JP3167391B2

JP3167391B2 - 光集積デバイス実装パッケージ

Info

Publication number: JP3167391B2
Application number: JP00576092A
Authority: JP
Inventors: 義宣中山
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1992-01-16
Filing date: 1992-01-16
Publication date: 2001-05-21
Anticipated expiration: 2016-05-21
Also published as: JPH05188228A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光情報記録再生装置の
光ピックアップや光集積回路、光センサ等に応用される
光導波路型の光集積デバイスの保護・遮光のために該光
集積デバイスの外周部を覆う光集積デバイス実装パッケ
ージに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光導波路型の光集積デバイスとし
ては、例えば文献「SHOGO URA,他、"An Integrated-Op
tic Disk Pickup Device",JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHN
OLOGY,VOL.4,NO.7,JULY,1986」に記載された光集積型デ
ィスクピックアップ等が知られている。また、光集積デ
バイスの実装を示した例としては、文献「C.H.HENRY,
他、"Glass Waveguides on Silicon for Hybrid Optica
lPackaging",JOURNAL OFLIGHTWAVE TECHNOLOGY,VOL.7,N
O.10,OCTOBER,1989」が知られている。上記文献におい
ては、光集積型ディスクピックアップをＩＣパッケージ
にマウントした例が記載されており、また、文献にお
いては、光集積デバイスをパッケージで覆う技術が記載
されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、基板上にフ
ォトディテクタ及びこのフォトディテクタへ光を導く光
導波路を備え、光導波路によりフォトディテクタ（Ｐ
Ｄ）へ光を導く構造を持つ光導波路光学系のフォトディ
テクタは、また、上方から入ってくる散乱光をも受光す
るため、散乱光の影響を受けやすい。しかも、散乱光は
単に外部からの光だけでなく、特にパッケージの中にお
いては、光導波路光学系（光導波路、導波路ミラー、導
波路レンズ、ＰＤ等）自身が出す散乱光によっても影響
を受ける。しかし、前記従来技術に記載されたパッケー
ジは、パッケージ外部の光のみを遮光するためのもの
で、このため光導波路光学系自身が出す散乱光による影
響は避けられず、この点で改善が求められていた。本発
明は上記事情に鑑みてなされたものであって、光導波路
光学系自身の発する散乱光の影響を少なくするための機
能を備えた光集積デバイス実装パッケージを提供するこ
とを目的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、基板上にフォトディテクタ
及びこのフォトディテクタへ光を導く光導波路を備えた
光集積デバイスの保護・遮光のために該光集積デバイス
の外周部を覆う光集積デバイス実装パッケージにおい
て、上記光導波路上のフォトディテクタの部分もしくは
フォトディテクタを含むフォトディテクタより大きめの
部分と対向するパッケージ壁面をその他の壁面より突出
させてなる遮光部を有し、光導波路光学系自身の発する
散乱光を遮光する機能を備えたことを特徴とする。

【０００５】請求項２記載の発明は、基板上にフォトデ
ィテクタ及びこのフォトディテクタへ光を導く光導波路
を備えた光集積デバイスの保護・遮光のために該光集積
デバイスの外周部を覆う光集積デバイス実装パッケージ
において、パッケージ壁面に、上記光導波路上のフォト
ディテクタの部分もしくはフォトディテクタを含むフォ
トディテクタより大きめの部分を囲む遮光部を有し、光
導波路光学系自身の発する散乱光を遮光する機能を備え
たことを特徴とする。

【０００６】請求項３記載の発明は、基板上にフォトデ
ィテクタ及びこのフォトディテクタへ光を導く光導波路
を備えた光集積デバイスの保護・遮光のために該光集積
デバイスの外周部を覆う光集積デバイス実装パッケージ
において、パッケージ壁面の、上記光導波路上のフォト
ディテクタの部分と相対向する部分に、三角波状の表面
をもつ突出した遮光部を有することで、光導波路光学系
自身の発する散乱光を遮光する機能を備えたことを特徴
とする。

