JP3131012B2

JP3131012B2 - 加熱装置

Info

Publication number: JP3131012B2
Application number: JP04066029A
Authority: JP
Inventors: 慎治山口; 隆介牛越
Original assignee: NGK Insulators Ltd
Current assignee: NGK Insulators Ltd
Priority date: 1992-03-24
Filing date: 1992-03-24
Publication date: 2001-01-31
Anticipated expiration: 2016-01-31
Also published as: JPH05267193A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、プラズマCVD 、減圧CV
D 、プラズマエッチング、光エッチング装置等に使用さ
れる半導体ウエハー加熱装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】スーパークリーン状態を必要とする半導
体製造用装置では、腐食性ガス、エッチング用ガス、ク
リーニング用ガスとして塩素系ガス、弗素系ガス等の腐
食性ガスが使用されている。このため、ウエハーをこれ
らの腐食性ガスに接触させた状態で加熱するための加熱
装置として、抵抗発熱体の表面をステンレススチール、
インコネル等の金属により被覆した従来のヒーターを使
用すると、これらのガスの曝露によって、塩化物、酸化
物、弗化物等の粒径数μm の、好ましくないパーティク
ルが発生する。また、いわゆる間接加熱方式の半導体ウ
エハー加熱装置が開発されている。ところがこの方式の
ものは、直接加熱式のものに比較して熱損失が大きいこ
と、温度上昇に時間がかかること、赤外線透過窓へのCV
D 膜の付着により赤外線の透過が次第に妨げられ、赤外
線透過窓で熱吸収が生じて窓が過熱すること等の問題が
あった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の問題を解決する
ため、本発明者等は、円盤状の緻密質セラミックス内に
抵抗発熱体を埋設し、このセラミックスヒーターをグラ
ファイト製ケースで保持した加熱装置について検討し
た。その結果この加熱装置は、上述のような問題点を一
掃した極めて優れた装置であることが判明した。しか
し、こうした加熱装置では、円盤状セラミックスヒータ
ーの背面側に、電力供給用の電極や端子、熱電対などを
取り付ける必要がある。そして、これらの金属製部材が
高温の腐食性ガスに曝されると、腐食を受ける。また、
セラミックスヒーターの背面に、導電性膜が徐々に堆積
してくると、一対の電極の間で、また電極とケースとの
間で、放電や漏電が起こる。これらを防止する方法とし
て、セラミックスヒーターの背面に窒素ガス等の不活性
ガス等を流すことも考えられるが、セラミックスヒータ
ーとケースとの間をシールすることは困難である。

【０００４】本発明の課題は、セラミックスヒーターの
背面側と加熱面側との間を良好にシールでき、熱変化に
も対応でき、構造的に安定な加熱装置を提供することで
ある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】第一の発明は、緻密質セ
ラミックス製の盤状基体の内部に抵抗発熱体を埋設して
なるセラミックスヒーターと、このセラミックスヒータ
ーを支承する断熱材製の支承部と、耐熱金属製の筒状体
とを備え、この筒状体と前記支承部とが逆方向へと相対
的に変位可能なように取り付けられ、前記筒状体の内側
へと延びる環状突設部がこの筒状体に形成され、この環
状突設部を前記盤状基体に対して付勢することで環状突
設部と盤状基体との間で気体を封止できるように構成さ
れた、加熱装置に係るものである。

【０００６】また、第二の発明は、緻密質セラミックス
製の盤状基体の内部に抵抗発熱体を埋設してなるセラミ
ックスヒーターと、このセラミックスヒーターを支承す
るための、筒状の外壁面を備えた断熱材製の支承部と、
耐熱金属製部材とを備え、この耐熱金属製部材と前記支
承部とが逆方向へと相対的に変位可能なように取り付け
られ、前記耐熱金属製部材が前記盤状基体に対して付勢
され、これによって前記盤状基体を前記支承部に対して
付勢して盤状基体と支承部との間で気体を封止できるよ
うに構成された、加熱装置に係るものである。

【０００７】

【実施例】図１は、第一の発明の実施例に係る加熱装置
をフランジ部14に取り付けた状態を示す概略断面図、図
２は図１の一部拡大断面図である。略円盤状のセラミッ
クスヒーター38は、略円盤状の基体１と、円盤状基体１
の内部に埋設された抵抗発熱体２とからなる。円盤状基
体１は、緻密でガスタイトなセラミックスからなる。抵
抗発熱体２は、例えば渦巻状に埋設されており、抵抗発
熱体２の両末端が、それぞれ端子３に連結されている。
各端子３の表面が、基体１の背面1c側に露出する。

