JP3159248B2 - 高周波増幅装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波増幅回路の
一部を母基板とは別の回路基板上に形成した高周波増幅
装置に関し、特に母基板から２つ以上の電源端子を介し
て電力が供給される高周波増幅装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話機は、近年小型化が進んでお
り、大きなバッテリーを搭載できないので電池寿命を延
ばすために消費電力を低減することが重要な課題のひと
つとなっている。そのため、携帯電話機では、基地局か
らの距離に応じて送信電力を変化させるＡＰＣ（Ａｕｔ
ｏ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌ）機能を有してい
る。このＡＰＣ機能とは、携帯電話機が基地局に近い場
合は送信電力を低くすることで、消費電力を節約するも
のである。

【０００３】このようなＡＰＣ機能を有したアナログ携
帯電話機の構成を図６に示す。

【０００４】このアナログ携帯電話機は、インターフェ
ース部・ロジック部２９と、音声信号処理部２４と、受
信回路２５と、送信回路２８と、デュプレクサ２６と、
アンテナ２７と、高周波増幅装置７１と、電圧制御部２
１と、ＤＣ／ＤＣコンバータ２２と、電源２３とから構
成されている。

【０００５】インターフェース部・ロジック部２９は、
プッシュボタンや送・受話器（図示せず。）を介して操
作者とのやりとりをする部分で、音声信号処理部２４か
ら出力された受話音声信号を音声に変換したり送話音声
信号やダイアル信号を音声信号処理部２４へ出力する。

【０００６】音声信号処理部２４は、インターフェース
部・ロジック部２９から伝達された送話音声信号を送信
回路２８に伝達し、受信回路２５から伝達された受話音
声信号をインターフェース部・ロジック部２９に伝達す
る。

【０００７】受信回路２５は、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ Ｌ
ｏｃｋｅｄ Ｌｏｏｐ）等により構成され、アンテナ２
７により受信した受信信号をデュプレクサ２６を介して
入力し、復調して音声信号に変換して音声信号処理部２
４に出力する。

【０００８】送信回路２８もＰＬＬ等により構成され、
音声信号処理部２４から出力された音声信号で搬送波を
変調して送信信号として出力する。

【０００９】デュプレクサ２６は、高周波増幅装置７１
から出力された増幅された送信信号が受信回路２５に回
り込まないようにしながら、アンテナ２７により受信し
た受信信号を受信回路２５に伝達し、高周波増幅装置７
１から出力された増幅された送信信号をアンテナ２７に
伝達する。

【００１０】高周波増幅装置７１は、送信回路２８から
出力され入力端子１１に入力された送信信号を、２段の
増幅素子により増幅して出力端子１２に出力する。そし
て、２段の増幅素子にはそれぞれドレイン電源端子１
４、１５から電源が供給されている。

【００１１】電源２３はある一定電圧の電源をＤＣ／Ｄ
Ｃコンバータ２２および高周波増幅装置７１のドレイン
電源端子１５に供給する。

【００１２】電圧制御部２１は、図には示されていない
手段により受信回路２５によって受信された信号の電界
強度を検出することにより基地局との距離を推定し、高
周波増幅装置７１から出力される送信信号が基地局との
距離に対応した出力電力となるような指示をＤＣ／ＤＣ
コンバータ２２に出力する。

【００１３】ＤＣ／ＤＣコンバータ２２は、電源２３か
ら供給された電圧を電圧制御部２１からの指示に従い変
化させた後に高周波増幅装置７１のドレイン電源端子１
４に供給する。例えば、携帯電話機が基地局に近い場合
は、ＤＣ／ＤＣコンバータ２２の出力電圧を下げて、高
周波増幅装置７１の出力を下げる、このとき、高周波増
幅装置７１に流れる電流は少なくなり、消費電力を低減
することができる。逆に、携帯電話機が基地局から遠い
場合は、ＤＣ／ＤＣコンバータ２２の出力電圧を上げ
て、高周波増幅装置７１から最大の出力が得られるよう
にする。このため、携帯電話機が基地局から離れていて
も通話することがができる。

【００１４】次に、この高周波増幅装置７１の構成を図
７のブロック図を用いて説明する。

【００１５】この高周波増幅装置７１は、入力整合回路
２と、入力段ＦＥＴ５と、段間整合回路３と、出力段Ｆ
ＥＴ６と、出力整合回路４と、ドレインバイアスライン
７、８と、コンデンサ９、１０とから構成されている。

