、Ｋ₀₁
の値をプロットしている。０次モード導波光６ａへの結
合は段差ｈの増大に従って減少するが、１次モード導波
光６ｂへの結合は段差ｈ＝T₁/3で極大となる特性を持
つ。従って段差をｈ＝T₁/3に選ぶことで、効果的に０次
モード導波光５ａの一部を１次モード導波光６ｂに移行
させることが可能である。なおＴ₁は実際の導波層厚ｔ
よりも若干大きいので、ｈ＝T₁/3の条件はｈ＝0.4ｔ程
度に、マージンを含ませてｈ＝0.3ｔ〜0.5ｔに相当す
る。

【００３１】図１において、導波光６(６ａ、６ｂ)は出
力用直線グレーティングカプラ３Ｂより放射されるが、
放射角は導波モードに依存し、導波モードごとに別々の
角度で放射される。すなわち、導波モードの違いは等価
屈折率の違いとして現れ、０次モードの等価屈折率は１
次モードの等価屈折率よりも大きい。従って、（数１）
により放射角が導波モードごとに異なり、例えば、０次
モードの導波光６ａは放射角の大きい放射光７ａ、１次
モードの導波光６ｂは放射角の小さい放射光７ｂとして
出力する。

【００３２】本発明の第１実施例は、導波層への光の入
出力を直線グレーティングカプラを用いて行ったが、曲
線状やピッチ変調の加わったグレーティングカプラであ
ってもよく、他の入出力手段を用いてもよい。例えば、
図３は入出力手段にプリズムカプラ８Ａ、８Ｂを用いた
例であり、グレーティングカプラを用いた第１実施例と
全く同じ効果が得られる。当然、入力手段にプリズムカ
プラ、出力手段にグレーティングカプラを用いた構成や
この反対の構成も考えられるが、これらも第１実施例と
全く同じ効果が得られる。さらに第１実施例では入射光
４が０次モードの導波光を励起するとしたが他のモード
であってもよく、また０次、１次モードの導波光の放射
を考えたが他のモードの放射であってもよい。

【００３３】（第２実施例）図４はなだらかな階段構造
を形成するための、本発明の第２実施例における光分岐
装置の構成を示している。第１実施例との違いは階段構
造に関する構成だけであるので、説明はこの部分に限っ
て行い、その他の部分の説明は省略する。

【００３４】図４において、１は透明基板、９は段差
層、１０はバッファー層、２は導波層である。段差層９
はその終端部９Ｅが２つのグレーティングカプラ３Ａと
３Ｂの間に位置する。この段差層９の存在によりバッフ
ァー層１０は階段状に緩やかに折れ曲がり、従ってバッ
ファー層１０と導波層２との境界の階段構造１０Ｓと、
導波層２の階段構造２Ｓも緩やかな階段状を描くことに
なる。

【００３５】この様に本実施例は第１実施例に比べ階段
構造２Ｓが緩やかな曲線を描くので、階段構造に伴う導
波光の損失を小さく抑えることができる。また階段構造
２Ｓの形状をバッファー層１０の厚さを管理することで
調整できるなどの利点もある。段差層９はその階段形状
に制約条件がなく従来のエッチング技術により容易に作
製できるので、従来例に比べ工法的に大きな利点であ
る。

【００３６】（第３実施例）図５は導波モードの異なる
導波光を発生させるための、本発明の第３実施例におけ
る光分岐装置の構成を示している。第１実施例との違い
は導波モードの異なる導波光を発生させるための構成だ
けであるので、説明はこの部分に限って行い、その他の
部分の説明は省略する。

【００３７】図５において、１は透明基板、２は導波
層、１１は導波層上に形成された装荷層である。装荷層
１１はその終端部１１Ｅがグレーティングカプラ３Ａ、
３Ｂ間に位置しており、単一モードの導波光５は終端部
１１Ｅの近傍を通過することでモードが乱されて、いく
つかのモードが混在した導波光６となる。従って本実施
例も簡単な構成でモード移行を実現でき、第１実施例と
同様の原理で放射角の異なる光７ａ、７ｂを取り出すこ
とができる。

【００３８】（第４実施例）図６は本発明の第４実施例
であり、本発明の第２実施例における光分岐装置を応用
した光ディスク装置の構成を示している。図６におい
て、１は透明基板、９は金属層で形成された段差層、１
０はバッファー層、２は導波層、３Ａは同心円状のグレ
ーティングにより形成されたカプラ（同心円グレーティ
ングカプラ）、３Ｂは同心円状のグレーティングにより
形成されグレーティングピッチの変調により集光機能を
もつカプラ（同心円集光グレーティングカプラ）、１４
は同心円集光グレーティングカプラ３Ｂ上に形成された
装荷層である。