【０００８】円盤状基体１のウエハー加熱面1aは例えば
円形であり、ウエハー加熱面1aを囲んで円環状の段部1b
が形成され、段部1bを囲んで同心円状に円環状の段部1d
が形成されている。石英等の断熱材からなるウエハー支
持具12が設置される。ウエハー支持具12の本体12a は幅
広の円筒状であり、本体12a の先端に円環状の腕12b が
形成されている。腕12b の内側末端に突起12c が設けら
れ、突起12c にウエハー載置面12dが形成されている。
円環形状のウエハー載置面12d に、円板状の半導体ウエ
ハーＷを載置する。腕12b は、段部1bに近接して固定さ
れ、腕12b の下側面は、ウエハー加熱面1aよりも少し下
側に位置する。ウエハー支持具12は、上下動可能なよう
に構成されている。

【０００９】平板形状のフランジ部14は、図示しない半
導体製造装置に取り付けられるべきものである。本例で
はリード用の貫通孔14a が２箇所に形成され、各貫通孔
14aにリード部材13が挿通される。各貫通孔14a を覆う
ようにインシュレーター15が設置され、インシュレータ
ー15とフランジ部14とはＯリングでシールされる。イン
シュレーター15の下側に円環状の金属体16が設置され
る。各リード部材13は、更にインシュレーター15の内側
に挿通される。リード部材13の図示しない下端部に電力
供給用ケーブルが接続され、上端部13a にリード線８が
接続される。フランジ部14に冷却ジャケット18が設置さ
れている。又、リード部材13と金属体16とは、図示しな
いが、Ｏリング等で気密にシールされている。

【００１０】支承部９は、石英等の断熱材で一体に形成
されている。背面1cと対向して円板状部9aがヒーターと
ほぼ平行に設けられ、円板状部9aの上側周縁に円環状の
支持フランジ9cが形成され、セラミックスヒーター１の
周縁部背面が支承されている。円板状部9aには例えば２
箇所に貫通孔9bが設けられ、各貫通孔9bにリード部材７
が挿通される。各リード部材７の下端部7aにリード線８
が接続される。リード部材７の上端面には、それぞれ雄
ネジ7bが突出する。

【００１１】金具５は耐熱金属からなる。金具５の頭部
にはボルト固定孔5aが形成される。ボルト固定孔5aと、
端子３の雌ネジ3aとを位置合わせし、ボルト４をボルト
固定孔5aに挿通し、雌ネジ3aに嵌め合わせる。金具５の
頭部から、背面1cとほぼ水平に平板状部5bが延設され、
平板状部5bに貫通孔5cが形成されている。雄ネジ7bを貫
通孔5cに挿通し、ナット６を雄ネジ7bに嵌め合わせて止
める。ヒーター作動時には、リード部材13、リード線
８、リード部材７、金具５、端子３を通して、抵抗発熱
体２へと電力を供給する。

【００１２】円板状部9aの下側面の周縁に、円筒状部9d
が延設される。フランジ部14の上側壁面に、規制板22が
突設されており、規制板22が円筒状部9dの下部外周に当
接して規制し、支承部９が横方向にズレないようにす
る。また、フランジ部14の盲孔14b に金属ピン100 の先
端が挿入されている。金属ピン100 の側周面を囲むよう
にスプリングコイル20が設置され、スプリングコイル20
の下端がフランジ部14に当たり、上端が、円筒状部9dの
下端面に当接する。金属ピン100 により、スプリングコ
イル20が横方向にズレないようにしている。

【００１３】筒状体10は、耐熱金属からなる。筒状体10
の本体10a は円筒状であり、本体10a が、支承部９の側
周面と、円盤状基体１の側周面の一部とを囲んでいる。
本体10a の下端部の外周に、円環状の取付部10b が形成
され、取付部10b がフランジ部14に当接し、両者の間が
Ｏリングでシールされている。本体10a の上端の内周
に、円環状突設部10c が形成され、円環状突設部10c と
段部1dとが対向し、両者の間に円環状シール部材21が挟
まれている。側周断熱材11は、平面的にみて円環状の本
体11a と、本体11a の上端内周に形成された延設部11b
とからなる。本体11a は本体10a の外周面の上端を覆
い、延設部11b は、円環状突設部10c の上側面の一部を
覆う。

