JP3155799B2 - Ｍｔｆ補正装置 - Google Patents
Ｍｔｆ補正装置Info
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- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 19
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばファクシミリ装
置、ディジタル複写機、スキャナ等の画情報読取装置に
適用されるＭＴＦ補正装置に関し、特に１画素の読取範
囲が読取線密度に対して大きいときに適正な補正を実現
するＭＴＦ補正装置に関する。
置、ディジタル複写機、スキャナ等の画情報読取装置に
適用されるＭＴＦ補正装置に関し、特に１画素の読取範
囲が読取線密度に対して大きいときに適正な補正を実現
するＭＴＦ補正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、注目画素の濃度を周囲画素の濃度
に応じてＭＴＦ（Modulation Transfer Function）補正
するＭＴＦ補正装置が多用されている。従来のこの種の
ＭＴＦ補正装置としては、例えば特公平１−２０８３５
号公報に記載されたものがあり、図２に示すマトリクス
を用いて注目画素Ｅを補正する。
に応じてＭＴＦ（Modulation Transfer Function）補正
するＭＴＦ補正装置が多用されている。従来のこの種の
ＭＴＦ補正装置としては、例えば特公平１−２０８３５
号公報に記載されたものがあり、図２に示すマトリクス
を用いて注目画素Ｅを補正する。
【０００３】図２において、画素Ａ〜Ｉは、主走査方向
のラインＬn-1 、Ｌn 、Ｌn+1 を所定の読取線密度に従
って副走査方向に順次変えながら１ライン毎に読み取っ
た画信号の各画素であり、注目画素Ｅに対してＡ〜Ｄと
Ｆ〜Ｉを周囲画素とする。注目画素Ｅの周囲画素は、Ａ
〜ＤとＦ〜Ｉの８つであるが、実用的には、全ての周囲
画素を参照して注目画素Ｅを補正する必要はない。例え
ば、上下左右の４つの周囲画素すなわち注目画素Ｅのラ
インＬn と前後のラインＬn-1 、Ｌn+1 にあり、前記注
目画素Ｅに対して主走査方向および副走査方向の最も近
い画素Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈによって補正すれば充分であり、
その修正データによって、注目画素Ｅの白（＝“０”）
または黒（＝“１”）を判定する。
のラインＬn-1 、Ｌn 、Ｌn+1 を所定の読取線密度に従
って副走査方向に順次変えながら１ライン毎に読み取っ
た画信号の各画素であり、注目画素Ｅに対してＡ〜Ｄと
Ｆ〜Ｉを周囲画素とする。注目画素Ｅの周囲画素は、Ａ
〜ＤとＦ〜Ｉの８つであるが、実用的には、全ての周囲
画素を参照して注目画素Ｅを補正する必要はない。例え
ば、上下左右の４つの周囲画素すなわち注目画素Ｅのラ
インＬn と前後のラインＬn-1 、Ｌn+1 にあり、前記注
目画素Ｅに対して主走査方向および副走査方向の最も近
い画素Ｂ、Ｄ、Ｆ、Ｈによって補正すれば充分であり、
その修正データによって、注目画素Ｅの白（＝“０”）
または黒（＝“１”）を判定する。
【０００４】ここで、補正関数は、 αＥ＝−β（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ） …… （１） であり、注目画素Ｅの補正された２値出力信号Ｅmtf は Ｅmtf ＝ｆ（ｘ） ＝ｆ｛αＥ−β（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ）｝ …… （２） で演算される。一例として、α＝３、−β＝−０．５の
ように与えられる。
ように与えられる。
【０００５】このように、注目画素Ｅに対し、３×３の
マトリクスを形成し、Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋
Ｆ＋Ｈ）のＭＴＦ補正が行われている。
マトリクスを形成し、Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋
Ｆ＋Ｈ）のＭＴＦ補正が行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のＭＴＦ補正装置にあっては、注目画素Ｅの主
走査、副走査方向とも前画素、次画素であるＢ、Ｄ、
Ｆ、Ｈを周囲画素として参照していたため、図３に示す
ように、原稿に対し画情報読取装置の１画素の読取範囲
が読取線密度に合っていれば問題はないが、図４に示す
ように、１画素の読取範囲が読取線密度に対して大きい
場合には、画素の読取位置が重ってしまうため、前画
素、次画素を参照して補正してもその効果は半減してし
まう。
うな従来のＭＴＦ補正装置にあっては、注目画素Ｅの主
走査、副走査方向とも前画素、次画素であるＢ、Ｄ、
Ｆ、Ｈを周囲画素として参照していたため、図３に示す
ように、原稿に対し画情報読取装置の１画素の読取範囲
が読取線密度に合っていれば問題はないが、図４に示す
ように、１画素の読取範囲が読取線密度に対して大きい
場合には、画素の読取位置が重ってしまうため、前画
素、次画素を参照して補正してもその効果は半減してし
まう。
【０００７】このような読取モードは、ファクシミリ装
置ではセミスーパーファインモードなどと呼ばれ、例え
ば読取線密度８×１５．４本に設定されている。そこ
で、本発明は、副走査方向の周囲画素を注目画素のライ
ンから２ライン目にある画素に変更することにより、セ
ミスーパーファインモード等、１画素の読取範囲が読取
線密度に対して大きい時により効果的なＭＴＦ補正装置
を提供することを目的としている。
置ではセミスーパーファインモードなどと呼ばれ、例え
ば読取線密度８×１５．４本に設定されている。そこ
で、本発明は、副走査方向の周囲画素を注目画素のライ
ンから２ライン目にある画素に変更することにより、セ
ミスーパーファインモード等、１画素の読取範囲が読取
線密度に対して大きい時により効果的なＭＴＦ補正装置
を提供することを目的としている。
【０００８】また、本発明は、副走査方向の周囲画素を
読取線密度に応じて変更することにより、セミスーパー
ファインモード等、１画素の読取範囲が読取線密度に対
して大きい時により効果的なＭＴＦ補正装置を提供する
ことを目的としている。また、本発明は、読取線密度が
高くなるほど注目画素に対して遠距離の画素を、また低
くなるほど近距離の画素を副走査方向の周囲画素とする
ことにより、セミスーパーファインモード等、１画素の
読取範囲が読取線密度に対して大きい時により効果的な
ＭＴＦ補正装置を提供することを目的としている。
読取線密度に応じて変更することにより、セミスーパー
ファインモード等、１画素の読取範囲が読取線密度に対
して大きい時により効果的なＭＴＦ補正装置を提供する
ことを目的としている。また、本発明は、読取線密度が
高くなるほど注目画素に対して遠距離の画素を、また低
くなるほど近距離の画素を副走査方向の周囲画素とする
ことにより、セミスーパーファインモード等、１画素の
読取範囲が読取線密度に対して大きい時により効果的な
ＭＴＦ補正装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、主走査方向のラインを所定の読取線密度
に従って副走査方向に順次変えながら１ライン毎に読み
取った画信号の各画素に対し、該画素を注目画素とした
とき該注目画素のラインと前後のラインにあり前記注目
画素に対して主走査方向および副走査方向の最も近い画
素を周囲画素として参照し、前記注目画素の濃度を周囲
画素の濃度に応じて補正するＭＴＦ補正演算回路を備え
たＭＴＦ補正装置において、前記副走査方向の周囲画素
を前記注目画素のラインから２ライン目にある画素に変
更する変更部を備えたことを特徴とする。
成するために、主走査方向のラインを所定の読取線密度
に従って副走査方向に順次変えながら１ライン毎に読み
取った画信号の各画素に対し、該画素を注目画素とした
とき該注目画素のラインと前後のラインにあり前記注目
画素に対して主走査方向および副走査方向の最も近い画
素を周囲画素として参照し、前記注目画素の濃度を周囲
画素の濃度に応じて補正するＭＴＦ補正演算回路を備え
たＭＴＦ補正装置において、前記副走査方向の周囲画素
