JP3158701B2 - 過電流保護機能付ｍｏｓ型トランジスタ - Google Patents
過電流保護機能付ｍｏｓ型トランジスタInfo
- Publication number
- JP3158701B2 JP3158701B2 JP23433892A JP23433892A JP3158701B2 JP 3158701 B2 JP3158701 B2 JP 3158701B2 JP 23433892 A JP23433892 A JP 23433892A JP 23433892 A JP23433892 A JP 23433892A JP 3158701 B2 JP3158701 B2 JP 3158701B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load
- mosfet
- voltage
- capacitor
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、過電流保護機能付Ｍ
ＯＳ型トランジスタに関する。
ＯＳ型トランジスタに関する。
【０００２】
【従来技術】従来の過電流保護機能付ＭＯＳ型トランジ
スタとしては、例えば、図８に記載されているものがあ
り、以下図８に従って説明する。
スタとしては、例えば、図８に記載されているものがあ
り、以下図８に従って説明する。
【０００３】まず構成を説明する。
【０００４】ＭＯＳＦＥＴ８０１とＭＯＳＦＥＴ８０３
とのドレインは共に負荷１１１の一端に接続され、負荷
１１１の他端は電源に接続されている。またＭＯＳＦＥ
Ｔ８０１とＭＯＳＦＥＴ８０３のゲートは共に入力抵抗
８０５の一端ｂに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ８０１
のソースは接地され、ＭＯＳＦＥＴ８０３のソースは抵
抗８０９を介して接地されている。
とのドレインは共に負荷１１１の一端に接続され、負荷
１１１の他端は電源に接続されている。またＭＯＳＦＥ
Ｔ８０１とＭＯＳＦＥＴ８０３のゲートは共に入力抵抗
８０５の一端ｂに接続されている。ＭＯＳＦＥＴ８０１
のソースは接地され、ＭＯＳＦＥＴ８０３のソースは抵
抗８０９を介して接地されている。
【０００５】ここで、ＭＯＳＦＥＴ８０１は多数のＭＯ
ＳＦＥＴが並列に接続されたパワーＭＯＳＦＥＴであ
る。また、ＭＯＳＦＥＴ８０３はＭＯＳＦＥＴ８０１よ
りもセル数の少ないＭＯＳＦＥＴであり、ＭＯＳＦＥＴ
８０３のドレイン・ソース間には、ＭＯＳＦＥＴ８０１
のドレイン・ソース間に流れる電流に比例した小さな電
流が流れる。つまり、ＭＯＳＦＥＴ８０３はＭＯＳＦＥ
Ｔ８０１のカレントミラーになっている。
ＳＦＥＴが並列に接続されたパワーＭＯＳＦＥＴであ
る。また、ＭＯＳＦＥＴ８０３はＭＯＳＦＥＴ８０１よ
りもセル数の少ないＭＯＳＦＥＴであり、ＭＯＳＦＥＴ
８０３のドレイン・ソース間には、ＭＯＳＦＥＴ８０１
のドレイン・ソース間に流れる電流に比例した小さな電
流が流れる。つまり、ＭＯＳＦＥＴ８０３はＭＯＳＦＥ
Ｔ８０１のカレントミラーになっている。
【０００６】ＭＯＳＦＥＴ８０７のドレインはＭＯＳＦ
ＥＴ８０１及び８０３のゲートに接続され、ＭＯＳＦＥ
Ｔ８０７のゲートはＭＯＳＦＥＴ８０３のソースに接続
され、ＭＯＳＦＥＴ８０７のソースは接地されている。
ＥＴ８０１及び８０３のゲートに接続され、ＭＯＳＦＥ
Ｔ８０７のゲートはＭＯＳＦＥＴ８０３のソースに接続
され、ＭＯＳＦＥＴ８０７のソースは接地されている。
【０００７】次に作用を説明する。
【０００８】入力抵抗８０５の他端（図８中の端子ａ）
に所定の電圧を印加すると、ＭＯＳＦＥＴ８０１のゲー
ト及び８０３のゲートに前記所定の電圧が印加され、Ｍ
ＯＳＦＥＴ８０１及び８０３が共に導通状態となり（以
下、非導通状態から導通状態へ変わることをターンオ
ン、その反対をターンオフという）、負荷１１１に電流
が流れる。
に所定の電圧を印加すると、ＭＯＳＦＥＴ８０１のゲー
ト及び８０３のゲートに前記所定の電圧が印加され、Ｍ
ＯＳＦＥＴ８０１及び８０３が共に導通状態となり（以
下、非導通状態から導通状態へ変わることをターンオ
ン、その反対をターンオフという）、負荷１１１に電流
が流れる。
【０００９】負荷１１１の異常によりＭＯＳＦＥＴ８０
１のドレイン・ソース間に流れる電流が大きくなり、そ
れと共にＭＯＳＦＥＴ８０３のドレイン・ソース間に流
れる電流が大きくなると、抵抗８０９により発生する電
圧すなわちＭＯＳＦＥＴ８０７のゲート電圧が高くな
る。この電圧が、ＭＯＳＦＥＴ８０１・８０３のゲート
電圧つまりＭＯＳＦＥＴ８０７のドレイン電圧より、Ｍ
ＯＳＦＥＴ８０７がターンオンする電圧分以上高くなる
と、ＭＯＳＦＥＴ８０７がターンオンする。それによっ
て、端子ａから抵抗８０５及びＭＯＳＦＥＴ８０７を通
ってグランドへ電流が流れる。このとき、抵抗８０５に
よる電圧降下があるため入力抵抗の一端ｂつまりＭＯＳ
ＦＥＴ８０１、８０３のゲート電圧が下がる。
１のドレイン・ソース間に流れる電流が大きくなり、そ
れと共にＭＯＳＦＥＴ８０３のドレイン・ソース間に流
れる電流が大きくなると、抵抗８０９により発生する電
圧すなわちＭＯＳＦＥＴ８０７のゲート電圧が高くな
る。この電圧が、ＭＯＳＦＥＴ８０１・８０３のゲート
電圧つまりＭＯＳＦＥＴ８０７のドレイン電圧より、Ｍ
ＯＳＦＥＴ８０７がターンオンする電圧分以上高くなる
と、ＭＯＳＦＥＴ８０７がターンオンする。それによっ
て、端子ａから抵抗８０５及びＭＯＳＦＥＴ８０７を通
ってグランドへ電流が流れる。このとき、抵抗８０５に
よる電圧降下があるため入力抵抗の一端ｂつまりＭＯＳ
ＦＥＴ８０１、８０３のゲート電圧が下がる。
【００１０】このために、ＭＯＳＦＥＴ８０１のドレイ
ン・ソース間に過電流が流れることがなく、ＭＯＳＦＥ
Ｔ８０１の破壊を防止することができる。
ン・ソース間に過電流が流れることがなく、ＭＯＳＦＥ
Ｔ８０１の破壊を防止することができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の過電流保護機能付ＭＯＳ型トランジスタにお
いては、負荷１１１として起動時に抵抗が低いもの、例
えばランプの場合、ＭＯＳＦＥＴ８０１がターンオンし
た瞬間は、まだランプ内のフィラメントが冷えていてフ
ィラメントの電気抵抗が低い状態なので、過電流（ラッ
シュ電流）がフィラメント及びＭＯＳＦＥＴ８０１のド
レイン・ソース間に流れる。この過電流に比例した大き
さの電流がＭＯＳＦＥＴ８０３のドレイン・ソース間に
も流れるため、過電流保護回路を構成するＭＯＳＦＥＴ
８０７がターンオンしてしまいＭＯＳＦＥＴ８０１のゲ
ート電圧を下げ、フィラメントに流れる電流を小さくし
てしまう。このために、ランプ内のフィラメントの温度
の上昇が遅くなってしまい、ランプが発光するまでに時
間がかかってしまうという問題点があった。
うな従来の過電流保護機能付ＭＯＳ型トランジスタにお
いては、負荷１１１として起動時に抵抗が低いもの、例
えばランプの場合、ＭＯＳＦＥＴ８０１がターンオンし
た瞬間は、まだランプ内のフィラメントが冷えていてフ
ィラメントの電気抵抗が低い状態なので、過電流（ラッ
シュ電流）がフィラメント及びＭＯＳＦＥＴ８０１のド
レイン・ソース間に流れる。この過電流に比例した大き
さの電流がＭＯＳＦＥＴ８０３のドレイン・ソース間に
も流れるため、過電流保護回路を構成するＭＯＳＦＥＴ
８０７がターンオンしてしまいＭＯＳＦＥＴ８０１のゲ
ート電圧を下げ、フィラメントに流れる電流を小さくし
てしまう。このために、ランプ内のフィラメントの温度
の上昇が遅くなってしまい、ランプが発光するまでに時
間がかかってしまうという問題点があった。
【００１２】この発明は前述した課題を解決すべくなさ
れたもので、負荷の起動時には過電流保護機能の効果を
消して負荷を迅速に起動させ、なおかつ負荷が定常状態
のときには過電流保護を行うことのできる過電流保護機
能付ＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的として
いる。
れたもので、負荷の起動時には過電流保護機能の効果を
消して負荷を迅速に起動させ、なおかつ負荷が定常状態
のときには過電流保護を行うことのできる過電流保護機
能付ＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的として
いる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
め、請求項１に記載された発明は、図１のクレーム対応
図に示されるように、負荷１１１を駆動させる第１のＭ
ＯＳ型トランジスタ１０１と、該第１のＭＯＳ型トラン