【００１４】本実施例の加熱装置によれば、従来の金属
ヒーターの場合のような汚染や、間接加熱方式の場合の
ような熱効率の悪化の問題を解決できる。また、筒状体
10の円環状突設部10c が、円環状シール部材21を介して
段部1dに対して付勢されている。この付勢力は、コイル
スプリング20によって与えられる。これにより、筒状体
10の内側空間19と、半導体ウエハーＷの設置される空間
とをシールでき、内側空間19へと、窒素ガス、アルゴン
ガス等の不活性ガスを充填することができる。従って、
半導体製造装置内の腐食性ガスによってリード部材13，
７，端子３等の金属製部材が腐食されるのを防止でき
る。また、装置内のCVD 用ガス等によって、背面1cに導
電膜が形成されるのも防止できる。

【００１５】また、減圧CVD 等の工程においては、装置
内を脱気し、高真空状態にするので、筒状体10にはかな
りの圧力がかかる。しかし、筒状体10は耐熱金属製であ
り、内側空間19内の不活性ガスの圧力に充分たえうる。
筒状体10を石英やセラミックスで形成すると、筒状体10
の円環状突設部10c を段部1dに押圧して引張応力をか
け、更にガス圧力をかけると、破壊する。

【００１６】ただ、筒状体10を耐熱金属製にすると、セ
ラミックスヒーター38を発熱させたときに、筒状体10が
上下方向に伸長し、円環状突設部10c が段部1dから離れ
ようとする。しかし、本例では、これに追従して支承部
９が上昇し、円環状突設部10c の上昇分を吸収するの
で、高温でもシール状態は保持される。

【００１７】また、筒状体10を耐熱金属で形成すると、
セラミックスヒーターの側周面の熱が筒状体10を伝わっ
て逃げるおそれがある。この点、本実施例では、円筒状
の本体10a を肉薄にし、熱伝達を小さくする。この効果
を奏するうえで、本体10a の肉厚は、例えば６〜８イン
チ、ヒーター用の場合、0.5 〜５mm程度にすると好まし
い。また、筒状体10の上半部を、下半部よりも若干肉厚
にすることが好ましい。

【００１８】更に、常圧CVD 等の工程においては、円筒
状の本体10a の外側の圧力がかなり上がるので、セラミ
ックスヒーター38の側周面及び円筒状の本体10a の上端
部外周面から、熱対流によってかなりの熱が逃げる。こ
の点、本実施例では、側周断熱材11でこうした熱放散を
遮断する。このように、セラミックスヒーターの側周方
向からの放熱を防止することで、ウエハー加熱面1aの周
縁で温度が低下するのを防ぎ、ウエハー加熱面1aからの
放射熱量を均一化することができる。

【００１９】円環状シール部材21を軟質金属によって形
成すると、最も気密性を高くすることができる。こうし
た軟質金属としては、耐食性と融点とが高い金及び白金
が最も好ましい。他に、ニッケル、銀、金が耐食性の点
で好ましい。銅は、半導体に悪影響を及ぼしうる。

【００２０】なお、気密性を低くし、シール部分から若
干不活性ガスが漏れてもよい場合は、円環状シール部材
21をセラミックス製としてもよいし、また、円環状突設
部10c を段部1dに直接押圧させてもよい。

【００２１】なお、ゴム製のＯリングを用いることも検
討したが、この使用温度の上限は高々300 ℃であり、低
温用途のみに限定されてしまう。また、インコネルやス
テンレス製のメタルＯリング、メタルＣリングでは、気
密性を上げようとして大きな荷重をかけると、セラミッ
クスにクラックが生ずる場合があった。

【００２２】軟質金属からなる円環状シール部材21は、
次の方法で製造するのがよい。即ち、まず軟質金属から
なる線材を用意し、この線材を円形に加工し、線材の両
端をスポット溶接して閉じる。次いで、スポット溶接に
より生じた膨張部分を削り落とす。

【００２３】円盤状基体１の材質としては、シリコンナ
イトライド、サイアロン、窒化アルミニウム等が好まし
く、シリコンナイトライドやサイアロンが耐熱衝撃性の
点で更に好ましい。また、ハロゲン系腐食性ガスに対す
る耐食性の点では、窒化アルミニウムが最も好ましい。
抵抗発熱体２の材質としては、タングステン、モリブデ
ン、白金等が好ましい。また、導電性セラミック（例え
ばSiC)等でもよい。支承部９、側周断熱材11、ウエハー
支持具12を構成する断熱材としては、石英、水晶、酸化
珪素質ガラス等が好ましい。筒状体10を構成する耐熱金
属としては、インコネル、ハステロイ、ステンレス、ニ
ッケル等又はこれらにTiN 、Au等をコーティングしたも
のが好ましい。