を前記注目画素のラインから２ライン目にある画素に変
更する変更部を備えたことを特徴とする。
【００１０】また、本発明は、上記目的を達成するため
に、副走査方向の周囲画素を読取線密度に応じて変更す
ることを特徴とする。また、本発明は、上記目的を達成
するために、副走査方向の周囲画素を読取線密度が高く
なるほど注目画素に対して遠距離の画素とし、読取線密
度が低くなるほど注目画素に対して近距離の画素とする
ことを特徴とする。
に、副走査方向の周囲画素を読取線密度に応じて変更す
ることを特徴とする。また、本発明は、上記目的を達成
するために、副走査方向の周囲画素を読取線密度が高く
なるほど注目画素に対して遠距離の画素とし、読取線密
度が低くなるほど注目画素に対して近距離の画素とする
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成を有する本発明においては、変更部に
よって副走査方向の周囲画素を注目画素のラインから２
ライン目にある画素に変更する。また、上記構成を有す
る本発明においては、副走査方向の周囲画素を読取線密
度に応じて変更する。
よって副走査方向の周囲画素を注目画素のラインから２
ライン目にある画素に変更する。また、上記構成を有す
る本発明においては、副走査方向の周囲画素を読取線密
度に応じて変更する。
【００１２】また、上記構成を有する本発明において
は、副走査方向の周囲画素を読取線密度が高くなるほど
注目画素に対して遠距離の画素とし、読取線密度が低く
なるほど注目画素に対して近距離の画素とする。
は、副走査方向の周囲画素を読取線密度が高くなるほど
注目画素に対して遠距離の画素とし、読取線密度が低く
なるほど注目画素に対して近距離の画素とする。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図１は請求項１、２いずれかに記載された発明の一実施
例に係るＭＴＦ補正装置を説明するための図であり、同
図（ａ）はそのブロック構成図、同図（ｂ）はその画素
マトリクスを示す。
図１は請求項１、２いずれかに記載された発明の一実施
例に係るＭＴＦ補正装置を説明するための図であり、同
図（ａ）はそのブロック構成図、同図（ｂ）はその画素
マトリクスを示す。
【００１４】まず、構成を説明する。図１（ａ）におい
て、ラインバッファ１１〜１４は、図示していない画情
報読取装置で読み取った１ライン分の画信号を格納する
ためのもので、ラインＬn+2 の画信号に対してそれ以前
のラインＬn+1 、Ｌn 、Ｌn-1 、Ｌn-2 の画信号をそれ
ぞれに格納する。図１（ｂ）に示すように、ラインＬn
にある注目画素Ｅおよび周囲画素Ｄ、Ｆは、ラインバッ
ファ１２に格納されて、３×３マトリクス回路１５に転
送される。
て、ラインバッファ１１〜１４は、図示していない画情
報読取装置で読み取った１ライン分の画信号を格納する
ためのもので、ラインＬn+2 の画信号に対してそれ以前
のラインＬn+1 、Ｌn 、Ｌn-1 、Ｌn-2 の画信号をそれ
ぞれに格納する。図１（ｂ）に示すように、ラインＬn
にある注目画素Ｅおよび周囲画素Ｄ、Ｆは、ラインバッ
ファ１２に格納されて、３×３マトリクス回路１５に転
送される。
【００１５】一方、副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈは、変
更部としての切換スイッチ１６、１７によって、図１
（ｂ）に示す注目画素ＥのラインＬn から２ライン目の
ラインＬn-2 、Ｌn+2 の画素、または従来通りの図２に
示した注目画素ＥのラインＬnの前後のラインＬn-1 、
Ｌn+1 の画素が３×３マトリクス回路１５に転送され
る。
更部としての切換スイッチ１６、１７によって、図１
（ｂ）に示す注目画素ＥのラインＬn から２ライン目の
ラインＬn-2 、Ｌn+2 の画素、または従来通りの図２に
示した注目画素ＥのラインＬnの前後のラインＬn-1 、
Ｌn+1 の画素が３×３マトリクス回路１５に転送され
る。
【００１６】ここで、切換スイッチ１６、１７は、読取
線密度に応じて副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈを変更す