【００３９】本実施例は全て中心軸１３に関して回転対
称な構成であり、カプラ３Ａ、３Ｂのグレーティングも
軸１３を中心軸とする同心円状、段差層９や装荷層１４
の内周側終端部９Ｅ、１４Ｅも軸１３を中心軸とする円
形状をなし、光検出器１９も回転対称に配置されてい
る。

【００４０】バッファー層１０は段差層９の存在により
階段状に折れ曲がる。導波層２とバッファー層１０の境
界の階段構造１０Ｓはバッファー層１０の存在により緩
やかな階段状を描くので、導波層２の階段構造２Ｓも緩
やかな階段状を描くことになる。

【００４１】（数１）に従い（θ＝０として）、グレー
ティングカプラ３Ａのピッチを適切に設定しておけば、
半導体レーザー１２から出射し軸１３に沿ってカプラ３
Ａに垂直入射するレーザー光４により１次モードの導波
光５を励起することができる。この導波光５は階段構造
２Ｓを通過することで導波モードが乱され、０次モード
と１次モードが混在した導波光６となる。なお０次モー
ドは１次モードに比べ外乱に対し安定しているので、導
波光６は０次モードの比率が高い。

【００４２】導波光６はグレーティングカプラ３Ｂから
放射され、０次モード光は放射光７ａ、１次モード光は
放射光７ｂに変換される。グレーティングカプラ３Ｂの
ピッチは適切に変調されており、放射光７ａは一点に集
光する。その集光点位置に光ディスク信号面１５を配置
すれば、この面を反射する光７Ａは再びグレーティング
カプラ３Ｂに入力し、中心方向に向かう０次モードの導
波光１６を励起する。この導波光１６は階段構造２Ｓを
通過することで導波モードが乱され、０次モードと１次
モードが混在した導波光１７となる。なお、ここでも０
次モードは１次モードより外乱に対し安定しているの
で、導波光１７は０次モードの比率が高い。

【００４３】導波光１７はグレーティングカプラ３Ａか
ら放射され、０次モード光は放射光１８ａ、１次モード
光は放射光１８ｂに変換される。放射光１８ｂは軸１３
に沿った光（入射光４の逆進光）であり、放射光１８ａ
は軸１３とある角度をなす円錐面方向に沿った光であ
る。光検出器１９はグレーティングカプラ３Ａにおいて
０次モード光を励起するための入射方位に配置されてお
り、放射光１８ａの光を検出することができる。

【００４４】金属層で形成された段差層９は導波層２の
階段構造２Ｓを形成するためのものであるが、導波層２
を伝搬する導波光６からのストリーク光やその他の外乱
光が検出器１９に入射するのを防ぐとともに、グレーテ
ィングカプラ３Ｂから透明基板１側に放射される成分を
反射させて、光ディスク側に向かう放射光７ａの強度を
強める効果がある。バッファー層１０は緩やかな階段構
造２Ｓを形成する目的以外に、導波層２を金属層で形成
された段差層９と解離させ、導波光の損失を防ぐ効果も
ある。

【００４５】また装荷層１４は本発明の第３実施例で説
明したようなモード移行を目的としたものではなく、グ
レーティングカプラ３Ｂの放射損失係数（導波光の放射
されやすさを表す度数）を小さくすることを目的とす
る。すなわちグレーティングカプラ３Ｂの結合長Ｌ_Bを
グレーティングカプラ３Ａの結合長Ｌ_Aに比べ大きく設
計する場合、カプラ３Ｂの全結合長に渡って放射光を発
生させるには、カプラ３Ｂの放射損失係数をカプラ３Ａ
の放射損失係数より小さくしなければならない。

【００４６】グレーティングカプラ３Ａ、３Ｂをエッチ
ングによって同時に形成すれば、グレーティングの深さ
が同一になり、放射損失係数もほぼ等しくなるが、本実
施例の様にグレーティングカプラ３Ｂの上に装荷層１４
を形成すれば等価的にグレーティング深さを浅くするこ
とになり、その放射損失係数を小さくすることが可能で
ある。