【００１６】入力整合回路２は、入力端子１１と入力段
ＦＥＴ５の間のインピーダンスの整合をとるための回路
である。

【００１７】入力段ＦＥＴ５は、ドレイン電源端子１４
からドレインバイアスライン７を介して供給された電源
を用いて動作し、入力整合回路２からの信号を増幅して
段間整合回路３に出力する。

【００１８】段間整合回路３は、入力段ＦＥＴ５と出力
段ＦＥＴ６の間のインピーダンスの整合をとるための回
路である。

【００１９】出力段ＦＥＴ６は、ドレイン電源端子１５
からドレインバイアスライン８を介して供給された電源
を用いて動作し、段間整合回路３からの信号を増幅して
出力整合回路４に出力する。

【００２０】出力整合回路４は、出力段ＦＥＴ６と出力
端子１２との間のインピーダンスの整合をとるための回
路である。

【００２１】ドレインバイアスライン７、８は、マイク
ロストリップラインにより構成されていて、それぞれド
レイン電源端子１４、１５から入力段ＦＥＴ５、出力段
ＦＥＴ６のドレインに電源を供給している。

【００２２】コンデンサ９、１０は、それぞれドレイン
電源端子１４、１５とグランドとの間に設けられ、ドレ
イン電源端子１４、１５をそれぞれ高周波的に接地させ
る。

【００２３】入力段ＦＥＴ５および出力段ＦＥＴ６にＧ
ａＡｓからなるＦＥＴを使用した場合、そのゲートバイ
アスとして負電圧が必要になり、ドレイン電源端子１
４、１５とは別にゲート電源端子１３を設けている。そ
して、ゲート電源端子１３から供給されたゲートバイア
スは、抵抗７２、７３により分割され入力段ＦＥＴ５の
ゲートに印加され、抵抗７４、７５により分割され出力
段ＦＥＴ６のゲートに印加されている。

【００２４】ここでは、入力段ＦＥＴ５および出力段Ｆ
ＥＴ６という２つのＦＥＴに対し、共通のゲート電源端
子１３からバイアスを供給する例を示したが、別々のゲ
ート電源端子から別々にバイアスを供給する例も知られ
ている。

【００２５】この従来の高周波増幅装置７１では、ドレ
イン電源端子１４から供給される電源電圧を変化させる
ことにより入力段ＦＥＴ５のゲインが変化し高周波増幅
装置７１としてのトータルのゲインが制御されるように
なっている（以下この方法を電源電圧可変による電力制
御方法と呼ぶ）。

【００２６】このように高周波増幅装置７１には２つの
ドレイン電源端子１４、１５が設けられているが、携帯
電話機によっては高周波増幅装置に入力する電力を制御
することによりその送信出力を制御する場合もある（以
下この方法を入力電力制御方法と呼ぶ。）。この場合に
は、ドレイン電源端子１４、１５は図８に示すように、
携帯電話機の母基板側で１つに接続され同じ電源電圧が
供給されて使用されることになる。

【００２７】通常、高周波増幅装置７１は、特公平７−
１１４３３４に開示したように、ハイブリッド構造の増
幅器モジュールに形成される。この増幅器モジュールは
半導体メーカで組み立てし、特性を調整したのち、携帯
電話機などのセットメーカに納入される。セットメーカ
では増幅器モジュールを携帯電話機などの母基板に装着
して製品を完成させている。このため、セットメーカは
個別の増幅素子を購入して、母基板上に高周波増幅回路
を形成するよりも、増幅器モジュールを購入して実装す
る方が、小型化を実現するとともに、整合回路などの調
整が不要になる。

【００２８】このように使用されると、図９に示すよう
に入力段ＦＥＴ５の高周波信号がドレインバイアスライ
ン７、８を介して出力段ＦＥＴ６に漏洩し、出力段ＦＥ
Ｔ６の高周波信号がドレインバイアスライン７、８を介
して入力段ＦＥＴ５に漏洩することにより高周波増幅装
置７１の高周波特性が悪化してしまう。この不具合の発
生を防止するため、従来の高周波増幅装置では、ドレイ
ンバイアスライン７、８の長さをλ／４としたり、特公
平７−１１４３３４に示すように、増幅器モジュールの
外部にλ／４のバイアスラインやチョークコイルを電源
と各電源端子間ごとに設け、入力段ＦＥＴ５および出力
段ＦＥＴ６のそれぞれからの高周波信号の漏れを防ぐよ
うにしている。