ジスタ１０１とドレイン及びゲートがそれぞれ共通に接
続され、前記第１のＭＯＳ型トランジスタ１０１よりセ
ル数の少ないカレントミラー用の第２のＭＯＳ型トラン
ジスタ１０３と、前記第１及び第２のＭＯＳ型トランジ
スタのゲートに一端が接続され、他端に電圧が印加され
る入力抵抗１０５と、少なくとも前記第２のＭＯＳ型ト
ランジスタ１０３のソースに接続され、前記第２のＭＯ
Ｓ型トランジスタ１０３のソースの電位が所定値以上に
なったときに前記入力抵抗を介して前記第１及び第２の
ＭＯＳ型トランジスタのゲートに印加される電圧を低下
させる保護手段１０７と、前記入力抵抗１０５に電気的
に並列接続されたコンデンサ１０９とから過電流保護機
能付ＭＯＳ型トランジスタを構成した。
め、請求項１に記載された発明は、図１のクレーム対応
図に示されるように、負荷１１１を駆動させる第１のＭ
ＯＳ型トランジスタ１０１と、該第１のＭＯＳ型トラン
ジスタ１０１とドレイン及びゲートがそれぞれ共通に接
続され、前記第１のＭＯＳ型トランジスタ１０１よりセ
ル数の少ないカレントミラー用の第２のＭＯＳ型トラン
ジスタ１０３と、前記第１及び第２のＭＯＳ型トランジ
スタのゲートに一端が接続され、他端に電圧が印加され
る入力抵抗１０５と、少なくとも前記第２のＭＯＳ型ト
ランジスタ１０３のソースに接続され、前記第２のＭＯ
Ｓ型トランジスタ１０３のソースの電位が所定値以上に
なったときに前記入力抵抗を介して前記第１及び第２の
ＭＯＳ型トランジスタのゲートに印加される電圧を低下
させる保護手段１０７と、前記入力抵抗１０５に電気的
に並列接続されたコンデンサ１０９とから過電流保護機
能付ＭＯＳ型トランジスタを構成した。
【００１４】
【作用】請求項１に記載の発明においては、負荷１１１
を駆動させるために入力抵抗１０５の他端に電圧を入力
すると、該電圧は、第１及び第２のＭＯＳ型トランジス
タのゲートに印加され負荷が起動される。負荷の起動時
には、負荷にラッシュ電流が流れるため、第１のＭＯＳ
型トランジスタ１０１のドレイン・ソース間にも定常電
流より大きな電流（ラッシュ電流）が流れる。
を駆動させるために入力抵抗１０５の他端に電圧を入力
すると、該電圧は、第１及び第２のＭＯＳ型トランジス
タのゲートに印加され負荷が起動される。負荷の起動時
には、負荷にラッシュ電流が流れるため、第１のＭＯＳ
型トランジスタ１０１のドレイン・ソース間にも定常電
流より大きな電流（ラッシュ電流）が流れる。
【００１５】第１のＭＯＳ型トランジスタ１０１のドレ
イン・ソース間に大きな電流が流れることで、第１のＭ
ＯＳ型トランジスタ１０１のカレントミラーである第２
のＭＯＳ型トランジスタ１０３のドレイン・ソース間に
も前記大きな電流に比例した大きさの電流が流れる。そ
して、第２のＭＯＳ型トランジスタ１０３のソースの電
位が所定値以上になると保護手段が作動する。しかし、
入力抵抗１０５の他端に電圧が入力されたときにはコン
デンサ１０９は見かけ上ショートした状態とほぼ等価と
なっているので入力抵抗１０５には電流が流れず、この
入力抵抗１０５による電圧降下がない。そのため、保護
手段が作動しても入力抵抗１０５の他端に入力された電
圧がコンデンサ１０９を介して入力抵抗１０５の一端つ
まり第１及び第２のＭＯＳ型トランジスタのゲートに印
加されているため、第１のＭＯＳ型トランジスタ１０１
のドレイン・ソース間にラッシュ電流を流すに充分な電
圧をゲートに供給することができる。従って、負荷１１
１の起動時にはラッシュ電流が流れるので、負荷１１１
を迅速に起動することができる。
イン・ソース間に大きな電流が流れることで、第１のＭ
ＯＳ型トランジスタ１０１のカレントミラーである第２
のＭＯＳ型トランジスタ１０３のドレイン・ソース間に
も前記大きな電流に比例した大きさの電流が流れる。そ
して、第２のＭＯＳ型トランジスタ１０３のソースの電
位が所定値以上になると保護手段が作動する。しかし、
入力抵抗１０５の他端に電圧が入力されたときにはコン
デンサ１０９は見かけ上ショートした状態とほぼ等価と
なっているので入力抵抗１０５には電流が流れず、この
入力抵抗１０５による電圧降下がない。そのため、保護
手段が作動しても入力抵抗１０５の他端に入力された電
圧がコンデンサ１０９を介して入力抵抗１０５の一端つ
まり第１及び第２のＭＯＳ型トランジスタのゲートに印
加されているため、第１のＭＯＳ型トランジスタ１０１
のドレイン・ソース間にラッシュ電流を流すに充分な電
圧をゲートに供給することができる。従って、負荷１１
１の起動時にはラッシュ電流が流れるので、負荷１１１
を迅速に起動することができる。
【００１６】
【実施例】以下、図２の回路図に従って、この発明の第
１実施例を説明する。
１実施例を説明する。
【００１７】まず構成を説明する。
【００１８】１１１は負荷であり、例えば車両のルーム
ランプである。２０１は負荷１１１を駆動させるため多
数のＭＯＳＦＥＴが並列に接続された、第１のＭＯＳ型
トランジスタとしてのＭＯＳＦＥＴである。２０３はＭ
ＯＳＦＥＴ２０１よりもセル数の少ない、第２のＭＯＳ
型トランジスタとしてのＭＯＳＦＥＴであり、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０１のカレントミラー用として使用される。２０
７はバイポーラ・トランジスタであり、２０９は抵抗で
ある。（このバイポーラ・トランジスタ２０７と抵抗２
０９とで、請求項１に記載された保護手段が構成され
る。）２０５は入力抵抗である。この入力抵抗２０５
は、バイポーラト・ランジスタ２０７が導通状態（以
下、非導通状態から導通状態になることをターンオンと
言い、その反対をターンオフという）になったときに、
入力抵抗２０５の一端（以下接続点ｂという）に発生す
る電位を降下させるためのものであり、バイポーラ・ト
ランジスタ２０７の内部抵抗に比べて充分に大きく、例
えば抵抗値２ＭΩのものを用いる。２１１は入力抵抗２
０５に並列接続されたコンデンサであり、例えば容量
０．０２２μＦのものを用いる。このコンデンサの容量
及びこのコンデンサに印加される電圧により決まる時間
の間、バイポーラ・トランジスタ２０７がターンオンし
てもＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３をターンオンさせ続け
るためのものである。尚、ＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３
をターンオンさせ続ける時間は、負荷の起動時から定常
状態になるまでの時間と同じかそれより少し長い時間に
設定する。
ランプである。２０１は負荷１１１を駆動させるため多
数のＭＯＳＦＥＴが並列に接続された、第１のＭＯＳ型
トランジスタとしてのＭＯＳＦＥＴである。２０３はＭ
ＯＳＦＥＴ２０１よりもセル数の少ない、第２のＭＯＳ
型トランジスタとしてのＭＯＳＦＥＴであり、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０１のカレントミラー用として使用される。２０
７はバイポーラ・トランジスタであり、２０９は抵抗で
ある。（このバイポーラ・トランジスタ２０７と抵抗２
０９とで、請求項１に記載された保護手段が構成され
る。）２０５は入力抵抗である。この入力抵抗２０５
は、バイポーラト・ランジスタ２０７が導通状態（以
下、非導通状態から導通状態になることをターンオンと
言い、その反対をターンオフという）になったときに、
入力抵抗２０５の一端（以下接続点ｂという）に発生す
る電位を降下させるためのものであり、バイポーラ・ト
ランジスタ２０７の内部抵抗に比べて充分に大きく、例
えば抵抗値２ＭΩのものを用いる。２１１は入力抵抗２
０５に並列接続されたコンデンサであり、例えば容量
０．０２２μＦのものを用いる。このコンデンサの容量
及びこのコンデンサに印加される電圧により決まる時間
の間、バイポーラ・トランジスタ２０７がターンオンし
てもＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３をターンオンさせ続け
るためのものである。尚、ＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３
をターンオンさせ続ける時間は、負荷の起動時から定常
状態になるまでの時間と同じかそれより少し長い時間に
設定する。
【００１９】ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレインとＭＯＳＦ
ＥＴ２０３のドレインは共に負荷１１１に接続されてい
る。
ＥＴ２０３のドレインは共に負荷１１１に接続されてい
る。
【００２０】ＭＯＳＦＥＴ２０１のゲートとＭＯＳＦＥ