【０００７】請求項４記載の発明は、基板上にフォトデ
ィテクタ及びこのフォトディテクタへ光を導く光導波路
を備え、フォトディテクタが近接して複数配置されてい
る光集積デバイスの保護・遮光のために該光集積デバイ
スの外周部を覆う光集積デバイス実装パッケージにおい
て、近接して複数配置されているフォトディテクタの分
割線に沿うようにパッケージ壁面から突出した遮光部が
設けられ、フォトディテクタもしくはその近傍において
発する散乱光が隣接したフォトディテクタへクロストー
クすることを防いだ構造を有することを特徴とする。

【０００８】請求項５記載の発明は、基板上にフォトデ
ィテクタ及びこのフォトディテクタへ光を導く光導波路
を備え、フォトディテクタが近接して複数配置されてい
る光集積デバイスの保護・遮光のために該光集積デバイ
スの外周部を覆う光集積デバイス実装パッケージにおい
て、上記光導波路上のフォトディテクタの部分もしくは
フォトディテクタを含むフォトディテクタより大きめの
部分と対向するパッケージ壁面をその他の壁面より突出
させてなる遮光部を有すると共に、近接して複数配置さ
れているフォトディテクタの分割線に沿ってその対向す
る遮光部壁面に三角状の凹部（溝部）が設けられ、フォ
トディテクタもしくはその近傍において発する散乱光が
隣接したフォトディテクタへクロストークすることを防
いだ構造を有することを特徴とする。

【０００９】

【作用】請求項１の光集積デバイス実装パッケージにお
いては、光集積デバイスのフォトディテクタ領域と対向
するパッケージ壁面をその他の壁面より突出させてなる
遮光部が設けられているため、フォトディテクタと遮光
部壁面との間の隙間はフォトディテクタ領域以外の部分
のパッケージ壁面との隙間より狭くなり、パッケージ内
の散乱光がフォトディテクタへ入りにくくなる。このた
め、光導波路光学系自身の発する散乱光を遮光すること
ができ、散乱光の影響を少なくすることができる。

【００１０】請求項２の光集積デバイス実装パッケージ
においては、パッケージ壁面に、光集積デバイスのフォ
トディテクタ領域を囲む遮光部を設けたことにより、パ
ッケージ内の散乱光がフォトディテクタへ入りにくくな
る。このため、光導波路光学系自身の発する散乱光を遮
光することができ、散乱光の影響を少なくすることがで
きる。

【００１１】請求項３の光集積デバイス実装パッケージ
においては、パッケージ壁面の、光集積デバイスのフォ
トディテクタ領域と相対向する部分に、三角波状の表面
をもつ突出した遮光部を有することで、散乱光がフォト
ディテクタに入りにくくなる。また、フォトディテクタ
領域付近から発生する散乱光も、三角波状の遮光部によ
り散乱、吸収され、フォトディテクタに戻りにくくなる
ため、この散乱光の影響も少なくすることができる。

【００１２】請求項４の光集積デバイス実装パッケージ
においては、光集積デバイスの近接して複数配置されて
いるフォトディテクタの分割線に沿うようにパッケージ
壁面から突出した遮光部が設けられ、フォトディテクタ
もしくはその近傍において発する散乱光が隣接したフォ
トディテクタへクロストークすることを防いだ構造を有
するため、散乱光の影響をより少なくすることができ
る。

【００１３】請求項５の光集積デバイス実装パッケージ
においては、光集積デバイスのフォトディテクタ領域と
対向するパッケージ壁面をその他の壁面より突出させて
なる遮光部を有すると共に、近接して複数配置されてい
るフォトディテクタの分割線に沿ってその対向する遮光
部壁面に三角状の凹部（溝部）が設けられ、フォトディ
テクタもしくはその近傍において発する散乱光が隣接し
たフォトディテクタへクロストークすることを防いだ構
造を有するため、隣接するフォトディテクタからの散乱
光の入り込みをより防止することができ、散乱光の影響
をより少なくすることができる。