【００２９】しかし、携帯電話機の小型化に伴い高周波
増幅装置のサイズも小型化が要求され、現在では図１０
に示すような１０×１０ｍｍのサイズとなっている。そ
して、その中心には入力段ＦＥＴ５と出力段ＦＥＴ６を
含むパワーデバイス素子１０１が設けられていて、その
周辺にチップ抵抗、チップコンデンサ等の他の素子およ
びマイクロストリップラインやパターン、スルーホール
などが設けられている。

【００３０】携帯電話機では約１ＧＨｚの周波数が使用
されており、λ／４は約３０ｍｍの長さになる。ストリ
ップラインの幅を０．２ｍｍで、ラインとラインの間隔
を０．２ｍｍとした場合に、２つのドレインバイアスラ
イン７、８を形成するためには１２ｍｍ²の面積が必要
になる。その結果、高周波増幅装置７１の基板面積が増
大して、携帯電話機の小型化を阻害したり、多層の回路
基板を使うことになり、高周波増幅装置７１のコストを
上昇させてしまう。このような理由により、ドレインバ
イアスライン７、８を１／４λ以上確保することは困難
となり、λ／８〜λ／１０程度の長さしか確保すること
ができなくなっている。このため、入力段ＦＥＴ５およ
び出力段ＦＥＴ６から高周波信号が漏洩し、ドレイン電
源端子１４、１５間のアイソレーションが悪化してしま
っている。

【００３１】これを解決するため、特開平８−５１３２
７号公報には、電源端子からの高周波信号の漏洩を低減
してマイクロストリップラインの長さがλ／８しかない
場合でも高周波特性を保つという発明が記載されてい
る。この例では電源端子と入力段ＦＥＴとの間にコイル
を設け、入力段ＦＥＴと出力段ＦＥＴのドレインバイア
スラインの間にコンデンサとコイルを設け高周波の漏洩
を低減しようとするものである。しかし、電源端子がモ
ジュールから１本しか設けられていないので電源電圧を
変えて出力電圧をかえるような携帯電話機には使用する
ことができない。

【００３２】

【発明が解決しようとする課題】ドレインバイアスライ
ン７、８の長さがλ／４であると、増幅素子である入力
段ＦＥＴ５および出力段ＦＥＴ６のドレインからドレイ
ン電源端子１４、１５を見たインピーダンスは無限大で
あるが、ドレインバイアスライン７、８にλ／４の長さ
を確保することができないと、ドレインからドレイン電
源端子１４、１５を見たインピーダンスは有限の値とな
る。このため、高周波増幅装置７１の外部でドレイン電
源端子１４、１５に接続されるインピーダンスの影響が
ドレインに及ぶことになる。例えば、半導体メーカで図
７に示すようにドレイン電源端子１４、１５に個別に電
力を供給しながら、高周波増幅装置７１の各整合回路を
調整して出荷しても、携帯電話機などのセットメーカ
で、図９に示すように、高周波増幅装置７１のドレイン
電源端子１４とドレイン電源端子１５とを導体パターン
で電源２３と接続するような使い方をすると、整合回路
が初期の設定状態から著しくずれてしまい、当初の特性
が得られないことになる。さらに、出力段ＦＥＴ６の出
力がドレインバイアスライン８とドレインバイアスライ
ン７を介して前段に戻って、入力段ＦＥＴ５の出力と干
渉したり、入力段ＦＥＴ５の出力がドレインバイアスラ
イン７とドレインバイアスライン８を介して後段に伝わ
り、出力段ＦＥＴ６の出力と干渉して、特性を劣化させ
ることもあった。

【００３３】本発明の第１の目的は、２つの電源端子を
有する高周波増幅装置を、モジュール単体で最良の特性
が得られるように調整したものを、セットに組み込んで
も良好な特性を維持できるようにすることである。

【００３４】本発明の第２の目的は、２つのドレイン電
源端子が外部で接続されて使用された場合でも高周波特
性が劣化することがない高周波増幅装置を提供すること
である。

