JP3130684U - 発光ダイオード - Google Patents

発光ダイオード Download PDF

Info

Publication number
JP3130684U
JP3130684U JP2007000298U JP2007000298U JP3130684U JP 3130684 U JP3130684 U JP 3130684U JP 2007000298 U JP2007000298 U JP 2007000298U JP 2007000298 U JP2007000298 U JP 2007000298U JP 3130684 U JP3130684 U JP 3130684U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting diode
support frame
housing
installation section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2007000298U
Other languages
English (en)
Inventor
蘇文龍
謝祥政
Original Assignee
凱鼎科技股▲ふん▼有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 凱鼎科技股▲ふん▼有限公司 filed Critical 凱鼎科技股▲ふん▼有限公司
Application granted granted Critical
Publication of JP3130684U publication Critical patent/JP3130684U/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • H01L2924/01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/647Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body

Abstract

【課題】筐体と支持フレーム間の定位数果を高め、且つ放熱敬果を高める発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
発光ダイオードは、少なくとも筐体、筐体内に設置する支持フレーム、少なくとも一個の発光チップ及びパッケージング樹脂体を含む。支持フレームは発光チップを設置する設置区と設置区と分離する電極区を設置し、且つ設置区は適する位置に段差部を成形する。その段差部可が筐体と支持フレームの接触面積を増やし、筐体と支持フレームの相互定位の安定性を高める。
【選択図】図3

Description

本考案は、発光ダイオードに関するもので、筐体と支持フレーム間の定位救果を高め、且つ放熱数果を高めたものである。
いわゆる発光ダイオードは、半導体材から構成され、半導体チップ内の電子とホールが結合して光を発し、異なる周波数のべクトル発生する発光部品である。またn型半導体チップとp型半導体チップが結合して発光チップとなる。通電後、n型半導体チップから余った電子がp型半導体チップのホールヘ流れ込み、電位の差によってn型半導体チップの電子をp型半導体チップのホールヘ落とす過程でエネルギーを放出する。そのエネルギー放出の方式は光の方式で進み、異なる波長の光線を発生する。
図1に示すのは、一般の発光ダイオードの基本アーキテクチヤー図で、そのうち発光ダイオード1には支持フレーム11を設置し、その支持フレーム11には相互に繋がらないキヤリア部111を設置する。また発光チップ12を導電材もしくは不導電ゴム材、もしくは共晶方式でキヤリア部111上に固定する。更に金線13(もしくは導電と同じ機能の導線)で構成した発光チップ12を各キヤリア部111と連結し、二個支持フレームの間に異なる電圧を加えて二個の異なる電極(プラス、負極)のキヤリア部111を形成し、電子とホールの結合によってエネルギーを放出し、光を発する。
しかしながら、図2に示すとおり、この支持フレーム11を成型する時、プレス加工によって先ず、平らな金属材上に二個の相互に対応し、且つ相互に繋がらないキヤリア部111を相対させてプレス成型し、続いて可塑性材加工作業によって二個のキヤリア部111区域で合成樹脂筐体14を成型する。そしてプレス加工作業でキヤリア部111に於いて合成樹脂筐体14区域をプレスして既定形状に成型した接続脚15に伸ばす。更に少なくとも一回のプレス動作により、接続脚15区段を合成樹脂筐体14の既定位置へ向けて相対して折り曲げ、完全な接続脚15構造を成形し、支持フレーム全体の加工工程を完成する。このキヤリア部111に発光チップを定置し、合成樹脂筐体14に関連蛍光材、もしくはパッキング材を入れ、発光ダイオードの支持フレーム構造が完成する。
しかしながら、この支持フレーム11は平直的構造で二個のキヤリア部111の区域に合成樹脂筐体14を成形する時,その合成樹脂筐体lAと支持フレーム11の接触定位数果は、二つが平直接触面で構成されるため、その定位致果はよくない。また支持フレーム11と合成樹脂筐体14が容易に分離してしまう。更にこの発光ダイオードの発光チップ12を始動する時、発生する熱量が発散しないため、発光ダイオード全体の温度が徐々に上昇して終には温度過熱で始動しなくなってしまう。