【００４７】なお、図６では断面上の一方位に注目して
説明したが、これらのことは全て軸１３に対し回転対称
に発生しており、全方位について同じことが成り立つ。
また、実際にはグレーティングカプラ３Ａに入射するレ
ーザー光４を円偏光や同心円偏光（電気ベクトルが円接
線方向にある偏光）に変換する必要があり、グレーティ
ングカプラ３Ｂからの放射光７ａも直線偏光に変換する
必要があるが、本発明の内容とは関係ないので上記実施
例では説明を省略する。

【００４８】また上記実施例では、グレーティングカプ
ラ３Ａに入射するレーザー光４により１次モードの導波
光５を励起させ、０次モード光を励起する入射方位に光
検出器を配置させたが、０次モードや他のモードの導波
光５を励起させ、１次モードや他のモード光を励起する
入射方位に光検出器１９を配置させてもよい。

【００４９】このように本発明の第２実施例における光
分岐装置を応用すれば、上記実施例のごとく、簡単な構
造で小型の光ディスク装置を構成できる。

【００５０】一般にレーザー光の波長は微小ながらも一
定の広がりを持つ。この微小な波長差の影響を利用し
て、光ディスク信号面のフォーカスエラー信号を検出す
ることができる。

【００５１】図７は上記実施例に於ける光ディスク信号
面１５のフォーカスエラー信号検出原理を示す説明図で
ある。

【００５２】レーザー光４の波長が長くなれば、図６に
示すごとくグレーティングカプラ３Ｂからの放射光は７
ａから７ａ'に出射角が変化し、グレーティングカプラ
３Ａからの放射光も１８ａから１８ａ'に出射角が変化
する。

【００５３】同様に、波長が短くなれば出射角は逆に変
化する。図７において７ａ、７ａ'、７ａ''はそれぞれ
レーザー光４の波長λ₀、λ₀＋dλ、λ₀−dλに対する
グレーティングカプラ３Ｂからの放射光に対応する。ま
た２０、２０'、２０''はそれぞれレーザー光４の波長
λ₀、λ₀＋dλ、λ₀−dλの光に対する光検出器１９上
の光強度と位置を示す。２０'は２０に比べ長波長であ
るので中心軸１３から離れた位置に、そして２０''は２
０に比べ短波長であるので中心軸１３に近い位置に存在
する。

【００５４】図７(ａ)は、図７（ｅ）に示す光ディスク
信号面が放射光７ａの集光点位置１５にある場合であ
り、波長λ₀に対応した光強度２０が最も大きい。光強
度２０'、２０''が光強度２０に比べ小さいのは、放射
光７ａ'、７ａ''がディフォーカスの状態で光ディスク
信号面１５に入射するため、それらの反射光がグレーテ
ィングカプラ３Ｂに戻ったとき、導波光を励起する条件
から外れ、導波光量が減少するためである。

【００５５】同様に、図７(ｂ)は、図７（ｅ）に示す光
ディスク信号面が放射光７ａ'の集光点位置１５'にある
場合であり、波長λ₀＋dλに対応した光強度２０'が最
も大きい。また、図７(ｃ)は、図７（ｅ）に示す光ディ
スク信号面が放射光７ａ''の集光点位置１５''にある場
合であり、波長λ₀−dλに対応した光強度２０''が最も
大きい。

【００５６】このように光ディスク信号面のディフォー
カスは光検出器上での光強度分布の変化として反映す
る。

【００５７】従って、図７（ｄ）に示すように光検出器
１９を軸１３を中心とする円で２分割し、その内側の領
域１９Ｐと外側の領域１９Ｍの検出光量の差分をとるこ
とで、光ディスク信号面のフォーカスエラー信号を検出
できる。この検出原理はガスレーザーなどの波長変動の
ない光源に対して有効である。なお、図７では光検出器
１９の形状を軸１３を中心とする扇状としたが、円環状
やその分割形状であってもよい。

【００５８】

【発明の効果】以上本発明の光分岐装置により、簡単な
構成で効率的に光を分岐できる。また、従来のエッチン
グ技術により容易に作製できる効果もある。さらに本発
明の光分岐装置を応用すれば、簡単な構造で小型の光デ
ィスク装置を構成でき、容易にフォーカスエラー信号を
検出することも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光分岐装置の第１実施例の説明図