【００２４】図３は、第一の発明の他の実施例に係る加
熱装置を示す、図１と同様の概略断面図である。図１に
示したものと同じ構成部分には同じ符号を付け、その説
明は省略する。断熱材からなる支承部29の円板状部29a
が背面1cとほぼ平行に設けられ、円板状部29a の上側面
の周縁に支持フランジ29c が形成され、支持フランジ29
c によって円盤状基体１の背面周縁部が支持されてい
る。円板状部29a には例えば２箇所に貫通孔29b が設け
られ、各貫通孔29b にリード部材７が挿通されている。
耐熱金属からなる円筒状支持体23の一端がフランジ部14
に溶接され、円筒状支持体23の上端が支承部29に当接し
ている。

【００２５】筒状体30は耐熱金属からなる。筒状体30の
本体30a は円筒状であり、本体30aが、円筒状支持体23
の上半部と、支承部29と、円盤状基体１の側周面の下半
部とを囲む。本体30a の上端内周面に、円環状突設部30
c が設けられ、円環状突設部30c と段部1dとの間に円環
状シール部材21が設置される。本体30a の下端に、円環
状フランジ30b が延設される。円環状フランジ30b の下
側面にこれとほぼ同形状の保持具31が当接する。ボルト
34が円環状フランジ30b と保持具31とを貫通しており、
ナット６によって両者が固定されている。

【００２６】円環状フランジ30b の下部内周に傾斜面30
d が形成され、保持具31の上部内周に傾斜面31a が形成
され、傾斜面30d ，31a 及び円筒状支持体23の間にＯリ
ング32が挟持されている。ボルト34は更にフランジ部14
を貫通し、その下側まで延びる。フランジ部14の下側壁
面に座金35が当接し、この座金35にスプリングコイル20
が当接し、スプリングコイル20の下端が再び座金35に当
接し、下側の座金35がナット６で固定される。スプリン
グコイル20には圧縮荷重をかける。

【００２７】本実施例におけるように、筒状体30を下側
へと向って付勢しても、図１の例と同様に、良好なシー
ル状態を保つことができる。図３において、円筒状支持
体23を上側へと向って付勢してもよい。また、付勢手段
としては、スプリングコイル20の他、スプリングワッシ
ャー、板バネ等を使用できる。

【００２８】図３において、支承部29と円筒状支持体23
を一体化し、共に断熱材で形成してもよい。図１，図３
に示す例において、リード部材７、金具５を省略し、リ
ード線８を貫通孔9bに挿通し、リード線８の先端をボル
ト４で端子３に接続してもよい。円盤状基体１の平面形
状を変更してもよい。この場合は、ウエハー支持具12、
筒状体10、支承部９等の形状も合わせて変更する。

【００２９】図１、図２の例において、図４に拡大して
示すような構成を採用することも好ましい。即ち、本実
施例では、段部１ｄの最外周縁に、平面的にみてリング
状の突起39を形成し、突起39の内側に、円環状シール部
材21を設置する。このようにすれば、筒状体10の内側空
間19を減圧し、中、高真空状態に保持することも可能に
なる。そして、この場合には、円環状シール部材21に対
して、矢印Ａで示すように、拡がろうとする力が働く。
しかし、リング状の突起39によってこの圧力を抑え、円
環状シール部材21が位置ズレしたり、外れたりするのを
防止できる。

【００３０】図５は、第二の発明の実施例に係る加熱装
置をフランジ部14に取り付けた状態を示す断面図であ
る。図１に示したものと同じ部材には同じ符号を付す。
断熱材からなる支承部９Ａにおいては、円板状部９ａの
上側面の周縁に支持フランジ９ｃが形成され、円板状部
９ａの下側面の周縁に円筒状の基部９ｆが形成される。
支持フランジ９ｃと基部９ｆとによって、円筒状の外壁
が形成される。基部９ｆとフランジ14とが、Ｏリング等
によって気密にシールされる。

【００３１】支持フランジ９ｃの上端面44に、軟質金属
からなる円環状シール部材41が設置され、円環状シール
部材41の上に、セラミックスヒーター38Ａの円盤状基体
１Ａの背面の周縁部が支持されている。本例では、円盤
状基体１Ａに段部を設けていない。側周断熱材40は、幅
広の円筒状の本体40ａと、本体40ａの先端に設けられた
円環状突設部40b とからなる。円環状突設部40ｂでウエ
ハー加熱面１ａの側周縁を覆い、本体40ａで、円盤状基
体１Ａの側周面と円環状シール部材41の外側とを覆い、
本体40ａの下端を支持フランジ9cに当接させる。