解決しようとする問題点は、筐体と支持フレームの定位が悪く、また放熱効果も悪い点である。
本考案は、少なくとも筐体、筐体内に設置する支持フレーム、少なくとも一個の発光チップ及びパッケージング樹脂体を含む。支持フレームは発光チップを設置する設置区と、設置区と分離する電極区を設置し、且つ設置区は適する位置に段差部を成形する。その段差部可が筐体と支持フレームの接触面積を増やし、筐体と支持フレームの相互定位の安定性を高めることを最も主要な特徴とする。
本考案の発光ダイオードは、筐体と支持フレーム間の定位数果を高め、且つ放熱数果を高めるという利点がある。
本考案の主な目的は、発光ダイオードを提供することにあり、それは少なくとも筐体、筐体内に設置する支持フレーム、少なくとも一個の発光チップ及びパッケージング樹脂体を含む。この支持フレームは、発光チップを設置する設置区及び設置区と分離する電極区があり、更に設置区の適する位置には段差部が成形され、その段差部によって、筐体と支持フレームの接触面積を増え、筐体と支持フレームの相互定位の安定性を向上させる。
その他、この設置区の厚みは電極区より大きく、更に納置槽の底部の設置区に相対する箇所には開口が形成され、設置区底部を筐体底部から外に露出させ、発光チップが設置区に置かれた時、設置区が発光チップ始動時に発生した熱を吸収する。金属材質の吸熱及び放熱効果により、熱源が外に露出した開口箇所の設置区から放出され、発光ダイオードの維持温度を保ち、過熱による故障を防止する。
本考案の発光ダイオードの別の目的は、同じく筐体、筐体内に設置する支持フレーム、少なくとも一個の発光チップ及びパッケージング樹脂体を含み、その支持フレームには発光チップを置く設置区、及び設置区と分離する電極区を含む。その設置区は、辺側に外に向かって伸びる凸出部が成形され、電極区は、辺側に外に向かって伸びる支持部を成形し、この凸出部及び支持部によって設置区及び電極区が納置槽から筐体外側へ向かって伸びる。
本考案の発光ダイオード2は、図3から図5に示すとおり、下述を含む。
筐体21は、その中に支持フレーム22を設置し、また筐体21が支持フレーム22露出部の納置槽211を形成する。
この支持フレーム22は、発光チップ23を設置する設置区221及び設置区221と分離する電極区222を設置し、且つその設置区221の適する當位置には段差部223を形成する。図に示すとおり、この段差部223は設置区221底部に成形し、その設置区221の辺側に外に向かって伸びる凸出部224を形成し、設置区221の辺側は平らでない構造となる。電極区222は、一組以上の相互に分離したプラス、マイナス電極区2221、2222である。
少なくとも一個の発光チップ23は、設置区221上に設置し、導線24で各々プラス、マイナス電極区2221、2222と電気連接する。
パッケージング樹脂体25は、納置槽211内に設置する。
この支持フレーム22は、金属材帯で設置区221及び電極区222を成形する。そのうち、設置区221底部は段差部223が成形される。図6Aに示すとおり、更にその辺側には外に向かって伸びた凸出部224が成形され、設置区221の辺側は平らでない構造である。また支持フレーム上に筐体21を成形する時、この段差部223及び凸出部224によって、筐体21と支持フレーム22の接触面積が増え、筐体21と支持フレーム22の相互定位が安定し、筐体21と支持フレーム22が離れにくくなる。
更にこの設置区221の厚みは、電極区222より大きい。図6Aに示すとおり、更に納置槽211底部は設置区221に相対する位置に、開口212が形成され、設置区221底部を筐体21底部の外に出し、更に設置区221底部は筐体21底部と同一平面を形成する。また発光チップ23を設置区221に置いた時、設置区221が発光チップ23始動時に発生した熱源を吸収することにより、金属材質の熱吸収及び放熱敬果によって、熱を外に出ている開口212箇所の設置区221から放熱し、発光ダイオードの運転温度を維持し、熱が留まって過熱現象を起こし、壊れてしまうのを防止する。もちろん、図5に示すとおり、設置区221底部は、筐体21底部においてやや突出する。
