JP3136387B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、プラズマ，イオン，
ラジカルの発生源として使用されるプラズマ生成装置で
ある、薄膜形成，エッチング，クリーニングなどの加工
処理を行うプラズマ処理装置に関する。
ラジカルの発生源として使用されるプラズマ生成装置で
ある、薄膜形成，エッチング，クリーニングなどの加工
処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高品質な薄膜や、極微細・高精度のエッ
チングを実現するために、電子サイクロトロン共鳴によ
りプラズマを生成するＥＣＲプラズマが利用されてい
る。ＥＣＲプラズマは、以下に示すような優れた特長を
有している。まず、１０-2〜１０-3Ｐａ程度の低ガス圧
で放電可能である。また、無電極放電のため、反応性ガ
スの使用も可能である。また、イオンエネルギーが１０
〜３０ｅＶと適度である。そして、高密度のプラズマ生
成が可能である。
チングを実現するために、電子サイクロトロン共鳴によ
りプラズマを生成するＥＣＲプラズマが利用されてい
る。ＥＣＲプラズマは、以下に示すような優れた特長を
有している。まず、１０-2〜１０-3Ｐａ程度の低ガス圧
で放電可能である。また、無電極放電のため、反応性ガ
スの使用も可能である。また、イオンエネルギーが１０
〜３０ｅＶと適度である。そして、高密度のプラズマ生
成が可能である。
【０００３】しかしながら、ＥＣＲプラズマを用いて薄
膜生成を行う場合、マイクロ波導入窓が、生成している
プラズマに直接接触しているため、試料上に形成される
膜と同様の膜が、そのマイクロ波導入窓上にも形成され
る。そのため、電導性膜を試料上に形成する場合、マイ
クロ波導入窓にも電導性の膜が付着し、マイクロ波がマ
イクロ波導入窓を透過しにくくなり、ＥＣＲプラズマが
不安定になったり、あるいは、ＥＣＲプラズマそのもの
が発生しなくなる。
膜生成を行う場合、マイクロ波導入窓が、生成している
プラズマに直接接触しているため、試料上に形成される
膜と同様の膜が、そのマイクロ波導入窓上にも形成され
る。そのため、電導性膜を試料上に形成する場合、マイ
クロ波導入窓にも電導性の膜が付着し、マイクロ波がマ
イクロ波導入窓を透過しにくくなり、ＥＣＲプラズマが
不安定になったり、あるいは、ＥＣＲプラズマそのもの
が発生しなくなる。
【０００４】この問題を解決するために、図３に示すよ
うなＥＣＲプラズマ処理装置が提案されている（特開平
６−５３８７号公報）。同図において、１は試料室、２
は試料、３は試料２が載置される試料台、４は通気孔、
５は図示していない真空排気系につながる排気路、６は
プラズマ生成室、７はプラズマ生成室６で生成したプラ
ズマを引き出すプラズマ引出し開口、８はプラズマ生成
のための原料ガスを導入するガス導入部、９は環状管で
ある。
うなＥＣＲプラズマ処理装置が提案されている（特開平
６−５３８７号公報）。同図において、１は試料室、２
は試料、３は試料２が載置される試料台、４は通気孔、
５は図示していない真空排気系につながる排気路、６は
プラズマ生成室、７はプラズマ生成室６で生成したプラ
ズマを引き出すプラズマ引出し開口、８はプラズマ生成
のための原料ガスを導入するガス導入部、９は環状管で
ある。
【０００５】また、１０はガス導入系、１１は冷却管、
１２は冷却水、１３は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発
振するマイクロ波源、１４はマイクロ波のマッチングを
とるスリースタブナーの整合器、１５，１６は矩形の導
波管、１７はマイクロ波源１３からのマイクロ波を２つ
に分岐するＥ面Ｙ分岐の矩形の分岐導波管、１８，１９
は内部でマイクロ波の進行方向が外部磁界に垂直でマイ
クロ波電界が外部磁界に平行になるように配置された矩
形の真空導波管である。
１２は冷却水、１３は２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発
振するマイクロ波源、１４はマイクロ波のマッチングを
とるスリースタブナーの整合器、１５，１６は矩形の導
波管、１７はマイクロ波源１３からのマイクロ波を２つ