【００３２】支承部９Ａの外側に、断熱金属製部材42を
複数個設置する。本実施例では、断熱金属製部材42が細
長い板状体からなる。本体42a の上端内周に爪部42b が
延設されており、本体42a の下端外周にフランジ42c が
延設されており、各フランジ42c にそれぞれボルト43が
挿通され、各ボルト43の先端がフランジ部14に固定され
ている。各ボルト43の頭部とフランジ42c との間にコイ
ルスプリング20を設置する。爪部42ｂの先端が側周断熱
材40の円環状突設部40b に当接している。

【００３３】本実施例の加熱装置によれば、従来の金属
ヒーターの場合のような汚染や、間接加熱方式の場合の
ような熱効率の悪化の問題を解決できる。また、円盤状
基体１Ａの背面１ｃが、円環状シール部材41を介して支
持フランジ９ｃに対して付勢されている。この付勢力
は、コイルスプリング20によって与えられる。これによ
り、支承部９Ａの内側空間49と、半導体ウエハーＷの設
置される空間とをシールでき、内側空間49へと、窒素ガ
ス、アルゴンガス等の不活性ガスを充填することができ
る。従って、半導体製造装置内の腐食性ガスによってリ
ード部材13，７、端子３等の金属製部材が腐食されるの
を防止できる。。また、装置内のCVD 用ガス等によっ
て、背面1cに導電膜が形成されるのも防止できる。

【００３４】また、耐熱金属製部材42は、セラミックス
ヒーター38A を発熱させたときに上下方向に伸長する。
しかし、この場合もコイルスプリング20が若干伸長して
耐熱金属製部材42の熱膨張を吸収するので、高温時にも
シール状態は保持される。また、本実施例では、セラミ
ックスヒーター38A と爪部42b との間に側周断熱材40を
介在させ、両者の接触による爪部42b の腐蝕と熱伝導と
を防止する。

【００３５】更に、常圧CVD 等の工程においては、容器
内の圧力がかなり上がるので、セラミックスヒーター38
A の側周面から、熱対流によってかなりの熱が逃げる。
この点、本実施例では、側周断熱材40でこうした熱放散
を遮断する。このように、セラミックスヒーターの側周
方向からの放熱を防止することで、ウエハー加熱面1aの
周縁で温度が低下するのを防ぎ、ウエハー加熱面1aから
の放射熱量を均一化することができる。

【００３６】円環状シール部材41の材質は、前述したシ
ール部材21の材質と同じである。なお、気密性を低く
し、シール部分から若干不活性ガスが漏れてもよい場合
は、円環状シール部材41をセラミックス製としてもよい
し、また、背面1cを支持フランジ9cに直接押圧させても
よい。

【００３７】図５において、耐熱金属製部材42を、一体
の円筒状体としてもさし支えない。また、図６に示すよ
うな構成を採用することもできる。図６に示す例におい
て、図５に既に示した部材には同じ符号を付した。本例
では、耐熱金属製部材42を省略し、その代りに、細長い
丸棒状の耐熱金属製部材46を用いた。フランジ部14に貫
通孔14b を設け、貫通孔14b に耐熱金属製部材46を挿通
し、部材46の下端部に雄ネジを設け、この雄ネジにナッ
ト47を嵌め合わせた。フランジ部14とナット47との間に
コイルスプリング20を設置した。円板状部9aに貫通孔9g
を形成し、円板状部9aの上に、小さい円環状の断熱材48
を設置し、貫通孔9g及び貫通孔48a に部材46を挿通し
た。貫通孔9gは部材46よりもかなり大きく形成して裕度
をとった。これは、部材46の設置位置の公差を考慮した
ものである。一方、貫通孔48a と部材46との隙間はでき
るだけ小さくし、熱の逃げを少なくする。

【００３８】円盤状基体1Aの所定位置に、ウエハー加熱
面1aから背面1cへと向かう貫通孔45を形成し、この貫通
孔45に耐熱金属製部材46を挿通する。部材46の上端に
は、円錐台形状に広がったテーパ部46a が形成されてお
り、テーパ部46a を、貫通孔45のテーパ面45a に収容す
る。ナット47を締めることでコイルスプリング20に圧縮
応力をかけ、耐熱金属製部材46を下方へと向かって付勢
し、テーパ部46a を介して、円盤状基体1Aを下方へと向
かって付勢する。これにより、円環状シール部材41に対
して圧縮応力をかける。