この他、本考案の電極区は、一組以上の相互に分離するプラス、マイナス電極区とする。第7図に示すとおり,この電極区222には二組の相互に分離するプラス、マイナス電極区2221、2222を設置する。
図8に示すのは、本考案の別実施例で、この発光ダイオード2構造は同様に筐体21(点線部分で表示している)、筐体21中に設置する支持フレーム22、少なくともひとつの発光チップ23及びパッケージング樹脂体24を含む。この支持フレーム22は、金属材帯3で成形し、発光チップ23の設置区221、及び設置区221と分離する電極区222がある。この設置区221は、辺側に外に向かって伸びる凸出部224を設置し、また電極区222は辺側に外に向かって伸びる支持部225を成形し、その支持部225によって支持フレーム22と金属材帯3が連結する。
支持フレーム22上に筐体21を成形する時、支持部225と金属材帯3を連結することにより、支持フレーム22が動きにくくなり、筐体21と支持フレーム22の相封位置を確実にする。
更に筐体21完成後、支持フレーム22と金属材帯3を分離し、図9に示すとおりの発光ダイオード構造を形成する。この凸出部224及び支持部225は、筐体21表面外に露出し、続いて製造工程の接点となる。
図7に示すとおり、この電極区222は一組以上の相互に分離するプラス、マイナス電極区2221、2222で、図示するのは二組を例としている。各プラス、マイナス電極区2221、2222は、辺側に外に向かって伸びた支持部225を成形し、その設置区221は辺側に外に向かって伸びた凸出部224を成形する。この凸出部224及び支持部225は、筐体21表面の外に露出する。設置区221に二個の異なる色の発光チップ23を設置した時、各発光チップ23はそれぞれ各プラス、マイナス電極区2221、2222と電気連接を形成し、異なる色の発光チップ23が必要とする電圧は相互に異なるため(例として白光、青色光及び緑色光の電圧は、約3.0〜3.5Vとし、赤色光の電圧は約1.8〜2.1Vとする。また黄色光の電圧は約2.0〜2.4Vとする)、その発光チップ23に必要な電圧に基づき、相対するプラス、マイナス電極区2221、2222にそれぞれ異なる電圧をかけ、異なる顔色の発光チップ23が不適当な電圧がかかるのを防止し、製品寿命を延ばし、光の混合に影響を与えないようにする。
上述のとおり、木考案が提供する発光ダイオードの構造を法令に基づき申請する。以上の実施説明及び図式に示すのは、本考案の一実施例に過ぎず、本考案を制限するものではない。故に本考案の構造、装置、特徴等と近似するものは、すべて本考案の実用新案登録範囲内とする。
公知の発光ダイオードの構造立体図である。 公知の発光ダイオードの構造指示図である。 本考案の発光ダイオードの構造立体図である。 本考案の支持フレームと発光チップの平面指示図である。 本考案の発光ダイオードの別構造立体図である。 本考案の発光ダイオードの構造断面図である。 本考案の発光ダイオードの構造断面図である。 本考案の支持フレームと発光チップの別平面指示図である。 本考案の別実施例の支持フレームと金属材帯の構造立体図である。 本考案の発光ダイオード別実施例の構造立体図である。
符号の説明
1 発光ダイオード
11 支持フレーム
111 キャリア部
12 発光チップ
13 金線
14 合成樹脂筐体
15 接続脚
2 発光ダイオード
21 筐体
211 納置層
212 開口
22 支持フレーム
221 設置区
222 電極区
2221 プラス電極区
2222 マイナス電極区
223 段差部
224 凸出部
225 支持部
23 発光チップ
24 導線
25 パッケージング樹脂体
3 金属材帯