に分岐するＥ面Ｙ分岐の矩形の分岐導波管、１８，１９
は内部でマイクロ波の進行方向が外部磁界に垂直でマイ
クロ波電界が外部磁界に平行になるように配置された矩
形の真空導波管である。
【０００６】そして、２０、２１はそれぞれ真空導波管
１８，１９の一端に真空を維持するために取り付けられ
た石英製のマイクロ波導入窓、２２は真空導波管１８，
１９の他端に接続する連結用管、２３は連接用管２２に
よって真空導波管１８，１９に連通されたマイクロ波導
入孔、２４はプラズマ生成室６の周りに配置した磁気コ
イルである。
１８，１９の一端に真空を維持するために取り付けられ
た石英製のマイクロ波導入窓、２２は真空導波管１８，
１９の他端に接続する連結用管、２３は連接用管２２に
よって真空導波管１８，１９に連通されたマイクロ波導
入孔、２４はプラズマ生成室６の周りに配置した磁気コ
イルである。
【０００７】マイクロ波源１３で発振したマイクロ波
は、導波管１５，整合器１４そして導波管１６を通って
分岐導波管１７まで伝播する。分岐導波管１７で２つに
分けられたマイクロ波は、これに連接する２つの導波管
により等しい距離を進んだ後、マイクロ波導入窓２０，
２１を透過し、真空導波管１８，１９の接続部に到達す
る。この接続部では、マイクロ波電界は逆位相となり打
ち消しあい、マイクロ波磁界は同位相となり強め合う。
この磁界によりマイクロ波が励起され、プラズマ生成室
６内に放射される。
は、導波管１５，整合器１４そして導波管１６を通って
分岐導波管１７まで伝播する。分岐導波管１７で２つに
分けられたマイクロ波は、これに連接する２つの導波管
により等しい距離を進んだ後、マイクロ波導入窓２０，
２１を透過し、真空導波管１８，１９の接続部に到達す
る。この接続部では、マイクロ波電界は逆位相となり打
ち消しあい、マイクロ波磁界は同位相となり強め合う。
この磁界によりマイクロ波が励起され、プラズマ生成室
６内に放射される。
【０００８】磁気コイル２４により、プラズマ生成室６
内にＥＣＲ条件を満足する磁場（マイクロ波の周波数が
２．４５ＧＨｚのとき８７５ガウス；ＥＣＲ磁場）を形
成するとともに、真空導波管１８，１９内に、ＥＣＲ磁
場より十分強い磁場を発生させる。これによって、プラ
ズマ生成室６内部でＥＣＲプラズマを生成できる。な
お、同時に、磁気コイル２４は、プラズマ生成室６内か
ら試料室１内にかけて磁場強度が適度な勾配で減少する
発散磁界を形成する。
内にＥＣＲ条件を満足する磁場（マイクロ波の周波数が
２．４５ＧＨｚのとき８７５ガウス；ＥＣＲ磁場）を形
成するとともに、真空導波管１８，１９内に、ＥＣＲ磁
場より十分強い磁場を発生させる。これによって、プラ
ズマ生成室６内部でＥＣＲプラズマを生成できる。な
お、同時に、磁気コイル２４は、プラズマ生成室６内か
ら試料室１内にかけて磁場強度が適度な勾配で減少する
発散磁界を形成する。
【０００９】生成したプラズマは、発散磁界によりプラ
ズマ流として試料２に照射され、薄膜が形成される。こ
の構成では、プラズマが直接マイクロ波導入窓２０，２
１と接触することなく形成される。このため、マイクロ
波導入窓２０，２１への膜の付着を大きく減少させるこ
とができ、安定にプラズマを生成できる。また、真空導
波管１８，１９内の磁場強度をＥＣＲ磁場より高くする
ことで、マイクロ波の遮断現象や、そこでのマイクロ波
のプラズマによる減衰を押さえて、プラズマ生成室６へ
プラズマ波を高磁界側から導入できる。
ズマ流として試料２に照射され、薄膜が形成される。こ
の構成では、プラズマが直接マイクロ波導入窓２０，２
１と接触することなく形成される。このため、マイクロ
波導入窓２０，２１への膜の付着を大きく減少させるこ
とができ、安定にプラズマを生成できる。また、真空導
波管１８，１９内の磁場強度をＥＣＲ磁場より高くする
ことで、マイクロ波の遮断現象や、そこでのマイクロ波
のプラズマによる減衰を押さえて、プラズマ生成室６へ
プラズマ波を高磁界側から導入できる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たＥＣＲプラズマ処理装置では、真空導波管１８，１９
の連結用管２２の開口部であるマイクロ波導入孔に対向