る。すなわち、副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈは、図４に
示したように、１画素の読取範囲に対して読取線密度が
高くなるほど、注目画素Ｅに対して遠距離の画素たとえ
ばラインＬn-2 、Ｌn+2 の画素とされる。また、副走査
方向の周囲画素Ｂ、Ｈは、図３に示したように、１画素
の読取範囲に対して読取線密度が低くなるほど、注目画
素Ｅに対して近距離の画素たとえばラインライン
Ｌn-1 、Ｌn+1 の画素とされる。
線密度に応じて副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈを変更す
る。すなわち、副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈは、図４に
示したように、１画素の読取範囲に対して読取線密度が
高くなるほど、注目画素Ｅに対して遠距離の画素たとえ
ばラインＬn-2 、Ｌn+2 の画素とされる。また、副走査
方向の周囲画素Ｂ、Ｈは、図３に示したように、１画素
の読取範囲に対して読取線密度が低くなるほど、注目画
素Ｅに対して近距離の画素たとえばラインライン
Ｌn-1 、Ｌn+1 の画素とされる。
【００１７】３×３マトリクス回路１５は、切換スイッ
チ１６、１７を介して転送される周囲画素Ｂ、Ｈおよび
ラインバッファ１２から転送される注目画素Ｅと周囲画
素Ｄ、Ｆにより、図１（ｂ）または図２に示すマトリク
スを構成し、マトリクスデータを演算回路１８に転送す
る。演算回路１８は、注目画素Ｅを従来と同様に、 Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ） により演算し、注目画素ＥのＭＴＦ補正された２値出力
信号Ｅmtf を出力する。
チ１６、１７を介して転送される周囲画素Ｂ、Ｈおよび
ラインバッファ１２から転送される注目画素Ｅと周囲画
素Ｄ、Ｆにより、図１（ｂ）または図２に示すマトリク
スを構成し、マトリクスデータを演算回路１８に転送す
る。演算回路１８は、注目画素Ｅを従来と同様に、 Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ） により演算し、注目画素ＥのＭＴＦ補正された２値出力
信号Ｅmtf を出力する。
【００１８】次に、作用を説明する。図１（ａ）に示す
本実施例においては、従来と同様に前ラインＬn-1 、次
ラインＬn+1 のデータを参照するＭＴＦ補正と、前々ラ
インＬn-2 、次々ラインＬn+2 のデータを参照するＭＴ
Ｆ補正の２種のＭＴＦ補正が行われる。いずれのＭＴＦ
補正においても、３×３のマトリクスを構成し、ＭＴＦ
演算を行う。演算式は従来と同じように、 Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ）とする。
本実施例においては、従来と同様に前ラインＬn-1 、次
ラインＬn+1 のデータを参照するＭＴＦ補正と、前々ラ
インＬn-2 、次々ラインＬn+2 のデータを参照するＭＴ
Ｆ補正の２種のＭＴＦ補正が行われる。いずれのＭＴＦ
補正においても、３×３のマトリクスを構成し、ＭＴＦ
演算を行う。演算式は従来と同じように、 Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ）とする。
【００１９】図１（ａ）において、画情報読取装置から
のラインＬn+2 の画信号は、３×３マトリクス回路１５
およびラインバッファ１１に入力される。ラインバッフ
ァ１１〜１４は、ＦＩＦＯ（First-in First-out）等に
より構成され、各々記憶していたデータを３×３マトリ
クス回路１５に出力するのと同時に、前段のラインバッ
ファから入力されるデータを記憶する。
のラインＬn+2 の画信号は、３×３マトリクス回路１５
およびラインバッファ１１に入力される。ラインバッフ
ァ１１〜１４は、ＦＩＦＯ（First-in First-out）等に
より構成され、各々記憶していたデータを３×３マトリ
クス回路１５に出力するのと同時に、前段のラインバッ
ファから入力されるデータを記憶する。