Claims (10)

  1. 発光ダイオードにおいて、
    内部に一支持フレームを設置し、支持フレームの外に露出部に一納置槽を形成した一筐体と,
    一個の発光チップを置く一設置区、及び設置区と分離する一電極区を設置し、且つその設置区の適するには段差部を形成する支持フレームと、
    一導線と電極区が電気連接する発光チップと、
    納置槽内に設置する一パッケージング樹脂体を含むことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 前記設置区は、その厚みが電極区の厚みより大きいことを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
  3. 前記設置区は、辺側に外に向かって伸びる一凸出部を成形することを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
  4. 前記納置槽は、その底部の設置区と相対する箇所に一開口を形成し、設置区の底部は、筐体底部から外に露出することを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
  5. 前記設置区は、その底部が筐体底部と平面を形成することを特徴とする請求項4記載の発光ダイオード。
  6. 前記設置区は、その底部が筐体底部から突出することを特徴とする請氷項4記載の発光ダイオード。
  7. 前記段差部は、設置区底部に設置することを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
  8. 発光ダイオードにおいて内部に一支持フレームを設置し、支持フレームの外に露出部に一納置槽を形成した一筐体と、
    一個の発光チップを置く一設置区、及び設置区と分離する一電極区を設置し、且つその設置区の適するには段差部を形成する支持フレームと、
    一導線と電極区を電気連接する発光チップと、
    納置槽内に設置する一パッケージング樹脂体を含むことを特徴とする発光ダイオード。
  9. 前記電極区は、一組以上の相互に分離するプラス、マイナス電極区で、各プラス、マイナス電極区は辺側に外に向かって伸びる一支持部を成形し、支持部によって筐体外側に伸びることを特徴とする請求項8記載の発光ダイオード。
  10. 前記設置区は、辺側に外に向かって伸びる一凸出部を成形し、この凸出部が筐体外側まで伸びることを特徴とする請求項8記載の発光ダイオード。
JP2007000298U 2006-12-22 2007-01-23 発光ダイオード Expired - Lifetime JP3130684U (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW095222669U TWM312778U (en) 2006-12-22 2006-12-22 Improved LED

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3130684U true JP3130684U (ja) 2007-04-05

Family

ID=38752250

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007000298U Expired - Lifetime JP3130684U (ja) 2006-12-22 2007-01-23 発光ダイオード

Country Status (3)

Country Link
US (2) US8125136B2 (ja)
JP (1) JP3130684U (ja)
TW (1) TWM312778U (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0461987U (ja) * 1990-10-04 1992-05-27
JP2009252419A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Minebea Co Ltd 線状光源装置、および面状照明装置
EP2158617A2 (en) * 2007-06-20 2010-03-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and manufacturing method thereof
JP2012094906A (ja) * 2010-01-29 2012-05-17 Toshiba Corp Ledパッケージ
JP2015029052A (ja) * 2013-06-28 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US9257417B2 (en) 2012-12-29 2016-02-09 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
US9607934B2 (en) 2013-07-31 2017-03-28 Nichia Corporation Lead frame, lead frame with resin attached thereto, resin package, light emitting device, and method for manufacturing resin package
JP2018148223A (ja) * 2013-06-28 2018-09-20 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ
WO2020116452A1 (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置
US10867894B2 (en) 2018-10-11 2020-12-15 Asahi Kasei Microdevices Corporation Semiconductor element including encapsulated lead frames

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011115314B4 (de) * 2011-09-29 2019-04-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Modul
DE102011056810B4 (de) 2011-12-21 2022-01-20 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP6021416B2 (ja) * 2012-05-01 2016-11-09 日東電工株式会社 光半導体装置用リフレクタ付リードフレームおよびそれを用いた光半導体装置並びにその製造方法
JP6102187B2 (ja) 2012-10-31 2017-03-29 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
TWD161897S (zh) * 2013-02-08 2014-07-21 晶元光電股份有限公司 發光二極體之部分
USD847102S1 (en) 2013-02-08 2019-04-30 Epistar Corporation Light emitting diode
TWM509438U (zh) * 2015-04-24 2015-09-21 Unity Opto Technology Co Ltd 發光二極體支架