する領域がプラズマと接触しており、試料２上に形成し
ようとする膜と同様の電導性の膜がその領域に付着す
る。そこへ、プラズマ中の電子やイオンが衝突し、加熱
や衝撃により再び付着粒子が蒸発あるいはスパッタされ
る。
たＥＣＲプラズマ処理装置では、真空導波管１８，１９
の連結用管２２の開口部であるマイクロ波導入孔に対向
する領域がプラズマと接触しており、試料２上に形成し
ようとする膜と同様の電導性の膜がその領域に付着す
る。そこへ、プラズマ中の電子やイオンが衝突し、加熱
や衝撃により再び付着粒子が蒸発あるいはスパッタされ
る。
【００１１】そして、この真空導波管１８，１９上部の
領域が、マイクロ波導入窓２０，２１から見込めるため
に、それら再蒸発あるいは再スパッタされた付着粒子が
マイクロ波導入窓２０，２１に付着してしまうという現
象が生じた。このため、長時間にわたって上述したＥＣ
Ｒプラズマ処理装置を動作させることが困難であるとい
う問題があった。
領域が、マイクロ波導入窓２０，２１から見込めるため
に、それら再蒸発あるいは再スパッタされた付着粒子が
マイクロ波導入窓２０，２１に付着してしまうという現
象が生じた。このため、長時間にわたって上述したＥＣ
Ｒプラズマ処理装置を動作させることが困難であるとい
う問題があった。
【００１２】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、マイクロ波導入窓への膜
の付着を防止し、プラズマ処理装置を安定して長時間動
作させることができるようにすることを目的とする。
るためになされたものであり、マイクロ波導入窓への膜
の付着を防止し、プラズマ処理装置を安定して長時間動
作させることができるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明のプラズマ処理
装置は、一端にマイクロ波導入窓が設けられ他端に連結
用管と接続され内部でのマイクロ波の進行方向が外部磁
界と垂直となるように配置された第１，第２の真空導波
管のマイクロ波導入孔に対向する部位を、誘電体からな
るマイクロ波導入窓から死角になるように配置したこと
を特徴とする。また、その部位が、接地電位に対して絶
縁されていることを特徴とする。
装置は、一端にマイクロ波導入窓が設けられ他端に連結
用管と接続され内部でのマイクロ波の進行方向が外部磁
界と垂直となるように配置された第１，第２の真空導波
管のマイクロ波導入孔に対向する部位を、誘電体からな
るマイクロ波導入窓から死角になるように配置したこと
を特徴とする。また、その部位が、接地電位に対して絶
縁されていることを特徴とする。
【００１４】
【作用】生成するプラズマに接触して膜が付着する部位
より飛散する、膜を構成する粒子は、直接マイクロ波導
入窓に到達しない。また、生成するプラズマに接触して
膜が付着する部位を、接地電位より絶縁しておくこと
で、プラズマからの電流の流れを遮断することができ
る。
より飛散する、膜を構成する粒子は、直接マイクロ波導
入窓に到達しない。また、生成するプラズマに接触して
膜が付着する部位を、接地電位より絶縁しておくこと
で、プラズマからの電流の流れを遮断することができ
る。
【００１５】
【実施例】以下この発明の１実施例を図を参照して説明
する。図１は、この発明の１実施例であるプラズマ処理
装置の構成を示す構成図である。同図において、分岐導
波管１７はθ＝１２０°の角度で分岐させている。な
お、これは他の角度で分岐しても良く、９０°や１５０
°であっても良い。そして、２５はマイクロ波導入孔２
３に対向した部位がマイクロ波導入窓２０，２１から死
角になるように、プラズマ生成室６とは反対側に迫り出
させた真空導波管上部である。
する。図１は、この発明の１実施例であるプラズマ処理
装置の構成を示す構成図である。同図において、分岐導
波管１７はθ＝１２０°の角度で分岐させている。な
お、これは他の角度で分岐しても良く、９０°や１５０
°であっても良い。そして、２５はマイクロ波導入孔２
３に対向した部位がマイクロ波導入窓２０，２１から死
角になるように、プラズマ生成室６とは反対側に迫り出
させた真空導波管上部である。
【００１６】また、図２は、図１におけるマイクロ波導
入孔２３の近傍を拡大した構成図である。ここで、この
実施例においては、上下に分割してプラズマ生成室６の
周りに配置した磁気コイル２４の上部の周囲より、その
上部と下部の間を通るようにして、分岐導波管１７で分
岐した導波管を通すようにした。これにより、マイクロ
波導入窓２０，２１をプラズマから離れた位置に配置す
ることができ、膜の付着を低減できる。なお、図１，２
において、図３と同一の符号で示したものは同様のもの
を示す。
入孔２３の近傍を拡大した構成図である。ここで、この
実施例においては、上下に分割してプラズマ生成室６の
周りに配置した磁気コイル２４の上部の周囲より、その
上部と下部の間を通るようにして、分岐導波管１７で分
岐した導波管を通すようにした。これにより、マイクロ
波導入窓２０，２１をプラズマから離れた位置に配置す
ることができ、膜の付着を低減できる。なお、図１，２
において、図３と同一の符号で示したものは同様のもの
を示す。
【００１７】以下、上述した、図１，２に示したように
構成されたプラズマ処理装置の動作を説明する。マイク
ロ波源１３で発振したマイクロ波は、導波管１５，整合
器１４そして導波管１６を通って分岐導波管１７まで伝
播する。分岐導波管１７で２つに分けられたマイクロ波
は、これに連接する２つの導波管により等しい距離を進
んだ後、マイクロ波導入窓２０，２１を透過し、真空導
波管１８，１９の接続部Ｐ点に到達する。
構成されたプラズマ処理装置の動作を説明する。マイク
ロ波源１３で発振したマイクロ波は、導波管１５，整合
器１４そして導波管１６を通って分岐導波管１７まで伝
播する。分岐導波管１７で２つに分けられたマイクロ波
は、これに連接する２つの導波管により等しい距離を進
んだ後、マイクロ波導入窓２０，２１を透過し、真空導
波管１８，１９の接続部Ｐ点に到達する。
【００１８】このＰ点では、真空導波管１８からのマイ
クロ波電界と真空導波管１９からのマイクロ波電界の位
相が１８０度異なっているため、これらは打ち消し合
い、このＰ点ではマイクロ波電界の強度は極めて弱くな
る。一方、このＰ点では、真空導波管１８からのマイク
ロ波磁界と真空導波管１９からのマイクロ波磁界は同位
相となるため強い磁界が存在する このため、この磁界によりマイクロ波が励起されて連結
用管２２に放射され、さらに、プラズマ生成室６内に放
射される。
クロ波電界と真空導波管１９からのマイクロ波電界の位
相が１８０度異なっているため、これらは打ち消し合
い、このＰ点ではマイクロ波電界の強度は極めて弱くな
る。一方、このＰ点では、真空導波管１８からのマイク
ロ波磁界と真空導波管１９からのマイクロ波磁界は同位
相となるため強い磁界が存在する このため、この磁界によりマイクロ波が励起されて連結
用管２２に放射され、さらに、プラズマ生成室６内に放
射される。
【００１９】一方、磁気コイル２４は、プラズマ生成室
６内にＥＣＲ磁場を形成するとともに、真空導波管１
８，１９内では、ＥＣＲ磁場より十分高い磁場を生成さ
せる。これによって、プラズマ生成室６内部でＥＣＲプ
ラズマを生成できる。このようにして生成されたプラズ
マは、磁気コイル２４によって形成されている発散磁界
により、プラズマ流として試料２に照射され、このプラ
ズマによる薄膜が試料２上に形成される。そして、マイ
クロ波導入窓２０，２１にはプラズマが直接接触しない
ので、ここへの薄膜の付着を減少させることができ、安
定にプラズマを生成できる。
６内にＥＣＲ磁場を形成するとともに、真空導波管１
８，１９内では、ＥＣＲ磁場より十分高い磁場を生成さ
せる。これによって、プラズマ生成室６内部でＥＣＲプ
ラズマを生成できる。このようにして生成されたプラズ
マは、磁気コイル２４によって形成されている発散磁界
により、プラズマ流として試料２に照射され、このプラ
ズマによる薄膜が試料２上に形成される。そして、マイ
クロ波導入窓２０，２１にはプラズマが直接接触しない
ので、ここへの薄膜の付着を減少させることができ、安
定にプラズマを生成できる。
【００２０】ところで、真空導波管上部２５は、生成し
ているプラズマと接触しているので、試料２上に形成し
ようとしている膜と同様の膜が付着する。例えば、試料
２上に電導性の物質からなる膜を付着させようとしてい