【００３５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の高周波増幅装置は、入力端子から入
力された信号を増幅して出力する入力段増幅素子と、前
記入力段増幅素子から出力された信号を増幅して出力端
子に出力する出力段増幅素子と、前記入力段増幅素子に
マイクロストリップラインを介して電源を供給する第１
の電源端子と、前記出力段増幅素子に前記マイクロスト
リップラインとは異なるマイクロストリップラインを介
して電源を供給する第２の電源端子とを有する高周波増
幅装置において、前記第１の電源端子と前記第２の電源
端子が交流的に接続されたことを特徴とする。

【００３６】本発明は、第１および第２の電源端子間を
内部で交流的に接続しておくことにより、予め高周波信
号の漏洩を発生させておき、その状態で高周波信号の漏
洩の影響を含めた回路のマッチングをとる。

【００３７】したがって、本発明の高周波増幅装置を入
力電力制御方法を用いる携帯電話機に搭載した場合でも
高周波特性が劣化することがない。

【００３８】請求項２記載の高周波増幅装置は、前記第
１の電源端子と前記第２の電源端子を交流的に接続する
手段が、コンデンサである。

【００３９】請求項３記載の高周波増幅装置は、前記第
１の電源端子と前記第２の電源端子を交流的に接続する
手段が、コンデンサと抵抗を直列に接続した回路であ
る。

【００４０】本発明は、コンデンサと抵抗によりダンピ
ング回路を形成して入力段増幅素子および出力段増幅素
子間の特定の周波数領域の高周波信号の漏洩を低減する
ようにしたものである。

【００４１】また、請求項４記載の高周波増幅装置は、
前記第１の電源端子と前記第２の電源端子を交流的に接
続する手段が、第１のコンデンサとコイルとを直列に接
続した回路と並列に、第２のコンデンサを並列に接続し
た回路である。

【００４２】本発明は、コイルと第２のコンデンサによ
り並列共振回路を形成することにより入力段増幅素子お
よび出力段増幅素子間の特定の周波数領域の高周波信号
の漏洩を低減するようにしたものである。

【００４３】また、請求項５記載の高周波増幅装置は、
前記入力段増幅素子に電源を供給するためのマイクロス
トリップラインと前記第１の電源端子との間にコイルを
設けたものである。

【００４４】本発明は、マイクロストリップラインと前
記第１の電源端子との間に設けたコイルにより入力段増
幅素子および出力段増幅素子間の高周波信号の漏洩を低
減するようにしたものである。

【００４５】また、請求項６記載の高周波増幅装置は、
入力端子から入力された信号を増幅して出力する入力段
増幅素子と、前記入力段増幅素子から出力された信号を
増幅して出力端子に出力する出力段増幅素子と、前記入
力段増幅素子にマイクロストリップラインを介して電源
を供給する第１の電源端子と、前記出力段増幅素子に前
記マイクロストリップラインとは異なるマイクロストリ
ップラインを介して電源を供給する第２の電源端子とを
有する高周波増幅装置において、前記第１の電源端子と
前記第２の電源端子とが、コイルで直流的に接続された
ことを特徴とする。

【００４６】また、請求項７記載の高周波増幅装置は、
入力端子から入力された信号を増幅して出力する入力段
増幅素子と、前記入力段増幅素子から出力された信号を
増幅して出力端子に出力する出力段増幅素子と、前記入
力段増幅素子にマイクロストリップラインを介して電源
を供給する第１の電源端子と、前記出力段増幅素子に前
記マイクロストリップラインとは異なるマイクロストリ
ップラインを介して電源を供給する第２の電源端子とを
有する高周波増幅装置において、前記第１の電源端子と
前記第２の電源端子とが、実質的に０Ωのチップ抵抗で
直流的に接続されたことを特徴とする。

【００４７】本発明は、高周波増幅装置を搭載する携帯
電話機の出力電力の制御方法が高周波増幅装置への入力
電力を制御する方法のみである場合に電源端子間を直流
的に接続するようにしたものである。

【００４８】したがって、交流的に接続するよりも使用
する部品を少なくすることができる。

【００４９】また、他の実装面積を確保したままで請求
項１記載の発明と同様な効果を得ることができる。

【００５０】さらに、請求項６記載の高周波増幅装置の
ように、第１および第２の電源端子間にコイルを設ける
ようにすれば高周波信号の漏洩を低減することができ
る。

【００５１】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。

【００５２】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態の高周波増幅装置１の構成を示したブロック図
である。図７中と同番号は同じ構成要素を示す。