Ｔ２０３のゲートは共に接続点ｂに接続され、入力抵抗
２０５の他端（以下、電圧入力点ａという）からは、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０１とＭＯＳＦＥＴ２０３をターンオンさ
せるための電圧が入力される。ＭＯＳＦＥＴ２０１のソ
ースは接地され、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソースは抵抗２
０９を介して接地されている。
Ｔ２０３のゲートは共に接続点ｂに接続され、入力抵抗
２０５の他端（以下、電圧入力点ａという）からは、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０１とＭＯＳＦＥＴ２０３をターンオンさ
せるための電圧が入力される。ＭＯＳＦＥＴ２０１のソ
ースは接地され、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソースは抵抗２
０９を介して接地されている。
【００２１】バイポーラ・トランジスタのベースはＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のソースに接続され、コレクタは前記接
続点ｂに接続され、エミッタは接地されている。
ＳＦＥＴ２０３のソースに接続され、コレクタは前記接
続点ｂに接続され、エミッタは接地されている。
【００２２】次に作用を説明する。
【００２３】まず、負荷１１１の起動時の作用について
説明する。
説明する。
【００２４】負荷１１１を駆動させるために電圧入力点
ａに電圧を入力した瞬間、ＭＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のゲートには、電圧入力点ａに入力され
た電圧が印加され、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソ
ース間及び負荷１１１に電流が流れる。
ａに電圧を入力した瞬間、ＭＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のゲートには、電圧入力点ａに入力され
た電圧が印加され、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソ
ース間及び負荷１１１に電流が流れる。
【００２５】負荷１１１に電流が流れる初期の状態は、
負荷１１１が例えばランプの場合、フィラメントの冷え
ている間は抵抗が小さく、大きな電流（ラッシュ電流）
がフィラメントに流れる。
負荷１１１が例えばランプの場合、フィラメントの冷え
ている間は抵抗が小さく、大きな電流（ラッシュ電流）
がフィラメントに流れる。
【００２６】定常電流よりも大きな電流がＭＯＳＦＥＴ
２０１のドレイン・ソース間に流れることで、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０１のカレントミラーであるＭＯＳＦＥＴ２０３
のドレイン・ソース間にも前述した大きな電流に比例し
た大きさの電流が流れる。
２０１のドレイン・ソース間に流れることで、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０１のカレントミラーであるＭＯＳＦＥＴ２０３
のドレイン・ソース間にも前述した大きな電流に比例し
た大きさの電流が流れる。
【００２７】その結果、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソース電
位が抵抗２０９により発生する電圧によって、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０３のゲートの電位よりもバイポーラ・トランジ
スタ２０７のターンオン電圧分以上（所定値以上）高く
なると、バイポーラ・トランジスタ２０７が作動する。
しかし、まだこの時はコンデンサ２１１に電荷が一杯に
なっていないので接続点ｂには電圧入力点ａに入力され
た電圧が印加される。そして、コンデンサ２１１及びバ
イポーラ・トランジスタ２０７のコレクタ・エミッタ間
を介して電流が流れる。しかし、バイポーラトランジス
タ２０７に内部抵抗があるため、接続点ｂの電位がグラ
ンドの電位（０Ｖ）に落ちずに電圧入力点ａに入力され
た電圧がそのままＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３のゲー
トに印加され、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３がターン
オンし続ける。そのため、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０
３がラッシュ電流をランプに流し続けることができる。
位が抵抗２０９により発生する電圧によって、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０３のゲートの電位よりもバイポーラ・トランジ
スタ２０７のターンオン電圧分以上（所定値以上）高く
なると、バイポーラ・トランジスタ２０７が作動する。
しかし、まだこの時はコンデンサ２１１に電荷が一杯に
なっていないので接続点ｂには電圧入力点ａに入力され
た電圧が印加される。そして、コンデンサ２１１及びバ
イポーラ・トランジスタ２０７のコレクタ・エミッタ間
を介して電流が流れる。しかし、バイポーラトランジス
タ２０７に内部抵抗があるため、接続点ｂの電位がグラ
ンドの電位（０Ｖ）に落ちずに電圧入力点ａに入力され
た電圧がそのままＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３のゲー
トに印加され、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３がターン
オンし続ける。そのため、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０
３がラッシュ電流をランプに流し続けることができる。
【００２８】そして、ランプに電流が流れフィラメント
が温まってくるのにともない抵抗も大きくなってきて、
一定の状態（一定の電流の大きさ）で落ちつく（定状状
態になる）。 負荷１１１に流れていたラッシュ電流が
小さくなり負荷１１１が定状状態になるとＭＯＳＦＥＴ
２０１のドレイン・ソース間に流れる電流が減少するこ
とで、ＭＯＳＦＥＴ２０１のカレントミラーであるＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のドレイン・ソース間に流れる電流も減
少する。このためバイポーラ・トランジスタ２０７がタ
ーンオフし、その後、コンデンサ２１１に電荷が一杯に
なると、電流はコンデンサ２１１を流れることができな
くなる。
が温まってくるのにともない抵抗も大きくなってきて、
一定の状態（一定の電流の大きさ）で落ちつく（定状状
態になる）。 負荷１１１に流れていたラッシュ電流が
小さくなり負荷１１１が定状状態になるとＭＯＳＦＥＴ
２０１のドレイン・ソース間に流れる電流が減少するこ
とで、ＭＯＳＦＥＴ２０１のカレントミラーであるＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のドレイン・ソース間に流れる電流も減
少する。このためバイポーラ・トランジスタ２０７がタ
ーンオフし、その後、コンデンサ２１１に電荷が一杯に
なると、電流はコンデンサ２１１を流れることができな
くなる。
【００２９】以上の作用の説明により、負荷１１１の起
動時にもＭＯＳＦＥＴ２０１がターンオフすることなく
ＭＯＳＦＥＴ２０１に充分なラッシュ電流を流すことが
できるため負荷１１１を迅速に起動させることができ
る。
動時にもＭＯＳＦＥＴ２０１がターンオフすることなく
ＭＯＳＦＥＴ２０１に充分なラッシュ電流を流すことが
できるため負荷１１１を迅速に起動させることができ
る。
【００３０】尚、コンデンサ２１１に電荷が一杯になる
までの時間が数ｍｍｓｅｃ程度になるようにコンデンサ
２１１の容量に係る時定数を決めておけば、たとえ負荷
の起動時にこの負荷に異常が起きた場合にも、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０１に流れる大きな電流による発熱によってＭＯ
ＳＦＥＴ２０１が壊れてしまう前にＭＯＳＦＥＴ２０１
をターンオフさせることができる。
までの時間が数ｍｍｓｅｃ程度になるようにコンデンサ
２１１の容量に係る時定数を決めておけば、たとえ負荷