【００２０】３×３マトリクス回路１５は、切換スイッ
チ１６、１７を介し、ラインＬn+2の画信号およびライ
ンバッファ１１〜１４の出力のうち３ラインの画信号を
選択し、３×３マトリクスを形成する。この選択方法に
より注目画素Ｅに対し、前ラインＬn+1 および次ライン
Ｌn-1か、または前々ラインＬn-2 、次々ラインＬn+2
による３×３マトリクスが選択できる。このマトリクス
は、読取線密度により選択する。
チ１６、１７を介し、ラインＬn+2の画信号およびライ
ンバッファ１１〜１４の出力のうち３ラインの画信号を
選択し、３×３マトリクスを形成する。この選択方法に
より注目画素Ｅに対し、前ラインＬn+1 および次ライン
Ｌn-1か、または前々ラインＬn-2 、次々ラインＬn+2
による３×３マトリクスが選択できる。このマトリクス
は、読取線密度により選択する。
【００２１】すなわち、８×８本または８×３．７５本
等の読取線密度においては、前ラインＬn+1 および次ラ
インＬn-1 を選択し、８×１５．４本等の読取線密度に
おいては前々ラインＬn-2 、次々ラインＬn+2 を選択す
る。演算回路１８は、３×３マトリクス回路１５により
形成されたマトリクスを用いて、従来同様に、 Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ） 等の演算式に当てはめてＭＴＦ演算を行う。
等の読取線密度においては、前ラインＬn+1 および次ラ
インＬn-1 を選択し、８×１５．４本等の読取線密度に
おいては前々ラインＬn-2 、次々ラインＬn+2 を選択す
る。演算回路１８は、３×３マトリクス回路１５により
形成されたマトリクスを用いて、従来同様に、 Ｅmtf ＝３Ｅ−１／２（Ｂ＋Ｄ＋Ｆ＋Ｈ） 等の演算式に当てはめてＭＴＦ演算を行う。
【００２２】このように、本実施例においては、注目画
素Ｅに対する副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈを、注目画素
ＥのラインＬn から２ライン目のラインＬn-2 、Ｌn+2
にある前々画素、次々画素に変更できるため、１画素の
読取範囲が読取線密度に対して大きい時でも効果的にＭ
ＴＦ補正を実行できる。また、本実施例においては、読
取線密度に応じて注目画素Ｅに対する副走査方向の周囲
画素Ｂ、Ｈを変更できるので、最適なＭＴＦ補正を選択
できる。
素Ｅに対する副走査方向の周囲画素Ｂ、Ｈを、注目画素
ＥのラインＬn から２ライン目のラインＬn-2 、Ｌn+2
にある前々画素、次々画素に変更できるため、１画素の
読取範囲が読取線密度に対して大きい時でも効果的にＭ
ＴＦ補正を実行できる。また、本実施例においては、読
取線密度に応じて注目画素Ｅに対する副走査方向の周囲
画素Ｂ、Ｈを変更できるので、最適なＭＴＦ補正を選択
できる。
【００２３】また、本実施例においては、読取線密度の
高低に応じて副走査方向で遠距離または近距離の周囲画
素Ｂ、Ｈを設定できるので、各種の読取線密度に対応可
能なＭＴＦ補正を実現できる。
高低に応じて副走査方向で遠距離または近距離の周囲画
素Ｂ、Ｈを設定できるので、各種の読取線密度に対応可
能なＭＴＦ補正を実現できる。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＭＴ
Ｆ補正装置によれば、変更部によって副走査方向の周囲
画素を注目画素のラインから２ライン目にある画素に変
更するので、１画素の読取範囲が読取線密度に対して大
きい時でも効果的にＭＴＦ補正を実行できる。
Ｆ補正装置によれば、変更部によって副走査方向の周囲
画素を注目画素のラインから２ライン目にある画素に変
更するので、１画素の読取範囲が読取線密度に対して大
きい時でも効果的にＭＴＦ補正を実行できる。
【００２５】また、本発明に係るＭＴＦ補正装置によれ
ば、副走査方向の周囲画素を読取線密度に応じて変更す
るので、読取線密度に応じた最適なＭＴＦ補正を選択で
きる。また、本発明に係るＭＴＦ補正装置によれば、副
走査方向の周囲画素を読取線密度が高くなるほど注目画
素に対して遠距離の画素とし、読取線密度が低くなるほ
ど注目画素に対して近距離の画素とするので、各種の読
取線密度に対応可能なＭＴＦ補正を実現できる。