る場合、この真空導波管上部２５にもこの電導性の膜が
付着する。この真空導波管上部２５には、プラズマ中の
電子やイオンが衝突し、これらによる衝撃が加わり、加
熱もされる。このため、上述した付着した電導性膜よ
り、それを構成する粒子が再度蒸発したりスパッタさ
れ、飛散していく。この領域は前述したように１０-2〜
１０-3Ｐａと高真空なので、粒子はほぼ直線的に飛散し
ていく。
ているプラズマと接触しているので、試料２上に形成し
ようとしている膜と同様の膜が付着する。例えば、試料
２上に電導性の物質からなる膜を付着させようとしてい
る場合、この真空導波管上部２５にもこの電導性の膜が
付着する。この真空導波管上部２５には、プラズマ中の
電子やイオンが衝突し、これらによる衝撃が加わり、加
熱もされる。このため、上述した付着した電導性膜よ
り、それを構成する粒子が再度蒸発したりスパッタさ
れ、飛散していく。この領域は前述したように１０-2〜
１０-3Ｐａと高真空なので、粒子はほぼ直線的に飛散し
ていく。
【００２１】ここで、この実施例においては、図２にも
示したように、マイクロ波導入窓２０，２１は真空導波
管上部２５より見込めず、死角となっているので、その
飛散していく粒子がマイクロ波導入窓２０，２１に付着
していくことはない。このため、マイクロ波導入窓２
０，２１への膜の付着を防ぐことができ、長時間にわた
って、このプラズマ処理装置を安定に動作させることが
可能となる。
示したように、マイクロ波導入窓２０，２１は真空導波
管上部２５より見込めず、死角となっているので、その
飛散していく粒子がマイクロ波導入窓２０，２１に付着
していくことはない。このため、マイクロ波導入窓２
０，２１への膜の付着を防ぐことができ、長時間にわた
って、このプラズマ処理装置を安定に動作させることが
可能となる。
【００２２】なお、真空導波管上部２５のプラズマが接
触して膜が付着する領域に、石英板などの絶縁体を設置
することにより、接地電位より絶縁をすれば、プラズマ
からの電流の流れを遮断することができる。このことに
より、絶縁していないときは失われていたプラズマ中の
電子を、プラズマ中に戻すことができるので、絶縁して
いない場合に比べて、プラズマ密度をさらに高めること
ができる。
触して膜が付着する領域に、石英板などの絶縁体を設置
することにより、接地電位より絶縁をすれば、プラズマ
からの電流の流れを遮断することができる。このことに
より、絶縁していないときは失われていたプラズマ中の
電子を、プラズマ中に戻すことができるので、絶縁して
いない場合に比べて、プラズマ密度をさらに高めること
ができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、一端にマイクロ波導入窓が設けられ他端に連結用管
と接続され内部でのマイクロ波の進行方向が外部磁界と
垂直となるように配置された第１，第２の真空導波管の
マイクロ波導入孔に対向する部位、すなわち、生成して
いるプラズマが接触する領域を、誘電体からなるマイク
ロ波導入窓から死角になるように配置した。このため、
この部位に付着した膜より、蒸発やスパッタされて飛散
していく粒子がマイクロ波導波窓に付着することがない
ので、長時間にわたって安定してプラズマを生成できる
という効果がある。
ば、一端にマイクロ波導入窓が設けられ他端に連結用管
と接続され内部でのマイクロ波の進行方向が外部磁界と
垂直となるように配置された第１，第２の真空導波管の
マイクロ波導入孔に対向する部位、すなわち、生成して
いるプラズマが接触する領域を、誘電体からなるマイク
ロ波導入窓から死角になるように配置した。このため、
この部位に付着した膜より、蒸発やスパッタされて飛散
していく粒子がマイクロ波導波窓に付着することがない
ので、長時間にわたって安定してプラズマを生成できる
という効果がある。
【図１】 この発明の１実施例であるプラズマ処理装置
の構成を示す構成図である。
の構成を示す構成図である。
【図２】 図１におけるマイクロ波導入孔２３の近傍を
拡大した構成図である。
拡大した構成図である。
【図３】 従来のプラズマ処理装置の構成を示す構成図
である。
である。
１…試料室、２…試料、３…試料台、４…通気孔、５…