の起動時にこの負荷に異常が起きた場合にも、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０１に流れる大きな電流による発熱によってＭＯ
ＳＦＥＴ２０１が壊れてしまう前にＭＯＳＦＥＴ２０１
をターンオフさせることができる。
【００３１】次に、負荷１１１の異常時の作用を説明す
る。
る。
【００３２】負荷１１１が定常状態に落ちついてから、
負荷１１１に異常が起きて定常電流より大きな電流が流
れると、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間に流
れる電流が大きくなり、それと共にＭＯＳＦＥＴ２０３
のドレイン・ソース間に流れる電流も大きくなるので、
抵抗２０９により発生する電圧すなわちバイポーラ・ト
ランジスタ２０７のベース電圧が高くなる。この電圧
が、ＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３のゲート電圧つまりバ
イポーラ・トランジスタ２０７のコレクタ電圧より、バ
イポーラ・トランジスタ２０７がターンオンする電圧分
以上高くなると、バイポーラ・トランジスタ２０７がタ
ーンオンして電圧入力点ａからグランドへ電流が流れ
る。このときコンデンサ２１１には電荷が一杯なので、
電圧入力点ａから入力抵抗２０５及びバイポーラトラン
ジスタ２０７を介してグランドへ電流が流れる。入力抵
抗２０５の抵抗値はバイポーラ・トランジスタ２０７の
内部抵抗の抵抗値よりも充分に小さいために、入力抵抗
２０５による電圧降下によってＭＯＳＦＥＴ２０１及び
２０３のゲートに印加される電圧が低くなりＭＯＳＦＥ
Ｔ２０１及び２０３がターンオフする。従って、ＭＯＳ
ＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間に過電流が長時間流
れることがなく、ＭＯＳＦＥＴ２０１の破壊を防止する
ことができる。また、電圧入力点ａに入力されている電
圧が０Ｖ（スイッチＯＦＦ）になると、コンデンサ２１
１にたまった電荷は入力抵抗２０５を通って消滅してし
まい、初期状態に戻る。
負荷１１１に異常が起きて定常電流より大きな電流が流
れると、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間に流
れる電流が大きくなり、それと共にＭＯＳＦＥＴ２０３
のドレイン・ソース間に流れる電流も大きくなるので、
抵抗２０９により発生する電圧すなわちバイポーラ・ト
ランジスタ２０７のベース電圧が高くなる。この電圧
が、ＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３のゲート電圧つまりバ
イポーラ・トランジスタ２０７のコレクタ電圧より、バ
イポーラ・トランジスタ２０７がターンオンする電圧分
以上高くなると、バイポーラ・トランジスタ２０７がタ
ーンオンして電圧入力点ａからグランドへ電流が流れ
る。このときコンデンサ２１１には電荷が一杯なので、
電圧入力点ａから入力抵抗２０５及びバイポーラトラン
ジスタ２０７を介してグランドへ電流が流れる。入力抵
抗２０５の抵抗値はバイポーラ・トランジスタ２０７の
内部抵抗の抵抗値よりも充分に小さいために、入力抵抗
２０５による電圧降下によってＭＯＳＦＥＴ２０１及び
２０３のゲートに印加される電圧が低くなりＭＯＳＦＥ
Ｔ２０１及び２０３がターンオフする。従って、ＭＯＳ
ＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間に過電流が長時間流
れることがなく、ＭＯＳＦＥＴ２０１の破壊を防止する
ことができる。また、電圧入力点ａに入力されている電
圧が０Ｖ（スイッチＯＦＦ）になると、コンデンサ２１
１にたまった電荷は入力抵抗２０５を通って消滅してし
まい、初期状態に戻る。
【００３３】以上説明してきたようにこの第１実施例に
おいては、負荷１１１の起動時に、負荷１１１にラッシ
ュ電流を十分流すことができるため、負荷１１１を迅速
に起動させることができる。
おいては、負荷１１１の起動時に、負荷１１１にラッシ
ュ電流を十分流すことができるため、負荷１１１を迅速
に起動させることができる。
【００３４】次に図３の回路図に従ってこの発明の第２
実施例を説明する。尚、第１実施例として説明した図２
の構成と同一の部分は同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。
実施例を説明する。尚、第１実施例として説明した図２
の構成と同一の部分は同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。
【００３５】この第２実施例においては、第１実施例の
コンデンサ２１１を入力抵抗２０５に電気的に並列接続
すると共にコンデンサ２１１と電圧入力点ａとの間に抵
抗２１３を直列に接続している。
コンデンサ２１１を入力抵抗２０５に電気的に並列接続
すると共にコンデンサ２１１と電圧入力点ａとの間に抵
抗２１３を直列に接続している。
【００３６】次にこの実施例の作用を説明する。尚、負
荷１１１の異常時の作用については前述した第１実施例
と同様なので省略し、負荷１１１の起動時の作用のみ説
明する。
荷１１１の異常時の作用については前述した第１実施例
と同様なので省略し、負荷１１１の起動時の作用のみ説
明する。
【００３７】前述した実施例１と同様に、電圧入力点ａ
に電圧が印加された瞬間にＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３
のゲートに電圧入力点ａに入力された電圧が印加され、
ＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３が導通状態（以下、非導通
状態から導通状態になることをターンオンと言い、その
反対をターンオフという）になる。負荷１１１は起動時
に大きな電流が流れるため、ＭＯＳＦＥＴ２０１のカレ
ントミラーであるＭＯＳＦＥＴ２０３にも比例した電流
が流れる。そしてバイポーラ・トランジスタ２０７がタ
ーンオンすると、この時コンデンサ２１１は電荷が一杯
でないため、抵抗２１３、コンデンサ２１１、バイポー
ラ・トランジスタ２０７を介して電流が流れる。
に電圧が印加された瞬間にＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３
のゲートに電圧入力点ａに入力された電圧が印加され、
ＭＯＳＦＥＴ２０１・２０３が導通状態（以下、非導通
状態から導通状態になることをターンオンと言い、その
反対をターンオフという）になる。負荷１１１は起動時
に大きな電流が流れるため、ＭＯＳＦＥＴ２０１のカレ
ントミラーであるＭＯＳＦＥＴ２０３にも比例した電流
が流れる。そしてバイポーラ・トランジスタ２０７がタ
ーンオンすると、この時コンデンサ２１１は電荷が一杯
でないため、抵抗２１３、コンデンサ２１１、バイポー
ラ・トランジスタ２０７を介して電流が流れる。
【００３８】このとき、コンデンサ２１１に電荷が一杯
になるまでの時間はコンデンサ２１１の容量及びコンデ
ンサ２１１に印加される電圧に依存しているので、抵抗
２１３の抵抗値を任意の値に設定することによってコン
デンサ２１１に印加される電圧に依存するコンデンサ２
１１に電荷が一杯になるまでの時間を任意に設定するこ
とができる。
になるまでの時間はコンデンサ２１１の容量及びコンデ
ンサ２１１に印加される電圧に依存しているので、抵抗
２１３の抵抗値を任意の値に設定することによってコン
デンサ２１１に印加される電圧に依存するコンデンサ２
１１に電荷が一杯になるまでの時間を任意に設定するこ
とができる。
【００３９】従って、抵抗２１３の抵抗値を所定の値に
設定することによって、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン
・ソース間をラッシュ電流が流れている時間、つまり負
荷１１１にラッシュ電流が流れる時間を調節することが
できる。
設定することによって、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン
・ソース間をラッシュ電流が流れている時間、つまり負
荷１１１にラッシュ電流が流れる時間を調節することが
できる。
【００４０】以上の説明により、本実施例においては前
述した第１実施例の効果に加えて更に、入力抵抗２０５
に電気的に並列接続されたコンデンサ２１１に直列に抵
抗２１３を介し、この抵抗２１３の抵抗値を適切に設定
することで、必要な時間だけ負荷１１１にラッシュ電流
を流すことができるというこの実施例特有の効果があ
る。
述した第１実施例の効果に加えて更に、入力抵抗２０５