【００５３】本実施形態の高周波増幅装置１は、図７の
従来の高周波増幅装置７１に対して、ドレイン電源端子
１４、１５をマイクロストリップライン１６、１７を介
してコンデンサ１８で交流的に接続したものである。

【００５４】このコンデンサ１８は、例えば１０００ｐ
Ｆ程度の容量の素子で、高周波増幅装置１を使用する周
波数帯においてドレイン電源端子１４、１５を高周波的
にショートすることができればよい。

【００５５】本実施形態は、コンデンサ１８を用いてド
レイン電源端子１４、１５を内部で接続しておくことに
より、ドレイン電源端子１４と１５とを高周波増幅装置
１の外部で直接接続するような使い方を想定して、整合
回路などの調整をすることができる。

【００５６】そのため、この高周波増幅装置１を入力電
力制御方法を用いる携帯電話機に搭載した場合でも電源
供給方法の違いによって高周波特性が劣化することがな
く、高周波増幅装置１を単体で調整したときの特性を維
持できる。

【００５７】また、本実施形態では、ドレイン電源端子
１４、１５間をコンデンサ１８によって交流的に接続し
たため直流的にはオープンの状態である。そのため、本
実施形態の高周波増幅装置１は、ドレイン電源端子１４
に入力される電圧を制御することにより入力段ＦＥＴ５
のゲインの制御を行う機能を損なうことはない。また、
チップコンデンサが１つ増えるだけなので、ドレインバ
イアスライン７、８の長さをλ／４とした場合のパター
ンと比較して少ない面積とすることができる。

【００５８】（第２の実施形態）図２は本発明の第２の
実施形態の高周波増幅装置２１の構成を示したブロック
図である。図１中と同番号は同じ構成要素を示す。

【００５９】本実施形態の高周波増幅装置２１は、図１
の第１の実施形態の高周波増幅装置１に対してドレイン
バイアスライン７とドレイン電源端子１４との間にコイ
ル１９を設けたものである。

【００６０】本実施形態は、上記第１の実施形態と同様
な効果が得られるものであるが、その効果に加えて入力
段ＦＥＴ５と出力段ＦＥＴ６の間のインピーダンスが、
ドレイン７、８の長さをλ／４とした場合のインピーダ
ンスに近づくので高周波信号の漏洩や干渉を低減するこ
とができる。

【００６１】（第３の実施形態）図３は本発明の第３の
実施形態の高周波増幅装置３１の構成を示したブロック
図である。図１中と同番号は同じ構成要素を示す。

【００６２】本実施形態の高周波増幅装置３１は、図１
の第１の実施形態の高周波増幅装置１に対して、コンデ
ンサ１８とマイクロストリップライン１７との間に抵抗
３２を設けたものである。

【００６３】そして、抵抗３２の抵抗値は、ドレイン電
源端子１４、１５を結ぶマイクロストリップライン１
６、１７の特性インピーダンスよりも低い値となるよう
に設定する。

【００６４】本実施形態は、抵抗３２とコンデンサ９、
１０、１８によりダンピング回路を形成するようにし、
上記第１の実施形態で得られる効果に加えてドレインバ
イアスライン７、８を介して漏洩する特定の周波数領域
の高周波信号を低減することができる。

【００６５】（第４の実施形態）図４は本発明の第４の
実施形態の高周波増幅装置４１の構成を示したブロック
図である。図１、３中と同番号は同じ構成要素を示す。

【００６６】本実施形態の高周波増幅装置４１は、図３
の第３の実施形態の高周波増幅装置３１に対して、コン
デンサ１８の代わりにコンデンサ４３とコイル４４を直
列に接続し、このコンデンサ４３とコイル４４と並列に
コンデンサ４２を設けたものである。

【００６７】本実施形態は、コイル４４とコンデンサ４
２により並列共振回路を形成することにより上記第３の
実施形態と同様に、ドレインバイアスライン７、８を介
して漏洩する特定の周波数領域の高周波信号を低減する
とともにコンデンサ４３を設けて、直流を阻止すること
により上記第１の実施形態と同様な効果を得るようにし
たものである。

【００６８】（第５の実施形態）図５は本発明の第５の
実施形態の高周波増幅装置５１の構成を示したブロック
図である。図１中と同番号は同じ構成要素を示す。

【００６９】本実施形態の高周波増幅装置５１は、図１
の第１の実施形態の高周波増幅装置１に対して、コンデ
ンサ１８を用いずに、ドレイン電源端子１４とドレイン
電源端子１５との間をマイクロストリップライン５２で
直流的に接続したものである。