排気路、６…プラズマ生成室、７…プラズマ引出し開
口、８…ガス導入部、９…環状管、１０…ガス導入系、
１１…冷却管、１２…冷却水、１３…マイクロ波源、１
４…整合器、１５，１６…導波管、１７…分岐導波管、
１８，１９…真空導波管、２０，２１…マイクロ波導入
窓、２２…連結用管、２３…マイクロ波導入孔、２４…
磁気コイル，２５…真空導波管上部。
排気路、６…プラズマ生成室、７…プラズマ引出し開
口、８…ガス導入部、９…環状管、１０…ガス導入系、
１１…冷却管、１２…冷却水、１３…マイクロ波源、１
４…整合器、１５，１６…導波管、１７…分岐導波管、
１８，１９…真空導波管、２０，２１…マイクロ波導入
窓、２２…連結用管、２３…マイクロ波導入孔、２４…
磁気コイル，２５…真空導波管上部。
フロントページの続き (72)発明者 松尾 誠太郎 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日本電信電話株式会社内 (72)発明者 肥留川 洋一 東京都武蔵野市緑町３丁目９番11号 株 式会社アフティ内 (72)発明者 廣原 正己 東京都武蔵野市緑町３丁目９番11号 株 式会社アフティ内 (56)参考文献 特開 平６−275601（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05H 1/46 C23C 16/50 C23F 4/00 H01L 21/3065
Claims (2)
- 【請求項１】 マイクロ波源で発振したマイクロ波が、
第１の導波管を通って分岐導波管まで伝播してこの分岐
導波管で２つに分けられ、２つに分けられたマイクロ波
は、各々前記分岐導波管に連接する第２，第３の導波管
により等しい距離を進んだ後、一端にマイクロ波導入窓
が設けられ他端は連結用管と接続され内部でのマイクロ
波の進行方向が外部磁界と垂直となるように配置された
第１，第２の真空導波管の前記マイクロ波導入窓を通過
して前記第１，第２の真空導波管の接続部に到達し、前
記第１，第２の真空導波管に連通されたマイクロ波導入
孔を有するプラズマ生成室に前記外部磁界を印加した状
態で供給され、このプラズマ生成室内の原料ガスを電子
サイクロトロン共鳴によりプラズマ化するプラズマ処理
装置において、前記第１，第２の真空導波管の、前記マイクロ波導入孔
に 対向する部位を、前記マイクロ波導入窓から死角にな
るように配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、 前記部位が、接地電位に対して絶縁されていることを特
徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06219913A JP3136387B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06219913A JP3136387B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0883693A JPH0883693A (ja) | 1996-03-26 |
| JP3136387B2 true JP3136387B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=16742988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06219913A Expired - Lifetime JP3136387B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP3136387B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-09-14 JP JP06219913A patent/JP3136387B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0883693A (ja) | 1996-03-26 |
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