に電気的に並列接続されたコンデンサ２１１に直列に抵
抗２１３を介し、この抵抗２１３の抵抗値を適切に設定
することで、必要な時間だけ負荷１１１にラッシュ電流
を流すことができるというこの実施例特有の効果があ
る。
【００４１】次に図４の回路図に従ってこの発明の第３
実施例を説明する。尚、第１実施例として説明した図２
の構成と同一の部分は同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。
実施例を説明する。尚、第１実施例として説明した図２
の構成と同一の部分は同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。
【００４２】この第３実施例においては、前述した第１
実施例のバイポーラ・トランジスタ２０７のかわりにコ
ンパレータ２２７を接続している。コンパレータ２２７
の入力端子の一方が（−端子）ＭＯＳＦＥＴ２０３のソ
ースに接続され、コンパレータ２２７の入力端子の他方
（＋端子）であるＶREF端子２２９には基準電圧が入力
されている。コンパレータ２２７の出力端子はＭＯＳＦ
ＥＴ２０１及びＭＯＳＦＥＴ２０３のゲートに接続され
ている。コンパレータ２２７の作動用電源の端子の一方
は電圧入力点ａに接続され、作動用電源の端子の他方は
グランドに接地されている。コンパレータ２２７の入力
端子の一方（−端子）の電位が他方（＋端子）の電位以
下の時にはＨｉ出力として、電圧入力点ａに入力されて
いる電圧と同じ電圧が出力端子から出力され、コンパレ
ータ２２７の入力端子の一方（−端子）の電位が他方
（＋端子）の電位よりも高くなるとＬｏ出力として、グ
ランドの電位と同じ電位（０Ｖ）が出力端子から出力さ
れる。
実施例のバイポーラ・トランジスタ２０７のかわりにコ
ンパレータ２２７を接続している。コンパレータ２２７
の入力端子の一方が（−端子）ＭＯＳＦＥＴ２０３のソ
ースに接続され、コンパレータ２２７の入力端子の他方
（＋端子）であるＶREF端子２２９には基準電圧が入力
されている。コンパレータ２２７の出力端子はＭＯＳＦ
ＥＴ２０１及びＭＯＳＦＥＴ２０３のゲートに接続され
ている。コンパレータ２２７の作動用電源の端子の一方
は電圧入力点ａに接続され、作動用電源の端子の他方は
グランドに接地されている。コンパレータ２２７の入力
端子の一方（−端子）の電位が他方（＋端子）の電位以
下の時にはＨｉ出力として、電圧入力点ａに入力されて
いる電圧と同じ電圧が出力端子から出力され、コンパレ
ータ２２７の入力端子の一方（−端子）の電位が他方
（＋端子）の電位よりも高くなるとＬｏ出力として、グ
ランドの電位と同じ電位（０Ｖ）が出力端子から出力さ
れる。
【００４３】次にこの第３実施例の作用を説明する。
【００４４】まず、負荷１１１の起動時の作用を説明す
る。
る。
【００４５】前述した第１実施例と同様に電圧入力点ａ
に電圧が印加されると、ＭＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯＳ
ＦＥＴ２０３が導通状態（以下、非導通状態から導通状
態になることをターンオンと言い、その反対をターンオ
フという）になる。負荷１１１が例えばランプの場合に
は、ランプのフィラメントが冷えている状態では電気抵
抗が低いので、定常状態の時に負荷１１１に流れる電流
よりも大きな電流がＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソ
ース間に流れる。そして、抵抗２０９によってグランド
の電位（０Ｖ）とＭＯＳＦＥＴ２０３のソースとの間に
電位差が発生するため、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソースの
電位が上昇し、コンパレータ２２７のＶREF端子２２９
に加えられている基準電位よりも高くなると、コンパレ
ータ２２７からＬｏ出力である０Ｖの電圧が接続点ｂに
出力される。接続点ｂへの０Ｖの出力というのは、接続
点ｂがコンパレータ２２７を介してグランドに接地され
ることである。このときまだコンデンサ２１１に電荷が
一杯でないのでコンデンサ２１１及びコンパレータ２２
７を介して電流が流れることになる。しかし、コンパレ
ータ２２７に出力抵抗（出力端子の前の段に存在するコ
ンパレータ２２７の内部抵抗）があるため、接続点ｂに
電圧が発生する。そして、コンデンサ２１１に電荷が一
杯になるまでは電圧入力点ａに入力される電圧が接続点
ｂに印加されており、前記出力抵抗のために接続点ｂの
電位は電圧入力点ａの電位と同じになる。そのため、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０１及び２０３はターンオフすることなく
負荷１１１にラッシュ電流を流し続ける。やがて負荷１
１１の抵抗値が上昇し、ラッシュ電流がおさまると、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０３のソースの電位が降下し、コンパレー
タ２２７のＶREF端子２２９に加えられている基準電位
よりも低くなると、接続点ｂに印加される電圧は電圧入
力点ａに入力されている電圧と同じになり、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２０１・２０３がターンオンし続け、負荷１１１１定
常状態となる。
に電圧が印加されると、ＭＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯＳ
ＦＥＴ２０３が導通状態（以下、非導通状態から導通状
態になることをターンオンと言い、その反対をターンオ
フという）になる。負荷１１１が例えばランプの場合に
は、ランプのフィラメントが冷えている状態では電気抵
抗が低いので、定常状態の時に負荷１１１に流れる電流
よりも大きな電流がＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソ
ース間に流れる。そして、抵抗２０９によってグランド
の電位（０Ｖ）とＭＯＳＦＥＴ２０３のソースとの間に
電位差が発生するため、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソースの
電位が上昇し、コンパレータ２２７のＶREF端子２２９
に加えられている基準電位よりも高くなると、コンパレ
ータ２２７からＬｏ出力である０Ｖの電圧が接続点ｂに
出力される。接続点ｂへの０Ｖの出力というのは、接続
点ｂがコンパレータ２２７を介してグランドに接地され
ることである。このときまだコンデンサ２１１に電荷が
一杯でないのでコンデンサ２１１及びコンパレータ２２
７を介して電流が流れることになる。しかし、コンパレ
ータ２２７に出力抵抗（出力端子の前の段に存在するコ
ンパレータ２２７の内部抵抗）があるため、接続点ｂに
電圧が発生する。そして、コンデンサ２１１に電荷が一
杯になるまでは電圧入力点ａに入力される電圧が接続点
ｂに印加されており、前記出力抵抗のために接続点ｂの
電位は電圧入力点ａの電位と同じになる。そのため、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０１及び２０３はターンオフすることなく
負荷１１１にラッシュ電流を流し続ける。やがて負荷１
１１の抵抗値が上昇し、ラッシュ電流がおさまると、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０３のソースの電位が降下し、コンパレー
タ２２７のＶREF端子２２９に加えられている基準電位
よりも低くなると、接続点ｂに印加される電圧は電圧入
力点ａに入力されている電圧と同じになり、ＭＯＳＦＥ
Ｔ２０１・２０３がターンオンし続け、負荷１１１１定
常状態となる。
【００４６】つぎに、負荷１１１の異常時の作用を説明
する。
する。
【００４７】負荷１１１が定常状態に落ちついてから、
負荷１１１に異常が起きて定常電流より大きな電流が流
れると、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間に流
れる電流が大きくなり、それと共にＭＯＳＦＥＴ２０３
のドレイン・ソース間に流れる電流も大きくなるので、
抵抗２０９により発生する電圧すなわちコンパレータ２
２７の−端子の電圧が高くなる。この電圧が、コンパレ
ータ２２７のＶREF端子２２９に印加されている基準電
圧よりも高くなると、コンパレータ２２７の出力端子か
らＬｏ出力である０Ｖが出力つまり、接続点ｂがコンパ
レータ２２７を介してグランドに接地される。しかし、
このときコンデンサ２１１には電荷が一杯で電流が流れ
ることができず、電圧入力点ａから入力抵抗２０５及び