【図２】同実施例における段差ｈに対する結合係数
Ｋ₀₀、Ｋ₀₁の値を示す特性図

【図３】同実施例における変形例の構成を示す断面図

【図４】本発明の光分岐装置の第２実施例の構成を示す
断面図

【図５】本発明の光分岐装置の第３実施例の構成を示す
断面図

【図６】本発明の光ディスク装置の実施例の構成を示す
断面図

【図７】同実施例装置におけるフォーカスエラー信号検
出の原理の説明図

【図８】従来の光分岐装置の構成を示す断面図

【符号の説明】

１透明基板１Ｓ階段構造２導波層３Ａ入力用グレーティングカプラ３Ｂ出力用グレーティングカプラ４入射光５、６導波光５ａ、６ａ０次モード導波光６ｂ１次モード導波光７ａ、７ｂ放射光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者麻田潤一大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (72)発明者大嶋希代子大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内 (56)参考文献特開昭62−18506（ＪＰ，Ａ) 特開平４−315829（ＪＰ，Ａ) 特開平２−188714（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 7/12 - 7/135 G02B 6/14

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】透明層で形成された導波層と、レーザー光源から出射するレーザー光を前記導波層内に
導き、前記導波層内を伝搬する第１の導波光を励起する
入力手段と、前記導波層内を伝搬する導波光を前記導波層外に放射す
る出力手段とを備え、前記入力手段と前記出力手段との間で前記導波層がほぼ
階段状に曲がった階段領域を持ち、前記階段領域の前記
入力手段側と前記出力手段側との間で前記導波層の厚さ
が同じであり、前記第１の導波光は前記階段領域を通過
することでその一部が導波モードの異なる第２の導波光
に変化し、前記第１の導波光及び前記第２の導波光が前
記出力手段により別々の角度で放射されることを特徴と
する光分岐装置。
【請求項２】前記階段構造の段差幅が前記導波層の厚
さの３割から５割の間にあることを特徴とする請求項１
記載の光分岐装置。
【請求項３】表面に階段構造を持つ基板上にバッファ
ー層を形成し、前記バッファー層の上に前記導波層が形
成されることによりなだらかな階段構造が形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の光分岐装置。
【請求項４】透明層で形成された導波層と、前記導波層と接する装荷層と、レーザー光源から出射するレーザー光を前記導波層内に
導き、前記導波層内を伝搬する第１の導波光を励起する
入力手段と、前記導波層内を伝搬する導波光を導波層外に放射する出
力手段とを備え、前記装荷層の終端部が前記入力手段と前記出力手段の間
にあり、前記第１の導波光は前記装荷層の前記終端部の
近傍を通過することにより前記第１の導波光の一部が導
波モードの異なる第２の導波光に変化し、前記第１の導
波光および前記第２の導波光が前記出力手段により別々
の角度で放射されることを特徴とする光分岐装置。
【請求項５】前記出力手段が、前記導波層の界面に形
成された凹凸状周期構造により形成されることを特徴と
する請求項１または４に記載の光分岐装置。
【請求項６】前記出力手段が、前記導波層に近接して
置かれた３角プリズムにより形成されることを特徴とす
る請求項１記載の光分岐装置。
【請求項７】請求項１または４に記載の光分岐装置を
備えた光ディスク装置であって、さらに光検出器を備え、前記出力手段が、前記導波層の界面に形成された凹凸状
周期構造により形成され、前記出力手段を出射する光は
光ディスク信号面に集光・反射して反射光となり、前記
反射光は前記出力手段に入射して導波層内を前記入力手
段側に伝搬する導波光を励起し、励起された導波光を前
記入力手段から前記導波層の外に放射し、放射した放射
光を導波層外に設けた前記光検出器で検出することを特
徴とする光ディスク装置。
【請求項８】前記入力手段が前記導波層の界面に形成
された凹凸状周期構造により形成され、前記レーザー光
は前記入力手段に垂直入射し、垂直入射した入射光の光
軸に対し前記入力手段および前記出力手段の周期構造と
階段構造が回転対称に構成されていることを特徴とする
請求項７記載の光ディスク装置。
【請求項９】前記入力手段で励起される導波光を１次
モード光とし、０次モード光を励起する入射方位に前記
光検出器を配置することを特徴とする請求項７記載の光
ディスク装置。
【請求項１０】前記光検出器を入射光軸を中心軸とす
る扇形状または円環形状とし、前記光検出手段を前記入
射光軸を中心軸とする円で２分割し、２分割した内側の
領域と外側の領域の検出光量の差分を光ディスク信号面
のフォーカスエラー信号とすることを特徴とする請求項
８記載の光ディスク装置。