ば、副走査方向の周囲画素を読取線密度に応じて変更す
るので、読取線密度に応じた最適なＭＴＦ補正を選択で
きる。また、本発明に係るＭＴＦ補正装置によれば、副
走査方向の周囲画素を読取線密度が高くなるほど注目画
素に対して遠距離の画素とし、読取線密度が低くなるほ
ど注目画素に対して近距離の画素とするので、各種の読
取線密度に対応可能なＭＴＦ補正を実現できる。
【図１】請求項１、２いずれかに記載された発明の一実
施例に係るＭＴＦ補正装置を説明するための図であり、
同図（ａ）はそのブロック構成図、同図（ｂ）はその画
素マトリクスを示す。
施例に係るＭＴＦ補正装置を説明するための図であり、
同図（ａ）はそのブロック構成図、同図（ｂ）はその画
素マトリクスを示す。
【図２】従来のＭＴＦ補正の原理を説明するための画素
マトリクスを示す図である。
マトリクスを示す図である。
【図３】１画素の読取範囲と読取線密度が合っている場
合の画素位置を示す図である。
合の画素位置を示す図である。
【図４】１画素の読取範囲が読取線密度に対して大きい
場合の画素位置を示す図である。
場合の画素位置を示す図である。
１１〜１４ ラインバッファ １５ ３×３マトリクス回路 １６、１７ 切換スイッチ（変更部） １８ 演算回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H04N 1/409 G06T 5/20
Claims (2)
- 【請求項１】主走査方向のラインを所定の読取線密度に
従って副走査方向に順次変えながら１ライン毎に読み取
った画信号の各画素に対し、 該画素を注目画素としたとき該注目画素のラインと前後
のラインにあり前記注目画素に対して主走査方向および
副走査方向の最も近い画素を周囲画素として参照し、 前記注目画素の濃度を周囲画素の濃度に応じて補正する
ＭＴＦ補正演算回路を備えたＭＴＦ補正装置において、読取線密度に応じて 前記副走査方向の周囲画素を前記注
目画素のラインから２ライン目にある画素に変更する変
更部を備えたことを特徴とするＭＴＦ補正装置。 - 【請求項２】前記副走査方向の周囲画素を読取線密度が
高くなるほど注目画素に対して遠距離の画素とし、読取
線密度が低くなるほど注目画素に対して近距離の画素と
することを特徴とする請求項１記載のＭＴＦ補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00183192A JP3155799B2 (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | Ｍｔｆ補正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00183192A JP3155799B2 (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | Ｍｔｆ補正装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05191647A JPH05191647A (ja) | 1993-07-30 |
| JP3155799B2 true JP3155799B2 (ja) | 2001-04-16 |
Family
ID=11512511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00183192A Expired - Fee Related JP3155799B2 (ja) | 1992-01-09 | 1992-01-09 | Ｍｔｆ補正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3155799B2 (ja) |
-
1992
- 1992-01-09 JP JP00183192A patent/JP3155799B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05191647A (ja) | 1993-07-30 |
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