コンパレータ２２７を介してグランドへ電流が流れる。
そして、入力抵抗２０５による電圧降下によってＭＯＳ
ＦＥＴ２０１及び２０３のゲートに印加される電圧が低
くなりＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３がターンオフす
る。従って、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間
に過電流が長時間流れることがなく、ＭＯＳＦＥＴ２０
１の破壊を防止することができる。また、電圧入力点ａ
に入力されている電圧が０Ｖ（スイッチＯＦＦ）になる
と、コンデンサ２１１にたまった電荷は入力抵抗２０５
を通って消滅してしまい、初期状態に戻る。
負荷１１１に異常が起きて定常電流より大きな電流が流
れると、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間に流
れる電流が大きくなり、それと共にＭＯＳＦＥＴ２０３
のドレイン・ソース間に流れる電流も大きくなるので、
抵抗２０９により発生する電圧すなわちコンパレータ２
２７の−端子の電圧が高くなる。この電圧が、コンパレ
ータ２２７のＶREF端子２２９に印加されている基準電
圧よりも高くなると、コンパレータ２２７の出力端子か
らＬｏ出力である０Ｖが出力つまり、接続点ｂがコンパ
レータ２２７を介してグランドに接地される。しかし、
このときコンデンサ２１１には電荷が一杯で電流が流れ
ることができず、電圧入力点ａから入力抵抗２０５及び
コンパレータ２２７を介してグランドへ電流が流れる。
そして、入力抵抗２０５による電圧降下によってＭＯＳ
ＦＥＴ２０１及び２０３のゲートに印加される電圧が低
くなりＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３がターンオフす
る。従って、ＭＯＳＦＥＴ２０１のドレイン・ソース間
に過電流が長時間流れることがなく、ＭＯＳＦＥＴ２０
１の破壊を防止することができる。また、電圧入力点ａ
に入力されている電圧が０Ｖ（スイッチＯＦＦ）になる
と、コンデンサ２１１にたまった電荷は入力抵抗２０５
を通って消滅してしまい、初期状態に戻る。
【００４８】以上説明してきたようにこの第３実施例に
おいては、第１実施例と同様に、負荷１１１の起動時
に、負荷１１１にラッシュ電流を充分流すことができる
ため、負荷１１１を迅速に起動させることができる。
おいては、第１実施例と同様に、負荷１１１の起動時
に、負荷１１１にラッシュ電流を充分流すことができる
ため、負荷１１１を迅速に起動させることができる。
【００４９】次に図５の回路図に従ってこの発明の第４
実施例を説明する。尚、第１実施例として説明した図２
の構成と同一の部分は同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。
実施例を説明する。尚、第１実施例として説明した図２
の構成と同一の部分は同一の符号を付し、詳細な説明は
省略する。
【００５０】前述した第１実施例においてはＭＯＳＦＥ
Ｔ２０３のソースは抵抗２０９を介してグランドに接地
されていたのに対し、この第４実施例においては、ＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のソースは抵抗２３１を介してバイポー
ラ・トランジスタ２０７のベースに接続されている。
Ｔ２０３のソースは抵抗２０９を介してグランドに接地
されていたのに対し、この第４実施例においては、ＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のソースは抵抗２３１を介してバイポー
ラ・トランジスタ２０７のベースに接続されている。
【００５１】次にこの実施例の作用を説明する。
【００５２】まず、負荷１１１の起動時の作用について
説明する。
説明する。
【００５３】前述した第１実施例の作用と同様に、電圧
入力点ａに電圧が印加され、ＭＯＳＦＥＴ２０１及びＭ
ＯＳＦＥＴ２０３が導通状態（以下、非導通状態から導
通状態になることをターンオンといい、その反対をター
ンオフという）になる。負荷１１１が例えばランプの場
合には、ランプのフィラメントが冷えている状態では電
気抵抗が低いので、定常状態の時に負荷１１１に流れる
電流よりも大きな電流（ラッシュ電流）がＭＯＳＦＥＴ
２０１のドレイン・ソース間に流れる。ＭＯＳＦＥＴ２
０１のドレイン・ソース間にラッシュ電流が流れ、ＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のソースの電位つまりバイポーラ・トラ
ンジスタ２０７のベース電圧が上昇し、この電圧が、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０１及び２０３のゲートにかかっている電
圧つまりバイポーラ・トランジスタ２０７のコレクタ電
圧よりもバイポーラ・トランジスタ２０７のターンオン
電圧分以上高くなると、このバイポーラ・トランジスタ
２０７がターンオンする。しかし、バイポーラ・トラン
ジスタ２０７に内部抵抗があるため接続点ｂにはグラン
ドの電位よりも高い電位が生じる。また、コンデンサ２
１１に電荷が一杯になるまではコンデンサ２１１は見か
け上ショートした状態と同様であるため、電圧入力点ａ
に入力されている電圧がコンデンサ２１１を介して接続
点ｂに入力される。そのため、バイポーラ・トランジス
タ２０７がターンオンしても、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び
２０３をターンオンさせ続ける。やがて、ランプのフィ
ラメント自体の発熱によりフィラメントの抵抗が高くな
り、ラッシュ電流がおさまり、バイポーラ・トランジス
タ２０７がターンオフする。その後コンデンサ２１１に
電荷が一杯になり、定常状態となる。
入力点ａに電圧が印加され、ＭＯＳＦＥＴ２０１及びＭ
ＯＳＦＥＴ２０３が導通状態（以下、非導通状態から導
通状態になることをターンオンといい、その反対をター
ンオフという）になる。負荷１１１が例えばランプの場
合には、ランプのフィラメントが冷えている状態では電
気抵抗が低いので、定常状態の時に負荷１１１に流れる
電流よりも大きな電流（ラッシュ電流）がＭＯＳＦＥＴ
２０１のドレイン・ソース間に流れる。ＭＯＳＦＥＴ２
０１のドレイン・ソース間にラッシュ電流が流れ、ＭＯ
ＳＦＥＴ２０３のソースの電位つまりバイポーラ・トラ
ンジスタ２０７のベース電圧が上昇し、この電圧が、Ｍ
ＯＳＦＥＴ２０１及び２０３のゲートにかかっている電
圧つまりバイポーラ・トランジスタ２０７のコレクタ電
圧よりもバイポーラ・トランジスタ２０７のターンオン
電圧分以上高くなると、このバイポーラ・トランジスタ
２０７がターンオンする。しかし、バイポーラ・トラン
ジスタ２０７に内部抵抗があるため接続点ｂにはグラン
ドの電位よりも高い電位が生じる。また、コンデンサ２
１１に電荷が一杯になるまではコンデンサ２１１は見か
け上ショートした状態と同様であるため、電圧入力点ａ
に入力されている電圧がコンデンサ２１１を介して接続
点ｂに入力される。そのため、バイポーラ・トランジス
タ２０７がターンオンしても、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び
２０３をターンオンさせ続ける。やがて、ランプのフィ
ラメント自体の発熱によりフィラメントの抵抗が高くな
り、ラッシュ電流がおさまり、バイポーラ・トランジス
タ２０７がターンオフする。その後コンデンサ２１１に
電荷が一杯になり、定常状態となる。
【００５４】次に、負荷１１１の異常時の作用を説明す
る。
る。
【００５５】負荷１１１が定常状態になった後、負荷１
１１に異常が起き定常電流よりも大きな電流が流れる
と、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３にもこの大きな電流
が流れ、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソース電圧つまりバイポ
ーラ・トランジスタ２３１のベース電圧が上昇する。こ
のベース電圧が、バイポーラ・トランジスタ２３１のコ
レクタ電圧よりもバイポーラ・トランジスタ２３１のタ
ーンオン電圧分以上高くなると、このバイポーラ・トラ
ンジスタ２３１がターンオンする。この時コンデンサ２
１１が電荷で一杯なため、電圧入力点ａから入力抵抗２
０５及びバイポーラ・トランジスタ２０７を介してグラ
ンドへ電流が流れる。このとき、入力抵抗２０５による
電圧降下がによって接続点ｂつまりＭＯＳＦＥＴ２０１
及び２０３に入力される電圧が降下し、ＭＯＳＦＥＴ２