【００３９】

【発明の効果】第一の発明においては、耐熱金属製の筒
状体の内側へと延びる環状突設部をセラミックスヒータ
ーの段部に対して付勢できるように構成されているの
で、この部分をシールでき、筒状体の内側空間へと窒素
ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを充填したり、減圧
したりすることができる。従って、腐蝕性ガス等がセラ
ミックスヒーターの背面へと回り込むのを防止できる。
しかも、この筒状体が耐熱金属製であるので、セラミッ
クスヒーターの加熱面側と背面側との間に圧力差が生じ
ても、この圧力差に筒状体が耐えうる。

【００４０】また、セラミックスヒーターを発熱させる
と、金属製の筒状体が熱膨張によって伸長し、環状突設
部が盤状基体から離れようとする。しかし、筒状体と、
セラミックスヒーターの支承部とが、逆方向へと相対的
に変位可能なように取り付けられ、環状突設部が盤状基
体に対して付勢されているので、環状突設部の位置変化
に追従して付勢手段も伸長する。従って、セラミックス
ヒーターの温度が変化しても、シール状態は保持され
る。

【００４１】第二の発明において、耐熱金属製部材が盤
状基体に対して付勢され、これによって盤状基体を支承
部に対して付勢して、この部分をシールでき、支承部の
内側空間へと窒素ガス、アルゴンガス当の不活性ガスを
充填したり、減圧したりすることができる。従って、腐
蝕性ガス等がセラミックスヒーターの背面へと回り込む
のを防止できる。

【００４２】また、セラミックスヒーターを発熱させる
と、耐熱金属性部材が熱膨張によって伸長し、盤状基体
から離れようとする。しかし、耐熱金属製部材と支承部
とが逆方向へと相対的に変位可能なように取り付けら
れ、耐熱金属製部材が盤状基体に対して付勢されている
ので、この位置変化に追従して付勢手段も伸長する。従
って、セラミックスヒーターの温度が変化しても、シー
ル状態は保持される。

【図面の簡単な説明】

【図１】第一の発明の実施例に係る加熱装置をフランジ
部14に取り付けた状態を示す概略断面図

【図２】図１の要部拡大断面図

【図３】第一の発明の他の実施例に係る加熱装置をフラ
ンジ部14に取り付けた状態を示す概略断面図

【図４】第一の発明において、セラミックスヒーターの
側周面付近の構成例を示す断面図

【図５】第二の発明の実施例に係る加熱装置をフランジ
部14に取り付けた状態を示す概略断面図

【図６】第二の発明の実施例に係る加熱装置をフランジ
部14に取り付けた状態を概略的に示す部分断面図

【符号の説明】１, 1A 円盤状基体 1b，1d 段部 1c 背面２抵抗発熱体７，13 リード部材９, 9A, 29 支承部 10，30 筒状体 10c, 30c 円環状突設部 11, 40 側周断熱材 12 ウエハー支持具 14 フランジ部 19 円筒状体の内側空間 20 スプリングコイル 21, 41 円環状シール部材 38, 38A セラミックスヒーター 42, 46 耐熱金属製部材 49 支承部の内側空間Ｗ半導体ウエハー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/3065

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】緻密質セラミックス製の盤状基体の内部
に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーターと、
このセラミックスヒーターを支承する断熱材製の支承部
と、耐熱金属製の筒状体とを備え、この筒状体と前記支
承部とが逆方向へと相対的に変位可能なように取り付け
られ、前記筒状体の内側へと延びる環状突設部がこの筒
状体に形成され、この環状突設部を前記盤状基体に対し
て付勢することで環状突設部と盤状基体との間で気体を
封止できるように構成された、加熱装置。
【請求項２】緻密質セラミックス製の盤状基体の内部
に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックスヒーターと、
このセラミックスヒーターを支承するための、筒状の外
壁面を備えた断熱材製の支承部と、耐熱金属製部材とを
備え、この耐熱金属製部材と前記支承部とが逆方向へと
相対的に変位可能なように取り付けられ、前記耐熱金属
製部材が前記盤状基体に対して付勢され、これによって
前記盤状基体を前記支承部に対して付勢して盤状基体と
支承部との間で気体を封止できるように構成された、加
熱装置。