【００１４】

【実施例】以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細
に説明する。図１は本発明の一実施例を示す光ピックア
ップ及びその実装パッケージの説明図であり、(ａ)は手
前側のパッケージ壁を取り除いて中の光学系配置を見せ
た光ピックアップの平面図、(ｂ)は(ａ)に示す光ピック
アップを右から見た平面図、(ｃ)は(ａ)に示す光ピック
アップの半導体レーザ３とコリメートレンズ４及びそれ
らを取り付けたパッケージ壁を省いて下側から見たとき
の平面図、(ｄ)は(ａ)に示す光ピックアップの光導波路
型光検出器（光集積デバイス）２のフォトディテクタ領
域の構造を示す断面図である。この光ピックアップは、
基板上にフォトディテクタ（ＰＤ）１０及びこのフォト
ディテクタ１０へ光を導く光導波路２ａとを備えた光導
波路型光検出器２と、半導体レーザ（ＬＤ）３、コリメ
ートレンズ４、プリズムカプラ５、反射ミラー６、対物
レンズ７から構成され、これらの構成部品をパッケージ
１内に実装したものである。

【００１５】光導波路型光検出器２は、図１(ｃ)，(ｄ)
に示す例では、ｎ−Ｓｉ基板上にエピタキシャル成長法
等によりｎ~−Ｓｉ層が形成され、この上にＳｉＯ₂ 層
（バッファ層）とＳｉＯＮ層（導波層）とからなる光導
波路２ａが積層され、さらにフォトディテクタ１０(10
a，10b，10c，10d，10e，10f)として、ｎ~−Ｓｉ層に
イオン注入法等によりｐ+−Ｓｉ層が形成され所謂ＰＩ
Ｎ型のフォトダイオードが形成されている。また、ｐ+
−Ｓｉ層はＡｌ電極１１と接続され、このＡｌ電極１
１とパッケージ側の電極端子１２とがワイヤ１５により
接続（ワイヤ・ボンディング）されており、電気信号が
外部に取り出せるようになっている。また光導波路上の
所定位置には、図１(ｃ)に示すように導波路ミラー１
３，１４や導波路モードスプリッタ１６が設けられ、光
導波路２ａの導波層を導波する導波光λを各フォトディ
テクタ１０(10a，10b，10c，10d，10e，10f)に導くよう
になっている。

【００１６】さて、図１に示す光ピックアップは光磁気
情報記録再生装置用の光ピックアップの例であり、この
例において、半導体レーザ３を出た光はコリメートレン
ズ４により平行光となり、プリズムカプラ５のプリズム
を通して一旦反射ミラー６側に出射し、対物レンズ７に
よって光磁気ディスク（図示せず）上に焦点を結ぶ。光
磁気ディスクで反射した光は、対物レンズ７、反射ミラ
ー６を介してプリズムカプラ５に入射し、プリズムカプ
ラ５によって光導波路型光検出器２の光導波路に結合さ
れ光導波路を導波する。光導波路型光検出器２の光導波
路を導波する導波光は、導波路ミラー１３，１４や導波
路モードスプリッタ１６等の導波路光学系によって集光
や分離され、フォトディテクタ１０(10a，10b，10c，10
d，10e，10f)に導かれる。そして、これらのフォトディ
テクタ１０(10a，10b，10c，10d，10e，10f）による検
出信号を増幅、処理して、対物レンズ７の合焦検出信号
（ＦＯ）、トラック位置検出信号（ＴＲ）及び光磁気信
号（ＭＯ）等を得る。尚、図１（ｃ）に示す例では、フ
ォトディテクタ10a，10bは光磁気信号検出用であり、ま
た、フォトディテクタ10c，10dと10e，10fはそれぞれ２
分割フォトダイオード等の分割型のフォトディテクタか
らなり、合焦検出信号、トラック位置検出信号を検出す
るためのものである。