０１及び２０３がターンオフする。
１１に異常が起き定常電流よりも大きな電流が流れる
と、ＭＯＳＦＥＴ２０１及び２０３にもこの大きな電流
が流れ、ＭＯＳＦＥＴ２０３のソース電圧つまりバイポ
ーラ・トランジスタ２３１のベース電圧が上昇する。こ
のベース電圧が、バイポーラ・トランジスタ２３１のコ
レクタ電圧よりもバイポーラ・トランジスタ２３１のタ
ーンオン電圧分以上高くなると、このバイポーラ・トラ
ンジスタ２３１がターンオンする。この時コンデンサ２
１１が電荷で一杯なため、電圧入力点ａから入力抵抗２
０５及びバイポーラ・トランジスタ２０７を介してグラ
ンドへ電流が流れる。このとき、入力抵抗２０５による
電圧降下がによって接続点ｂつまりＭＯＳＦＥＴ２０１
及び２０３に入力される電圧が降下し、ＭＯＳＦＥＴ２
０１及び２０３がターンオフする。
【００５６】この第４実施例においては、ＭＯＳＦＥＴ
２０３のコレクタを接地していないため、負荷１１１の
定常状態（バイポーラ・トランジスタ２０７がターンオ
フしている状態）の時にはＭＯＳＦＥＴ２０３のドレイ
ン・ソースを通ってグランドへ流れる電流はない。
２０３のコレクタを接地していないため、負荷１１１の
定常状態（バイポーラ・トランジスタ２０７がターンオ
フしている状態）の時にはＭＯＳＦＥＴ２０３のドレイ
ン・ソースを通ってグランドへ流れる電流はない。
【００５７】以上の説明により、本実施例においては前
述した第１実施例の効果に加えて更に、ＭＯＳＦＥＴ２
０３を通ってグランドへ流れる電流がないため、第１実
施例に比べて消費電力が少ないというこの実施例特有の
効果がある。
述した第１実施例の効果に加えて更に、ＭＯＳＦＥＴ２
０３を通ってグランドへ流れる電流がないため、第１実
施例に比べて消費電力が少ないというこの実施例特有の
効果がある。
【００５８】また、負荷としてはこのようなランプに限
るものではなく、エアコンのブロアモータやエンジンの
セルモータなどのモータを負荷としても良い。負荷がモ
ータの場合にも、起動時にラッシュ電流を流し続けるこ
とができるため、モータを確実に且つ迅速に起動するこ
とができる。
るものではなく、エアコンのブロアモータやエンジンの
セルモータなどのモータを負荷としても良い。負荷がモ
ータの場合にも、起動時にラッシュ電流を流し続けるこ
とができるため、モータを確実に且つ迅速に起動するこ
とができる。
【００５９】尚、負荷の起動時にラッシュ電流を流すと
いう目的を達成する２つの回路例を以下に示す。
いう目的を達成する２つの回路例を以下に示す。
【００６０】まず、図６の回路図に従ってこの回路例１
を説明する。尚、第１実施例と同一の部分は同一の符号
を付し、その説明を省略する。
を説明する。尚、第１実施例と同一の部分は同一の符号
を付し、その説明を省略する。
【００６１】この回路例１においては、前述した第１実
施例のコンデンサ２１１のかわりに、コンデンサ２１７
を抵抗２０９に並列に接続させている。
施例のコンデンサ２１１のかわりに、コンデンサ２１７
を抵抗２０９に並列に接続させている。
【００６２】次に、負荷１１１の起動時の作用について
説明する。
説明する。
【００６３】電圧入力点ａに印加された電圧がＭＯＳＦ
ＥＴ２０１及び２０３のゲートに印加される。そしてＭ
ＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯＳＦＥＴ２０３がターンオン
する。負荷１１１の起動時は、この負荷１１１が例えば
ランプの場合は抵抗が小さいため、ＭＯＳＦＥＴ２０１
のドレイン・ソース間にラッシュ電流が流れ、コンデン
サ２１７に電荷が一杯になるまでは、このコンデンサ２
１７を通って接地へと電流が流れるため、バイポーラ・
トランジスタ２０７のベースには電流が流れず、このバ
イポーラ・トランジスタ２０７はターンオンしない。
ＥＴ２０１及び２０３のゲートに印加される。そしてＭ
ＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯＳＦＥＴ２０３がターンオン
する。負荷１１１の起動時は、この負荷１１１が例えば
ランプの場合は抵抗が小さいため、ＭＯＳＦＥＴ２０１
のドレイン・ソース間にラッシュ電流が流れ、コンデン
サ２１７に電荷が一杯になるまでは、このコンデンサ２
１７を通って接地へと電流が流れるため、バイポーラ・
トランジスタ２０７のベースには電流が流れず、このバ
イポーラ・トランジスタ２０７はターンオンしない。
【００６４】負荷１１１のラッシュ電流がおさまり、そ
の後コンデンサ２１７に電荷が一杯になり負荷１１１に
流れる電流は定常状態になる。
の後コンデンサ２１７に電荷が一杯になり負荷１１１に
流れる電流は定常状態になる。
【００６５】コンデンサ２１７の時定数、つまりコンデ
ンサ２１７に電荷が一杯になるまでの時間は、このコン
デンサ２１７の容量及びこのコンデンサ２１７の両端に
印加される電圧に依存している。
ンサ２１７に電荷が一杯になるまでの時間は、このコン
デンサ２１７の容量及びこのコンデンサ２１７の両端に
印加される電圧に依存している。
【００６６】尚、負荷１１１が定常状態になったときに
はコンデンサ２１７には電荷が一杯であるため、負荷１
１１の異常時の作用は前述した第１実施例と同様となる
のでその説明は省略する。
はコンデンサ２１７には電荷が一杯であるため、負荷１
１１の異常時の作用は前述した第１実施例と同様となる
のでその説明は省略する。
【００６７】次に図７の回路図に従ってこの回路例２を
説明する。尚、第１実施例と同一の部分は同一の符号を
付し、その説明は省略する。
説明する。尚、第１実施例と同一の部分は同一の符号を
付し、その説明は省略する。
【００６８】この回路例２においては、第３実施例のコ
ンデンサ２１７を抵抗２０９に電気的に並列接続させる
と共に、コンデンサ２１７とバイポーラ・トランジスタ
２０７のベースとの間に抵抗２１９を直列に接続してい
る。
ンデンサ２１７を抵抗２０９に電気的に並列接続させる
と共に、コンデンサ２１７とバイポーラ・トランジスタ
２０７のベースとの間に抵抗２１９を直列に接続してい
る。
【００６９】次に、負荷１１１の起動時の作用について
説明する。
説明する。
【００７０】電圧入力点ａに印加された電圧がＭＯＳＦ
ＥＴ２０１及び２０３のゲートに印加される。そしてＭ
ＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯＳＦＥＴ２０３がターンオン
する。負荷１１１の起動時は、この負荷１１１が例えば
ランプの場合は抵抗が小さいため、ＭＯＳＦＥＴ２０１
のドレイン・ソース間にラッシュ電流が流れ、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０３のソースの電位が上昇したとき、コンデンサ
２１７にかかる電圧は抵抗２１９の抵抗値によるため、
この抵抗２１９の抵抗値を変化させることによって、コ
ンデンサ２１７に電荷が一杯になるまでの時間（時定
数）を変化させることができ、負荷１１１にラッシュ電
流を流す時間を変化させることができる。
ＥＴ２０１及び２０３のゲートに印加される。そしてＭ
ＯＳＦＥＴ２０１及びＭＯＳＦＥＴ２０３がターンオン
する。負荷１１１の起動時は、この負荷１１１が例えば
ランプの場合は抵抗が小さいため、ＭＯＳＦＥＴ２０１
のドレイン・ソース間にラッシュ電流が流れ、ＭＯＳＦ
ＥＴ２０３のソースの電位が上昇したとき、コンデンサ
２１７にかかる電圧は抵抗２１９の抵抗値によるため、
この抵抗２１９の抵抗値を変化させることによって、コ
ンデンサ２１７に電荷が一杯になるまでの時間（時定
数）を変化させることができ、負荷１１１にラッシュ電
流を流す時間を変化させることができる。
【００７１】尚、負荷１１１が定常状態となったときに
はコンデンサ２１７には電荷が一杯なので、負荷１１１
の異常時の作用は前述した第１実施例と同様となるので
その説明は省略する。
はコンデンサ２１７には電荷が一杯なので、負荷１１１
の異常時の作用は前述した第１実施例と同様となるので
その説明は省略する。
【００７２】
【発明の効果】以上説明してきたように、この発明によ
れば負荷の起動時に負荷を駆動させる第１のＭＯＳ型ト
ランジスタのドレイン・ソース間に定常電流より大きな
電流が流れ、保護手段が作動しても、入力抵抗と電気的
に並列接続されているコンデンサによって前記第１のＭ
ＯＳ型トタンジスタのゲート電圧の降下を阻止するため
充分な始動電流を負荷へ流せるので、負荷の起動時には
過電流保護機能の効果を消して負荷を迅速に起動させ、
なおかつ負荷が定常状態のときには過電流保護を行うこ
とができる。
れば負荷の起動時に負荷を駆動させる第１のＭＯＳ型ト