【００７０】このように直流的に接続するとドレイン電
源端子１４から入力する電源電圧を変化させて出力電力
を制御する方法を用いる携帯電話機にはこの高周波増幅
装置５１は使用することができない。しかし、高周波増
幅装置を搭載する携帯電話機の出力電力の制御方法が高
周波増幅装置への入力電力制御方法のみである場合には
ドレイン電源端子１４、１５間を直流的に接続しても動
作上の問題は無い。そして、本実施形態のようにマイク
ロストリップライン５２でドレイン電源端子１４、１５
間を直流的にショートしても、図１の第１の実施形態の
高周波増幅装置１の様に交流的にドレイン電源端子１４
とドレイン電源端子１５との間をショートしたのと同様
な効果を得ることができる。

【００７１】そして、本実施形態は、第１の実施形態と
同様な効果を得るとともにコンデンサ１８分の実装面積
を少なくし、他の部品の実装面積を確保することができ
る。本実施形態では、ドレイン電源端子１４、１５間を
マイクロストリップライン５２で直流的に接続したがコ
イルを用いて接続するこようにすれば高周波信号の漏洩
をさらに低減することができる。

【００７２】また、上記第３〜第５の実施形態におい
て、図２の第２の実施形態と同様にドレインバイアスラ
イン７とドレイン電源端子１４との間にコイルを設ける
ようにすれば高周波信号の漏洩をさらに低減することが
できる。

【００７３】上記第１〜第５の実施形態では、増幅素子
としてＦＥＴを用いた場合について説明したが、本発明
はこれに限定されるものではなく他の素子を増幅素子と
して用いた場合にも適用することができるものである。

【００７４】また、高周波増幅装置を形成する回路パタ
ーンを予め準備しておき、電源端子間をコンデンサで接
続するか、コイルや０Ωのチップ抵抗で接続するかを製
造工程で選択することで、上記第１〜第５の実施形態で
説明した構成に対応でき、回路基板の製造コストや管理
コストを低減できる。

【００７５】また、セットメーカ側では、携帯電話機な
どのセットが、電源電圧可変による電力制御方法であっ
ても、入力電力制御方法であっても、同一の外形で、同
一の端子配列を有する高周波増幅装置を使用できるの
で、セットの母基板の設計を標準化することができ、結
果的にコストを低減できる。

【００７６】

【発明の効果】２つの増幅素子を内臓し、各増幅素子に
別々に電源端子と、この電源端子に接続されたマイクロ
ストリップラインを介して電源電力を供給するようにし
た高周波増幅装置において、マイクロストリップライン
の長さがλ／４以下であっても、電源端子間を交流的に
接続しておくことにより、出荷前に高周波増幅装置単体
で最適な特性が得られるように調整した状態が、セット
に組み込んでも維持できる。しかも電源端子間は直流的
に遮断されているので、電源電圧可変による電力制御方
法を採用するセットに使用しても、その機能は損なわれ
ることはない。

【００７７】また、マイクロストリップラインと電源端
子との間にチョークコイルを挿入することにより、増幅
素子間の信号干渉を低減することができ、電源端子間を
接続したことによる特性劣化を低減できる。

【００７８】さらに、高周波増幅装置を同一の回路パタ
ーンデータ構成し、電源端子間を交流的に接続するか、
直流的に接続するかを搭載部品の選択で容易に変更する
ことができるので、回路基板の製造コストや管理コスト
を低減できる。

【００７９】また、携帯電話機などのセットが、電源電
圧可変による電力制御方法であっても、入力電圧制御方
法であっても、同一の外形で、同一の端子配列を有する
高周波増幅装置を使用できるので、セットの母基板の設
計を標準化することができ、結果的に製造コストを低減
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の高周波増幅装置１の
構成を示したブロック図である。