【００１７】ところで、これらの検出信号を高Ｓ／Ｎ比
で得るためには、外部からの光（所謂外乱光）を遮光す
る必要があり、このため、光導波路型光検出器２やその
他の光学系を図１に示すようにパッケージ１内に収納す
るわけであるが、さらに検出信号を高Ｓ／Ｎ比で得るた
めには、パッケージ１内の光学系や光導波路型光検出器
２自身が発する散乱光（所謂内乱光）による不要な光が
光導波路上に作製された各フォトディテクタ１０に入ら
ないようにする必要がある。そのためには、光量が多く、自由空間中を光が通る、図１（ａ）で言
えば左半分のバルク光学系部と右上の光導波路型光検出
器２の検出部とを光学的に分離する、導波路伝搬途中で散乱された光をできる限り遮光、吸
収などによってフォトディテクタへ入らないようにす
る、光ピックアップの検出器などとして用いられる分割型
のフォトディテクタ（２分割フォトダイオード等）に対
して、隣のフォトディテクタで散乱した光の影響を受け
ないようにする（クロストークを防止する）、などを達成することが実装上の重要な課題である。

【００１８】そこで、本発明では、図１（ａ）に示すよ
うに、パッケージ１内の左半分に配置されたバルク光学
系と、右上側の光導波路型光検出器２の検出部とを光学
的に分離するための遮光板（または遮光壁）８をパッケ
ージ１に設け、この遮光板８によりバルク光学系側から
の光を遮光する。すなわち、この遮光板８が無い場合、
図２（ａ）に示すようにバルク光学系側からの光が光導
波路型光検出器２とパッケージ１内壁との隙間を伝搬し
てフォトディテクタ１０に入り込んでしまうが、遮光板
８を設けることによって、図２（ｂ）に示すように、バ
ルク光学系側からの強い光は遮光板８によって遮光さ
れ、フォトディテクタ１０へは入りにくくなる。

【００１９】また、この遮光板８を境に光導波路型光検
出器２の検出系側は、光導波路とパッケージ１内壁との
間が一旦広くなっているが、図１（ａ）に示すように、
光導波路上のフォトディテクタ１０の部分もしくはフォ
トディテクタ１０を含むフォトディテクタより大きめの
部分と対向するパッケージ壁面にはその他の壁面より突
出させてなる遮光部９が設けられており、該部の隙間が
非常に狭くなっている。このため、遮光板８から洩れて
入り込んだ散乱光や光導波路の途中から散乱した光が、
パッケージ壁と光導波路面との間で反射を繰り返しなが
らフォトディテクタ側に伝搬しても、図２（ｂ）に示す
ように、この散乱光はフォトディテクタ領域に設けた遮
光部９で遮光され、反対方向に戻されるため、フォトデ
ィテクタ１０には入り込みにくい。すなわち、図２
（ａ）のように遮光部が無くフォトディテクタ領域とパ
ッケージ壁との間隙が他の部分と同じ場合には、光導波
路からの散乱光がパッケージ壁と光導波路との間で反射
を繰り返しながらフォトディテクタに至り、フォトディ
テクタに入ってしまうが、図１（ａ）や図２（ｂ）に示
す構成にすることで、これら散乱光の影響を大幅に減ら
すことができる。

【００２０】尚、上記遮光部９は単にパッケージ１の壁
面から突出した形にするばかりでなく、さまざまな構造
を与えることで遮光性を一層高め、またフォトディテク
タ間のクロストークを減らすといった効果も得ることが
できる。次にこれについて説明する。図３は遮光部の構
成例を示す図であって、（ａ）は、パッケージ１の壁面
に、光導波路上のフォトディテクタ１０の部分もしくは
フォトディテクタ１０を含むフォトディテクタより大き
めの部分を囲むように壁状の遮光部９を設け、フォトデ
ィテクタ領域以外からの光を遮光した例である。この例
では、フォトディテクタ領域より離れたところでの散乱
光が多いときに有効であるが、フォトディテクタ１０に
入射する直前、あるいは入射時の散乱光を防ぐことはで
きない。そこでさらに遮光性を良くするためには、壁状
の遮光部を多数設けるか、図３（ｂ）のように、パッケ
ージ１の壁面の、光導波路上のフォトディテクタ１０の
部分と相対向する部分に、三角波状の表面をもつ突出し
た遮光部９を設ける。特に、図３（ｂ）のように三角波
状の表面をもつ突出した遮光部９を設けた場合には、光
は三角波状の溝内の奥に反射を繰り返しながら入り込む
ため、溝内の表面に吸収性の塗料等が塗布してあれば、
光は溝内で反射を繰り返す間にほとんど吸収され、散乱
光は消失する。尚、この構造の場合はフォトディテクタ
領域に限らず、パッケージの内壁全面を三角波状に形成
すれば、散乱光の問題がより解消される。

【００２１】ところで、光ピックアップ等で用いられる
フォトディテクタには、図１(ｃ)の10c，10d及び10e，1
0fのように、細いスリットを挾んで分割された分割型の
もの（２分割フォトダイオード等）がよく用いられる。
これらの分割型フォトディテクタは、検出部が近接して
いるため、互いの散乱光によるクロストークを生じやす
い。そこでこの場合には、近接して複数配置されている
フォトディテクタ（ＰＤ）間の分割線に沿うようにパッ
ケージ壁面から突出した遮光部を設ける。ここで、図４
はその一例を示すものであって、(ａ）はパッケージの
遮光部部分の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面に
相当する図であって光集積デバイスのフォトディテクタ
領域及びパッケージの遮光部部分の断面図、(ｃ）は
（ａ）のＢ−Ｂ’断面に相当する図であって光集積デバ
イスのフォトディテクタ領域及びパッケージの遮光部部
分の断面図である。図４に示す例は、分割フォトディテ
クタの全領域を囲むようにパッケージ壁面から突出した
枠状の遮光部９を設け、さらにこの枠状の遮光部９内
の、近接配置されているフォトディテクタ（ＰＤ）間の
分割線に沿うように板状の遮光部９ａを設けたものであ
る。このように隣接して配置されたフォトディテクタ
（ＰＤ）間の分割線に沿うように板状の遮光部９ａを設
けることにより、片方のＰＤ付近の散乱光が他方のＰＤ
に入り込むことが防止され、クロストークを大幅に減少
することができる。

【００２２】また、隣接するフォトディテクタ間のクロ
ストークを防止する別の構造例としては、図５に示すよ
うに、光導波路上の分割フォトディテクタ領域と対向す
るパッケージ壁面をその他の壁面より突出させてなる遮
光部９を形成すると共に、近接して複数配置されている
フォトディテクタ（ＰＤ）間の分割線に沿ってその対向
する遮光部壁面に三角状の凹部（溝部）９ｂを設ける。
この例は、図４(ｂ)と丁度反対の形状となるように遮光
部９を形成してクロストークを減らそうとしたものであ
る。すなわち、遮光部９の壁面に三角状の凹部（溝部）
９ｂを設けたことにより、一方のＰＤ付近から発した散
乱光は遮光部壁面の凹部（溝部）９ｂに入り込み他方の
ＰＤ側へは行きにくくなり、また遮光部９の壁面で反射
した光はそれを発したＰＤ自身が受けるようになるた
め、隣接するＰＤ間のクロストークを大幅に減少するこ
とができる。

【００２３】尚、上述した各種遮光部９の形成に加え
て、図１（ａ）に示したようなパッケージ１内の光学系
の隙間に光の吸収剤を充填すれば、散乱光の影響をより
無くすことができる。この場合は、電子回路の保護用に
使うポッティング材のような固化するものを使っても、
液状のものを使ってもよいが、この場合、光集積デバイ
スのパッシベーション膜を厚くするなどして、光導波路
の導波光がこの充填剤によって影響されないようにする
ことと、バルク光学系の光路に充填剤が充填されないよ
うにすることが必要である。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１の光集積
デバイス実装パッケージにおいては、図１に示したよう
に、光集積デバイスのフォトディテクタ領域と対向する
パッケージ壁面をその他の壁面より突出させてなる遮光
部が設けられているため、フォトディテクタと遮光部壁
面との間の隙間はフォトディテクタ領域以外の部分のパ
ッケージ壁面との隙間より狭くなり、パッケージ内の散
乱光がフォトディテクタへ入りにくくなる。このため、
光導波路光学系自身の発する散乱光を遮光することがで
き、散乱光がフォトディテクタに入り込むことを防止で
きるため、検出信号のＳ／Ｎ比を改善することができ
る。