ランジスタのドレイン・ソース間に定常電流より大きな
電流が流れ、保護手段が作動しても、入力抵抗と電気的
に並列接続されているコンデンサによって前記第１のＭ
ＯＳ型トタンジスタのゲート電圧の降下を阻止するため
充分な始動電流を負荷へ流せるので、負荷の起動時には
過電流保護機能の効果を消して負荷を迅速に起動させ、
なおかつ負荷が定常状態のときには過電流保護を行うこ
とができる。
【図１】請求項１に対するクレーム対応図
【図２】第１実施例の構成を示す回路図
【図３】第２実施例の構成を示す回路図
【図４】第３実施例の構成を示す回路図
【図５】第４実施例の構成を示す回路図
【図６】回路例１の構成を示す回路図
【図７】回路例２の構成を示す回路図
【図８】従来例の構成を示す回路図
【符号の説明】 １０１…第１のＭＯＳ型トランジスタ １０３…第２
のＭＯＳ型トランジスタ １０５…入力抵抗 １０７…保護
手段 １０９…コンデンサ １１１…負荷 ２０１…ＭＯＳＦＥＴ ２０３…ＭＯ
ＳＦＥＴ ２０５…入力抵抗 ２０７…バイ
ポーラ・トランジスタ ２０９…抵抗 ２１１…コン
デンサ ２１３…抵抗 ２１７…コン
デンサ ２１９…抵抗 ２２７…コン
パレータ ２２９…コンパレータのＶREF端子 ２３１…抵抗 ８０１…ＭＯＳＦＥＴ ８０３…ＭＯ
ＳＦＥＴ ８０５…入力抵抗 ８０７…ＭＯ
ＳＦＥＴ ８０９…抵抗
のＭＯＳ型トランジスタ １０５…入力抵抗 １０７…保護
手段 １０９…コンデンサ １１１…負荷 ２０１…ＭＯＳＦＥＴ ２０３…ＭＯ
ＳＦＥＴ ２０５…入力抵抗 ２０７…バイ
ポーラ・トランジスタ ２０９…抵抗 ２１１…コン
デンサ ２１３…抵抗 ２１７…コン
デンサ ２１９…抵抗 ２２７…コン
パレータ ２２９…コンパレータのＶREF端子 ２３１…抵抗 ８０１…ＭＯＳＦＥＴ ８０３…ＭＯ
ＳＦＥＴ ８０５…入力抵抗 ８０７…ＭＯ
ＳＦＥＴ ８０９…抵抗
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03K 17/00 - 17/70 G01R 19/00 - 19/32
Claims (1)
- 【請求項１】負荷を駆動させる第１のＭＯＳ型トランジ
スタと、 該第１のＭＯＳ型トランジスタとドレイン及びゲートが
それぞれ共通に接続され、前記第１のＭＯＳ型トランジ
スタよりセル数の少ないカレントミラー用の第２のＭＯ
Ｓ型トランジスタと、 前記第１及び第２のＭＯＳ型トランジスタのゲートに一
端が接続され、他端に電圧が印加される入力抵抗と、 少なくとも前記第２のＭＯＳ型トランジスタのソースに
接続され前記第２のＭＯＳ型トランジスタのソースの電
位が所定値以上になったときに前記入力抵抗を介して前
記第１及び第２のＭＯＳ型トランジスタのゲートに印加
される電圧を低下させる保護手段と、 前記入力抵抗に電気的に並列接続されたコンデンサとか
らなる過電流保護機能付ＭＯＳ型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23433892A JP3158701B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 過電流保護機能付ｍｏｓ型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23433892A JP3158701B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 過電流保護機能付ｍｏｓ型トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685632A JPH0685632A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3158701B2 true JP3158701B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=16969424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23433892A Expired - Fee Related JP3158701B2 (ja) | 1992-09-02 | 1992-09-02 | 過電流保護機能付ｍｏｓ型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158701B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071947A (ja) * | 2007-09-12 | 2009-04-02 | Onkyo Corp | 電源切換回路 |
| JP2011174712A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | On Semiconductor Trading Ltd | 電流検出回路及び半導体集積回路 |
-
1992
- 1992-09-02 JP JP23433892A patent/JP3158701B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0685632A (ja) | 1994-03-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000324807A (ja) | スイッチングレギュレータ | |
| US5744878A (en) | Circuit configuration for triggering a field effect transistor with a source-side load | |
| KR970060649A (ko) | 벽 조절기 회로 | |
| US4683438A (en) | Circuit for connecting a load to the high side of a DC power supply | |
| JP3158701B2 (ja) | 過電流保護機能付ｍｏｓ型トランジスタ | |
| JP3301472B2 (ja) | 突入電流防止機能を有する回路装置 | |
| US5847593A (en) | Voltage discharge circuit for a photovoltaic power source | |
| JP3036423B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3543509B2 (ja) | 電圧安定化回路 | |
| CN114465473A (zh) | 具有数字式浪涌电流抑制功能的开关电源电路及电子设备 | |
| JPH0766700A (ja) | パワーｍｏｓｆｅｔの制御装置 | |
| JP3200278B2 (ja) | モータコントローラ | |
| JP3460496B2 (ja) | プラズマディスプレイの駆動装置 | |
| JP2589920Y2 (ja) | コンデンサ充電制御回路 | |
| JPH09219978A (ja) | 自励発振型駆動制御回路 | |
| US20220376488A1 (en) | Electronic Power Distribution Arrangement for Fusing Capacitive Loads | |
| CN220210248U (zh) | 电源芯片的供电电路和电源芯片的供电系统 | |
| JPH06197445A (ja) | トランジスタ保護回路 | |
| CN221807241U (zh) | 远近光灯切换控制电路 | |
| JP2001352669A (ja) | 突入電流抑制回路 | |
| JPS63227215A (ja) | 半導体スイツチ回路 | |
| JPH04241511A (ja) | パワーｍｏｓスイッチ | |
| JP3033862B2 (ja) | スイッチング素子の誤動作防止回路 | |
| JP4459537B2 (ja) | 放電灯点灯装置 | |
| JPH0318269A (ja) | プリチヤージ回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080216 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090216 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100216 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |