JP3133486B2 - 多段加重型コンデンサa/d変換器に於いて容量の整合性を高める装置と方法 - Google Patents

多段加重型コンデンサa/d変換器に於いて容量の整合性を高める装置と方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、集積回路の
分野に関する。更に詳しくは、本発明は、多段加重型コ
ンデンサA/D変換器に於いて容量の整合性を高める装
置と方法に関する。
【0002】
【従来の技術】集積回路の分野では、アナログからデジ
タルへの変換(A/D変換)とデジタルからアナログへ
の変換(D/A)を行うために2進法によって加重した
コンデンサ・アレイを使用することが知られている。高
性能のアナログ回路及びデジタル回路の両方で必要とさ
れるこのような変換を行う従来技術は、1個の集積回路
に経済的に内臓することができない。このようなコンデ
ンサ・アレイによる変換回路は、「IEEE Jour
nal of Solid−State Circui
ts」、Vol.SC−10、No.6、1975年1
2月に掲載されているJ.L. McCrearyと
P.R.Grayによる論文「A11−MOS Cha
rge Redistibution Analog−
to−Digital Conversion Tec
hniques−Part I」に詳細に記載され、こ
の論文はここに参考として含まれている。
【0003】その後、新しく開発された変換機構は、図
1に示すように、2段加重型コンデンサ・ネットワーク
10によって構成される。この2段ネットワーク10
は、最上位ビット(MSB)段12と最下位ビット(L
SB)段13を有する。各々の段12と13は、それぞ
れ所定数のコンデンサ14〜18と20〜25を有す
る。コンデンサ14〜18と20〜25は2進法によっ
て加重されている。即ち、もしコンデンサ20、21及
び14の容量がCであれば、コンデンサ22と15の容
量は2C(即ち21 *C)であり、コンデンサ23と1
6の容量は4C(即ち22 *C)であり、コンデンサ2
4と17の容量は8C(即ち23 *C)であり、コンデ
ンサ25と18の容量は16C(即ち24 *C)であ
る。2つの段12と13は結合コンデンサ27によって
接続され、その値は(32/31)*Cに等しい。比較
器28は反転構成でMSBネットワーク12に接続され
ている。一般的に複数のスイッチによって構成される切
り換えマトリックス29によって、コンデンサ14〜1
8と20〜25が入力電圧VINと基準電圧VREF+とV
REF-に交互に接続される。反転信号が、比較器28の出
力32によって与えられる。2段コンデンサ・ネットワ
ークは、「IEEE Journal of Soli
d−State Circuits」、Vol.SC−
14、No.4、1979年8月に掲載されているY.
S.Tee、L.M.Terman、及びL.G.He
llerによる論文「A Two−Stage Wei
ghted Capacitor Network f
or D/A−A/D Conversion」に詳細
に記載され、この論文はここに参考として含まれてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この2段のコンデンサ
・ネットワーク10は、より好ましい構成であるが、そ
の理由は、これが単一のアレイによる構成よりもより狭
い範囲のコンデンサの値しか必要とせず、従って、より
狭いダイ(die)領域しか必要としないからである。
しかし、この2段A/D変換器には、なお周知の現像、
フリンジ効果(fringing effect)の問
題があり、これによって、A/D変換器が実質的に不正
確になる。フリンジ効果は、それ自身の下部プレート以
外に他のコンデンサの下部プレートと結合されたアレイ
14〜18と20〜25内のコンデンサの上部プレート
の電界によって引き起こされる。フリンジ効果は、また
この上部プレートのネットワーク構造内の他の電位との
結合によっても引き起こされる可能性がある。このフリ
ンジ効果は、これ以外にも、結合コンデンサ内の電位が
ネットワーク内の他の電位と結合されることによっても
発生する。フリンジ効果の最終的な結果として、コンデ
ンサ14〜18と20〜25及び結合コンデンサ27の
容量に不整合が発生し、これによって、変換器10の2
進法による加重要件がくるってしまう。
【0005】フリンジ効果によって引き起こされる不正
確性を解決する周知の方法には、サンドイッチ・コンデ
ンサ構造を使用すること、または導電性のシールドを付
加することが含まれる。前者の方法では、結合コンデン
サ27を含む各コンデンサ14〜18、20〜25をサ
ンドイッチ・コンデンサとして実行する。この結果、フ
リンジ効果は大幅に削減されるが、このサンドイッチ構
造によって、コンデンサ間に別の不整合が発生する。こ
の別の不整合は、各コンデンサの金属サンドイッチ層と
最上部のプレートの間の酸化物層の不均一によって発生
される。酸化物層の不均一性は、これの形成を綿密に監
視することができないので、一般的に発生するものであ
る。
【0006】この問題の他の可能な解決法は、コンデン
サ・アレイ全体に渡って導電性性のシールドを付加し、
このシールドをアースのような固定電位に接続すること
である。この解決法によって、上述したサンドイッチ・
コンデンサによる解決法と関連する酸化物の非均一性の
問題は解消されるが、これによってなお変換器10の不
正確性を発生する他の要素が導入される。例えば、寄生
容量が、シールド層とコンデンサの最上部のプレートの
間に導入される。従って、結合コンデンサ27の容量値
はこの寄生容量を保証しなければならない。計算によれ
ば、結合コンデンサの容量は、図1に示すコンデンサの
ネットワークの場合、32(C+CP )/31に等しく
なければならず、ここでCP は各単位容量Cと関連する
寄生容量である。しかし、導電性シールド層と最上部の
プレートの間の酸化物の厚さ(これがCP に寄与する)
は最上部のプレートと最下部のプレートの間の酸化物の
厚さ(これがCに寄与する)に追従しないので、その結
果、不整合と不正確性の問題が発生する。コンデンサ・
ネットワークの実行に関するこれ以上の議論は、「IE
EE Journal of Solid−State
Circuits」、Vo1.25、No.1、19
90年2月に掲載されているR.K.Hester、
K.S.Tan、M.de Wit、J.W.Fatt
aruso、S.Kiriaki、及びJ.R.Hel
lumsによる論文「Fully Different
ial ADC with Rail−to−Rail
Common−Mode Range and No
nlinear CapacitorCompensa
tion」を参照のこと。この論文は、ここに参照とし
て含まれている。
【0007】従って、加重型のコンデンサ・アレイを使
用するA/DまたはD/A変換器のフリンジ効果と不整
合の問題を解決する必要がある。本発明は、アレイ内の
コンデンサの間の容量の整合を高め、これによってA/
DまたはD/A変換プロセスに於いて精度と解像をより
高くする技術を提供するものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、多段加
重型コンデンサ・アレイに於ける容量の整合性を高める
装置と方法が提供され、これによって、従来技術による
回路と関連する欠点と問題が実質的に取り除かれるかま
たは削減される。本発明の1つの面では、A/D変換器
の多段コンデンサ・ネットワークに於ける容量の整合性
を高める装置が提供される。これらの段は上部プレート
と下部プレートを有する結合コンデンサによって相互に
結合される。この装置は、結合コンデンサを除くコンデ
ンサ・ネットワークの上に位置する第1シールドによっ
て構成され、このシールドは既知の電位に結合される。
第2シールドは各結合コンデンサ上に位置し、ここで各
第2シールドは第1シールドから分離され、各結合コン
デンサの下部プレートに結合される。
【0009】本発明の他の面では、A/D変換器の多段
コンデンサ・ネットワークに於ける容量の整合性を高め
る方法が提供される。この方法は、第1シールドをコン
デンサ・ネットワークの各段上に位置させるステップと
上記のシールドを既知の電位に結合するステップによっ
て構成される。第2シールドがまた各結合コンデンサ上
に形成され、この第2シールドは上記の第1シールドか
ら分離されている。これらの第2シールドは、各結合コ
ンデンサの下部プレートに結合されてサンドイッチ・コ
ンデンサを形成する。
【0010】本発明の重要な技術上の利点は、ネットワ
ーク内の結合コンデンサ及び他のコンデンサ内の、上部
プレートとシールド層の間の酸化物の非均一性に起因す
る容量の不整合性の影響を小さくすることである。本発
明の他の技術的な利点は、フリンジ効果を実質的に取り
除くことによって、A/DまたはD/A変換器の精度を
実質的に向上させることである。
【0011】
【実施例】本発明を更によく理解するため、添付図を参
照する。図を参照して、図2は、一般的に40で示す本
発明の好適な実施例を示す。2段コンデンサ・アレイの
基本的な構成要素は、尚そのまま存在している。このア
レイは、コンデンサ42〜52を有し、ここでコンデン
サ42〜47は最下位ビット(LSB)であり、コンデ
ンサ48〜52は最上位ビット(MSB)である。LS
BのコンデンサとMSBのコンデンサは結合コンデンサ
53によって接続されている。コンデンサ・アレイは、
この用途のための既知の構造と機能を有するスイッチ・
マトリックス55に結合されている。MSBコンデンサ
・アレイは更に比較器56の一方の入力ちに結合され、
この比較器56の出力57によって変換器40の出力が
与えられる。比較器56は演算増幅器によって実行する
ことが可能であり、この場合、コンデンサ・アレイはこ
の増幅器の反転入力に結合される。演算増幅器56は、
技術上周知のように、出力57と反転入力の間にフィー
ドバック経路を有することが可能である。
【0012】本発明の好適な実施例では、導電性シール
ド層60が、結合コンデンサ53を除くコンデンサ・ア
レイ全体の上に形成される。この導電性シールド層60
は金属であることが好ましく、図2ではアースとして示
されている既知の即ち固定電位に結合されるのが好まし
い。結合コンデンサ53はその代わりにサンドイッチ構
造として実行され、ここで導線シールド層62の上部プ
レート63上に形成されると共に更に結合コンデンサ5
3の下部プレート64に接続される。このようにして、
導電性シールド層60の下に酸化物層を形成する半導体
の処理ステップによって、結合コンデンサ53の導電性
サンドイッチ層62の下に酸化物層が形成され、その結
果、導電性シールド層60とコンデンサ42〜52の上
部プレートの間の酸化物層の厚さと誘電率は導電性シー
ルド層62と結合コンデンサ53の上部プレートの間の