【図２】本発明の第２の実施形態の高周波増幅装置２１
の構成を示したブロック図である。

【図３】本発明の第３の実施形態の高周波増幅装置３１
の構成を示したブロック図である。

【図４】本発明の第４の実施形態の高周波増幅装置４１
の構成を示したブロック図である。

【図５】本発明の第５の実施形態の高周波増幅装置５１
の構成を示したブロック図である。

【図６】アナログ携帯電話の構成を示したブロック図で
ある。

【図７】従来の高周波増幅装置７１の構成を示したブロ
ック図である。

【図８】図７の高周波増幅装置７１に１つの電源２３か
ら電圧を供給した場合の携帯電話の構成を示したブロッ
ク図である。

【図９】図７の高周波増幅装置７１の高周波信号の漏洩
経路を示すための図である。

【図１０】高周波増幅装置の具体的なパターンおよび外
形を示すための図である。

【符号の説明】

１ 高周波増幅装置 ２ 入力整合回路 ３ 段間整合回路 ４ 出力整合回路 ５ 入力段ＦＥＴ ６ 出力段ＦＥＴ ７、８ ドレインバイアスライン ９、１０ コンデンサ １１ 入力端子 １２ 出力端子 １３ ゲート電源端子 １４、１５ ドレイン電源端子 １６、１７ マイクロストリップライン １８ コンデンサ １９ コイル ２２ ＤＣ／ＤＣコンバータ ２３ 電源 ２４ 音声信号処理部 ２５ 受信回路 ２６ デュプレクサ ２７ アンテナ ２８ 送信回路 ３１ 高周波増幅装置 ３２ 抵抗 ３３ コンデンサ ４１ 高周波増幅装置 ４２ コンデンサ ４３ コンデンサ ４４ コイル ５１ 高周波増幅装置 ５２ マイクロストリップライン ７１ 高周波増幅装置 ７２〜７５ 抵抗 １０１ パワーデバイス素子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H03F 3/60

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入力端子から入力された信号を増幅して
   出力する入力段増幅素子と、 前記入力段増幅素子から出力された信号を増幅して出力
   端子に出力する出力段増幅素子と、 前記入力段増幅素子にマイクロストリップラインを介し
   て電源を供給する第１の電源端子と、 前記出力段増幅素子に前記マイクロストリップラインと
   は異なるマイクロストリップラインを介して電源を供給
   する第２の電源端子とを有する高周波増幅装置におい
   て、 前記第１の電源端子と前記第２の電源端子が交流的に接
   続されたことを特徴とする高周波増幅装置。
2. 【請求項２】 前記第１の電源端子と前記第２の電源端
   子を交流的に接続する手段が、コンデンサである請求項
   １記載の高周波増幅装置。
3. 【請求項３】 前記第１の電源端子と前記第２の電源端
   子を交流的に接続する手段が、コンデンサと抵抗を直列
   に接続した回路である請求項１記載の高周波増幅装置。
4. 【請求項４】 前記第１の電源端子と前記第２の電源端
   子を交流的に接続する手段が、第１のコンデンサとコイ
   ルとを直列に接続した回路と並列に、第２のコンデンサ
   を並列に接続した回路である請求項１記載の高周波増幅
   装置。
5. 【請求項５】 前記入力段増幅素子に電源を供給するた
   めのマイクロストリップラインと前記第１の電源端子と
   の間にコイルを設けた請求項１から４のいずれか１項記
   載の高周波増幅装置。
6. 【請求項６】 入力端子から入力された信号を増幅して
   出力する入力段増幅素子と、 前記入力段増幅素子から出力された信号を増幅して出力
   端子に出力する出力段増幅素子と、 前記入力段増幅素子にマイクロストリップラインを介し
   て電源を供給する第１の電源端子と、 前記出力段増幅素子に前記マイクロストリップラインと
   は異なるマイクロストリップラインを介して電源を供給
   する第２の電源端子とを有する高周波増幅装置におい
   て、 前記第１の電源端子と前記第２の電源端子とが、コイル
   で直流的に接続されたことを特徴とする高周波増幅装
   置。
7. 【請求項７】 入力端子から入力された信号を増幅して
   出力する入力段増幅素子と、 前記入力段増幅素子から出力された信号を増幅して出力
   端子に出力する出力段増幅素子と、 前記入力段増幅素子にマイクロストリップラインを介し
   て電源を供給する第１の電源端子と、 前記出力段増幅素子に前記マイクロストリップラインと
   は異なるマイクロストリップラインを介して電源を供給
   する第２の電源端子とを有する高周波増幅装置におい
   て、 前記第１の電源端子と前記第２の電源端子とが、実質的
   に０Ωのチップ抵抗で直流的に接続されたことを特徴と
   する 高周波増幅装置。