【００２５】請求項２の光集積デバイス実装パッケージ
においては、図３（ａ）に示したように、パッケージ壁
面に、光集積デバイスのフォトディテクタ領域を囲む遮
光部を設けたことにより、パッケージ内の散乱光がフォ
トディテクタへ入りにくくなる。このため、光導波路光
学系自身の発する散乱光を遮光することができ、散乱光
がフォトディテクタに入り込むことを防止できるため、
検出信号のＳ／Ｎ比を改善することができる。

【００２６】請求項３の光集積デバイス実装パッケージ
においては、図３（ｂ）に示したように、パッケージ壁
面の、光集積デバイスのフォトディテクタ領域と相対向
する部分に、三角波状の表面をもつ突出した遮光部が形
成されているため、散乱光がフォトディテクタに入りに
くくなる。また、フォトディテクタ領域付近から発生す
る散乱光も、三角波状の壁面により散乱、吸収され、フ
ォトディテクタに戻りにくくなるため、この散乱光の影
響も少なくすることができる。したがって、散乱光の影
響を大幅に少なくすることができ、検出信号のＳ／Ｎ比
を改善することができる。

【００２７】請求項４の光集積デバイス実装パッケージ
においては、図４に示したように、光集積デバイスの近
接して複数配置されているフォトディテクタの分割線に
沿うようにパッケージ壁面から突出した遮光部が設けら
れ、フォトディテクタもしくはその近傍において発する
散乱光が隣接したフォトディテクタへクロストークする
ことを防いだ構造を有するため、散乱光の影響をより少
なくすることができ、隣接するフォトディテクタそれぞ
れの検出信号の分離が良くなり、検出信号のクロストー
クを大幅に減少することができた。

【００２８】請求項５の光集積デバイス実装パッケージ
においては、図５に示したように、光集積デバイスのフ
ォトディテクタ領域と対向するパッケージ壁面をその他
の壁面より突出させてなる遮光部を有すると共に、近接
して複数配置されているフォトディテクタの分割線に沿
ってその対向する遮光部壁面に三角状の凹部（溝部）が
設けられ、フォトディテクタもしくはその近傍において
発する散乱光が隣接したフォトディテクタへクロストー
クすることを防いだ構造を有するため、隣接するフォト
ディテクタからの散乱光の入り込みを防止することがで
き、散乱光の影響をより少なくすることができ、隣接す
るフォトディテクタそれぞれの検出信号の分離が良くな
り、検出信号のクロストークを大幅に減少することがで
きた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す光ピックアップ及びパ
ッケージの説明図であり、(ａ)は手前側のパッケージ壁
を取り除いて中の光学系配置を見せた光ピックアップの
平面図、(ｂ)は(ａ)に示す光ピックアップを右から見た
平面図、(ｃ)は(ａ)に示す光ピックアップの半導体レー
ザ３とコリメートレンズ４及びそれらを取り付けたパッ
ケージ壁を省いて下側から見たときの平面図、(ｄ)は
(ａ)に示す光導波路型光検出器２のフォトディテクタ領
域の構造例を示す断面図である。

【図２】本発明による光集積デバイス実装パッケージの
作用効果の説明図であって、(a)は遮光部が設けられて
無い場合のフォトディテクタ周辺部分を示す断面図、
(ｂ)は遮光部を設けた場合のフォトディテクタ周辺部分
を示す断面図である。

【図３】(ａ)は請求項２の一実施例を示す図であって光
集積デバイスのフォトディテクタ領域及びパッケージの
遮光部部分の断面図、(ｂ)は請求項３の一実施例を示す
図であって光集積デバイスのフォトディテクタ領域及び
パッケージの遮光部部分の断面図である。