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW546806B (en) * 1999-11-08 2003-08-11 Siliconware Precision Industries Co Ltd Semiconductor package with common lead frame and heat sink
US6670648B2 (en) * 2001-07-19 2003-12-30 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device having a reflective case
US6639356B2 (en) 2002-03-28 2003-10-28 Unity Opto Technology Co., Ltd. Heat dissipating light emitting diode

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0461987U (ja) * 1990-10-04 1992-05-27
EP2158617A2 (en) * 2007-06-20 2010-03-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and manufacturing method thereof
EP2158617A4 (en) * 2007-06-20 2013-08-07 Lg Innotek Co Ltd PHOTOEMETTER DEVICE HOUSING AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
US8587118B2 (en) 2007-06-20 2013-11-19 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package and manufacturing method thereof
JP2009252419A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Minebea Co Ltd 線状光源装置、および面状照明装置
JP2012094906A (ja) * 2010-01-29 2012-05-17 Toshiba Corp Ledパッケージ
USRE47504E1 (en) 2012-12-29 2019-07-09 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
US9257417B2 (en) 2012-12-29 2016-02-09 Nichia Corporation Light emitting device package, light emitting device using that package, and illumination device using the light emitting devices
US9406856B2 (en) 2013-06-28 2016-08-02 Nichia Corporation Package for light emitting apparatus and light emitting apparatus including the same
US9647190B2 (en) 2013-06-28 2017-05-09 Nichia Corporation Package for light emitting apparatus and light emitting apparatus including the same
US9991432B2 (en) 2013-06-28 2018-06-05 Nichia Corporation Light emitting apparatus
JP2018148223A (ja) * 2013-06-28 2018-09-20 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ
US10305011B2 (en) 2013-06-28 2019-05-28 Nichia Corporation Light emitting apparatus
JP2015029052A (ja) * 2013-06-28 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
US9607934B2 (en) 2013-07-31 2017-03-28 Nichia Corporation Lead frame, lead frame with resin attached thereto, resin package, light emitting device, and method for manufacturing resin package
US10366945B2 (en) 2013-07-31 2019-07-30 Nichia Corporation Lead frame, lead frame with resin attached thereto, resin package, light emitting device, and method for manufacturing resin package
US10867894B2 (en) 2018-10-11 2020-12-15 Asahi Kasei Microdevices Corporation Semiconductor element including encapsulated lead frames
WO2020116452A1 (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置
JP2020092155A (ja) * 2018-12-05 2020-06-11 株式会社ダイセル 光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8125136B2 (en) 2012-02-28
US20120120668A1 (en) 2012-05-17
US20080151557A1 (en) 2008-06-26
TWM312778U (en) 2007-05-21
US8508114B2 (en) 2013-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3130684U (ja) 発光ダイオード
KR102363258B1 (ko) 만곡된 리드 프레임 상에 장착된 led들
US8471284B2 (en) LED package structure and fabrication method thereof
US7999281B2 (en) Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device
JP2009260233A (ja) サブマウント、発光ダイオードパッケージ及びその製造方法
JP5275388B2 (ja) 照明装置
TWI443875B (zh) Led封裝結構的製作方法
WO2015139369A1 (zh) 一种led灯条制作方法及led灯条
TWI482318B (zh) 發光二極體及其封裝結構
US9318666B2 (en) Light emitting diode device and method for manufacturing same
TW201304218A (zh) 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20110084057A (ko) 발광 장치
TWI455365B (zh) 發光二極體封裝結構的製造方法
US20120012886A1 (en) Light emitting diode, frame shaping method thereof and improved frame structure
TW201445771A (zh) 發光二極體封裝結構
TW201327922A (zh) 發光二極體及其製作方法
JP3108452U (ja) 発光ダイオードの放熱フレーム構造
TW201314976A (zh) Led封裝結構
CN220366297U (zh) 一种cob光源及照明装置
TWM527162U (zh) 發光二極體的封裝結構
TWI509841B (zh) 發光二極體封裝結構
KR20110127885A (ko) 엘이디 패키지 제조방법
CN202178293U (zh) 发光二极管的支架
JPS6125267Y2 (ja)
JP2008071952A (ja) 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100314

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 4

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323531

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R323111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 4

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110314

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120314

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130314

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140314

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term