JP3145164U - Ａｗｇ型半導体リングレーザ - Google Patents

Ａｗｇ型半導体リングレーザ Download PDF

Info

Publication number
JP3145164U
JP3145164U JP2008005108U JP2008005108U JP3145164U JP 3145164 U JP3145164 U JP 3145164U JP 2008005108 U JP2008005108 U JP 2008005108U JP 2008005108 U JP2008005108 U JP 2008005108U JP 3145164 U JP3145164 U JP 3145164U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
semiconductor laser
output
optical
slab
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2008005108U
Other languages
English (en)
Inventor
律男 蓮見
Original Assignee
律男 蓮見
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 律男 蓮見 filed Critical 律男 蓮見
Priority to JP2008005108U priority Critical patent/JP3145164U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3145164U publication Critical patent/JP3145164U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】アレイ導波路を使った光合分波器と半導体レーザを使って、組立が簡単なリングレーザを提供する。
【解決手段】左スラブ導波路２と右スラブ導波路３をアレイ導波路回折格子４で結び、左スラブ導波路には左入力導波路５と左出力導波路６、右スラブ導波路には右入力導波路７と右出力導波路８がそれぞれ結合してある構造の光波長合分波器に於いて、左入力導波路と右入力導波路との各出力端面の間に半導体レーザ素子９を配置し、左出力導波路と右出力導波路を光分岐路１０の両端に接続してリングレーザを構成している。
【選択図】図１

Description

この考案は半導体リングレーザに関するものである。
リングレーザはレーザジャイロに利用されているが、精密な組立を必要とする問題があった。
そこでこの考案はアレイ導波路を使った光合分波器と半導体レーザを使って、組立が簡単なリングレーザを実現する事を目的としている。
左スラブ導波路と右スラブ導波路をアレイ導波路回折格子で結び、左スラブ導波路には左入力導波路と左出力導波路、右スラブ導波路には右入力導波路と右出力導波路がそれぞれ結合してある構造の光波長合分波器に於いて、左入力導波路と右入力導波路との各出力端面の間に半導体レーザ素子を配置し、左出力導波路と右出力導波路を光分岐路の両端に接続している。
半導体レーザ素子からの左回りレーザ光は、右入力導波路から右スラブ導波路に入り、アレイ導波路回折格子で分波されて左スラブ導波路から左出力導波路に入り、光分岐路を通って右出力導波路から右スラブ導波路に入り、アレイ導波路回折格子で分波されて左スラブ導波路から左入力導波路に入り、半導体レーザ素子に戻る。右回りは逆である。左回りレーザ光は光分岐路の右出力口、右回りレーサ光は左出力口からそれぞれ出力される。各光学素子は基板上に一体形成されており、組立は半導体レーザ素子の配置だけである。左入力導波路と右入力導波路との各出力端面の光軸はあらかじめ一致しているから、半導体レーザ素子の位置あわせが簡単にできる。半導体レーザ素子も基板によっては同一基板上に形成でき、全く組立工程が無くせる。半導体レーザ素子の数や構造は用途により自由に変えられる。
図１はレーザジャイロへの応用例の平面図である。基板１上で左スラブ導波路２と右スラブ導波路３をアレイ導波路回折格子４で結び、左スラブ導波路２には左入力導波路５と左出力導波路６、右スラブ導波路３には右入力導波路７と右出力導波路８がそれぞれ結合してある。左入力導波路５と右入力導波路７との各出力端面の間に半導体レーザ素子９を配置し、左出力導波路６と右出力導波路８を光分岐路１０の両端に接続している。光分岐路１０の右出力口１１には受光素子１２、左出力口１３には反射鏡１４を配置してある。半導体レーザ素子９と受光素子１２は基板１上に一体形成できる場合もある。
半導体レーザ素子９を連続発振させると、レーザ光１５が右回りと左回りで発振するが、基板１が宇宙に対して変位すると両者の発振周波数が微小に変化し、光分岐路１０の左出力口１３の反射鏡１４で右回りのレーザ光１５が反射されて右出力口１１の受光素子１２でヘテロダイン検波され、変位に比例した周波数で電気信号が変動する。
図２は光送信器への応用例の平面図である。基板１６上で左スラブ導波路１７と右スラブ導波路１８をアレイ導波路回折格子１９で結び、左スラブ導波路１７には左入力導波路２０と左出力導波路２１、右スラブ導波路１８には右入力導波路２２と右出力導波路２３がそれぞれ結合してある。左入力導波路２０と右入力導波路２２との各出力端面の間に半導体レーザ素子２４を４個配列した半導体レーザアレイ２５を配置し、左出力導波路２１と右出力導波路２３を光分岐路２６の両端に接続している。
半導体レーザアレイ２５内の各半導体レーザ素子２４の材質や成分比は同一である必要は無く、自由に組合せることができる。光分岐路２６の左出力口２７と右出力口２８から各半導体レーザ素子２４から出力されたレーザ光３０が出力される。半導体レーザ素子２４の一部を受光素子に置き換えると光送受信器として使える。半導体レーザ素子２４の材質や組成比を変えて様々な発振波長帯域のものを組み合わせると、広帯域で利用できる多波長光源になり、スペクトル分析や光波長変換用光源として使える。例えば、２波長を同時発振させて非線形光学素子に入力し、可視光を和周波変換で紫外光にしたり、近赤外光を差周波変換で赤外光にしたりする装置の光源になる。様々な波長を組み合わせた半導体レーザ素子２４を複数組交互に配列し、半導体レーザアレイ２５を圧電素子や磁石で幅方向に移動させて動作する半導体レーザ素子２４の組を切り替えられるようすると、広い波長帯域で利用できる。
レーザジャイロへの平面図。 光送信器の平面図。
符号の説明
１ 基板
２ 左スラブ導波路
３ 右スラブ導波路
４ アレイ導波路回折格子
５ 左入力導波路
６ 左出力導波路
７ 右入力導波路
８ 右出力導波路
９ 半導体レーザ素子
１０ 光分岐路
１１ 右出力口
１２ 受光素子
１３ レーザ光
１４ 左出力口
１５ 反射鏡
１６ 基板
１７ 左スラブ導波路
１８ 右スラブ導波路
１９ アレイ導波路回折格子
２０ 左入力導波路
２１ 左出力導波路
２２ 右入力導波路
２３ 右出力導波路
２４ 半導体レーザ素子
２５ 半導体レーザアレイ
２６ 光分岐路
２７ 左出力口
２８ 右出力口
２９ レーザ光