【図４】請求項４の一実施例を示す図であって、(ａ)は
パッケージの遮光部部分の平面図、(ｂ)は(ａ)のＡ−
Ａ’断面に相当する図であって光集積デバイスのフォト
ディテクタ領域及びパッケージの遮光部部分の断面図、
(ｃ)は(ａ)のＢ−Ｂ’断面に相当する図であって光集積
デバイスのフォトディテクタ領域及びパッケージの遮光
部部分の断面図である。

【図５】請求項５の一実施例を示す図であって光集積デ
バイスのフォトディテクタ領域及びパッケージの遮光部
部分の断面図である。

【符号の説明】

１・・・パッケージ２・・・光集積デバイス（光導波路型光検出器）２ａ・・・光導波路３・・・半導体レーザ４・・・コリメートレンズ５・・・プリズムカプラ６・・・反射ミラー７・・・対物レンズ８・・・遮光板９・・・遮光部１０（10a，10b，10c，10d，10e，10f）・・・フォトデ
ィテクタ

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にフォトディテクタ及びこのフォト
ディテクタへ光を導く光導波路を備えた光集積デバイス
の保護・遮光のために該光集積デバイスの外周部を覆う
パッケージにおいて、上記光導波路上のフォトディテク
タの部分もしくはフォトディテクタを含むフォトディテ
クタより大きめの部分と対向するパッケージ壁面をその
他の壁面より突出させてなる遮光部を有し、光導波路光
学系自身の発する散乱光を遮光する機能を備えたことを
特徴とする光集積デバイス実装パッケージ。
【請求項２】基板上にフォトディテクタ及びこのフォト
ディテクタへ光を導く光導波路を備えた光集積デバイス
の保護・遮光のために該光集積デバイスの外周部を覆う
パッケージにおいて、パッケージ壁面に、上記光導波路
上のフォトディテクタの部分もしくはフォトディテクタ
を含むフォトディテクタより大きめの部分を囲む遮光部
を有し、光導波路光学系自身の発する散乱光を遮光する
機能を備えたことを特徴とする光集積デバイス実装パッ
ケージ。
【請求項３】基板上にフォトディテクタ及びこのフォト
ディテクタへ光を導く光導波路を備えた光集積デバイス
の保護・遮光のために該光集積デバイスの外周部を覆う
パッケージにおいて、パッケージ壁面の、上記光導波路
上のフォトディテクタの部分と相対向する部分に、三角
波状の表面をもつ突出した遮光部を有することで、光導
波路光学系自身の発する散乱光を遮光する機能を備えた
ことを特徴とする光集積デバイス実装パッケージ。
【請求項４】基板上にフォトディテクタ及びこのフォト
ディテクタへ光を導く光導波路を備え、フォトディテク
タが近接して複数配置されている光集積デバイスの保護
・遮光のために該光集積デバイスの外周部を覆うパッケ
ージにおいて、近接して複数配置されているフォトディ
テクタの分割線に沿うようにパッケージ壁面から突出し
た遮光部が設けられ、フォトディテクタもしくはその近
傍において発する散乱光が隣接したフォトディテクタへ
クロストークすることを防いだ構造を有することを特徴
とする光集積デバイス実装パッケージ。
【請求項５】基板上にフォトディテクタ及びこのフォト
ディテクタへ光を導く光導波路を備え、フォトディテク
タが近接して複数配置されている光集積デバイスの保護
・遮光のために該光集積デバイスの外周部を覆うパッケ
ージにおいて、上記光導波路上のフォトディテクタの部
分もしくはフォトディテクタを含むフォトディテクタよ
り大きめの部分と対向するパッケージ壁面をその他の壁
面より突出させてなる遮光部を有すると共に、近接して
複数配置されているフォトディテクタの分割線に沿って
その対向する遮光部壁面に三角状の凹部（溝部）が設け
られ、フォトディテクタもしくはその近傍において発す
る散乱光が隣接したフォトディテクタへクロストークす
ることを防いだ構造を有することを特徴とする光集積デ
バイス実装パッケージ。