酸化物層の厚さと誘電率と等しくなる。従って、結合コ
ンデンサ53の容量値はk(C+CP )によって与えら
れ、ここでkは32/31に等しい。このような方法
で、半導体の処理プロセスが変化するに従って、結合コ
ンデンサ53の容量はLSBアレイ上の寄生容量の影響
に追従する。本発明の好適な実施例では、導電性シール
ド層60と62は金属である。
【0013】更に、本発明を多段コンデンサ・アレイに
適応することが可能であり、この場合、容量の不整合性
とフリンジの影響を低減することが好ましい。更に、本
発明は、コンデンサ・ネットワークを使用してD/A変
換器を実行する場合に適用することができる。本発明を
詳細に説明したが、添付の特許請求の範囲によって定義
されている本発明の精神と範囲から乖離することなく種
々の変更及、代替及び変形が可能であることを理解しな
ければならない。
【0014】以上の記載に関連して、以下の各項を開示
する。 1. A/D変換器の多段コンデンサ・ネットワークにお
ける容量の整合性を高める装置であって、上記の各段は
上部プレートと下部プレートを有する結合コンデンサに
よって相互に結合されている上記の装置に於いて、上記
の装置は:上記のコンデンサ・ネットワークの各段の上
に位置し、既知の電位に結合される第1シールド;上記
の各結合コンデンサの上に位置し、各々が上記の第1シ
ールドから分離され、上記の各結合コンデンサの下部プ
レートに結合されている第2シールド;によって構成さ
れることを特徴とする装置。 2. 上記の第1及び第2シールドが金属であることを特
徴とする前記項1記載の装置。 3. 上記の第1シールドがアースに結合されていること
を特徴とする前記項1記載の装置。 4. 上記の第1及び第2シールドが1つの半導体処理ス
テップに形成されることを特徴とする前記項1記載の装
置。 5. A/D変換器の多段コンデンサ・ネットワークに於
ける容量の整合性を高める方法であって、各2つの段は
上部プレートと下部プレートを有する結合コンデンサに
よって相互に結合されている上記の方法に於いて、上記
の方法は:上記のコンデンサ・ネットワークの上に第1
シールドを配設するステップ;上記のシールドを既知の
電位に結合するステップ;上記の各結合コンデンサの上
に第2シールドを配設するステップであって、上記の第
2シールドを上記の第1シールドから分離されている上
記のステップ;及び上記の各第2シールドを上記の各結
合コンデンサの下部プレートに結合するステップ; に
よって構成されることを特徴とする方法。 6. 上記のシールドを配設するステップは、第1及び第
2金属シールドを形成するステップによって構成される
ことを特徴とする前記項5に記載の方法。 7. 上記の第1シールドを結合するステップは、上記の
第1シールドをアースに結合するステップを有すること
を特徴とする前記項5に記載の方法。 8. 上記の第1及び第2シールドを配設するステップ
は、1つの半導体の処理ステップで実行されることを特
徴とする前記項5記載の方法。
【図面の簡単な説明】
【図1】2段コンデンサ・アレイを使用したA/D変換
器の単純化した概略図である。
【図2】本発明の好適な実施例の単純化した概略図であ
る。
【符号の説明】
40 本発明による装置 42〜52 コンデンサ 53 結合コンデンサ 56 比較器 60、62 導電性シールド層 63 結合コンデンサの上部プレート 64 結合コンデンサの下部プレート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−124933(JP,A) 特開 昭63−152227(JP,A) 特開 平3−285333(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H03M 1/00 - 1/88

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上部プレートと下部プレートとを有する
    結合コンデンサが段と段とを接続しているA/D変換器
    の多段コンデンサ回路網におけるコンデンサの整合を高
    める装置において、 多段コンデンサ回路網の各段を覆って、既知の電位に結
    合されている第1のシールドと、 前記の結合コンデンサのそれぞれを覆っている第2のシ
    ールドとを備え、この第2のシールドは前記の第1のシ
    ールドから離れていて、結合コンデンサの下部プレート
    へ結合されていることを特徴とした装置。
  2. 【請求項2】 上部プレートと下部プレートとを有する
    結合コンデンサが段と段とを接続しているA/D変換器
    の多段コンデンサ回路網におけるコンデンサの整合を高
    める方法において、 多段コンデンサ回路網の各段を覆って第1のシールド配
    置し、 この第1のシールドを既知の電位に接続し、 前記の第1のシールドから離して、前記の結合コンデン
    サのそれぞれを覆って第2のシールドを配置し、そして
    この第2のシールドを前記の結合コンデンサの下部プレ
    ートへ結合することを特徴とした方法。
JP04154963A 1991-06-17 1992-06-15 多段加重型コンデンサa/d変換器に於いて容量の整合性を高める装置と方法 Expired - Fee Related JP3133486B2 (ja)

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