Claims (7)

  1. 左スラブ導波路と右スラブ導波路をアレイ導波路回折格子で結び、左スラブ導波路には左入力導波路と左出力導波路、右スラブ導波路には右入力導波路と右出力導波路がそれぞれ結合してある構造の光波長合分波器に於いて、左入力導波路と右入力導波路との各出力端面の間に半導体レーザ素子を配置し、左出力導波路と右出力導波路を光分岐路の両端に接続したリングレーザ。
  2. 〔請求項１〕の半導体レーザ素子を光波長合分波器と同一基板上に直接形成したリングレーザ。
  3. 〔請求項１〕の光分岐路の一方の出力口に反射鏡を形成し、他方の出力口に受光素子を配置したレーザジャイロ。
  4. 〔請求項３〕の半導体レーザ素子と受光素子の少なくとも一方を光波長合分波器と同一基板上に直接形成したレーザジャイロ。
  5. 〔請求項１〕の半導体レーザ素子を複数個の半導体レーザアレイに置き換えた光送信器。
  6. 〔請求項５〕の半導体レーザ素子の一部を受光素子に置き換えた光送受信器。
  7. 〔請求項５〕の半導体レーザアレイを幅方向に移動可能にした多波長光源。
JP2008005108U 2008-06-26 2008-06-26 Ａｗｇ型半導体リングレーザ Expired - Fee Related JP3145164U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008005108U JP3145164U (ja) 2008-06-26 2008-06-26 Ａｗｇ型半導体リングレーザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008005108U JP3145164U (ja) 2008-06-26 2008-06-26 Ａｗｇ型半導体リングレーザ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3145164U true JP3145164U (ja) 2008-10-02

Family

ID=43294963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008005108U Expired - Fee Related JP3145164U (ja) 2008-06-26 2008-06-26 Ａｗｇ型半導体リングレーザ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3145164U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6823668B2 (ja) 光信号処理装置
KR100922479B1 (ko) 기판에 슬래브 도파관과 채널 도파관들을 갖는 광학 장치
JP5692865B2 (ja) 波長クロスコネクト装置
WO2014034144A1 (ja) 光信号処理装置
JP6124731B2 (ja) 波長モニタおよび光モジュール
JP4254776B2 (ja) 光機能デバイス
US9917417B2 (en) Method and system for widely tunable laser
JP5600087B2 (ja) 光信号選択スイッチ
JP2009258438A (ja) 波長選択スイッチ
JP6410997B2 (ja) 光回路、光走査器、光合分波器、波長モニタ、光合分波器モジュール、および波長モニタモジュール
JP2009168840A (ja) 波長選択スイッチ
JP4967847B2 (ja) 光スイッチおよびｍｅｍｓパッケージ
JP2010117564A (ja) 波長選択スイッチ
US20050249458A1 (en) Wavelength selection device
JP4945475B2 (ja) 可変分散補償器
US7706049B2 (en) Mirror device and optical apparatus
JP2011179979A (ja) ダブルパスモノクロメータ、波長選択光スイッチ、および光チャンネルモニタ
WO2017138091A1 (ja) 光合波器
JP4152869B2 (ja) 位相生成機能を備えた光合分波回路
JP3145164U (ja) Ａｗｇ型半導体リングレーザ
JP5910970B2 (ja) 波長選択スイッチ
JP2012003104A (ja) 波長選択光スイッチ
JP2009198826A (ja) 光信号処理装置
JP2005241730A (ja) 光合分波器および光モジュール
US9596526B2 (en) Wavelength selective switch

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees